CN113512223A - 一种聚酰亚胺导电膜 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种聚酰亚胺导电膜,在聚酰亚胺基膜表面涂覆导电墨水,然后干燥得到聚酰亚胺导电膜,其中,聚酰亚胺为含有脲基基团的聚酰亚胺;导电墨水的原料包括:银纳米线、胶黏剂和溶剂,胶黏剂为聚氨酯胶黏剂。本发明所述聚酰亚胺导电膜中银纳米线不易脱落,且分散均匀,具有良好的导电性。
Description
技术领域
本发明涉及导电膜技术领域,尤其涉及一种聚酰亚胺导电膜。
背景技术
随着可穿戴器件和柔性电子产业展现出巨大的商业前景,柔性导电薄膜也日益受到关注。柔性导电薄膜主要由柔性基膜和导电材料两部分组成。其制备工艺一般为将导电墨水涂覆在柔性基膜表面,干燥得到。
目前市场上ITO(氧化铟锡)是制备透明导电膜的最重要材料,但是ITO具有一些不可克服的缺陷:ITO膜无法得到很低的方阻,无法应用在较大尺寸设备上;薄膜弯曲时表面容易出现裂痕和破碎,不能用来制备耐弯曲性好的柔性设备;同时ITO储量有限,随着消耗量增大,价格逐渐升高,而且制备ITO膜需要昂贵的真空溅射设备。
近年来科研工作者们相继开发了各种新技术用来替代ITO的材料,如碳纳米管、石墨烯、纳米银线、金属网格等,它们的柔韧性均优于ITO;但是碳纳米管和石墨烯在电性能、金属网格在光学性能上具有一定的缺陷,仍处于研究阶段;纳米银线涂布工艺简单、光学性能和方阻均优于ITO,可以用来制备导电膜。
但是当基膜为聚酰亚胺材料时,银纳米线和聚酰亚胺基膜之间的附着力较差,容易脱落,影响导电性;并且在干燥时,导电墨水中的银纳米线容易团聚,影响导电薄膜的均匀性和导电性,不利于后续的应用。
发明内容
基于背景技术存在的技术问题,本发明提出了一种聚酰亚胺导电膜,本发明所述聚酰亚胺导电膜中银纳米线不易脱落,且分散均匀,具有良好的导电性。
本发明提出了一种聚酰亚胺导电膜,在聚酰亚胺基膜表面涂覆导电墨水,然后干燥得到聚酰亚胺导电膜,其中,聚酰亚胺为含有脲基基团的聚酰亚胺;导电墨水的原料包括:银纳米线、胶黏剂和溶剂,胶黏剂为聚氨酯胶黏剂。
上述涂覆导电墨水前,需要对聚酰亚胺基膜进行清洗干燥处理,清洗用溶剂可以为丙酮、乙醇、水等。
优选地,聚氨酯胶黏剂中-CNO的含量为15-18wt%。
优选地,银纳米线经含有异氰酸酯基团的硅烷偶联剂接枝改性。
上述接枝改性的方法为本领域技术人员常用的硅烷偶联剂改性方法,具体步骤可以为:将银纳米线与含有异氰酸酯基团的硅烷偶联剂的溶液混匀,于70-80℃保温搅拌1-2h,过滤,洗涤,干燥即得。
优选地,干燥温度为180-200℃,干燥时间15-25min。
优选地,在含有脲基基团的聚酰亚胺的制备过程中,在惰性气体氛围中,取氨基封端的聚酰胺酸溶液、异氰酸酯基团封端的聚脲溶液和二酐单体1反应得到中间物料,然后亚胺化得到含有脲基基团的聚酰亚胺。
上述氨基封端的聚酰胺酸溶液和异氰酸酯基团封端的聚脲溶液中的溶剂可以为N-甲基吡咯烷酮、N,N-二甲基甲酰胺、二甲基乙酰胺等。
优选地,异氰酸酯基团封端的聚脲的合成原料为二异氰酸酯和二胺单体1;氨基封端的聚酰胺酸的合成原料为二酐单体2和二胺单体2。
上述二酐单体1和二酐单体2可以相同,也可以不同;上述二胺单体1和二胺单体2可以相同,也可以不同。
二酐单体1和二酐单体2可以为如下物质中的至少一种:2,2-双(3,4-二羧基苯基)六氟丙烷二酐(6-FDA)、4-(2,5-二氧代四氢呋喃-3-基)-1,2,3,4-四氢化萘-1,2-二甲酸酐(TDA)、苯均四甲酸二酐(1,2,4,5-苯四甲酸二酐,PMDA)、二苯甲酮四甲酸二酐(BTDA)、联苯四甲酸二酐(BPDA);并且所述二酐单体1和二酐单体2的实例不限于此。
二胺单体1和二胺单体2可以为如下物质中的至少一种:二氨基二苯醚(ODA)、对苯二胺(p-PDA)、间苯二胺(m-PDA)、p-亚甲基二胺(p-MDA)、m-亚甲基二胺(m-MDA)、双三氟甲基联苯胺(TFDB)、环己二胺(13CHD,14CHD);并且所述二胺单体1和二胺单体2的实例不限于此。
二异氰酸酯可以为如下物质中的至少一种:甲苯二异氰酸酯(TDI)、异佛尔酮二异氰酸酯(IPDI)、二苯基甲烷二异氰酸酯(MDI)、二环己基甲烷二异氰酸酯(HMDI)、六亚甲基二异氰酸酯(HDI)、赖氨酸二异氰酸酯(LDI);并且所述二异氰酸酯的实例不限于此。
本发明所述聚酰亚胺导电膜优选透明聚酰亚胺导电膜。可以通过选择适宜的二酐单体1、二酐单体2、二胺单体1和二胺单体2来获得。
优选地,二异氰酸酯和二胺单体1的摩尔比为1.05-1.1:1。
优选地,二酐单体2和二胺单体2的摩尔比为0.93-0.94:1。
优选地,二胺单体1和二酐单体1的摩尔比为1:0.06-0.08。
优选地,二胺单体1和二胺单体2的摩尔比为0.09-0.11:1。
优选地,反应温度为60-80℃,反应时间为5-6h。
优选地,亚胺化程序为:于80-100℃保温2-2.5h,再于120-130℃、170-180℃、210-230℃、250-255℃分别保温0.5-1h。
优选地,溶剂包括:正己烷、环己烷、四氢呋喃、甲苯、二甲苯、N,N-二甲基甲酰胺、乙酸乙酯或乙酸丁酯中的至少一种。
优选地,导电墨水的原料还包括分散剂。
优选地,分散剂包括:聚乙烯吡咯烷酮、醋酸丁酸纤维素、醋酸纤维素、十二烷基磺酸钠、十六烷基二甲基溴化氨、氯代十六烷基吡啶、氟碳表面活性剂中的至少一种。
优选地,银纳米线、胶黏剂、溶剂的重量比为0.6-0.8:0.6-1.6:100。
优选地,银纳米线和分散剂的重量比为6-8:3-9。
有益效果:
1.本发明选用氨基封端的聚酰胺酸溶液与异氰酸酯基团封端的聚脲溶液反应并亚胺化,在聚酰亚胺主链中引入脲基基团;在适宜干燥温度下,脲基基团可与聚氨酯胶黏剂中的异氰酸酯基团反应,使得基膜和导电涂层形成交联网络,提高粘附性能,固定银纳米线,防止银纳米线的脱落;
2.对二异氰酸酯、二胺单体1、二胺单体2、二酐单体1、二酐单体2选择适宜的比例,可以在聚酰亚胺主链中引入适量脲基基团的同时,保持聚酰亚胺的性能;并且能提高聚酰亚胺基膜的耐高温性能;
3.采用含有异氰酸酯基团的硅烷偶联剂对银纳米线进行接枝改性处理,使得银纳米线表面具有异氰酸酯基团,可与脲基基团反应,固定银纳米线;并且经硅烷偶联剂接枝改性后,与分散剂相互配合,可以改善银纳米线在导电墨水中分散均匀性,避免导电涂层中银纳米线的团聚,方便涂覆并能改善导电性能。
具体实施方式
下面,通过具体实施例对本发明的技术方案进行详细说明。
实施例1
一种聚酰亚胺导电膜,在聚酰亚胺基膜表面涂覆导电墨水,然后于190℃干燥20min得到聚酰亚胺导电膜,其中,聚酰亚胺为含有脲基基团的聚酰亚胺;导电墨水的原料按重量份包括:γ-异氰酸丙基三乙氧基硅烷改性银纳米线0.7g、-CNO含量为17wt%的聚氨酯胶黏剂1.4g、十二烷基磺酸钠0.6g、N,N-二甲基甲酰胺100g;
其中,在含有脲基基团的聚酰亚胺的制备过程中,
将0.1mol环己二胺溶于250ml二甲基乙酰胺中,然后通N2排出空气,分3次缓慢加入2,2-双(3,4-二羧基苯基)六氟丙烷二酐(共0.0935mol),调节温度为35℃,保温反应4h得到氨基封端的聚酰胺酸溶液;
将0.01mol环己二胺溶于50ml二甲基乙酰胺中,然后通N2排出空气,分3次缓慢加入二环己基甲烷二异氰酸酯(共0.0107mol),升温至80℃,保温搅拌5h得到异氰酸酯基团封端的聚脲溶液;
然后在N2氛围中,将上述氨基封端的聚酰胺酸溶液、异氰酸酯基团封端的聚脲溶液混匀,于70℃搅拌1h,然后加入0.7mmol的2,2-双(3,4-二羧基苯基)六氟丙烷二酐,继续保温搅拌4.5h,脱泡得到中间物料;将中间物料涂覆在洁净的玻璃板上,于90℃保温2.2h,再于125℃、175℃、220℃、255℃分别保温0.7h得到聚酰亚胺基膜。
实施例2
一种聚酰亚胺导电膜,在聚酰亚胺基膜表面涂覆导电墨水,然后于180℃干燥25min得到聚酰亚胺导电膜,其中,聚酰亚胺为含有脲基基团的聚酰亚胺;导电墨水的原料按重量份包括:γ-异氰酸丙基三乙氧基硅烷改性银纳米线0.6g、-CNO含量为15wt%的聚氨酯胶黏剂0.6g、氟碳表面活性剂0.3g、N,N-二甲基甲酰胺100g;
其中,在含有脲基基团的聚酰亚胺的制备过程中,
将0.1mol二氨基二苯醚溶于250ml二甲基乙酰胺中,然后通N2排出空气,分3次缓慢加入2,2-双(3,4-二羧基苯基)六氟丙烷二酐(共0.094mol),调节温度为35℃,保温反应4h得到氨基封端的聚酰胺酸溶液;
将0.009mol二氨基二苯醚溶于50ml二甲基乙酰胺中,然后通N2排出空气,分3次缓慢加入二苯基甲烷二异氰酸酯(共0.00945mol),升温至80℃,保温搅拌5h得到异氰酸酯基团封端的聚脲溶液;
然后在N2氛围中,将上述氨基封端的聚酰胺酸溶液、异氰酸酯基团封端的聚脲溶液混匀,于80℃搅拌1h,然后加入0.54mmol的2,2-双(3,4-二羧基苯基)六氟丙烷二酐,继续保温搅拌4h,脱泡得到中间物料;将中间物料涂覆在洁净的玻璃板上,于100℃保温2h,再于130℃、180℃、230℃、255℃分别保温0.5h得到聚酰亚胺基膜。
实施例3
一种聚酰亚胺导电膜,在聚酰亚胺基膜表面涂覆导电墨水,然后于200℃干燥15min得到聚酰亚胺导电膜,其中,聚酰亚胺为含有脲基基团的聚酰亚胺;导电墨水的原料按重量份包括:γ-异氰酸丙基三乙氧基硅烷改性银纳米线0.8g、-CNO含量为18wt%的聚氨酯胶黏剂1.6g、聚乙烯吡咯烷酮0.9g、N,N-二甲基甲酰胺100g;
其中,在含有脲基基团的聚酰亚胺的制备过程中,
将0.1mol双三氟甲基联苯胺溶于250ml二甲基乙酰胺中,然后通N2排出空气,分3次缓慢加入2,2-双(3,4-二羧基苯基)六氟丙烷二酐(共0.093mol),调节温度为35℃,保温反应4h得到氨基封端的聚酰胺酸溶液;
将0.011mol双三氟甲基联苯胺溶于50ml二甲基乙酰胺中,然后通N2排出空气,分3次缓慢加入异佛尔酮二异氰酸酯(共0.0121mol),升温至80℃,保温搅拌5h得到异氰酸酯基团封端的聚脲溶液;
然后在N2氛围中,将上述氨基封端的聚酰胺酸溶液、异氰酸酯基团封端的聚脲溶液混匀,于60℃搅拌1h,然后加入0.88mmol的2,2-双(3,4-二羧基苯基)六氟丙烷二酐,继续保温搅拌5h,脱泡得到中间物料;将中间物料涂覆在洁净的玻璃板上,于80℃保温2.5h,再于120℃、170℃、210℃、250℃分别保温1h得到聚酰亚胺基膜。
对比例1
一种聚酰亚胺导电膜,在聚酰亚胺的制备过程中,将0.1mol环己二胺溶于250ml二甲基乙酰胺中,然后通N2排出空气,分3次缓慢加入2,2-双(3,4-二羧基苯基)六氟丙烷二酐(共0.0935mol),调节温度为35℃,保温反应4h得到氨基封端的聚酰胺酸溶液;脱泡后涂覆在洁净的玻璃板上,于90℃保温2.2h,再于125℃、175℃、220℃、255℃分别保温0.7h得到聚酰亚胺基膜,其他同实施例1。
对比例2
将“γ-异氰酸丙基三乙氧基硅烷改性银纳米线”,替换成普通银纳米线,其他同实施例1。
检测实施例1-3和对比例1-2制得的聚酰亚胺导电膜的性能,结果如表1所示。
表1检测结果
备注:百格法测试附着力,涂层100%保留时为0级;涂层保留较完整,仅有少数边角破损时为1级;边角破损较多但无整格脱落时为2级;边角破损严重,有少量整格脱落时为3级;边角破损严重,有较多整格脱落,但涂层保留面积>65%时为4级;涂层保留面积<65%时为5级。
由表1可以看出,本发明所述聚酰亚胺导电膜中银纳米线不易脱落,具有良好的导电性;普通银纳米线由于分散不均匀,导致方阻增加。
以上所述,仅为本发明较佳的具体实施方式,但本发明的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内,根据本发明的技术方案及其发明构思加以等同替换或改变,都应涵盖在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种聚酰亚胺导电膜,其特征在于,在聚酰亚胺基膜表面涂覆导电墨水,然后干燥得到聚酰亚胺导电膜,其中,聚酰亚胺为含有脲基基团的聚酰亚胺;导电墨水的原料包括:银纳米线、胶黏剂和溶剂,胶黏剂为聚氨酯胶黏剂。
2.根据权利要求1所述聚酰亚胺导电膜,其特征在于,聚氨酯胶黏剂中-CNO的含量为15-18wt%。
3.根据权利要求1或2所述聚酰亚胺导电膜,其特征在于,银纳米线经含有异氰酸酯基团的硅烷偶联剂接枝改性。
4.根据权利要求1-3任一项所述聚酰亚胺导电膜,其特征在于,干燥温度为180-200℃,干燥时间15-25min。
5.根据权利要求1-4任一项所述聚酰亚胺导电膜,其特征在于,在含有脲基基团的聚酰亚胺的制备过程中,在惰性气体氛围中,取氨基封端的聚酰胺酸溶液、异氰酸酯基团封端的聚脲溶液和二酐单体1反应得到中间物料,然后亚胺化得到含有脲基基团的聚酰亚胺。
6.根据权利要求5所述聚酰亚胺导电膜,其特征在于,异氰酸酯基团封端的聚脲的合成原料为二异氰酸酯和二胺单体1;氨基封端的聚酰胺酸的合成原料为二酐单体2和二胺单体2;优选地,二异氰酸酯和二胺单体1的摩尔比为1.05-1.1:1;优选地,二酐单体2和二胺单体2的摩尔比为0.93-0.94:1;优选地,二胺单体1和二酐单体1的摩尔比为1:0.06-0.08;优选地,二胺单体1和二胺单体2的摩尔比为0.09-0.11:1;优选地,反应温度为60-80℃,反应时间为5-6h;优选地,亚胺化程序为:于80-100℃保温2-2.5h,再于120-130℃、170-180℃、210-230℃、250-255℃分别保温0.5-1h。
7.根据权利要求1-6任一项所述聚酰亚胺导电膜,其特征在于,溶剂包括:正己烷、环己烷、四氢呋喃、甲苯、二甲苯、N,N-二甲基甲酰胺、乙酸乙酯或乙酸丁酯中的至少一种。
8.根据权利要求1-7任一项所述聚酰亚胺导电膜,其特征在于,导电墨水的原料还包括分散剂;优选地,分散剂包括:聚乙烯吡咯烷酮、醋酸丁酸纤维素、醋酸纤维素、十二烷基磺酸钠、十六烷基二甲基溴化氨、氯代十六烷基吡啶、氟碳表面活性剂中的至少一种。
9.根据权利要求1-8任一项所述聚酰亚胺导电膜,其特征在于,银纳米线、胶黏剂、溶剂的重量比为0.6-0.8:0.6-1.6:100。
10.根据权利要求8所述聚酰亚胺导电膜,其特征在于,银纳米线和分散剂的重量比为6-8:3-9。
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