CN113579557B - SnBi系材料合金及其制备方法和用途 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种SnBi系材料合金及其制备方法和用途，该SnBi系材料合金包括Sn、Bi和Sb元素；其中，Bi元素、Sb元素在SnBi系材料合金中所占的质量百分比分别计为y％、x％，其余为Sn及少量不可避免的杂质，且0≤x≤10，30≤y≤45，y＝‑0.0117x2+1.1176x+32+c，c为校正因子，且‑1≤c≤1。通过利用Bi元素冷缩热胀的特性来调控合金固化时的热膨胀系数，解决焊料合金在固化过程中的收缩问题，使得该SnBi系材料合金在固化过程中有少量收缩或者不收缩，性能优良。
Description
技术领域
本发明涉及通孔填充材料技术领域，具体涉及一种SnBi系材料合金及其制备方法和用途。
背景技术
集成电路是所有电子产品不可或缺部分。电子产品向轻薄、短、微型化、高功能方向的迅速发展，要求集成电路的体积向更小型化发展，三维集成电路已经成为发展的必然趋势。从三维集成电路的发展历程来看，随着穿透通孔的晶圆封装技术向着高量产方向的不断发展，穿透通孔技术已经逐渐成为三维集成电路互连的一种必然解决方案。
通孔技术能够使芯片在三维方向堆叠的密度最大、芯片之间的互连线最短、外形尺寸最小，可以有效地实现这种3D芯片层叠，制造出结构更复杂、性能更强大、更具成本效率的芯片，成为了目前电子封装技术中最引人注目的一种技术。
通孔的填充是通孔技术的关键，也是难度较大的一个环节，通孔填充效果直接关系到集成技术的可靠性和良率等问题，而高的可靠性和良率对于三维集成电路实用化是至关重要的。传统的填充方法一般使用电镀铜对通孔进行填充。通孔的孔径通常为几个微米到十几个微米，深度可达数十至数百微米。由于其高深宽比的结构，铜电镀过程一般需要数个小时到数十个小时，填充效率低下，且电解质和添加剂有毒，还会污染环境。目前有一种焊料合金快速填充通孔工艺可以提高通孔填充速度，提高生产效率。但是由于焊料合金在固化过程中的收缩，会严重影响填充质量，产生填充缺陷，影响新工艺的推广。
发明内容
为解决现有技术中的不足，本发明的主要目的在于提供一种SnBi系材料合金及其制备方法和用途，该SnBi系材料合金利用Bi元素热缩冷胀的特性来调控合金固化时的热膨胀系数，解决焊料合金在固化过程中的收缩问题，使得该SnBi系材料合金在固化过程中有少量收缩或者不收缩，性能优良。
为了实现上述目的，根据本发明的第一方面，提供了一种SnBi系材料合金。
该SnBi系材料合金包括Sn、Bi和Sb元素；其中，Sb元素、Bi元素在所述SnBi系材料合金中所占的质量百分比分别计为x％、y％，其余为Sn及少量不可避免的杂质，且0≤x≤10，30≤y≤45，y＝-0.0117x2+1.1176x+32+c，c为校正因子，且-1≤c≤1。
进一步的，所述Sb元素、所述Bi元素在所述SnBi系材料合金中所占的质量百分比分别计为x％、y％，且0≤x≤9，30≤y≤40；
优选的，-0.1≤c≤0.1；0≤c≤0.05。
进一步的，所述SnBi系材料合金还包括Ag、Cu、Co、Ti、Ni和In元素中的至少一种。
进一步的，当所述SnBi系材料合金中含有Ag、Cu、Co、Ti、Ni、In元素时，其各自的含量以质量百分比计分别为：Ag 0.1～3％，Cu 0.01～2.5％，Co 0.01～0.1％，Ti 0.01～0.1％，Ni 0.03～0.9％，In0.01～1％。
为了实现上述目的，根据本发明的第二方面，提供了一种SnBi系材料合金的制备方法。
该SnBi系材料合金的制备方法包括以下步骤：
按照一定的合金配比，将各元素的金属单质或合金熔融混合，得到所述的SnBi系材料合金；其中，熔融时Sn元素和Bi元素以金属单质的形式引入，Sb元素以Bi-Sb合金的形式引入。
进一步的，熔融时Ag、Cu、Co、Ti、Ni元素是以Sn-Ag、Sn-Cu、Sn-Co、Sn-Ti、Sn-Ni合金的方式引入。
进一步的，熔融时In元素以金属单质的方式引入。
进一步的，所述的合金是采用真空熔炼法制备得到的；其中，熔炼炉中抽真空至1×10-1～1×10-2Pa并充入保护气体。
进一步的，将各元素的金属单质或合金熔融混合的熔化温度为200～500℃，且保温10～20min。
为了实现上述目的，根据本发明的第三方面，提供了一种SnBi系材料合金的用途。
上述的制备方法制备得到的SnBi系材料合金作为集成电路芯片通孔填充材料的用途。
本发明中SnBi系材料合金为低熔点焊料，晶粒细小。
本发明的SnBi系材料合金中，Bi元素热缩冷胀的特性能够调控合金固化时的热膨胀系数，解决焊料合金在固化过程中的收缩问题。
合金中加入Sb元素，可以细化钎料显微组织、提高钎料的导电性和润湿性，同时Sb元素的加入，有助于提高合金基体的电极电位，从而提高合金的抗腐蚀能力。
Ag元素的加入，贵金属Ag可以提高合金力学强度；另外，Ag还能提升合金的润湿性和焊接性，高温蠕变、热循环可靠性等性能。
微量Cu元素能够促进合金的润湿铺展能力。
合金中加入一定量的Co元素可以细化钎料显微组织，降低过冷度，一致金属间化合物的生长，提高抗跌落冲击性能。
Ti合金元素，通过元素的综合作用，在钎料表面形成致密的氧化膜，阻止了钎料的氧化，提高合金的抗氧化性和填孔润湿性。
通过同时添加Ni元素、In元素能够进一步改善合金的强度和韧性。
在本发明中，Sn-Bi系合金可以通过控制Sn元素和其他元素的添加比例及分布状态提高合金的电性能。
附图说明
通过阅读下文优选实施方式的详细描述，各种其他的优点和益处对于本领域普通技术人员将变得清楚明了。附图仅用于示出优选实施方式的目的，而并不认为是对本发明的限制。而且在整个附图中，用相同的参考符号表示相同的部件。在附图中：
图1为本发明实施例中制备得到的SnBi系材料合金作为集成电路芯片通孔填充材料的填充效果。
具体实施方式
下面将参照附图更详细地描述本公开的示例性实施方式。虽然附图中显示了本公开的示例性实施方式，然而应当理解，可以以各种形式实现本公开而不应被这里阐述的实施方式所限制。相反，提供这些实施方式是为了能够更透彻地理解本公开，并且能够将本公开的范围完整的传达给本领域的技术人员。
根据本发明的一种具体实施方式，提供了一种制备工艺简单、性能优良的SnBi系材料合金，并且该SnBi系材料合金为低熔点合金。
本发明中的SnBi系材料合金可以应用于集成电路芯片中，作为集成电路芯片通孔填充材料。
本发明中的SnBi系材料合金包括Sn、Bi和Sb元素；其中，Bi元素、Sb元素在SnBi系材料合金中所占的质量百分比分别计为y％、x％，其余为Sn及少量不可避免的杂质，且0≤x≤10，30≤y≤45，y＝-0.0117x2+1.1176x+32+c，c为校正因子，且-1≤c≤1。
在上述的实施例中，SnBi系材料合金中可以包括Sb元素，也可以不包括Sb元素，形成为无铅SnBi系材料合金；并且不论Sb元素是否添加，Bi元素所占质量百分比的关系式
y＝-0.0117x2+1.1176x+32+c均成立。
在本发明的实施例中，Bi元素、Sb元素在SnBi系材料合金中所占的质量百分比分别计为y％、x％，且0≤x≤9，30≤y≤40。
在本发明的实施例中，-0.1≤c≤0.1。
作为本发明的更优选实施方式，0≤c≤0.05。
本发明中的SnBi系材料合金还包括Ag、Cu、Co、Ti、Ni和In元素中的至少一种，可以根据需要进行选择。
当SnBi系材料合金中含有Ag元素时，Ag元素的含量以质量百分比计为0.1～3％。
在本发明的实施例中，Ag元素的质量百分比可以为0.1～2％，更优选为1～2％。
当SnBi系材料合金中含有Cu元素时，Cu元素的含量以质量百分比计为0.01～2.5％。
在本发明的实施例中，Cu元素的质量百分比可以为0.01～2％，更优选为0.02～1％。
当SnBi系材料合金中含有Co元素时，Co元素的含量以质量百分比计为0.01～0.1％。
在本发明的实施例中，Co元素的质量百分比可以为0.01～0.08％，更优选为0.03～0.05％。
当SnBi系材料合金中含有Ti元素时，Ti元素的含量以质量百分比计为0.01～0.1％。
在本发明的实施例中，Ti元素的质量百分比可以为0.01～0.08％，更优选为0.03～0.05％。
当SnBi系材料合金中含有Ni元素时，Ni元素的质量百分比可以为0.03～0.9％。
在本发明的实施例中，Ni元素的质量百分比可以为0.05～0.5％，更优选为0.3～0.5％。
当SnBi系材料合金中含有In元素时，In元素的含量以质量百分比计为0.01～1％。
在本发明的实施例中，In元素的质量百分比可以为0.1～0.8％，更优选为0.3～0.5％。
根据本发明的另一种具体实施方式，提供了一种无铅SnBi系材料合金的制备方法。
该无铅SnBi系材料合金的制备方法包括以下步骤：
将Sn和Bi金属单质，按所需合金配比加入熔炼炉中，熔炼过程中表面覆盖防氧化熔剂，加热至熔化温度200～500℃，适当保温10～20min，除掉表面氧化渣，浇注于模具中制备得到无铅SnBi系材料合金。
在上述的制备方法中，当需要加入Ag、Cu、Co、Ti和Ni元素中的至少一种时，先分别利用真空熔炼法制备Sn-Ag、Sn-Co、Sn-Ti、Sn-Cu或Sn-Ni合金，然后将Sn和Bi金属单质以及上述制备得到的合金按照所需合金配比加入熔炼炉中，熔炼过程中表面覆盖防氧化熔剂，加热至熔化温度200～500℃，适当保温10～20min，除掉表面氧化渣，浇注于模具中制备得到无铅SnBi系材料合金。
当需要添加In元素时，直接将Sn、Bi和In金属单质按所需合金配比加入熔炼炉中，熔炼过程中表面覆盖防氧化熔剂，加热至熔化温度200～500℃，适当保温10～20min，除掉表面氧化渣，浇注于模具中制备得到无铅SnBi系材料合金。
当需要同时添加In元素以及Ag、Cu、Co、Ti和Ni元素中的至少一种时，将上述制备得到的合金以及Sn、Bi和In金属单质，按所需合金配比加入熔炼炉中，熔炼过程中表面覆盖防氧化熔剂，加热至熔化温度200～500℃，适当保温10～20min，除掉表面氧化渣，浇注于模具中制备得到无铅SnBi系材料合金。
根据本发明的另一种具体实施方式，还提供了一种SnBi系材料合金的制备方法。
该SnBi系材料合金的制备方法包括以下步骤：
(1)利用真空熔炼法制备Bi-Sb合金；
(2)将制备得到的Bi-Sb合金以及Sn和Bi金属单质，按所需合金配比加入熔炼炉中，熔炼过程中表面覆盖防氧化熔剂，加热至熔化温度200～500℃，适当保温10～20min，除掉表面氧化渣，浇注于模具中制备得到SnBi系材料合金。
在上述的制备方法中，当需要加入Ag、Cu、Co、Ti和Ni元素中的至少一种时，先分别利用真空熔炼法分别制备Sn-Ag、Sn-Co、Sn-Ti、Sn-Cu或Sn-Ni合金，然后将制备得到的上述合金、Bi-Sb合金以及Sn和Bi金属单质按照所需合金配比加入熔炼炉中，熔炼过程中表面覆盖防氧化熔剂，加热至熔化温度200～500℃，适当保温10～20min，除掉表面氧化渣，浇注于模具中制备得到SnBi系材料合金。
当需要添加In元素时，直接将Bi-Sb合金以及Sn、Bi和In金属单质按所需合金配比加入熔炼炉中，熔炼过程中表面覆盖防氧化熔剂，加热至熔化温度200～500℃，适当保温10～20min，除掉表面氧化渣，浇注于模具中制备得到SnBi系材料合金。
当需要同时添加In元素以及Ag、Cu、Co、Ti和Ni元素中的至少一种时，将上述制备得到的合金、Bi-Sb合金以及Sn、Bi和In金属单质，按所需合金配比加入熔炼炉中，熔炼过程中表面覆盖防氧化熔剂，加热至熔化温度，适当保温，除掉表面氧化渣，浇注于模具中制备得到SnBi系材料合金。
在本发明的实施例中，真空熔炼法具体为：将金属单质Bi和Sb、或者Sn和Ag、或者Sn和Co、或者Sn和Ti、或者Sn和Cu、或者Sn和Ni，分别按一定的合金配比加入到真空熔炼炉中，抽真空至1×10-1～1×10-2Pa，并充入保护气体，然后分别将合金加热至熔化温度，同时加以电磁搅拌，之后真空浇铸，分别制备得到Bi-Sb、Sn-Ag、Sn-Co、Sn-Ti、Sn-Cu、Sn-Ni合金。
以下将通过具体实施例对本发明中的SnBi系材料合金及其制备方法进行详细说明。
实施例1
一种Sn-Bi系材料合金，以质量百分比计，该SnBi系材料合金粉末包含：Bi 35％，Sb 2.5％，其余为Sn及不可避免的杂质，该合金液态时(231℃)密度为7.96(g/cm3)，凝固后(135℃)密度也为7.96(g/cm3)。该合金在凝固过程中无收缩。制备该SnBi系材料合金的方法包括以下步骤：
1)将纯度为99.99wt.％的金属Bi、Sb，按质量比为80：20的合金配比加入到真空熔炼炉中，抽真空处理至1×10-1Pa，充入氮气；然后将合金加热到650～700℃熔化，同时加以电磁搅拌，以使合金成分均匀，之后真空浇铸，制备得到Bi-Sb20合金；
2)将制得的Bi-Sb20合金及金属Sn和Bi，按合金配比加入熔炼炉，熔炼过程在合金表面覆盖松香，将合金加热至350℃，保温10min，除掉表面氧化渣，浇注于模具中制成SnBi35Sb2.5合金。
图1示出了本实施例1中制备得到的SnBi35Sb2.5合金作为集成电路芯片通孔填充材料时的填充效果，如图1所示，填充质量良好，无填充缺陷。
实施例2
一种SnBi系材料合金，以质量百分比计，该Sn-Bi系材料合金粉末包含：Bi 40％，Sb 7.5％，其余为Sn及不可避免的杂质，该合金液态时(300℃)密度为8.03(g/cm3)，凝固后(135℃)密度也为8.03(g/cm3)。该合金在凝固过程中无收缩。
制备该SnBi系材料合金的方法与实施例1中的制备方法相同，不同之处仅在于在合金表面覆盖LiCl-KCL熔盐。
实施例3
一种Sn-Bi系材料合金，以质量百分比计，该Sn-Bi系材料合金粉末包含：Bi 33％，Sb 1.5％，Ag 2％，其余为Sn及不可避免的杂质，该合金液态时(205℃)密度为7.98(g/cm3)，凝固后(135℃)密度也为7.99(g/cm3)。制备该合金的方法包括以下步骤：
1)将纯度为99.99wt.％的金属Bi和Sb按质量比为80：20的合金配比加入到真空熔炼炉中，抽真空处理至1×10-2Pa，充入氮气后加热到650～700℃熔化，同时加以电磁搅拌，以使合金成分均匀，然后真空浇铸，制备出Bi-Sb20合金；
2)将纯度为99.99wt.％的金属Sn和Ag，按一定的合金配比加入到真空熔炼炉中，抽真空处理至1×10-2Pa，充入氮气；然后将合金加热到800～900℃熔化，同时加以电磁搅拌，以使合金成分均匀，之后真空浇铸，制备出Sn-Ag20合金；
3)将制得的Bi-Sb20、Sn-Ag20合金及金属Sn和Bi，按合金配比加入熔炼炉中，在合金表面覆盖松香，将合金加热至400℃，保温15min，除掉表面氧化渣，浇注于模具中制成SnBi33Sb1.5Ag2合金。
实施例4
一种Sn-Bi系材料合金，以质量百分比计，该Sn-Bi系材料合金粉末包含：Bi 37％，Sb 5％，Co 0.01％，Ti 0.02％，Cu 0.03％，Ni 0.4％，该合金液态时(265℃)密度为8.0(g/cm3)，凝固后(135℃)密度也为8.01(g/cm3)其余为Sn及不可避免的杂质。
制备该SnBi系材料合金的方法与实施例3中的制备方法相同，不同之处仅在于分别按一定的合金配比制备得到Sn-Co5、Sn-Ti20、Sn-Cu20、Sn-Ni5合金；其中，熔化温度分别为900～1000℃、1550～1650、750～820℃、900～1100℃；然后将已制成的Bi-Sb20、Sn-Co5、Sn-Ti20、Sn-Cu20、Sn-Ni5合金及金属Sn和Bi，按合金配比加入熔炼炉中，在合金表面覆盖KCL-LiCl熔盐，将合金加热至450℃，保温15min，除掉表面氧化渣，浇注于模具中制成SnBi37Sb5Co0.01Ti0.02Cu0.03Ni0.4合金。
实施例5
一种Sn-Bi系材料合金，以质量百分比计，该Sn-Bi系材料合金粉末包含：Bi 32％，Co 0.1％，Ti 0.1％，Cu 0.03％，Ni 0.07％，Ag 0.1％，其余为Sn及不可避免的杂质，该合金液态时(186℃)密度为7.92(g/cm3)，凝固后(139℃)密度也为7.92(g/cm3)。制备该无铅焊料合金的方法包括以下步骤：
1)将纯度为99.99wt.％的金属Sn和Co、Sn和Ti、Sn和Cu、Sn和Ni、Sn和Ag，分别按一定的合金配比加入到真空熔炼炉中，抽真空处理至1×10-2Pa，充入氮气；然后分别将合金加热到900～1000℃、1550～1650、750～820℃、900～1100℃、800～900℃熔化，同时加以电磁搅拌，以使合金成分均匀，之后真空浇铸，分别制备出Sn-Co10、Sn-Ti20、Sn-Cu20、Sn-Ni5、Sn-Ag20合金；
2)将已制成的Sn-Co10、Sn-Ti20、Sn-Cu20、Sn-N5i、Sn-Ag20合金及金属Sn和Bi，按合金配比加入熔炼炉中，在合金表面覆盖防氧化溶剂(油浴)，将合金加热至450℃，保温20min，除掉表面氧化渣，浇注于模具中制成SnBi32Co0.1Ti0.1Cu0.03Ni0.07Ag0.1无铅焊料合金。
实施例6
一种Sn-Bi系材料合金，以质量百分比计，该Sn-Bi系材料合金粉末包含：Bi 32％，In 0.03％，其余为Sn及不可避免的杂质，该合金液态时(186℃)密度为7.92(g/cm3)，凝固后(139℃)密度也为7.92(g/cm3)。制备该无铅焊料合金的方法包括以下步骤：
将纯度为99.99wt.％的金属Sn、Bi、In，按合金配比在熔炼炉中熔化。在合金表面覆盖防氧化溶剂(油浴)，将合金加热至250℃，保温20min，除掉表面氧化渣，浇注于模具中制成SnBi32In0.03无铅焊料合金。
实施例7
一种Sn-Bi系材料合金，以质量百分比计，该Sn-Bi系材料合金粉末包含：Bi 32％，其余为Sn及不可避免的杂质，该合金液态时(186℃)密度为7.92(g/cm3)，凝固后(139℃)密度也为7.92(g/cm3)。制备该无铅焊料合金的方法包括以下步骤：
将纯度为99.99wt.％的金属Sn和Bi，按合金配比在熔炼炉中熔化。在合金表面覆盖防氧化溶剂(油浴)，将合金加热至250℃，保温20min，除掉表面氧化渣，浇注于模具中制成SnBi32无铅焊料合金。
以下将实施例1-7中的焊料合金在凝固前和凝固后的密度进行了汇总，详见表1。
表1实施例1-7中Sn-Bi系材料合金凝固前后密度汇总
注：表1中Sn-Bi系材料合金中各成分以质量百分比计，余量为Sn及不可避免的杂质。
以下将通过对比例对采用本发明中的制备方法制备得到的SnBi系材料合金的性能进行进一步说明。
对比例1
一种通孔填充材料合金，以质量百分比计，该无铅焊料合金包含：Sn 96.5％，Ag3％，Cu 0.5％，该合金液态时(220℃)密度为7.05(g/cm3)，凝固后(216.06℃)密度也为7.3(g/cm3)。
对比例2
一种通孔填充材料合金，以质量百分比计，该无铅焊料合金粉末包含：Bi 57％，Ag1.0％，其余为Sn，该合金液态时(190℃)密度为8.76(g/cm3)，凝固后(138.05℃)密度也为8.54(g/cm3)。
以下将对比例1-2中的通孔填充材料合金在凝固前和凝固后的密度进行了汇总，详见表2。
表2对比例1-2中通孔填充材料合金凝固前后密度汇总
注：表2中通孔填充材料合金中各成分以质量百分比计，余量为Sn及不可避免的杂质。
通过对比表1和表2可以看出，相比较于对比例1-2，本发明实施例1-7中SnBi系材料合金液态时的密度与凝固后的密度几乎相同，即便有波动，也在误差范围内，因此本发明中的SnBi系材料合金利用Bi元素热缩冷胀的特性来调控合金的固化时的热膨胀系数，解决了焊料合金在固化过程中的收缩问题。
而且，SnBi系材料合金可以通过调整Sn元素与其他元素的添加比例提高合金的电性能。
以上所述，仅为本发明较佳的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。
Claims (12)
1.一种SnBi系材料合金，其特征在于，所述SnBi系材料合金包括Sn、Bi和Sb元素；其中，Sb元素、Bi元素在所述SnBi系材料合金中所占的质量百分比分别计为x％、y％，其余为Sn及少量不可避免的杂质，且0≤x≤10，30≤y≤45，y＝-0.0117x2+1.1176x+32+c，c为校正因子，且-1≤c≤1。
2.根据权利要求1所述的SnBi系材料合金，其特征在于，所述Sb元素、所述Bi元素在所述SnBi系材料合金中所占的质量百分比分别计为x％、y％，且0≤x≤9，30≤y≤40。
3.根据权利要求1或2所述的SnBi系材料合金，其特征在于，-0.1≤c≤0.1。
4.根据权利要求3所述的SnBi系材料合金，其特征在于，0≤c≤0.05。
5.根据权利要求1或2所述的SnBi系材料合金，其特征在于，所述SnBi系材料合金还包括Ag、Cu、Co、Ti、Ni和In元素中的至少一种。
6.根据权利要求5所述的SnBi系材料合金，其特征在于，当所述SnBi系材料合金中含有Ag、Cu、Co、Ti、Ni、In元素时，其各自的含量以质量百分比计分别为：Ag 0.1～3％，Cu 0.01～2.5％，Co0.01～0.1％，Ti 0.01～0.1％，Ni 0.03～0.9％，In 0.01～1％。
7.权利要求1-6任一项所述的SnBi系材料合金的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
按照一定的合金配比，将各元素的金属单质或合金熔融混合，得到所述的SnBi系材料合金；其中，熔融时Sn元素和Bi元素以金属单质的形式引入，Sb元素以Bi-Sb合金的形式引入。
8.根据权利要求7所述的SnBi系材料合金的制备方法，其特征在于，熔融时Ag、Cu、Co、Ti、Ni元素是以Sn-Ag、Sn-Cu、Sn-Co、Sn-Ti、Sn-Ni合金的方式引入。
9.根据权利要求7或8所述的SnBi系材料合金的制备方法，其特征在于，熔融时In元素以金属单质的方式引入。
10.根据权利要求7或8所述的SnBi系材料合金的制备方法，其特征在于，所述的合金是采用真空熔炼法制备得到的；其中，熔炼炉中抽真空至1×10-1～1×10-2Pa并充入保护气体。
11.根据权利要求8所述的SnBi系材料合金的制备方法，其特征在于，将各元素的金属单质或合金熔融混合的熔化温度为200～500℃，且保温10～20min。
12.权利要求7-11任一项所述的制备方法制备得到的SnBi系材料合金作为集成电路芯片通孔填充材料的用途。
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