CN113517206A - 器件密封方法、器件密封装置和半导体产品的制造方法 - Google Patents

器件密封方法、器件密封装置和半导体产品的制造方法 Download PDF

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Nitto Denko Corp
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Abstract

本发明提供精度良好地密封器件且使密封过程中的工件和密封材料的处理变得容易的器件密封方法、器件密封装置和半导体产品的制造方法。器件密封方法具备：第1密封过程，在该第1密封过程中，将密封片(S)和搭载有LED(11)的基板(10)收纳于腔室(29)，以对腔室(29)的内部空间进行了减压的状态使密封片(S)接触于基板(10)的搭载有LED(11)的面，由此利用密封片(S)来覆盖LED(11)；以及第2密封过程，该第2密封过程是在第1密封过程之后，通过提高腔室(29)的内部空间的压力，从而利用密封片(S)来密封LED(11)。

Description

器件密封方法、器件密封装置和半导体产品的制造方法
技术领域
本发明涉及用于将以半导体芯片或电子元器件为例的器件密封的器件密封方法、器件密封装置和半导体产品的制造方法，该器件搭载于以半导体晶圆(以下，适当称作“晶圆”)或基板为例的工件。
背景技术
在以BGA(Ball grid array：球栅阵列)封装为例的电子产品的制造工序中，进行利用树脂组合物等的密封材料将以半导体芯片为例的器件密封而实现封装化的工序，该器件搭载于以晶圆或基板为例的工件的表面。作为以往的密封方法的例子，可举出在向配置有搭载了器件的工件的模具的内部注入液体状态的树脂之后使树脂热固化而密封器件的方法等(例如参照专利文献1)。
专利文献1：日本特开2017－087551号公报
发明内容
发明要解决的问题
然而，在上述以往装置中存在如下那样的问题。
在使用液体的树脂的以往的密封方法中，在密封完成后的状态下，将器件的周围密封的树脂的平坦性较低。由于该平坦性较低，所以产生使电子产品的精度降低这样的问题。为了避免电子产品的精度降低，需要对封装化的电子产品的表面进行成型的工序等，因此，电子产品的制造效率降低。另外，还忧虑与固体状态的树脂相比，液体状态的树脂在各工序中的处理比较困难这样的问题。
本发明是鉴于这样的情况而做出的，其主要的目的在于，提供精度良好地密封器件且使密封过程中的工件和密封材料的处理变得容易的器件密封方法、器件密封装置和半导体产品的制造方法。
用于解决问题的方案
本发明为了实现这样的目的而具有如下那样的结构。
即，本发明提供一种器件密封方法，其特征在于，该器件密封方法具备：第1密封过程，在该第1密封过程中，将片状密封件和搭载有器件的工件收纳于腔室，以对所述腔室的内部空间进行了减压的状态使所述片状密封件接触于所述工件的器件搭载面，由此利用所述片状密封件来覆盖所述器件；以及第2密封过程，该第2密封过程是在所述第1密封过程之后，通过提高所述腔室的内部空间的压力，从而利用所述片状密封件来密封所述器件。
(作用·效果)
采用该结构，使用预先成为平坦的片状的片状密封件来密封器件。因而，能够提高在器件的密封完成后的状态下密封了器件的片状密封件的平坦性。
另外，在第1密封过程中，对腔室的内部的配置有工件的下空间的内部进行减压。即，搭载于工件的器件的周边空间通过减压而排出空气，因此，在片状密封件覆盖器件之际，能够防止气体被卷入到片状密封件与器件之间。因此，能够避免气体的卷入引起的密合力的降低。
并且，在第2密封过程中，通过提高腔室的内部空间的压力，从而利用片状密封件来密封器件。在该情况下，通过内部空间的加压，能够使按压力均匀地作用于整个片状密封件。因而，能够可靠地避免因作用于片状密封件的力的偏差而在片状密封件的表面产生凹凸，因此能够更可靠地提高密封了器件的状态下的片状密封件的平坦性。
在第2密封过程中，通过对内部空间适当加压，能够任意地调节第2密封过程中的内部空间的气压。因此，能够对片状密封件施加足够大的按压力，因此能够将片状密封件可靠地填充到器件彼此之间的间隙中。因此，能够更精度良好地密封器件。
另外，在上述发明中，优选的是，在所述第1密封过程中，通过使所述片状密封件朝向所述工件的器件搭载面变形为凸状，从而使所述片状密封件接触于所述工件的器件搭载面。
(作用·效果)
采用该结构，由于使片状密封件朝向工件的器件搭载面变形为凸状，因此能够使片状密封件以从一点呈放射状扩展的方式接触于工件的器件搭载面。因此，能够避免在使片状密封件接触于器件之际有气泡卷入。
另外，在上述发明中，优选的是，在所述第2密封过程中，将所述腔室的内部空间的压力提升至大气压以上的压力。在该情况下，能够使比较大的按压力作用于片状密封件与器件之间，因此能够利用片状密封件来更精密地密封器件。
另外，在上述发明中，优选的是，所述片状密封件被长条的输送用片所保持，所述腔室具备上壳体和下壳体，所述第1密封过程具有：上下空间形成过程，在该上下空间形成过程中，通过利用所述上壳体和所述下壳体来夹持所述输送用片，从而将所述腔室的内部空间划分为供处于所述器件搭载面朝上的状态的所述工件配置的下空间、和隔着被所述输送用片所保持的所述片状密封件与所述下空间相对的上空间；上下空间减压过程，在该上下空间减压过程中，对所述上空间和所述下空间进行减压；以及接触过程，该接触过程是在所述上下空间减压过程之后，在使所述上空间的压力高于所述下空间的压力而在所述上空间与所述下空间之间产生的压力差的作用下，使所述片状密封件朝向所述器件搭载面变形为凸状，使所述片状密封件接触于所述工件的器件搭载面。
(作用·效果)
采用该结构，在第1密封过程中，对上空间和下空间进行减压，然后，使用使上空间的压力高于下空间的压力而产生的压力差，使片状密封件接触于工件的器件搭载面。即，由于在通过减压而将下空间的空气排出的状态下使片状密封件接触于器件，因此能够更可靠地避免密封之际气泡被卷入到片状密封件与器件之间。另外，由于压力差均匀地作用于整个片状密封件，因此能够避免因所作用的力的偏差而产生工件的损伤或器件的损伤这样的情形。
另外，在上述发明中，优选的是，所述片状密封件被长条的输送用片所保持，所述腔室具备上壳体和下壳体，所述第1密封过程具有：上下空间形成过程，在该上下空间形成过程中，通过利用所述上壳体和所述下壳体来夹持所述输送用片，从而将所述腔室的内部空间划分为供处于所述器件搭载面朝上的状态的所述工件配置的下空间、和隔着被所述输送用片所保持的所述片状密封件与所述下空间相对的上空间；以及减压接触过程，在该减压接触过程中，在通过仅对所述上空间和所述下空间中的所述下空间进行减压而在所述上空间与所述下空间之间产生的压力差的作用下，使所述片状密封件朝向所述器件搭载面变形为凸状，以所述下空间被减压的状态使所述片状密封件接触于所述工件的器件搭载面。
(作用·效果)
采用该结构，在第1密封过程中，仅对下空间进行减压，使用产生的压力差来使片状密封件接触于工件的器件搭载面。即，由于在通过减压而将下空间的空气排出的状态下使片状密封件接触于器件，因此能够更可靠地避免密封之际气泡被卷入到片状密封件与器件之间。另外，由于压力差均匀地作用于整个片状密封件，因此能够避免因所作用的力的偏差而产生工件的损伤或器件的损伤这样的情形。另外，由于仅对下空间进行减压即可，因此，不需要对上空间进行减压的结构。因此，能够避免装置的复杂化和高成本化。
另外，在上述发明中，优选的是，所述片状密封件具有与所述工件的器件搭载面相对应的规定形状，并被所述长条的输送用片所保持。
(作用·效果)
采用该结构，片状密封件预先具有与工件的器件搭载面相对应的规定形状。因此，能够根据工件的器件搭载面的位置和形状而使片状密封件适当地密封器件。另外，由于不需要将片状密封件切断成适当的规定形状等工序，因此能够缩短密封器件的工序。
另外，在上述发明中，优选的是，具备配设于所述上壳体的内部的片状的弹性体，所述片状的弹性体配设成，通过在所述上下空间形成过程中利用所述上壳体和所述下壳体来夹持所述输送用片，从而所述片状的弹性体抵接于所述输送用片中的未保持所述片状密封件的面。在该情况下，在压力差的作用下，片状的弹性体整体以更均匀的弯曲率变形为凸状。因此，片状密封件容易根据工件的器件搭载面的形状而相应地变形，因此能够提高片状密封件相对于器件彼此间的间隙部的填充性。因而，能够利用片状密封件来更精度良好地密封器件。
另外，在上述发明中，优选的是，该器件密封方法具备加热过程，在该加热过程中，通过对所述下空间和所述上空间中的至少一者进行加热来加热所述片状密封件，在所述第1密封过程中，使通过所述加热过程被加热的状态的所述片状密封件接触于所述工件的器件搭载面。
(作用·效果)
采用该结构，通过利用加热过程来加热片状密封件，片状密封件变得更柔软。即，片状密封件容易根据工件的器件搭载面的形状而相应地变形，因此能够提高片状密封件相对于器件彼此间的间隙部的填充性。
另外，在上述发明中，优选的是，所述工件在与所述器件搭载面相反侧的面具备1个或两个以上的凸状构件，该器件密封方法还具备保持过程，在该保持过程中，使用在中央部具有凹部的保持构件，以使所述凸状构件配置于所述凹部的内部的状态来保持所述工件，在所述工件被所述保持构件保持之后，执行所述第1密封过程。
(作用·效果)
采用该结构，保持构件在中央部具备凹部。于是，保持构件能在使在工件的非器件搭载面设置的凸状构件配置于该凹部的内部的状态下保持工件。在该情况下，由于存在凹部，所以能够避免凸状构件与保持构件的表面相互干扰而损伤凸状构件这样的情形。即，即使是具备凸状构件的工件，也能够在不损伤工件的情况下较佳地密封器件。
为了实现这样的目的，本发明也可以采用如下那样的结构。
即，本发明提供一种器件密封装置，其特征在于，该器件密封装置具备：第1密封机构，其将片状密封件和搭载有器件的工件收纳于腔室，以对所述腔室的内部空间进行了减压的状态使所述片状密封件接触于所述工件的器件搭载面，由此利用所述片状密封件来覆盖所述器件；以及第2密封机构，在所述第1密封机构完成工作之后，该第2密封机构通过提高所述腔室的内部空间的压力，从而利用所述片状密封件来密封所述器件。
(作用·效果)
采用该结构，使用预先成为平坦的片状的片状密封件来密封器件。因而，能够提高在器件的密封完成后的状态下密封了器件的片状密封件的平坦性。
另外，第1密封机构使腔室的内部的供工件配置的下空间的内部减压。即，搭载于工件的器件的周边空间通过减压而排出空气，因此，在片状密封件覆盖器件之际，能够防止气体被卷入到片状密封件与器件之间。因此，能够避免气体的卷入引起的密合力的降低。
并且，第2密封机构通过提高腔室的内部空间的压力，从而利用片状密封件来密封器件。在该情况下，通过内部空间的加压，能够使按压力均匀地作用于整个片状密封件。因而，能够可靠地避免因作用于片状密封件的力的偏差而在片状密封件的表面产生凹凸，因此能够更可靠地提高密封了器件的状态下的片状密封件的平坦性。
为了实现这样的目的，本发明也可以采用如下那样的结构。
即，本发明提供一种半导体产品的制造方法，其用于制造成为搭载于工件的器件被片状密封件密封的状态的半导体产品，该半导体产品的制造方法的特征在于，该半导体产品的制造方法具备：第1密封过程，在该第1密封过程中，将片状密封件和搭载有器件的工件收纳于腔室，以对所述腔室的内部空间进行了减压的状态使所述片状密封件接触于所述工件的器件搭载面，由此利用所述片状密封件来覆盖所述器件；以及第2密封过程，该第2密封过程是在所述第1密封过程之后，通过提高所述腔室的内部空间的压力，从而利用所述片状密封件来密封所述器件。
(作用·效果)
采用该结构，能够较佳地制造搭载于工件的器件成为被片状密封件密封的状态的半导体产品。即，由于使用预先成为平坦的片状的片状密封件来密封器件，因此能够提高半导体产品中密封了器件的片状密封件的平坦性。另外，在第1密封过程中通过减压使腔室内部的空气排出，因此能够防止气体被卷入到器件与片状密封件之间。并且，在第2密封过程中，通过提高腔室的内部空间的压力来密封器件，因此能够通过较高的压力将片状密封件可靠地填充至器件彼此间的间隙中。因此，能够制造器件被更精度良好地密封的半导体产品。
发明的效果
采用本发明的器件密封方法、器件密封装置和半导体产品的制造方法，使用预先成为平坦的片状的片状密封件来密封器件。因而，能够提高在器件的密封完成后的状态下密封了器件的片状密封件的平坦性。
另外，在第1密封过程中，对腔室的内部的供工件配置的下空间的内部进行减压。即，搭载于工件的器件的周边空间通过减压而排出空气，因此，在片状密封件覆盖器件之际，能够防止气体被卷入到片状密封件与器件之间。因此，能够避免气体的卷入引起的密合力的降低。
并且，在第2密封过程中，通过提高腔室的内部空间的压力，从而利用片状密封件来密封器件。在该情况下，通过内部空间的加压，能够使按压力均匀地作用于整个片状密封件。因而，能够可靠地避免因作用于片状密封件的力的偏差而在片状密封件的表面产生凹凸，因此能够更可靠地提高密封了器件的状态下的片状密封件的平坦性。
附图说明
图1是表示实施例的密封构件的结构的图。图1的(a)是密封构件的背面侧的立体图，图1的(b)是密封构件的纵剖视图。
图2是表示实施例的基板和环形架的结构的立体图。
图3是实施例的器件密封装置的俯视图。
图4是实施例的器件密封装置的主视图。
图5是实施例的密封单元的主视图。
图6是实施例的腔室的纵剖视图。
图7是表示实施例的器件密封装置的动作的流程图。
图8是对实施例的步骤S2进行说明的图。
图9是对实施例的步骤S2进行说明的图。
图10是对实施例的步骤S3进行说明的图。
图11是对实施例的步骤S3进行说明的图。
图12是对实施例的步骤S4进行说明的图。
图13是对实施例的步骤S4进行说明的图。
图14是对实施例的步骤S5进行说明的图。
图15是说明对密封构件进行加热的结构的例子的图。
图16是对实施例的步骤S6进行说明的图。
图17是对实施例的步骤S6进行说明的图。
图18是对实施例的步骤S7进行说明的图。
图19是对实施例的效果进行说明的图。图19的(a)是说明对腔室内进行减压并进行密封之际形成间隙部的情况的结构的纵剖视图，图19的(b)是说明通过对腔室内进行加压并进行密封而填充间隙部的状态的纵剖视图。
图20是对变形例的结构进行说明的图。图20的(a)是表示变形例的基板的结构的纵剖视图，图20的(b)是对变形例的保持台的结构进行说明的纵剖视图。
图21是对变形例的步骤S3的工序进行说明的图。
图22是对变形例的步骤S4的工序进行说明的图。
图23是对变形例的结构进行说明的图。图23的(a)是表示变形例的密封构件的结构的纵剖视图，图23的(b)是对在不具有弹性体的比较例的密封构件中可能产生的问题进行说明的图，图23的(c)是对具有弹性体的比较例中的优点进行说明的图。
图24是对变形例的结构进行说明的图。图24的(a)是表示变形例的密封构件的结构的纵剖视图，图24的(b)是表示变形例的步骤S4的状态的图，图24的(c)是表示变形例的步骤S5的状态的图。
图25是对变形例的结构进行说明的图。图25的(a)是表示变形例的密封构件的结构的纵剖视图，图25的(b)是对变形例所具备的片切断装置的结构进行说明的立体图。
附图标记说明
1、器件密封装置；3、基板输送机构；5、容器；6、密封体回收部；7、对准器；8、保持台；9、架供给部；10、基板(工件)；11、LED(器件)；13、密封单元；16、基板输送装置；17、架输送装置；23、保持臂；27、吸附板；28、吸盘；31、真空装置；32、加压装置；33、控制部；38、架保持部；71、片供给部；72、分离片回收部；73、器件密封部；74、片回收部；81、器件密封机构；82、片切断机构；85、贴附辊；86、夹持辊；95、刀具；f、环形架；T、输送用片；S、密封片；P、密封构件；MF、密封体；Ta、基材；Tb、粘合材料；Sa、基材；Sb、密封件。
具体实施方式
以下，参照附图来说明本发明的实施例。图1的(a)是表示密封构件P的背面侧的立体图，图1的(b)是密封构件P的纵剖视图。图2是表示环形架f和成为被密封构件P密封的对象的基板10的结构的立体图。
如图1的(a)所示，本实施例的密封构件P具备密封片S和输送用片T。密封片S被预先切断成与基板10的形状相对应的规定形状。在本实施例中，密封片S被预先切断成大致矩形形状。在此，大致矩形形状指的是如图1的(a)所示那样矩形的各角部带有圆角的形状。另外，在本实施例中，密封片S被设定为比基板10大且比后述的下壳体29A的内径小的大小。
输送用片T是长条状，密封片S以预定间距贴附于输送用片T而被保持。密封片S相当于本发明中的片状密封件。
如图1的(b)所示，输送用片T具备由非粘合性的基材Ta和具有粘合性的粘合材料Tb层叠而成的构造。作为构成基材Ta的材料的例子，可举出聚烯烃、聚乙烯等。作为构成粘合材料Tb的材料的例子，可举出丙烯酸脂共聚物等。
如图1的(b)所示，密封片S具备由非粘合性的基材Sa和具有粘合性的密封件Sb层叠而成的构造。通过将基材Sa贴附于输送用片T的粘合材料Tb，从而输送用片T保持密封片S。作为构成基材Sa的材料的例子，可举出聚烯烃、聚乙烯等。在本实施例中，密封片S的形状是大致矩形形状，但密封片S的形状能够根据基板10的形状而适当变更。
在密封件Sb附设有未图示的分离片，通过将分离片剥离而使密封件Sb的粘合面暴露。在本实施例中，作为构成密封件Sb的材料，使用作为光学上透明的粘合材料的OCA(Optical Clear Adhesive：光学胶)。
如图2所示，多个LED11和TFT(未图示)呈二维矩阵状并列搭载于基板10的表面中央部。即，基板10的表面因LED11而成为形成有凹凸的状态。LED11经由TFT、凸块(未图示)等与基板10连接。作为基板10的例子，可举出玻璃基板、有机基板、电路基板、硅晶圆等。在本实施例中，基板10为大致矩形形状，但基板10的形状可以适当变更为以矩形形状、圆形形状、多边形等为例的任意的形状。基板10相当于本发明中的工件。LED11相当于本发明中的器件。
环形架f成为围绕基板10那样的大小和形状。实施例的器件密封装置1利用密封片S来密封搭载于基板10的LED11，由此来制作使基板10和环形架f通过密封构件P一体化而成的密封体MF。
＜整体结构的说明＞
在此，说明实施例的器件密封装置1的整体结构。图3是表示实施例的器件密封装置1的基本结构的俯视图。器件密封装置1成为具备横向较长的矩形部1a和突出部1b的结构。突出部1b成为与矩形部1a的中央部连接且向上侧突出的结构。此外，在以后的说明中，将矩形部1a的长度方向称作左右方向(x方向)、将与其正交的水平方向(y方向)称作前后方向。
在矩形部1a的右侧配备有基板输送机构3。在矩形部1a的下侧靠右的位置并列地载置有收纳有基板10的两个容器5。在矩形部1a的左端配备有回收后述的密封体MF的密封体回收部6。
从矩形部1a的上侧的右方起依次配备有对准器7、保持台9和架供给部12。在突出部1b配备有密封单元13，该密封单元13利用密封片S来密封搭载于基板10的各个LED11。
如图4所示，基板输送机构3设有能够左右往复移动地支承于导轨15的右侧的基板输送装置16，该导轨15左右水平地架设于矩形部1a的上部。另外，在导轨15的左侧设有能够左右移动地支承于导轨15的架输送装置17。
基板输送装置16构成为能够将从任一个容器5中取出的基板10沿左右和前后输送。基板输送装置16装备有左右移动可动台18和前后移动可动台19。
左右移动可动台18构成为能够沿着导轨15在左右方向上往复移动。前后移动可动台19构成为能够沿着设于左右移动可动台18的导轨20在前后方向上往复移动。
并且，在前后移动可动台19的下部装备有保持基板10的保持单元21。保持单元21构成为能够沿着在纵向上延伸的升降轨道22在上下方向(z方向)上往复移动。另外，保持单元21能够利用未图示的旋转轴而绕z方向的轴线旋转。
在保持单元21的下部装备有马蹄形的保持臂23。在保持臂23的保持面设有稍微突出的多个吸盘，借助该吸盘来对基板10进行吸附保持。另外，保持臂23经由在其内部形成的流路和与该流路的基端侧连接的连接流路而与压缩空气装置连通连接。
通过利用上述可动构造，能够利用保持臂23使吸附保持着的基板10进行前后移动、左右移动和绕z方向轴线的旋转移动。
架输送装置17具备左右移动可动台24、前后移动可动台25、与左右移动可动台24的下部连结的伸缩连杆机构26和装备于伸缩连杆机构26的下端的吸附板27等。吸附板27对基板10进行吸附保持。在吸附板27的周围配备有对环形架f进行吸附保持的多个吸盘28。因而，架输送装置17能够对载置并保持于保持台9的环形架f或密封体MF进行吸附保持并将其沿升降和前后左右输送。吸盘28能够与环形架f的尺寸对应地沿水平方向滑动调节。
如图5和图6等所示，保持台9是具有与基板10相同形状或大于基板10的形状的大小的金属制的卡盘台，其分别与在外部配备的真空装置31和加压装置32连通连接。真空装置31和加压装置32的动作由控制部33控制。
另外，如图5所示，保持台9收纳于构成腔室29的下壳体29A，且与贯穿下壳体29A的杆35的一端连结。杆35的另一端与具备马达等的驱动器37驱动连结。因此，保持台9能够在腔室29的内部进行升降移动。
下壳体29A具备外包该下壳体29A的架保持部38。架保持部38构成为在载置了环形架f时使环形架f的上表面和下壳体29A的圆筒顶部齐平。另外，下壳体29A的圆筒顶部优选被实施脱模处理。
此外，如图3所示，保持台9构成为能够沿着在前后方向上附设的轨道40在初始位置与密封位置之间往复移动。初始位置处于矩形部1a的内部，是在图3中用实线表示保持台9的位置。在该安放位置，基板10和环形架f载置于保持台9。
密封位置处于突出部1b的内部，是在图3中用虚线表示保持台9的位置。通过使保持台9向密封位置移动，能够对载置于保持台9的基板10执行使用密封构件P的密封工序。
架供给部12收纳层叠收纳了预定个数的环形架f的抽屉式的盒。
如图5所示，密封单元13由片供给部71、分离片回收部72、器件密封部73和片回收部74等构成。片供给部71构成为在从装填有材料卷的供给卷绕筒向密封位置供给密封构件P的过程中利用分离片剥离辊75来剥离分离片，该材料卷卷绕有带分离片的密封构件PS(附设有分离片的密封构件P)。
分离片回收部72设有将从密封构件P剥离下来的分离片卷取的回收卷绕筒。该回收卷绕筒通过马达进行驱动控制而正反地旋转。
器件密封部73由腔室29、器件密封机构81和片切断机构82等构成。
腔室29由下壳体29A和上壳体29B构成。下壳体29A以包围保持台9的方式配设，且连同保持台9一起在初始位置与密封位置之间沿前后方向往复移动。上壳体29B配备于突出部1b，构成为能够升降。
如图6所示，下壳体29A和上壳体29B经由流路101分别与真空装置31和加压装置32连通连接。此外，在上壳体29B侧的流路101上设有电磁阀103。另外，在两个壳体29A、29B分别连通连接有流路109，该流路109具备大气开放用的电磁阀105、107。
并且，在上壳体29B连通连接有流路111，该流路111具备通过泄放来对暂时减压后的内压进行调整的电磁阀110。此外，这些电磁阀103、105、107、110的开闭操作、真空装置31的工作、加压装置32的工作均由控制部33控制。
即，真空装置31构成为能够对下壳体29A侧的空间的气压和上壳体侧的空间的气压独立地进行减压调节。并且，加压装置32构成为能够对下壳体29A侧的空间的气压和上壳体侧的空间的气压独立地进行加压调节。
器件密封机构81具备可动台84、贴附辊85、夹持辊86等。可动台84沿着在左右方向上架设的导轨88左右水平地移动。贴附辊85轴支承于托架，该托架与设于可动台84的工作缸的顶端连结。夹持辊86配备于片回收部74侧，具备由马达驱动的输送辊89和通过工作缸进行升降的夹紧辊90。
片切断机构82配备于使上壳体29B升降的升降驱动台91，具备沿z方向延伸的支承轴92和绕支承轴92旋转的毂部93。毂部93具备沿径向延伸的多个支承臂94。用于将密封构件P的输送用片T沿着环形架f切断的圆板形的刀具95以能够上下移动的方式配备于至少1个支承臂94的顶端。按压辊96以能够上下移动的方式配备于其他支承臂94的顶端。
片回收部74具备回收卷绕筒，该回收卷绕筒将切断后被剥离的不要的输送用片T卷取。该回收卷绕筒通过未图示的马达进行驱动控制而正反地旋转。
如图4所示，密封体回收部6配备有用于将密封体MF装载并回收的盒41。该盒41设有：纵向轨道45，其连结固定于装置架43；以及升降台49，其通过马达47沿着该纵向轨道45进行螺旋进给升降。因而，密封体回收部6构成为，将密封体MF载置于升降台49而进行节距进给下降(日文：ピッチ送り下降)。
如图6等所示，器件密封机构81在上壳体29B的内部具有加热机构120。加热机构120具备工作缸121和加热构件123。工作缸121与加热构件123的上部连结，加热构件123能够通过工作缸121的动作而在腔室29的内部升降。此外，加热构件123若能够加热密封构件P，则也可以不是能够升降移动的结构。
加热构件123整体为圆板状，成为比密封片S稍大的形状。在加热构件123的内部埋设有对输送用片T和密封片S进行加热的加热器125。基于加热器125的加热温度能够调整为使输送用片T和密封片S变得柔软的温度。作为该加热的温度的一个例子，可举出50℃～70℃左右。
＜基本动作的概要＞
在此，说明实施例的器件密封装置的基本动作。图7是对使用器件密封装置1并利用密封片S将搭载于基板10的LED11密封的一系列的工序进行说明的流程图。
步骤S1(工件的供给)
当发出密封指令时，从架供给部12向下壳体29A的架保持部38输送环形架f，并从容器5向保持台9输送基板10。
即，架输送装置17从架供给部12吸附环形架f并将其移载至架保持部38。在架输送装置17将环形架f的吸附解除并上升后，进行环形架f的对位。作为一个例子，该对位是通过使以围绕架保持部38的方式竖立设置的多个支承销向中央方向同步地移动来进行的。环形架f在被安放于架保持部38的状态下待机，直到基板10被输送过来。
架输送装置17输送环形架f，另一方面，基板输送装置16将保持臂23***到被多层地收纳的基板10的彼此之间。保持臂23吸附保持基板10的表面中的未搭载有LED11的部分(周缘侧的部分)并送出基板10，将基板10输送至对准器7。对准器7利用从其中央突出的吸盘来吸附基板10的背面中央。同时，基板输送装置16将对基板10的吸附解除并向上方退避。对准器7一边利用吸盘来保持基板10并使基板10旋转一边根据槽口等进行对位。
在完成对位后，使吸附着基板10的吸盘自对准器7的面突出。使基板输送装置16移动到该位置并自基板10的表面侧对基板10进行吸附保持。吸盘解除吸附并下降。
基板输送装置16移动到保持台9的上方，使基板10以搭载有LED11的表面侧朝上的状态载置于保持台9。当保持台9吸附保持基板10且架保持部38吸附保持环形架f时，下壳体29A沿着轨道40从初始位置向器件密封机构81侧的密封位置移动。在图8中示出基板10被供给至保持台9且移动到密封位置的状态。
步骤S2(密封片的供给)
当利用基板输送装置16等供给工件后，在密封单元13中进行密封片S的供给。即，预定量的密封构件P一边使分离片剥离一边自片供给部71被放出。整体为长条状的密封构件P沿着预定的输送路径被向密封位置的上方引导。此时，如图9所示，输送用片T所保持的密封片S被定位至位于载置在保持台9上的基板10的上方。
步骤S3(腔室的形成)
在供给工件和密封片S后，如图10所示，贴附辊85下降。然后，如图11所示，贴附辊85一边在输送用片T上滚动一边将输送用片T以跨下壳体29A的顶部和环形架f的方式粘贴。与该贴附辊85的移动相连动，预定量的密封构件P一边使分离片剥离一边自片供给部71被放出。
在输送用片T被粘贴于环形架f之后，使贴附辊85返回初始位置，并使上壳体29B下降。随着上壳体29B的下降，如图11所示，输送用片T的粘贴于下壳体29A的顶部的部分被上壳体29B和下壳体29A夹持而构成腔室29。
此时，密封构件P中的输送用片T作为密封材料发挥功能，且腔室29被输送用片T分割成两个空间。即，隔着输送用片T被分割成下壳体29A侧的下空间H1和上壳体29B侧的上空间H2。位于下壳体29A内的基板10和LED11分别以与密封片S之间具有预定间隙的方式与密封片S接近并相对。
步骤S4(第1密封过程)
在形成腔室29之后，开始进行第1密封过程。首先，控制部33在关闭图6所示的电磁阀105、107、110的状态下，使真空装置31工作而将下空间H1内的气压和上空间H2内的气压减压至预定值。作为预定值的例子，可举出10Pa～100Pa。此时，调整电磁阀103的开度，使得下空间H1和上空间H2以相同速度减压。
当将下空间H1和上空间H2减压到预定值时，控制部33关闭电磁阀103且使真空装置31的工作停止。然后，控制部33调整电磁阀103、105、107、110各自的开度进行泄放，使得上空间H2的气压高于下空间H1的气压。通过使上空间H2的气压高于下空间H1的气压，如图12所示，在两空间之间产生压力差Fa。通过产生压力差Fa，从而粘合构件P被从中心部分向下壳体29A侧吸入而变形为凸状。
在本实施例中，如下那样进行控制，即，在关闭了与下空间H1连接的电磁阀103、107的状态下，调整与上空间H2连接的电磁阀110的开度而使电磁阀110泄放，最终成为全开。通过该调整，从而维持下空间H1的气压被减压至预定值的状态，并且上空间H2的气压从该预定值逐渐上升而恢复至大气压，因此产生压力差Fa。
在产生压力差Fa之后，如图13所示，使驱动器37驱动而使保持台9上升。通过保持台9的上升和由压力差Fa引起的粘合构件P的变形，从而在进行了空气排出的下空间H1的内部，密封片S从中心部朝向外周部呈放射状接触于基板10的表面。通过该接触，搭载于基板10的LED11各自被密封片S覆盖。
在LED11被密封片S覆盖后，控制部33使电磁阀103、105、107、110全开而使上空间H2和下空间H1向大气开放。通过该大气开放，从而完成第1密封过程。如此，在第1密封过程中，进行如下操作：以对腔室29的内部空间进行了减压的状态使密封片S接触于基板10的表面，由此利用密封片S来覆盖LED11。
此外，优选的是，在开始步骤S4之前，预先使用加热机构120来加热上空间H2。即，控制部33使加热器125工作而将加热构件123加热至预定温度。通过将加热构件123加热，从而通过热传导效果来加热上空间H2，进而加热输送用片T和密封片S。
输送用片T和密封片S被加热而变得柔软，因此，提高了基于压力差Fa的变形性。即，在利用密封片S覆盖LED11之际，能够进一步提高密封构件P相对于基板10的上表面和LED11的上表面的追随性。此外，如图15所示，也可以是，使加热构件123下降而抵接于输送用片T，利用加热构件123来直接加热密封构件P。
步骤S5(第2密封过程)
在形成腔室29之后，开始第2密封过程。首先，控制部33控制驱动器37而使保持台9下降至初始位置。接下来，控制部33在关闭了图6所示的电磁阀105、107、110的状态下，使加压装置32工作而向下空间H1和上空间H2供给气体，将下空间H1和上空间H2加压至特定值。作为特定值的例子，可举出0.3MPa～0.5MPa。通过使加压装置32进行加压操作，从而下空间H1的气压和上空间H2的气压均高于大气压。
通过上空间H2的加压，如图14所示，从上空间H2朝向密封片S作用按压力V1。此外，由于整个上空间H2被加压，因此，按压力V1均匀地作用于整个密封片S。另外，通过加压整个下空间H1，从而从下空间H1朝向基板10的背面均匀地作用按压力V2。即，在按压力V1和按压力V2的作用下，密封片S的密封件Sb填充到LED11彼此之间的间隙中。其结果，基板10和密封片S进一步密合，且LED11被密封片S密封。
以将下空间H1和上空间H2加压至比大气压高的气压的状态对密封片S与LED11之间作用预定时间的按压力之后，控制部33使加压装置32停止工作。然后，控制部33使电磁阀103、105、107、110全开而使下空间H1和上空间H2向大气开放。控制部33使上壳体29B上升而使腔室29开放，并且使保持台9上升而使基板10的背面抵接于保持台9的基板保持面。
步骤S6(片的切断)
此外，在腔室29内进行步骤S4和步骤S5的工序的期间内，使片切断机构82工作而切断密封构件P。此时，如图16所示，刀具95将粘贴于环形架f的密封构件P(具体而言为输送用片T)切断成环形架f的形状，且按压辊96追随刀具95一边在环形架f上的片切断部位滚动一边进行按压。
由于在使上壳体29B上升的时刻已经完成了密封片S对LED11的密封和密封构件P的切断，因此，使夹紧辊90上升而解除对输送用片T的夹持。之后，如图17所示，使夹持辊86移动，将切断后的不要的输送用片T朝向片回收部74卷取回收，并自片供给部71放出预定量的密封构件P。通过直到步骤S6的各工序，从而形成使环形架f和基板10借助密封构件P一体化而成的密封体MF。
在不要的输送用片T被卷取回收后，夹持辊86和贴附辊85返回至初始位置。然后，保持台9以保持着密封体MF的状态从密封位置移动至初始位置。
步骤S7(密封体的回收)
在保持台9返回至初始位置时，如图18所示，设于架输送装置17的吸盘28对密封体MF进行吸附保持并使密封体MF脱离下壳体29A。吸附保持着密封体MF的架输送装置17将密封体MF输送至密封体回收部6。所输送的密封体MF被装载收纳于盒41。
以上，利用密封片S来密封搭载于基板10的LED11的一系列的动作结束。以后，重复进行上述处理，直至密封体MF达到预定数量为止。如此，利用器件密封装置1来制造成为密封片S将LED11密合密封的状态的密封体MF。通过第2密封过程成为密封片S将LED11密合密封的状态的密封体MF相当于本发明中的半导体装置。
此外，在实施例中，例示了使用环形架f的情况，但作为半导体装置的密封体MF的制造工序并不限于使用环形架f的情况。即，通过进行步骤S1～步骤S7的各工序，使密封片S对被搭载于基板10的LED11进行密合密封，制造密封片S和基板10一体化的密封体MF。
＜基于实施例的结构的效果＞
采用上述实施例的装置，通过调节腔室29的内部的气压，从而利用密封片S来密封搭载于基板10的LED11。在使液状的密封件填充到器件周边之后使该密封件固化这样的以往的密封方法中，由于气泡混入未固化状态的树脂等原因而使密封件的表面的平坦性降低。
另一方面，在本发明的结构中，密封片S所具备的基材Sa和密封件Sb分别预先成为平坦的片状。因而，能够提高在基于密封片S的密封完成后的状态下密封片S的表面的平坦性。另外，由于在将基板10和密封片S配设于腔室29的内部的状态下通过对腔室29的内部的气压进行调节而进行密封，因此，压力差Fa或按压力V1和按压力V2均匀地作用于整个密封片S。因而，能够可靠地避免因作用于密封片S的力的偏差而在密封片S的表面产生凹凸，因此能够更可靠地提高密封片S的平坦性。
在本发明的第1密封过程中，对腔室29的内部的供基板10配置的下空间H1的内部进行减压。即，搭载于基板10的LED11的周边空间通过减压而排出空气，因此，在密封片S接触于LED11并覆盖LED11之际，能够防止气体被卷入到密封片S与LED11之间。因此，能够避免气体的卷入引起的密合力的降低。
另外，在本发明的第2密封过程中，通过将下空间H1的气压和上空间H2的气压加压至大于大气压，从而使密封片S的密封件Sb精度良好地填充到LED11的间隙中。
在通过使用真空装置对腔室的内部进行减压而产生压力差Fa的情况下，从大气压状态起通过减压而产生的压力差Fa的大小为大气压以下。即，在使用压力差Fa使密封片S按压于LED11的情况下，将LED11按压于密封片S的力的大小存在上限。因而，在通过基于减压的压力差Fa而使密封片S的密封件Sb覆盖LED11的状态下，如图19的(a)所示，存在LED11的周边空间未被密封件Sb完全填充而产生间隙部J的情况。
与此相对，在本发明中，使用加压装置32将腔室29内的上空间H2和下空间H1加压成比大气压大的气压。即，在第2密封过程中，能够使比压力差Fa大的按压力V1、V2作用于密封片S和LED11。因此，如图19的(b)所示，未固化状态的密封件Sb在按压力V1和按压力V2的作用下进一步发生按压变形，从而可靠地填充间隙部J。因此，通过进行第2密封过程，能够更精度良好地密封LED11。
另外，通过在第2密封过程中适当控制加压装置32，能够将按压力V1和按压力V2的大小调节为任意的值。因而，即使在以密封件Sb的构成材料或LED11的尺寸和构造为例的密封条件变更的情况下，也能够通过对按压力V1和按压力V2的大小进行适当调节，来可靠地密封LED11。并且，由于适当的大小的按压力V1和按压力V2均匀地作用于整个密封片S，因此能够避免过量的按压力的作用或按压力的偏差引起的基板10或LED11的破损。
并且，在以往使用模具和液状的密封件的器件密封方法中，需要根据工件和器件的尺寸或材质等相应地准备各自不同的模具，因此，器件密封装置的制造所需的工夫和成本较大。
另一方面，在本发明的器件密封方法中，能够在不使用模具的情况下密封器件，因此能够大幅降低器件密封装置1的制造所需的时间和成本。另外，即使在变更了工件、器件的诸条件的情况下，也能够通过变更密封片S的形状等来应对工件等的变更。因此，能够迅速且容易地设定与各种条件相对应的器件密封装置。
此外，此次公开的实施方式的所有的发明点均为例示，而不是限制性的内容。本发明的范围不是由上述实施方式的说明示出，而是表示在权利要求书中，其还包括在与权利要求书等同含义和范围内的所有变更(变形例)。作为例子，本发明能够如下述那样进行变形地实施。
(1)作为实施例的工件，使用在表面侧搭载有LED11且背面侧为平坦的基板10进行了说明，但工件的背面侧并不限于平坦的结构。即，如图20的(a)所示，也可以将在背面侧具备凸状构件130的基板131用作工件。凸状构件130除了是以LED为例的电子元器件之外，还可举出是基板131的构成材料的情况等。即，在背面侧存在凹凸的基板131也包含在基板131自身的背面形成有凹凸的结构。
对于在背面侧具备凸状构件130的基板131，在利用密封片S来密封在表面侧搭载的LED11的情况下，作为保持台9的替代，器件密封装置1具备图20的(b)所示那样的保持台135。
保持台135在外周部具备环状的突起部137，且在中央部具备凹部139。即，保持台135整体为中空。凹部139形成于在俯视时包含基板131的配置有凸状构件130的区域在内的位置。通过使突起部137支承基板131的背面的未配置有凸状构件130的部分，从而保持台135能够在不与凸状构件130接触的情况下保持基板131。
图21示出了在下壳体29A具备保持台135的结构中保持台135支承基板131的状态。该状态相当于步骤S3中形成腔室29的工序。在具备保持台135的结构中，利用密封片S来密封基板10上的LED11的各工序与已经说明的实施例相同，因此省略详细叙述。
(2)在实施例的步骤S4中，在使下空间H1的气压和上空间H2的气压减压至预定值之后，使上空间H2的气压返回大气压，由此产生了压力差Fa，但步骤S4中的气压的调整并不限于此。即，也可以是，在使下空间H1的气压和上空间H2的气压减压至预定值之后，将下空间H1的气压维持在该预定值，并且适当调整电磁阀105的开度进行泄放。
在该情况下，控制上空间H2的气压从预定值上升成为比大气压低的特定值，通过该控制而产生压力差Fa。在压力差Fa的作用下利用密封片S覆盖LED11之后，控制部33使电磁阀103、105、107、110为全开而使上空间H2和下空间H1向大气开放。通过该大气开放，第1密封过程结束。
在如实施例那样使上空间H2的气压恢复到大气压而产生压力差Fa的结构中，能够进一步增大压力差Fa，因此能够更迅速地完成使密封构件P变形而利用密封片S来覆盖LED11的过程。另一方面，在如(2)的变形例那样将上空间H2的气压调整为高于下空间H1的气压且低于大气压的特定值而产生压力差Fa的结构中，密封构件P的变形速度被抑制得较低。因此，能够避免在下空间H1的空气排出未完成的期间内密封片S过早地覆盖LED11这样的情形，因此能够防止在密封片S与LED11之间产生空隙。
(3)在实施例的步骤S5中，加压装置32对下空间H1和上空间H2这两者的内部进行了加压，但并不限于此。即，也可以是，加压装置32仅将上空间H2加压至成为比大气压高的气压，利用按压力V1来更精度良好地密封LED11。
作为仅对上空间H2进行加压的结构的进一步的变形例，也可以是如下结构：在维持下空间H1的内部被减压至比大气压低的气压的状态的同时，将上空间H2的内部加压成比大气压高的气压，由此密封LED11。在该结构中，在步骤S4中进行了基于压力差Fa的第1密封过程之后，维持下空间H1的气压被减压至预定值的状态，并且打开与上空间H2连接的电磁阀105而仅使上空间H2向大气开放。然后，在步骤S5中，使加压装置32工作，对上空间H2的内部进行加压而使其高于大气压。
在该变形例中，在步骤S5中，在使保持台9上升而使保持台9抵接于基板10的背面的状态下对上空间H2的内部进行加压。通过在利用保持台9保持着基板10的状态下对上空间H2进行加压而产生按压力V1，从而即使在下空间H1被减压至比大气压低的状态下，也能够使按压力V1均等地作用于密封片S的整个面和基板10的整个面。
(4)在实施例的步骤S4中，通过使用真空装置31使腔室29的内部产生压力差Fa，从而使密封片P变形为凸状并接触于LED11，但使密封片P变形为凸状的方法并不限于产生压力差Fa的结构。即，如图22所示，也可以是在上壳体29B的内部具备按压构件141的结构。
按压构件141的底面为凸状(作为一个例子，是半球状)，按压构件141配设成位于密封片S的上方。因此，通过使按压构件141下降，从而按压构件141的成为凸状的底面按压密封片S，密封片S能够变形为凸状而接触于LED。在该情况下，能够省略压力差Fa的产生所需的真空装置31等的结构。另外，作为使密封片P变形为凸状的其他结构，还可举出使用辊等自上方按压密封片P的结构等。
(5)在实施例中，如图23的(a)所示，腔室29也可以具备片状的弹性体Ds。弹性体Ds配设于上壳体29B的内部，且构成为与上壳体29B的内径相接触。另外，弹性体Ds的下表面和上壳体29B的圆筒底部构成为齐平。因而，当下壳体29A和上壳体29B夹持着输送用片T形成腔室29时，弹性体Ds与输送用片T抵接。具体而言，弹性体Ds抵接于输送用片T中的与保持密封片S的面相反的那侧(在附图中为上表面侧)的面。通过将弹性体Ds配设为与下壳体29A的内径相接触，从而在形成腔室29之际弹性体Ds未被夹持，因此能够防止腔室29的密闭性因弹性体Ds而降低。作为构成弹性体Ds的材料的例子，可举出橡胶、弹性体、或凝胶状的高分子材料等。
通过密封构件P具备弹性体Ds，从而在步骤S4中使密封构件P变形为凸状之际，能够使密封构件P的弯曲率更均匀。作为一个例子，在密封片S由比较硬的材料构成的情况下，如图23的(b)所示，密封构件P的弯曲率变得不均匀。
即，在密封构件P中的密封片S被输送用片T所保持的区域P1中，由于存在较硬的密封片S，因此基于压力差Fa的密封构件P的弯曲率较小。另一方面，在密封构件P中的未由输送用片T保持密封片S的区域P2中，基于压力差Fa的密封构件P的弯曲率比较大。即，在压力差Fa的作用下，区域P2更容易变形，由此区域P1中的密封构件P的弯曲率进一步降低。其结果，密封片S不易变形，因此，密封件Sb相对于基板10的凹凸部分(LED11的搭载区域)的填充性降低。
另一方面，在具备弹性体Ds的情况下，如图23的(c)所示，在压力差Fa的作用下，整个弹性体Ds均匀地变形为凸状。因此，提高了区域P1中的密封构件P的弯曲率。即，密封片S容易根据基板10的LED11搭载区域中的上表面的形状而相应地变形，因此能够提高密封件Sb相对于基板10的凹凸部分的填充性。因而，能够利用密封片S来更精度良好地密封LED11。
(6)在实施例中，加热机构120配设于腔室29中的上空间H2侧，是对上空间H2进行加热的结构，但并不限于此。即，加热机构120也可以是对下空间H1进行加热的结构。作为一个例子，可举出如下结构：将加热器125配设于保持台9的内部，通过由加热器125对下空间H1进行加热从而加热输送用片T和密封片S。另外，加热机构120也可以是对上空间H2和下空间H1这两者进行加热的结构。
(7)在实施例中，作为成为密封片S所密封的对象的器件，以LED11为例进行了说明，但并不限于此。作为器件的其他例子，除了以LED11为例的光学元件之外，还可举出半导体元件、电子元器件等。
(8)在实施例中，在利用密封片S密封LED11之后，也可以进行使密封片S的密封件Sb固化的工序。使密封件Sb固化的工序能够根据密封件Sb的材料而适当变更，作为一个例子，可举出基于热处理的固化、基于紫外线处理的固化等。
(9)在实施例中，使用OCA作为密封件Sb，但并不限于此。即，密封件Sb除了使用在光学上透明的材料之外，也可以使用在光学上不透明的材料，还可以使用无色或有色的材料。
(10)在实施例中，以密封构件P具备长条状的输送用片T和规定形状的密封片S的结构为例进行了说明，但密封构件P并不限于具备输送用片T的结构。作为一个例子，密封构件P也可以如图24的(a)所示那样由长条状的密封片S构成。将使用长条状的密封片S来密封LED11的情况下的步骤S3的结构示于图24的(b)。即，下壳体29A和上壳体29B通过夹持密封片S而形成腔室29。
并且，在步骤S4中，通过使长条状的密封片S变形为凸状，从而如图24的(b)所示，利用密封片S来覆盖LED11。然后，在步骤S5中，通过至少将上空间H2的气压加压至大气压以上，从而如图24的(c)所示那样，密封片S密封LED11。
(11)在实施例中，使保持台9在预定时刻进行升降移动而密封LED11，但保持台9的升降移动可以适当变更。作为一个例子，并不限于在使保持台9下降之后进行步骤S5的加压处理的结构，也可以在维持上升状态的同时进行加压处理。
(12)在实施例中，架保持部38配设于下壳体29A的外部，但也可以将架保持部38设于下壳体29A的内部。在该情况下，在将环形架f和基板10分别收纳于腔室29的内部的状态下进行步骤S4之后的过程。
(13)在实施例中，密封构件P所具备的密封片S被预先成型为与基板10的LED11搭载面的形状相对应的规定形状，但并不限于此。即，也可以是，片供给部71装填通过在长条状的输送用片T装填长条状的密封片S而成的密封构件P。在长条状的输送用片T附设有长条状的密封片S而成的密封构件P的结构如图25的(a)所示。在该情况下，器件密封装置1在腔室29的上游具备片切断装置201，片切断装置201将长条状的密封片S成型为规定形状。
片切断装置201的结构如图25的(b)所示。片切断装置201具备支承台203、刀具205和密封片回收部207。支承台203配设为水平地接收从片供给部71沿着方向L放出且供给的长条状的密封构件P。刀具205配设于支承台203的上方，且能够通过未图示的可动台进行升降移动。作为刀具205的一个例子，能够使用大致矩形形状的汤姆逊刀。
通过使刀具205下降，从而密封构件P中的密封片S的层被呈大致矩形形状切下。刀具205切断密封片S的结构并不限于此，作为其他例子，可举出使刀状的刀具205沿着大致矩形形状的轨道移动而将密封片S呈大致矩形形状切下的结构等。
密封片回收部207将在被切断成大致矩形形状的密封片S的周围残留的不要的密封片Sn回收。不要的部分的密封片Sn在紧挨输送辊208的后方从输送用片T剥离。剥离下来的密封片Sn被引导辊209引导至回收卷绕筒210。回收卷绕筒210将从输送用片T剥离下来的密封片Sn卷取回收。因而，通过片切断装置201，密封构件P成为由刀具205成型为大致矩形的密封片S残留于输送用片T的状态。被切断成大致矩形形状的密封片S连同输送用片T一起被向腔室29引导。

Claims (11)

1.一种器件密封方法，其特征在于，
该器件密封方法具备：
第1密封过程，在该第1密封过程中，将片状密封件和搭载有器件的工件收纳于腔室，以对所述腔室的内部空间进行了减压的状态使所述片状密封件接触于所述工件的器件搭载面，由此利用所述片状密封件来覆盖所述器件；以及
第2密封过程，该第2密封过程是在所述第1密封过程之后，通过提高所述腔室的内部空间的压力，从而利用所述片状密封件来密封所述器件。
2.根据权利要求1所述的器件密封方法，其特征在于，
在所述第1密封过程中，通过使所述片状密封件朝向所述工件的器件搭载面变形为凸状，从而使所述片状密封件接触于所述工件的器件搭载面。
3.根据权利要求1所述的器件密封方法，其特征在于，
在所述第2密封过程中，将所述腔室的内部空间的压力提升至大气压以上的压力。
4.根据权利要求2所述的器件密封方法，其特征在于，
所述片状密封件被长条的输送用片所保持，
所述腔室具备上壳体和下壳体，
所述第1密封过程具有：
上下空间形成过程，在该上下空间形成过程中，通过利用所述上壳体和所述下壳体来夹持所述输送用片，从而将所述腔室的内部空间划分为供处于所述器件搭载面朝上的状态的所述工件配置的下空间、和隔着被所述输送用片所保持的所述片状密封件与所述下空间相对的上空间；
上下空间减压过程，在该上下空间减压过程中，对所述上空间和所述下空间进行减压；以及
接触过程，该接触过程是在所述上下空间减压过程之后，在使所述上空间的压力高于所述下空间的压力而在所述上空间与所述下空间之间产生的压力差的作用下，使所述片状密封件朝向所述器件搭载面变形为凸状，使所述片状密封件接触于所述工件的器件搭载面。
5.根据权利要求2所述的器件密封方法，其特征在于，
所述片状密封件被长条的输送用片所保持，
所述腔室具备上壳体和下壳体，
所述第1密封过程具有：
上下空间形成过程，在该上下空间形成过程中，通过利用所述上壳体和所述下壳体来夹持所述输送用片，从而将所述腔室的内部空间划分为供处于所述器件搭载面朝上的状态的所述工件配置的下空间、和隔着被所述输送用片所保持的所述片状密封件与所述下空间相对的上空间；以及
减压接触过程，在该减压接触过程中，在通过仅对所述上空间和所述下空间中的所述下空间进行减压而在所述上空间与所述下空间之间产生的压力差的作用下，使所述片状密封件朝向所述器件搭载面变形为凸状，以所述下空间被减压的状态使所述片状密封件接触于所述工件的器件搭载面。
6.根据权利要求4或5所述的器件密封方法，其特征在于，
所述片状密封件具有与所述工件的器件搭载面相对应的规定形状，并被所述长条的输送用片所保持。
7.根据权利要求4或5所述的器件密封方法，其特征在于，
具备配设于所述上壳体的内部的片状的弹性体，
所述片状的弹性体配设成，通过在所述上下空间形成过程中利用所述上壳体和所述下壳体来夹持所述输送用片，从而所述片状的弹性体抵接于所述输送用片中的未保持所述片状密封件的面。
8.根据权利要求4或5所述的器件密封方法，其特征在于，
该器件密封方法具备加热过程，在该加热过程中，通过对所述下空间和所述上空间中的至少一者进行加热来加热所述片状密封件，
在所述第1密封过程中，使通过所述加热过程被加热的状态的所述片状密封件接触于所述工件的器件搭载面。
9.根据权利要求1至5中任一项所述的器件密封方法，其特征在于，
所述工件在与所述器件搭载面相反侧的面具备1个或两个以上的凸状构件，
该器件密封方法还具备保持过程，在该保持过程中，使用在中央部具有凹部的保持构件，以使所述凸状构件配置于所述凹部的内部的状态来保持所述工件，
在所述工件被所述保持构件保持之后，执行所述第1密封过程。
10.一种器件密封装置，其特征在于，
该器件密封装置具备：
第1密封机构，其将片状密封件和搭载有器件的工件收纳于腔室，以对所述腔室的内部空间进行了减压的状态使所述片状密封件接触于所述工件的器件搭载面，由此利用所述片状密封件来覆盖所述器件；以及
第2密封机构，在所述第1密封机构完成工作之后，该第2密封机构通过提高所述腔室的内部空间的压力，从而利用所述片状密封件来密封所述器件。
11.一种半导体产品的制造方法，其用于制造成为搭载于工件的器件被片状密封件密封的状态的半导体产品，该半导体产品的制造方法的特征在于，
该半导体产品的制造方法具备：
第1密封过程，在该第1密封过程中，将片状密封件和搭载有器件的工件收纳于腔室，以对所述腔室的内部空间进行了减压的状态使所述片状密封件接触于所述工件的器件搭载面，由此利用所述片状密封件来覆盖所述器件；以及
第2密封过程，该第2密封过程是在所述第1密封过程之后，通过提高所述腔室的内部空间的压力，从而利用所述片状密封件来密封所述器件。
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