CN113529019B - 一种利用多弧离子镀和磁控溅射镀制备超硬仿生ar片的方法 - Google Patents

一种利用多弧离子镀和磁控溅射镀制备超硬仿生ar片的方法 Download PDF

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Abstract

本发明涉及AR技术领域，具体涉及一种利用多弧离子镀和磁控溅射镀制备超硬仿生AR片的方法，它包括以下步骤：步骤1、对基片进行清洗干燥；步骤2、采用多弧离子镀，利用弧光放电时快速蒸发硅靶形成液滴，液滴在电场作用下沉积在基片表面，形成0.5‑3微米厚的硅纳米乳突；步骤3、磁控溅射镀硅光学膜，该光学膜的厚度300纳米以内，得到超硬仿生AR片，本发明利用多弧离子镀和磁控溅射镀相结合的方式，可以实现该种结构的仿生消反效果，同时可以实现大批量生产，并且成本低廉，还可以实现3D造型。

Description

一种利用多弧离子镀和磁控溅射镀制备超硬仿生AR片的方法
技术领域
本发明涉及AR技术领域，具体涉及一种利用多弧离子镀和磁控溅射镀制备超硬仿生AR片的方法。
背景技术
3D仿生成像技术是光学成像的一种显示方式，利用全息玻璃或全息膜通过光的折射、散射、甚至衍射而达到的一个立体感相当强的画面。
而AR是通过现场实景再辅以计算机软件，让虚拟的东西与现实场景相结合，同步显示在大屏幕上，但目前市面上的仿生AR技术普遍采用纳米压印技术实现，工序复杂，成本高昂，且尺寸越大成本越高，对3D造型也不适用。
发明内容
为了克服现有技术中存在的缺点和不足，本发明的目的在于提供一种工艺简单、成本低的利用多弧离子镀和磁控溅射镀制备超硬仿生AR片的方法。
本发明的目的通过下述技术方案实现：一种利用多弧离子镀和磁控溅射镀制备超硬仿生AR片的方法，它包括以下步骤：
步骤1、对基片进行清洗干燥；
步骤2、采用多弧离子镀，利用弧光放电时快速蒸发硅靶形成液滴，液滴在电场作用下沉积在基片表面，形成0.5-3微米厚的硅纳米乳突；
步骤3、磁控溅射镀硅光学膜，该光学膜的厚度300纳米以内，得到超硬仿生AR片。
步骤1所述基片为玻璃或蓝宝石。
步骤2中所述纳米乳突为周期性排列的纳米乳突，纳米乳突为圆锥、圆柱或梯形柱。
步骤2中的液滴的直径控制在1um。由于目前液滴只能控制在1um左右，所以对可见光透过率会有一定的损失，所以增加磁控溅射光学膜进行弥补。
所述清洗采用的质量浓度5%、温度60℃-70℃的碳酸钠溶液清洗5-10分钟。
步骤2的多弧离子镀具体为：
第一：将基片安装在多弧离子镀设备的基片台上作为阳极，将硅靶装入多弧离子镀弧头作为阴极；抽真空度至2×10-3～8×10-4Pa后，通入氩气使多弧离子镀中的压力稳定在0.2～0.8Pa范围；
第二：预热基材至200℃～500℃；放电电压15V～20V、电流50A～80A、沉积速率为3～5μm/min；在该条件下液滴的沉积时间5～15分钟；
第三：将沉积有液滴基材进行1100～1250℃高温扩散处理，扩散时间10～60min，形成纳米乳突。
步骤3的磁控溅射镀具体为：
第一：将基片安装在磁控溅射仪的阳极板上；再将硅靶放入磁控溅射仪中，作为阴极；抽真空度至10-2～10-3Pa后，通入氩气使磁控溅射仪中的压力稳定在1～10Pa 范围；
第二：预热基材至500℃～800℃；放电电压280V～350V、电流0.2A～0.6A、沉积速率为0.5～1.2μm/min，在该条件下进行表面硅薄膜沉积；
第三：进行1000～1250℃高温扩散，扩散时间5～60min，得到超硬仿生AR片。
本发明的有益效果在于：本发明采用多弧离子镀和磁控溅射镀相互结合的方法制备超硬仿生AR片，可以实现该种结构的仿生消反效果，同时可以实现大批量生产，并且成本低廉，还可以实现3D造型。
附图说明
图1是本发明的结构示意图。
附图标记为：1-硅光学膜、2-硅纳米乳突、3-基片。
具体实施方式
为了便于本领域技术人员的理解，下面结合实施例及附图1对本发明作进一步的说明，实施方式提及的内容并非对本发明的限定。
实施例1
一种利用多弧离子镀和磁控溅射镀制备超硬仿生AR片的方法，它包括以下步骤：
步骤1、对基片3进行清洗干燥；
步骤2、采用多弧离子镀，利用弧光放电时快速蒸发硅靶形成液滴，液滴在电场作用下沉积在基片3表面，形成0.5微米厚的硅纳米乳突2；
步骤3、磁控溅射镀硅光学膜1，该光学膜的厚度300纳米以内，得到超硬仿生AR片。
步骤1所述基片3为玻璃。
步骤2中所述纳米乳突为周期性排列的纳米乳突，纳米乳突为圆锥、圆柱或梯形柱。
步骤2中的液滴的直径控制在1um。
所述清洗采用的质量浓度5%、温度60℃的碳酸钠溶液清洗10分钟。
步骤2的多弧离子镀具体为：
第一：将基片3安装在多弧离子镀设备的基片3台上作为阳极，将硅靶装入多弧离子镀弧头作为阴极；抽真空度至2×10-3Pa后，通入氩气使多弧离子镀中的压力稳定在0.2Pa范围；
第二：预热基材至200℃℃；放电电压20V、电流80A、沉积速率为3μm/min；在该条件下液滴的沉积时间15分钟；
第三：将沉积有液滴基材进行1100℃高温扩散处理，扩散时间60min，形成纳米乳突。
步骤3的磁控溅射镀具体为：
第一：将基片3安装在磁控溅射仪的阳极板上；再将硅靶放入磁控溅射仪中，作为阴极；抽真空度至10-2Pa后，通入氩气使磁控溅射仪中的压力稳定在1Pa 范围；
第二：预热基材至500℃；放电电压350V、电流0.2A、沉积速率为0.5μm/min，在该条件下进行表面硅薄膜沉积；
第三：进行1000℃高温扩散，扩散时间60min，得到超硬仿生AR片。
实施例2
一种利用多弧离子镀和磁控溅射镀制备超硬仿生AR片的方法，它包括以下步骤：
步骤1、对基片3进行清洗干燥；
步骤2、采用多弧离子镀，利用弧光放电时快速蒸发硅靶形成液滴，液滴在电场作用下沉积在基片3表面，形成2微米厚的硅纳米乳突2；
步骤3、磁控溅射镀硅光学膜1，该光学膜的厚度300纳米以内，得到超硬仿生AR片。
步骤1所述基片3为蓝宝石。
步骤2中所述纳米乳突为周期性排列的纳米乳突，纳米乳突为圆锥、圆柱或梯形柱。
步骤2中的液滴的直径控制在1um。
所述清洗采用的质量浓度5%、温度65℃的碳酸钠溶液清洗8分钟。
步骤2的多弧离子镀具体为：
第一：将基片3安装在多弧离子镀设备的基片3台上作为阳极，将硅靶装入多弧离子镀弧头作为阴极；抽真空度至1×10-3Pa后，通入氩气使多弧离子镀中的压力稳定在0.6Pa范围；
第二：预热基材至350℃；放电电压16V、电流60A、沉积速率为4μm/min；在该条件下液滴的沉积时间12分钟；
第三：将沉积有液滴基材进行1200℃高温扩散处理，扩散时间40min，形成纳米乳突。
步骤3的磁控溅射镀具体为：
第一：将基片3安装在磁控溅射仪的阳极板上；再将硅靶放入磁控溅射仪中，作为阴极；抽真空度至5×10-3Pa后，通入氩气使磁控溅射仪中的压力稳定在4Pa 范围；
第二：预热基材至700℃；放电电压300V、电流0.4A、沉积速率为1.1μm/min，在该条件下进行表面硅薄膜沉积；
第三：进行1150℃高温扩散，扩散时间40min，得到超硬仿生AR片。
实施例3
一种利用多弧离子镀和磁控溅射镀制备超硬仿生AR片的方法，它包括以下步骤：
步骤1、对基片3进行清洗干燥；
步骤2、采用多弧离子镀，利用弧光放电时快速蒸发硅靶形成液滴，液滴在电场作用下沉积在基片3表面，形成3微米厚的硅纳米乳突2；
步骤3、磁控溅射镀硅光学膜1，该光学膜的厚度300纳米以内，得到超硬仿生AR片。
步骤1所述基片3为玻璃。
步骤2中所述纳米乳突为周期性排列的纳米乳突，纳米乳突为圆锥、圆柱或梯形柱。
步骤2中的液滴的直径控制在1um。
所述清洗采用的质量浓度5%、温度70℃的碳酸钠溶液清洗5分钟。
步骤2的多弧离子镀具体为：
第一：将基片3安装在多弧离子镀设备的基片3台上作为阳极，将硅靶装入多弧离子镀弧头作为阴极；抽真空度至8×10-4Pa后，通入氩气使多弧离子镀中的压力稳定在0.8Pa范围；
第二：预热基材至500℃；放电电压15V、电流80A、沉积速率为5μm/min；在该条件下液滴的沉积时间5分钟；
第三：将沉积有液滴基材进行1250℃高温扩散处理，扩散时间10min，形成纳米乳突。
步骤3的磁控溅射镀具体为：
第一：将基片3安装在磁控溅射仪的阳极板上；再将硅靶放入磁控溅射仪中，作为阴极；抽真空度至10-3Pa后，通入氩气使磁控溅射仪中的压力稳定在10Pa 范围；
第二：预热基材至800℃；放电电压350V、电流0.2A、沉积速率为1.2μm/min，在该条件下进行表面硅薄膜沉积；
第三：进行1250℃高温扩散，扩散时间5min，得到超硬仿生AR片。
上述实施例可以实现该种结构的仿生消反效果，同时可以实现大批量生产，并且成本低廉，还可以实现3D造型。
上述实施例为本发明较佳的实现方案，除此之外，本发明还可以其它方式实现，在不脱离本发明构思的前提下任何显而易见的替换均在本发明的保护范围之内。

Claims (5)

1.一种利用多弧离子镀和磁控溅射镀制备超硬仿生AR片的方法，其特征在于：它包括以下步骤：
步骤1、对基片进行清洗干燥；
步骤2、采用多弧离子镀，利用弧光放电时快速蒸发硅靶形成液滴，液滴在电场作用下沉积在基片表面，形成0.5-3微米厚的硅纳米乳突；
步骤3、磁控溅射镀硅光学膜，该光学膜的厚度300纳米以内，得到超硬仿生AR片，
步骤2的多弧离子镀具体为：
第一：将基片安装在多弧离子镀设备的基片台上作为阳极，将硅靶装入多弧离子镀弧头作为阴极；抽真空度至2×10-3～8×10-4Pa后，通入氩气使多弧离子镀中的压力稳定在0.2～0.8Pa范围；
第二：预热基材至200℃～500℃；放电电压15V～20V、电流50A～80A、沉积速率为3～5μm/min；在该条件下液滴的沉积时间5～15分钟；
第三：将沉积有液滴基材进行1100～1250℃高温扩散处理，扩散时间10～60min，形成纳米乳突，
步骤3的磁控溅射镀具体为：
第一：将基片安装在磁控溅射仪的阳极板上；再将硅靶放入磁控溅射仪中，作为阴极；抽真空度至10-2～10-3Pa后，通入氩气使磁控溅射仪中的压力稳定在1～10Pa 范围；
第二：预热基材至500℃～800℃；放电电压280V～350V、电流0.2A～0.6A、沉积速率为0.5～1.2μm/min，在该条件下进行表面硅薄膜沉积；
第三：进行1000～1250℃高温扩散，扩散时间5～60min，得到超硬仿生AR片。
2.根据权利要求1所述的一种利用多弧离子镀和磁控溅射镀制备超硬仿生AR片的方法，其特征在于：步骤1所述基片为玻璃或蓝宝石。
3.根据权利要求1所述的一种利用多弧离子镀和磁控溅射镀制备超硬仿生AR片的方法，其特征在于：步骤2中所述纳米乳突为周期性排列的纳米乳突，纳米乳突为圆锥、圆柱或梯形柱。
4.根据权利要求1所述的一种利用多弧离子镀和磁控溅射镀制备超硬仿生AR片的方法，其特征在于：步骤2中的液滴的直径控制在1um。
5.根据权利要求1所述的一种利用多弧离子镀和磁控溅射镀制备超硬仿生AR片的方法，其特征在于：所述清洗采用的质量浓度5%、温度60℃-70℃的碳酸钠溶液清洗5-10分钟。
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