CN113573432A - 相控体制的多通道微波发生装置及其可编程频率源芯片 - Google Patents
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Abstract
本申请适用于微波技术领域,提供了一种相控体制的多通道微波发生装置及其可编程频率源芯片。该可编程频率源芯片包括微处理器和至少两个频率源通道,每个频率源通道包括信号产生单元、第一衰减单元、移相单元和第二衰减单元;信号产生单元用于产生预设频率的第一功率信号,第一衰减单元用于对第一功率信号进行第一衰减处理得到第二功率信号,移相单元用于对接收到的信号进行移相处理,第二衰减单元用于对接收到的信号进行第二衰减处理;微处理器用于控制每个频率源通道的信号产生单元、第一衰减单元、移相单元和第二衰减单元以控制每个频率源通道输出信号的频率、相位和功率。本申请实施例能够对可编程频率源芯片的输出功率进行较为精确的控制。
Description
技术领域
本申请属于微波领域,尤其涉及一种相控体制的多通道微波发生装置及其可编程频率源芯片。
背景技术
微波炉广泛应用在微波加热、干燥等领域。在工业微波加热、干燥应用中的传统微波炉大多采用磁控管作为微波源,其工作频率主要采用915MHz±15MHz,微波炉整机功率位于10W~10KW范围内。
但是磁控管工作时需要高压器件,采用磁控管的微波炉其输出的功率依赖于高压条件下的阳极电压,输出功率的控制精度较差,且工作频率固定不可调。
发明内容
有鉴于此,本申请提供了一种应用于微波加热的相控体制的多通道微波发生装置及其可编程频率源芯片,能够提高频率源输出功率的控制精度。
为达到上述目的,本申请采用如下技术方案:
第一方面,本申请实施例提供了一种可编程频率源芯片,应用于微波发生装置,所述可编程频率源芯片包括至少两个频率源通道,每个频率源通道包括信号产生单元、第一衰减单元、移相单元和第二衰减单元;
所述信号产生单元用于产生预设频率的第一功率信号,所述第一衰减单元用于对所述第一功率信号进行第一衰减处理得到第二功率信号,所述移相单元用于对接收到的信号进行移相处理,所述第二衰减单元用于对接收到的信号进行第二衰减处理;其中,所述第一衰减处理的衰减精度与所述第二衰减处理的衰减精度不同;
所述微处理器与每个频率源通道中的信号产生单元、第一衰减单元、移相单元和第二衰减单元连接,用于控制信号产生单元、第一衰减单元、移相单元和第二衰减单元以控制每个频率源通道输出信号的频率、相位和功率。
本申请实施例中,对于每个频率源通道,信号产生单元能够产生预设频率的第一功率信号,第一衰减单元对第一功率信号进行第一衰减处理得到第二功率信号。之后,移相单元对接收到的信号进行移相处理,第二衰减单元对接收到的信号进行第二衰减处理。通过第一衰减处理和第二衰减处理能够调整可编程频率源芯片的输出功率,通过移相处理能够调整功率信号的相位,信号产生单元能够对第一功率信号的频率进行控制,因此本申请实施例能够对可编程频率源芯片的输出功率进行较为精确的控制。
示例性的,移相单元接收到的信号可以为第二功率信号,也可以为对第二功率信号进行放大处理后得到的信号,也可以为第二衰减单元输出的信号。同样的,第二衰减单元接收到的信号可以为第二功率信号,也可以为对第二功率信号进行放大处理后得到的信号,也可以为移相单元输出的信号。
基于第一方面,在一些实施例中,所述第一衰减处理的衰减精度小于所述第二衰减处理的衰减精度。
示例性的,第一衰减处理的衰减精度可以小于第二衰减处理的衰减精度,或者第一衰减处理的衰减精度可以大于第二衰减处理的衰减精度。例如,第一衰减处理为对功率信号进行退饱和衰减,第二衰减处理为对功率信号进行退保和衰减之后,进行较为精确的衰减。
具体的,第一衰减处理可以为第一衰减单元对信号进行较大幅度的衰减(也可以成为粗衰减),第二衰减处理为第二衰减单元对信号进行较小幅度的衰减(也可以成为精确衰减)。通过第一衰减单元先将信号衰减到增益不饱和,之后,再通过第二衰减处理将信号衰减到设定值。
可以理解的,信号增益在一定程度上是线性上升的,但当信号增益上升到一定程度后,会趋于饱和甚至下降。因此,可以采用第一衰减单元先将信号衰减到饱和之前(即上述的退饱和衰减),再采用第二衰减单元进行精度较高的第二衰减处理,衰减到设定值,从而能够提高衰减的精确度以及效率。
基于第一方面,在一些实施例中,所述移相单元包括数字移相器,所述第二衰减单元包括电调衰减器;
所述数字移相器用于对所述第二功率信号进行移相处理,所述电调衰减器用于将经过所述移相处理后的功率信号进行所述第二衰减处理;或者,
所述电调衰减器用于对所述第二功率信号进行所述第二衰减处理,所述数字移相器用于将经过所述第二衰减处理后的功率信号进行移相处理。
基于第一方面,在一些实施例中,每个所述频率源通道还包括通道开关,所述通道开关用于控制所述频率源通道的通断。
在微波发生装置的每个工作周期中,通道开关先断开,在信号发生单元、第一衰减单元、移相单元和第二衰减单元确定工作参数之后,通道开关闭合,可编程频率源芯片输出信号。在下个工作周期到来时,通道开关断开,信号发生单元、第一衰减单元、移相单元和第二衰减单元重新确定工作参数之后,通道开关闭合,可编程频率源芯片输出信号。
基于第一方面,在一些实施例中,每个所述频率源通道还包括第二放大单元,所述第二放大单元用于对经过所述第二衰减处理后的功率信号进行放大。
其中,第二放大单元可以包括一个或多个功率放大器。对信号进行第二衰减处理后,信号的功率通常较低,此时需要对信号进行一定倍数的放大,以满足可编程频率源芯片输出信号的功率。
基于第一方面,在一些实施例中,所述微处理器用于向所述信号产生单元发送调频指令,向所述数控衰减器发送第一衰减指令,向所述数字移相器发送移相指令,向所述电调衰减器发送第二衰减指令,向所述通道开关发送通道开关指令;
所述信号产生单元执行所述调频指令对所述第一功率信号的频率进行调整,所述数控衰减器根据所述第一衰减指令对所述第一功率信号执行所述第一衰减处理,所述数字移相器根据所述移相指令对所述功分器传输来的功率信号进行移相处理,所述电调衰减器根据所述第二衰减指令对所述功分器传输来的功率信号进行第二衰减处理,所述通道开关执行所述通道开关指令控制对应的频率源通道的通断。
基于第一方面,在一些实施例中,所述可编程频率源芯片还设置有晶振接口和电源接口,所述晶振接口与所述信号产生单元连接,所述晶振接口还用于与外部晶振连接;所述电源接口能够与外部电源连接,为所述信号产生单元、所述第一衰减单元、所述移相单元、所述电调衰减器和所述通道开关供电。
基于第一方面,在一些实施例中,各个频率源通道的移相单元对接收到的功率信号的移相处理相同或不同,各个频率源通道的第一衰减单元对接收到的功率信号的第一衰减处理相同或不同,各个频率源通道的第二衰减单元对接收到的功率信号的第二衰减处理相同或不同。
示例性的,在微波发生装置的每个工作周期中,不同频率源通道之间的各个移相单元对信号的移相处理可以相同也可以不同,各个第一衰减单元对功率信号的第一衰减处理可以相同也可以不同,各个第二衰减单元对功率信号的第二衰减处理可以相同也可以不同。例如,在一个工作周期中,各个数字移相器对功率信号的移相角度不同,各个数控衰减器对功率信号的衰减程度不同,各个电调衰减器对功率信号的衰减程度不同。
基于第一方面,在一些实施例中,每个所述频率源通道还包括第一放大单元,所述第一放大单元设置在所述第一衰减单元和所述移相单元之间,所述第一衰减单元通过所述第一放大单元与所述移相单元连接。
其中,第一放大单元可以包括一个或多个功率放大器。对信号进行第一衰减处理后,信号的功率通常较低,此时需要对信号进行一定倍数的放大,以满足可编程频率源芯片输出信号的功率。
本申请实施例的第二方面提供了一种微波发生装置,包括如第一方面任一项所述的可编程频率源芯片。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动性的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本申请实施例提供的可编程频率源芯片的电路结构示意图。
具体实施方式
以下描述中,为了说明而不是为了限定,提出了诸如特定***结构、技术之类的具体细节,以便透彻理解本申请实施例。然而,本领域的技术人员应当清楚,在没有这些具体细节的其它实施例中也可以实现本申请。在其它情况中,省略对众所周知的***、装置、电路以及方法的详细说明,以免不必要的细节妨碍本申请的描述。
为使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合附图通过具体实施例来进行说明。
以下以两个频率源通道为例,对本申请实施例提供的可编程频率源芯片进行说明。
图1示出了本申请实施例提供的可编程频率源芯片的一种结构示意图。参见图1,可编程频率源芯片110可以包括微处理器112和频率源(图未示出)。频率源包括第一频率源通道(图1所示的通道1)和第二频率源通道(图1所示的通道2)。通过第一频率源通道和第二频率源通道,可编程频率源芯片110能够输出两路信号。
第一频率源通道包括依次连接的第一信号产生单元1131、第一数控衰减器1132、第一功率放大器1133、第一数字移相器1134和第一电调衰减器1135。
第二频率源通道包括依次连接的第二信号产生单元1141、第二数控衰减器1142、第三功率放大器1143、第二数字移相器1144和第二电调衰减器1145。
具体的,第一信号产生单元1131的输出端与第一数控衰减器1132的输入端连接,第一数控衰减器1132的输出端通过第一功率放大器1133与第一数字移相器1134的输入端连接,第一数字移相器1134的输出端与第一电调衰减器1135的输入端连接,第一电调衰减器1135的输出端与可编程频率源芯片110的第一输出端连接。
第二信号产生单元1141的输出端与第二数控衰减器1142的输入端连接,第二数控衰减器1142的输出端通过第三功率放大器1143与第二数字移相器1144的输入端连接,第二数字移相器1144的输出端与第二电调衰减器1145的输入端连接,第二电调衰减器1145的输出端与可编程频率源芯片110的第二输出端连接。
微处理器112与各个频率源通道的信号产生单元、数控衰减器、数字移相器和电调衰减器连接。微处理器112用于控制信号产生单元、数控衰减器、数字移相器和电调衰减器,以控制可编程频率源芯片110输出信号的频率、相位和功率。
如图1所示,微处理器112与第一信号产生单元1131、第一数控衰减器1132、第一数字移相器1134、第一电调衰减器1135、第二信号产生单元1141、第一数控衰减器1142、第二数字移相器1144和第二电调衰减器1145连接。
微处理器112用于向第一信号产生单元1131和第二信号产生单元1141分别发送调频指令,向第一数控衰减器1132和第二数控衰减器1142分别发送第一衰减指令,向第一数字移相器1134和第二数字移相器1144分别发送移相指令,向第一电调衰减器1135和第二电调衰减器1145分别发送第二衰减指令。
第一信号产生单元1131和第二信号产生单元1141分别执行调频指令对各自的第一功率信号的频率进行调整。第一数控衰减器1132和第二数控衰减器1142分别根据第一衰减指令对各自的第一功率信号执行第一衰减处理。第一数字移相器1134根据移相指令对接收到的功率信号进行移相处理,第二数字移相器1144根据移相指令对接收到的功率信号进行移相处理。第一电调衰减器1135根据第二衰减指令对接收到的功率信号进行第二衰减处理,第二电调衰减器1145根据第二衰减指令对接收到的功率信号进行第二衰减处理。
另外,可编程频率源芯片110还可以设置有晶振接口和电源接口。可编程频率源芯片110的第一信号产生单元1131和第二信号产生单元1141可以通过晶振接口与外置的晶振连接,该外置的晶振可以为16MHz的工业用贴片晶振。可编程频率源芯片110可以通过电源接口与外部电源连接,可编程频率源芯片110可以内置有LDO(low dropout regulator,低压差线性稳压器)。LDO能够将外部电源转换为3.3V或5V,为可编程频率源芯片110中的各个部分供电。
其中,第一信号产生单元1131的输入端通过晶振接口与外置的晶振连接,第一信号产生单元1131的输出端与第一数控衰减器1132的输入端连接。第二信号产生单元1141的输入端通过晶振接口与外置的晶振连接,第二信号产生单元1141的输出端与第二数控衰减器1142的输入端连接。
一些实施例中,可编程频率源芯片110还可以设置有通信接口(图未示出)。微处理器112通过该通信接口能够与外部终端通信连接。用户可以通过外部终端控制可编程频率源芯片110的工作状态,以及了解可编程频率源芯片110的实时参数,以及对可编程频率源芯片110进行编程等。
示例性的,上述第一数控衰减器1132和第二数控衰减器1142的参数如下:衰减范围为0~30dB,步进1dB,衰减精度为±0.5dB。上述第一电调衰减器1135和第二电调衰减器1145的参数如下:衰减范围为0~30dB,连续可调,工作电压为0~3.3V。上述第一数字移相器1134和第二数字移相器1144的参数如下:0~360°,步进1.4°,移相精度≤2°。
示例性的,可编程频率源芯片110的工作频率可以为915MHz±15MHz,也可以为2450MHz±50MHz,也可以为433MHz,也可以为其他频率,对此不予限定。应用本申请实施例中的可编程频率源芯片110的微波炉的整机功率可以为10W~1KW。
一些实施例中,可编程频率源芯片110还可以包括第一通道开关、第二功率放大器、第二通道开关和第四功率放大器。
其中,第一频率源通道包括依次连接的第一信号产生单元1131、第一数控衰减器1132、第一功率放大器1133、第一数字移相器1134、第一电调衰减器1135、第一通道开关和第二功率放大器。第一电调衰减器1135的输出端通过第一通道开关与第二功率放大器的输入端连接,第二功率放大器的输出端与可编程频率源芯片110的第一输出端连接。
第二频率源通道包括依次连接的第二信号产生单元1141、第二数控衰减器1142、第三功率放大器1143、第二数字移相器1144、第二电调衰减器1145、第二通道开关和第四功率放大器。第二电调衰减器1145的输出端通过第二通道开关与第四功率放大器的输入端连接,第四功率放大器的输出端与可编程频率源芯片110的第二输出端连接。
本实施例中,第一功率放大器1133为第一频率源通道的第一放大单元,第二功率放大器为第一频率源通道的第二放大单元。第三功率放大器1143为第二频率源通道的第一放大单元,第四功率放大器为第二频率源通道的第二放大单元。
另外,微处理器112还分别与第一通道开关和第二通道开关连接。微处理器112用于向第一通道开关和第二通道开关分别发送通道开关指令。第一通道开关和第二通道开关分别执行通道开关指令以控制各自频率源通道的通断。
本实施例中,第一功率放大器1113为可编程频率源芯片110的第一放大单元,第二功率放大器和第三功率放大器分别为可编程频率源芯片110的两个处理电路的第二放大单元。
上述第一通道开关和第二通道开关的参数如下:关断度60dB,响应时间150ms以内。
需要说明的是,图1中所示的电路结构仅为可编程频率源芯片110的一种示例,本申请实施例并不限于此。
在一些实施例中,可编程频率源芯片110可以具有三个及以上的频率源通道。
在一些实施例中,对于每个频率源通道,数字移相器、电调衰减器和通道开关的位置关系可以变动。
以第一频率源通道为例进行说明。例如,第一功率放大器1133依次与第一电调衰减器1135、第一数字移相器1134和第一通道开关连接。又例如,第一功率放大器1133依次与第一通道开关、第一电调衰减器1135、第一数字移相器1134连接。第二功率放大器位于第一电调衰减器1135之后,能够对衰减后的信号进行放大即可。
本申请实施例还提供一种相控体制的多通道微波发生装置,包括上述任一种可编程频率源芯片,具有上述可编程频率源芯片所具有的有益效果。其中,相控体制为微波发生装置具有移相功能,能够对微波信号进行相位控制。
以上所述实施例仅用以说明本申请的技术方案,而非对其限制;尽管参照前述实施例对本申请进行了详细的说明,本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换;而这些修改或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例技术方案的精神和范围,均应包含在本申请的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种可编程频率源芯片,应用于微波发生装置,其特征在于,所述可编程频率源芯片包括微处理器和至少两个频率源通道,每个频率源通道包括信号产生单元、第一衰减单元、移相单元和第二衰减单元;
所述信号产生单元用于产生预设频率的第一功率信号,所述第一衰减单元用于对所述第一功率信号进行第一衰减处理得到第二功率信号,所述移相单元用于对接收到的信号进行移相处理,所述第二衰减单元用于对接收到的信号进行第二衰减处理;其中,所述第一衰减处理的衰减精度与所述第二衰减处理的衰减精度不同;
所述微处理器与每个频率源通道中的信号产生单元、第一衰减单元、移相单元和第二衰减单元连接,用于控制信号产生单元、第一衰减单元、移相单元和第二衰减单元以控制每个频率源通道输出信号的频率、相位和功率。
2.根据权利要求1所述的可编程频率源芯片,其特征在于,所述第一衰减处理的衰减精度小于所述第二衰减处理的衰减精度。
3.根据权利要求1所述的可编程频率源芯片,其特征在于,所述移相单元包括数字移相器,所述第二衰减单元包括电调衰减器;
所述数字移相器用于对所述第二功率信号进行移相处理,所述电调衰减器用于将经过所述移相处理后的功率信号进行所述第二衰减处理;或者,
所述电调衰减器用于对所述第二功率信号进行所述第二衰减处理,所述数字移相器用于将经过所述第二衰减处理后的功率信号进行移相处理。
4.根据权利要求3所述的可编程频率源芯片,其特征在于,每个所述频率源通道还包括通道开关,所述通道开关用于控制所述频率源通道的通断。
5.根据权利要求3或4所述的可编程频率源芯片,其特征在于,每个所述频率源通道还包括第二放大单元,所述第二放大单元用于对经过所述第二衰减处理后的功率信号进行放大。
6.根据权利要求4所述的可编程频率源芯片,其特征在于,所述微处理器用于向所述信号产生单元发送调频指令,向所述数控衰减器发送第一衰减指令,向所述数字移相器发送移相指令,向所述电调衰减器发送第二衰减指令,向所述通道开关发送通道开关指令;
所述信号产生单元执行所述调频指令对所述第一功率信号的频率进行调整,所述数控衰减器根据所述第一衰减指令对所述第一功率信号执行所述第一衰减处理,所述数字移相器根据所述移相指令对所述功分器传输来的功率信号进行移相处理,所述电调衰减器根据所述第二衰减指令对所述功分器传输来的功率信号进行第二衰减处理,所述通道开关执行所述通道开关指令控制对应的频率源通道的通断。
7.根据权利要求6所述的可编程频率源芯片,其特征在于,所述可编程频率源芯片还设置有晶振接口和电源接口,所述晶振接口与所述信号产生单元连接,所述晶振接口还用于与外部晶振连接;所述电源接口能够与外部电源连接,为所述信号产生单元、所述第一衰减单元、所述移相单元、所述电调衰减器和所述通道开关供电。
8.根据权利要求1所述的可编程频率源芯片,其特征在于,各个频率源通道的移相单元对接收到的功率信号的移相处理相同或不同,各个频率源通道的第一衰减单元对接收到的功率信号的第一衰减处理相同或不同,各个频率源通道的第二衰减单元对接收到的功率信号的第二衰减处理相同或不同。
9.根据权利要求1所述的可编程频率源芯片,其特征在于,每个所述频率源通道还包括第一放大单元,所述第一放大单元设置在所述第一衰减单元和所述移相单元之间,所述第一衰减单元通过所述第一放大单元与所述移相单元连接。
10.一种相控体制的多通道微波发生装置,其特征在于,包括如权利要求1至9任一项所述的可编程频率源芯片。
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Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103856220A (zh) * | 2014-01-26 | 2014-06-11 | 西安天伟电子***工程有限公司 | 一种无源雷达双通道接收机射频对消***及方法 |
CN208028885U (zh) * | 2018-03-20 | 2018-10-30 | 成都创亿嘉科技有限公司 | 一种多路tr组件 |
CN109450399A (zh) * | 2018-10-26 | 2019-03-08 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 一种电调衰减电路 |
CN209472783U (zh) * | 2018-11-27 | 2019-10-08 | 京信通信***(中国)有限公司 | 微波功率源 |
CN112290219A (zh) * | 2020-09-16 | 2021-01-29 | 北京无线电测量研究所 | 一种小型多通道移相组件 |
CN212463168U (zh) * | 2020-07-13 | 2021-02-02 | 北京优诺信创科技有限公司 | 一种高分辨率步进可调的衰减装置 |
CN112702073A (zh) * | 2020-12-22 | 2021-04-23 | 成都沃特塞恩电子技术有限公司 | 一种微波功率源控制装置及方法 |
CN216146486U (zh) * | 2021-05-24 | 2022-03-29 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 相控体制的多通道微波发生装置及其可编程频率源芯片 |
-
2021
- 2021-06-25 CN CN202110712637.3A patent/CN113573432A/zh active Pending
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103856220A (zh) * | 2014-01-26 | 2014-06-11 | 西安天伟电子***工程有限公司 | 一种无源雷达双通道接收机射频对消***及方法 |
CN208028885U (zh) * | 2018-03-20 | 2018-10-30 | 成都创亿嘉科技有限公司 | 一种多路tr组件 |
CN109450399A (zh) * | 2018-10-26 | 2019-03-08 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 一种电调衰减电路 |
CN209472783U (zh) * | 2018-11-27 | 2019-10-08 | 京信通信***(中国)有限公司 | 微波功率源 |
CN212463168U (zh) * | 2020-07-13 | 2021-02-02 | 北京优诺信创科技有限公司 | 一种高分辨率步进可调的衰减装置 |
CN112290219A (zh) * | 2020-09-16 | 2021-01-29 | 北京无线电测量研究所 | 一种小型多通道移相组件 |
CN112702073A (zh) * | 2020-12-22 | 2021-04-23 | 成都沃特塞恩电子技术有限公司 | 一种微波功率源控制装置及方法 |
CN216146486U (zh) * | 2021-05-24 | 2022-03-29 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 相控体制的多通道微波发生装置及其可编程频率源芯片 |
Non-Patent Citations (1)
Title |
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赵雅琴,候成宇,陈浩编著: "《通信电子线路 第2版》", 31 May 2020, 哈尔滨:哈尔滨工业大学出版社, pages: 98 - 99 * |
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