CN113607754A - 检测设备及检测方法 - Google Patents
检测设备及检测方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN113607754A CN113607754A CN202110871461.6A CN202110871461A CN113607754A CN 113607754 A CN113607754 A CN 113607754A CN 202110871461 A CN202110871461 A CN 202110871461A CN 113607754 A CN113607754 A CN 113607754A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- region
- image
- workpiece
- illumination light
- detection device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000001514 detection method Methods 0.000 title claims abstract description 144
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims abstract description 72
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 claims abstract description 27
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 18
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 8
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 14
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000011265 semifinished product Substances 0.000 description 2
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/956—Inspecting patterns on the surface of objects
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/01—Arrangements or apparatus for facilitating the optical investigation
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/01—Arrangements or apparatus for facilitating the optical investigation
- G01N2021/0106—General arrangement of respective parts
- G01N2021/0112—Apparatus in one mechanical, optical or electronic block
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/956—Inspecting patterns on the surface of objects
- G01N2021/95638—Inspecting patterns on the surface of objects for PCB's
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
Abstract
本申请公开了一种检测设备。检测设备用于检测工件,工件包括第一区域及第二区域,第一区域的反射率大于第二区域的反射率。检测设备包括第一探测装置及第二探测装置。第一探测装置用于以第一照明光投射至第一区域,并采集包括第一区域的第一图像。第二探测装置用于以第二照明光投射至第二区域,并采集包括第二区域的第二图像,第一照明光的强度小于第二照明光的强度。本申请还公开了一种检测方法。对于反射率较大的第一区域,利用第一探测装置,以强度较小的第一照明光照射后,采集包括第一区域的第一图像,对于反射率较小的第二区域,利用第二探测装置,以强度较大的第二照明光照射后,采集包括第二区域的第二图像,提高检测结果的准确性。
Description
技术领域
本申请涉及工业检测技术领域,特别涉及一种检测设备及检测方法。
背景技术
在检测面板时,通常采用自动光学检测(Automated Optical Inspection,AOI)设备中的相机采集面板的图像,通过分析所采集的图像以检测面板中的缺陷信息,因此,相机所采集的图像的质量好坏,对检测结果是否准确具有至关重要的影响,在实际的检测过程中,相机采集的同一张图像中,经常出现面板的有些区域过曝,同时有些区域却亮度不足的问题,导致图像的质量较低,且最终的检测结果的准确性较低。
发明内容
本申请实施方式提供了一种检测设备及检测方法。
本申请实施方式的检测设备用于检测工件,所述工件包括第一区域及第二区域,所述第一区域的反射率大于所述第二区域的反射率,所述检测设备包括:
第一探测装置,所述第一探测装置用于以第一照明光投射至所述第一区域,并采集包括所述第一区域的第一图像;及
第二探测装置,所述第二探测装置用于以第二照明光投射至所述第二区域,并采集包括所述第二区域的第二图像,所述第一照明光的强度小于所述第二照明光的强度。
在某些实施方式中,所述第一区域沿第一方向延伸,所述检测设备还包括第一驱动装置,所述第一驱动装置用于驱动所述工件与所述第一探测装置在所述第一方向上相对运动。
在某些实施方式中,所述工件包括多个所述第一区域,多个所述第一区域沿第二方向排列,所述第二方向与所述第一方向不同;
所述检测设备还包括第二驱动装置,所述第二驱动装置用于驱动所述工件与所述第一探测装置在所述第二方向上相对运动,以使所述第一探测装置对准任意一个所述第一区域。
在某些实施方式中,所述第一探测装置的数量为多个,所述第二驱动装置用于驱动每个所述第一探测装置在所述第二方向上相对于其余的所述第一探测装置独立地运动。
在某些实施方式中,所述工件还包括第三区域,所述第三区域的反射率大于所述第二区域的反射率,所述第二探测装置还用于以第三照明光投射至所述第三区域,并采集包括所述第三区域的第三图像,所述第三照明光的强度小于所述第二照明光的强度。
在某些实施方式中,在所述第一方向上,所述第二区域与所述第三区域交替分布,所述第二探测装置用于交替且循环地采集所述第二区域的图像,及采集所述第三区域的图像。
本申请实施方式的检测方法用于检测工件,所述工件包括第一区域及第二区域,所述第一区域的反射率大于所述第二区域的反射率,所述检测方法包括:
第一采集步骤:通过第一探测装置以第一照明光投射至所述第一区域,并采集包括所述第一区域的第一图像;
第二采集步骤:通过第二探测装置以第二照明光投射至所述第二区域,并采集包括所述第二区域的第二图像,所述第一照明光的强度小于所述第二照明光的强度;及
检测步骤:基于所述第一图像及所述第二图像检测所述工件。
在某些实施方式中,所述检测步骤包括:
识别所述第一图像中与所述第一区域对应的第一图像区域;
识别所述第二图像中与所述第二区域对应的第二图像区域;及
基于所述第一图像区域与所述第二图像区域检测所述工件。
在某些实施方式中,所述工件还包括第三区域,所述第三区域的反射率大于所述第二区域的反射率,所述检测方法还包括第三采集步骤:通过第二探测装置以第三照明光投射至所述第三区域,并采集包括所述第三区域的第三图像;
所述检测步骤包括:基于所述第一图像、所述第二图像及所述第三图像检测所述工件。
在某些实施方式中,所述第二区域与所述第三区域沿第一方向上交替分布,所述检测方法还包括:
驱动步骤:驱动所述工件与所述第二探测装置在所述第一方向上相对运动;及
在实施所述驱动步骤的过程中,交替且循环实施所述第二采集步骤及所述第三采集步骤。
本申请实施方式的检测设备及检测方法中,对于反射率较大的第一区域,利用第一探测装置,以强度较小的第一照明光照射后,采集包括第一区域的第一图像,对于反射率较小的第二区域,利用第二探测装置,以强度较大的第二照明光照射后,采集包括第二区域的第二图像,由此,通过第一图像可以较准确地检测第一区域,通过第二图像可以较准确地检测第二区域,提高检测结果的准确性。
本申请实施方式的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出,部分将从下面的描述中变得明显,或通过本申请的实践了解到。
附图说明
本申请的上述和/或附加的方面和优点可以从结合下面附图对实施方式的描述中将变得明显和容易理解,其中:
图1为本申请某些实施方式的检测设备的立体结构示意图;
图2为本申请某些实施方式的检测设备的平面状态示意图;
图3至图5为本申请某些实施方式的工件的平面结构示意图;
图6为本申请某些实施方式的检测设备检测工件时的场景示意图;
图7为本申请某些实施方式的工件的平面结构示意图;
图8为本申请某些实施方式的检测设备检测工件时的场景示意图;
图9至图12为本申请某些实施方式的检测方法的流程示意图。
主要元件及符号说明:
检测设备100、第一探测装置10、第二探测装置20、第一驱动装置30、第二驱动装置40、处理装置50、复检装置60、第一主体70、第二主体80、工件200、第一区域201、第二区域202、第三区域203。
具体实施方式
下面详细描述本申请的实施方式,所述实施方式的示例在附图中示出,其中,相同或类似的标号自始至终表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施方式是示例性的,仅用于解释本申请的实施方式,而不能理解为对本申请的实施方式的限制。
请参阅图1及图2,图1为本申请某些实施方式的检测设备100的立体结构示意图,图2为本申请某些实施方式的检测设备100的平面状态示意图,本申请实施方式的检测设备100用于检测工件200。其中,请参阅图3至图5所示的例子中,工件200包括第一区域201及第二区域202,第一区域201的反射率大于第二区域202的反射率。
检测设备100包括第一探测装置10及第二探测装置20。第一探测装置10用于以第一照明光投射至第一区域201,并采集包括第一区域201的第一图像。第二探测装置20用于以第二照明光投射至第二区域202,并采集包括第二区域202的第二图像,第一照明光的强度小于第二照明光的强度。
在本申请实施方式的检测设备100中,对于反射率较大的第一区域201,利用第一探测装置10,以强度较小的第一照明光照射后,采集包括第一区域201的第一图像,对于反射率较小的第二区域202,利用第二探测装置20,以强度较大的第二照明光照射后,采集包括第二区域202的第二图像,由此,通过第一图像可以较准确地检测第一区域201,通过第二图像可以较准确地检测第二区域202,提高检测结果的准确性。
具体地,检测设备100可以是检测机台、或者是制造机台中的一部分,例如检测设备100可以是半导体检测机台。检测设备100可以用于检测工件200,以检测工件200是否存在缺陷、采集缺陷的信息、对缺陷进行分类、对缺陷进行处理等。
本申请实施方式所提到的工件200可以是任意有需要进行检测的元件或者元件的半成品,例如,工件200可以是显示面板、基板、晶圆、芯片、薄膜、盖板、壳体等元件或半成品,在此不作限制。本申请以工件200为显示面板为例进行示例性说明。可以理解,由于制造工艺、材料等的不同,被检测的工件200的不同区域的物理性质可能会不同,例如不同区域的反射率可能会不同,不同区域的导电率可能会不同,不同区域的密度可能会不同,因此,对于不同区域,可能需要采用不同的检测方式进行检测,以更好地适应工件200存在的这一客观情况。
本申请实施方式针对反射率不同的第一区域201与第二区域202采用不同的检测策略。具体地,第一区域201的反射率大于第二区域202的反射率。以工件200为显示面板为例,第一区域201可能是显示面板中的电路区域,第二区域202可能是显示面板中的像素区域。
如图3所示的例子中,第一区域201与第二区域202沿第二方向交错分布。如图4所示的例子中,第一区域201与第二区域202沿第一方向交错分布。如图5所示的例子中,第一区域201(工件200中虚线框内的区域)与第二区域202沿第二方向交错分布,且多个第二区域202还沿第一方向相互间隔分布。当然,依据工件200的具体种类,第一区域201与第二区域202的面积、分布方式等可能有不同,而可以理解的是,任意反射率有差异的两个区域均可看作为第一区域201及第二区域202,在此不作限制。
请参阅图1及图2,第一探测装置10及第二探测装置20可以用于采集图像,具体地,可以通过向工件200投射照明光,再接收由工件200反射或者散射后的照明光并进行成像,通过分析第一探测装置10及第二探测装置20采集的图像,可以实现对工件200的检测。
第一探测装置10及第二探测装置20自身可以配置有光源,以通过光源发射照明光;第一探测装置10及第二探测装置20也可以接收或导引外部光源发出的光线,以形成照明光。在一个例子中,第一探测装置10与第二探测装置20共用一个外部的发光光源,该发光光源发出的光线传输至第一探测装置10及第二探测装置20后,再以第一探测装置10及第二探测装置20分别依据照明需求对光线进行处理。
第一探测装置10及第二探测装置20在进行检测工件200时,二者可以相互分工,相互配合。
第一探测装置10用于以第一照明光投射至第一区域201,并采集包括第一区域201的第一图像。第二探测装置20用于以第二照明光投射至第二区域202,并采集包括第二区域202的第二图像,其中,第一照明光的强度小于第二照明光的强度。由于第一区域201的反射率大于第二区域202的反射率,因此,在相同成像条件下,第一区域201对应的部分发生过曝的可能性较大,第二区域202对应的部分发生欠曝的可能性较大,进而,通过第一照明光投射至第一区域201并采集第一图像,第一区域201对应的部分相对不易发生过曝,通过第二照明光投射至第二区域202并采集第二图像,第二区域202对应的部分相对不易发生欠曝,通过第一图像及第二图像进行检测,检测的准确性较高。
第一探测装置10投射第一照明光时,第一照明光至少投射至第一区域201,即,第一照明光可以仅仅投射至第一区域201,也可以投射至第一区域201及周围的其他区域。第一探测装置10采集到的第一图像至少包括第一区域201的图像,即,第一图像可以仅包括第一区域201的图像,也可以是包括第一区域201及周围的其他区域的图像,在此不作限制。同理,第二照明光至少投射至第二区域202,第二图像至少包括第二区域202的图像。
在具体采集第一图像时,第一探测装置10可以一次采集所有第一区域201的图像;也可以分多次分别采集多个第一区域201的图像,再结合所有图像得到第一图像。在具体采集第二图像时,第二探测装置20可以一次采集所有第二区域202的图像;也可以分多次分别采集多个第二区域202的图像。
同时,第一探测装置10的数量可以是多个,多个第一探测装置10可以用于共同拍摄同一个第一区域201的不同部位,或者用于拍摄不同的第一区域201。第二探测装置20的数量也可以是多个,多个第二探测装置20可以用于共同拍摄同一个第二区域202的不同部位,或者用于抓捕不同的第二区域202。
再者,可以先由第一探测装置10采集第一图像,再由第二探测装置20采集第二图像;也可以先由第二探测装置20采集第二图像,再由第一探测装置10采集第一图像;也可以是第一探测装置10采集第一图像的同时,第二探测装置20第二图像,在此不作限制。
请参阅图1及图2,在本申请附图所示的例子中,检测设备100还包括第一主体70及第二主体80。其中,第一主体70用于承载工件200,工件200可以被固定在第一主体70上,或者工件200也可以相对于第一主体70运动。
第二主体80可以至少部分横跨在第一主体70上,且第一探测装置10及第二探测装置20可以安装在第二主体80的不同位置上,以使第一探测装置10与第二探测装置20分别对准工件200的不同位置采集图像。具体地,第一探测装置10与第二探测装置20可以分别安装在同一个第二主体80的两侧。
进一步地,在本申请附图所示的例子中,第二主体80的数量为多个,在一些第二主体80上,还可以安装有复检装置60。复检装置60可以是成像精度较高的相机,复检装置60可以是面阵相机或线阵相机。在一个例子中,工件200在由第一探测装置10及第二探测装置20检测后,可以确定工件200中的缺陷的位置,再由复检装置60对准工件200中存在缺陷的位置进行检测,以进一步获取缺陷的详细信息。其中,复检装置60的数量可以是多个,在如图1及图2所示的例子中,复检装置60的数量为两个,两个复检装置60分别位于第一探测装置10与第二探测装置20的两侧,两个复检装置60可以同时对工件200上不同位置的多个缺陷进行复检,提高检测效率。
请参阅图2及图5,在某些实施方式中,第一区域201沿第一方向延伸。检测设备100还包括第一驱动装置30,第一驱动装置30用于驱动工件200与第一探测装置10在第一方向上相对运动。
对于第一区域201沿第一方向延伸的工件200,通过第一驱动装置30驱动工件200与第一探测装置10在第一方向上相对运动,便于第一探测装置10在相对运动的过程中分别采集第一区域201的多个部分的图像,再将多个部分的图像合成为第一图像。
具体地,第一驱动装置30可以安装在第一主体70上,第一驱动装置30驱动工件200沿第一方向运动,第一探测装置10在第一方向上保持静止,以使第一探测装置10的采集视场可以遍历整个第一区域201。请参阅图5及图6所示的例子,其中,图6中从上至下示出了工件200被驱动沿第一方向运动的不同时刻T1、T2、T3、T4,第一探测装置10的采集视场F1与工件200之间的位置关系,图6中的虚线框表示第一探测装置10的采集视场F1,多个虚线框分别表示多个第一探测装置10的采集视场F1。在T1时刻,工件200未进入采集视场F1。随着工件200运动,工件200的第一区域201开始进入到采集视场F1,第一探测装置10持续采集第一区域201的图像,例如在T2及T3时刻,采集视场F1分别采集第一区域201的不同部分的图像。直至工件200从采集视场F1中离开,第一探测装置10停止采集图像,例如在T4时刻所示的状态。
请继续参阅图2及图5,在某些实施方式中,工件200包括多个第一区域201,多个第一区域201沿第二方向排列,第二方向与第一方向不同。检测设备100还包括第二驱动装置40,第二驱动装置40用于驱动工件200与第一探测装置10在第二方向上相对运动,以使第一探测装置10对准任意一个第一区域201。
对于多个第一区域201沿第二方向排列的工件200,如果仅驱动工件200与第一探测装置10在第一方向上相对运动,则第一探测装置10可能只能拍摄到一个第一区域201,而通过第二驱动装置40驱动工件200与第一探测装置10在第二方向上相对运动,第一探测装置10采集完一个第一区域201的图像后,可以采集另一个第一区域201的图像。
具体地,第二方向与第一方向不同,例如第二方向可以与第一方向垂直,第二方向与第一方向还可以呈任意夹角,在此不作限制。第二驱动装置40可以安装在第二主体80上,例如第二驱动装置40包括固定在第二主体80上的导轨及直线电机,导轨沿第二方向延伸,第一探测装置10安装在导轨上,直线电机驱动第一探测装置10沿导轨滑动。
如图5所示的工件200为例,第一探测装置10可以先对准一个第一区域201,第一驱动装置30驱动工件200沿第一方向的正向运动,直至第一探测装置10采集到完整的一个第一区域201,此时,第二驱动装置40可以驱动第一探测装置10沿第二方向运动,以使第一探测装置10对准另一个第一区域201,第一驱动装置30再驱动工件200沿第一方向的负向运动,以使第一探测装置10采集完整的另一个第一区域201,依此类推,第一探测装置10可以采集多个沿第二方向排列的第一区域201的图像。
请参阅图2,在某些实施方式中,第一探测装置10的数量为多个,第二驱动装置40用于驱动每一个第一探测装置10在第二方向上相对于其余的第一探测装置10独立地运动。
多个第一探测装置10可以较快地完成对所有第一区域201的检测,多个第一探测装置10之间可相对独立地被驱动,使得第一探测装置10运动的自由度较高,能够适应更多变的检测需求。
具体地,第一探测装置10的数量可以是两个、三个、四个、五个等,在此不作限制。
在一个例子中,可以通过如下方法确定需要设置的第一探测装置10的数量:
若总的沿第二方向排列的第一区域201的个数为X,设置的检测目标为:需要在驱动工件200沿第一方向运动Y个行程将第一区域201检测完成,其中,驱动工件200沿第一方向的正向运动一个行程计为一个行程,驱动工件200沿第一方向的负向运动一个行程也计为一个行程,则需要设置的第一探测装置10的数量m为X/Y的结果向上取整的数,以使得多个第一探测装置10能够按时检测完第一区域201,且不需要设置过多数量的第一探测装置10。
请参阅图2及图7,在某些实施方式中,工件200还包括第三区域203,第三区域203的反射率大于第二区域202的反射率。第二探测装置20还用于以第三照明光投射至第三区域203,并采集包括第三区域203的第三图像,第三照明光的强度小于第二照明光的强度。
第三区域203的反射率大于第二区域202,采集第三图像时,以第三照明光照射第三区域203,使得第三图像中,第三区域203的部分不易发生过曝,依据第三图像对第三区域203的缺陷进行检测的准确性较高。
第三区域203与第一区域201的反射率可以相同,第三区域203与第一区域201的反射率也可以不同。第三区域203与第一区域201之间可以没有明显的物理界线。第一区域201的数量可以是多个,第三区域203的数量也可以是多个,在此不作限制。在本申请的工件200为显示面板的例子中,第三区域203也可以是电路区,第一区域201与第三区域203包围在第二区域202的周围。第三区域203与第一区域201可以存在一定的交叠,对于该交叠的区域,可以依据第一图像进行检测,也可以依据第三图像进行检测。
第三照明光至少投射至第三区域203,第三图像至少包括第三区域203的图像。在采集第三图像时,第二探测装置20可以分多次采集第三区域203的多个不同部分的图像,再将第三区域203的不同部分的图像进行拼接。
请参阅图7及图8,在某些实施方式中,在第一方向上,第二区域202与第三区域203交替分布,第二探测装置20用于交替且循环地采集第二区域202的图像,及采集第三区域203的图像。
对于在第一方向上交替分布着第二区域202与第三区域203的工件200,当工件200沿第一方向相对于第二探测装置20运动时,为了适应第二区域202与第三区域203之间的分布特性,第二探测装置20交替且循环地采集第二区域202及第三区域203的图像,以使得第二探测装置20对第二区域202及第三区域203所成的图像能更清晰地体现第二区域202与第三区域203的细节。
具体地,请参阅图7及图8,其中,图8中从上至下示出了工件200被驱动沿第一方向运动的不同时刻T5、T6、T7、T8、T9,第二探测装置20的采集视场F2与工件200之间的位置关系,图8中的虚线框表示第二探测装置20的采集视场F2,多个虚线框分别表示多个第二探测装置20的采集视场F2。在T5时刻,工件200未进入采集视场F2,而可以看到的是,工件200中先进入采集视场F2的区域为第三区域203。随着工件200运动,如在T6时刻,工件200的一个第三区域203开始进入到采集视场F2,第二探测装置20向采集视场F2内投射第三照明光,且采集第三图像。随着工件200继续运动,如在T7时刻,工件200的一个第二区域202开始进入到采集视场F2,第二探测装置20向采集视场F2内投射第二照明光,且采集第二图像。随着工件200继续运动,如在T8时刻,工件200的另一个第三区域203进入到采集视场F2,第二探测装置20向采集视场F2内投射第三照明光,且采集第三图像。以此类推,第二探测装置20循环且交替地采集第二图像及第三图像,当然,在采集第二图像时,第二探测装置20还同时投射第二照明光,在采集第三图像时,第二探测装置20还同时投射第三照明光。直至工件200从采集视场F2中离开,第二探测装置20停止采集图像,例如在T9时刻所示的状态。
需要说明的是,图7及图8仅用于说明第二探测装置20如何交替循环地采集第二区域202及第三区域203的图像,并不对第二区域202及第三区域203的具体分布状况进行限制,工件200中分布的第二区域202及第三区域203可以多于图7及图8所示的例子(例如工件200中有成千上万个第二区域202及第三区域203交替分布),也可以少于图7及图8所示的例子。
请参阅图2及图9,本申请还公开了一种检测方法,检测方法可用于检测上述任一实施例中的工件200,检测方法可以由本申请实施方式的检测设备100实施。具体地,检测方法包括步骤:
01:第一采集步骤:通过第一探测装置10以第一照明光投射至第一区域201,并采集包括第一区域201的第一图像;
02:第二采集步骤:通过第二探测装置20以第二照明光投射至第二区域202,并采集包括第二区域202的第二图像,第一照明光的强度小于第二照明光的强度;及
03:检测步骤:基于第一图像及第二图像检测工件200。
其中,步骤01可以由第一探测装置10实施,步骤02可以由第二探测装置20实施,步骤03可以由检测设备100的处理装置50实施。步骤01及步骤02的实施细节请参阅以上对检测设备100的相关描述,在此不再赘述。
实施步骤03的处理装置50,可以是检测设备100中的处理单元,处理装置50与检测设备100中的执行元件(例如第一探测装置10、第二探测装置20、第一驱动装置30、第二驱动装置40等)通信连接,处理装置50可控制执行元件执行动作,也可以处理执行元件采集的数据。
在实施步骤03时,处理装置50基于第一图像及第二图像检测工件200,例如,处理装置50可以将第一图像与标准的工件200的图像进行比对,以检测第一区域201中的缺陷的信息,处理装置50可以将第二图像与标准的工件200的图像进行比对,以检测第二区域202中的缺陷的信息。当然,处理装置50基于第一图像及第二图像检测工件200的方式,还可以是现行公开的任意检测方法,在此不再详细描述。而由于通过第一采集步骤采集的第一图像中,第一区域201的图像不容易产生过曝,通过第二采集步骤采集的第二图像中,第二区域202的图像不容易产生欠曝,故,实施检测步骤后得到的检测结果的准确性较高。
请参阅图10,在某些实施方式中,检测步骤03包括步骤:
031:识别第一图像中与第一区域201对应的第一图像区域;
032:识别第二图像中与第二区域202对应的第二图像区域;及
033:基于第一图像区域与第二图像区域检测工件200。
步骤031、032、033可以由处理装置50实施。
可以理解,第一图像为向第一区域201投射第一照明光后采集得到的,第一照明光较适应第一区域201的反射率,使得第一图像中与第一区域201对应的第一图像区域的成像质量较好,通过分析该第一图像区域可以较好地检测第一区域201。而第一图像区域之外的其他区域,可能并不一定适应第一照明光,故该其他区域的图像即使被采集至第一图像,该其他区域的图像有瑕疵的可能性较大,故可以将与第一区域201对应的第一图像区域单独提取出来,并用于对第一区域201进行检测,以减少其他区域的图像的干扰。
由于第一区域201在工件200中的分布情况是工件200自身的性质,该分布情况为已知,故再通过工件200当前与第一探测装置10之间的位置关系,可以在第一图像中识别出第一区域201对应的第一图像区域。当然,也可以通过其他方式识别得到第一图像区域,例如提取第一图像内的图形轮廓,比对图形轮廓形状与第一区域201的轮廓形状,图形轮廓形状与第一区域201的轮廓形状最相近的区域,则识别为第一图像区域。
同理,可以将第二图像中,与第二区域202对应的第二图像区域单独提取出来,分析第二图像区域可以较好地检测第二区域202。在第一图像中识别第一图像区域的方法也适用于在第二图像中识别第二图像区域。
请参阅图11,在某些实施方式中,在工件200包括上述的第三区域203时,检测方法还包括步骤04:第三采集步骤:通过第二探测装置20以第三照明光投射至第三区域203,并采集包括第三区域203的第三图像。检测步骤03包括步骤034:基于第一图像、第二图像及第三图像检测工件200。
步骤04可以由第二探测装置20实施,步骤04的实施细节请参阅以对检测设备100的相关描述,在此不再赘述。
步骤034可以由处理装置50实施,对于包括上述的第三区域203的工件200,处理装置50在分析工件200的缺陷信息时,将第一图像、第二图像、及第三图像分别用于检测第一区域201、第二区域202及第三区域203的缺陷信息,得到的检测结果的准确性较高。
请参阅图12,在某些实施方式中,在第二区域202与第三区域203沿第一方向上交替分布时,检测方法还包括步骤05:驱动步骤:驱动工件200与第二探测装置20在第一方向上相对运动;在实施步骤05的过程中,交替且循环实施第二采集步骤02及第三采集步骤03。
步骤05可以由第一驱动装置30实施,交替且循环实施步骤第二采集步骤02及第三采集步骤03可以由第二探测装置20实施,具体的实施细节请参阅以对检测设备100的相关描述,在此不再赘述。
综上,本申请实施方式的检测设备100及检测方法中,对于反射率较大的第一区域201,利用第一探测装置10,以强度较小的第一照明光照射后,采集包括第一区域201的第一图像,对于反射率较小的第二区域202,利用第二探测装置20,以强度较大的第二照明光照射后,采集包括第二区域202的第二图像,由此,通过第一图像可以较准确地检测第一区域201,通过第二图像可以较准确地检测第二区域202,提高检测结果的准确性。
在本说明书的描述中,参考术语“一个实施方式”、“一些实施方式”、“示意性实施方式”、“示例”、“具体示例”或“一些示例”等的描述意指结合所述实施方式或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本申请的至少一个实施方式或示例中。在本说明书中,对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施方式或示例。而且,描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施方式或示例中以合适的方式结合。此外,在不相互矛盾的情况下,本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。
流程图中或在此以其他方式描述的任何过程或方法描述可以被理解为,表示包括一个或更多个用于实现特定逻辑功能或过程的步骤的可执行指令的代码的模块、片段或部分,并且本申请的优选实施方式的范围包括另外的实现,其中可以不按所示出或讨论的顺序,包括根据所涉及的功能按基本同时的方式或按相反的顺序,来执行功能,这应被本申请的实施例所属技术领域的技术人员所理解。
尽管上面已经示出和描述了本申请的实施方式,可以理解的是,上述实施方式是示例性的,不能理解为对本申请的限制,本领域的普通技术人员在本申请的范围内可以对上述实施方式进行变化、修改、替换和变型。
Claims (10)
1.一种检测设备,其特征在于,所述检测设备用于检测工件,所述工件包括第一区域及第二区域,所述第一区域的反射率大于所述第二区域的反射率,所述检测设备包括:
第一探测装置,所述第一探测装置用于以第一照明光投射至所述第一区域,并采集包括所述第一区域的第一图像;及
第二探测装置,所述第二探测装置用于以第二照明光投射至所述第二区域,并采集包括所述第二区域的第二图像,所述第一照明光的强度小于所述第二照明光的强度。
2.根据权利要求1所述的检测设备,其特征在于,所述第一区域沿第一方向延伸,所述检测设备还包括第一驱动装置,所述第一驱动装置用于驱动所述工件与所述第一探测装置在所述第一方向上相对运动。
3.根据权利要求2所述的检测设备,其特征在于,所述工件包括多个所述第一区域,多个所述第一区域沿第二方向排列,所述第二方向与所述第一方向不同;
所述检测设备还包括第二驱动装置,所述第二驱动装置用于驱动所述工件与所述第一探测装置在所述第二方向上相对运动,以使所述第一探测装置对准任意一个所述第一区域。
4.根据权利要求3所述的检测设备,其特征在于,所述第一探测装置的数量为多个,所述第二驱动装置用于驱动每个所述第一探测装置在所述第二方向上相对于其余的所述第一探测装置独立地运动。
5.根据权利要求2所述的检测设备,其特征在于,所述工件还包括第三区域,所述第三区域的反射率大于所述第二区域的反射率,所述第二探测装置还用于以第三照明光投射至所述第三区域,并采集包括所述第三区域的第三图像,所述第三照明光的强度小于所述第二照明光的强度。
6.根据权利要求5所述的检测设备,其特征在于,在所述第一方向上,所述第二区域与所述第三区域交替分布,所述第二探测装置用于交替且循环地采集所述第二区域的图像,及采集所述第三区域的图像。
7.一种检测方法,其特征在于,用于检测工件,所述工件包括第一区域及第二区域,所述第一区域的反射率大于所述第二区域的反射率,所述检测方法包括:
第一采集步骤:通过第一探测装置以第一照明光投射至所述第一区域,并采集包括所述第一区域的第一图像;
第二采集步骤:通过第二探测装置以第二照明光投射至所述第二区域,并采集包括所述第二区域的第二图像,所述第一照明光的强度小于所述第二照明光的强度;及
检测步骤:基于所述第一图像及所述第二图像检测所述工件。
8.根据权利要求7所述的检测方法,其特征在于,所述检测步骤包括:
识别所述第一图像中与所述第一区域对应的第一图像区域;
识别所述第二图像中与所述第二区域对应的第二图像区域;及
基于所述第一图像区域与所述第二图像区域检测所述工件。
9.根据权利要求7所述的检测方法,其特征在于,所述工件还包括第三区域,所述第三区域的反射率大于所述第二区域的反射率,所述检测方法还包括第三采集步骤:通过第二探测装置以第三照明光投射至所述第三区域,并采集包括所述第三区域的第三图像;
所述检测步骤包括:基于所述第一图像、所述第二图像及所述第三图像检测所述工件。
10.根据权利要求9所述的检测方法,其特征在于,所述第二区域与所述第三区域沿第一方向上交替分布,所述检测方法还包括:
驱动步骤:驱动所述工件与所述第二探测装置在所述第一方向上相对运动;及
在实施所述驱动步骤的过程中,交替且循环实施所述第二采集步骤及所述第三采集步骤。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202110871461.6A CN113607754A (zh) | 2021-07-30 | 2021-07-30 | 检测设备及检测方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202110871461.6A CN113607754A (zh) | 2021-07-30 | 2021-07-30 | 检测设备及检测方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN113607754A true CN113607754A (zh) | 2021-11-05 |
Family
ID=78306238
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202110871461.6A Pending CN113607754A (zh) | 2021-07-30 | 2021-07-30 | 检测设备及检测方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN113607754A (zh) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20090323052A1 (en) * | 2008-06-25 | 2009-12-31 | Shai Silberstein | Dynamic Illumination in Optical Inspection Systems |
CN113155845A (zh) * | 2021-04-09 | 2021-07-23 | 武汉精测电子集团股份有限公司 | 一种光源及其设置方法、光学检测方法及*** |
-
2021
- 2021-07-30 CN CN202110871461.6A patent/CN113607754A/zh active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20090323052A1 (en) * | 2008-06-25 | 2009-12-31 | Shai Silberstein | Dynamic Illumination in Optical Inspection Systems |
CN113155845A (zh) * | 2021-04-09 | 2021-07-23 | 武汉精测电子集团股份有限公司 | 一种光源及其设置方法、光学检测方法及*** |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7539583B2 (en) | Method and system for defect detection | |
KR100997355B1 (ko) | 플랫 패터닝 매체 검사 방법 및 장치 | |
KR101241175B1 (ko) | 실장기판 검사장치 및 검사방법 | |
US9140546B2 (en) | Apparatus and method for three dimensional inspection of wafer saw marks | |
CN101853797A (zh) | 用于检测晶片的***和方法 | |
CN112074937B (zh) | 用于重复缺陷检测的方法、计算机可读媒体及*** | |
JP2012063209A (ja) | 欠陥検査方法及びその装置 | |
JP3938227B2 (ja) | 異物検査方法および装置 | |
CA2638415A1 (en) | Patterned wafer defect inspection system and method | |
JP2012242268A (ja) | 検査装置及び検査方法 | |
CN113607754A (zh) | 检测设备及检测方法 | |
EP3113215A1 (en) | Method and device for inspection of a semiconductor device | |
US6970238B2 (en) | System for inspecting the surfaces of objects | |
US10466179B2 (en) | Semiconductor device inspection of metallic discontinuities | |
JP4408902B2 (ja) | 異物検査方法および装置 | |
CN213580716U (zh) | 用于检测晶圆吸盘残留异物的线扫描光学检测*** | |
CN115436376A (zh) | 检测***及检测方法 | |
KR101124566B1 (ko) | 웨이퍼 검사장치 | |
TWI745144B (zh) | 用於檢測晶圓吸盤殘留異物之線掃描光學檢測系統 | |
JP2010085145A (ja) | 検査装置及び検査方法 | |
KR100828972B1 (ko) | 웨이퍼 유무 판별 장치 | |
CN112285116B (zh) | 一种缺陷检测装置及方法 | |
CN113607756A (zh) | 检测方法及检测设备 | |
CN214953101U (zh) | 检测*** | |
JPH11274256A (ja) | 試料検査装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination |