CN113584595A - 扩散炉 - Google Patents

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CN113584595A
CN113584595A CN202110858512.1A CN202110858512A CN113584595A CN 113584595 A CN113584595 A CN 113584595A CN 202110858512 A CN202110858512 A CN 202110858512A CN 113584595 A CN113584595 A CN 113584595A
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furnace tube
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高鹏飞
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Changxin Memory Technologies Inc
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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B31/00—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor
    • C30B31/06—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor by contacting with diffusion material in the gaseous state
    • C30B31/10—Reaction chambers; Selection of materials therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
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    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
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Abstract

本申请公开了一种扩散炉，包括：炉管结构，其包括炉管本体和炉底，所述炉管本体的底端与所述炉底连接围成反应腔；承载结构，其包括基座和设于所述基座上的晶舟，所述晶舟设为多个，所述基座设于所述炉底上。通过将晶舟设为多个，可将炉管本体的高度降低，同时可将炉管本体的宽度加宽，这样设备维修和保养的空间变大，有利于对设备进行维修和保养；同时反应腔的高度降低，上下反应条件差异变小，可使得晶圆成膜质量差异变小，可提高产品良率，而且由于上下反应条件差异变小可减少制程时间，提高生产效率。

Description

扩散炉
技术领域
本申请涉及半导体制造的技术领域，特别涉及一种扩散炉。
背景技术
扩散炉是半导体器件制造过程中用于对硅片进行扩散、氧化及烧结等工艺的一种热加工设备。主要反应装置一般分为水平式和直立式两种，目前在12寸的晶圆制造中，扩散炉的反应腔通常为直立石英管结构；晶圆通过晶舟承载结构从上到下单行依次排列，每次加工数量为100-125张，为了节省高度空间晶圆排列很密集；该结构简单、适用性广，但也由于反应腔高度高，上下反应条件差异大造成成膜质量差异大的问题；即使目前采用成膜最好的原子气相沉积制程，上下也会有差异存在，难以消除，而且会增加成倍的制程时间；此外由于直立炉管高度高宽度窄，造成设备维修或保养空间小难度大，造成人力和时间浪费；在未来随着半导体制造中晶圆尺寸的增加，直立反应腔结构的炉管高度会更高，以上缺陷更加明显。
发明内容
为解决上述问题，本申请提供了一种扩散炉，包括：炉管结构，其包括炉管本体和炉底，所述炉管本体的底端与所述炉底连接围成反应腔；承载结构，其包括基座和设于所述基座上的晶舟，所述晶舟设为多个，所述基座设于所述炉底上。
本申请一实施例，所述基座与所述炉底旋转连接。
本申请一实施例，所述晶舟与所述基座旋转连接。
本申请一实施例，所述炉管本体与所述炉底设为可相对升降移动。
本申请一实施例，多个所述晶舟以所述基座与所述炉底旋转的中心轴线呈圆周阵列间隔分布。
本申请一实施例，多个所述晶舟环绕的中心设有第一加热器，所述第一加热器与所述基座连接。
本申请一实施例，所述炉管结构还包括第二加热器，所述第二加热器分布于所述炉管本体的外侧。
本申请一实施例，所述炉管结构还包括气路***，其用于向所述反应腔提供反应气体，所述气路***包括进气结构和排气结构，所述进气结构和排气结构均设于所述炉管本体上，且所述进气结构和排气结构均与所述反应腔连通。
本申请一实施例，所述进气结构包括进气管、所述排气结构包括排气口，所述气路***还包括与所述进气管连通的立管，所述进气管设于靠近所述炉管本体的底端，所述排气口设于所述炉管本体的顶部，所述立管上沿其纵向设有若干间隔分布的气孔，以使所述立管内的反应气体吹向上下间隔的晶圆之间的间隙。
本申请一实施例，所述立管以所述基座与所述炉底旋转的中心轴线呈圆周阵列间隔分布。
本申请一实施例，所述立管与所述晶舟一一对应，所述晶舟位于所述立管与所述第一加热器之间。
本申请一实施例，每个所述晶舟设为相对于所述基座单独旋转；和/或多个所述晶舟通过所述基座相对于所述炉底共同旋转。
本申请一实施例，所述进气管包括进气总口和与所述进气总口连通的环形管道，所述环形管道沿多个所述晶舟呈圆形设置，所述立管与所述环形管道连通。
本申请一实施例，所述进气结构包括进气管，所述进气管设于靠近所述炉管本体的底端；所述气路***还包括与所述进气管连通的立管，所述立管上沿其纵向设有若干间隔分布的吹气孔，以使所述立管内的反应气体吹向上下间隔的晶圆之间的间隙；所述排气结构包括排气通道和排气口，所述排气通道设为纵向设置，所述排气通道的顶端与所述反应腔连通，所述排气通道的底端与排气口连通；所述排气口高于所述进气管，所述排气通道高于所述晶舟。
本申请一实施例，所述进气结构包括进气管，所述进气管设于靠近所述炉管本体的底端；所述排气结构包括排气通道和排气口，所述排气通道设为纵向设置，所述排气通道的顶端与所述反应腔连通，所述排气通道的底端与排气口连通；所述排气口高于所述进气管，所述排气通道高于所述晶舟。
本申请的上述技术方案具有如下有益的技术效果：
1、本申请实施例通过将晶舟设为多个，可将炉管本体的高度降低，同时可将炉管本体的宽度加宽，这样设备维修和保养的空间变大，有利于对设备进行维修和保养；同时反应腔的高度降低，上下反应条件差异变小，可使得晶圆成膜质量差异变小，可提高产品良率，而且由于上下反应条件差异变小可减少制程时间，提高生产效率。
2、本申请实施例通过基座旋转使得基座上的多个晶舟同步旋转，并且每个晶舟可设为独立旋转，可进一步地搅动反应腔内的反应气体，可使反应腔内的反应气体浓度更均匀，而且可使反应腔内的温度分布更均匀，减小反应腔内的温度差异，实现晶圆表面均匀受热和均匀接触反应气体，有利于晶圆的成膜厚度形成更一致，从而使成膜效果、成膜品质实现同一，减少差异；同时通过基座旋转，并能准确定位，使得每个晶舟可顺时针旋转并能准确停在固定位置A点，可实现每个晶舟上的晶圆可由同一套机械手臂传送取走与放上，不增加额外传送成本。
3、本申请实施例通过反应气体可由下至上依次吹向上下间隔的两个晶圆之间的间隙，可使得晶圆的表面能均匀地接触反应气体，反应气体从炉管本体的顶部排出，可形成反应气体的气流从下到上的更加顺畅的流通方式，使得气体进入和排出更符合气体流动的规律；并且晶舟可共同旋转和/或每个晶舟独立旋转相结合，可使反应腔内不同高度的气体浓度分散更均匀，有利于晶圆的成膜厚度形成更一致，从而使成膜效果、成膜品质实现同一，减少差异，并且可减少制程时间，提高生产效率。
附图说明
图1是根据本申请一实施方式的扩散炉的结构示意图；
图2是根据本申请又一实施方式的扩散炉的结构示意图；
图3是根据本申请另一实施方式的扩散炉的结构示意图；
图4示意性地示出晶舟的结构示意图；
附图标记：
11-炉管本体；12-炉底；13-基座；14-晶舟；15-第一加热器；16-第二加热器；17-进气管；18-排气口；19-立管；20-反应腔；
100-机械手臂；141-支撑柱；142-支撑件；143-底座。
具体实施方式
为使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚明了，下面结合具体实施方式并参照附图，对本申请进一步详细说明。应该理解，这些描述只是示例性的，而并非要限制本申请的范围。此外，在以下说明中，省略了对公知结构和技术的描述，以避免不必要地混淆本申请的概念。
一种扩散炉，如图1-图3所示，包括：炉管结构，其包括炉管本体11和炉底12，所述炉管本体11的底端与所述炉底12连接围成反应腔20；承载结构，其包括基座13和设于所述基座13上的晶舟14，所述晶舟14设为多个，所述基座13设于所述炉底12上。晶舟14可设为3个、4个或5个等。如图4所示，单个晶舟14包括多个支撑柱141和多个支撑件142，多个支撑件142沿支撑柱141的纵向间隔均匀地分布，晶圆设置于支撑件142上。晶圆通过晶舟承载从上到下单行依次排列，原单晶舟结构的高度一般设为144层(slot)，每层上可设置一个晶圆，将晶舟结构可设为4个，即每个晶舟14上可设计为50slot，共200slot，因此可将炉管本体11的高度降低，同时可将炉管本体11的宽度加宽，这样设备维修和保养的空间变大，有利于对设备进行维修和保养；同时反应腔20的高度降低，上下反应条件差异变小，可使得晶圆成膜质量差异变小，可提高产品良率，而且由于上下反应条件差异变小可减少制程时间，提高生产效率。
一些实施例中，晶圆通过晶舟承载从上到下单行依次排列，原单一晶舟结构的高度一般设为144层(slot)，每层上可设置一个晶圆，将晶舟结构可设为3个，即每个晶舟14上可设计为60slot，共180slot，因此可将炉管本体11的高度降低，同时可将炉管本体11的宽度加宽，即反应腔20的直径加大，这样设备维修和保养的空间变大，有利于对设备进行维修和保养；同时反应腔20的高度降低，上下反应条件差异变小，可使得晶圆成膜质量差异变小，可提高产品良率，而且由于上下反应条件差异变小可减少制程时间，提高生产效率。
一些实施例中，晶圆通过晶舟承载从上到下单行依次排列，原单晶舟结构的高度一般设为144层(slot)，每层上可设置一个晶圆，将晶舟结构可设为5个，即每个晶舟14上可设计为40slot，共200slot，因此可将炉管本体11的高度降低，同时可将炉管本体11的宽度加宽，即反应腔20的直径加大，这样设备维修和保养的空间变大，有利于对设备进行维修和保养；同时反应腔20的高度降低，上下反应条件差异变小，可使得晶圆成膜质量差异变小，可提高产品良率，而且由于上下反应条件差异变小可减少制程时间，提高生产效率。
一些实施例中，所述基座13与所述炉底12旋转连接。基座13的中心可设有旋转轴，基座13可相对于炉底12旋转，以使基座13上的多个晶舟14同步旋转，这样可使反应腔20内的反应气体浓度更均匀，有利于晶圆的成膜厚度形成更一致，从而使成膜效果、成膜品质实现同一，减少差异。
一些实施例中，所述晶舟14与所述基座13旋转连接。晶舟14还可包括底座143，支撑柱141可固定于底座143上，底座143的底部可设有旋转轴，这样晶舟14可相对于基座13旋转，因此每个晶舟14都可独立旋转，可进一步地搅动反应腔20内的反应气体，可使反应腔20内的反应气体浓度更均匀，而且可使反应腔20内的温度分布更均匀，减小反应腔20内的温度差异，实现晶圆表面均匀受热和均匀接触反应气体，有利于晶圆的成膜厚度形成更一致，从而使成膜效果、成膜品质实现同一，减少差异。
本申请一实施例，所述炉管本体11与所述炉底12设为可相对升降移动。一些实施例中，炉管本体11可设为上下升降，以及炉管本体11上的第二加热器16以及气路***一起上下升降，炉底12则可固定不动。一些实施例中，炉底12可设为上下升降，这样炉底12上的承载结构一起上下升降，炉管本体11则可固定不动。如图2中所示的箭头方向为炉管本体11或炉底12的上下升降方向。
一些实施例中，多个所述晶舟14以所述基座13与所述炉底12旋转的中心轴线呈圆周阵列间隔分布。可选的，晶舟14的数量设为四个，由于晶舟14可以单独旋转，基座13可相对于炉底12旋转，这样每个晶舟可单独旋转或共同旋转；晶舟14可呈圆周阵列间隔均匀地分布在基座13上，反应腔20的宽度方向或直径的尺寸可设计最优化和最小化。另外，每个晶舟14在取放晶圆时需旋转到固定位置A点后，再由机械手臂100完成，这样基座13旋转，并能准确定位，使得每个晶舟14可顺时针旋转并能准确停在固定位置A点，可实现四个晶舟14上的晶圆可由同一套机械手臂100传送取走与放上，不增加额外传送成本。如图3中所示的箭头方向为基座13的旋转方向。
一些实施例中，每个所述晶舟设为相对于所述基座单独旋转；和/或多个所述晶舟通过所述基座相对于所述炉底共同旋转。
一些实施例中，多个所述晶舟14环绕的中心设有第一加热器15，所述第一加热器15与所述基座13连接。在四个晶舟14环绕的中心增加第一加热器15，可解决由于反应腔直径变大造成晶圆受热不均问题。
一些实施例中，所述炉管结构还包括第二加热器16，所述第二加热器16分布于所述炉管本体11的外侧。第二加热器16设于炉管本体11的外侧壁和顶部，以及与反应腔20的中心设置的第一加热器15相结合，可解决由于反应腔直径变大造成中心温度低及顶部温度低的问题，可使晶圆受热更均匀。
同温度下由于反应气体浓度问题，成膜厚度有差异，调整温度解决厚度问题，又会使膜厚刻蚀率有差异；由于反应腔直立结构，使得气体进入和排出存在问题，导致反应腔内不同高度气体浓度不均，针对这些问题本申请中的申请人还采用了如下技术方案：所述炉管结构还包括气路***，其用于向所述反应腔20提供反应气体，所述气路***包括进气管17、排气口18和与所述进气管连通的立管19，所述进气管17设于所述炉管本体11上，且所述进气管17设于靠近所述炉管本体11的底端，所述排气口18设于所述炉管本体11的顶部，且所述排气口18与所述反应腔20连通，所述立管19内的反应气体吹向上下间隔的晶圆之间的间隙。立管19上可设有若干个吹气孔，吹气孔沿立管19的纵向间隔均匀地设置，立管19的底端与进气管17连通，这样反应气体可由下至上依次吹向上下间隔的两个晶圆之间的间隙，可使得晶圆的表面能均匀地接触反应气体，排气口18可设于炉管本体11的顶部的中心位置；如图1中所示，箭头的方向为反应气体从进气管17进入反应腔20以及从排气口18排出的气体流动方向，这样可形成反应气体的气流从下到上的更加顺畅的流通方式，使得气体进入和排出更符合气体流动的规律；并且晶舟14可共同旋转和/或每个晶舟独立旋转相结合，可使反应腔内不同高度的气体浓度分散更均匀，有利于晶圆的成膜厚度形成更一致，从而使成膜效果、成膜品质实现同一，减少差异，并且可减少制程时间，提高生产效率。
一些实施例中，所述立管19以所述基座13与所述炉底12旋转的中心轴线呈圆周阵列间隔分布。所述立管19与所述晶舟14一一对应，所述晶舟14位于所述立管19与所述第一加热器15之间。立管19设于晶舟14的外侧，每个立管19与每个晶舟14可设为一一对应，立管19可设于相对的两个晶舟14过基座13与炉底12旋转的中心的直径上，这样反应气体可由下至上依次吹向上下间隔的两个晶圆之间的间隙，到达中心后由排气口18排出，可形成反应气体的气流从下到上、从外到内的更加顺畅的流通方式，可使得晶圆的表面能均匀地接触反应气体。
示例性实施例中，所述进气管包括进气总口和与所述进气总口连通的环形管道，所述环形管道沿多个所述晶舟呈圆形设置，所述立管19与所述环形管道连通。反应气体可从进气总口进入环形管道内再分别进入立管19内，并经吹气孔由下至上依次吹向上下间隔的两个晶圆之间的间隙，可使得晶圆的表面能均匀地接触反应气体。或者，进气管17设为多个，与立管19一一对应且连通，这样进气管17沿着炉管本体11间隔分布。
一些实施例中，炉管结构还包括气路***，其用于向所述反应腔提供反应气体，所述气路***包括进气结构和排气结构，所述进气结构和排气结构均设于所述炉管本体上，且所述进气结构和排气结构均与所述反应腔连通。反应气体经由进气结构进入反应腔20内，并吹向晶舟14承载的上下间隔的晶圆之间的间隙，然后经由排气结构排出。进气结构和排气结构可均设于炉管本体11上，进气结构可设于炉管本体11的底部，排气结构可设于炉管本体11的顶部；或者，进气结构可设于靠近炉管本体11底端，排气结构可设于炉管本体11靠近顶部的侧壁上；或者，进气结构和排气结构均可设于炉管本体11的侧壁上，排气结构可高于进气结构。进气结构和排气结构的布置形式可设为多种情况，在此处不做过多限定。
一些实施例中，具体地所述进气结构包括进气管17，所述进气管17设于靠近所述炉管本体11的底端；所述气路***还包括与所述进气管连通的立管19，所述立管19上沿其纵向设有若干间隔分布的吹气孔，以使所述立管19内的反应气体吹向上下间隔的晶圆之间的间隙；所述排气结构包括排气通道和排气口，所述排气通道设为纵向设置，所述排气通道的顶端与所述反应腔20连通，所述排气通道的底端与排气口连通；所述排气口高于所述进气管，所述排气通道高于所述晶舟14。立管19上可设有若干个吹气孔，吹气孔沿立管19的纵向间隔均匀地设置，立管19的底端与进气管17连通，这样反应气体可由下至上依次吹向上下间隔的两个晶圆之间的间隙，可使得晶圆的表面能均匀地接触反应气体，由于排气通道高于晶舟14，反应气体再从排气通道的顶端进入排气通道内经由排气口排出，这样在反应腔20内反应气体的流动方向从下到上的更加顺畅的流通方式，不仅可使得晶圆的表面能均匀地接触反应气体，而且通过反应气体的流动可使得反应腔20内的反应气体浓度分布更均匀，相应地也可使反应腔20内的温度更同一。一些实施例中，具体地所述进气结构包括进气管17，所述进气管17设于靠近所述炉管本体11的底端；所述排气结构包括排气通道和排气口，所述排气通道设为纵向设置，所述排气通道的顶端与所述反应腔20连通，所述排气通道的底端与排气口连通；所述排气口高于所述进气管，所述排气通道高于所述晶舟14。反应气体经由进气管17进入反应腔20，由下至上依次吹向上下间隔的两个晶圆之间的间隙，由于排气通道高于晶舟14，反应气体再从排气通道的顶端进入排气通道内经由排气口排出，这样在反应腔20内反应气体的流动方向从下到上的更加顺畅的流通方式，不仅可使得晶圆的表面能均匀地接触反应气体，而且通过反应气体的流动可使得反应腔20内的反应气体浓度分布更均匀，相应地也可使反应腔20内的温度更同一。
应当理解的是，本申请的上述具体实施方式仅仅用于示例性说明或解释本申请的原理，而不构成对本申请的限制。因此，在不偏离本申请的精神和范围的情况下所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。此外，本申请所附权利要求旨在涵盖落入所附权利要求范围和边界、或者这种范围和边界的等同形式内的全部变化和修改例。

Claims (15)

1.一种扩散炉，其特征在于，包括：
炉管结构，其包括炉管本体和炉底，所述炉管本体的底端与所述炉底连接围成反应腔；
承载结构，其包括基座和设于所述基座上的晶舟，所述晶舟设为多个，所述基座设于所述炉底上。
2.根据权利要求1所述的扩散炉，其特征在于，所述基座与所述炉底旋转连接。
3.根据权利要求1所述的扩散炉，其特征在于，所述晶舟与所述基座旋转连接。
4.根据权利要求1所述的扩散炉，其特征在于，所述炉管本体与所述炉底设为相对升降移动。
5.根据权利要求2或3所述的扩散炉，其特征在于，多个所述晶舟以所述基座与所述炉底旋转的中心轴线呈圆周阵列间隔分布。
6.根据权利要求2或3所述的扩散炉，其特征在于，每个所述晶舟设为相对于所述基座单独旋转；和/或多个所述晶舟通过所述基座相对于所述炉底共同旋转。
7.根据权利要求1所述的扩散炉，其特征在于，多个所述晶舟环绕的中心设有第一加热器，所述第一加热器与所述基座连接。
8.根据权利要求1所述的扩散炉，其特征在于，所述炉管结构还包括第二加热器，所述第二加热器分布于所述炉管本体的外侧。
9.根据权利要求7所述的扩散炉，其特征在于，所述炉管结构还包括气路***，其用于向所述反应腔提供反应气体，所述气路***包括进气结构和排气结构，所述进气结构和排气结构均设于所述炉管本体上，且所述进气结构和排气结构均与所述反应腔连通。
10.根据权利要求9所述的扩散炉，其特征在于，所述进气结构包括进气管、所述排气结构包括排气口，所述气路***还包括与所述进气管连通的立管，所述进气管设于靠近所述炉管本体的底端，所述排气口设于所述炉管本体的顶部，所述立管上沿其纵向设有若干间隔分布的吹气孔，以使所述立管内的反应气体吹向上下间隔的晶圆之间的间隙。
11.根据权利要求10所述的扩散炉，其特征在于，所述立管以所述基座与所述炉底旋转的中心轴线呈圆周阵列间隔分布。
12.根据权利要求10所述的扩散炉，其特征在于，所述立管与所述晶舟一一对应，所述晶舟位于所述立管与所述第一加热器之间。
13.根据权利要求11所述的扩散炉，其特征在于，所述进气管包括进气总口和与所述进气总口连通的环形管道，所述环形管道沿多个所述晶舟呈圆形设置，所述立管与所述环形管道连通。
14.根据权利要求9所述的扩散炉，其特征在于，所述进气结构包括进气管，所述进气管设于靠近所述炉管本体的底端；
所述气路***还包括与所述进气管连通的立管，所述立管上沿其纵向设有若干间隔分布的气孔，以使所述立管内的反应气体吹向上下间隔的晶圆之间的间隙；
所述排气结构包括排气通道和排气口，所述排气通道设为纵向设置，所述排气通道的顶端与所述反应腔连通，所述排气通道的底端与排气口连通；
所述排气口高于所述进气管，所述排气通道高于所述晶舟。
15.根据权利要求9所述的扩散炉，其特征在于，所述进气结构包括进气管，所述进气管设于靠近所述炉管本体的底端；
所述排气结构包括排气通道和排气口，所述排气通道设为纵向设置，所述排气通道的顶端与所述反应腔连通，所述排气通道的底端与排气口连通；
所述排气口高于所述进气管，所述排气通道高于所述晶舟。
CN202110858512.1A 2021-07-28 2021-07-28 扩散炉 Pending CN113584595A (zh)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114242839A (zh) * 2021-12-20 2022-03-25 江西中弘晶能科技有限公司 一种提升制造perc电池用热扩散炉流场均匀性的进气方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200512860A (en) * 2003-09-16 2005-04-01 Promos Technologies Inc Boat, batch type apparatus and wafer handling process using the boat
CN102051602A (zh) * 2009-11-05 2011-05-11 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 薄膜沉积方法和装置
CN108088247A (zh) * 2017-12-28 2018-05-29 德淮半导体有限公司 炉管装置
CN110894598A (zh) * 2018-09-12 2020-03-20 长鑫存储技术有限公司 一种沉积炉管

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0626194B2 (ja) * 1988-05-31 1994-04-06 信越石英株式会社 ウエハ熱処理装置
JP2008028014A (ja) * 2006-07-19 2008-02-07 Fujifilm Corp 縦型拡散炉
JP2010177653A (ja) * 2009-02-02 2010-08-12 Koyo Thermo System Kk 縦型炉装置
JP5565242B2 (ja) * 2010-09-29 2014-08-06 東京エレクトロン株式会社 縦型熱処理装置
CN208923050U (zh) * 2018-11-29 2019-05-31 德淮半导体有限公司 具有局部加热功能的炉管

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200512860A (en) * 2003-09-16 2005-04-01 Promos Technologies Inc Boat, batch type apparatus and wafer handling process using the boat
CN102051602A (zh) * 2009-11-05 2011-05-11 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 薄膜沉积方法和装置
CN108088247A (zh) * 2017-12-28 2018-05-29 德淮半导体有限公司 炉管装置
CN110894598A (zh) * 2018-09-12 2020-03-20 长鑫存储技术有限公司 一种沉积炉管

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114242839A (zh) * 2021-12-20 2022-03-25 江西中弘晶能科技有限公司 一种提升制造perc电池用热扩散炉流场均匀性的进气方法

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