CN113466251B - 一种设备检测方法及*** - Google Patents
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Abstract
本申请实施例提供一种设备检测方法及***;其中,方法包括:获取所述目标设备的腔体内预定区域的第一光强谱图;在所述目标设备完成N次处理任务时,获取所述预定区域的第二光强谱图;其中,N为自然数;根据所述第一光强谱图和所述第二光强谱图,检测所述目标设备的腔体洁净度。通过本申请实施例提供的设备检测方法,能够在没有工件的情况下对目标设备的腔体进行洁净度检测,并且能够检测到腔体内部的全部区域,提高了检测效率和检测准确性。
Description
技术领域
本申请实施例涉及半导体设备,涉及但不限于一种设备检测方法及***。
背景技术
相关技术中,半导体设备的腔室在进行各种工艺过程时会将污染物留在腔室内,例如,在半导体设备中进行沉积工艺时,沉积物不仅会沉积在工件上,还会沉积在腔室的内壁和腔室的其他部件上。在内壁和其他部件上的沉积物可能裂开或剥落,使得污染物掉落在工件上,使得工件损坏无法使用。因此,提供一种能够检测半导体设备腔室内部洁净度的方法是迫切需要解决的问题。
发明内容
有鉴于此,本申请实施例提供一种设备检测方法及***。
第一方面,本申请实施例提供一种设备检测方法,所述方法用于检测目标设备,所述方法包括:
获取所述目标设备的腔体内预定区域的第一光强谱图;
在所述目标设备完成N次处理任务时,获取所述预定区域的第二光强谱图;其中,N为自然数;
根据所述第一光强谱图和所述第二光强谱图,检测所述目标设备的腔体洁净度。
在一些实施例中,在获取所述第一光强谱图之前,所述方法还包括:
通过预设划分方式对所述目标设备的腔体内壁进行划分,以得到多个所述预定区域;
其中,所述预设划分方式至少包括:等面积划分或等间距划分。
在一些实施例中,所述获取所述预定区域的第二光强谱图,包括:
将光源发出的发射光发射至所述目标设备腔体内的每一所述预定区域;
接收所述发射光在每一所述预定区域所折射出的折射光,根据所述折射光得到每一所述预定区域的所述第二光强谱图。
在一些实施例中,所述根据所述第一光强谱图和所述第二光强谱图,检测所述目标设备的腔体洁净度,包括:
对每一所述预定区域的所述第一光强谱图和所述第二光强谱图进行分析;
当某一所述预定区域的所述第一光强谱图和所述第二光强谱图不同时,发出针对所述第一光强谱图和所述第二光强谱图不同的预定区域的洁净度异常提示。
在一些实施例中,所述发出针对所述第一光强谱图和所述第二光强谱图不同的预定区域的洁净度异常提示,包括:
发出针对所述第一光强谱图和所述第二光强谱图不同的预定区域的异常语音提示或异常文字提示。
在一些实施例中,所述方法还包括:
当每一所述预定区域的所述第一光强谱图和所述第二光强谱图均不同时,对所述光源发出的发射光进行敏感度检测。
在一些实施例中,所述对所述光源发出的发射光进行敏感度检测,包括:
所述目标设备对同一任务处理对象执行至少两次处理任务,在每一处理任务完成后,获取所述任务处理对象的第三光强谱图;
根据至少两个所述第三光强谱图之间的相似度,对所述光源发出的发射光进行检测。
在一些实施例中,所述根据每两个所述第三光强谱图之间的相似度,对所述光源发出的发射光进行检测,包括:
当每两个所述第三光强谱图之间的相似度高于相似度阈值时,确定所述光源发出的发射光正常;或,
当每两个所述第三光强谱图之间的相似度低于或等于相似度阈值时,确定所述光源发出的发射光异常,并发出光源异常提示。
第二方面,本申请实施例提供一种设备检测***,所述设备检测***至少包括:
光谱仪,用于在目标设备完成N次处理任务时,形成所述目标设备的腔体内预定区域的第二光强谱图;
分析设备,与所述光谱仪电连接,用于接收所述目标设备的腔体内预定区域的第一光强谱图和第二光强谱图,并根据所述第一光强谱图和所述第二光强谱图,对所述目标设备的腔体洁净度进行检测。
在一些实施例中,所述设备检测***还包括:
光源,与所述光谱仪电连接,用于发出发射光;
透镜***,与所述光源电连接,用于将所述光源发出的发射光折射至每一所述预定区域;
光信号接收器,与所述光谱仪电连接,用于接收发射光在每一所述预定区域所折射出的折射光,并将所述折射光的光信号传输至所述光谱仪。
在一些实施例中,所述透镜***包括至少两个变焦透镜;每一所述变焦透镜用于将光源发出的发射光折射至某一所述预定区域。
在一些实施例中,所述设备检测***还包括:***控制器;
所述***控制器分别与所述光谱仪和所述分析设备电连接,用于控制所述设备检测***对所述目标设备进行腔体洁净度检测。
在一些实施例中,所述设备检测***还包括:异常提示结构;
所述异常提示结构,位于所述分析设备内,用于当某一所述预定区域的所述第一光强谱图和所述第二光强谱图不同,或所述光源发出的发射光异常时,发出异常语音提示或异常文字提示。
在一些实施例中,所述预定区域至少位于所述目标设备腔体的内底板、内侧壁或内顶板。
在一些实施例中,所述目标设备为量测设备或工艺设备。
根据本申请实施例提供的设备检测方法及***,获取目标设备腔体内预定区域的第一光强谱图,和执行N次处理任务后,目标设备腔体内预定区域的第二光强谱图,对第一光强谱图和第二光强谱图进行对比,来检测目标设备的腔体洁净度。如此,通过本申请实施例提供的设备检测方法,能够在没有工件的情况下对目标设备的腔体进行洁净度检测,并且能够检测到腔体内部的全部区域,提高了检测效率和检测准确性。
附图说明
在附图(其不一定是按比例绘制的)中,相似的附图标记可在不同的视图中描述相似的部件。具有不同字母后缀的相似附图标记可表示相似部件的不同示例。附图以示例而非限制的方式大体示出了本文中所讨论的各个实施例。
图1至图6是本申请实施例提供的设备检测方法的一种可选的流程示意图;
图7至图10是本申请实施例提供的设备检测***的一种可选的结构示意图;
图11是本申请实施例提供的设备检测方法的一种可选的流程示意图;
图12是本申请实施例提供的量测机台腔体底部区域划分和对应的光强谱图示意图。
具体实施方式
为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请的具体技术方案做进一步详细描述。以下实施例用于说明本申请,但不用来限制本申请的范围。
在下文的描述中,给出了大量具体的细节以便提供对本申请更为彻底的理解。然而,对于本领域技术人员而言显而易见的是,本申请可以无需一个或多个这些细节而得以实施。在其他的例子中,为了避免与本申请发生混淆,对于本领域公知的一些技术特征未进行描述;即,这里不描述实际实施例的全部特征,不详细描述公知的功能和结构。
在附图中,为了清楚,层、区、元件的尺寸以及其相对尺寸可能被夸大。自始至终相同附图标记表示相同的元件。
应当明白,当元件或层被称为“在……上”、“与……相邻”、“连接到”或“耦合到”其它元件或层时,其可以直接地在其它元件或层上、与之相邻、连接或耦合到其它元件或层,或者可以存在居间的元件或层。相反,当元件被称为“直接在……上”、“与……直接相邻”、“直接连接到”或“直接耦合到”其它元件或层时,则不存在居间的元件或层。应当明白,尽管可使用术语第一、第二、第三等描述各种元件、部件、区、层和/或部分,这些元件、部件、区、层和/或部分不应当被这些术语限制。这些术语仅仅用来区分一个元件、部件、区、层或部分与另一个元件、部件、区、层或部分。因此,在不脱离本申请教导之下,下面讨论的第一元件、部件、区、层或部分可表示为第二元件、部件、区、层或部分。而当讨论的第二元件、部件、区、层或部分时,并不表明本申请必然存在第一元件、部件、区、层或部分。
空间关系术语例如“在……下”、“在……下面”、“下面的”、“在……之下”、“在……之上”、“上面的”等,在这里可为了方便描述而被使用从而描述图中所示的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。应当明白,除了图中所示的取向以外,空间关系术语意图还包括使用和操作中的器件的不同取向。例如,如果附图中的器件翻转,然后,描述为“在其它元件下面”或“在其之下”或“在其下”元件或特征将取向为在其它元件或特征“上”。因此,示例性术语“在……下面”和“在……下”可包括上和下两个取向。器件可以另外地取向(旋转90度或其它取向)并且在此使用的空间描述语相应地被解释。
在此使用的术语的目的仅在于描述具体实施例并且不作为本申请的限制。在此使用时,单数形式的“一”、“一个”和“所述/该”也意图包括复数形式,除非上下文清楚指出另外的方式。还应明白术语“组成”和/或“包括”,当在该说明书中使用时,确定所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或部件的存在,但不排除一个或更多其它的特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或组的存在或添加。在此使用时,术语“和/或”包括相关所列项目的任何及所有组合。
相关技术中,随着半导体的线宽逐渐变小,对机台自身掉落微粒的容忍度也越来越小,通常是通过量测机台来测量在工艺处理之前和工艺处理之后工件表面缺陷的增加数量,来判定是否存在微粒掉落的情况。例如:相关技术通过量测机台对工件(可以是晶圆)进行三次扫描,对三次扫描后的图像进行对比,通过计算每一次扫描后晶圆表面增加的缺陷数量,来判断量测机台是否掉落微粒,也就是说,相关技术中只能在有工件的情况下对量测机台进行微粒掉落的检测,这样会使得对量测机台进行微粒掉落检测时存在盲区,无法检测量测机台的全部区域是否有微粒掉落。
基于相关技术中存在的问题,本申请实施例提供一种设备检测方法,通过获取目标设备腔体内预定区域的第一光强谱图,和执行N次处理任务后,目标设备腔体内预定区域的第二光强谱图,对第一光强谱图和第二光强谱图进行对比,来检测目标设备的腔体洁净度。如此,通过本申请实施例提供的设备检测方法,能够在没有工件的情况下对目标设备的腔体进行洁净度检测,并且能够检测到腔体内部的全部区域,提高了检测效率和检测准确性。
图1是本申请实施例提供的设备检测方法的一种可选的流程示意图,如图1所示,本申请实施例提供的设备检测方法可以通过以下步骤实现:
步骤S101、获取所述目标设备的腔体内预定区域的第一光强谱图。
在本申请实施例中,目标设备具有一腔体,目标设备在对工件执行工件处理任务时,工艺步骤都在腔体内完成。这里,工件可以是指目标设备可以进行工艺处理的待处理结构,例如:晶圆。
在一些实施例中,腔体内的预定区域可以是技术人员根据腔体结构进行划分的,预定区域至少位于目标设备腔体的内底板、内侧壁或内顶板,以使得腔体中的全部区域都能够通过本申请实施例提供的设备检测方法进行洁净度检测,不存在无法检测的盲区。
需要说明的是,本申请实施例中的光强谱图可以是通过光谱仪测得的。
在一些实施例中,第一光强谱图可以是目标设备在还未进行任务处理时,通过光谱仪测得的每一预定区域的光强谱图。但是由于目标设备在执行过工艺任务后,腔体内表面的材质会缓慢的发生变化,导致腔体内每一预定区域的光强谱图也会发生变化,因此,第一光强谱图也可以是每一次生产维护(Productive Maintenance,PM)之后,通过光谱仪测量得到的每一预定区域的光强谱图。
步骤S102、在所述目标设备完成N次处理任务时,获取所述预定区域的第二光强谱图;其中,N为自然数。
在一些实施例中,处理任务是指工件在目标设备中完成的工艺处理任务,例如:沉积工艺。第二光强谱图是指目标设备完成N次处理任务之后,目标设备中每一预定区域的光强谱图,N的数值可以是技术人员设置的,本申请实施例不作限制。这里,第二光强谱图可以是通过光谱仪测得的。
步骤S103、根据所述第一光强谱图和所述第二光强谱图,检测所述目标设备的腔体洁净度。
在一些实施例中,检测目标设备的腔体洁净度是指检测目标设备的腔内是否具有颗粒或污染物。目标设备中的微粒或污染物可以是来源于目标设备腔室内壁上掉落的颗粒、目标设备腔内的部件上掉落的颗粒,或者在进行设备维修时,技术人员通过无尘布对目标设备腔体内壁进行擦拭时残留的纤维等。
在一些实施例中,根据第一光强谱图和第二光强谱图检测目标设备的腔体洁净度,是指通过判断每一预定区域的第一光强谱图和第二光强谱图之间是否存在差异,当某一区域的第二光强谱图与第一光强谱图不同时,说明该区域存在微粒或其他污染物。
本申请实施例通过获取目标设备腔体内预定区域的第一光强谱图,和执行N次处理任务后,目标设备腔体内预定区域的第二光强谱图,对第一光强谱图和第二光强谱图进行对比,来检测目标设备的腔体洁净度。如此,通过本申请实施例提供的设备检测方法,能够在没有工件的情况下对目标设备的腔体进行洁净度检测,并且能够检测到腔体内部的全部区域,提高了检测效率和检测准确性。
在一些实施例中,为了能够更加准确的检测目标设备的腔体洁净度,可以对目标设备的腔体内壁进行区域划分。基于上述实施例,图2是本申请实施例提供的设备检测方法的一种可选的流程示意图,如图2所示,在步骤S101之前,本申请实施例还可以具有以下步骤:
步骤S201、通过预设划分方式对所述目标设备的腔体内壁进行划分,以得到多个所述预定区域;其中,所述预设划分方式至少包括:等面积划分或等间距划分。
在一些实施例中,对目标设备的腔体内壁进行区域划分,可以根据目标设备腔体内部的结构来选择划分方式。例如:当目标设备的腔体内壁较为平整时,可以通过等面积划分或等间距划分的方式对目标设备的腔体内壁进行划分,得到面积相同或者间距相同的预定区域;当目标设备的内部组件较多或者内部组件的结构较为复杂时,可以根据内部组件的结构对腔体内壁进行划分,得到每一组件对应的预定区域,以使得腔体内壁的全部区域都能够获取到光强谱图。
本申请实施例通过预设的划分方式对目标设备的腔体内壁进行划分,使得腔体内壁的全部区域都能进行洁净度检测,避免了在对目标设备进行洁净度检测时存在检测盲区,提高了目标设备洁净度检测的准确性。
基于上述实施例,图3是本申请实施例提供的设备检测方法的一种可选的流程示意图,如图3所示,步骤S102中的获取预定区域的第二光强谱图可以通过以下步骤完成:
步骤S301、将光源发出的发射光发射至所述目标设备腔体内的每一所述预定区域。
步骤S302、接收所述发射光在每一所述预定区域所折射出的折射光,根据所述折射光得到每一所述预定区域的所述第二光强谱图。
在本申请实施例中,对目标设备进行洁净度检测的***中可以设置有发出发射光的光源和接受光信号的光信号接收器,在获取光强谱图时,将光源发出的发射光发射至目标设备腔体内的每一预定区域,每一预定区域对发射光进行折射,光信号接收器接收每一预定区域折射出的折射光,光谱仪与光信号接收器连接,光谱仪根据折射光生成目标设备在进行任务处理后的每一预定区域的第二光强谱图。
本申请实施例通过光谱仪接收每一预定区域的折射光,通过光谱仪生成目标设备在进行任务处理后的每一预定区域的第二光强谱图,使得获取的第二光强谱图能够与第一光强谱图进行比较,得到每一区域的洁净度。
基于上述实施例,图4是本申请实施例提供的设备检测方法的一种可选的流程示意图,如图4所示,步骤S103可以通过以下步骤实现:
步骤S401、对每一所述预定区域的所述第一光强谱图和所述第二光强谱图进行分析。
在一些实施例中,对目标设备进行洁净度检测的***中还可以设置有分析设备,分析设备用于接收每一预定区域对应的第一光强谱图和第二光强谱图,并通过对比第一光强谱图和第二光强谱图之间是否具有差异,来对目标设备的腔体洁净度进行检测。
步骤S402、当某一所述预定区域的所述第一光强谱图和所述第二光强谱图不同时,发出针对所述第一光强谱图和所述第二光强谱图不同的预定区域的洁净度异常提示。
在一些实施例中,当目标设备腔体内壁中全部预定区域中的某一预定区域的第二光强谱图与该预定区域的第一光强谱图不同时,说明该区域具有颗粒或污染物。
在一些实施例中,分析设备中可以设置有异常提示结构,当某一预定区域的第二光强谱图与该预定区域的第一光强谱图不同时,异常提示结构可以针对该预定区域发出异常提示来对技术人员进行提示。
在一些实施例中,分析设备中还可以设置有显示面板和语音单元,当异常提示结构需要发出异常提示时,可以通过显示面板显示异常文字提示,文字提示中至少包括:出现问题的区域和问题描述;当异常提示结构需要发出异常提示时,也可以通过语音单元发出异常语音提示,语音提示可以是“嘀嘀”声,也可以是通过语音对出现问题的区域和出现的问题进行语音播报,本申请实施例还可以提供其他可行的异常提示方案,本申请实施例对此不作限制。
步骤S403、当每一所述预定区域的所述第一光强谱图和所述第二光强谱图均不同时,对所述光源发出的发射光进行敏感度检测。
在一些实施例中,如果目标设备中每一个预定区域的第二光强谱图与第一光强谱图都不相同时,此时,不仅需要对目标设备中每一个预定区域进行检查,还需要检查光源发出的发射光是否出现异常,需要对光源发出的发射光进行敏感度检测。
在一些实施例中,图5是本申请实施例提供的设备检测方法的一种可选的流程示意图,如图5所示,对发射光进行敏感度检测可以通过以下步骤实现:
步骤S501、所述目标设备对同一任务处理对象执行至少两次处理任务,在每一处理任务完成后,获取所述任务处理对象的第三光强谱图。
在一些实施例中,可以对同一个工件进行多次任务处理,获取每一次任务处理后工件的第三光强谱图,通过对每一次任务处理后工件的第三光强谱图进行比对,来对光源发出的光进行敏感度检测,如果每一次任务处理后工件的第三光强谱图之间的差异很小,说明光源发出的光正常。
需要说明的是,对同一任务处理对象执行至少两次处理任务,是指对同一工件执行两次相同的处理任务。
步骤S502、根据至少两个所述第三光强谱图之间的相似度,对所述光源发出的发射光进行检测。
在一些实施例中,图6是本申请实施例提供的设备检测方法的一种可选的流程示意图,如图6所示,根据第三光强谱图之间的相似度对发射光进行检测可以通过以下步骤实现:
步骤S601、当每两个所述第三光强谱图之间的相似度高于相似度阈值时,确定所述光源发出的发射光正常。
这里,相似度阈值可以是技术人员根据目标设备的情况设置的,当目标设备为新设备或目标设备的腔室内部没有明显的老化现象时,可以将相似度阈值的数值设置的相对较高,例如:95%,在相似度大于95%的情况下,确定光源发出的发射光正常。
或者,当目标设备的腔室内部有明显的老化现象时,目标设备每执行一次处理任务,设备内部可能会发生细微的变化而导致光强谱图发生变化,因此,在这种情况下可以将目标设备的相似度阈值的数值设置的相对较低,例如:80%,在相似度大于80%的情况下,确定光源发出的发射光正常。
在一些实施例中,在进行发射光敏感度检查时,会获取至少两个第三光强谱图,需要对第三光强谱图进行两两对比,当每两个第三光强谱图之间的相似度高于相似度阈值时,确定光源发出的发射光正常。
步骤S602、当每两个所述第三光强谱图之间的相似度低于或等于相似度阈值时,确定所述光源发出的发射光异常,并发出光源异常提示。
在一些实施例中,如果每两个第三光强谱图之间的相似度低于或等于相似度阈值时,确定光源发出的发射光异常,可以通过分析设备的异常提示结构,发出异常语音提示或异常文字提示。
本申请实施例通过第三光强谱图,对光源进行敏感度检测,避免了因为光源异常而导致目标设备的洁净度检测不准确的问题,提高了洁净度检测的准确性。
根据上述实施例,本申请实施例提供一种设备检测***,该设备检测***用于对目标设备进行洁净度检测,图7是本申请实施例提供的设备检测***的一种可选的结构示意图,如图7所示,本申请实施例提供的设备检测***700至少包括:
光谱仪701,用于在目标设备703完成N次处理任务时,形成所述目标设备的腔体内预定区域的第二光强谱图。
分析设备702,与所述光谱仪701电连接,用于接收所述目标设备703的腔体内预定区域的第一光强谱图和第二光强谱图,并根据所述第一光强谱图和所述第二光强谱图,对所述目标设备703的腔体洁净度进行检测。
在一些实施例中,图8是本申请实施例提供的设备检测***的一种可选的结构示意图,如图8所示,设备检测***700还包括:
光源704,与所述光谱仪701电连接,用于发出发射光;
透镜***705,与所述光源704电连接,用于将所述光源704发出的发射光折射至每一所述预定区域;
光信号接收器706,与所述透镜***704电连接,用于接收发射光在每一所述预定区域所折射出的折射光,并将所述折射光的光信号传输至所述光谱仪701。
在一些实施例中,透镜***包括至少两个变焦透镜;每一变焦透镜用于将光源发出的发射光折射至某一预定区域。也就是说,本申请实施例提供的透镜***可以将统一光源发出的发射光通过变焦透镜折射至目标设备腔内的每一个预定区域,使得本申请实施例提供的设备检测***能够减少检测盲区,提高设备检测的准确性。
在一些实施例中,图9是本申请实施例提供的设备检测***的一种可选的结构示意图,如图9所示,所述设备检测***还包括:***控制器707;该***控制器707分别与光谱仪701和分析设备702电连接,用于控制设备检测***700对所述目标设备703进行腔体洁净度检测。
在一些实施例中,图10是本申请实施例提供的设备检测***的一种可选的结构示意图,如图10所示,所述设备检测***还包括:异常提示结构7021,位于所述分析设备702内,用于当某一所述预定区域的所述第一光强谱图和所述第二光强谱图不同,或所述光源704发出的发射光异常时,发出异常语音提示或异常文字提示。
在一些实施例中,预定区域至少位于目标设备腔体的内底板、内侧壁或内顶板。
在一些实施例中,目标设备为量测设备或工艺设备。
根据本申请实施例提供的设备检测***,通过***中的光谱仪获取目标设备腔体内预定区域的第一光强谱图,和执行N次处理任务后,目标设备腔体内预定区域的第二光强谱图,通过分析设备对第一光强谱图和第二光强谱图进行对比,来检测目标设备的腔体洁净度。如此,通过本申请实施例提供的设备检测***,能够在没有工件的情况下对目标设备的腔体进行洁净度检测,并且能够检测到腔体内部的全部区域,提高了检测效率和检测准确性。
下面将说明本申请实施例在一个实际的应用场景中的示例性应用。
图11是本申请实施例提供的设备检测方法的一种可选的流程示意图,如图11所示,本申请实施例提供的设备检测方法可以通过以下步骤实现:
步骤S111、根据量测机台腔体的结构,将腔体内壁划分为N个区域。
步骤S112、获取所述量测机台的腔体内壁中N个区域的标准光强谱图。
步骤S113、在所述量测机台执行固定数量的任务后,所述量测机台的腔体中N个区域进行自检,得到自检光强谱图。
步骤S114、通过对所述标准光强谱图和所述自检光强谱图进行对比,判断所述量测机台是否具有异常。
在一些实施例中,标准光强谱图(即第一光强谱图)可以是量测机台(即目标设备)的厂商提供的,也可以是技术人员自己检测的。
在一些实施例中,将腔体内壁划分为N个区域可以是技术人员划分任意数量的区域,图12是本申请实施例提供的量测机台腔体底部区域划分和对应的光强谱图示意图,如图12所示,将量测机台腔体底部划分为3个区域,分别是A1、A2和A3,分别获取A1、A2和A3区域的标准光强谱图,和执行固定数量的任务后每一区域的自检光强谱图(即第二光强谱图)。
从图12中可以看出,A1区域的标准光强谱图A11与A1区域的自检光强谱图A12几乎重叠,相似度较高,因此可以确定A1区域无异常;A2区域的标准光强谱图A21与A2区域的自检光强谱图A22几乎重叠,相似度较高,因此可以确定A2区域无异常;A3区域的标准光强谱图A31与A3区域的自检光强谱图A32差异较大,因此可以确定A3区域出现异常,可以发出异常提示,对量测机台腔体的A3区域进行检查和维护。
在一些实施例中,如果量测机台腔体内部每一区域的标准光强谱图和自检光强谱图均不相同时,不仅需要检查量测机台腔体内部的每一区域,还要检查光路的敏感度问题。
本申请实施例提供的设备检测方法通过量测机台腔体内部每一区域的标准光强谱图和自检光强谱图之间的对比,实现对量测机台的检测,能够在没有工件的情况下对目标设备的腔体进行洁净度检测,并且能够检测到腔体内部的全部区域,提高了检测效率和检测准确性。
在本申请所提供的几个实施例中,应该理解到,所揭露的设备和方法,可以通过非目标的方式实现。以上所描述的设备实施例仅仅是示意性的,例如,所述单元的划分,仅仅为一种逻辑功能划分,实际实现时可以有另外的划分方式,如:多个单元或组件可以结合,或可以集成到另一个***,或一些特征可以忽略,或不执行。另外,所显示或讨论的各组成部分相互之间的耦合、或直接耦合。
上述作为分离部件说明的单元可以是、或也可以不是物理上分开的,作为单元显示的部件可以是、或也可以不是物理单元,即可以位于一个地方,也可以分布到多个网络单元上;可以根据实际的需要选择其中的部分或全部单元来实现本实施例方案的目的。
本申请所提供的几个方法或设备实施例中所揭露的特征,在不冲突的情况下可以任意组合,得到新的方法实施例或设备实施例。
以上所述,仅为本申请的具体实施方式,但本发明的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内,可轻易想到变化或替换,都应涵盖在本申请的保护范围之内。因此,本申请的保护范围应以权利要求的保护范围为准。
Claims (12)
1.一种设备检测方法,其特征在于,所述方法用于检测目标设备,所述方法包括:
获取所述目标设备的腔体内预定区域的第一光强谱图,其中,所述第一光强谱图为所述目标设备未进行任务处理时得到的;
在所述目标设备完成N次处理任务时,获取所述预定区域的第二光强谱图;其中,N为自然数;
根据所述第一光强谱图和所述第二光强谱图,检测所述目标设备的腔体洁净度;
其中,当每一所述预定区域的所述第一光强谱图和所述第二光强谱图均不同时,所述目标设备对同一任务处理对象执行至少两次处理任务,在每一处理任务完成后,获取所述任务处理对象的第三光强谱图;当每两个所述第三光强谱图之间的相似度高于相似度阈值时,确定光源发出的发射光正常;或,当每两个所述第三光强谱图之间的相似度低于或等于相似度阈值时,确定所述光源发出的发射光异常,并发出光源异常提示。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在获取所述第一光强谱图之前,所述方法还包括:
通过预设划分方式对所述目标设备的腔体内壁进行划分,以得到多个所述预定区域;
其中,所述预设划分方式至少包括:等面积划分或等间距划分。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述获取所述预定区域的第二光强谱图,包括:
将所述光源发出的发射光发射至所述目标设备腔体内的每一所述预定区域;
接收所述发射光在每一所述预定区域所折射出的折射光,根据所述折射光得到每一所述预定区域的所述第二光强谱图。
4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述根据所述第一光强谱图和所述第二光强谱图,检测所述目标设备的腔体洁净度,包括:
对每一所述预定区域的所述第一光强谱图和所述第二光强谱图进行分析;
当某一所述预定区域的所述第一光强谱图和所述第二光强谱图不同时,发出针对所述第一光强谱图和所述第二光强谱图不同的预定区域的洁净度异常提示。
5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,所述发出针对所述第一光强谱图和所述第二光强谱图不同的预定区域的洁净度异常提示,包括:
发出针对所述第一光强谱图和所述第二光强谱图不同的预定区域的异常语音提示或异常文字提示。
6.一种设备检测***,其特征在于,所述设备检测***至少包括:
光谱仪,用于在目标设备完成N次处理任务时,形成所述目标设备的腔体内预定区域的第二光强谱图;
分析设备,与所述光谱仪电连接,用于接收所述目标设备的腔体内预定区域的第一光强谱图和第二光强谱图,并根据所述第一光强谱图和所述第二光强谱图,对所述目标设备的腔体洁净度进行检测,其中,所述第一光强谱图为所述目标设备未进行任务处理时得到的;
其中,所述分析设备,还用于当每一所述预定区域的所述第一光强谱图和所述第二光强谱图均不同时,所述目标设备对同一任务处理对象执行至少两次处理任务,在每一处理任务完成后,获取所述任务处理对象的第三光强谱图;当每两个所述第三光强谱图之间的相似度高于相似度阈值时,确定光源发出的发射光正常;或,当每两个所述第三光强谱图之间的相似度低于或等于相似度阈值时,确定所述光源发出的发射光异常,并发出光源异常提示。
7.根据权利要求6所述的设备检测***,其特征在于,所述设备检测***还包括:
光源,与所述光谱仪电连接,用于发出发射光;
透镜***,与所述光源电连接,用于将所述光源发出的发射光折射至每一所述预定区域;
光信号接收器,与所述光谱仪电连接,用于接收发射光在每一所述预定区域所折射出的折射光,并将所述折射光的光信号传输至所述光谱仪。
8.根据权利要求7所述的设备检测***,其特征在于,所述透镜***包括至少两个变焦透镜;每一所述变焦透镜用于将光源发出的发射光折射至某一所述预定区域。
9.根据权利要求8所述的设备检测***,其特征在于,所述设备检测***还包括:***控制器;
所述***控制器分别与所述光谱仪和所述分析设备电连接,用于控制所述设备检测***对所述目标设备进行腔体洁净度检测。
10.根据权利要求6所述的设备检测***,其特征在于,所述设备检测***还包括:异常提示结构;
所述异常提示结构,位于所述分析设备内,用于当某一所述预定区域的所述第一光强谱图和所述第二光强谱图不同,或所述光源发出的发射光异常时,发出异常语音提示或异常文字提示。
11.根据权利要求6所述的设备检测***,其特征在于,所述预定区域至少位于所述目标设备腔体的内底板、内侧壁或内顶板。
12.根据权利要求6所述的设备检测***,其特征在于,所述目标设备为量测设备或工艺设备。
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