CN113451331A - 阵列基板、显示装置以及显示装置的制造方法 - Google Patents

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CN113451331A CN202110312484.3A CN202110312484A CN113451331A CN 113451331 A CN113451331 A CN 113451331A CN 202110312484 A CN202110312484 A CN 202110312484A CN 113451331 A CN113451331 A CN 113451331A
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山田一幸
浅田圭介
武政健一
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Abstract

本发明提供一种即使更换无机发光二极管也可抑制对电极的损伤的阵列基板、显示装置以及显示装置的制造方法。阵列基板具备：基板；层叠于基板的第一绝缘膜；以及设在第一绝缘膜之上、且用于与无机发光二极管的阳极电极电连接的多个第1电极。第1电极具有经由接合用导电体与阳极电极接合的第1区域、以及位于与第1区域不同的位置的第2区域。多个第2区域中包括存在加热痕的第2区域。

Description

阵列基板、显示装置以及显示装置的制造方法
技术领域
本公开涉及阵列基板、显示装置以及显示装置的制造方法。
背景技术
使用了发光二极管的显示装置因发光二极管的尺寸小等理由，导致将发光二极管向基板的搭载等制造变困难，易于导致发光二极管的不良。在通过废除产生了不良的显示装置等来不使用这种显示装置的情况下，成品率下降。因此，在使用发光二极管的显示装置中，即使在产生了发光二极管的不良的情况下，也要求更换发光二极管。例如，在专利文献1记载有更换发光二极管的修补方法。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：美国专利申请公开2017/0140961号说明书
发明内容
在专利文献1的技术中使用了拾取工具(保持构件)。在需要更换的发光二极管与阵列基板接合的状态下，若拾取工具(保持构件)从阵列基板剥下发光二极管，则可能会使阵列基板侧的电极损伤。
本公开的目的在于，提供一种即使更换无机发光二极管也可抑制电极的损伤的阵列基板、显示装置以及显示装置的制造方法。
一个方面的阵列基板具备：基板；层叠于所述基板的第一绝缘膜；以及设在所述第一绝缘膜之上、且用于与无机发光二极管的阳极电极电连接的多个第1电极，所述第1电极具有经由接合用导电体与所述阳极电极接合的第1区域、以及位于与所述第1区域不同的位置的第2区域，多个所述第2区域中包括存在加热痕的第2区域。
一个方面的显示装置具备：阵列基板；以及与所述阵列基板接合的多个无机发光二极管，所述阵列基板具备：基板；层叠于所述基板的第一绝缘膜；以及设在所述第一绝缘膜之上、且用于与所述无机发光二极管的阳极电极电连接的多个第1电极，所述第1电极具有经由接合用导电体与所述阳极电极接合的第1区域、以及位于与所述第1区域不同的位置的第2区域，多个所述第2区域中包括存在加热痕的第2区域。
一个方面的显示装置的制造方法包括：准备阵列基板的基板准备工序，所述阵列基板具备基板、层叠于所述基板的第一绝缘膜、以及设在所述第一绝缘膜之上且用于与无机发光二极管的阳极电极电连接的多个第1电极，所述第1电极具有经由接合用导电体与所述阳极电极接合的第1区域、以及位于与所述第1区域不同的位置的第2区域；接合工序，经由接合用导电体将所述无机发光二极管和所述第1区域接合；点亮检查工序，检查所述无机发光二极管的点亮状态；以及修补工序，向在所述点亮检查工序中确认为需要修补的无机发光二极管所接合的第1电极的第2区域照射激光，来去掉该无机发光二极管。
附图说明
图1是示意性地示出实施方式1的显示装置的俯视图。
图2是示出显示装置的像素电路的电路图。
图3是图1的III-III’线的箭头方向剖视图。
图4是用于示意性地说明阵列基板与发光元件之间的连接的说明图。
图5是用于示意性地说明实施方式1的第1电极以及第2电极的俯视图。
图6是用于说明实施方式1中的制造方法的一部分工序的说明图。
图7是示出实施方式1的显示装置的制造装置的构成的说明图。
图8是用于说明由激光的照射引起的影响的说明图。
图9是实施方式2的显示装置中的剖视图。
图10是用于示意性地说明实施方式2的第1电极的俯视图。
图11是用于说明实施方式2中的制造方法的一部分工序的说明图。
图12是示出实施方式2的显示装置的制造装置的构成的说明图。
图13是实施方式3的显示装置中的剖视图。
图14是实施方式4的显示装置中的剖视图。
图15是用于示意性地说明实施方式4的第1电极的俯视图。
图16是实施方式5的显示装置中的剖视图。
其中，附图标记说明如下：
1 显示装置
2 阵列基板
3、3N、3A、3AN 发光元件
5 罩部
8 点亮检查装置
21 基板
22 第2电极
22A 第3区域
22B 第4区域
23 第1电极
23A 第1区域
23B 第2区域
24 第3电极
36 阳极电极
38 阴极电极
39A、39B 接合用导电体
81 检查用基板
82 检查用电极
91 绝缘膜
92 绝缘膜
93 绝缘膜
94 绝缘膜
95 绝缘膜
96 绝缘膜
97a 开口
97 绝缘膜
98 绝缘膜
100 制造***
101 检查用控制电路
102 光检测装置
103 图像处理电路
104 检查用驱动电路
105 激光装置
200 拾取工具
具体实施方式
参照附图，详细说明用于实施发明的方式(实施方式)。本公开不限定于在以下的实施方式中记载的内容。另外，在以下记载的构成要素包含本领域技术人员能够容易想到的、或实质上相同的构成要素。还能够适当组合以下记载的构成要素。此外，公开只不过为一例，对于本领域技术人员在保持发明的主旨的前提下容易想到的适当变更当然包含在本公开的范围内。另外，为了使说明书更明确，有时与实际的形态相比，示意性地示出附图中的各部分的宽度、厚度、形状等，但只不过为一例，不限定对本公开的解释。另外，在本公开和各图中，有时对与已经出现的图进行了说明的要素相同的要素标注相同的附图标记，并适当省略详细的说明。
(实施方式1)
图1是示意性地示出实施方式1的显示装置的俯视图。图2是示出显示装置的像素电路的电路图。图3是图1的III-III’线的箭头方向剖视图。如图1所示，显示装置1包括阵列基板2、多个像素Pix、驱动电路12、驱动IC(Integrated Circuit：集成电路)200、以及阴极布线26。阵列基板2为用于驱动各像素Pix的布线基板。阵列基板2也被称为背板或者有源矩阵基板。阵列基板2包括基板21(参照图1、图3)、形成在基板21上的第1晶体管Tr1(参照图2、图3)、第2晶体管Tr2(参照图2、图3)等、晶体管TrG(参照图3)、以及各种布线等。第1晶体管Tr1、第2晶体管Tr2等为针对每个像素Pix设置的开关元件。晶体管TrG为驱动电路12所包含的开关元件。
如图1所示，显示装置1具有显示区域AA和周边区域GA。显示区域AA与多个像素Pix重叠地配置，为显示图像的区域。周边区域GA为与多个像素Pix不重叠的区域，配置在显示区域AA的外侧。
多个像素Pix在基板21的显示区域AA中，沿第1方向Dx以及第2方向Dy排列。此外，第1方向Dx以及第2方向Dy为相对于基板21的表面平行的方向。有时将与包括第1方向Dx和第2方向Dy在内的面平行的方向称为平面方向。第1方向Dx与第2方向Dy正交。因此，有时将第2方向Dy称为正交方向。在此，第1方向Dx包括不与第2方向Dy正交而是交叉的情况。第3方向Dz为与第1方向Dx以及第2方向Dy正交的方向，有时称为层叠方向。
驱动电路12为基于来自驱动IC200的各种控制信号驱动多个栅极线的电路。在多个栅极线包括图2示出的第1栅极线GCL1以及第2栅极线GCL2。驱动电路12依次或者同时选择多个栅极线，向所选择的栅极线供给栅极驱动信号。由此，驱动电路12选择与栅极线连接的多个像素Pix。
驱动IC200是控制显示装置1的显示的电路。驱动IC200作为COG(Chip On Glass：玻璃上芯片)而安装于基板21的周边区域GA。但不限于此，驱动IC200也可以作为COF(ChipOn Film：覆晶薄膜)安装于与基板21的周边区域GA连接的柔性印刷基板或刚性基板之上。
阴极布线26设于基板21的周边区域GA。阴极布线26包围显示区域AA的多个像素Pix以及周边区域GA的驱动电路12而设置。多个发光元件3的阴极与共用的阴极布线26连接，例如，被供给接地电位。在实施方式1中，阴极布线26与后述的第2电极22连接。
像素Pix具有发光元件3。发光元件3与像素Pix对应地设置，包括射出不同颜色的光的第1发光元件3R、第2发光元件3G、以及第3发光元件3B。第1发光元件3R射出红色的光。第2发光元件3G射出绿色的光。第3发光元件3B射出蓝色的光。此外，在以下的说明中，在不需要区别说明第1发光元件3R、第2发光元件3G以及第3发光元件3B的情况下，仅表示为发光元件3。此外，多个发光元件3也可以射出4色以上的不同的光。
像素Pix的排列以具有第1发光元件3R的像素Pix、具有第2发光元件3G的像素Pix、具有第3发光元件3B的像素Pix的顺序反复沿第1方向Dx排列这些像素。也就是说，第1发光元件3R、第2发光元件3G以及第3发光元件3B以此顺序沿第1方向Dx反复排列。另外，第1发光元件3R、第2发光元件3G以及第3发光元件3B分别沿第2方向Dy连续排列有多个。
发光元件3在俯视下为具有3μm以上、300μm以下左右的大小的无机发光二极管(LED:Light Emitting Diode)芯片，被称为微型LED(microLED)。在各像素具有微型LED的显示装置也被称为微型LED显示装置。此外，微型LED的微型并非限定无机发光二极管的大小。另外，发光元件3也可以为迷你LED。
像素电路28为驱动发光元件3的驱动电路。如图2所示，像素电路28具有多个开关元件(第1晶体管Tr1、第2晶体管Tr2、第3晶体管Tr3以及第4晶体管Tr4)、以及第1栅极线GCL1、第2栅极线GCL2、信号线SGL以及电源线LVdd。各晶体管分别为薄膜晶体管(TFT:ThinFilm Transistor)。
第1晶体管Tr1为驱动用TFT。第2晶体管Tr2为发光期间、和非发光期间的开关用TFT。第3晶体管Tr3以及第4晶体管Tr4为电流切换用TFT。信号线SGL与恒定电流源连接。电源线LVdd与恒定电压源连接。
另外，在第2晶体管Tr2的漏极与发光元件3的阳极之间形成有保持电容CS1。另外，在发光元件3的阳极与电源线LVdd之间形成有保持电容CS2。像素2电路8利用保持电容CS1和保持电容CS2，抑制因第2晶体管Tr2的寄生电容和漏电流引起的栅极电压的变动。
在非发光期间内，驱动电路12(参照图1)将第1栅极线GCL1的电位设为高电平，将第2栅极线GCL2的电位设为低电平。由此，第2晶体管Tr2以及第3晶体管Tr3导通，第4晶体管Tr4关闭。从信号线SGL向发光元件3的阳极供给电流Idata。
在发光期间内，驱动电路12(参照图1)将第1栅极线GCL1的电位设为低电平，将第2栅极线GCL2的电位设为高电平。由此，第2晶体管Tr2以及第3晶体管Tr3关闭，第4晶体管Tr4导通。从电源线LVdd向发光元件3的阳极供给电流Id。此外，图2只不过为一例，能够适当改变像素电路28的构成以及显示装置1的动作。
如图3所示，发光元件3设在阵列基板2之上。阵列基板2具有基板21、第1晶体管Tr1、第2晶体管Tr2等的开关元件、以及各种布线以及各种绝缘膜。作为多个晶体管，在基板21的周边区域GA设有驱动电路12所包含的晶体管TrG。基板21为绝缘基板、例如，使用玻璃基板、树脂基板或者树脂薄膜等。
在本公开中，在与基板21的表面垂直的方向上，将从基板21朝向平坦化膜27的上表面27a的方向设为“上侧”。另外，将从平坦化膜27的上表面27a朝向基板21的方向设为“下侧”。另外，“俯视”示出从与基板21的表面垂直的方向观察的情况。
第1晶体管Tr1、第2晶体管Tr2、以及晶体管TrG设于基板21的一面一侧。第1晶体管Tr1包括半导体61、源极电极62、漏极电极63、第1栅极电极64A以及第2栅极电极64B。第1栅极电极64A经由第1绝缘膜91设于基板21之上。第1绝缘膜91使用氧化硅膜(SiO)、氮化硅膜(SiN)或者氮氧化硅膜(SiON)等无机绝缘材料。另外，各无机绝缘膜不限于单层，也可以为层叠膜。
第2绝缘膜92覆盖第1栅极电极64A地设在第1绝缘膜91之上。第2绝缘膜92使用氧化硅膜(SiO)、氮化硅膜(SiN)或者氮氧化硅膜(SiON)等的无机绝缘材料。另外，各无机绝缘膜不限于单层，也可以为层叠膜。
半导体61设在第2绝缘膜92之上。第3绝缘膜93覆盖半导体61地设在第2绝缘膜92之上。第2栅极电极64B设在第3绝缘膜93之上。半导体61在第3方向Dz上，设在第1栅极电极64A与第2栅极电极64B之间。在半导体61中，在由第1栅极电极64A以及第2栅极电极64B夹持的部分形成有沟道区域。
在图3示出的例子中，第1晶体管Tr1为所谓的双栅构造。在此，第1晶体管Tr1可以为设有第1栅极电极64A、且没有设置第2栅极电极64B的底栅构造，也可以为没有设置第1栅极电极64A、且仅设有第2栅极电极64B的顶栅构造。
半导体61例如由非晶硅、微结晶氧化物半导体、非晶氧化物半导体、多晶硅、低温多晶硅(LTPS:Low Temperature Polycrystalline Silicone)或者氮化镓(GaN)构成。作为氧化物半导体，例示IGZO、氧化锌(ZnO)、ITZO。IGZO为铟镓锌氧化物。ITZO为铟锡锌氧化物。
第4绝缘膜94覆盖第2栅极电极64B地设在第3绝缘膜93之上。第4绝缘膜94为具有透光性的有机绝缘膜，例如使用硅树脂、环氧树脂、丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂等的树脂材料。源极电极62以及漏极电极63设在第4绝缘膜94之上。在本实施方式中，源极电极62经由接触孔H5与半导体61电连接。漏极电极63经由接触孔H3与半导体61电连接。
第5绝缘膜95覆盖源极电极62以及漏极电极63地设在第4绝缘膜94之上。第5绝缘膜95为将由第1晶体管Tr1、各种布线形成的凹凸平坦化的平坦化膜。第5绝缘膜95为具有透光性的有机绝缘膜，例如使用硅树脂、环氧树脂、丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂等的树脂材料。
第2晶体管Tr2包括半导体65、源极电极66、漏极电极67、第1栅极电极68A以及第2栅极电极68B。第2晶体管Tr2具有与第1晶体管Tr1类似的层构成，省略详细的说明。第2晶体管Tr2的漏极电极67经由接触孔H8与连接布线69连接。连接布线69与第1晶体管Tr1的、第1栅极电极64A以及第2栅极电极64B连接。
此外，半导体65、源极电极66、漏极电极67、第1栅极电极68A以及第2栅极电极68B分别与第1晶体管Tr1的、半导体61、源极电极62、漏极电极63、第1栅极电极64A以及第2栅极电极64B设在同一层，也可以设在不同的层。
晶体管TrG包括半导体71、源极电极72、漏极电极73、第1栅极电极74A以及第2栅极电极74B。晶体管TrG为驱动电路12所包含的开关元件。晶体管TrG也具有与第1晶体管Tr1类似的层构成，省略详细的说明。另外，第3晶体管Tr3以及第4晶体管Tr4(参照图2)也具有与第1晶体管Tr1类似的层构成。
第4电极25在第5绝缘膜95上延伸，在第3方向Dz上隔着第6绝缘膜96与第2电极22相对置。由此，在第2电极22与第4电极25之间形成有电容。在第2电极22与第4电极25之间形成的电容被用作像素电路28的保持电容CS。第6绝缘膜96使用氧化硅膜(SiO)、氮化硅膜(SiN)或者氮氧化硅膜(SiON)等的无机绝缘材料。另外，各无机绝缘膜不限于单层，也可以为层叠膜。
第7绝缘膜97设在第2电极22、第1电极23、第6绝缘膜96之上。另外，第7绝缘膜97具有用于使第1电极23以及第2电极22与发光元件3可连接的开口97a。第7绝缘膜97使用氧化硅膜(SiO)、氮化硅膜(SiN)或者氮氧化硅膜(SiON)等的无机绝缘材料。另外，各无机绝缘膜不限于单层，也可以为层叠膜。
第3电极24设在第5绝缘膜95之上，经由接触孔H2与漏极电极63连接。像这样，第1电极23以及第3电极24将发光元件3的阳极和第1晶体管Tr1的漏极电极63连接。另外，第4电极25与第3电极24设在同一层，经由接触孔H4与源极电极62连接。
在第7绝缘膜97之上设有平坦化膜27。平坦化膜27从显示区域AA一直设置至周边区域GA为止。平坦化膜27为具有透光性的有机绝缘膜，例如使用硅树脂、环氧树脂、丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂等的树脂材料。另外，在平坦化膜27之上，例如设有玻璃等由透射光的构件构成的罩部5。
图4是用于示意性地说明阵列基板与发光元件的连接的说明图。如图4所示，发光元件3在透光性基板31之上，缓冲层32、n型包层33、活性层34、p型包层35、阳极电极36以此顺序层叠。发光元件3以使透光性基板31成为上侧且阳极电极36成为下侧的方式安装。另外，在n型包层33中，在与第2电极22相对置一面侧设有从活性层34露出的区域。在该区域设置有阴极电极38。
阳极电极36由将来自发光层的光反射的具有金属光泽的材料形成。阳极电极36经由接合用导电体39A与第1电极23连接。阴极电极38经由接合用导电体39B与第2电极22连接。
在发光元件3中，p型包层35和n型包层33不直接接合，在它们之间导入有其他层(活性层34)。由此，能够使电子或空穴这种载体集中在活性层34中，能够高效地实现再复合(发光)。为了高效化，也可以采用使由多个原子层构成的能阱层与能障层周期性地层叠的多重量子阱构造(MQW构造)，来作为活性层34。发光元件3具有n型包层、活性层、p型包层以该顺序层叠的发光层，例如使用氮化镓(GaN)、铝铟磷(AlInP)等的化合物半导体。如图4所示，发光元件3为与n型包层连接的阴极电极38、和与p型包层连接的阳极电极36设在下侧的所谓的正面朝下构造。此外，发光元件3也可以为其他构造的LED芯片。
图5是用于示意性地说明实施方式1的第1电极以及第2电极的俯视图。如图5所示，阵列基板2具有第2电极22、第1电极23。第7绝缘膜97覆盖第1电极23以及第2电极22，第1电极23以及第2电极22的一部分在第7绝缘膜97的开口部分露出。如图5所示，在第2电极22有两个第7绝缘膜97的开口部分。在第1电极23中，与两个第7绝缘膜97的开口部分重叠的区域为第1区域23A以及第2区域23B。在第2电极22也具有两个第7绝缘膜97的开口部分。在第2电极22中，在与两个第7绝缘膜97的开口部分重叠的区域为第3区域22A以及第4区域22B。
第2电极22设在搭载发光元件3的阵列基板2的上表面。第2电极22设在第6绝缘膜96的第1面，经由图5示出的布线26A与设在周边区域GA的阴极布线26(参照图1)电连接。另外，如图4所示，第2电极22经由接合用导电体39B与发光元件3的阴极电极38连接。
第1电极23设在搭载发光元件3的阵列基板2的上表面。第2电极22设在第6绝缘膜96的第1面。如图3所示，第1电极23经由接触孔H7与第3电极24连接。第1电极23经由接合用导电体39A与发光元件3的阳极电极36连接。
接合用导电体39A为例如以Sn为主成分的金属。第1电极23为例如按照Al、Ti的顺序层叠的金属层叠体。接合用导电体39A比作为第1电极23的表面的材料的Al的熔点小。同样地，接合用导电体39B为例如以Sn为主成分的金属。第2电极22为例如按照Al、Ti的顺序层叠的金属层叠体。接合用导电体39B比作为第2电极22的表面的材料的Al的熔点小。
如图5所示，第1区域23A的面积比发光元件3的下侧面积小。在此，发光元件3的下侧面积为将第1方向Dx的长度3w和第2方向Dy的长度3h相乘得到的3w×3h。第2区域23B的面积为第1区域23A的面积以上。设有第1区域23A的第1电极23的面积为将第1方向Dx的长度23w、和第2方向Dy的长度23h相乘得到的23w×23h。因此，第1区域23A的面积比23w×23h小。
第2区域23B的面积更优选在发光元件3的下侧面积以上。设有第2区域23B的第1电极23的面积为将第1方向Dx的长度23Bw、和第2方向Dy的长度23Bh相乘得到的23Bw×23Bh。因此，第2区域23B的面积比23Bw×23Bh小。
由于第2区域23B的表面的材料具有金属光泽，所以第2区域23B还作为光反射层发挥作用。由此，提高显示装置1的视角特性。
如图5所示，第3区域22A的面积比发光元件3的下侧面积小。第4区域22B的面积在第3区域22A的面积以上。设有第3区域22A的第2电极22的面积为将第1方向Dx的长度23w、和第2方向Dy的长度23h相乘得到的23w×23h。因此，第3区域22A的面积比23Bw×23Bh小。
第4区域22B的面积更优选在发光元件3的下侧面积以上。设有第4区域22B的第2电极22的面积比将第1方向Dx的长度22Bw、和第2方向Dy的长度22Bh相乘得到的22Bw×22Bh大。因此，第4区域22B的面积比22Bw×22Bh小。
由于第4区域22B的表面的材料具有金属光泽，所以第4区域22B还作为光反射层发挥作用。由此，提高显示装置1的视角特性。
接下来，说明显示装置1的制造方法。图6是用于说明实施方式1中的制造方法的一部分工序的说明图。图7是示出实施方式1的显示装置的制造装置的构成的说明图。在准备阵列基板2的基板准备工序之后，如图6所示，进行在事先准备的阵列基板2接合发光元件3的接合工序。在接合工序中，作为保持构件的拾取工具200具有吸附力或粘着力，保持发光元件3。拾取工具200向阵列基板2的规定的像素Pix(参照图1)的上方搬运发光元件3。由此，发光元件3载置在阵列基板2上(步骤ST11)。
图7示出的制造***100进行具有阵列基板2、和在阵列基板2排列的多个发光元件3的显示装置1的接合工序、点亮检查工序以及修补工序。如图7所示，制造***100包括点亮检查装置8、检查用控制电路101、光检测装置102、图像处理电路103、检查用驱动电路104、和激光装置105。
如图6所示，图7示出的激光装置105向发光元件3照射激光L1(步骤ST12)。阳极电极36与第1电极23之间的接合用导电体39A被激光L1熔融，阳极电极36和第1电极23经由接合用导电体39A来接合。另外，阴极电极38与第2电极22之间的接合用导电体39B被激光L1熔融，阴极电极38和第2电极22经由接合用导电体39B来接合。
接下来，制造***100进行多个发光元件3的点亮检查。如图7所示，检查用控制电路101为控制多个发光元件3的点亮检查的电路。另外，检查用控制电路101为控制用于使多个发光元件3点亮的检查用驱动电路104的电路。
点亮检查装置8为用于进行多个发光元件3的点亮检查的检查基板。点亮检查装置8的检查用电极82与第2电极22相抵接，由此，与发光元件3的阴极电极38电连接。
若具体进行说明，则制造***100使点亮检查装置8的检查用电极82与发光元件3的第2电极22接触(步骤ST12)。如图7所示，检查用基板81隔着多个发光元件3与阵列基板2相对配置。检查用电极82设于检查用基板81的、与阵列基板2相对置的面，与发光元件3电连接。
检查用基板81为具有透光性的绝缘基板，为例如玻璃基板、石英基板、或者、丙烯酸树脂、环氧树脂、聚酰亚胺树脂、或者聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)树脂制的柔性基板。由此，即使在点亮检查装置8与多个发光元件3重叠配置的情况下，从多个发光元件3射出的光3L透射点亮检查装置8而到达光检测装置102。检查用电极82为导电材料。
通过使点亮检查装置8朝向阵列基板2移动，使发光元件3的第2电极22与检查用电极82相接。
检查用驱动电路104基于来自检查用控制电路101的控制信号，向阵列基板2供给阳极电源电位PVDD，向点亮检查装置8供给阴极电源电位PVSS。向发光元件3流通与阳极电源电位PVDD和阴极电源电位PVSS的电位差对应的电流，使发光元件3发光。此外，检查用驱动电路104只要供给使发光元件3点亮的电位来作为检查用驱动信号即可，也可以供给与显示装置1显示时的阳极电源电位PVDD以及阴极电源电位PVSS不同的电位。
光检测装置102检测从多个发光元件3分别射出的光3L。光检测装置102为例如具有CCD等摄像元件的图像传感器。图像处理电路103接收来自光检测装置102的检测信号(图像数据)并进行图像处理，由此，对多个发光元件3各自的点亮状态(例如亮度)进行解析。图像处理电路103将与多个发光元件3的点亮状态有关的信息输出至检查用控制电路101。
检查用控制电路101基于来自图像处理电路103的信息，判断多个发光元件3各自的点亮状态。例如，若从发光元件3射出的光3L的亮度在规定的范围内，检查用控制电路101判断为发光元件3的点亮状态良好。点亮状态良好的发光元件3被排除在修理的对象之外。检查用控制电路101在从发光元件3射出的光3L的亮度比基准值小的情况下，判断为发光元件3处于非点亮状态。另外，检查用控制电路101对非点亮状态的发光元件3的个数相对于所有发光元件3的个数的比例进行运算来作为连接不良率。另外，检查用控制电路101对点亮状态的发光元件3和非点亮状态的发光元件3各自的位置进行运算。
判断为非点亮状态的发光元件3通过制造***100实施规定的修理。在修补工序中，由于抑制因接合用导电体39A熔融使发光元件3的位置变动，所以拾取工具200通过吸引或者吸附来保持发光元件3。然后，激光装置105向第2区域23B以及第4区域22B照射激光L(步骤ST13)。
若照射有激光L的第1电极23的第2区域23B发热，且热量向第1电极23的第1区域23A传递，则接合用导电体39A熔融。同样地，若照射有激光L的第2电极22的第4区域22B发热，且热量向第2电极22的第3区域22A传递，则接合用导电体39B熔融。
在接合用导电体39A以及接合用导电体39B正在熔融的状态下，拾取工具200从阵列基板2剥下发光元件3。然后，第1电极23与阳极电极36分离，第2电极22与阴极电极38分离(步骤ST14)。其结果为，即使在拾取工具200从阵列基板2卸下发光元件3，也抑制第1电极23以及第2电极22的损伤。
拾取工具200向卸下发光元件3的像素Pix(参照图1)的上方搬运其他发光元件3N。由此，发光元件3N载置在阵列基板2上(步骤ST15)。接合用导电体39A、接合用导电体39B因修理而致使体积减少。因此，事先将与接合用导电体39A相同的材料的接合用导电体39C接合于阳极电极36。同样地，事先将与接合用导电体39B相同的材料的接合用导电体39D接合于阴极电极38。
接下来，激光装置105向第2区域23B以及第4区域22B照射激光L(步骤ST16)。
若照射有激光L的第1电极23的第2区域23B发热，且热量向第1电极23的第1区域23A传递，则接合用导电体39A与接合用导电体39C熔融，成为接合用导电体39E。同样地，若照射有激光L的第2电极22的第4区域22B发热，且热量向第2电极22的第3区域22A传递，则接合用导电体39B与接合用导电体39D熔融，成为接合用导电体39F。
阳极电极36与第1电极23经由接合用导电体39E接合。阴极电极38与第2电极22经由接合用导电体39F接合。其结果为，发光元件3N接合在阵列基板2上(步骤ST17)。若发光元件3N在上述点亮检查工序中，其点亮状态为良好，则排除到修补工序的对象之外。在判断为发光元件3N在点亮检查工序中为非点亮状态的情况下，对发光元件3N再次实施修理。
图8是用于说明因激光的照射引起的影响的说明图。如图4、图8所示，在照射有激光L1的第2区域23B残留加热痕LA。与没有被激光的第2区域23B的表面F相比，加热痕LA能够在表面形成微小的凹凸，反射光的颜色与表面F不同。在第4区域22B形成的加热痕LA也为同样的状态。
如以上说明的那样，显示装置1具有阵列基板2、以及与阵列基板2接合的作为无机发光二极管的多个发光元件3。阵列基板2具备基板21、层叠于基板21的第5绝缘膜95以及第6绝缘膜96、以及设在第6绝缘膜96之上且用于与发光元件3的阳极电极36电连接的多个第1电极23。
第1电极23具有第1区域23A、和位于与第1区域23A不同的位置的第2区域23B。第1电极23经由接合用导电体39A与阳极电极36接合。针对每个像素Pix在显示区域AA存在第2区域23B，因此，在阵列基板2存在多个第2区域23B。在发光元件3的点亮状态良好而不经过修补工序地在阵列基板2接合发光元件3的情况下，在第2区域23B不残留上述加热痕LA。在经过修补工序后在阵列基板2接合发光元件3N的情况下，显示区域AA所包含的多个第2区域23B中的、存在加热痕LA的第2区域23B至少为一个。
第2电极22具有第3区域22A、和位于与第3区域22A不同的位置的第4区域22B。第2电极22经由接合用导电体39B与阴极电极38接合。针对每个像素Pix，在显示区域AA存在第4区域22B，所以在阵列基板2存在多个第4区域22B。在发光元件3的点亮状态良好而不经过修补工序地在阵列基板2接合发光元件3的情况下，在第4区域22B不残留上述加热痕LA。在经过修补工序后在阵列基板2接合发光元件3N的情况下，显示区域AA所包含的多个第4区域22B中的、存在加热痕LA的第4区域22B至少为一个。
由此，在需要被更换的发光元件3与阵列基板2接合的状态下，即使拾取工具200从阵列基板2剥离发光元件3，接合用导电体39A、接合用导电体39B也熔融，因此，阵列基板2的第1电极23以及第2电极22不易损伤。因此，能够修补显示装置，提高制造成品率。
如图3所示，第3电极24位于基板21与第1电极23之间。而且，第3电极24埋入第5绝缘膜95以及第6绝缘膜96。第3电极24与驱动发光元件3的第1晶体管Tr1的漏极电极63电连接。而且，第1电极23经由接触孔H7与第3电极24连接。第3电极24若包括ITO、IZO(IndiumZinc Oxide：氧化铟锌)、SnO等的氧化物导电体，则能够保护第1晶体管Tr1免受来自激光的热量的影响。这是因为，氧化物导电体与Al等金属相比，热量的传递效率很低。
(实施方式2)
图9是实施方式2的显示装置中的剖视图。图9的剖视与实施方式1同样地，为图1的III-III’线的箭头方向剖视。图10是用于示意性地说明实施方式2的第1电极的俯视图。图11是用于说明实施方式2中的制造方法的一部分工序的说明图。图12是示出实施方式2的显示装置的制造装置的构成的说明图。对与在上述实施方式1中说明的构成要素相同的构成要素标注相同的附图标记并省略重复说明。在发光元件3A的阴极电极38位于发光元件3A主体的上侧这一点，实施方式2的发光元件3A与实施方式1的发光元件3不同。
如图9所示，实施方式2的第2电极22覆盖发光元件3A以及平坦化膜27地与发光元件3A的阴极电极38电连接。第2电极22跨过平坦化膜27的上表面、和阴极电极38的上表面而设置。第2电极22向阴极电极38供给阴极电源电位PVSS。第2电极22使用例如ITO(IndiumTin Oxide：氧化铟锡)等具有透光性的导电性材料。由此，能够高效地将来自发光元件3A的射出光取出至外部。
第2电极22从显示区域AA到周边区域GA为止连续设置，在接触孔H1的底部与阴极布线26连接。具体来说，接触孔H1在周边区域GA贯穿平坦化膜27以及第5绝缘膜95地设置，在接触孔H1的底面设有阴极布线26。阴极布线26设在第4绝缘膜94之上。也就是说，阴极布线26与源极电极62以及漏极电极63设在同层，以相同材料形成。
如图9所示，阵列基板2具有第1电极23。第7绝缘膜97覆盖第1电极23，在第7绝缘膜97的开口部分，第1电极23的一部分露出。如图10所示，在第1电极23中，与两个第7绝缘膜97的开口部分重叠的区域为第1区域23A以及第2区域23B。
如图10所示，第1区域23A的面积比发光元件3A的下侧面积小。在此，发光元件3A的下侧面积为将第1方向Dx的长度3w、和第2方向Dy的长度3h相乘得到的3w×3h。第2区域23B的面积在第1区域23A的面积以上。设有第1区域23A的第1电极23的面积为将第1方向Dx的长度23w、和第2方向Dy的长度23h相乘得到的23w×23h。因此，第1区域23A的面积比23w×23h小。
第2区域23B的面积更优选在发光元件3A的下侧面积以上。设有第2区域23B的第1电极23的面积为将第1方向Dx的长度23Bw、和第2方向Dy的长度23Bh相乘得到的23Bw×23Bh。因此，第2区域23B的面积比23Bw×23Bh小。
接下来，说明显示装置1的制造方法。在准备阵列基板2的基板准备工序之后，如图11所示，进行在事先准备的阵列基板2接合发光元件3的接合工序。在接合工序中，作为保持构件的拾取工具200具有吸附力或粘着力，保持发光元件3A。拾取工具200向阵列基板2的规定的像素Pix(参照图1)的上方搬运发光元件3A。由此，发光元件3A载置在阵列基板2上(步骤ST21)。
图12示出的制造***100进行具有阵列基板2、和在阵列基板2排列的多个发光元件3A的显示装置1的接合工序、点亮检查工序以及修补工序。如图12所示，制造***100包括点亮检查装置8、检查用控制电路101、光检测装置102、图像处理电路103、检查用驱动电路104、以及激光装置105。
如图11所示，图12示出的激光装置105向发光元件3A照射激光L1(步骤ST22)。根据激光剥离技术，激光装置105从发光元件3A剥离透光性基板31。阳极电极36与第1电极23之间的接合用导电体39A因激光L1而熔融，阳极电极36与第1电极23经由接合用导电体39A来接合。
接下来，制造***100进行多个发光元件3A的点亮检查。如图12所示，检查用控制电路101是控制多个发光元件3A的点亮检查的电路。另外，检查用控制电路101是对用于使多个发光元件3A点亮的检查用驱动电路104进行控制的电路。
点亮检查装置8是用于进行多个发光元件3A的点亮检查的检查基板。点亮检查装置8的检查用电极82与第2电极22相抵接，由此与发光元件3A的阴极电极38电连接。
若具体进行说明，则制造***100使点亮检查装置8的检查用电极82与发光元件3A的第2电极22接触(步骤ST23)。如图12所示，检查用基板81隔着多个发光元件3A与阵列基板2相对配置。检查用电极82设在检查用基板81的、与阵列基板2相对置的面，与发光元件3A电连接。
检查用基板81为具有透光性的绝缘基板，为例如玻璃基板、石英基板、或者丙烯酸树脂、环氧树脂、聚酰亚胺树脂、或者聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)树脂制的柔性基板。由此，即使在点亮检查装置8与多个发光元件3A重叠配置的情况下，从多个发光元件3A射出的光3L也透射点亮检查装置8而到达光检测装置102。检查用电极82为ITO等的透光性导电材料。
通过使点亮检查装置8朝向阵列基板2移动，使发光元件3A的第2电极22与检查用电极82相接。
检查用驱动电路104基于来自检查用控制电路101的控制信号，向阵列基板2供给阳极电源电位PVDD，向点亮检查装置8供给阴极电源电位PVSS。向发光元件3A流通与阳极电源电位PVDD和阴极电源电位PVSS的电位差对应的电流，使发光元件3A发光。此外，检查用驱动电路104只要供给使发光元件3A点亮的电位来作为检查用驱动信号即可，也可以供给与显示装置1显示时的阳极电源电位PVDD以及阴极电源电位PVSS不同的电位。
光检测装置102检测从多个发光元件3A分别射出的光3L。光检测装置102为例如具有CCD等摄像元件的图像传感器。图像处理电路103接收来自光检测装置102的检测信号(图像数据)并进行图像处理，由此对多个发光元件3A各自的点亮状态(例如亮度)进行解析。图像处理电路103将与多个发光元件3A的点亮状态有关的信息输出至检查用控制电路101。
检查用控制电路101基于来自图像处理电路103的信息，判断多个发光元件3A各自的点亮状态。例如，若从发光元件3A射出的光3L的亮度在规定的范围内，检查用控制电路101判断为发光元件3A的点亮状态良好。点亮状态良好的发光元件3A被排除在修理的对象之外。检查用控制电路101在从发光元件3A射出的光3L的亮度比基准值小的情况下，判断为发光元件3A处于非点亮状态。另外，检查用控制电路101对非点亮状态的发光元件3A的个数相对于所有发光元件3A的个数的比例进行运算，来作为连接不良率。另外，检查用控制电路101对点亮状态的发光元件3A和非点亮状态的发光元件3A各自的位置进行运算。
被判断为非点亮状态的发光元件3A通过制造***100而实施规定的修理。在修补工序中，由于抑制因接合用导电体39A熔融使发光元件3A的位置变动，所以拾取工具200通过吸引或者吸附而保持发光元件3A。然后，激光装置105向第2区域23B照射激光L(步骤ST24)。
若照射有激光L的第1电极23的第2区域23B发热，且热量向第1电极23的第1区域23A传递，则接合用导电体39A熔融。
在接合用导电体39A正在熔融的状态下，拾取工具200从阵列基板2剥下发光元件3A。然后，第1电极23与阳极电极36分离(步骤ST25)。其结果为，即使拾取工具200从阵列基板2卸下发光元件3A，也抑制第1电极23的损伤。
拾取工具200向卸下发光元件3A的像素Pix(参照图1)的上方搬运其他发光元件3AN。与步骤ST22同样地，图12示出的激光装置105向发光元件3AN照射激光L1。由此，发光元件3AN载置在阵列基板2上(步骤ST26)。由于接合用导电体39A因修理而致使体积减少，所以事先将与接合用导电体39A相同的材料的接合用导电体39C接合于阳极电极36。照射激光L1使接合用导电体39A、与接合用导电体39C熔融，成为接合用导电体39E。其结果为，阳极电极36和第1电极23经由接合用导电体39E而接合。而且，发光元件3AN接合在阵列基板2上。若在发光元件3AN在上述点亮检查工序中其点亮状态良好，则该发光元件3AN被排除在修补工序的对象之外。在判断为发光元件3AN在点亮检查工序中处于非点亮状态的情况下，对发光元件3AN再次实施修理。
而且，与实施方式1同样地，在照射有图15示出的激光L1的第2区域23B残留加热痕LA。与没有被照射激光的第2区域23B的表面F相比，加热痕LA在表面形成微小的凹凸，反射光的颜色与表面F不同。
如以上说明的那样，显示装置1包括阵列基板2、和接合于阵列基板2的作为无机发光二极管的多个发光元件3A。阵列基板2具备基板21、层叠于基板21的第5绝缘膜95以及第6绝缘膜96、以及设在第6绝缘膜96之上且用于与发光元件3A的阳极电极36电连接的多个第1电极23。
第1电极23具有第1区域23A、和位于与第1区域23A不同的位置的第2区域23B。第1电极23经由接合用导电体39A与阳极电极36接合。针对每个像素Pix在显示区域AA存在第2区域23B，因此，在阵列基板2存在多个第2区域23B。在发光元件3A的点亮状态良好而不经过修补工序地在阵列基板2接合发光元件3A的情况下，在第2区域23B不残留上述加热痕LA。在经过修补工序后在阵列基板2接合发光元件3AN的情况下，显示区域AA所包含的多个第2区域23B中、存在加热痕LA的第2区域23B也至少为一个。
由此，在需要被更换的发光元件3A与阵列基板2接合的状态下，即使拾取工具200从阵列基板2剥离发光元件3A也使接合用导电体39A熔融，因此，阵列基板2的第1电极23不易损伤。因此，能够修补显示装置1，提高制造成品率。
(实施方式3)
图13是实施方式3的显示装置中的剖视图。图13的剖视与实施方式1同样地，为图1的III-III’线的箭头方向剖视。对与在上述本实施方式中说明的构成要素相同的构成要素标注相同的附图标记，并省略重复的说明。在阴极电极38的第2区域23B与第1区域23A相比位于上侧这一点，实施方式3的阵列基板2与实施方式2的阵列基板2不同。
第8绝缘膜98形成在第6绝缘膜96上。第8绝缘膜98设在第6绝缘膜96之上，形成比第1区域23A的位置突出的凸部。第8绝缘膜98为具有透光性的有机绝缘膜，例如使用硅树脂、环氧树脂、丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂等的树脂材料。在此，第8绝缘膜98只要具有一定程度的高度即可，可以为以成为厚膜的方式形成的无机绝缘膜。
实施方式3的第1电极23设在第6绝缘膜96以及第8绝缘膜98之上。第1区域23A位于第6绝缘膜96上，第2区域23B位于第8绝缘膜98上。因此，第1区域23A成为与第2区域23B相比更靠近基板21的位置。
第2区域23B与第1区域23A相比位于上侧，因此，不易成为拾取工具200的影子。另外，第2区域23B与第1区域23A相比位于上侧，因此，激光装置105变得易于向第1区域23A照射激光L1。
(实施方式4)
图14是实施方式4的显示装置中的剖视图。图14的剖视与实施方式1同样地，为图1的III-III’线的箭头方向剖视。图15是用于示意性地说明实施方式4的第1电极的俯视图。对于与在上述本实施方式中说明的构成要素相同的构成要素标注相同的附图标记并省略重复的说明。在阴极电极38的第2区域23B与第1区域23A相比位于上侧这一点，实施方式4的阵列基板2与实施方式2的阵列基板2不同。在俯视时第8绝缘膜98设成环状这一点，实施方式4的阵列基板2与实施方式3的阵列基板2不同。
第8绝缘膜98形成在第6绝缘膜96上。第8绝缘膜98设在第6绝缘膜96之上，形成与第1区域23A的位置相比突出的凸部。由第8绝缘膜98形成的凸部包围配置有发光元件3A的第1区域23A的周围。由此，即使在接合时接合用导电体39A熔融并扩散，由第8绝缘膜98形成的凸部成为堤部，来抑制接合用导电体39A的扩散。其结果为，能够抑制意外的短路等。
(实施方式5)
图16是实施方式5的显示装置中的剖视图。图16的剖视与实施方式1同样地，为图1的III-III’线的箭头方向剖视。对于与在上述的本实施方式中说明的构成要素相同的构成要素标注相同的附图标记
并省略重复的说明。在第1电极23的第1区域23A与第1电极23
的第2区域23B分离这一点，实施方式5的第1电极23与实施方式2的第1电极23不同。
如图16所示，实施方式5的第1电极23的第1区域23A与第1电极23的第2区域23B分离。在第1电极23的第1区域23A与第1电极23的第2区域23B之间的狭缝SP由第7绝缘膜97覆盖。
第1电极23的第2区域23B经由接触孔H9与第3电极24电连接。
与实施方式2同样地，在修补工序中，对第1电极23的第2区域23B照射有激光L。照射有激光L的第1电极23的第2区域23B发热，且热量经由接触孔H9向第3电极24传递。若传递给第3电极24的热量经由接触孔H7向第1电极23的第1区域23A导热，则接合用导电体39A熔融。
第3电极24埋入第5绝缘膜95以及第6绝缘膜96。第5绝缘膜95如上所述为有机绝缘膜，因此，保温性比无机绝缘膜高。因此，修补工序中的接合用导电体39A的熔融时间变长。其结果为，在接合用导电体39A一次熔融之后，在凝固的状态下，拾取工具200从阵列基板2剥下发光元件3A的可能性变小。而且，即使拾取工具200从阵列基板2卸下发光元件3A，也抑制第1电极23的损伤。
以上说明了优选的实施方式，但本公开不限于这种实施方式。在实施方式公开的内容只不过为一例，在不脱离本公开的主旨的范围内能够进行各种变更。在不脱离本公开的主旨的范围内进行的适当变更当然也属于本公开的技术的范围。

Claims (18)

1.一种阵列基板，其特征在于，具备：
基板；
层叠于所述基板的第一绝缘膜；以及
设在所述第一绝缘膜之上、且用于与无机发光二极管的阳极电极电连接的多个第1电极，
所述第1电极具有经由接合用导电体与所述阳极电极接合的第1区域、以及位于与所述第1区域不同的位置的第2区域，
多个所述第2区域中包括存在加热痕的第2区域。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，
所述第1区域与所述第2区域相比位于更靠近所述基板的位置。
3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，
还具有第二绝缘膜，该第二绝缘膜设在所述第一绝缘膜之上、且形成比所述第1区域的位置突出的凸部，
在所述第二绝缘膜之上配置有所述第2区域。
4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，
还具有第二绝缘膜，该第二绝缘膜设在所述第一绝缘膜之上，包围所述第1区域的周围且形成比所述第一绝缘膜突出的凸部，
在所述第二绝缘膜之上配置有所述第2区域。
5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，
所述接合用导电体的熔点比所述第1电极的表面的材料低。
6.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，
还具备第3电极，该第3电极位于所述基板与所述第1电极之间且埋入在所述第一绝缘膜内，
所述第1电极的所述第1区域与所述第1电极的所述第2区域分离，
所述第1电极的所述第1区域与所述第1电极的所述第2区域分别经由接触孔与所述第3电极连接。
7.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，
还具备第3电极，该第3电极位于所述基板与所述第1电极之间且埋入在所述第一绝缘膜内，并且与驱动所述无机发光二极管的开关元件电连接，
所述第1电极经由接触孔与所述第3电极连接，
所述第3电极包含氧化物导电体。
8.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，
还具备设在所述第一绝缘膜之上、且用于与无机发光二极管的阴极电极电连接的多个第2电极，
所述第2电极具有供所述阴极电极经由接合用导电体与所述第2电极接合的第3区域、以及位于与所述第3区域不同的位置的第4区域，
多个所述第4区域中包括存在加热痕的第4区域。
9.一种显示装置，其特征在于，具备：
阵列基板；以及
与所述阵列基板接合的多个无机发光二极管，
所述阵列基板具备：基板；层叠于所述基板的第一绝缘膜；以及设在所述第一绝缘膜之上、且用于与所述无机发光二极管的阳极电极电连接的多个第1电极，所述第1电极具有经由接合用导电体与所述阳极电极接合的第1区域、以及位于与所述第1区域不同的位置的第2区域，多个所述第2区域中包括存在加热痕的第2区域。
10.根据权利要求9所述的显示装置，其特征在于，
所述第1区域与所述第2区域相比位于更靠近所述基板的位置。
11.根据权利要求9所述的显示装置，其特征在于，
还具备第二绝缘膜，该第二绝缘膜设在所述第一绝缘膜之上、且形成比所述第1区域的位置突出的凸部，
在所述第二绝缘膜之上配置有所述第2区域。
12.根据权利要求9所述的显示装置，其特征在于，
还具备第二绝缘膜，该第二绝缘膜设在所述第一绝缘膜之上，包围所述第1区域的周围且形成比所述第一绝缘膜突出的凸部，
在所述第二绝缘膜之上配置有所述第2区域。
13.根据权利要求9所述的显示装置，其特征在于，
所述接合用导电体的熔点比所述第1电极的表面的材料低。
14.根据权利要求9所述的显示装置，其特征在于，
具备第3电极，该第3电极位于所述基板与所述第1电极之间且埋入在所述第一绝缘膜内，
所述第1电极的所述第1区域与所述第1电极的所述第2区域分离，
所述第1电极的所述第1区域与所述第1电极的所述第2区域分别经由接触孔与所述第3电极连接。
15.根据权利要求9所述的显示装置，其特征在于，
具备第3电极，该第3电极位于所述基板与所述第1电极之间且埋入在所述第一绝缘膜内，并且与驱动所述无机发光二极管的开关元件电连接，
所述第1电极经由接触孔与所述第3电极连接，
所述第3电极包括氧化物导电体。
16.根据权利要求9所述的显示装置，其特征在于，
还具备设在所述第一绝缘膜之上、且用于与无机发光二极管的阴极电极电连接的多个第2电极，
所述第2电极具有供所述阴极电极经由接合用导电体与所述第2电极接合的第3区域、以及位于与所述第3区域不同的位置的第4区域，
多个所述第4区域中包括存在加热痕的第4区域。
17.一种显示装置的制造方法，其特征在于，包括：
准备阵列基板的基板准备工序，所述阵列基板具备基板、层叠于所述基板的第一绝缘膜、以及设在所述第一绝缘膜之上且用于与无机发光二极管的阳极电极电连接的多个第1电极，所述第1电极具有经由接合用导电体与所述阳极电极接合的第1区域、以及位于与所述第1区域不同的位置的第2区域；
接合工序，经由接合用导电体将所述无机发光二极管和所述第1区域接合；
点亮检查工序，检查所述无机发光二极管的点亮状态；以及
修补工序，向在所述点亮检查工序中确认为需要修补的无机发光二极管所接合的第1电极的第2区域照射激光，来去掉该无机发光二极管。
18.根据权利要求17所述的显示装置的制造方法，其特征在于，
所述阵列基板还具备设在所述第一绝缘膜之上、且用于与无机发光二极管的阴极电极电连接的多个第2电极，
所述第2电极具有供所述阴极电极经由接合用导电体与所述第2电极接合的第3区域、以及位于与所述第3区域不同的位置的第4区域，
在所述修补工序中，向在所述点亮检查工序中确认为需要修补的无机发光二极管所接合的第2电极的第4区域照射激光，来去掉该无机发光二极管。
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