CN113555407A - 有机电致发光显示基板及其制备方法、显示装置 - Google Patents

Abstract

本公开提供一种有机电致发光显示基板及其制备方法、显示装置，属于显示技术领域。本公开的有机电致发光显示基板，包括设置于衬底基板上的像素界定层，像素界定层包括平坦部和开口部；有机电致发光显示基板还包括微纳复合薄膜，微纳复合薄膜覆盖像素限定层的平坦部和开口部；其中，覆盖平坦部的微纳复合薄膜在光照环境下可由疏水性变为亲水性；覆盖所述开口部的微纳复合薄膜在暗态环境下可由亲水性变为疏水性。

Description

有机电致发光显示基板及其制备方法、显示装置

技术领域

本公开属于显示技术领域，具体涉及一种有机电致发光显示基板及其制备方法、显示装置。

背景技术

有机电致发光二极管(Organic Light Emitting Diodes，OLED)属于一种新型电流型半导体发光器件，是通过控制该器件载流子的注入和复合激发有机材料发光显示，属于一种自主发光技术。与被动发光的液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)相比，自主发光的OLED显示器具有响应速度快、对比度高、视角广等优点，并且容易实现柔性显示，被业内普遍看好，业界一致认为OLED显示器极有可能成为下一代显示技术的主流产品。

目前，OLED各功能材料层与阴极金属层薄膜均通过真空热蒸镀工艺制备，即在真空腔体内加热有机小分子材料，使其升华或者熔融气化成材料蒸汽，通过金属掩模版的开孔沉积在玻璃基板上。但由于真空热蒸发制备成本高，限制了OLED显示器的大范围商业化。喷墨打印(Ink-jetPrinting，IJP)具有材料利用率高等优点，是解决大尺寸OLED显示器成本问题的关键技术，IJP技术在OLED器件发光层的制备中，相比于传统的真空蒸镀工艺，具有节省材料、制程条件温和、成膜更均匀等诸多优点，所以更具应用潜力。此方法是利用多个喷嘴将功能材料油墨滴入预定的像素区域，之后通过干燥获得所需图案薄膜。

然而，由于不同油墨的亲水性不同，对于亲水性好的油墨，会在挡墙的倾斜内面上爬坡较高，形成凹形膜层，对于亲水性不好的油墨，会在挡墙的凹槽内形成凸形膜层，造成干燥后各像素区域发光元件功能层的薄膜厚度不均匀，不仅会影响OLED器件发光的均匀性，使OLED器件的品质下降。

发明内容

本公开旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提供一种有机电致发光显示基板及其制备方法、显示装置。

第一方面，本公开实施例提供一种有机电致发光显示基板，包括设置于衬底基板上的像素界定层，所述像素界定层包括平坦部和开口部；所述有机电致发光显示基板还包括微纳复合薄膜，所述微纳复合薄膜覆盖所述像素限定层的平坦部和开口部；

其中，所述覆盖所述平坦部的微纳复合薄膜在光照环境下可由疏水性变为亲水性；所述覆盖所述开口部的微纳复合薄膜在暗态环境下可由亲水性变为疏水性。

可选地，所述微纳复合薄膜包括由氧化物形成的纳米棒阵列结构、针尖状阵列结构、六角形阵列结构中的至少一种。

可选地，所述氧化物包括氧化锌、氧化钛、氧化锡中的至少一种。

可选地，所述覆盖所述平坦部的微纳复合薄膜中设置有导电粒子。

第二方面，本公开实施例提供一种有机电致发光显示基板的制备方法，其特征在于，包括：

提供衬底基板；

通过构图工艺在所述衬底基板上形成像素限定层，所述像素限定层包括平坦部和开口部；

在所述平坦部和开口部上形成微纳复合薄膜。

可选地，在所述平坦部和开口部上形成微纳复合薄膜，具体包括：

采用水热法在所述平坦部和所述开口部上形成所述微纳复合薄膜。

可选地，在所述平坦部和所述开口部上形成微纳复合薄膜的步骤之后还包括：在所述开口部内形成有机电致发光器件功能层。

可选地，在所述开口部内形成有机电致发光器件功能层，具体包括：

在墨水滴入开口部前，遮挡所述平坦部，利用紫外光照射微纳复合薄膜，以使覆盖在所述开口部的微纳复合薄膜由疏水性变为亲水性；

滴入一定量的墨水到所述开口部；

在墨水干燥过程中，将显示基板置于暗态环境，使覆盖所述开口部的微纳复合薄膜由亲水性变为疏水性。

可选地，在所述开口部内形成有机电致发光器件功能层之后还包括：

在所述有机电致发光器件功能层和所述微纳复合薄膜上形成有机电致发光器件的电极层。

第三方面，本公开实施例提供一种显示装置，包括上述的有机电致发光显示基板。

附图说明

图1为一种示例性的有机电致发光显示基板的平面示意图；

图2为图1所示显示基板中像素驱动电路的电路图；

图3为图2所示像素驱动电路中的第二发光控制晶体管与发光器件连接位置处的截面图；

图4为另一种示例性的有机电致发光显示基板的结构示意图；

图5为油墨在图4所示的像素限定层开口内形成凹形膜层的示意图；

图6为油墨在图4所示的像素限定层开口内形成凸形膜层的示意图；

图7为本公开实施提供的一种有机电致发光显示基板的结构示意图；

图8为本公开实施提供的又一种有机电致发光显示基板的结构示意图；

图9为本公开实施提供的一种有机电致发光显示基板的制备方法流程图。

具体实施方式

为使本领域技术人员更好地理解本公开的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本公开作进一步详细描述。

除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，“一个”、“一”或者“该”等类似词语也不表示数量限制，而是表示存在至少一个。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。

需要说明的是，“构图工艺”是指形成具有特定的图形的结构的步骤，其可为光刻工艺，光刻工艺包括形成材料层、涂布光刻胶、曝光、显影、刻蚀、光刻胶剥离等步骤中的一步或多步；当然，“构图工艺”也可为压印工艺、喷墨打印工艺等其它工艺。

图1为一种示例性的有机电致发光显示基板的平面示意图，如图1所示，显示基板包括衬底基板，以及形成在衬底基板上多个像素单元0，每个像素单元0中均设置有一个像素驱动电路和一个OLED器件。该像素驱动电路可以包括7T1C(即七个晶体管和一个电容)结构，例如包括驱动晶体管、数据写入晶体管、存储电容、阈值补偿晶体管、第一复位晶体管、第二复位晶体管、第一发光控制晶体管以及第二发光控制晶体管。图2为图1所示显示基板中像素驱动电路的电路图，参照图2，数据写入晶体管T4源极的与驱动晶体管T3的源极电连接，数据写入晶体管T4的漏极被配置为与数据线Vd电连接以接收数据信号，数据写入晶体管T4的栅极被配置为与第一扫描信号线Ga1电连接以接收扫描信号；存储电容Cst的第一极板CC1与第一电源电压端VDD电连接，存储电容Cst的第二极板CC2与驱动晶体管T3的栅极电连接；阈值补偿晶体管T2的源极与驱动晶体管T3的漏极电连接，阈值补偿晶体管T2的漏极与驱动晶体管T3的栅极电连接，阈值补偿晶体管T2的栅极被配置为与第二扫描信号线Ga2电连接以接收补偿控制信号；第一复位晶体管T1的源极被配置为与第一复位电源端Vinit1电连接以接收第一复位信号，第一复位晶体管T1的漏极与驱动晶体管T3的栅极电连接，第一复位晶体管T1的栅极被配置为与第一复位控制信号线Rst1电连接以接收第一子复位控制信号；第二复位晶体管T7的源极被配置为与第一复位电源端Vinit1电连接以接收第一复位信号，第二复位晶体管T7的漏极与发光器件D的第一电极D1电连接，第二复位晶体管T7的栅极被配置为与第二复位控制信号线Rst2电连接以接收第二子复位控制信号；第一发光控制晶体管T5的源极与第一电源电压端VDD电连接，第一发光控制晶体管T5的漏极与驱动晶体管T3的源极电连接，第一发光控制晶体管T5的栅极被配置为与第一发光控制信号线EM1电连接以接收第一发光控制信号；第二发光控制晶体管T6的源极与驱动晶体管T3的漏极电连接，第二发光控制晶体管T6的漏极与发光器件D的第一电极D1电连接，第二发光控制晶体管T6的栅极被配置为与第二发光控制信号线EM2电连接以接收第二发光控制信号；发光器件D的第二电极D3与第二电源电压端VSS电连接。

图3为图2所示像素驱动电路中第二发光控制晶体管与发光器件连接位置处的截面图，如图3所示，驱动电路层可形成在衬底基板上。举例而言，如图3所示，该驱动电路层可形成在缓冲层102上。其中，此驱动电路层可包括层间介质层103，此层间介质层103采用无机材料制作而成，例如：氧化硅、氮化硅等无机材料，以达到阻水氧和阻隔碱性离子的效果。

详细说明，驱动电路层还包括薄膜晶体管和电容结构。

如图3所示，薄膜晶体管可为顶栅型，此薄膜晶体管可包括有源层104、第一栅绝缘层105、栅极106、第二栅绝缘层108、层间介质层103、源极110、漏极111。具体地，有源层104可形成在缓冲层102上，第一栅绝缘层105覆盖缓冲层102及有源层104，栅极106形成在第一栅绝缘层105背离有源层104的一侧，第二栅绝缘层108覆盖栅极106和第一栅绝缘层105，层间介质层103覆盖第二栅绝缘层108，源极110和漏极111形成在层间介质层103背离衬底基板的一侧并分别位于栅极106的相对两侧，该源极110和漏极111可分别通过过孔(例如：金属过孔)与有源层104的相对两侧接触。应当理解的是，此薄膜晶体管也可为底栅型。

如图3所示，电容结构可包括第一极板130和第二极板131，此第一极板130与栅极103同层设置，第二极板131位于第二栅绝缘层105与层间介质层103之间，并与第一极板130相对设置。

如图3所示，显示器件位于显示区，该显示器件可包括依次形成在层间介质层103上的第一电极112和像素界定部113，应当理解的是，该显示器件还可包括发光部114a和第二电极115。

详细说明，薄膜晶体管为顶栅型时，在制作显示器件之前还可制作平坦化层，此平坦化层可为单层结构，也可为多层结构；此平坦化层通常采用有机材料制作而成，例如：光刻胶、丙烯酸基聚合物、硅基聚合物等材料；如图3所示，此平坦化层可包括平坦化部116，平坦化部116形成在层间介质层103与第一电极112之间。其中，第一电极112可通过金属过孔与漏极111电性连接，该第一电极112可为阳极，此阳极可为ITO(氧化铟锡)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)等材料制作而成；像素界定部113可覆盖平坦化部116，此像素界定部113可为有机材料制作而成，例如：光刻胶等有机材料，且像素界定部113可具有露出第一电极112的像素开口；发光部114a位于像素开口内并形成在第一电极112上，该发光部114a可包括小分子有机材料或聚合物分子有机材料，可以为荧光发光材料或磷光发光材料，可以发红光、绿光、蓝光，或可以发白光等；并且，根据实际不同需要，在不同的示例中，发光部114a还可以进一步包括电子注入层、电子传输层、空穴注入层、空穴传输层等功能层；第二电极115覆盖发光部114a，且该第二电极115的极性与第一电极112的极性相反；此第二电极115可为阴极，此阴极可为锂(Li)、铝(Al)、镁(Mg)、银(Ag)等金属材料制作而成。

需要说明的是，如图3所示，第一电极112、发光部114a和第二电极115可构成一个发光子像素1d。其中，此显示器件可包括多个阵列排布的发光子像素1d。此外，还需说明的是，各发光子像素1d的第一电极112相互独立，各发光子像素1d的第二电极115整面连接；即第二电极115为设置在显示基板10上的整面结构，为用于多个显示器件的公共电极。

图4为另一种示例性的有机电致发光显示基板的结构示意图，图5为油墨在图4所示的像素限定层开口内形成凹形膜层的示意图，图5为油墨在图4所示的像素限定层开口内形成凸形膜层的示意图。需要说明的是，图4至图6中仅示意出了衬底基板1、驱动电路2、平坦化层3、有机电致发光器件的阳极4以及像素限定层5。

如图4-6所示，有机电致发光显示基板包括衬底基板1、设置在衬底基板1上的像素驱动电路2、设置在像素驱动电路2背离衬底基板1一侧的平坦化层3、设置在平坦化层3背离衬底基板1一侧的有机电致发光器件的阳极4、设置在有机电致发光器件的阳极4背离衬底基板1一侧的像素限定层5，像素限定层5具有平坦部52和开口部51，像素限定层5的开口部51内可设置有机功能层6。

在通过喷墨打印技术形成有机功能层6的过程中，由于不同油墨的亲水性不同，对于亲水性好的油墨，会在开口部52的倾斜内面上爬坡较高，形成凹形膜层(如图5所示)，对于亲水性不好的油墨，会在开口部51内形成凸形膜层(如图6所示)，因此造成干燥后各像素区域发光元件功能层6的薄膜厚度不均匀，影响机电致发光显示器件OLED发光的均匀性，使有机电致发光显示器件OLED的品质下降。

为了解决至少上述技术问题之一，本公开提供了一种有机电致发光显示基板及其制备方法、显示装置，下面结合附图和具体实施方式对本公开提供的有机电致发光显示基板及其制备方法、显示装置作进一步详细描述。

第一方面，图7为本公开实施提供的一种有机电致发光显示基板的结构示意图，如图7所示，本公开实施例提供一种有机电致发光显示基板，有机电致发光显示基板包括衬底基板11、像素驱动电路12、平坦化层13、有机电致发光器件的阳极层14、像素限定层15和微纳复合薄膜16。

具体的，像素驱动电路12设置在衬底基板11上，像素驱动电路12背离衬底基板11的一侧设置有平坦化层13，平坦化层13背离衬底基板的一侧设置有有机电致发光器件的阳极层14，有机电致发光器件的阳极层14背离衬底基板11的一侧设置有像素限定层15，像素界定层15包括开口部151和环绕所述开口部设置的平坦部152。微纳复合薄膜16覆盖像素限定层的开口部151和平坦部152，微纳复合薄膜16具有疏水性，但在光照的情况下，微纳复合薄膜可由疏水性变为亲水性，在暗态环境下，转换为亲水性的微纳复合薄膜还可变为疏水性。在本实施例中，覆盖开口部151的微纳复合薄膜16可在光照环境下由疏水性变为亲水性，覆盖开口部151的微纳复合薄膜16可在暗态环境下由亲水性变为疏水性。

在本实施例中，由于覆盖开口部151的微纳复合薄膜16可在光照环境下由疏水性变为亲水性，覆盖开口部151的微纳复合薄膜16可在暗态环境下由亲水性变为疏水性。这样一来，在油墨滴入开口部前，可遮挡覆盖平坦部152的微纳复合薄膜16，利用光照射覆盖开口部151的微纳复合薄膜16，经过照射的覆盖开口部151的微纳复合薄膜16由疏水性变为亲水性；在油墨滴入开口部151后，由于覆盖平坦部152的微纳复合薄膜16为疏水性，覆盖开口部151的微纳复合薄膜16分为亲水性，因此覆盖开口部151的微纳复合薄膜16对油墨有拉力，覆盖平坦部152的微纳复合薄膜16对油墨有排斥力，油墨在这两个力的作用下的均匀性增加，这样保证了油墨在像素限定层15的开口部151内均匀成膜，有效改善有机电致发光器件的发光均匀性。同时，在油墨干燥过程中，将有机电致发光显示基板置于暗态环境，由于微纳复合薄膜16在暗态环境下，可由亲水性变为疏水性，因此，覆盖开口部151的微纳复合薄膜16由亲水性变为疏水性，这样一来，可恢复有机功能薄膜16的表面性质，实现有机功能薄膜表面的同一化。

在一些实施例中，微纳复合薄膜16包括由氧化物形成的纳米棒阵列结构、针尖状阵列结构、六角形阵列结构中的至少一种。具体的，氧化物可包括氧化锌、氧化钛、氧化锡中的至少一种。

下面以微纳复合薄膜16中的氧化物为二氧化钛TiO2为例进行说明：二氧化钛TiO2是一种应用前景广阔的半导体材料，其优良的物理化学特性使之能在太阳能电池、光催化降解污染物、传感器以及玻璃防雾等方面有着诱人的应用前景，成为当前国内外研究的一个热点。目前的二氧化钛膜层制备方法有水热法、等离子喷涂、电沉积、电化学阳极氧化法、溶胶凝胶法等。已知的，由二氧化钛形成的膜层具有疏水性。在本实施例中，在像素限定层15的表面沉积生长出一层TiO2纳米薄膜层，采用水热法在160℃条件下生长两个小时,在像素限定层15表面制备出具有微纳米尺度的TiO2微纳复合薄膜，TiO2微纳复合薄膜具有复合结构团簇，复合结构团簇的大小为0.1～0.2um,并且复合结构团族由10～30nm的TiO2纳米棒阵列组成。由于TiO2微纳复合薄膜具有大量的孔隙，大量的孔隙可阻止液滴的浸润,因此，TiO2微纳复合薄膜具有良好的疏水性。另外，复合结构图簇的表面在接受紫外光或高能光照射后，复合结构后顺向改变，TiO2微纳复合薄膜变为高亲水性。在暗态环境下(即无光照射或微量光照射时)，TiO2微纳复合薄膜释放能量后还可变为疏水性。

在本实施例中，通过水热法形成TiO2微纳复合薄膜，TiO2微纳复合薄膜在接受紫外光或高能光照射后，复合结构后顺向改变，TiO2微纳复合薄膜变为高亲水性。在不照射或在暗光下，TiO2微纳复合薄膜释放能量后变为疏水性。

在一些实施例中，可通过改变水热生长溶液的浓度、离子添加剂及生长时间等条件,制备出多种形貌的微纳复合薄膜,微纳复合薄膜可包括由氧化物形成的针尖状阵列、纳米棒阵列及六角形微米盘等。

需要说明的是，微纳复合薄膜中的氧化物还可以为二氧化锡、氧化锌等，利用其制备微纳复合薄膜的方法与利用二氧化钛形成微纳复合薄膜的原理相同，在此不再一一举例说明。

在一些实施例中，如图7所示，有机电致发光显示基板还包括有机功能层17和有机电致发光器件的阴极层18。其中，有机功能层17设置在微纳复合薄膜16背离衬底基板11一侧且形成在像素限定层15的开口部151内。有机电致发光器件的阴极层18设置在微纳复合薄膜16背离衬底基板11的一侧。有机功能层17通常由空穴注入层、空穴传输层、发光层、空穴阻挡层、电子阻挡层、电子传输层、电子注入层等其中的一层或多层组成。如图7所示，有机功能层17的顶部与微纳复合薄膜16具有一定的距离，具有一定的距离是为了防止短路，本领域技术人员可以根据具体的结构选择合适的距离，在此不再详细赘述。

在一些实施例中，如图8所示，覆盖像素限定层的平坦部152的微纳复合薄膜16中均匀设置有导电粒子19，导电粒子19可以为导电金属粒子或者导电合金粒子、或者为新型的导电材料，例如石墨烯等。

在本实施例中，由于覆盖像素限定层15的平坦部152的微纳复合薄膜16中均匀设置有导电粒子19，因此覆盖像素限定层15的平坦部152的微纳复合薄膜16与有机电致发光器件的阴极18搭接后形成并联结构，可以减小阴极17电阻，从而减小了阴极膜层的电压降，进而提高OLED发光器件的亮度均匀性。

第二方面，本公开实施例提供一种有机电致发光显示基板的制备方法，如图9所示，有机电致发光显示基板的制备方法包括：

S101、提供衬底基板。

衬底基板基底作为有机电致发光器件中电极层和有机功能薄膜层的依托，它在可见光区域有着良好的透光性能以及一定的防水汽和氧气渗透的能力，并具有较好的表面平整性，一般可以采用玻璃、或柔性基片、或阵列基板等制成。如果选用柔性基片，可采用聚酯类，聚酞亚胺或者较薄的金属制成。

S102、在衬底基板上依次形成像素驱动电路和平坦化层。在衬底基板上形成像素驱动电路例如可以包括：在衬底基板上依次形成栅极、栅绝缘层、有源层、源极和漏极，其中，所述漏极通过设置于保护层上的过孔与所述像素电极连接。所述栅极、栅绝缘层、有源层、源极和漏极构成薄膜晶体管300的结构。

S103、在平坦化层背离衬底基板的一侧形成有机电致发光器件的阳极层。阳极通常采用无机金属氧化物(比如：氧化铟锡ITO，氧化锌ZnO等)、有机导电聚合物(比如：聚3，4-乙撑二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸盐PEDOT：PSS，聚苯胺PANI等)或高功函数金属材料(比如：金、铜、银、铂等)制成。

S104、通过构图工艺在阳极层背离衬底基板的一侧形成像素限定层，像素限定层包括开口部和围绕所述开口部设置在平坦部。具体地，可利用像素限定层的MASK，通过曝光、显影和刻蚀工艺形成像素限定层中开口部和平坦部。

S105、在开口部和平坦部上形成微纳复合薄膜。可选地，可采用PECVD或者水热法在开口部和平坦部上形成微纳复合薄膜。

例如，采用水热法在160℃条件下生长两个小时,在像素限定层表面制备出具有微纳米尺度的微纳复合薄膜，微纳复合薄膜具有复合结构团簇，复合结构团簇的大小为0.1-0.2um,并且复合结构团族由10-30nm的纳米棒阵列组成。由于微纳复合薄膜具有大量的孔隙，大量的孔隙可阻止液滴的浸润,因此，微纳复合薄膜具有良好的疏水性。另外，复合结构图簇的表面在接受紫外光或高能光照射后，复合结构后顺向改变，微纳复合薄膜变为高亲水性；在不照射或在暗光下，微纳复合薄膜释放能量后还可变为疏水性。

S106、在开口部内形成有机电致发光器件的功能层。

有机电致发光器件的功能层通常由空穴注入层、空穴传输层、发光层、空穴阻挡层、电子阻挡层、电子传输层、电子注入层等其中的一层或多层组成。空穴注入层的材料包括2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮杂苯并菲(HAT-CN)、2,3,5,6-四氟-7,7',8,8'-四氰二甲基对苯(F4-TCNQ)、三(4-溴苯基)六氯锑酸铵(TBAHA)中的任意一种。空穴传输层5的材料可以采用芳香族二胺类化合物、三苯胺化合物、芳香族三胺类化合物、联苯二胺衍生物、三芳胺聚合物、金属配合物、或者咔唑类聚合物制成，优选为：N,N′-二(1-萘基)-N,N′-二苯基-1,1′-联苯-4-4′-二胺(NPB)、三苯基二胺衍生物(TPD)、TPTE、1,3,5-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)苯(TDAB)中的任意一种。发光层3可以由具有空穴传输能力不低于电子传输能力的发光材料组成无掺杂的荧光发光的有机材料制成，或采用由荧光掺杂剂与基质材料组成的掺杂荧光材料的有机材料制成，或采用由磷光掺杂剂与基质材料组成的掺杂磷光材料的有机材料制成。电子传输层6的材料包括2-(4-联苯基)-5-苯基恶二唑(PBD)、2,5-二(1-萘基)-1,3,5-恶二唑(BND)、2,4,6-三苯氧基-1,3,5-三嗪(TRZ)中的任意一种。电子注入层7的材料为氟化锂、氟化钠、氟化钾、氟化铷、氟化铯、氧化锂、偏硼酸锂中的任意一种。

可选地，在开口部内形成有机电致发光器件的功能层(S106)具体包括：

S1061、在墨水滴入开口部前，遮挡覆盖平坦部的微纳复合薄膜，利用紫外光照射微纳复合薄膜，以使覆盖开口部的微纳复合薄膜由疏水性变为亲水性；

S1062、滴入一定量的墨水到像素限定层的开口部中；

S1063、在墨水干燥过程中，将显示基板置于暗态环境，使覆盖开口部的微纳复合薄膜由亲水性变为疏水性。

S107、在有机电致发光器件功能层和微纳复合薄膜上形成有机电致发光器件的阴极层。

阴极通常采用低功函数金属材料，比如：锂、镁、钙、锶、铝、铟等或上述金属与铜、金、银的合金制成；或者采用一层很薄的缓冲绝缘层(如氟化锂LiF、碳酸铯CsCO3等)和上述金属或合金制成。

在本实施例中，由于覆盖开口部151的微纳复合薄膜16可在光照环境下由疏水性变为亲水性，覆盖开口部151的微纳复合薄膜16可在暗态环境下由亲水性变为疏水性。这样一来，在油墨滴入开口部前，可遮挡覆盖平坦部152的微纳复合薄膜16，利用光照射覆盖开口部151的微纳复合薄膜16，经过照射的覆盖开口部151的微纳复合薄膜16由疏水性变为亲水性；在油墨滴入开口部151后，由于覆盖平坦部152的微纳复合薄膜16为疏水性，覆盖开口部151的微纳复合薄膜16分为亲水性，因此覆盖开口部151的微纳复合薄膜16对油墨有拉力，覆盖平坦部152的微纳复合薄膜16对油墨有排斥力，油墨在这两个力的作用下的均匀性增加，这样保证了油墨在像素限定层15的开口部151内均匀成膜，有效改善有机电致发光器件的发光均匀性。同时，在油墨干燥过程中，将有机电致发光显示基板置于暗态环境，由于微纳复合薄膜16在暗态环境下，可由亲水性变为疏水性，因此，覆盖开口部151的微纳复合薄膜16由亲水性变为疏水性，这样一来，可恢复有机功能薄膜16的表面性质，实现有机功能薄膜表面的同一化。

第三方面，本公开实施例提供一种显示装置，包括上述的有机电致发光显示基板。

可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本公开的原理而采用的示例性实施方式，然而本公开并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本公开的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本公开的保护范围。

Claims (10)

1.一种有机电致发光显示基板，其特征在于，包括设置于衬底基板上的像素界定层，所述像素界定层包括平坦部和开口部；所述有机电致发光显示基板还包括微纳复合薄膜，所述微纳复合薄膜覆盖所述像素限定层的平坦部和开口部；

其中，覆盖所述平坦部的所述微纳复合薄膜在光照环境下由疏水性变为亲水性；所述覆盖所述开口部的微纳复合薄膜在暗态环境下由亲水性变为疏水性。

2.根据权利要求1所述的有机电致发光显示基板，其特征在于，所述微纳复合薄膜包括由氧化物形成的纳米棒阵列结构、针尖状阵列结构、六角形阵列结构中的至少一种。

3.根据权利要求2所述的有机电致发光显示基板，其特征在于，所述氧化物包括氧化锌、氧化钛、氧化锡中的至少一种。

4.根据权利要求3所述的有机电致发光显示基板，其特征在于，覆盖所述平坦部的所述微纳复合薄膜中设置有导电粒子。

5.一种有机电致发光显示基板的制备方法，其特征在于，包括：

提供衬底基板；

通过构图工艺在所述衬底基板上形成像素限定层，所述像素限定层包括平坦部和开口部；

在所述平坦部和开口部上形成微纳复合薄膜。

6.根据权利要求5所述的有机电致发光显示基板的制备方法，其特征在于，在所述平坦部和开口部上形成微纳复合薄膜，具体包括：

采用水热法在所述平坦部和所述开口部上形成所述微纳复合薄膜。

7.根据权利要求6所述的有机电致发光显示基板的制备方法，其特征在于，在所述平坦部和所述开口部上形成微纳复合薄膜的步骤之后还包括：

在所述开口部内形成有机电致发光器件功能层。

8.根据权利要求7所述的有机电致发光显示基板的制备方法，其特征在于，在所述开口部内形成有机电致发光器件功能层，具体包括：

在墨水滴入开口部前，遮挡所述平坦部，利用紫外光照射微纳复合薄膜，以使覆盖在所述开口部的微纳复合薄膜由疏水性变为亲水性；

滴入一定量的墨水到所述开口部；

在墨水干燥过程中，将显示基板置于暗态环境，使覆盖所述开口部的微纳复合薄膜由亲水性变为疏水性。

9.根据权利要求8所述的有机电致发光显示基板的制备方法，其特征在于，在所述开口部内形成有机电致发光器件功能层之后还包括：

在所述有机电致发光器件功能层和所述微纳复合薄膜上形成有机电致发光器件的电极层。

10.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-4中任一项所述的显示基板。

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