CN113614282A - 处理***、用于在处理***中运输基板的载体和用于运输载体的方法 - Google Patents

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Abstract

本公开内容的多个实施方式涉及一种用于在处理***中运输基板的载体。所述载体包括：基板支承表面；和吸盘组件，所述吸盘组件被构造为以真空模式和以静电模式将所述基板保持在所述基板支承表面处。

Description

处理***、用于在处理***中运输基板的载体和用于运输载 体的方法
技术领域
本公开内容的多个实施方式涉及一种处理***、一种用于在处理***中运输基板的载体和一种用于运输载体的方法。本公开内容的多个实施方式特别地涉及一种用于在材料沉积***中运输基板的载体。
背景技术
用于在基板上进行层沉积的技术包括例如物理气相沉积(PVD)、化学气相沉积(CVD)和热蒸发。经涂覆的基板可用于若干应用和若干技术领域中。例如，能通过PVD工艺来涂覆用于显示器的基板，包括用于高密度显示器的基板。一些应用包括绝缘面板、具有TFT的基板、滤色器或类似物。经涂覆的基板，诸如用于显示器的基板，可包括安置在两个电极之间的一个或多个材料层，该一个或多个材料层都被沉积在基板上。
为了在处理***中处理基板，基板被运输通过处理***的后续处理腔室，诸如沉积腔室和可选地另外的处理腔室(例如，清洁腔室和/或蚀刻腔室)，其中随后在处理腔室中进行处理方面，使得能在直列式(in-line)处理***中连续地或准连续地处理多个基板。基板被装载到被运输通过处理***的载体上。
鉴于以上内容，载体的改进是有益的。
发明内容
根据一个方面，提供了一种用于在处理***中运输基板的载体。所述载体包括：基板支承表面；和吸盘组件，所述吸盘组件被构造为以真空模式和以静电模式将所述基板保持在所述基板支承表面处。
根据另一个方面，提供了一种用于在处理***中运输基板的载体。所述载体包括：基板支承表面；和吸盘组件。所述吸盘组件包括：电极组件，所述电极组件与所述基板支承表面相邻；和多个开口，所述多个开口在所述基板支承表面中，所述多个开口连接至气体导管。
根据另一个方面，提供了一种用于在真空腔室中处理基板的处理***。所述处理***包括：装载站；真空处理腔室；和装载锁定腔室，所述装载锁定腔室在所述装载站与所述真空处理腔室之间。所述装载站被构造用于在根据本文描述的多个实施方式的载体上的所述基板的竖直装载。所述处理***进一步包括：真空发生装置，所述真空发生装置以真空模式将所述基板保持在所述基板支承表面上。
根据另一个方面，提供了一种用于在处理***中运输基板的方法。所述方法包括：提供真空至载体的基板支承表面，以用于吸引基板；将所述基板装载在所述载体的所述基板支承表面上；和用吸盘组件提供静电力至所述基板。
多个实施方式还针对了用于进行所公开的方法的设备，并且包括用于执行每个所描述的方法方面的设备部分。这些方法方面可借助硬件部件、由适当软件编程的计算机、两者的任何组合或以任何其他方式执行。此外，根据本公开内容的多个实施方式还针对了用于操作所描述的设备的方法。用于操作所描述的设备的方法包括用于进行该设备的每个功能的方法方面。
附图说明
为了能详细地理解本公开内容的上述特征结构的方式，可参考多个实施方式来得到以上简要地概述的本公开内容的更特定的描述。附图涉及本公开内容的多个实施方式，并且描述如下：
图1示出了根据本文描述的多个实施方式的载体的示意性截面图；
图2A示出了根据本文描述的多个实施方式的载体的示意性前视图；
图2B示出了根据本文描述的多个实施方式的载体的示意性前视图；
图3示出了根据本文描述的多个实施方式的用于处理基板的处理***的示意图；并且
图4示出了根据本文描述的多个实施方式的在处理***中运输基板的方法的流程图。
具体实施方式
现在将详细地参考本公开内容的各种实施方式，这些实施方式的一个或多个示例被绘示在多个附图中。在以下对多个附图的描述内，相同的附图标记指代相同的部件。仅描述了相对于单独的实施方式的差异。每个示例以本公开内容的解释的方式提供，而不意在作为本公开内容的限制。另外，被绘示或描述为一个实施方式的部分的特征结构能在其他多个实施方式上使用或结合其他多个实施方式使用，以产生又另外的实施方式。说明书意图包括这样的修改和变化。
载体能用于处理***(例如，真空沉积***)中，以用于在处理***的真空腔室内保持和运输基板。例如，在由载体支承基板时，能将一个或多个材料层沉积在基板上。
用载体支承基板以用于基板处理具有减少玻璃破损的优点，例如，用于运输基板通过处理***。例如，基板可由载体保持在背面(rear side)(即，基板的不面对沉积源的一面)处。基板的正面(front side)，即，基板的面向沉积源的一面，没有被例如载体的保持布置覆盖，从而允许待沉积的材料能到达基板的难以以其他方式到达的区域。
在一些应用中，载体可包括用于在背面处保持基板的静电吸盘。当将基板装载到载体上时，可将基板按压到静电吸盘上，直到充分地建立静电力。另外，当从载体卸载基板时，静电力抗衡基板的移除。
因此，促成基板的装载和卸载的载体是有益的。
根据本公开内容的一个方面，提供了一种用于在处理***中运输基板的载体。所述载体包括：基板支承表面；和吸盘组件，所述吸盘组件被构造为以真空模式和以静电模式将所述基板保持在所述基板支承表面处。
根据本公开内容的一个方面，提供了一种用于在处理***中运输基板的载体。所述载体包括：基板支承表面；和吸盘组件。所述吸盘组件包括：电极组件，所述电极组件与所述基板支承表面相邻；和多个开口，所述多个开口在所述基板支承表面中，所述多个开口连接至气体导管。
如本文所使用的术语“与……相邻”可被理解为被构造为提供力的元件。例如，电极组件可被构造为提供力至基板，例如，静电力。另外，术语“与……相邻”可理解为提供力的元件。例如，电极组件可提供力至基板，例如静电力。可在基板支承表面处提供力以将基板保持在基板支承表面处。
图1示出了根据本文描述的多个实施方式的载体100的示意性截面图。根据多个实施方式，载体100被构造用于在处理***中运输基板。载体100包括用于支承基板的基板支承表面142和吸盘组件120。吸盘组件120被构造为以真空模式和以静电模式将基板保持在基板支承表面处。吸盘组件可包括用于提供静电力至基板的电极组件125。例如，可由电极组件125提供静电场以作用在基板上来保持基板。基板可在由静电场保持时被运输通过处理***。
根据本文描述的多个实施方式，载体100包括基板支承表面142。例如，要被载送通过处理***的基板可被保持在载体的基板支承表面142处。基板可由静电力保持在基板支承表面处。为了基板的装载，可通过真空吸附将基板保持在基板支承表面处。根据多个实施方式，载体可包括在基板支承表面142中的多个开口112。多个开口可连接至气体导管110。气体导管可选地连接至供气源。气体导管可连接至真空发生装置150。气体导管可连接至阀160。阀可布置在气体导管与真空发生装置150和/或供气源之间。气体导管可包括多个通道116。多个通道116的每个通道可通向多个开口112中的一个开口。
根据本文描述的多个实施方式，吸盘组件可被构造为以静电模式将基板保持在基板支承表面处。如本文所使用的“静电模式”可理解为提供静电力至吸盘组件以将基板保持在基板支承表面处。电极组件(即，多个电极)可提供静电力。
根据本文描述的多个实施方式，载体可包括至少一个非导电区域。至少一个非导电区域可由介电材料制成。具体地，电介质可由诸如热解氮化硼、氮化铝、氮化硅、氧化铝等高热导率介电材料或等效材料制成，但是也可由诸如聚酰亚胺等材料制成。电极组件125可嵌入在至少一个非导电区域中或设置在非导电区域的与基板支承表面相对的一面上。
根据能与本文描述的其他多个实施方式结合的一些实施方式，载体100可包括一个或多个电压源，该一个或多个电压源被构造为施加一个或多个电压至多个电极122。在一些实施方式中，一个或多个电压源被构造为将多个电极122中的至少一些电极接地。作为示例，一个或多个电压源能被构造为施加具有第一极性的第一电压、具有第二极性的第二电压至多个电极122和/或将多个电极122接地。根据一些实施方式，多个电极中的每个电极、每个第二电极、每个第三电极或每个第四电极能被连接至单独的电压源。术语“极性”是指电极性，即，负(-)和正(+)。举例来说，第一极性可以是负极性而第二极性可以是正极性，或者第一极性可以是正极性而第二极性可以是负极性。
根据多个实施方式，控制器130能被构造为控制一个或多个电压源以向电极组件125施加一个或多个电压和/或将电极组件125接地。在一些实施方式中，控制器130能被集成到一个或多个电压源中，反之亦然。在另外的实现方式中，控制器130能被设置为例如经由电缆连接和/或无线连接而连接至一个或多个电压源的单独的实体。控制器130可被构造为调节吸盘组件，即，控制器可被构造为提供真空模式和/或静电模式。控制器130可被构造为调节阀160。
根据能与本文描述的任何其他实施方式结合的多个实施方式，吸盘组件可被构造为以真空模式将基板保持在基板支承表面处。如本文所使用的“真空模式”可被理解为提供真空至吸盘组件以将基板保持在基板支承表面处。例如，基板支承表面可包括多个开口，通过这些开口可提供真空至吸盘组件以将基板保持在基板支承表面处。
根据多个实施方式，可独立于真空模式提供静电模式。附加地或替代地，当静电模式启动时，吸盘组件可处于真空模式。因此，静电力可作用在由真空保持的基板上。
根据能与本文描述的任何其他实施方式结合的多个实施方式，真空模式和静电模式可重叠，即，当静电模式可以启动时，吸盘组件可以真空模式将基板保持在基板支承表面处。一旦建立了静电模式，就可停止或关闭真空模式。因此，真空模式可辅助静电模式，例如，真空模式能协同(synergize)静电模式。
有利地，以真空模式将基板保持在基板支承表面处能缩短静电模式被建立的持续时间。例如，建立静电模式可能要花一些时间来产生足以将基板保持在载体的基板支承表面处的静电力。因此，提供真空模式至吸盘组件以避免和/或防止基板的不期望的分离是有益的。
根据本文描述的多个实施方式，载体可被基本上竖直地取向。因此，基板可以基本上竖直的取向被运输通过处理***。
如在整个本公开内容中所使用，“基本上竖直的”特别是在提到基板取向时被理解为允许与竖直方向或取向有±20°或更小(例如，±10°或更小)的偏差。能提供这种偏差，例如是因为与竖直取向有一定偏差的基板载体可能导致更稳定的基板位置，或者面朝下的(facing down)基板取向甚至可在沉积期间更好地减少基板上的颗粒。然而，例如在层沉积工艺期间，考虑基板取向是基本上竖直的，这与水平基板取向不同。
具体地，如在整个本公开内容中所使用，诸如“竖直方向”或“竖直取向”的术语被理解为区分“水平方向”或“水平取向”。竖直方向基本上平行于重力。
根据本文描述的多个实施方式，基板可以基本上竖直的取向被装载到载体上。在以基本上竖直的取向上的基板的装载期间，吸盘组件可处于真空模式。吸盘组件的静电模式可在基板的装载期间或在吸盘组件处于真空模式的情况下将基板保持在基板支承表面处时提供。
有利地，基板能以基本上竖直的取向被装载到载体上。当吸盘组件被构造为处于真空模式时，防止基板从载体脱落。因此，防止了***故障并且防止了对基板的损坏。因此，促进并加速载体上的基板的装载。
替代地，例如，在将载体装载到处理***中或从处理***中卸载期间，基板可被保持在基本上水平的取向上。对于在处理***中处理基板，可使载体和基板处于基本上竖直的取向。例如，可使用摆动模块来改变具有装载的基板的载体的取向。例如，如果作用在基板上的重力可由另外的力有利地支持，则静电吸盘还可由在水平取向上的真空来辅助。
图2A示出了根据本文的多个实施方式的载体200的示意性前视图。根据本文描述的多个实施方式，载体包括基板支承表面142和吸盘组件120。基板支承表面可包括连接至气体导管的多个开口212。气体导管可将多个开口212互连。多个开口可以一个图案布置在基板支承表面处。例如，基板支承表面可包括行213、214，行213、214包括在本文中称为多个开口212的开口。行可形成矩形图案。附加地或替代地，可提供其他图案。
根据本文描述的多个实施方式，气体导管可连接至阀。阀可连接至真空发生装置和/或供气源。阀可用于打开或关闭真空模式。因此，对于开阀(open valve)，真空发生装置与气体导管流体连通。在基板支承表面处的减小的压强提供了基板至基板支承表面的真空吸附。例如，阀可以是打开或关闭真空的两通阀。
根据能与本文描述的其他多个实施方式结合的又另一个实施方式，可在气体导管中提供冷却气体或另一种气体。气体可用于冷却和/或辅助基板从基板支承表面的释放。因此，阀可以是三通阀或一般是具有两个或更多个端口(诸如三个或更多个端口)的阀。具有三个或更多个端口允许在气体导管与真空发生装置之间以及在气体导管与一个或多个气源之间提供流体连通。
阀可由控制器调节。可根据由控制器设定的吸盘组件的模式，即根据提供给吸盘组件的真空模式和/或静电模式来调节阀。根据本公开内容的一些实施方式，可通过例如通过操作阀来使真空泵与气体导管流体连通，来提供真空模式。
气体导管可布置在载体内或载体处，例如，气体导管可至少部分地穿过载体，即载体的非导电区域来设置。气体导管可连接至真空发生装置和/或至少一个供气源。气体导管可包括多个通道。气体导管可包括用于将多个通道互连的公共导管。多个通道可被构造为提供气体至基板支承表面处的多个开口和/或将气体从基板支承表面处的多个开口运输离开。
根据多个实施方式，气体导管可包括连接至多个开口的多个通道以允许气流、特别是双向气流流过多个通道。如本文所使用，“双向气流”可理解为在基板支承表面的方向上和远离基板支承表面流过气体导管的气流。双向流可包括在相反方向上流过气体导管的适时变换的(timely shifted)气流。
根据本文描述的多个实施方式，气体可沿着多个开口的方向流过气体导管和/或远离多个开口流过气体导管。因此，例如，当提供真空时，气体可从多个开口流向真空发生装置。因此，可在基板支承表面处提供对基板的抽吸。附加地或替代地，可向多个开口提供气体，例如，可由供气源提供气体。通过使气体沿着多个开口的方向流过气体导管迸发(burst)或脉冲，可将基板推离基板支承表面。
根据本文描述的多个实施方式，可经由气体导管提供真空至基板支承表面。可提供真空力至基板、特别是抽吸力，以用于将基板保持在基板支承表面处。例如，真空发生装置可在载体处，即在吸附组件处产生真空，以经由抽吸力将基板保持在基板支承表面处。例如，真空发生装置可以是真空泵。
根据本文描述的多个实施方式，远离和/或朝向基板支承表面，即多个开口的气流可被调节。气流的调节可通过调节连接气体导管和真空发生装置和/或供气源的阀来提供。当提供远离基板支承表面的气流时，可通过真空吸附将基板保持在基板支承表面处。因此，吸盘组件可处于真空模式，以提供远离基板支承表面的气流。
根据多个实施方式，阀可以是两通阀。两通阀可连接至真空发生装置。可施加真空，使得基板可保持在基板支承表面142处。可通过打开或关闭两通阀来控制或调节两通阀。因此，当吸盘组件处于真空模式时可打开阀。可对基板施加真空，使得吸盘组件将基板吸引或吸在基板支承表面处。
附加地或替代地，可朝向基板支承表面提供气流。例如，可通过气体导管提供冷却气体，即，从供气源通过气体导管并通过多个开口来提供冷却气体以冷却在基板支承表面处的基板。附加地或替代地，气体导管可提供真空至基板支承表面。
根据本文描述的并关于图2B的多个实施方式，阀可以是三通阀。三通阀可连接至真空发生装置和供气源。当载体包括冷却布置时，这种结构尤其有用。本领域技术人员可理解，当载体不包括冷却布置时也可使用三通阀。例如，在载体的基板支承表面142中的开口可提供冷却气体至基板以冷却基板。基板的冷却是有利的，以防止因过热而对基板的损坏或空间变化。冷却气体可以是例如氦。
根据本文描述的多个实施方式，载体可包括用于冷却基板的冷却布置。冷却布置可包括气体导管和多个开口。冷却布置可进一步包括多个通道，这些通道至少部分地横穿载体。气体导管可被构造为提供冷却气体至基板支承表面。
冷却布置可包括多个槽216。槽216可将在基板支承表面处的多个开口互连。槽216可被构造为传播由气体导管提供的冷却气体，即从多个开口中的每个开口朝向在基板支承表面处的互连开口传播，以扩大被提供冷却气体的区域。因此，可增强基板的冷却。
有利地，可更高效地冷却在基板支承表面处的基板。更大的基板表面区域可与冷却气体直接接触。在一些实现方式中，当提供真空模式时，可增强将基板吸引到基板支承表面，并且可实现在整个基板支承表面上的均匀吸引。
根据能与本文描述的任何其他实施方式结合的多个实施方式，气体导管可被构造为从载体卸载基板或至少支持从载体的基板的卸载。气体导管可提供气体脉冲或气体迸发至基板，以将装载在载体上的基板推离基板支承表面。
根据本文描述的多个实施方式，用于将基板推离基板支承表面的压强可在0.6巴至20巴的范围内。有利地，选择这个范围内的压强使得能够克服在吸盘组件和基板界面处构成的周围大气压强和/或可能的毛细力。
有利地，提供气体脉冲或气体迸发推动至基板而将基板推离基板支承表面抗衡了静电场。当关闭静电模式来卸载基板时，静电力的中止可能是缓慢且不完全的。因此，当将基板推离静电场时，就促进基板的卸载。此外，可加速从载体的基板的卸载，并且可避免或防止对要卸载的基板的损坏。
图3示例性地示出了根据本文描述的多个实施方式的用于处理基板的处理***300的示意图。特别地，处理***可以是材料沉积***。处理***包括装载站372、真空处理腔室390和在装载站与真空处理腔室之间的装载锁定腔室380。装载站被构造用于将基板竖直地装载在根据本文描述的实施方式的载体上。装载站372可以是大气腔室370，即，提供大气压强的腔室。处理***包括真空发生装置，该真空发生装置用于将基板以真空模式保持在基板支承表面上。处理***可进一步包括一个或多个传送腔室382。
基板的处理可理解为例如在退火或其他基板处理期间传送材料至基板、蚀刻基板、基板的预处理、加热基板。例如，沉积材料可例如通过CVD工艺或PVD工艺(诸如溅射或蒸发)沉积在基板上。基板10可包括沉积材料接收面。基板的沉积材料接收面可被视为基板的面对沉积源的一面。此外，基板的处理还可包括从处理***的一个腔室到处理***的另一个腔室的基板的运输。
根据多个实施方式，处理***300可被构造用于CVD或PVD工艺，诸如溅射沉积。在另一个示例中，该***能被构造用于蒸发例如用于OLED装置的制造的有机材料。例如，处理***可以是用于大面积基板(例如，用于显示器制造)的处理***。具体地，提供了根据本文描述的多个实施方式的结构和方法的处理***，用于处理具有例如1m2或更大的面积的大面积基板。例如，大面积基板可以是对应于约1.4m2(1.1m×1.3m)的表面积的第5代、对应于约4.29m2(1.95m×2.2m)的表面积的第7.5代、对应于约5.7m2(2.2m×2.5m)的表面积的第8.5代或甚至对应于约8.7m2(2.85m×3.05m)的表面积的第10代。能够类似地实现甚至更高代(诸如第11代和第12代)和对应的表面积。
根据本文描述的多个实施方式，处理***(即，真空处理腔室)可包括一个或多个材料沉积源392。一个或多个材料沉积源可以是用于基板上的一种或多种材料的溅射沉积或蒸发的源。
根据多个实施方式，处理***可在真空条件下处理基板。如本文所使用的真空条件包括在低于10-1毫巴或低于10-3毫巴的范围内、诸如10-7毫巴至10-2毫巴的压强条件。可通过真空泵或其他真空形成技术的使用来施加真空条件。例如，装载锁定腔室中的真空条件可在大气压强条件与次大气压强条件(例如，在10-1毫巴或更低的范围内)之间切换。为了将基板传送到高真空腔室中，可将基板***到设置在大气压强的装载锁定腔室中，可将装载锁定腔室密封，并且随后，可将装载锁定腔室设定在低于10-1毫巴的范围内的次大气压强下。随后，可打开在装载锁定腔室与高真空腔室之间的开口，并且可将基板***到高真空腔室中以将基板运输到处理腔室中。
根据多个实施方式，基板处理***可包括运输***385。运输***可被构造为运输一个或多个载体。一个或多个载体可被构造为用于运输一个或多个基板10。特别地，运输***385可包括延伸穿过处理***的运输路径。一个或多个载体可在装载有或未装载有一个或多个基板10中的一个基板10的情况下被运输通过处理***。运输***可包括磁悬浮运输***和/或机械运输***。
根据能与本文描述的任何其他实施方式结合的多个实施方式，处理***可包括载体，该载体包括如关于图1、图2A和图2B所描述的吸盘组件。吸盘组件可以真空模式保持基板。尤其是，在提供真空至处理***以用于处理基板之前，可在吸盘组件处提供静电模式，并且可关闭真空模式以避免在处理***中提供的用于处理基板的真空与在载体处产生的用于保持基板的真空之间的不利影响。
图4示出了根据本文描述的多个实施方式在处理***中运输基板的方法400的流程图。方法400包括：在框410中提供真空至吸盘组件，以用于吸引基板。吸盘组件可以处于真空模式。
方法400包括：在框420中将基板装载在载体的基板支承表面上。可以基本上水平的取向或基本上竖直的取向将基板装载到载体上。特别地，可以竖直的取向将基板装载至竖直地取向的载体。基板可在基板支承表面处被真空吸引。
方法400包括：在框430中用吸盘组件将静电力提供至基板。可在吸盘组件处提供静电模式以静电地吸引基板。可关闭吸盘组件的真空模式。吸盘组件可包括用于提供真空至基板或可选地提供冷却气体至基板的气体导管。例如，当关闭真空时，可将用于冷却基板的冷却气体提供至载体的基板支承表面。
根据本文描述的多个实施方式，该方法还可包括运输载体和基板通过处理***。载体可承载基板来在处理腔室中处理基板并将基板送出处理***。该方法可进一步包括从载体卸载基板。基板的卸载可包括通过提供气体脉冲或气体迸发至基板的背面来将基板推离载体。基板的背面可以是基板的面向基板支承表面的一面。例如，气体脉冲或气体迸发可通过多个开口提供以将基板从基板支承表面分离。有利地，可促进将基板从载体释放或分离。
尽管上述内容针对的是多个实施方式，但是在不脱离基本范围的情况下，可设想其他和进一步实施方式，并且范围由所附权利要求书确定。
特别地，本说明书使用示例来公开包括最佳模式的本公开内容，并且还使本领域任何技术人员能够实践所描述的主题，包括制造和使用任何装置或***且执行任何所涵盖的方法。尽管上述内容中已经公开了各种具体的实施方式，但是以上描述的多个实施方式的不互斥的特征可彼此组合。专利保护范围由权利要求书限定，并且其他多个示例预期在权利要求书的范围内，只要权利要求具有不与权利要求的字面语言相异的结构要素即可，或者只要权利要求包括与权利要求的字面语言无实质差异的等效结构要素即可。

Claims (15)

1.一种用于在处理***中运输基板的载体，所述载体包括：
基板支承表面；和
吸盘组件，所述吸盘组件被构造为以真空模式和以静电模式将所述基板保持在所述基板支承表面处。
2.一种用于在处理***中运输基板的载体，所述载体包括：
基板支承表面；和
吸盘组件，所述吸盘组件包括：
电极组件，所述电极组件与所述基板支承表面相邻；和
多个开口，所述多个开口在所述基板支承表面中，所述多个开口连接至气体导管。
3.根据权利要求2所述的载体，其中所述气体导管包括多个通道，所述多个通道连接至所述多个开口，以允许气流通过所述多个通道，特别是双向气流。
4.根据权利要求2或3中任一项所述的载体，其中所述气体导管被构造为提供真空至所述基板支承表面。
5.根据权利要求2至4中任一项所述的载体，其中所述气体导管被构造为提供气体脉冲至所述基板，以将所述基板推离所述基板支承表面。
6.根据权利要求2至5所述的载体，其中所述多个开口以一个图案布置在所述基板支承表面处。
7.根据前述权利要求中任一项所述的载体，其中所述载体包括用于冷却所述基板的冷却布置。
8.根据前述权利要求中任一项所述的载体，其中用于冷却所述基板的所述冷却布置包括用于在所述基板支承表面处将所述多个开口互连的槽。
9.根据权利要求2至8中任一项所述的载体，其中所述气体导管被构造为提供冷却气体至所述基板支承表面。
10.根据前述权利要求中任一项所述的载体，其中所述载体包括至少一个非导电区域。
11.一种用于在真空腔室中处理基板的处理***，包括：
装载站；
真空处理腔室；和
装载锁定腔室，所述装载锁定腔室在所述装载站与所述真空处理腔室之间，其中所述装载站被构造用于在根据权利要求1至10中任一项所述的载体上的所述基板的竖直装载；
所述处理***进一步包括：
真空发生装置，所述真空发生装置以真空模式将所述基板保持在所述基板支承表面上。
12.根据权利要求11所述的处理***，其中所述处理***进一步包括沉积源，所述沉积源用于在所述基板上沉积材料。
13.一种用于在处理***中运输基板的方法，所述方法包括：
提供真空至载体的基板支承表面，以用于吸引基板；
将所述基板装载在所述载体的所述基板支承表面上；和
用吸盘组件提供静电力至所述基板。
14.根据权利要求13所述的方法，其中所述基板的装载进一步包括所述基板的竖直装载。
15.根据权利要求13或14中任一项所述的方法，进一步包括：
从所述载体卸载所述基板；和
通过施加气体脉冲至所述基板的背面来将所述基板推离所述载体。
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7457097B2 (en) * 2004-07-27 2008-11-25 International Business Machines Corporation Pressure assisted wafer holding apparatus and control method
US20140071581A1 (en) * 2012-09-07 2014-03-13 Applied Materials, Inc. Portable electrostatic chuck carrier for thin substrates
CN105579612A (zh) * 2013-09-20 2016-05-11 应用材料公司 具有一体式静电夹盘的基板载体
CN109075118A (zh) * 2016-07-13 2018-12-21 应用材料公司 改进的基板支撑件

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7457097B2 (en) * 2004-07-27 2008-11-25 International Business Machines Corporation Pressure assisted wafer holding apparatus and control method
US20140071581A1 (en) * 2012-09-07 2014-03-13 Applied Materials, Inc. Portable electrostatic chuck carrier for thin substrates
CN105579612A (zh) * 2013-09-20 2016-05-11 应用材料公司 具有一体式静电夹盘的基板载体
CN106164331A (zh) * 2013-09-20 2016-11-23 应用材料公司 具有一体式静电夹盘的基板载体
CN109075118A (zh) * 2016-07-13 2018-12-21 应用材料公司 改进的基板支撑件

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