CN113488514B - 显示面板及其制备方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种显示面板及其制备方法，显示面板包括阵列基板和设于阵列基板上的阳极层和阴极；阳极层包括间隔设置的辅助电极和发光电极，辅助电极至少包括第一辅助阴极和设于第一辅助阴极上的牺牲电极。本发明通过在牺牲电极上设置至少一个底切开口，底切开口裸露出第一辅助阴极，阴极通过底切开口与第一辅助阴极搭接，使得阴极和第一辅助阴极形成并联结构，从而减小阴极电阻，达到改善显示面板的电流压降的效果，有利于提升显示面板亮度均一性。

Description

显示面板及其制备方法

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板及其制备方法。

背景技术

有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)显示面板包括透明阳极、发光层和金属阴极，为了增大透过率，通常将金属阴极的厚度设置的较薄，导致金属阴极的电阻较大，电流压降(IR-drop)严重，从而导致显示面板亮度不均,严重影响了OLED显示面板的显示效果。

综上，亟需提供一种显示面板及其制备方法，来解决上述技术问题。

发明内容

本发明实施例提供一种显示面板及其制备方法，以解决现有的显示面板因金属阴极厚度较薄，导致金属阴极的电阻较大，电流压降严重的技术问题。

为解决上述问题，本发明提供的技术方案如下：

本发明提供一种显示面板，所述显示面板包括阵列基板和设于所述阵列基板上的阳极层和阴极；

所述阳极层包括间隔设置的辅助电极和发光电极，所述辅助电极至少包括第一辅助阴极和设于所述第一辅助阴极上的牺牲电极，所述牺牲电极包括至少一个底切开口，所述底切开口裸露出部分所述第一辅助阴极，所述阴极通过所述底切开口与所述第一辅助阴极搭接。

根据本发明提供的显示面板，所述发光电极至少包括第一阳极和设于所述第一阳极上的第二阳极，所述第一阳极和所述第一辅助阴极同层设置，所述第二阳极和所述牺牲电极同层设置。

根据本发明提供的显示面板，所述显示面板还包括像素定义层和发光功能层；

所述像素定义层设于所述阵列基板和所述阳极层上，所述像素定义层设有第一像素开口和第二像素开口，所述第一像素开口连通所述底切开口，所述第二像素开口裸露出部分所述发光电极；

所述发光功能层覆盖所述像素定义层、裸露的所述发光电极和裸露的部分所述第一辅助阴极，所述阴极覆盖所述发光功能层和裸露的部分所述第一辅助阴极。

根据本发明提供的显示面板，所述第一像素开口在所述阵列基板上的正投影的一部分落入所述底切开口在所述阵列基板上的正投影内，所述第一像素开口在所述阵列基板上的正投影的另一部分与所述底切开口在所述阵列基板上的正投影不重叠。

根据本发明提供的显示面板，所述阵列基板包括衬底和设于所述衬底上的薄膜晶体管阵列层，所述薄膜晶体管阵列层包括多个薄膜晶体管和第二辅助阴极，所述薄膜晶体管包括源极和漏极，所述第二辅助阴极与所述源极及所述漏极同层设置；

其中，所述第一辅助阴极与所述第二辅助阴极电连接，所述发光电极与所述源极电连接。

根据本发明提供的显示面板，所述阵列基板还包括钝化层和平坦层，所述钝化层覆盖所述薄膜晶体管阵列层，所述平坦层覆盖所述钝化层；

所述阵列基板还包括辅助电极接触孔和阳极接触孔，所述辅助电极接触孔和所述阳极接触孔均贯穿所述钝化层和所述平坦层，所述第一辅助阴极通过所述辅助电极接触孔与所述第二辅助阴极电连接，所述发光电极通过所述阳极接触孔与所述源极电连接。

根据本发明提供的显示面板，所述第一辅助阴极的材料为Ag、Mo、Al、Cu和Mo中的任意一种或多种，所述牺牲电极的材料为透明导电氧化物。

本发明提供一种显示面板的制备方法，包括以下步骤：

提供一阵列基板；

在所述阵列基板上形成阳极层；

利用黄光制程对所述阳极层进行图案化处理以形成间隔设置的辅助电极和发光电极，所述辅助电极至少包括第一辅助阴极和设于所述第一辅助阴极上的牺牲电极；

在所述牺牲电极上形成至少一个底切开口，所述底切开口裸露出部分所述第一辅助阴极；以及

在所述阳极层上形成阴极，所述阴极通过所述底切开口与所述第一辅助阴极搭接。

根据本发明提供的显示面板的制备方法，所述在所述牺牲电极上形成至少一个底切开口，包括以下步骤：

在所述阵列基板和所述阳极层上形成像素定义层，所述像素定义层形成有第一像素开口和第二像素开口，所述第一像素开口裸露出部分所述牺牲电极，所述第二像素开口裸露出部分所述发光电极；

在所述像素定义层上形成光刻胶层；

利用黄光制程对所述光刻胶层进行图案化处理形成至少一个缺口，所述缺口位于所述光刻胶层与待形成的所述底切开口对应的区域，所述缺口裸露出部分所述牺牲电极；以及

采用湿法刻蚀工艺蚀刻所述牺牲电极形成所述底切开口，所述底切开口和所述第一像素开口连通。

根据本发明提供的显示面板的制备方法，在所述阳极层上形成阴极之前，还包括以下步骤：

控制蒸镀源的蒸镀角度为第一设定角度，在所述像素定义层、裸露的所述发光电极和裸露的部分所述第一辅助阴极上蒸镀形成发光功能层；以及

调整所述蒸镀源的蒸镀角度为第二设定角度，在所述发光功能层上形成所述阴极。

本发明的有益效果为：本发明提供的显示面板及其制备方法，显示面板包括阵列基板和设于阵列基板上的阳极层和阴极，阳极层包括间隔设置的辅助电极和发光电极，辅助电极至少包括第一辅助阴极和设于第一辅助阴极上的牺牲电极，通过在牺牲电极上设置至少一个底切开口，底切开口裸露出第一辅助阴极，阴极通过底切开口与第一辅助阴极搭接，使得阴极和第一辅助阴极形成并联结构，从而减小阴极电阻，达到改善显示面板的电流压降的效果，有利于提升显示面板亮度均一性。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本发明实施例提供的一种显示面板的截面结构示意图；

图2是本发明实施例提供的一种显示面板的制备方法的流程图；

图3A～图3I是本发明实施例提供的一种显示面板的制备方法的流程结构示意图。

附图标记说明：

100、显示面板；

1、阵列基板；2、阳极层；3、阴极；4、像素定义层；5、发光功能层；6、光刻胶层；7、蒸镀源；

20、辅助电极；21、发光电极；22、第一辅助阴极；23、牺牲电极；24、底切开口；25、第一阳极；26、第二阳极；

10、衬底；101、第二辅助阴极；102、源极；103、漏极；104、遮光层；105、第一电极板；1061、第一缓冲层；1062、第二缓冲层；107、半导体层；108、第二电极板；109、栅极绝缘层；110、栅极层；111、钝化层；112、平坦层；113、辅助电极接触孔；114、阳极接触孔；

40、第一像素开口；41、第二像素开口；

61、缺口。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。此外，应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本发明，并不用于限制本发明。在本发明中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上”和“下”通常是指装置实际使用或工作状态下的上和下，具体为附图中的图面方向；而“内”和“外”则是针对装置的轮廓而言的。

请参阅图1，本发明实施例提供一种显示面板100，所述显示面板100包括阵列基板1、阳极层2和阴极3，所述阳极层2设于所述阵列基板1上，所述阴极3设于所述阳极层2上。

所述阳极层2可为双层结构，具体的，所述阳极层2包括间隔设置的辅助电极20和发光电极21，所述辅助电极20至少包括第一辅助阴极22和设于所述第一辅助阴极22上的牺牲电极23，所述牺牲电极23包括至少一个底切开口24，所述底切开口24裸露出部分所述第一辅助阴极22，所述阴极3通过所述底切开口24与所述第一辅助阴极22搭接，使得所述阴极3和所述第一辅助阴极22共同形成并联结构，从而减小阴极电阻，达到改善所述显示面板100的电流压降的效果，有利于提升所述显示面板的亮度均一性。

可以理解的是，在本发明实施例中，所述第一辅助阴极22的厚度大于所述阴极3的厚度，即所述第一辅助阴极22的横截面积大于所述阴极3的横截面积，由于金属的电阻与其横截面积呈负相关，则所述第一辅助阴极22的电阻小于所述阴极3的电阻。又因两金属所形成的并联结构的电阻小于任一金属的电阻，因此，所述阴极3和所述第一辅助阴极22形成的并联结构的电阻小于所述第一辅助阴极22的电阻，从而极大地降低了所述显示面板100的阴极电阻，改善了所述显示面板100的电流压降的效果。

具体的，所述发光电极21至少包括第一阳极25和第二阳极26，所述第一阳极25设于所述阵列基板1上，所述第二阳极26设于所述第一阳极25上，所述第一阳极25和所述第一辅助阴极22同层设置，所述第二阳极26和所述牺牲电极23同层设置，所述辅助电极20与所述发光电极21的层数相等。

在一种实施例中，所述第一阳极25和所述第一辅助阴极22采用同种材料，所述第二阳极26和所述牺牲电极23采用同种材料，进一步的，所述第一阳极25和所述第一辅助阴极22通过同一道黄光制程制备而成，所述第二阳极26和所述牺牲电极23通过同一道黄光制程制备而成，能够节省黄光制程，有利于节约成本。

具体的，所述第一辅助阴极22和所述第一阳极25的材料可以为Ag、Mo、Al、Cu和Mo中的任意一种或多种，所述第二阳极26和所述牺牲电极23的材料可以为透明导电氧化物，例如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)。

进一步的，所述阳极层2也可为多层结构，例如，所述阳极层2可为三层结构，比如所述阳极层2的结构可以为WOx/ANCL、WOx/Ag、WOx/Mo、ITO/Ag/ITO、IZO/Ag/IZO、IZO/Ag/ITO、ITO/Al/ITO、IZO/Al/IZO、IZO/Al/ITO、IZO/Mo/IZO和ITO/Ag/IGZO中的任意一种，本发明实施例不以此为限。

进一步的，所述显示面板100还包括像素定义层4和发光功能层5。所述像素定义层4设于所述阵列基板1和所述阳极层2上，所述像素定义层4设有第一像素开口40和第二像素开口41，所述第一像素开口40连通所述底切开口24，所述第二像素开口41裸露出部分所述发光电极21，具体的，所述第二像素开口41裸露出部分所述第二阳极26。

所述发光功能层5覆盖所述像素定义层4、裸露的所述发光电极21和裸露的部分所述第一辅助阴极22，即所述发光功能层5不完全覆盖裸露的所述第一辅助阴极22，所述阴极3覆盖所述发光功能层5和裸露的部分所述第一辅助阴极22。具体的，所述发光功能层5包括依次层叠设置的空穴注入层、空穴传输层、有机发光层、电子注入层和电子传输层等膜层，其中，所述有机发光层至少包括红色发光层、绿色发光层和蓝色发光层。

可以理解的是，本发明实施例对应于所述底切开口24的所述像素定义层4形成一隔断部，由于所述隔断部的存在，使得后续所述发光功能层5在隔断部处出现断开现象，避免了所述发光功能层5的连续性，使得所述发光功能层5未覆盖被隔断部遮挡的部分所述第一辅助阴极22，进而使得第一辅助阴极22预留了与所述阴极3搭接的部分，使得所述阴极3覆盖未被所述发光功能层5覆盖的部分所述第一辅助阴极22，以实现所述阴极3与所述第一辅助阴极22搭接。

具体的，所述第一像素开口40在所述阵列基板1上的正投影的一部分落入所述底切开口24在所述阵列基板1上的正投影内，所述第一像素开口40在所述阵列基板1上的正投影的另一部分与所述底切开口24在所述阵列基板1上的正投影不重叠。也就是说，所述底切开口24的一侧延伸至所述像素定义层4内，另一侧突出所述像素定义层4，采取此种设计的目的是在保证所述阴极3与所述第一辅助阴极22具有足够的搭接面积基础上，要避免由于所述底切开口24太大导致所述像素定义层4发生塌陷。

进一步的，所述阵列基板1包括衬底10和设于所述衬底10上的薄膜晶体管阵列层，所述薄膜晶体管阵列层包括多个薄膜晶体管和第二辅助阴极101，每一所述薄膜晶体管包括源极102和漏极103，所述第二辅助阴极101与所述源极102及所述漏极103同层设置；其中，所述第一辅助阴极22与所述第二辅助阴极101电连接，所述发光电极21与所述源极102电连接。

可以理解的是，所述第二辅助阴极101与所述第一辅助阴极22电连接以形成辅助阴极组合结构，从而能够提高辅助阴极组合结构的面积，进而能够进一步降低所述显示面板100的阴极电阻，进一步改善了所述显示面板100的电流压降的效果。

可选的，所述第二辅助阴极101可以是单层的金属层，比如Mo、Al、Cu或者Ti等；也可以是多层结构，比如Mo/Al/Mo、Al/Mo、Mo/Cu或者MoTi/Cu等，本发明实施例不以此为限。

具体的，所述阵列基板1还包括遮光层104、第一电极板105、第一缓冲层1061、第二缓冲层1062、半导体层107、第二电极板108、栅极绝缘层109、栅极层110；其中，所述遮光层104和所述第一电极板105同层设置于所述衬底10上，所述第一缓冲层1061设于所述遮光层104上，所述半导体层107和所述第二电极板108同层设置于所述第一缓冲层1061上，所述栅极绝缘层109覆盖所述半导体层107，所述栅极层110设于所述栅极绝缘层109上，所述第二缓冲层1062覆盖所述第一缓冲层1061、所述半导体层107、所述栅极绝缘层109和所述栅极层110，所述源极102通过贯穿所述栅极绝缘层109的过孔与所述半导体层107电连接，所述漏极103通过贯穿所述栅极绝缘层109的过孔与所述半导体层107电连接，所述漏极103通过贯穿所述栅极绝缘层109、所述第一缓冲层1061和所述第二缓冲层1062的过孔与所述遮光层104电连接。所述第一电极板105和所述第二电极板108形成电容结构。其中，所述半导体层107的材料可以为非晶氧化物，例如铟镓锌氧化物(indium gallium zinc oxide，IGZO)。

具体的，所述阵列基板1还包括钝化层111和平坦层112，所述钝化层111覆盖所述薄膜晶体管阵列层，所述平坦层112覆盖所述钝化层111；所述阵列基板1还包括辅助电极接触孔113和阳极接触孔114，所述辅助电极接触孔113和所述阳极接触孔114均贯穿所述钝化层111和所述平坦层112，所述第一辅助阴极22通过所述辅助电极接触孔113与所述第二辅助阴极101电连接，所述发光电极21通过所述阳极接触孔114与所述源极102电连接。需要说明的是，在一些实施例中，所述发光电极21可以与所述漏极103相连，至于所述发光电极21是连接于所述源极102还是所述漏极103可根据所述薄膜晶体管的类型而定，此处不再赘述。

具体的，所述第一辅助阴极22、所述源极102和所述漏极103的材料相同，可通过同一道黄光制程制备而成。

请参阅图2，本发明实施例还提供一种显示面板的制备方法，包括以下步骤：

S10：提供一阵列基板1。

具体的，请参阅图3A，所述阵列基板1还包括遮光层104、第一电极板105、第一缓冲层1061、第二缓冲层1062、半导体层107、第二电极板108、栅极绝缘层109、栅极层110、源极102、漏极103、第二辅助阴极101、钝化层111和平坦层112。所述遮光层104和所述第一电极板105同层设置于所述衬底10上，所述第一缓冲层1061设于所述遮光层104上，所述半导体层107和所述第二电极板108同层设置于所述第一缓冲层1061上，所述栅极绝缘层109覆盖所述半导体层107，所述栅极层110设于所述栅极绝缘层109上，所述第二缓冲层1062覆盖所述第一缓冲层1061、所述半导体层107、所述栅极绝缘层109和所述栅极层110，所述源极102通过贯穿所述栅极绝缘层109的过孔与所述半导体层107电连接，所述漏极103通过贯穿所述栅极绝缘层109的过孔与所述半导体层107电连接，所述漏极103通过贯穿所述栅极绝缘层109、所述第一缓冲层1061和所述第二缓冲层1062的过孔与所述遮光层104电连接。所述第一电极板105和所述第二电极板108形成电容结构。所述钝化层111覆盖所述第二辅助阴极101、所述源极102和所述漏极103，所述平坦层112覆盖所述钝化层111。所述阵列基板1还包括辅助电极接触孔113和阳极接触孔114，所述辅助电极接触孔113和所述阳极接触孔114均贯穿所述钝化层111和所述平坦层112。

S20：在所述阵列基板1上形成阳极层2。

具体的，请参阅图3B，可通过沉积、溅射或蒸镀的工艺在所述阵列基板1上形成至少双层阳极材料，靠近所述阵列基板的底层阳极材料可以为Ag、Mo、Al、Cu和Mo中的一种或多种，远离所述阵列基板1的顶层阳极材料可以为透明导电氧化物，例如ITO或IZO等。

S30：利用黄光制程对所述阳极层2进行图案化处理以形成间隔设置的辅助电极20和发光电极21，所述辅助电极20至少包括第一辅助阴极22和设于所述第一辅助阴极22上的牺牲电极23。

具体的，请参阅图3C，在所述阳极层2上涂覆一层光刻胶，首先对光刻胶进行曝光显影，之后对所述阳极层2进行刻蚀处理以形成间隔设置的辅助电极20和发光电极21，所述辅助电极20至少包括第一辅助阴极22和设于所述第一辅助阴极22上的牺牲电极23，最后剥离光刻胶。

S40：在所述牺牲电极23上形成至少一个底切开口24，所述底切开口裸露出部分所述第一辅助阴极22。

具体的，所述步骤S20包括以下步骤：

S401：在所述阵列基板1和所述阳极层2上形成像素定义层4，所述像素定义层4形成有第一像素开口40和第二像素开口41，所述第一像素开口40裸露出部分所述牺牲电极23，所述第二像素开口41裸露出部分所述发光电极21。

具体的，请参阅图3D，首先，可通过沉积、溅射或蒸镀的工艺在所述阵列基板1和所述阳极层2上形成所述像素定义层4，然后，利用一道黄光制程对所述像素定义层4进行图案化处理以形成所述第一像素开口40和所述第二像素开口41。

S402：在所述像素定义层4上形成光刻胶层6。

具体的，请参阅图3E，可通过沉积、溅射或蒸镀的工艺在所述像素定义层4上形成光刻胶层6，所述光刻胶层6覆盖所述像素定义层4、裸露的所述第一辅助阴极22和所述裸露的所述发光电极21。

S403：利用黄光制程对所述光刻胶层6进行图案化处理形成至少一个缺口61，所述缺口61位于所述光刻胶层6与待形成的所述底切开口24对应的区域，所述缺口61裸露出部分所述牺牲电极23。

具体的，请参阅图3F，对所述光刻胶层6进行曝光显影形成所述缺口61。

S404：采用湿法刻蚀工艺蚀刻所述牺牲电极23形成所述底切开口24，所述底切开口24和所述第一像素开口40连通。

具体的，请参阅图3G，在进行湿法蚀刻时，可通过调整刻蚀时长来控制所述底切开口24的大小。

S50：在所述阳极层2上形成阴极3，所述阴极3通过所述底切开口24与所述第一辅助阴极22搭接。

具体的，在所述阳极层2上形成阴极3之前，还包括以下步骤：

S501：控制蒸镀源7的蒸镀角度为第一设定角度a1，在所述像素定义层4、裸露的所述发光电极21和裸露的部分所述第一辅助阴极22上蒸镀形成发光功能层5。

具体的，请参阅图3H，对应于所述底切开口24的所述像素定义层4形成一个隔断部，由于所述隔断部的存在，利用位于所述底切开口24上方的隔断部为掩模，使得所述蒸镀源7的蒸镀材料未覆盖被隔断部遮挡的部分第一辅助阴极22，使得后续所述发光功能层5在隔断部处出现断开现象，进而使得第一辅助阴极22预留了与所述阴极3搭接的部分，为后续所述阴极3直接与所述第一辅助阴极22搭接提供了基础。

可选的，所述第一设定角度a1为逆时针方向的0度～45度，当并不限于此，具体的度数可根据发光功能层5的覆盖范围而定。

S502：调整所述蒸镀源7的蒸镀角度为第二设定角度a2，在所述发光功能层5上形成所述阴极3。

具体的，请参阅图3I，随后，采用蒸镀工艺并调节所述蒸镀源7的蒸镀角度，使阴极材料在蒸镀的过程中覆盖未被所述发光功能层5覆盖的部分所述第一辅助阴极22，以实现所述阴极3与所述第一辅助阴极22搭接。

可以理解的是，所述阴极3通过所述底切开口24与所述第一辅助阴极22搭接，使得所述阴极3和所述第一辅助阴极22形成并联结构，从而减小了所述显示面板100的阴极电阻，达到改善所述显示面板100的电流压降的效果，有利于提升所述显示面板100的亮度均一性。可选的，所述第二设定角度a2为顺时针方向的0度～45度，当并不限于此，具体的度数可根据所述阴极的覆盖范围而定。

有益效果为：本发明实施例提供的显示面板及其制备方法，显示面板包括阵列基板和设于阵列基板上的阳极层和阴极，阳极层包括间隔设置的辅助电极和发光电极，辅助电极至少包括第一辅助阴极和设于第一辅助阴极上的牺牲电极，通过在牺牲电极上设置至少一个底切开口，底切开口裸露出第一辅助阴极，阴极通过底切开口与第一辅助阴极搭接，使得阴极和第一辅助阴极形成并联结构，从而减小阴极电阻，达到改善显示面板的电流压降的效果，有利于提升显示面板亮度均一性。

综上所述，虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本发明，本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。

Claims (8)

1.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括阵列基板和设于所述阵列基板上的阳极层、像素定义层和阴极；

所述阳极层包括同层且间隔设置的辅助电极和发光电极，所述辅助电极至少包括第一辅助阴极和设于所述第一辅助阴极上的牺牲电极，所述牺牲电极包括至少一个底切开口，所述底切开口延伸入所述像素定义层；

所述像素定义层设于所述阵列基板和所述阳极层上，所述像素定义层设有对应于所述辅助电极的第一像素开口；所述第一像素开口连通所述底切开口；

所述底切开口裸露出部分所述第一辅助阴极，所述阴极通过所述底切开口与所述第一辅助阴极搭接；

所述发光电极至少包括第一阳极和设于所述第一阳极上的第二阳极，所述第一阳极和所述第一辅助阴极同层设置，所述第二阳极和所述牺牲电极同层设置；所述第一阳极和所述第一辅助阴极通过同一道黄光制程制备而成，所述第二阳极和所述牺牲电极通过同一道黄光制程制备而成。

2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括发光功能层；

所述像素定义层设有第二像素开口，所述第二像素开口裸露出部分所述发光电极；

所述发光功能层覆盖所述像素定义层、裸露的所述发光电极和裸露的部分所述第一辅助阴极，所述阴极覆盖所述发光功能层和裸露的部分所述第一辅助阴极。

3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述第一像素开口在所述阵列基板上的正投影的一部分落入所述底切开口在所述阵列基板上的正投影内，所述第一像素开口在所述阵列基板上的正投影的另一部分与所述底切开口在所述阵列基板上的正投影不重叠。

4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述阵列基板包括衬底和设于所述衬底上的薄膜晶体管阵列层，所述薄膜晶体管阵列层包括多个薄膜晶体管和第二辅助阴极，所述薄膜晶体管包括源极和漏极，所述第二辅助阴极与所述源极及所述漏极同层设置；

其中，所述第一辅助阴极与所述第二辅助阴极电连接，所述发光电极与所述源极电连接。

5.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述阵列基板还包括钝化层和平坦层，所述钝化层覆盖所述薄膜晶体管阵列层，所述平坦层覆盖所述钝化层；

所述阵列基板还包括辅助电极接触孔和阳极接触孔，所述辅助电极接触孔和所述阳极接触孔均贯穿所述钝化层和所述平坦层，所述第一辅助阴极通过所述辅助电极接触孔与所述第二辅助阴极电连接，所述发光电极通过所述阳极接触孔与所述源极电连接。

6.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一辅助阴极的材料为Ag、Mo、Al、Cu和Mo中的任意一种或多种，所述牺牲电极的材料为透明导电氧化物。

7.一种显示面板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供一阵列基板；

在所述阵列基板上形成阳极层；

利用黄光制程对所述阳极层进行图案化处理以形成同层且间隔设置的辅助电极和发光电极，所述辅助电极至少包括第一辅助阴极和设于所述第一辅助阴极上的牺牲电极；

在所述阵列基板和所述阳极层上形成像素定义层，所述像素定义层形成有第一像素开口和第二像素开口，所述第一像素开口裸露出部分所述牺牲电极，所述第二像素开口裸露出部分所述发光电极；

在所述像素定义层上形成光刻胶层；

利用黄光制程对所述光刻胶层进行图案化处理形成至少一个缺口，所述缺口位于所述光刻胶层与待形成的底切开口对应的区域，所述缺口裸露出部分所述牺牲电极；

采用湿法刻蚀工艺蚀刻所述牺牲电极形成所述底切开口，所述底切开口和所述第一像素开口连通，所述底切开口裸露出部分所述第一辅助阴极；以及

在所述阳极层上形成阴极，所述阴极通过所述底切开口与所述第一辅助阴极搭接。

8.根据权利要求7所述的显示面板的制备方法，其特征在于，在所述阳极层上形成阴极之前，还包括以下步骤：

控制蒸镀源的蒸镀角度为第一设定角度，在所述像素定义层、裸露的所述发光电极和裸露的部分所述第一辅助阴极上蒸镀形成发光功能层；以及

调整所述蒸镀源的蒸镀角度为第二设定角度，在所述发光功能层上形成所述阴极。

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