CN113454263A - 制膜方法、制膜装置及电极箔的制造方法 - Google Patents

制膜方法、制膜装置及电极箔的制造方法 Download PDF

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Abstract

一种包含金属氧化物的层的制膜方法，其具备：加热工序，使包含第一金属的金属箔的一部分与1个以上的发热体接触而对上述金属箔进行加热；第一接触工序，在上述金属箔的一部分被支撑的状态下使包含第二金属的第一气体与上述金属箔的两面接触；以及第二接触工序，在上述金属箔的一部分被支撑的状态下，使包含氧化剂的第二气体与上述金属箔的上述两面接触。

Description

制膜方法、制膜装置及电极箔的制造方法
技术领域
本发明涉及利用原子层沉积法的制膜方法、制膜装置及电极箔的制造方法，涉及在金属箔的两面形成包含金属氧化物的层(电介质层)的方法及装置。
背景技术
在用作电解电容器的电极箔的金属箔的表面形成有金属氧化物(电介质)的层。专利文献1教导了通过原子层沉积法(ALD法)在金属箔的主面形成电介质层。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：国际公开第2017-154461号公报
发明内容
发明要解决的课题
电介质层通常形成于金属箔的两个主面。从生产率的观点出发，要求在金属箔的两个主面有效地形成电介质层。
用于解决课题的手段
本发明的第一方面涉及一种包含金属氧化物的层的制膜方法，其具备：加热工序，使包含第一金属的金属箔的一部分与1个以上的发热体接触而对上述金属箔进行加热；第一接触工序，在上述金属箔的一部分被支撑的状态下，使包含第二金属的第一气体与上述金属箔的两面接触；以及第二接触工序，在上述金属箔的一部分被支撑的状态下，使包含氧化剂的第二气体与上述金属箔的上述两面接触。
本发明的第二方面涉及一种制膜装置，其具备：至少1个腔室；压力控制部，其将上述腔室内的压力控制为减压气氛；第一供给口，其向上述腔室供给包含第二金属的第一气体；第二供给口，其向上述腔室供给包含氧化剂的第二气体；第一排气口，其从上述腔室排出上述第一气体；第二排气口，其从上述腔室排出上述第二气体；以及1个以上的发热体，其配置于上述腔室内，与作为制膜对象物的金属箔的一部分接触而对上述金属箔进行加热，上述第一气体和上述第二气体以与上述金属箔的两个主面接触的方式被供给。
本发明的第三方面涉及一种电极箔的制造方法，其具备：准备工序，准备包含第一金属的金属箔；粗糙化工序，对上述金属箔的两个主面进行粗糙化；加热工序，使经粗糙化的上述金属箔的一部分与1个以上的发热体接触而对上述金属箔进行加热；第一接触工序，在上述金属箔的一部分被支撑的状态下，使包含第二金属的第一气体与上述金属箔的两面接触；以及第二接触工序，在上述金属箔的一部分被支撑的状态下，使包含氧化剂的第二气体与上述金属箔的上述两面接触，形成电介质层。
本发明的第四方面涉及一种包含金属氧化物的层的制膜方法，其具备：第一接触工序，使包含第二金属的第一气体与包含第一金属的金属箔的两面接触；第二接触工序，使包含氧化剂的第二气体与上述金属箔的上述两面接触；以及第一施加工序，使上述金属箔的一部分与1个以上的第一供电体接触，在上述第一气体的存在下对上述金属箔施加电压。
本发明的第五方面涉及一种电极箔的制造方法，其具备：准备工序，准备包含第一金属的金属箔；粗糙化工序，对上述金属箔的两个主面进行粗糙化；第一接触工序，使包含第二金属的第一气体与经粗糙化的金属箔的两面接触；第二接触工序，使包含氧化剂的第二气体与上述金属箔的上述两面接触；以及第一施加工序，使上述金属箔的一部分与1个以上的第一供电体接触，在上述第一气体的存在下对上述金属箔施加电压。
本发明的第六方面涉及一种包含金属氧化物的层的制膜方法，其具备：第一接触工序，使包含第二金属的第一气体与包含第一金属的金属箔的两面接触；第二接触工序，使包含氧化剂的第二气体与上述金属箔的上述两面接触；以及施加工序，使上述金属箔的一部分与1个以上的供电体接触，在上述第二气体的存在下对上述金属箔施加电压。
本发明的第七方面涉及一种电极箔的制造方法，其具备：准备工序，准备包含第一金属的金属箔；粗糙化工序，对上述金属箔的两个主面进行粗糙化；第一接触工序，使包含第二金属的第一气体与经粗糙化的金属箔的两面接触；第二接触工序，使包含氧化剂的第二气体与上述金属箔的上述两面接触；以及第二施加工序，使上述金属箔的一部分与1个以上的第二供电体接触，在上述第二气体的存在下对上述金属箔施加电压。
本发明的第八方面涉及一种制膜装置，其具备：至少1个腔室；压力控制部，其将上述腔室内的压力控制为减压气氛；第一供给口，其向上述腔室供给包含第二金属的第一气体；第二供给口，其向上述腔室供给包含氧化剂的第二气体；第一排气口，其从上述腔室排出上述第一气体；第二排气口，其从上述腔室排出上述第二气体；1个以上的供电体，其与作为制膜对象物的金属箔的一部分接触；以及对电极，其使上述金属箔与上述供电体之间产生电压差，上述第一气体和上述第二气体以与上述金属箔的两个主面接触的方式被供给。
本发明的第九方面涉及一种包含金属氧化物的层的制膜方法，其具备：加热工序，使包含第一金属的金属箔的一部分与1个以上的发热体接触而对上述金属箔进行加热；第一接触工序，在上述金属箔的一部分被支撑的状态下，使包含第二金属的第一气体与上述金属箔的两面接触；第二接触工序，在上述金属箔的一部分被支撑的状态下，使包含氧化剂的第二气体与上述金属箔的上述两面接触；以及施加工序，使上述金属箔的一部分与1个以上的供电体接触，在上述第一气体和上述第二气体中的至少一者的存在下对上述金属箔施加电压。
发明的效果
根据本发明，能够使用原子层沉积法在金属箔的两个主面上有效地形成电介质层。
附图说明
图1是表示本发明的第一方式的制膜方法的流程图。
图2是表示本发明的第一方式的电极箔的制造方法的流程图。
图3是本发明的一个实施方式的经粗糙化的金属箔的截面的SEM图像(300倍)。
图4是概念性地表示本发明的第一方式的制膜装置的一个例子的侧视图。
图5是概念性地表示本发明的第一方式的制膜装置的另一例的侧视图。
图6是概念性地表示本发明的第一方式的制膜装置的另一例的侧视图。
图7是概念性地表示本发明的第一方式的其他制膜装置的主要部分的侧视图。
图8是概念性地表示本发明的第一方式的制膜装置的另一例的侧视图。
图9是概念性地表示本发明的第一方式的制膜装置的另一例的侧视图。
图10是表示本发明的第二方式的制膜方法的流程图。
图11是表示本发明的第二方式的电极箔的制造方法的流程图。
图12是表示本发明的第三方式的制膜方法的流程图。
图13是表示本发明的第三方式的电极箔的制造方法的流程图。
图14是表示本发明的第二方式和第三方式的制膜方法的流程图。
图15是表示本发明的第二方式和第三方式的电极箔的制造方法的流程图。
图16是概念性地表示本发明的第二方式和第三方式的制膜装置的一个例子的侧视图。
图17是概念性地表示本发明的第二方式和第三方式的其他制膜装置的一个例子的侧视图。
图18是概念性地表示本发明的第二方式和第三方式的又一制膜装置的一个例子的侧视图。
图19是概念性地表示本发明的第二方式和第三方式的又一制膜装置的一个例子的侧视图。
图20是概念性地表示本发明的第二方式和第三方式的又一制膜装置的一个例子的侧视图。
图21是概念性地表示本发明的第二方式和第三方式的又一制膜装置的一个例子的侧视图。
图22是表示本发明的第四方式的制膜方法的流程图。
图23是表示本发明的第四方式的电极箔的制造方法的流程图。
图24是概念性地表示本发明的第四方式的制膜装置的一个例子的侧视图。
具体实施方式
在本实施方式中，形成电介质层的制膜对象物为金属箔。金属箔与树脂膜等相比耐热性、热导率和导电性高，进而具有一定程度的刚性。本实施方式利用金属箔的这样的性质，在金属箔的两个主面同时形成包含金属氧化物的层(电介质层)。
第一方式的制膜方法具备：加热工序，使包含第一金属的金属箔的一部分与1个以上的发热体接触而对金属箔进行加热；第一接触工序，在金属箔的一部分被支撑的状态下，使包含第二金属的第一气体与金属箔的两面接触；第二接触工序，在金属箔的一部分被支撑的状态下，使包含氧化剂的第二气体与金属箔的两面接触。
第一方式的制膜方法使用如下的制膜装置来执行。本实施方式包含该制膜装置。
即，第一方式的制膜装置具备：至少1个腔室；压力控制部，其将腔室内的压力控制为减压气氛；第一供给口，其向腔室供给包含第二金属的第一气体；第二供给口，其向腔室供给包含氧化剂的第二气体；第一排气口，其从腔室排出第一气体；第二排气口，其从腔室排出第二气体；以及1个以上的发热体，其配置于腔室内，与作为制膜对象物的金属箔的一部分接触而对金属箔进行加热。第一气体和第二气体以与金属箔的两个主面接触的方式被供给。
使用第一方式的制膜装置和/或制膜方法，能够制造电解电容器的电极箔。本实施方式包括该电极箔的制造方法。
即，第一方式的电极箔的制造方法具备：准备工序，准备包含第一金属的金属箔；粗糙化工序，对金属箔的两个主面进行粗糙化；加热工序，使经粗糙化的金属箔的一部分与1个以上的发热体接触而对金属箔进行加热；第一接触工序，在金属箔的一部分被支撑的状态下，使包含第二金属的第一气体与金属箔的两面接触；第二接触工序，在金属箔的一部分被支撑的状态下，使包含氧化剂的第二气体与金属箔的两面接触，形成电介质层。
第二方式的制膜方法具备：第一接触工序，使包含第二金属的第一气体与包含第一金属的金属箔的两面接触；第二接触工序，使包含氧化剂的第二气体与金属箔的两面接触；以及第一施加工序，使金属箔的一部分与1个以上的第一供电体接触，在第一气体的存在下对金属箔施加电压。
使用第二方式的制膜方法，能够制造电解电容器的电极箔。本实施方式包括该电极箔的制造方法。
即，第二方式的电极箔的制造方法具备：准备工序，准备包含第一金属的金属箔；粗糙化工序，对金属箔的两个主面进行粗糙化；第一接触工序，使包含第二金属的第一气体与经粗糙化的金属箔的两面接触；第二接触工序，使包含氧化剂的第二气体与金属箔的两面接触；以及第一施加工序，使金属箔的一部分与1个以上的第一供电体接触，在第一气体的存在下对金属箔施加电压。
第三方式的制膜方法具备：第一接触工序，使包含第二金属的第一气体与包含第一金属的金属箔的两面接触；第二接触工序，使包含氧化剂的第二气体与金属箔的两面接触；以及施加工序，使金属箔的一部分与1个以上的供电体接触，在第二气体的存在下对金属箔施加电压。
使用第三方式的制膜方法，能够制造电解电容器的电极箔。本实施方式包括该电极箔的制造方法。
即，第三方式的电极箔的制造方法具备：准备工序，准备包含第一金属的金属箔；粗糙化工序，对金属箔的两个主面进行粗糙化；第一接触工序，使包含第二金属的第一气体与经粗糙化的金属箔的两面接触；第二接触工序，使包含氧化剂的第二气体与金属箔的两面接触；以及第二施加工序，使金属箔的一部分与1个以上的第二供电体接触，在第二气体的存在下对金属箔施加电压。
第二方式和第三方式的制膜方法使用如下的制膜装置来执行。本实施方式包括该制膜装置。
即，第二方式和第三方式的制膜装置具备：至少1个腔室；压力控制部，其将腔室内的压力控制为减压气氛；第一供给口，其向腔室供给包含第二金属的第一气体；第二供给口，其向腔室供给包含氧化剂的第二气体；第一排气口，其从腔室排出上述第一气体；第二排气口，其从腔室排出第二气体；1个以上的供电体，其与作为制膜对象物的金属箔的一部分接触；以及对电极，其使金属箔与供电体之间产生电压差。第一气体和第二气体以与金属箔的两个主面接触的方式被供给。
第四方式的制膜方法具备：加热工序，使包含第一金属的金属箔的一部分与1个以上的发热体接触而对金属箔进行加热；第一接触工序，在金属箔的一部分被支撑的状态下，使包含第二金属的第一气体与金属箔的两面接触；第二接触工序，在金属箔的一部分被支撑的状态下，使包含氧化剂的第二气体与金属箔的上述两面接触；以及施加工序，使金属箔的一部分与1个以上的供电体接触，在第一气体和上述第二气体中的至少一者的存在下对金属箔施加电压。
I.第一方式
在本方式中，金属箔被加热。通过热来促进包含第二金属的分子和/或氧化剂与金属箔表面的反应。因此，形成均匀的电介质层。
[制膜方法]
第一方式的制膜方法包括对金属箔进行加热的加热工序。图1是表示第一方式的制膜方法的流程图。
(金属箔)
金属箔包含第一金属。第一金属的种类没有特别限定。从容易形成电介质层的方面出发，第一金属可以是铝(Al)、钽(Ta)、铌(Nb)等阀作用金属或包含阀作用金属的合金。金属箔的厚度没有特别限定，例如可以为10μm以上且300μm以下，也可以为15μm以上且250μm以下。金属箔的纯度没有特别限定。金属箔的纯度例如可以为99％以上且99.99％以下。
金属箔的表面可以被粗糙化。此外，也可以在金属箔的表面形成其他电介质层。例如，金属箔也可以具有在通过粗糙化而形成的凹坑的内部形成的其他电介质层。其他电介质被膜例如通过阳极氧化形成。
(i)表面改性工序(S111)
在第一接触工序之前，优选在加热工序之前可以进行对金属箔的表面进行改性的表面改性处理。进行表面改性处理来除去金属箔表面的杂质并对金属箔的表面状态进行改性。由此，所形成的膜的均匀性、密合性、致密性、防止金属箔的金属原子发生扩散的效果和绝缘性提高，漏电流、静电容量等特性进一步改善。特别是，在所得到的电极箔的耐电压为200V以下，进一步为50V以下的情况下，容易得到表面改性工序的效果。
表面改性处理没有特别限定，例如为等离子体处理、大气压等离子体处理。表面改性处理可以在大气中进行，也可以在减压下进行。通过表面改性，从而例如在金属箔的表面附加羟基、或者使有机物等杂质分解或气化。
(ii)加热工序(S112)
在加热工序中，使金属箔与发热体接触。金属箔通常具有高耐热性，因此可以应用通过接触而进行加热的方法。原子层沉积法(Atomic Layer Deposition：ALD法)在减压气氛下进行，因此几乎无法期待基于对流的热的传播。因此，能够利用热传导进行加热的本实施方式的方法适合于ALD法。金属箔的一部分与发热体接触。由于金属箔的热导率高，所以通过使其一部分与发热体接触，能够迅速地将金属箔整体加热。
在加热时，金属箔可以被配置于与发热体对应的位置的按压构件朝向发热体按压。由此，金属箔与发热体进一步密合，金属箔被有效地加热。按压构件与发热体同样地与金属箔的一部分接触。按压构件也可以是发热体。通过使发热体与金属箔的两个主面接触，加热的效率进一步提高。
加热温度没有特别限定，根据形成电介质层的方法(原子层沉积法)的条件适当设定即可。加热温度例如为80℃以上且550℃以下。
在金属箔包含铝的情况下，加热温度优选为90℃以上且525℃以下。如果加热温度为该范围，则容易得到由加热带来的效果，另外，容易抑制金属箔的变形。特别是在以辊对辊的方式输送金属箔的情况下，对金属箔施加由辊等产生的应力，容易产生凹坑的变形、塑性变形。如果金属箔变形，则输送变得不稳定，制膜容易变得不均匀。
在金属箔包含铝的情况下，加热温度特别优选为90℃以上且480℃以下。如果加热温度为该范围，则能够进一步减小凹坑形状的变形、塑性变形。
(iii)第一接触工序(S113)
使加热后的金属箔在其一部分被支撑的状态下与包含第二金属的第一气体接触。由此，第一气体能够与金属箔的两个主面(两面)接触。在金属箔的两面附着包含第一气体中所含的第二金属的分子。
作为第二金属，可举出Al、Ta、Nb、硅(Si)、钛(Ti)、锆(Zr)、铪(Hf)等。它们可以单独使用或组合使用2种以上。即，在电介质层中，可以单独包含Al2O3、Ta2O5、Nb2O5、SiO2、TiO2、ZrO2、HfO2，或者组合包含2种以上。在电介质层包含2种以上的第二金属的氧化物的情况下，各氧化物可以混合存在，也可以分别配置为层状。其中，第二金属优选为与金属箔中所含的第一金属不同的金属种类。特别是从所得到的电解电容器的容量增加的方面考虑，第二金属的氧化物优选具有比第一金属的氧化物高的相对介电常数。另外，从电解电容器的耐电压提高的方面考虑，第二金属的氧化物优选为Ta2O5、SiO2、ZrO2、HfO2。
第一气体以气体的状态包含含有第二金属的前体(前驱体)。第一气体可以包含多种前体。腔室可以同时或依次供应有不同种类的前体。或者，也可以在每个循环中改变第一气体中所含的前体的种类。
前体是包含第二金属的有机金属化合物，由此，第二金属容易化学吸附于对象物。作为前体，可以使用以往在ALD法中使用的各种有机金属化合物。
作为包含刊的前体，例如可举出双(叔丁基环戊二烯基)二氯化钛(IV)(C18H26C12Ti)、四(二甲基氨基)钛(IV)([(CH3)2N]4Ti、TDMAT)、四(二乙基氨基)钛(IV)([(C2H5)2N]4Ti)、四(乙基甲基氨基)钛(IV)(Ti[N(C2H5)(CH3)]4)、二异丙氧基双(2，2，6，6-四甲基-3，5-庚二酮酸)钛(IV)(Ti[OCC(CH3)3CHCOC(CH3)3]2(OC3H7)2)、四氯化钛(TiCl4)、异丙醇钛(IV)(Ti[OCH(CH3)2]4)、乙醇钛(IV)(Ti[O(C2H5)]4)等。
作为包含Al的前体，例如可举出三甲基铝((CH3)3Al)等。作为包含Zr的前体，例如可举出双(甲基-η5-环戊二烯基)甲氧基甲基锆(Zr(CH3C5H4)2CH3OCH3)、四(二甲基氨基)锆(IV)([(CH3)2N]4Zr)、四(乙基甲基氨基)锆(IV)(Zr(NCH3C2H5)4)、叔丁醇锆(IV)(Zr[OC(CH3)3]4)等。作为包含Nb的前体，例如可举出乙醇铌(V)(Nb(OCH2CH3)5、三(二乙基氨基)(叔丁基亚氨基)铌(V)(C16H39N4Nb)等。
作为包含Si的前体，例如可举出N-仲丁基(三甲基甲硅烷基)胺(C7H19NSi)、1，3-二乙基-1，1，3，3-四甲基二硅氮烷(C8H23NSi2)、2，4，6，8，10-五甲基环五硅氧烷((CH3SiHO)5)、五甲基乙硅烷((CH3)3SiSi(CH3)2H)、三(异丙氧基)硅烷醇([(H3C)2CHO]3SiOH)、氯五甲基乙硅烷((CH3)3SiSi(CH3)2Cl)、二氯甲硅烷(SiH2Cl2)、三(二甲基氨基)甲硅烷(Si[N(CH3)2]4)、四乙基甲硅烷(Si(C2H5)4)、四甲基甲硅烷(Si(CH3)4)、四乙氧基甲硅烷(Si(OC2H5)4)、十二甲基环己硅烷((Si(CH3)2)6)、四氯化硅(SiCl4)、四溴化硅(SiBr4)等。
作为包含Ta的前体，例如可举出三(乙基甲基氨基)(叔丁基氨基)钽(V)(C13H33N4Ta)、五乙醇钽(V)(Ta(OC2H5)5)、三(二乙基氨基)(叔丁基亚氨基)钽(V)((CH3)3CNTa(N(C2H5)2)3)、五(二甲基氨基)钽(V)(Ta(N(CH3)2)5)等。
作为包含Hf的前体，例如可举出四氯化铪(HfCl4)、四(二甲基氨基)铪(Hf[N(CH3)2]4)、四(乙基甲基氨基)铪(Hf[N(C2H5)(CH3)]4)、四(二乙基氨基)铪(Hf[N(C2H5)2]4)、叔丁醇铪(Hf[OC(CH3)3]4)等。
(iv)第二接触工序(S114)
将第一气体排气(吹扫)后，使第二气体与金属箔接触。此时，金属箔的一部分也被支撑。因此，第二气体能够与金属箔的两面接触。附着于金属箔的两面的包含第二金属的分子与第二气体中所含的氧化剂反应，生成第二金属的氧化物。其结果是，即使不进行更换金属箔的上下表面的操作，也在金属箔的两面形成包含第二金属的氧化物的电介质层。
第二气体包含非活性气体和氧化剂。作为非活性气体，可以使用以往ALD法中使用的非活性气体。非活性气体例如为氮、氩。
作为氧化剂，可以使用以往ALD法中使用的氧化剂。作为氧化剂，例如可举出水、氧、臭氧、过氧化氢、二氧化碳。氧化剂可以作为以氧化剂为原料的等离子体供给至反应室。
各工序的顺序没有特别限定。通常，在使第一气体与金属箔接触后，使第二气体与金属箔接触。第一接触工序可以一边加热金属箔一边进行。第二接触工序可以一边加热金属箔一边进行。
第一接触工序和第二接触工序可以反复进行多次。具体而言，也可以在腔室内反复进行第一气体的供给(脉冲)→第一气体的排气(吹扫)→第二气体的供给(脉冲)→第二气体的排气(吹扫)。也可以在每个循环中改变第一气体和/或第二气体的种类。在形成由第一气体和第二气体形成的电介质层后，可以进一步形成其他的由第一气体和第二气体形成的电介质层。
在ALD法中，由于发挥自限制(Self-limiting)作用，所以第二金属以原子层为单位堆积于对象物的表面。因此，通过将第一接触工序和第二接触工序作为1个循环的循环数来控制电介质层的厚度。电介质层的厚度没有特别限定，例如可以为0.5nm以上且200nm以下。
加热工序与第一接触工序和/或第二接触工序优选在相同腔室的空间内进行。相同腔室不包括例如连接2个腔室的壁的80％以上被物理堵塞的情况。由此，金属箔在被加热后能够迅速地与第一气体接触，因此第一气体中所含的包含第二金属的分子和/或氧化剂容易附着于金属箔而使制膜更有效地进行。
[电极箔的制造方法]
第一方式的电极箔的制造方法具备使金属箔的一部分与1个以上的发热体接触而对金属箔进行加热的加热工序。
在第一方式的制膜方法和电极箔的制造方法中，具有规定大小的金属箔和长条的金属箔均为制膜对象物。通过上述方法制造的电极箔适合用作电解电容器的阳极体。
以下，按照每个工序详细地说明第一方式的电极箔的制造方法。图2是表示第一方式的电极箔的制造方法的流程图。
(1)准备工序(S11)
准备与第一方式的制膜方法中记载的金属箔相同的金属箔。金属箔可以具有在通过粗糙化而形成的凹坑的内部形成的其他电介质层。
(2)粗糙化工序(S12)
在加热金属箔前，可以对金属箔的表面进行粗糙化。通过粗糙化而在金属箔的表面形成多个凹坑。在后续工序中，通过将电介质层形成至该凹坑的内部，能够期待静电容量增加。另一方面，如果像这样使金属箔的表面粗糙化，则通常难以通过阳极氧化以外的方法将电介质层形成至凹坑的内部。通过像本方式那样进行加热处理，从而容易将均匀的电介质层形成至凹坑的内部。在形成包含第二金属的氧化物的电介质层之后进行阳极氧化而形成后述的第三电介质层的情况下，优选进行本工序。在所形成的第三电介质层为多孔结构的情况下，也可以省略本工序。
粗糙化例如通过对金属箔进行蚀刻处理来进行。蚀刻处理优选通过电解蚀刻法进行。电解蚀刻是通过使直流电流或交流电流流过金属箔而进行的。电解蚀刻例如在盐酸水溶液中进行。
形成于金属箔的表面的凹坑的孔径没有特别限定。从表面积容易变大的方面考虑，凹坑的孔径优选为50nm以上且2000nm以下。从金属箔与发热体或输送辊等的接触性的观点出发，优选凹坑的孔径不过大。凹坑的孔径更优选为80nm以上且1300nm以下。凹坑的孔径是指例如利用水银孔率计测定的细孔分布的最高频率孔径(下同。)。
由多个凹坑形成的蚀刻层的厚度没有特别限定，根据金属箔的厚度适当设定即可。在使用金属箔作为电解电容器的阳极的情况下，从静电容量的观点出发，蚀刻层的厚度优选为5μm以上，更优选为15μm以上。如果蚀刻层的厚度为该范围，则容易得到由加热带来的效果。从金属箔的强度的观点出发，蚀刻层的厚度优选为100μm以下，更优选为80μm以下。蚀刻层的厚度是形成于金属箔的一个主面的蚀刻层的厚度。蚀刻层的厚度为金属箔的截面的SEM或TEM图像中的任意10点的平均值。电介质层的厚度也同样地算出(下同。)。
图3是本实施方式的经粗糙化的金属箔的截面的SEM图像(300倍)。在图3中，在中央部以浅灰色表示的区域是孔隙率低的芯部。芯部是金属箔的未被蚀刻的区域。与芯部相邻且用深灰色表示的区域是蚀刻层。蚀刻层分别形成于金属箔的两个主面侧。处于蚀刻层的外侧的黑色所示的部分为背景。
(3)表面改性工序(S13)
在第一接触工序之前，优选在加热工序之前，可以进行对金属箔的表面进行改性的表面改性处理。表面改性工序与第一方式的制膜方法中的(i)表面改性工序同样地进行。
(4)加热工序(S14)
与第一方式的制膜方法中的(ii)加热工序同样地操作，对金属箔进行加热。
金属箔的加热通过使发热体与金属箔的一部分接触来进行。金属箔的加热优选在供给第一气体的腔室内进行。加热时，腔室内可以被减压。
(5)第一接触工序(S15)和第二接触工序(S16)
使用上述制膜装置，使第一气体和第二气体分别与金属箔的两面接触。各接触工序与第一方式的制膜方法中的(iii)第一接触工序和(iv)第二接触工序同样地进行。由此，在金属箔的两面形成包含第二金属的氧化物的电介质层。
在形成电介质层后，可以对金属箔进行化学转化。由此，在金属箔与电介质层之间形成包含构成金属箔的第一金属的氧化物的第三电介质层。因此，作为电介质层整体，容易形成无针孔且具备均匀厚度的层。对金属箔进行化学转化的方法没有特别限定。化学转化例如通过将金属箔浸渍于化学转化液并施加电压(阳极氧化)来进行。
[制膜装置]
第一方式的制膜装置具备发热体，所述发热体配置于腔室内，与作为制膜对象物的金属箔的一部分接触而对金属箔进行加热。第一气体和第二气体以与金属箔的两个主面接触的方式供给。
(发热体)
发热体与作为制膜对象物的金属箔的一部分接触而对金属箔进行加热。发热体为1个以上即可，也可以为2个以上。发热体的形状只要能够以一定程度的面积与金属箔接触，就没有特别限定。发热体例如可以是支撑金属箔的载物台，也可以是输送辊，还可以是对金属箔进行定位的定位构件。
(腔室)
制膜装置具备至少1个腔室。
制膜装置可以具备1个能够供给和排出第一气体和第二气体的腔室。
制膜装置可以具备多个能够供给和排出第一气体和第二气体的腔室。在该情况下，在多个腔室中，可以供给同种的第一气体，也可以分别供给包含不同的第二金属的多种第一气体。在多个腔室中，可以供给同种的第二气体，也可以分别供给包含不同氧化剂的多种第二气体。然而，发热体只要配置于多个腔室中的至少1个即可。
制膜装置具备能够供给和排出第一气体的第一腔室和能够供给和排出第二气体的第二腔室。然而，发热体只要配置于这些腔室中的至少1个即可。优选发热体配置于第一腔室。
制膜装置可以具备多个上述第一腔室和/或第二腔室。在该情况下，在多个第一腔室中，可以供给同种的第一气体，也可以分别供给包含不同的第二金属的多种第一气体。在多个第二腔室中，可以供给同种的第二气体，也可以分别供给包含不同氧化剂的多种第二气体。然而，发热体只要配置于多个腔室的至少1个即可。优选发热体配置在至少1个第一腔室中。
从生产率的观点出发，制膜装置优选具备能够供给和排出第一气体和第二气体的至少1个腔室。由此，在1个腔室内完成至少1层电介质层的形成。
(压力控制部)
腔室具备压力控制部。腔室内的压力由压力控制部控制为减压气氛。压力控制部例如具备计算机。
(供给口和排气口)
腔室具备向腔室内供给第一气体的第一供给口和排出第一气体的第一排气口。腔室具备向腔室内供给第二气体的第二供给口和排出第二气体的第二排气口。第一气体和第二气体可以从相同的供给口供给。第一气体和第二气体可以从相同的排气口排气。
(支撑体)
腔室除了发热体以外，还可以具备与金属箔的一部分接触而支撑金属箔的支撑体。支撑体为1个以上即可，也可以为2个以上。支撑体的形状只要能够稳定地支撑金属箔就没有特别限定。支撑体例如可以是支撑金属箔的基台，也可以是输送辊，还可以是对金属箔进行定位的定位构件。
(按压构件)
腔室还可以具备按压构件，该按压构件配置于与发热体对应的位置，用于将金属箔朝向发热体按压。由此，金属箔与发热体密合，金属箔被有效地加热。按压构件与发热体同样地与金属箔的一部分接触。按压构件可以是发热体。通过使发热体与金属箔的两个主面接触，加热的效率进一步提高。
第一方式的制膜方法和制膜装置可以将具有规定大小的金属箔作为制膜对象物，也可以将长条的金属箔作为制膜对象物。长条的金属箔例如在腔室内被输送，对于被输送的金属箔连续地形成电介质层。
以下，分成将预先切断成规定大小的金属箔作为制膜对象物的情况(以下，称为分批方式。)、以及将长条的金属箔作为制膜对象物的情况(以下，称为辊对辊方式。)，对第一方式的制膜装置进行说明。
A.分批方式
在本实施方式中，发热体例如为基台。金属箔通过在腔室内载置于基台而被加热。基台与金属箔的一部分接触。
[第I-i实施方式]
图4是概念性地表示第一方式的制膜装置的一个例子的侧视图，以分批方式使用。
制膜装置10A具备能够供给和排出第一气体和第二气体的腔室11。腔室11具备向腔室11内供给第一气体G1的第一供给口121和向腔室11内供给第二气体G2的第二供给口122。腔室11还具备排出第一气体G1和第二气体G2的排气口13。第一气体G1和第二气体G2可以从不同的排气口排气。
腔室11内的压力由压力控制部16控制。在向腔室11内供给第一气体G1和第二气体G2时，压力控制部16以使腔室11内成为减压气氛的方式进行控制。
在腔室11内配置有基台14。基台14具备与金属箔100接触的平面部。在基台14上，以与金属箔100的一部分接触的方式载置金属箔100。由于金属箔100具有适度的刚性，所以不会过度地发生塌边或松弛地被基台14支撑。基台14为发热体19。由于金属箔100具有良好的导热性，所以通过与一部分接触的基台14，能够迅速地加热其整体。
金属箔100以大致平面状被基台14支撑，因此供给至腔室11内的第一气体G1和第二气体G2能够与金属箔100的两个主面接触。由此，通过一次处理，在金属箔100的两个主面形成至少1层电介质层。
在与基台14对应的位置配置有用于将金属箔100朝向基台14按压的按压构件15。按压构件15具备与金属箔100接触的平面部。按压构件15也可以是发热体19。
[第I-ii实施方式]
图5是概念性地表示第一方式的制膜装置的另一例的侧视图。制膜装置10B除了具有多个基台14以外，具备与制膜装置10A相同的构成。至少1个基台14为发热体19。
B.辊对辊方式
在本实施方式中，发热体与在第一腔室内输送的金属箔的一部分接触。金属箔一边被输送一边被加热。发热体可以是输送辊，也可以是对所输送的金属箔进行定位的定位构件，还可以是对所输送的金属箔进行支撑的基台。
在1个腔室内进行第一气体和第二气体的供给和排出的情况下，腔室可以被划分成多个。例如，腔室可以具备供给第一气体的第一供给区域、供给第二气体的第二供给区域、吹扫第一气体的第一排气区域和吹扫第二气体的第二排气区域。各区域例如被非活性气体(氮、氩等)的壁划分。但是，上述的多个区域可以视为1个空间。此外，上述腔室的上述区域以外的部分也与上述多个区域一起形成1个空间。金属箔可以多次经过各区域。
[第I-iii实施方式]
图6是概念性地表示第一方式的制膜装置的一个例子的侧视图，以辊对辊方式使用。
制膜装置20A具备能够供给和排出第一气体和第二气体的腔室21。腔室21具备供给第一气体G1的第一供给区域SZ1、供给第二气体G2的第二供给区域SZ2、将第一气体G1吹扫的第一排气区域EZ1和将第二气体G2吹扫的第二排气区域EZ2。各区域以在与输送方向相交的方向上分离腔室21的方式依次配置。
腔室21具备向第一供给区域SZ1供给第一气体G1的第一供给口221和向第二供给区域SZ2供给第二气体G2的第二供给口222。腔室21具备从第一排气区域EZ1排出第一气体G1的第一排气口231和从第二排气区域EZ2排出第二气体G2的第二排气口232。
在腔室21的上游侧配置有对所输送的金属箔200进行支撑的基台241。基台241为发热体29。基台241具备与金属箔200接触的平面部。发热体29配置于比第一供给区域SZ1更靠上游侧的位置。发热体29可以配置于最上游侧的第一供给区域SZ1内。发热体29可以进一步配置于第一排气区域EZ1内、第二供给区域SZ2内和第二排气区域EZ2内的至少1处。
从第三供给口223向第一排气区域EZ1供给非活性气体G3(例如氮气)。由此，划分第一供给区域SZ1和第二供给区域SZ2，并且将未反应的第一气体G1从第一排气口231吹扫出去。
同样地，也从第三供给口223向第二排气区域EZ2供给非活性气体G3。由此，划分第二供给区域SZ2与腔室21内的其他部分，并且将未反应的第二气体G2从第二排气口232吹扫出去。在第一排气区域EZ1和第二排气区域EZ2中所供给的第三气体G3可以为相同种类，也可以为不同种类。适当地进行从各排气口的吹扫。根据需要，决定所使用的排气口即可。排气口可以根据需要进一步追加。
制膜装置20A可以根据所期望的电介质层的厚度，具备多个第一供给区域SZ1、第一排气区域EZ1、第二供给区域SZ2和第二排气区域EZ2的组合。在多个第一供给区域SZ1中所供给的第一气体G1可以为相同种类，也可以为不同种类。在多个第二供给区域SZ2中所供给的第二气体G2可以为相同种类，也可以为不同种类。
金属箔200可以根据所期望的电介质层的厚度，多次经过第一供给区域SZ1、第一排气区域EZ1、第二供给区域SZ2和第二排气区域EZ2的组合。
腔室21内的压力由压力控制部26控制成减压气氛。压力控制部26可以分别适当控制各区域的压力。
金属箔200卷绕于由马达旋转驱动的供给卷轴201，一边从供给卷轴201开卷，一边供给至腔室21内的上游。金属箔200在腔室21内的上游与基台241(发热体29)接触而被加热后，向下游输送。
在与基台241对应的位置配置有用于将金属箔200朝向基台241按压的按压构件25。按压构件25为辊状，支持金属箔200的输送。按压构件25也可以是发热体。
在其他方式中，基台241不是发热体，按压构件25是发热体。
将经加热的金属箔200首先搬入至第一供给区域SZ1。在第一供给区域SZ1中，从第一供给口221向金属箔200的两面供给第一气体G1，包含第二金属的分子附着于金属箔200的两面。
接下来，将金属箔200搬入至第一排气区域EZ1。在第一排气区域EZ1中，从第三供给口223供给非活性气体G3，并且从第一排气口231排出未反应的第一气体G1。
接着，将金属箔200搬入至第二供给区域SZ2。在第二供给区域SZ2中，从第二供给222向金属箔200的两面供给第二气体G2。附着于金属箔200的两面的包含第二金属的分子与氧化剂反应，生成包含第二金属的氧化物的电介质层。由此，在金属箔200的两面形成包含第二金属的氧化物的电介质层。
最后，将金属箔200搬入至第二排气区域EZ2。在第二排气区域EZ2中，从第三供给223供给非活性气体G3，并且从第二排气232排出未反应的第二气体G2。
金属箔200在堆积了所期望的厚度的氧化物后，将其从腔室21搬出，卷绕于回收卷轴202。回收卷轴202由马达旋转驱动。
[第I-iv实施方式]
图7是概念性地表示第一方式的其他制膜装置的主要部分的侧视图。制膜装置20B除了发热体的形状和配置以外，具备与制膜装置20A相同的构成。
在制膜装置20B中，从供给卷轴201开卷的金属箔200载置于输送带28而被搬入至腔室21的上游。在输送带28配置有用于固定并定位金属箔200的定位构件243。在金属箔200形成有1个以上的贯通孔200a，通过将定位构件243***到贯通孔200a中而对金属箔200进行定位。定位构件243为发热体29。因此，金属箔200在贯通孔200a的周围与定位构件243接触而被加热。然后，金属箔200从输送带28脱离，通过输送辊27向第一供给区域SZ1输送。之后，与制膜装置20A同样地对金属箔200进行处理，在两面形成电介质层。
[第I-v实施方式]
图8是概念性地表示第一方式的制膜装置的另一例的侧视图。制膜装置20C除了发热体的形状以外，具备与制膜装置20A相同的构成。
在制膜装置20C中，从供给卷轴201开卷的金属箔200通过输送辊27被搬入至第一供给区域SZ1。输送辊27为发热体29。因此，金属箔200被输送辊27输送并且被加热。在与输送辊27对应的位置配置有辊状的按压构件25。按压构件25也可以是发热体29。然后，向第一供给区域SZ1输送金属箔200。之后，与制膜装置20A同样地对金属箔200进行处理，在两面形成电介质层。
[第I-vi实施方式]
图9是概念性地表示第一方式的制膜装置的另一例的侧视图。
制膜装置20D具备能够供给和排出第一气体和第二气体的腔室21。金属箔200一边在腔室21内折返多次一边被输送。折返的次数没有特别限定。
腔室21具备供给第一气体G1的第一供给区域SZ1、供给第二气体G2的第二供给区域SZ2、以及将第一气体G1和第二气体G2吹扫的排气区域EZ。各区域以腔室21沿着输送方向分离的方式配置。在第一供给区域SZ1配置有多个第一输送辊271。在第二供给区域SZ2配置有多个第二输送辊272。第一输送辊271和第二输送辊272的至少1个为发热体29。配置于排气区域EZ的第三输送辊273可以是发热体29。
金属箔200一边从供给卷轴201开卷，一边被向腔室21内的上游供给。金属箔200被第三输送辊273转换方向，被搬入至第一供给区域SZ1。在第一供给区域SZ1中，从第一供给口221向金属箔200的两面供给第一气体G1，包含第二金属的分子附着于金属箔200的两面。
金属箔200被第一输送辊271折返而被搬入至排气区域EZ。在排气区域EZ中，从第三供给口223供给非活性气体G3(例如，氮气)，并且未反应的第一气体G1被从排气口23吹扫出去。排气口也可以根据需要追加到例如第一供给区域SZ1和/或第二供给区域SZ2中。
接下来，金属箔200被搬入至第二供给区域SZ2。在第二供给区域SZ2中，从第二供给口222向金属箔200的两面供给第二气体G2。附着于金属箔200的两面的包含第二金属的分子与氧化剂反应而生成第二金属的氧化物。由此，在金属箔200的两面形成包含第二金属的氧化物的电介质层。
金属箔200被第二输送辊272折返，再次被搬入至排气区域EZ。在排气区域EZ中，也从排气口23将未反应的第二气体G2吹扫出去。
然后，金属箔200再次被搬入至第一供给区域SZ1。之后，反复进行上述的向第一供给区域SZ1、排气区域EZ、第二供给区域SZ2的搬入和搬出，在金属箔200堆积所期望厚度的氧化物。最后，将金属箔200从腔室21搬出，卷绕于回收卷轴202。
II.第二方式
在本方式中，在第一气体的存在下对金属箔施加电压。由此，包含第二金属的分子被电吸引至金属箔，能够提高金属箔附近的第二金属的浓度。其结果是，反应效率提高，形成均匀的电介质层。此外，有效地使用包含第二金属的分子。此外，第二金属容易吸附于金属箔，因此所形成的包含金属氧化物的层的致密性提高。
[制膜方法]
第二方式的制膜方法包括：在第一气体的存在下对金属箔施加电压的第一施加工序(以下，简称为施加工序。)。图10是表示第二方式的制膜方法的流程图。
第二方式的制膜方法除了具备施加工序来代替加热工序以外，具备与第一方式的制膜方法中的(iii)第一接触工序和(iv)第二接触工序相同的工序。第二方式的制膜方法可以具备与第一方式的制膜方法中的(i)表面改性工序相同的工序。
(i)表面改性工序(S211)
可以与第一方式的制膜方法中的(i)表面改性工序同样地操作，对金属箔的表面进行改性。
(ii)第一接触工序(S212)和施加工序(S214)
与第一方式的制膜方法中的(iii)第一接触工序同样地操作，使金属箔与包含第二金属的第一气体接触。此时，对与1个以上的第一供电体(以下，简称为供电体。)接触的金属箔施加电压。供电体与金属箔的接触可以在腔室内进行，也可以在腔室外进行。
对金属箔的电压施加通过在电极箔与对电极之间产生电位差来执行。电压差可以使用恒定电压、脉冲状电压、交流重叠波形、其他异形波形来产生。上述电压差没有特别限定。上述电压差优选为5V以上且1000V以下，优选为10V以上且800V以下。如果电位差为该范围，则容易得到由电压施加带来的效果，另外，容易抑制对金属箔、制膜装置造成的损伤。
可以将金属箔作为正极而施加电压，也可以作为负极而施加电压。金属箔的极性根据第一气体的带电状态适当设定即可。
(iii)第二接触工序(S213)
与第一方式的制膜方法中的(iv)第二接触工序同样地操作，使第二气体与金属箔接触。由此，在金属箔的表面形成包含金属氧化物的层。
各工序的顺序没有特别限定。通常，在使第一气体与金属箔接触后，使第二气体与金属箔接触。第一接触工序与第二接触工序可以反复进行多次。
[电极箔的制造方法]
第二方式的电极箔的制造方法包括在第一气体的存在下对金属箔施加电压的施加工序。
在第二方式的制膜方法和电极箔的制造方法中，具有规定大小的金属箔和长条的金属箔均为制膜对象物。通过上述方法制造的电极箔适合用作电解电容器的阳极体。
以下，按照每个工序详细地说明第二方式的电极箔的制造方法。图11是表示第二方式的电极箔的制造方法的流程图。
(1)准备工序(S21)
准备与第一方式的制膜方法中记载的金属箔相同的金属箔。金属箔可以具有在通过粗糙化而形成的凹坑的内部形成的其他电介质层。
(2)粗糙化工序(S22)
在第一接触工序之前，可以对金属箔的表面进行粗糙化。粗糙化与第一方式的电极箔的制造方法中的(2)粗糙化工序同样地进行。通常，如果像这样使金属箔的表面粗糙化，则难以通过阳极氧化以外的方法将电介质层形成至凹坑的内部。通过像本方式那样进行电压的施加，容易将均匀的电介质层形成至凹坑的内部。在形成包含第二金属的氧化物的电介质层之后进行阳极氧化来形成后述的第三电介质层的情况下，优选进行本工序。在所形成的第三电介质层为多孔结构的情况下，也可以省略本工序。
形成于金属箔的表面的凹坑的孔径没有特别限定。凹坑的孔径，从表面积容易变大的方面考虑，优选为50nm以上且2000nm以下。从金属箔与供电体的接触性的观点出发，优选凹坑的孔径不过大。凹坑的孔径更优选为80nm以上且1300nm以下。如果凹坑的孔径为该范围，则金属箔与供电体容易接触，容易对金属箔均匀地施加电压。
蚀刻层的厚度没有特别限定，根据金属箔的厚度适当设定即可。在使用金属箔作为电解电容器的阳极的情况下，从静电容量的观点出发，蚀刻层的厚度优选为5μm以上，更优选为15μm以上。如果蚀刻层的厚度为该范围，则容易得到由电压施加带来的效果。从金属箔的强度的观点出发，蚀刻层的厚度优选为100μm以下，更优选为80μm以下。
(3)表面改性工序(S23)
在第一接触工序之前，可以进行对金属箔的表面进行改性的表面改性处理。表面改性工序与第一方式的制膜方法中的表面改性工序(i)同样地进行。
(4)第一接触工序(S24)和施加工序(S26)
第二方式的制膜方法中的(ii)第一接触工序和施加工序同样地进行。
(5)第二接触工序(S25)
与第二方式的制膜方法中的(iii)第二接触工序同样地进行。由此，在金属箔的两面形成包含第二金属的氧化物的电介质层。
形成电介质层之后，可以对金属箔进行化学转化。由此，在金属箔与电介质层之间形成包含构成金属箔的第一金属的氧化物的第三电介质层。因此，作为电介质层整体，容易形成无针孔且具备均匀厚度的层。对金属箔进行化学转化的方法没有特别限定。化学转化例如通过阳极氧化来进行。
III.第三方式
在本方式中，在第二气体的存在下，对金属箔施加电压。由此，氧化剂被金属箔电吸引，金属箔附近的氧浓度提高。因此，金属箔成为容易被氧化的状态，形成均匀的电介质层。此外，有效地使用氧化剂。此外，氧化剂容易吸附于金属箔，因此所形成的包含金属氧化物的层的致密性提高。
[制膜方法]
第三方式的制膜方法包括：在第二气体的存在下对金属箔施加电压的第二施加工序(以下，简称为施加工序。)。图12是表示第三方式的制膜方法的流程图。
第三方式的制膜方法除了代替第一气体而在第二气体的存在下进行电压的施加以外，具备与第二方式的制膜方法和电极箔的制造方法同样的工序。
(i)表面改性工序(S311)
可以与第二方式的制膜方法中的(i)表面改性口序同样地操作，对金属箔的表面进行改性。
(ii)第一接触工序(S312)
与第二方式的制膜方法中的(ii)第一接触工序同样地操作，使金属箔与包含第二金属的第一气体接触。
(iii)第二接触工序(S313)和施加工序(S314)
与第一方式的制膜方法中的(iii)第二接触工序同样地操作，使第二气体与金属箔接触。此时，使金属箔的一部分与1个以上的第二供电体(以下，简称为供电体。)接触，对金属箔施加电压。由此，在金属箔的表面形成包含金属氧化物的层。供电体与金属箔的接触可以在腔室内进行，也可以在腔室外进行。
各工序的顺序没有特别限定。通常，在使第一气体与金属箔接触后，使第二气体与金属箔接触。第一接触工序和第二接触工序可以反复进行多次。
在形成电介质层之后，可以对金属箔进行化学转化。由此，在金属箔与电介质层之间形成包含构成金属箔的第一金属的氧化物的第三电介质层。因此，作为电介质层整体，容易形成无针孔且具备均匀厚度的层。对金属箔进行化学转化的方法没有特别限定。化学转化例如通过阳极氧化来进行。
[电极箔的制造方法]
第三方式的电极箔的制造方法包括在第二气体的存在下对金属箔施加电压的施加工序。
在第三方式的制膜方法和电极箔的制造方法中，具有规定大小的金属箔和长条的金属箔均为制膜对象物。通过上述方法制造的电极箔适合用作电解电容器的阳极体。
以下，按照每个工序详细地说明第三方式的电极箔的制造方法。图13是表示第三方式的电极箔的制造方法的流程图。
(1)准备工序(S31)
准备与第一方式的制膜方法中记载的金属箔相同的金属箔。金属箔可以具有在通过粗糙化而形成的凹坑的内部形成的其他电介质层。
(2)粗糙化工序(S32)
在第一接触工序之前，可以对金属箔的表面进行粗糙化。粗糙化与第一方式的电极箔的制造方法中的(2)粗糙化工序同样地进行。
(3)表面改性工序(S33)
在第一接触工序之前，可以进行对金属箔的表面进行改性的表面改性处理。表面改性工序与第一方式的制膜方法中的(i)表面改性工序同样地进行。
(4)第一接触工序(S34)
与第三方式的制膜方法中的(ii)第一接触工序同样地进行。
(5)第二接触工序(S35)和第二施加工序(S36)
与第三方式的制膜方法中的(iii)第二接触工序和第二施加工序同样地进行。
对电极箔的电压施加可以在第一气体的存在下和第二气体的存在下这两者下进行。由此，形成更均匀的层。图14是表示本方式的制膜方法的流程图。图15是表示本方式的电极箔的制造方法的流程图。
本方式在(iii)第二接触工序中也对金属箔施加电压这一点上与第二方式不同，在(ii)第一接触工序中也对金属箔施加电压这一点上与第三方式不同。除此以外，本方式具有与第二方式和第三方式相同的工序。
[制膜装置]
第二方式和第三方式的制膜装置具备：与作为制膜对象物的金属箔的一部分接触的供电体、以及使金属箔与供电体之间产生电压差的对电极。第一气体和第二气体以与金属箔的两个主面接触的方式供给。
(供电体)
供电体(第一供电体和第二供电体)与作为制膜对象物的金属箔的一部分接触而对金属箔施加电压。供电体为1个以上即可，也可以为2个以上。供电体的形状只要能够以一定程度的面积与金属箔接触即可，没有特别限定。
供电体例如可以是供给卷轴和/或回收卷轴，也可以是支撑金属箔的基台，还可以是输送辊，还可以是对金属箔进行定位的定位构件。在通过辊对辊进行制膜的情况下，供电体可以位于腔室内，也可以位于腔室外。从能量损失变小的方面考虑，供电体优选配置于腔室内，特别优选配置于金属箔与第一气体和/或第二气体的接触地点的附近。另一方面，如果考虑到维护的容易性和装置设计的自由度，则供电体优选配置于腔室外。
(对电极)
对电极与供电体一起使用，使金属箔与供电体之间产生电压差。对电极的配置没有特别限定，只要是至少对金属箔的两面施加电压的部位即可。对电极也可以不面对金属箔的主面。对电极只要为1个以上即可，也可以为2个以上。对电极的形状也没有特别限定。
金属箔与对电极的距离没有特别限定。金属箔与对电极的距离优选为0.5mm以上且500mm以下。如果金属箔与对电极的距离为该范围，则在输送金属箔时，容易将金属箔与对电极的距离维持为恒定。因此，容易避免施加电压局部变高或金属箔与对电极接触。进而，容易形成均匀的层。金属箔与对电极的距离更优选为1mm以上且200mm以下，特别优选为1mm以上且130mm以下。如果金属箔与对电极的距离为该范围，则能够减小设备，并且能够降低能量损失。在对电极有多个的情况下，金属箔与各个对电极的距离也可以不相同。
在存在多个腔室的情况下，对电极只要配置于这些腔室中的至少1个即可。
第二方式和第三方式的制膜装置除了具备供电体来代替发热体以外，具备与第一方式的制膜装置相同的腔室、压力控制部、供给口、排气口。第二方式和第三方式的制膜装置可以具备第一方式的制膜装置中的支撑体、按压构件等。
如果在金属箔与第一气体接触的状态下对供电体施加电压，则执行第二方式。如果在金属箔与第二气体接触的状态下对供电体施加电压，则执行第三方式。
第二方式和第三方式的制膜方法和制膜装置可以将具有规定大小的金属箔作为制膜对象物，也可以将长条的金属箔作为制膜对象物。长条的金属箔例如在腔室内被输送，对于被输送的金属箔连续地形成电介质层。
以下，与第一方式同样地分成分批方式和辊对辊方式，对第二方式和第三方式的制膜装置进行说明。
A.分批方式
在本实施方式中，供电体(第一供电体和/或第二供电体)例如为基台。在金属箔的附近配置有对电极。通过将金属箔在腔室内载置于基台，能够对金属箔施加电压，能够在金属箔与对电极之间产生电位差。基台与金属箔的一部分接触。
[第II-i实施方式]
图16是概念性地表示第二方式和第三方式的制膜装置的一个例子的侧视图，以分批方式使用。
制膜装置30除了具备兼作供电体39的载物台34和对电极38来代替兼作发热体的基台以外，具备与图4所示的制膜装置10A相同的构成。
即，制膜装置30具备腔室31。腔室31具备第一供给口321、第二供给口322和排气口33。腔室31内的压力通过压力控制部36控制。金属箔300被按压构件35朝向基台34按压。
制膜装置30还具备电压调整装置303和交流电源304。但是，它们可以任意地设置。
对电极38以利用1只对金属箔的两面施加电压的方式配置。然而，对电极的配置并不限定于此，例如也可以将多个对电极以与金属箔的两个主面面对的方式分别配置。在配置多个对电极的情况下，优选配置成以金属箔为中心呈点对称或线对称。
B.辊对辊方式
在本实施方式中，对所输送的金属箔施加电压。供电体配置于腔室内或腔室外。供电体可以是供给卷轴或回收卷轴，可以是输送辊，也可以是对所输送的金属箔进行定位的定位构件，也可以是对所输送的金属箔进行支撑的基台。
在1个腔室内进行第一气体和第二气体的供给和排出的情况下，可以与第一方式同样地将腔室划分为多个。金属箔可以多次经由各区域。
[第II-ii实施方式]
图17是概念性地表示第二方式和第三方式的制膜装置的一个例子的侧视图，以辊对辊方式使用。
制膜装置40A除了具备兼作供电体49的第三输送辊473和对电极48来代替兼作发热体的基台以外，具有与图6所示的制膜装置20A相同的构成。
即，制膜装置40A具备腔室41。腔室41具备供给第一气体G1的第一供给区域SZ1、供给第二气体G2的第二供给区域SZ2、将第一气体G1吹扫的第一排气区域EZ1、以及将第二气体G2吹扫的第二排气区域EZ2。各区域以在与输送方向相交的方向上分离腔室21的方式依次配置。在各区域适当设置有第一供给口421、第二供给口422、第三供给口423、第一排气口431、第二排气口432。适当地进行从各排气口的吹扫。根据需要，决定所使用的排气口即可。
对电极可以以与金属箔的两个主面面对的方式至少各配置1个。在该情况下，抑制施加于金属箔的电压的偏差。对电极也可以配置于第一供给区域SZ1内和/或第二供给区域SZ2内。
腔室41内的压力由压力控制部46控制成减压气氛。压力控制部46可以分别适当控制各区域的压力。金属箔400卷绕于由马达旋转驱动的供给卷轴401，一边从供给卷轴401开卷，一边供给至腔室41内的上游。金属箔400在处理后被回收卷轴402回收。
在腔室21的上游侧配置有输送金属箔400的第三输送辊473。第三输送辊473为供电体49。供电体49配置于比腔室41内的第一供给区域SZ1更靠上游的位置。金属箔400一边被供电体49(第三输送辊473)支撑一边被输送。对电极48配置于比供电体49更靠下游且比第一供给区域SZ1更靠上游的位置。
对电极也可以配置于最上游侧的第一供给区域SZ1内。对电极可以进一步配置于第一排气区域EZ1内、第二供给区域SZ2内和第二排气区域EZ2内的至少1处。
制膜装置40A具备按压构件45。但是，它们可以任意地设置。按压构件45为辊状，支持金属箔400的输送。制膜装置40A还具备电压调整装置403和交流电源404。但是，它们可以任意地设置。
在其他方式中，按压构件45为供电体。此时，优选第三输送辊473不是供电体。如果对接近的构件施加电压，则有时在该构件间产生电位差，发生构件腐蚀。
[第II-iii实施方式]
图18是概念性地表示第二方式和第三方式的又一制膜装置的侧视图。制膜装置40B除了供电体的配置、对电极的数量和配置以外，具备与制膜装置40A相同的构成。
供电体49为供给卷轴401和回收卷轴402，配置于腔室41外。供电体49可以是供给卷轴401和回收卷轴402中的任一方。对电极48在第一供给区域SZ1和第二供给区域SZ2各配置有2个。在各区域中，2个对电极48以夹隔着金属箔400面对的方式配置。
[第II-iv实施方式]
图19是概念性地表示第二方式和第三方式的又一制膜装置的侧视图。制膜装置40C除了供给卷轴401和回收卷轴402兼作供电体49、以及具备多个对电极48以外，具备与图9所示的制膜装置20D相同的构成。
即，制膜装置40C具备腔室41。金属箔400一边在腔室41内多次折返一边被输送。折返的次数没有特别限定。
腔室41具备将第一气体G1供给至第一供给区域SZ1的第一供给口421、将第四气体G4(第二气体G2或非活性气体G3)供给至第四供给区域SZ4的第四供给口424、以及将第五气体G5(第一气体G1、非活性气体G3或其他第一气体G1)供给至第五供给区域SZ5的第五供给口425。
在第一供给区域SZ1配置有多个第一输送辊471。在第四供给区域SZ4配置有多个第三输送辊473。在第五供给区域SZ5配置有多个第二输送辊472。
腔室41具备从第一供给区域SZ1排出第一气体G1的第一排气口431、从第四供给区域SZ4排出第四气体G4的第四排气口434、以及从第五供给区域SZ5排出第五气体G5的第五排气口435。
供电体49为供给卷轴401和回收卷轴402，配置于腔室41外。供电体49可以是供给卷轴401和回收卷轴402中的任一方。第一输送辊471、第二输送辊472、第三输送辊473中的至少1个可以是供电体。
对电极48在第一供给区域SZ1和第四供给区域SZ4各配置有2个。在各区域中，2个对电极48以隔着金属箔400面对的方式配置。
[第II-v实施方式]
图20是概念性地表示第二方式和第三方式的又一制膜装置的侧视图。制膜装置40D除了对电极48的形状和配置以外，具备与图19所示的制膜装置40C相同的构成。
3个对电极48均为长条，配置成长度方向在各供给区域中从供给卷轴401朝向回收卷轴402。在对电极48形成有金属箔能够通过的多个狭缝(未图示)。狭缝的内壁发挥作为对电极的功能。在金属箔通过狭缝时，在其内壁与金属箔之间产生电位差。对电极48只要配置于任一个供给区域即可。
对电极48的大小没有特别限定。如果考虑到装置设计的自由度、气体的流动，则对电极48优选为不将腔室41分隔成多个腔室的程度的大小。对电极48的大小例如小于制膜装置40D的底部的面积的80％。
[第II-vi实施方式]
图21是概念性地表示第二方式和第三方式的又一制膜装置的侧视图。制膜装置40E除了腔室41兼作对电极48以外，具备与图19所示的制膜装置40C相同的构成。腔室41的内壁为导电性。将内壁上的任意点作为接点，在与金属箔400之间产生电位差。
IV.第四方式
在本方式中，对金属箔进行加热，并且在第一气体和第二气体中的至少一者的存在下对金属箔施加电压。由此，高效地形成均匀的电介质层。
[制膜方法]
第四方式的制膜方法包括：加热工序，对金属箔进行加热；以及施加工序，在第一气体和第二气体中的至少一者的存在下对金属箔施加电压。图22是表示第四方式的制膜方法的流程图。
加热工序和施加工序与第一方式、第二方式、第三方式的制膜方法同样地进行。第一接触工序可以一边对施加了电压的金属箔进行加热一边进行。第二接触工序可以一边对施加了电压的金属箔进行加热一边进行。也可以通过供电体产生的热来加热金属箔。
[电极箔的制造方法]
第四方式的电极箔的制造方法包括：加热工序，对金属箔进行加热；施加工序，在第一气体和第二气体中的至少一者的存在下对金属箔施加电压。图23是表示第四方式的电极箔的制造方法的流程图。加热工序和施加工序与第一方式、第二方式、第三方式的制膜方法同样地进行。
[制膜装置]
第四方式的制膜装置具备：发热体，其配置于腔室内，与作为制膜对象物的金属箔的一部分接触而对金属箔进行加热；供电体，其与金属箔的一部分接触；以及对电极，其使金属箔与供电体之间产生电压差。第一气体和第二气体以与金属箔的两个主面接触的方式供给。
第四方式的制膜装置具备与第一方式～第三方式的制膜装置相同的腔室、压力控制部、供给口、排气口。第四方式的制膜装置还具备与第一方式的制膜装置相同的发热体、以及与第二方式和第三方式的制膜装置相同的供电体和对电极。第四方式的制膜装置可以具备第一方式～第三方式的制膜装置中的支撑体、按压构件等。
[第IV实施方式]
图24是概念性地表示第四方式的制膜装置的一个例子的侧视图。
制膜装置50除了具备与图18所示的制膜装置40B同样的兼作供电体59的供给卷轴501和对电极58以外，具备与图6所示的制膜装置20A相同的构成。
即，制膜装置50具备腔室51。腔室51具备供给第一气体G1的第一供给区域SZ1、供给第二气体G2的第二供给区域SZ2、将第一气体G1吹扫的第一排气区域EZ1、以及将第二气体G2吹扫的第二排气区域EZ2。各区域以在与输送方向相交的方向上分离腔室51的方式依次配置。在各区域适当设置有第一供给口521、第二供给口522、第三供给口523、第一排气口531、第二排气口532。适当地进行从各排气口的吹扫。根据需要来决定所使用的排气口即可。
腔室51内的压力由压力控制部56控制成减压气氛。压力控制部56可以分别适当控制各区域的压力。金属箔500卷绕于由马达旋转驱动的供给卷轴501，一边从供给卷轴501开卷，一边向腔室51内的上游供给。金属箔500在处理后被回收至回收卷轴502。供给卷轴501和回收卷轴502为供电体59。对电极58配置于比供电体59更靠下游且比第一供给区域SZ1更靠上游的位置。
对电极可以配置于最上游侧的第一供给区域SZ1内。对电极可以进一步配置于第一排气区域EZ1内、第二供给区域SZ2内和第二排气区域EZ2内的至少1处。
在腔室51的上游侧配置有支撑所输送的金属箔500的基台541。基台541为发热体60。在与基台541对应的位置配置有用于将金属箔500朝向基台541按压的按压构件55。按压构件55也为发热体60。按压构件55为辊状，支持金属箔500的输送。
制膜装置50还具备电压调整装置503和交流电源504。但是，它们可以任意地设置。
产业上的可利用性
通过本发明的方法制造的电极箔提高容量和耐电压性，因此能够用于各种用途的电解电容器。
附图标记说明
10A、10B：制膜装置
11：腔室
121：第一供给口
122：第二供给口
13：排气口
14：基台
15：按压构件
16：压力控制部
19：发热体
100：金属箔
20A、20B、20C、20D：制膜装置
21：腔室
221：第一供给口
222：第二供给口
223：第三供给口
23：排气口
231：第一排气口
232：第二排气口
241：基台
243：定位构件
25：按压构件
26：压力控制部
27：输送辊
271：第一输送辊
272：第二输送辊
273：第三输送辊
28：输送带
29：发热体
201：供给卷轴
202：回收卷轴
200：金属箔
200a：贯通孔
30：制膜装置
31：腔室
321：第一供给口
322：第二供给口
33：排气口
34：基台
35：按压构件
36：压力控制部
38：对电极
39：供电体
303：电压调整装置
304：交流电源
300：金属箔
40A、40B、40C、40D、40E：制膜装置
41：腔室
421：第一供给口
422：第二供给口
423：第三供给口
424：第四供给口
425：第五供给口
431：第一排气口
432：第二排气口
434：第四排气口
435：第五排气口
45：按压构件
46：压力控制部
471：第一输送辊
472：第二输送辊
473：第三输送辊
48：对电极
49：供电体
401：供给卷轴
402：回收卷轴
403：电压调整装置
404：交流电源
400：金属箔
50：制膜装置
51：腔室
521：第一供给口
522：第二供给口
523：第三供给口
531：第一排气口
532：第二排气口
541：基台
55：按压构件
56：压力控制部
58：对电极
59：供电体
60：发热体
501：供给卷轴
502：回收卷轴
503：电压调整装置
504：交流电源
500：金属箔。

Claims (54)

1.一种包含金属氧化物的层的制膜方法，其具备：
加热工序，使包含第一金属的金属箔的一部分与1个以上的发热体接触而对所述金属箔进行加热；
第一接触工序，在所述金属箔的一部分被支撑的状态下，使包含第二金属的第一气体与所述金属箔的两面接触；以及
第二接触工序，在所述金属箔的一部分被支撑的状态下，使包含氧化剂的第二气体与所述金属箔的所述两面接触。
2.根据权利要求1所述的制膜方法，其中，所述加热工序是一边利用配置于与所述发热体对应的位置的按压构件将所述金属箔朝向所述发热体按压一边进行的。
3.根据权利要求1或2所述的制膜方法，其中，在所述第一接触工序中，所述金属箔的一部分被所述发热体支撑。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的制膜方法，其中，在所述第二接触工序中，所述金属箔的一部分被发热体支撑。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的制膜方法，其中，所述发热体为输送辊。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的制膜方法，其中，在所述加热工序中，使所述金属箔与2个以上的所述发热体接触。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的制膜方法，其中，所述加热工序和所述第一接触工序在相同腔室的空间内进行。
8.根据权利要求1～7中任一项所述的制膜方法，其中，在所述第一接触工序之前，还具备对所述金属箔的表面进行改性的表面改性工序。
9.一种制膜装置，其具备：
至少1个腔室；
压力控制部，其将所述腔室内的压力控制为减压气氛；
第一供给口，其向所述腔室供给包含第二金属的第一气体；
第二供给口，其向所述腔室供给包含氧化剂的第二气体；
第一排气口，其从所述腔室排出所述第一气体；
第二排气口，其从所述腔室排出所述第二气体；以及
1个以上的发热体，其配置于所述腔室内，与作为制膜对象物的金属箔的一部分接触而对所述金属箔进行加热，
所述第一气体和所述第二气体以与所述金属箔的两个主面接触的方式被供给。
10.根据权利要求9所述的制膜装置，其还具备按压构件，所述按压构件配置于与所述发热体对应的位置，用于将所述金属箔朝向所述发热体按压。
11.根据权利要求9或10所述的制膜装置，其中，所述发热体为输送辊。
12.根据权利要求9～11中任一项所述的制膜装置，其具备2个以上的所述发热体。
13.一种电极箔的制造方法，其具备：
准备工序，准备包含第一金属的金属箔；
粗糙化工序，对所述金属箔的两个主面进行粗糙化；
加热工序，使经粗糙化的所述金属箔的一部分与1个以上的发热体接触而对所述金属箔进行加热；
第一接触工序，在所述金属箔的一部分被支撑的状态下，使包含第二金属的第一气体与所述金属箔的两面接触；以及
第二接触工序，在所述金属箔的一部分被支撑的状态下，使包含氧化剂的第二气体与所述金属箔的所述两面接触而形成电介质层。
14.根据权利要求13所述的电极箔的制造方法，其中，所述加热工序是一边利用配置于与所述发热体对应的位置的按压构件将所述金属箔朝向所述发热体按压一边进行的。
15.根据权利要求13或14所述的电极箔的制造方法，其中，在所述第一接触工序中，所述金属箔的一部分被所述发热体支撑。
16.根据权利要求13～15中任一项所述的电极箔的制造方法，其中，在所述第二接触工序中，所述金属箔的一部分被发热体支撑。
17.根据权利要求13～16中任一项所述的电极箔的制造方法，其中，所述发热体为输送辊。
18.根据权利要求13～17中任一项所述的电极箔的制造方法，其中，在所述加热工序中，使所述金属箔与2个以上的所述发热体接触。
19.一种包含金属氧化物的层的制膜方法，其具备：
第一接触工序，使包含第二金属的第一气体与包含第一金属的金属箔的两面接触；
第二接触工序，使包含氧化剂的第二气体与所述金属箔的所述两面接触；以及
第一施加工序，使所述金属箔的一部分与1个以上的第一供电体接触，在所述第一气体的存在下对所述金属箔施加电压。
20.根据权利要求19所述的制膜方法，其中，在所述第一接触工序中，所述金属箔的一部分被所述第一供电体支撑。
21.根据权利要求19或20所述的制膜方法，其中，所述第一供电体为输送辊。
22.根据权利要求19～21中任一项所述的制膜方法，其中，在所述第一施加工序中，使所述金属箔与2个以上的所述第一供电体接触。
23.根据权利要求19～22中任一项所述的制膜方法，其具备第二施加工序，所述第二施加工序使所述金属箔的一部分与1个以上的第二供电体接触，在所述第二气体的存在下对所述金属箔施加电压。
24.根据权利要求23所述的制膜方法，其中，在所述第二接触工序中，所述金属箔的一部分被所述第二供电体支撑。
25.根据权利要求23或24所述的制膜方法，其中，所述第二供电体为输送辊。
26.根据权利要求23～25中任一项所述的制膜方法，其中，在所述第二施加工序中，使所述金属箔与2个以上的所述第二供电体接触。
27.根据权利要求19～26中任一项所述的制膜方法，其中，所述金属箔被粗糙化。
28.根据权利要求19～27中任一项所述的制膜方法，其中，所述第一接触工序之前还具备对所述金属箔的表面进行改性的表面改性工序。
29.一种电极箔的制造方法，其具备：
准备工序，准备包含第一金属的金属箔；
粗糙化工序，对所述金属箔的两个主面进行粗糙化；
第一接触工序，使包含第二金属的第一气体与经粗糙化的金属箔的两面接触；
第二接触工序，使包含氧化剂的第二气体与所述金属箔的所述两面接触；以及
第一施加工序，使所述金属箔的一部分与1个以上的第一供电体接触，在所述第一气体的存在下对所述金属箔施加电压。
30.根据权利要求29所述的电极箔的制造方法，其中，在所述第一接触工序中，所述金属箔的一部分被所述第一供电体支撑。
31.根据权利要求29或30所述的电极箔的制造方法，其中，所述第一供电体为输送辊。
32.根据权利要求29～31中任一项所述的电极箔的制造方法，其中，在所述第一施加工序中，使所述金属箔与2个以上的所述第一供电体接触。
33.根据权利要求29～32中任一项所述的电极箔的制造方法，其中，所述第一施加工序和所述第一接触工序在相同腔室的空间内进行。
34.根据权利要求29～33中任一项所述的电极箔的制造方法，其具备第二施加工序，所述第二施加工序使所述金属箔的一部分与1个以上的第二供电体接触，在所述第二气体的存在下对所述金属箔施加电压。
35.根据权利要求34所述的电极箔的制造方法，其中，在所述第二接触工序中，所述金属箔的一部分被所述第二供电体支撑。
36.根据权利要求34或35所述的电极箔的制造方法，其中，所述第二供电体为输送辊。
37.根据权利要求34～36中任一项所述的电极箔的制造方法，其中，在所述第二施加工序中，使所述金属箔与2个以上的所述第二供电体接触。
38.根据权利要求34～37中任一项所述的电极箔的制造方法，其中，所述第二施加工序和所述第二接触工序在相同腔室的空间内进行。
39.根据权利要求29～38中任一项所述的电极箔的制造方法，其中，在所述第一接触工序之前还具备对所述金属箔的表面进行改性的表面改性工序。
40.一种包含金属氧化物的层的制膜方法，其具备：
第一接触工序，使包含第二金属的第一气体与包含第一金属的金属箔的两面接触；
第二接触工序，使包含氧化剂的第二气体与所述金属箔的所述两面接触；
施加工序，使所述金属箔的一部分与1个以上的供电体接触，在所述第二气体的存在下对所述金属箔施加电压。
41.根据权利要求40所述的制膜方法，其中，在所述第二接触工序中，所述金属箔的一部分被所述供电体支撑。
42.根据权利要求40或41所述的制膜方法，其中，所述供电体为输送辊。
43.根据权利要求40～42中任一项所述的制膜方法，其中，所述金属箔被粗糙化。
44.根据权利要求40～43中任一项所述的制膜方法，其中，在所述施加工序中，使所述金属箔与2个以上的所述供电体接触。
45.根据权利要求40～44中任一项所述的制膜方法，其中，在所述第一接触工序之前还具备对所述金属箔的表面进行改性的表面改性工序。
46.一种电极箔的制造方法，其具备：
准备工序，准备包含第一金属的金属箔；
粗糙化工序，对所述金属箔的两个主面进行粗糙化；
第一接触工序，使包含第二金属的第一气体与经粗糙化的金属箔的两面接触；
第二接触工序，使包含氧化剂的第二气体与所述金属箔的所述两面接触；以及
第二施加工序，使所述金属箔的一部分与1个以上的第二供电体接触，在所述第二气体的存在下对所述金属箔施加电压。
47.根据权利要求46所述的电极箔的制造方法，其中，在所述第二接触工序中，所述金属箔的一部分被所述供电体支撑。
48.根据权利要求46或47所述的电极箔的制造方法，其中，所述第二供电体为输送辊。
49.根据权利要求46～48中任一项所述的电极箔的制造方法，其中，在所述第二施加工序中，使所述金属箔与2个以上的所述第二供电体接触。
50.根据权利要求46～49中任一项所述的电极箔的制造方法，其中，在所述第一接触工序之前还具备对所述金属箔的表面进行改性的表面改性工序。
51.一种制膜装置，其具备：
至少1个腔室；
压力控制部，其将所述腔室内的压力控制为减压气氛；
第一供给口，其向所述腔室供给包含第二金属的第一气体；
第二供给口，其向所述腔室供给包含氧化剂的第二气体；
第一排气口，其从所述腔室排出所述第一气体；
第二排气口，其从所述腔室排出所述第二气体；
1个以上的供电体，其与作为制膜对象物的金属箔的一部分接触；以及
对电极，其使所述金属箔与所述供电体之间产生电压差，
所述第一气体和所述第二气体以与所述金属箔的两个主面接触的方式被供给。
52.根据权利要求51所述的制膜装置，其中，所述供电体为输送辊。
53.根据权利要求51或52所述的制膜装置，其具备2个以上的所述供电体。
54.一种包含金属氧化物的层的制膜方法，其具备：
加热工序，使包含第一金属的金属箔的一部分与1个以上的发热体接触而对所述金属箔进行加热；
第一接触工序，在所述金属箔的一部分被支撑的状态下，使包含第二金属的第一气体与所述金属箔的两面接触；
第二接触工序，在所述金属箔的一部分被支撑的状态下，使包含氧化剂的第二气体与所述金属箔的所述两面接触；以及
施加工序，使所述金属箔的一部分与1个以上的供电体接触，在所述第一气体和所述第二气体中的至少一者的存在下对所述金属箔施加电压。
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