CN113471337A - 异质结太阳能电池片的制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种异质结太阳能电池片的制备方法，包括：提供半导体衬底；对半导体衬底进行双面制绒处理；对半导体衬底进行双面制绒处理之后，在半导体衬底的正面形成掩膜层；在形成掩膜层之后，对半导体衬底的背面进行腐蚀处理；在进行腐蚀处理之后，清洗半导体衬底的背面，且在清洗半导体衬底的背面的同时去除半导体衬底的正面的掩膜层。本发明的异质结太阳能电池片的制备方法中，双面制绒后单面形成的掩膜层在腐蚀处理后的清洗步骤中去除，无需为去除掩膜单独设置工艺步骤，即可实现半导体衬底的单面腐蚀，形成单面绒面的半导体衬底，工艺简单、流程短。
Description
技术领域
本发明涉及太阳能电池领域，具体涉及一种异质结太阳能电池片的制备方法。
背景技术
太阳能电池具有清洁无污染、可再生、工作性能稳定等优点。根据太阳能电池结构、制备工艺和使用材料的不同，太阳能电池划分为不同的类型。包括：硅基太阳能电池、多元化合物薄膜太阳能电池、聚合物多层修饰电极型太阳能电池、有机太阳能电池等，其中硅基太阳能电池是发展最成熟的，包括P型太阳能电池、N型太阳能电池，例如异质结太阳能电池等。以异质结太阳能电池作为示例，其在N型衬底的一侧或两侧制备半导体层、透明导电层和金属电极形成电池片，接着将多个电池片进行互联并封装形成组件，组件发电后通过逆变器回馈电网。
异质结太阳能电池的制备具体为，以N型硅片为衬底进行两侧面制绒，绒面正面由内到外依次为本征非晶硅薄膜、P型非晶硅薄膜和透明导电氧化物膜；绒面背面由内到外依次为本征非晶硅薄膜、N型非晶硅薄膜和透明导电氧化物膜。异质结太阳能电池制备工艺流程简洁，通过沉积方式形成上述各薄膜结构，再通过丝网印刷工艺在两面最外侧制备金属电极，从而完成制备。
异质结太阳能电池的光电转换效率存在提升空间。
发明内容
因此本发明提供一种异质结太阳能电池片制备方法及异质结太阳能电池片，以提高光电转换效率的问题。
本发明提供一种异质结太阳能电池片的制备方法，包括：提供半导体衬底；对半导体衬底进行双面制绒处理；对半导体衬底进行双面制绒处理之后，在半导体衬底的正面形成掩膜层，掩膜层的材料为耐碱不耐酸的透明导电材料；在形成掩膜层之后，对半导体衬底的背面进行腐蚀处理；在进行腐蚀处理之后，清洗半导体衬底的背面，且在清洗半导体衬底的背面的同时去除掩膜层。
可选的，透明导电材料包括氧化铟锡。
可选的，掩膜层的厚度为10nm-1000nm。
可选的，在双面制绒处理之前，对半导体衬底进行预清洗。
可选的，预清洗液预清洗步骤采用的预清洗液为碱溶液。
可选的，预清洗液为KOH溶液，预清洗液中KOH的质量浓度为2％-10％，预清洗液的温度为60℃-85℃，反应时间为50s-200s。
可选的，对所述半导体衬底进行预清洗的步骤中，半导体衬底表面去除的厚度为4μm-15μm。
可选的，在双面制绒处理之后，在形成掩膜层之前，进行第一次湿式化学清洗。
可选的，双面制绒处理采用的制绒反应液为碱溶液。
可选的，制绒反应液为KOH溶液，制绒反应液中KOH质量浓度为1％-5％，制绒反应液的温度为60℃-85℃；反应时间为300s-550s。
可选的，腐蚀处理包括以下步骤：提供腐蚀液；将半导体衬底的背面设置在腐蚀液的液面上方且朝向腐蚀液的液面；将半导体衬底的背面设置为朝向清洗液的液面之后，自半导体衬底的背面至腐蚀液的液面的方向，将至少部分半导体衬底浸入腐蚀液中，以使半导体衬底的背面完全浸入腐蚀液；将至少部分半导体衬底浸入腐蚀液中之后，半导体衬底的背面在腐蚀液中进行浸泡处理。
可选的，腐蚀液为碱溶液。
可选的，腐蚀液为KOH溶液，腐蚀液中KOH的质量浓度为2％-15％，腐蚀液的温度为50℃-75℃，反应时间为50s-200s。
可选的，在进行腐蚀处理之后，清洗半导体衬底的背面的步骤为，对半导体衬底的背面进行第二次湿式化学清洗，同时去除半导体衬底的正面的掩膜层，以使半导体衬底表面暴露。
可选的，异质结太阳能电池片的制备方法还包括以下步骤：在半导体衬底一侧表面形成第一导电类型半导体层；第一导电类型半导体层的导电类型与半导体衬底的导电类型相反；在半导体衬底另一侧表面形成第二导电类型半导体层；第二导电类型半导体层的导电类型与半导体衬底的导电类型相同；在第一导电类型半导体层背向半导体衬底的一侧形成第一透明导电层，第一透明导电层的材料与所述掩膜层的材料相同；在第二导电类型半导体层背向半导体衬底的一侧形成第二透明导电层，第二透明导电层的材料与所述掩膜层的材料相同。
本发明的有益效果在于：
1.本发明的异质结太阳能电池片的制备方法，通过形成掩膜层保护半导体衬底制绒后的正面的制绒面，对半导体衬底的背面腐蚀处理，之后再去除半导体衬底的正面的掩膜层的方式得到正面制绒背面腐蚀的半导体衬底。因腐蚀处理后半导体衬底表面存在一定的损伤和污垢，必须要进行清洗；而本发明的异质结太阳能电池片的制备方法，双面制绒后单面形成的掩膜层在腐蚀处理后的清洗步骤中去除，无需为去除掩膜单独设置工艺步骤，即可实现半导体衬底的单面腐蚀，形成单面绒面的半导体衬底，工艺简单、流程短。
2.本发明的异质结太阳能电池片的制备方法，掩膜层的材料为透明导电材料。如此一方面可利用产线原有的形成透明导电层的设备完成掩膜层的形成，仅需改变流水线的产品输送路径即可实现本发明的单面腐蚀处理，易于实现；另一方面利用透明导电材料形成掩膜的工艺无需高温条件即可实现，相比于具有扩散工艺步骤的单面腐蚀制程，半导体衬底可以选择更薄的尺寸，有利于太阳能电池片的薄型化。
附图说明
为了更清楚地说明本发明具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明异质结太阳能电池片的制备方法的流程图；
图2为本发明一实施例中的异质结太阳能电池片的制备方法中半导体衬底单面腐蚀处理的流程示意图；
图3为本发明一实施例中的异质结太阳能电池片的半导体衬底完成单面腐蚀处理之后的状态示意图。
附图标记：
1、半导体衬底；11、正面；12、背面。
具体实施方式
本发明提供一种异质结太阳能电池片的制备方法，如图1所示，该方法包括：提供半导体衬底；对半导体衬底进行双面制绒处理；对半导体衬底进行双面制绒处理之后，在半导体衬底的正面形成掩膜层；在形成掩膜层之后，对半导体衬底的背面进行腐蚀处理；在进行腐蚀处理之后，清洗半导体衬底的背面，且在清洗半导体衬底的背面的同时去除半导体衬底的正面的掩膜层。通过这样的异质结太阳能电池片的制备方法以解决太阳能电池单面腐蚀处理复杂流程长的问题。
下面将结合附图对本发明的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
在本发明的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置/设备或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，还可以是两个元件内部的连通，可以是无线连接，也可以是有线连接。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
此外，下面所描述的本发明不同实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合。
实施例1
参考图2-图3，本实施例提供一种异质结太阳能电池片的制备方法，包括依序进行的以下步骤：
S100提供半导体衬底1。
S200预清洗。
S300对半导体衬底1进行双面制绒处理。
S400第一次湿式化学清洗。
S500在半导体衬底1的正面11形成掩膜层。
S600对半导体衬底1的背面12进行腐蚀处理。
S700第二次湿式化学清洗。
以下将对该异质结太阳能电池片的制备方法的各步骤进行详细说明。
S100提供半导体衬底1。
在异质结太阳能电池中，采用的半导体衬底1通常为N型硅片。
S200预清洗。
在本实施例中，步骤S300对半导体衬底1进行双面制绒处理之前，先进行步骤S200预清洗，具体为对半导体衬底1进行预清洗。在双面制绒处理之前预清洗半导体衬底，可去除半导体衬底表面的污垢颗粒和轻微损伤，有利于制绒的均一性，减少制绒的缺陷。具体的，步骤S200预清洗中采用的预清洗液为碱溶液，例如为NaOH溶液、KOH溶液。
在本实施例中，制绒反应液为KOH溶液，预清洗液中KOH的质量浓度为2％-10％，例如可以为2％、4％、6％、8％、10％。预清洗液质量浓度若小于2％，则对半导体衬底表面的污垢颗粒和轻微损伤去除效果不佳；预清洗液质量浓度若大于10％，则反应速度不宜控制，对衬底的腐蚀速度过快。预清洗液的质量浓度在2％-10％的范围内，可以在有效去除半导体衬底表面的污垢颗粒及轻微损伤和尽量少对半导体衬底造成损伤之间取得平衡。
在本实施例中，预清洗液的温度为60℃-85℃，例如可以为60℃、65℃、70℃、75℃、80℃、85℃。预清洗液的温度若小于60℃，则对半导体衬底表面的污垢颗粒和轻微损伤去除效果不佳；预清洗液的温度若大于85℃，则可能对半导体衬底造成损伤。预清洗液的温度在60℃-85℃的范围内，可以在去除半导体衬底表面的污垢颗粒及轻微损伤和尽量少对半导体衬底造成损伤之间取得平衡。
在本实施例中，预清洗的反应时间为50s-200s，例如可以为：50s、100s、150s、200s。反应时间若小于50s，则对半导体衬底表面的污垢颗粒和轻微损伤去除效果不佳；反应时间若大于200s，则腐蚀量过大，降低硅片的厚度，造成不必要的浪费。反应时间在50s-200s的范围内，可以在去除半导体衬底表面的污垢颗粒及轻微损伤和尽量少对半导体衬底材质的浪费之间取得平衡。
在本实施例中，步骤S200中半导体衬底1表面去除的正面和背面的总厚度在4μm-15μm，例如可以为4μm、8μm、12μm、15μm。半导体衬底表面去除的厚度若小于4μm，则对半导体衬底的损伤层去除不完全，P型载流子和N型载流子复合的几率仍较高，易造成电性能的下降；半导体衬底表面去除的厚度若大于15μm，则半导体衬底去除过多，易造成导电性能下降。半导体衬底1表面去除的厚度在4μm-15μm的范围内，可在有效修复损伤和保持半导体衬底性能之间取得平衡。
S300对半导体衬底1进行双面制绒处理。
在本实施例中，步骤S300中双面制绒处理采用的制绒反应液为碱溶液，例如为NaOH溶液、KOH溶液。
在本实施例中，制绒反应液为KOH溶液，制绒反应液中KOH的质量浓度为1％-5％，例如可以为1％、2％、3％、4％、5％。制绒反应液的质量浓度若小于1％，则金字塔形成速度过慢，影响生产效率；制绒反应液的质量浓度若大于5％，则金字塔的结构较差，反射率变高，影响陷光效应。制绒反应液的质量浓度在1％-5％的范围内，可以在保证制绒预期尺寸和生产效率之间取得平衡。
在本实施例中，制绒反应液的温度为60℃-85℃，例如可以为60℃、65℃、70℃、75℃、80℃、85℃。制绒反应液的温度若小于60℃，则使得制绒绒面的金字塔结构数量较少，金字塔结构体积较小，效果不佳；制绒反应液的温度若大于85℃，则工艺技术上比较难实现。制绒反应液的温度在60℃-85℃的范围内，可以在保证制绒预期尺寸和工艺上的可操作性之间取得平衡。
反应时间为300s-550s，例如可以为300s、350s、400s、450s、500s、550s。反应时间若小于300s，则使得制绒形成的金字塔数量不足，效果不佳；反应时间若大于550sec，则可能对金字塔结构的尺寸和形状产生影响。反应时间在300s-550s的范围内，可以在保证制绒产生足够金字塔结构的数量和形成预期尺寸及预期形状之间取得平衡。
S400第一次湿式化学清洗。
在本实施例中，在步骤S300之后，在步骤S500之前，还包括步骤S400第一次湿式化学清洗。具体为，对半导体衬底1整体进行第一次湿式化学清洗，例如RCA标准清洗法，或是使用HF与HCl的混合溶液在室温下清洗60s-120s，其中HF与HCl的混合溶液中各物质的质量比为1:1:5。在双面制绒处理后进行第一次湿式化学清洗半导体衬底1，可去除制绒过程后半导体衬底1表面残留的金属杂质、氧化层和有机物。
S500在半导体衬底1的正面11形成掩膜层。
在步骤S400之后，步骤S500为：在半导体衬底1的正面11形成掩膜层。
在本实施例中，步骤S500中形成的掩膜层可以为耐碱不耐酸的透明导电材料，透明导电材料包括氧化铟锡。如此一方面可利用产线原有的形成透明导电层的设备完成掩膜层的形成，仅需改变流水线的产品输送路径即可实现单面腐蚀处理，易于实现；另一方面利用透明导电材料形成掩膜的工艺无需高温条件即可实现，相比于具有扩散工艺步骤的单面腐蚀制程，半导体衬底可以选择更薄的尺寸，有利于太阳能电池片的薄型化。掩膜层的膜厚通常比较小，不会明显增加材料成本。
在本实施例中，步骤S500中形成的掩膜层的厚度为10nm-1000nm，例如可以为10nm、50nm、100nm、200nm、400nm、600nm、800nm、100nm。掩膜层的厚度若小于10nm，则易脱落或损伤，对半导体衬底正面的保护力度不佳；掩膜层的厚度若大于1000nm，则后续清洗工艺中需要更高的条件或更长的反应时间来去除，同时对掩膜层原材料来说也是一种浪费；掩膜层的厚度在10nm-1000nm的范围内，可以在对太阳能电池片的制绒面进行有效保护和有利于后续清洗工艺中去除之间取得平衡。
S600对半导体衬底1的背面12进行腐蚀处理。
在本实施例中，步骤S600腐蚀处理包括以下步骤：
提供腐蚀液，腐蚀液为碱溶液。
将半导体衬底1的背面12设置在腐蚀液的液面上方且朝向腐蚀液的液面。
将半导体衬底1的背面12设置为朝向清洗液的液面之后，自半导体衬底1的背面至腐蚀液的液面的方向，将至少部分半导体衬底1浸入腐蚀液中，以使半导体衬底1的背面12完全浸入腐蚀液。
将至少部分半导体衬底1浸入腐蚀液中之后，半导体衬底的背面12在腐蚀液中进行浸泡处理。
通过这样的腐蚀处理的方式，使得半导体衬底1的背面12完全浸入清洗液，半导体衬底1的背面12能够得到充分的处理；并且半导体衬底1浸入清洗液浸泡的清洗方式操作简单。
具体的，腐蚀液为碱溶液，例如可以为NaOH溶液、KOH溶液。在本实施例中，腐蚀液为KOH溶液，腐蚀液的质量浓度为2％-15％，例如可以为2％、5％、8％、10％、15％。腐蚀液的质量浓度若小于1％，则反应速率较低，腐蚀效果不佳；腐蚀液的质量浓度若大于5％，则可能对半导体衬底造成损伤。腐蚀液的质量浓度在2％-15％的范围内，可以在较佳的腐蚀效果和尽量少对半导体衬底造成损伤之间取得平衡。
腐蚀液的温度为50℃-75℃，例如可以为50℃、55℃、60℃、65℃、70℃、75℃。腐蚀液的温度若小于50℃，则反应速率较低，腐蚀效果不佳；腐蚀液的温度若大于75℃，则碱液腐蚀的各向异性增强，腐蚀效果不佳。腐蚀液的温度在50℃-75℃的范围内，可以取得较好的腐蚀效果。
反应时间为50s-200s，例如可以为50s、100s、150s、200s。反应时间若小于50s，则反应不充分，腐蚀效果不佳；反应时间若大于200s，则腐蚀量过大，对半导体衬底造成不必要的浪费。反应时间在50s-200s的范围内，可以在较佳的腐蚀效果和尽量少对半导体衬底的浪费之间取得平衡。
S700第二次湿式化学清洗。
步骤S600腐蚀处理之后的步骤S700第二次湿式化学清洗具体为：使用RCA标准清洗法清洗半导体衬底1的背面12，且同时去除正面11的掩膜层。进一步的，包括依次进行的以下几个子步骤：
使用第一洗液清洗半导体衬底1，第一洗液为HF溶液，第一洗液中HF的质量浓度为5％；第一洗液的温度为20℃-30℃；本子步骤中清洗时间为60s-120s。
上述子步骤后，使用第二洗液清洗半导体衬底1，第二洗液为NH4OH和H2O2的混合溶液，其中第二洗液中各物质的质量比为NH4OH:H2O2:H2O＝1:1:5；第二洗液的温度为50℃-75℃，本子步骤中清洗时间为100s-300s。
上述子步骤后，使用第三洗液清洗半导体衬底1，第三洗液为HCl与H2O2的混合溶液，其中第三洗液中各物质的质量比为HCl:H2O2:H2O＝1:1:6；第三洗液的温度为50℃-75℃，本子步骤中清洗时间为100s-300s。
上述子步骤后，使用第一洗液再次清洗半导体衬底1；第一洗液的温度为20℃-30℃；本子步骤中清洗时间为60s-120s。
上述子步骤后，使用H2O清洗半导体衬底1。
上述子步骤后，对半导体衬底1进行烘干。
如此通过第二次湿式化学清洗在清洗半导体衬底1的背面12的同时去除正面11的掩膜层，以使半导体衬底1的正面11的制绒面暴露。
上述的湿式化学清洗，可以在槽式清洗机构中完成，这里不再详述。
本实施例的异质结太阳能电池片的制备方法，通过形成掩膜层保护半导体衬底1制绒后的正面11的制绒面，对半导体衬底1的背面12腐蚀处理，之后再在清洗背面12的同时去除掩膜层的方式得到正面11制绒背面12腐蚀的半导体衬底1。通常情况下，因腐蚀处理后半导体衬底1表面存在一定的损伤和污垢，必须要进行清洗。本实施例的异质结太阳能电池片的制备方法，双面制绒后单面形成的掩膜层在腐蚀处理后的清洗步骤中去除，无需为去除掩膜单独设置工艺步骤，即可实现半导体衬底1的单面腐蚀，形成正面11为绒面且背面12为腐蚀的半导体衬底1，工艺简单、流程短。
将半导体衬底制绒后进行单面腐蚀，将腐蚀面作为异质结太阳能电池的背面使用，这样由于大量去除了半导体衬底背面的表面缺陷，使得表面更加平整，表面积得到降低，而通常P型层一侧作为异质结太阳能电池的背面一侧，如此可以使得在异质结太阳能电池背面一侧P型的载流子和N型的载流子之间的复合速率降低，从而可以提高异质结太阳能电池的开路电压和短路电流，进而可提高异质结太阳能电池的光电转化效率。
在本实施例中，制备异质结太阳能电池的工艺在完成上述步骤后还包括以下步骤：
在半导体衬底一侧表面形成第一钝化层。
在半导体衬底另一侧表面形成第二钝化层。
在第一钝化层背向半导体衬底一侧表面形成第一导电类型半导体层；第一导电类型半导体层的导电类型与半导体衬底的导电类型相反。
在第二钝化层背向半导体衬底一侧表面形成第二导电类型半导体层；第二导电类型半导体层的导电类型与半导体衬底的导电类型相同。
在第一导电类型半导体层背向半导体衬底的一侧形成第一透明导电层。
在第二导电类型半导体层背向半导体衬底的一侧形成第二透明导电层。
在第一透明导电层背向半导体衬底的一侧表面形成第一栅线电极。
在第二透明导电层背向半导体衬底的一侧表面形成第二栅线电极。
其中，第一透明导电层与掩膜层的材料相同；第二透明导电层与掩膜层的材料相同。
在现有的异质结太阳能电池领域中，要实现单面腐蚀通常需在制绒步骤后进行扩散工艺，以扩散工艺形成的膜层作为掩膜实现单面腐蚀。但扩散工艺通常需要高温实现，温度越高，半导体衬底内部应力越大，同时高温引发作为半导体衬底的硅片的形变也越大，更容易引起硅片碎裂，因此扩散工艺需要半导体衬底本身具有足够的厚度，对异质结太阳能电池的薄型化不利。并且，扩散工艺与异质结太阳能电池制作工艺中的其他步骤相比温度较高，需额外增加机台和工序，使得单面腐蚀处理整体较为复杂，流程较长。相对现有方法，本实施例的异质结太阳能电池片的制备方法，单面腐蚀处理简单、流程较短。
利用本发明的异质结太阳能电池片的制备方法，通过单面制绒腐蚀的半导体衬底制备异质结太阳能电池，这样的异质结太阳能电池借由单面腐蚀处理大量去除了半导体衬底1的背面12的表面缺陷，使得背面12的表面更加平整，相比于不平整的表面，半导体衬底1的背面12的表面积得到降低，可以使得在异质结太阳能电池背面12一侧P型载流子和N型载流子之间的复合速率降低，从而可以提高异质结太阳能电池的开路电压和短路电流，进而可提高异质结太阳能电池的光电转化效率。并且，该掩膜层的形成可利用生产异质结太阳能电池的产线中原有的形成透明导电层的设备完成，仅需调整产线中的待加工件的工艺顺序或输送路径即可实现单面腐蚀处理，无需增加新的处理设备，有利于节省成本。
显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明所作的举例，而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本发明创造的保护范围之中。
Claims (10)
1.一种异质结太阳能电池片的制备方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底；
对所述半导体衬底进行双面制绒处理；
对所述半导体衬底进行双面制绒处理之后，在所述半导体衬底的正面形成掩膜层，所述掩膜层的材料为耐碱不耐酸的透明导电材料；
在形成所述掩膜层之后，对所述半导体衬底的背面进行腐蚀处理；
在进行腐蚀处理之后，清洗所述半导体衬底的背面，且在清洗所述半导体衬底的背面的同时去除所述掩膜层。
2.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池片的制备方法，其特征在于，所述透明导电材料包括氧化铟锡。
3.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池片的制备方法，其特征在于，所述掩膜层的厚度为10nm-1000nm。
4.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池片的制备方法，其特征在于，还包括：
在所述双面制绒处理之前，对所述半导体衬底进行预清洗；
优选的，所述预清洗的步骤采用的预清洗液为碱溶液，更优选的，所述预清洗液为KOH溶液，所述预清洗液中KOH的质量浓度为2％-10％，所述预清洗液的温度为60℃-85℃，反应时间为50s-200s；
优选的，所述对所述半导体衬底进行预清洗的步骤中，所述半导体衬底表面去除的总厚度为4μm-15μm。
5.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池片的制备方法，其特征在于，在所述双面制绒处理之后，在形成所述掩膜层之前，进行第一次湿式化学清洗。
6.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池片的制备方法，其特征在于，所述双面制绒处理采用的制绒反应液为碱溶液；
优选的，所述制绒反应液为KOH溶液，所述制绒反应液中KOH的质量浓度为1％-5％，所述制绒反应液的温度为60℃-85℃；制绒反应时间为300s-550s。
7.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池片的制备方法，其特征在于，
所述腐蚀处理包括以下步骤：
提供腐蚀液；
将所述半导体衬底的背面设置在所述腐蚀液的液面上方且朝向所述腐蚀液的液面；
将所述半导体衬底的背面设置为朝向所述清洗液的液面之后，自所述半导体衬底的背面至所述腐蚀液的液面的方向，将至少部分所述半导体衬底浸入所述腐蚀液中，以使所述半导体衬底的背面完全浸入所述腐蚀液；
将至少部分所述半导体衬底浸入所述腐蚀液中之后，所述半导体衬底的背面在所述腐蚀液中进行浸泡处理。
8.根据权利要求7所述的异质结太阳能电池片的制备方法，其特征在于，
所述腐蚀液为碱溶液，所述腐蚀液包括KOH溶液；
优选的，所述腐蚀液中KOH的质量浓度为2％-15％，所述腐蚀液的温度为50℃-75℃，反应时间为50s-200s。
9.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池片的制备方法，其特征在于，
所述在进行腐蚀处理之后，清洗所述半导体衬底的背面步骤为：对所述半导体衬底的背面进行第二次湿式化学清洗，同时去除所述半导体衬底的正面的所述掩膜层。
10.根据权利要求1-9任一项所述的异质结太阳能电池片的制备方法，其特征在于，还包括以下步骤：
在所述半导体衬底一侧表面形成第一导电类型半导体层；所述第一导电类型半导体层的导电类型与所述半导体衬底的导电类型相反；
在所述半导体衬底另一侧表面形成第二导电类型半导体层；所述第二导电类型半导体层的导电类型与所述半导体衬底的导电类型相同；
在所述第一导电类型半导体层背向所述半导体衬底的一侧形成第一透明导电层，所述第一透明导电层的材料与所述掩膜层的材料相同；
在所述第二导电类型半导体层背向所述半导体衬底的一侧形成第二透明导电层，所述第二透明导电层的材料与所述掩膜层的材料相同。
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