CN113421814B - 一种半导体结构处理机台及操作方法、静电吸盘 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种半导体结构处理机台及操作方法、静电吸盘，包括：静电吸盘，静电吸盘包括贯穿静电吸盘的第一贯穿孔；传输通道，传输通道与第一贯穿孔连通，以允许第一物质在操作中经由传输通道到达第一贯穿孔；第一冷却装置，第一冷却装置包括不同于第一物质的第二物质且被配置为在操作中利用第二物质降低第一物质的温度，第一物质和第二物质的沸点均小于零度，第一物质的沸点小于第二物质的沸点。由于第一冷却装置包括不同于第一物质的第二物质且第一物质的沸点小于第二物质的沸点，能够通过第二物质降低第一物质的温度，进而通过第一物质更好的降低静电吸盘上晶圆的温度，降低由于热应力造成的晶圆弯曲变形，提高器件性能。

Description

一种半导体结构处理机台及操作方法、静电吸盘
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种半导体结构处理机台及操作方法、静电吸盘。
背景技术
高密度等离子体(high density plasma，HDP)沉积是在同一个反应腔中同步进行沉积和物理轰击，从而实现绝缘介质在沟槽中的向上(bottom-up)生长。由于HDP沉积工艺向上生长的生长机制，使得HDP沉积工艺广泛应用于沟槽填充等。因而如何降低通过沉积工艺沉积的介质材料的应力，提高器件的性能是亟需解决的问题。
发明内容
有鉴于此，本发明的目的在于提供一种半导结构处理机台及操作方法、静电吸盘，以降低通过沉积工艺沉积的介质材料的应力，提高器件的性能。
为实现上述目的，本发明有如下技术方案：
一种半导体结构处理机台，包括：
静电吸盘，其中，所述静电吸盘包括贯穿所述静电吸盘的第一贯穿孔；
传输通道，其中，所述传输通道与所述第一贯穿孔连通，以允许第一物质在操作中经由所述传输通道到达所述第一贯穿孔；
第一冷却装置，其中，所述传输通道的至少部分位于所述第一冷却装置中，所述第一冷却装置包括不同于所述第一物质的第二物质，且被配置为在操作中利用所述第二物质降低所述第一物质的温度；
其中，所述第一物质和所述第二物质的沸点均小于零度，所述第一物质的沸点小于所述第二物质的沸点。
可选的，所述第二物质的沸点位于负300摄氏度到负100摄氏度。
可选的，所述第一物质为氦气，所述第二物质为液氮。
可选的，所述传输通道的外径小于所述第一贯穿孔的内径，所述传输通道***所述第一贯穿孔中且***深度小于或等于所述第一贯穿孔的深度。
可选的，所述传输通道的至少部分位于所述第一冷却装置中，所述第二物质至少部分围绕所述传输通道的位于所述第一冷却装置的部分。
可选的，还包括：第一物质提供装置，其中，所述第一物质提供装置与所述传输通道的远离所述第一贯穿孔的一端相连，以在操作中向所述传输通道提供所述第一物质。
可选的，所述第一物质提供装置位于所述第一冷却装置中；或者，所述传输通道贯穿所述第一冷却装置。
可选的，所述静电吸盘包括：第二冷却装置，所述第二冷却装置与第三物质提供装置连通，并允许所述第三物质提供装置提供的第三物质在操作中到达所述第二冷却装置，其中，所述第三物质的沸点位于负300摄氏度到负100摄氏度。
可选的，所述第三物质为液氮。
可选的，所述第二冷却装置包括环形结构，所述第三物质在操作中到达所述环形结构。
可选的，所述环形结构围绕所述第一贯穿孔。
可选的，所述静电吸盘还包括第一电隔离层、基座，所述第二冷却装置位于所述第一电隔离层和所述基座之间。
可选的，相比于所述第二冷却装置，所述第一电隔离层更靠近所述传输通道远离所述第一贯穿孔的一侧。
可选的，所述环形结构为环形管。
可选的，所述环形管在环形凹槽中。
可选的，所述静电吸盘还包括第三冷却装置和第二电隔离层，所述第二电隔离层位于所述基座远离所述第二冷却装置的一侧，所述第三冷却装置位于所述第二电隔离层和所述基座之间。
可选的，所述静电吸盘还包括第一电隔离层、基座，所述第一电隔离层包括环形沟槽，所述环形沟槽复用为所述环形结构。
一种静电吸盘，所述静电吸盘用于吸附半导体结构，所述静电吸盘包括第二冷却装置，其中，所述第二冷却装置与第三物质提供装置连通，并允许所述第三物质提供装置提供的第三物质在操作中到达所述第二冷却装置；所述第三物质的沸点位于负300摄氏度到负100摄氏度。
可选的，所述第三物质为液氮。
可选的，所述第二冷却装置包括环形结构，所述第三物质在操作中到达所述环形结构。
可选的，所述环形结构围绕贯穿所述静电吸盘的第一贯穿孔。
可选的，所述环形结构为环形管。
可选的，所述环形管在环形凹槽中。
可选的，所述静电吸盘还包括第一电隔离层、基座，所述第二冷却装置位于所述第一电隔离层和所述基座之间。
可选的，相比于所述第二冷却装置，所述第一电隔离层更远离所述静电吸盘吸附半导体结构的一侧。
可选的，所述静电吸盘还包括第三冷却装置和第二电隔离层，所述第二电隔离层位于所述基座远离所述第二冷却装置的一侧，所述第三冷却装置位于所述第二电隔离层和所述基座之间。
可选的，所述静电吸盘还包括第一电隔离层、基座，所述第一电隔离层包括环形沟槽，所述环形沟槽复用为所述环形结构。
一种半导体结构处理机台，包括上述任意一项所述的静电吸盘。
可选的，还包括：第一冷却装置，其中，所述第一冷却装置包括不同于第一物质的第二物质，且被配置为在操作中利用所述第二物质降低所述第一物质的温度，所述第一物质在操作中到达贯穿所述静电吸盘的第一贯穿孔；
其中，所述第一物质和所述第二物质的沸点均小于零度，所述第一物质的沸点小于所述第二物质的沸点。
可选的，所述第二物质的沸点位于负300摄氏度到负100摄氏度。
可选的，所述第二物质为液氮。
可选的，还包括：传输通道，其中，所述传输通道与所述第一贯穿孔连通，以允许所述第一物质在操作中经由所述传输通道到达所述第一贯穿孔。
可选的，所述传输通道的外径小于所述第一贯穿孔的内径，所述传输通道***所述第一贯穿孔中且***深度小于或等于所述第一贯穿孔的深度。
可选的，所述传输通道的至少部分位于所述第一冷却装置中，所述第二物质的至少部分围绕所述传输通道的位于所述第一冷却装置的部分。
可选的，还包括：第一物质提供装置，其中，所述第一物质提供装置与所述传输通道的远离所述第一贯穿孔的一端相连，以在操作中向所述传输通道提供所述第一物质。
可选的，所述第一物质提供装置位于所述第一冷却装置中；或者，
所述传输通道贯穿所述第一冷却装置。
一种半导体结构处理机台的操作方法，所述半导体结构处理机台包括：静电吸盘，所述静电吸盘包括贯穿所述静电吸盘的第一贯穿孔；传输通道，所述传输通道与所述第一贯穿孔连通；第一冷却装置，所述传输通道的至少部分位于所述第一冷却装置中，所述第一冷却装置包括不同于所述第一物质的第二物质；其中，所述第一物质和所述第二物质的沸点均小于零度，所述第一物质的沸点小于所述第二物质的沸点；
所述操作方法包括：
在操作中利用位于所述第一冷却装中置的第二物质降低所述第一物质的温度；
在所述操作中使得所述第一物质经由所述传输通道到达所述第一贯穿孔。
本发明实施例提供的一种半导体结构处理机台，包括：静电吸盘，静电吸盘包括贯穿静电吸盘的第一贯穿孔；传输通道，传输通道与第一贯穿孔连通，以允许第一物质在操作中经由传输通道到达第一贯穿孔；第一冷却装置，第一冷却装置包括不同于第一物质的第二物质，且被配置为在操作中利用第二物质降低第一物质的温度，第一物质和第二物质的沸点均小于零度，第一物质的沸点小于第二物质的沸点。这样，由于第一冷却装置包括不同于第一物质的第二物质且第一物质的沸点小于第二物质的沸点，从而能够通过第二物质降低第一物质的温度，进而通过第一物质更好的降低静电吸盘上的晶圆的温度，降低由于热应力造成的晶圆弯曲变形，在一些示例中，例如可以降低通过沉积工艺沉积的介质材料的应力，提高器件的性能。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
图1和图2示出了根据本发明实施例一种半导体结构处理机台的结构示意图；
图3和图4示出了根据本发明实施例一种静电吸盘的结构示意图；
图5示出了根据本发明实施例一种半导体结构处理机台的结构示意图；图6和图7示出了根据本发明实施例一种静电吸盘的结构示意图。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。
在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明，但是本发明还可以采用其它不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似推广，因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。
正如背景技术的描述，高密度等离子化学气相沉积工艺在高密度等离子体反应腔中同步淀积和刻蚀绝缘介质的反应过程实现了在较低温度下对高深宽比沟槽的优良填充，其所淀积的绝缘介质膜具有高密度、低杂质缺陷等优点，从而广泛用于半导体制程中介质材料的填充。随着半导体器件特征尺寸的不断减少，使得晶圆中沟槽深宽比越来越大，导致沟槽中填充的介质材料的应力较大，这导致了晶圆弯曲变形(bow)。
本公开的发明人通过长期的实验研究和分析注意到，导致晶圆弯曲变形的因素除了在晶圆上沉积(通过HDP工艺沉积)的材料的应力之外，还包括因晶圆温度升高导致的热应力；本公开的发明人还注意到，在没有有效消除晶圆温度升高导致的热应力的情况下，热应力与沉积的材料的应力的累加导致的晶圆弯曲变形增大了沉积工序(HDP沉积工序)之后的后续工序的难度，并可能影响制成的半导体器件的性能。
在注意到晶圆的热应力以及应力累加对晶圆弯曲变形的不利影响的基础上，本公开的发明人对于通过降低晶圆的温度来降低晶圆弯曲变形进行了有针对性的探索。
本公开的发明人在研究中还注意到，尽管可以在复用半导体结构处理机台(例如，膜层沉积机台，HDP机台)的晶圆温度控制装置(用于控制晶圆处理过程的温度)的基础上采用一些额外的改进，一定程度上降低晶圆的弯曲变形，但是晶圆温度控制装置对晶圆的弯曲变形的抑制能力有限，且可能带来不利的影响。
例如，在采用在晶圆背部提供氦气的方案情况下，可以通过在单位时间使用更多的氦气(例如，提升氦气的浓度或流速等)来提升温度降低能力，然而，本公开的发明人在研究中还注意到，在单位时间使用更多的氦气的情况下，将导致氦气对晶圆带来更大的压力或冲击力，这可能导致晶圆脱离吸附，甚至导致晶圆破碎。
在以上对于通过降低晶圆的温度来降低晶圆弯曲变形进行的有针对性的探索的基础上，本申请实施例提供一种半导体结构处理机台，参考图1所示，包括：
静电吸盘100，其中，所述静电吸盘100包括贯穿所述静电吸盘100的第一贯穿孔120；
传输通道500，其中，所述传输通道500与所述第一贯穿孔120连通，以允许第一物质在操作中经由所述传输通道500到达所述第一贯穿孔120；
第一冷却装置300，其中，所述传输通道500的至少部分位于所述第一冷却装置300中，所述第一冷却装置300包括不同于所述第一物质的第二物质，且被配置为在操作中利用所述第二物质降低所述第一物质的温度；
其中，所述第一物质和所述第二物质的沸点均小于零度，所述第一物质的沸点小于所述第二物质的沸点。
本申请实施例中，静电吸盘100(Electrostatic chuck，ESC)是利用静电力吸附晶圆200，起到固定和支撑晶圆200的作用，避免晶圆200在加工过程移动或错位。为了便于描述，将静电吸盘100与晶圆200接触的表面称为静电吸盘的正面，与该正面背对的表面称为静电吸盘的背面，静电吸盘100可以包括支撑结构和基座，该支撑结构用于支撑晶圆200，基座用于支撑该支撑结构，支撑结构例如可以为支撑柱或支撑板，支撑结构可以为电隔离层，例如支撑结构的材料可以为陶瓷材料，以将晶圆200和基座进行有效的电隔离，基座可以为金属块，基座的材质例如可以为铝。此处将晶圆200与支撑结构接触的表面称为晶圆200的背面，与晶圆200的背面相对的表面称为晶圆200的正面，支撑结构与晶圆200的背面接触，则对晶圆200的正面进行刻蚀、沉积等处理。
静电吸盘100包括贯穿静电吸盘100的第一贯穿孔120，参考图1、图2和图7所示，以便通过第一贯穿孔120调节晶圆200的温度。具体的，通过第一贯穿孔120流入的第一物质对静电吸盘100正面吸附的晶圆200进行降温。例如，第一物质的沸点小于零度，以达到有效降温的目的。静电吸盘100中第一贯穿孔120的数量可以为多个，且多个第一贯穿孔120可以均匀分布于静电吸盘100中，以对晶圆200各个位置进行均匀降温。例如第一贯穿孔120可以呈环状阵列排布，参考图4所示，具体的，第一贯穿孔120可以组成多个环形且多个环形由靠近静电吸盘100中心向远离静电吸盘100中心的位置依次排布，每一个环形包括多个第一贯穿孔120。
传输通道500，传输通道500与第一贯穿孔120连通，以允许第一物质在操作中经由传输通道500到达第一贯穿孔120，参考图2所示，图2仅是示例，为了便于观察各个结构之间的关系，图2中的传输通道并未与第一贯穿孔120连通。传输通道500用于传输第一物质，第一物质用于降低晶圆200的温度。这样，传输通道500与第一贯穿孔120连通，使得传输通道500中的第一物质能够到达第一贯穿孔120，而后通过第一贯穿孔120到达晶圆200背面，由于第一物质的温度低于晶圆200的温度，从而达到降低晶圆200温度的目的。在具体的实施例中，当第一贯穿孔120的数量为多个时，可以设置多个传输通道500，使得每一个第一贯穿孔120均有与之连通的传输通道500。
本实施例中，传输通道500的外径可以小于第一贯穿孔120的内径，使得传输通道500能够***第一贯穿孔120中，提高传输通道500和第一贯穿孔120之间的气密性，从而使得传输通道500中的第一物质有效到达第一贯穿孔120。通常，传输通道500具有一定的厚度，传输通道500的厚度可以理解为传输通道500的外径和内径的尺寸差，此处第一贯穿孔120的内径即为第一贯穿孔120的孔径。而且传输通道500***第一贯穿孔120中的***深度小于或等于第一贯穿孔120的深度，使得传输通道中500的第一物质对晶圆200进行有效降温的同时避免对晶圆200造成损伤。
本申请实施例中，传输通道500的至少部分位于第一冷却装置300中，可以理解的是，传输通道500的一端与第一贯穿孔120连通，传输通道500***第一冷却装置300中的长度可以根据实际情况进行调节，例如传输通道500***第一冷却装置300中的高度可以小于第一冷却装置300的高度，也可以等于第一冷却装置300的高度，此处第一冷却装置300的高度是第一冷却装置300在传输通道500的延伸方向上的长度。本申请中可以将传输通道500远离第一贯穿孔120的一端称为第一端，传输通道500与第一贯穿孔120连通的一端称为第二端。
第一冷却装置300包括不同于第一物质的第二物质，且被配置为在操作中利用第二物质降低第一物质的温度。第一物质用于降低晶圆的温度，由于第二物质不同于第一物质且第一物质的沸点小于第二物质的沸点，因而第二物质可以用于降低第一物质的温度。第一物质和第二物质的沸点均小于零度，从而使得第一物质能够有效降低晶圆的温度，第二物质能够有效降低第一物质的温度。
本实施例中，第二物质的沸点位于负300摄氏度到负100摄氏度，例如负250摄氏度到负200摄氏度。具体的，第一物质可以为氦气(helium)，第二物质可以为液氮，氦气的沸点为-272℃，液氮的沸点为-209.8℃，氦气的沸点小于液氮的沸点，从而通过液氮的超低温能够有效调节氦气的温度，增加热传递的效率，有效降低晶圆的温度，减小晶圆的热应力。
本实施例中，传输通道500的至少部分位于第一冷却装置300中，第二物质至少部分围绕传输通道500的位于第一冷却装置300的部分，第二物质围绕传输通道500位于第一冷却装置300的部分，使得第二物质能够有效降低传输通道500位于第一冷却装置300的部分中的第一物质的温度。
本实施例中，机台还包括第一物质提供装置(图未示出)，第一物质提供装置用于提供第一物质，第一物质提供装置与传输通道500的远离第一贯穿孔120的一端相连，以在操作中向传输通道500提供第一物质。第一物质提供装置可以位于第一冷却装置300中，这样，当第一物质提供装置向传输通道500输送第一物质时，第一冷却装置300中的第二物质能够直接降低第一物质的温度，增加热传递效率。传输通道500可以贯穿第一冷却装置300，传输通道500与第一冷却装置300的接触面积较大，能够更好的达到降温效果，此时第一物质提供装置可以位于第一冷却装置300的远离静电吸盘100的一侧。
本实施例中，静电吸盘100包括第二冷却装置106，参考图5所示，第二冷却装置106与第三物质提供装置(图未示出)连通，并允许第三物质提供装置提供的第三物质在操作中到达第二冷却装置106，其中第三物质的沸点位于负300摄氏度到负100摄氏度。通常，在进行高密度等离子体化学气相沉积等操作过程中高密度等离子体轰击晶圆正面产生的热量主要由通过第一贯穿孔120到达晶圆200背面的第一物质带走。静电吸盘100中的第二冷却装置106能够直接对第一物质进行降温，进而对晶圆200进行温度调节，这样进一步提高降温效率，有效减小晶圆200的热应力。第二冷却装置106与第三物质提供装置连通，由于第三物质提供装置提供的第三物质的沸点大于第一物质的沸点，从而能够通过第三物质提供装置提供的第三物质对第一物质进行降温。第三物质例如可以为液氮，第一物质可以为氦气，从而通过液氮达到降低氦气温度的目的，通过氦气达到降低晶圆温度的目的。
在具体的实施例中，第二冷却装置106包括环形结构，参考图6所示，第三物质在操作中到达该环形结构。具体的，第三物质提供装置可以与环形结构的入口连接，使得第三物质从环形结构的入口进入，并从环形结构的出口流出，以实现在环形结构的环形管道内的循环流动。环形结构例如可以为环形管，环形结构的数量可以为多个，例如可以包括多个环形管，多个环形管可以依次排布于第二冷却装置106中，多个环形管之间的间隔可以相同。在具体的应用中，环形管可以分布在环形凹槽中，环形凹槽可以位于静电吸盘100的电隔离层中。本实施例中，第二冷却装置106中设置有第二贯穿孔122，以便第一物质能够到达第一贯穿孔120，当静电吸盘100中包括多个第一贯穿孔120时，第二冷却装置中设置有多个第二贯穿孔122，每一个第二贯穿孔122均有对应的第一贯穿孔120，例如一个第二贯穿孔122正对一个第一贯穿孔120。
第二冷却装置106与第三物质提供装置连通，第三物质提供装置提供的第三物质输送至达该环形结构，并在环形结构中循环，循环的第三物质有效降低第一物质的温度。环形结构可以围绕静电吸盘中的第一贯穿孔，从而使得第三物质围绕第一物质，有效降低第一物质的温度。静电吸盘100中包括多个第一贯穿孔120时，环形结构可以围绕所有的第一贯穿孔，提高降低第一物质的温度的效率。
本实施例中，静电吸盘100包括第一电隔离层104和基座102，参考图3所示，则贯穿静电吸盘100的第一贯穿孔120贯穿第一电隔离层104和基座102，可以将第一贯穿孔120包括彼此连通的第一子贯穿孔和第二子贯穿孔，第一子贯穿孔贯穿第一电隔离层104，第二子贯穿孔贯穿基座102，且每一个第一子贯穿孔有与之对应的第二子贯穿孔，从而使得第一物质能够有效通过第一子贯穿孔和第二子贯穿孔对晶圆进行降温处理。
第二冷却装置106位于第一电隔离层104和基座102之间。第一电隔离层104可以位于基座102的正面和/或背面，此处基座102的正面是指基座102靠近晶圆200的表面，基座102的背面是指基座102远离晶圆200的表面，即基座102的正面是指基座102远离第二冷却装置106的一端，基座102的背面是指基座102靠近第二冷却装置106的一端。当第一电隔离层104位于基座102的正面时，第二冷却装置106位于第一电隔离层104和基座102之间即第二冷却装置106位于基座102的正面。当第一电隔离层104位于基座102的背面时，第二冷却装置106位于第一电隔离层104和基座102之间即第二冷却装置106位于基座102的背面，此时相比于第二冷却装置106，第一电隔离层104更靠近传输通道500远离第一贯穿孔120的一侧。当第一电隔离层104位于基座102的正面和背面时，第二冷却装置106位于第一电隔离层104和基座102之间即第一电隔离层104位于基座102的正面和背面，进一步提高降温效果。
在具体的应用中，可以在基座102的背面设置第一电隔离层104，在基座102的正面设置第二电隔离层108，第一电隔离层104和基座102之间设置第二冷却装置106即第二电隔离层108位于基座102远离第二冷却装置106的一侧，第二电隔离层108和基座102之间设置第三冷却装置110，参考图7所示，即可以理解为，在传输管道500的延伸方向上，第二电隔离层108、第三冷却装置110、基座102、第二冷却装置106、第一电隔离层104依次排布。第二冷却装置106和第三冷却装置110可以为相同的装置，例如可以为包括环形结构的装置。第一电隔离层104和第二电隔离层108可以为相同的隔离层，例如可以为陶瓷隔离层。
本实施例中，静电吸盘100包括第一电隔离层104和基座102，第一电隔离层104可以位于基座102的正面或背面，第一电隔离层104包括环形沟槽，环形沟槽复用为环形结构，以便容纳第二冷却装置106。
在具体的应用中，为了便于描述，将经过刻蚀、沉积处理之后的晶圆的温度称为初始温度，当对晶圆进行刻蚀和/或沉积处理之后，与传输通道连接的第一物质提供装置将第一物质输送至传输管道，利用传输管道以及与传输管道连通的第一贯穿孔将第一物质输送至晶圆的背面。在第一物质输送至传输管道的同时，利用第一冷却装置中的第二物质降低第一物质的温度，此时第一物质在经过第一冷却装置中的第二物质降温处理后，到达第一贯穿孔的第一物质的温度低于第一物质提供装置所提供的第一物质的温度，从而更好地利用第一物质降低晶圆的温度。当第一物质与晶圆接触一段时间后，第一物质吸收晶圆的热量，使得第一物质的温度升高，晶圆的温度降低。若此处晶圆的温度降低至预设值，则第一物质提供装置停止输送第一物质，同时第一冷却装置中的第二物质停止对第一物质进行降温处理，若此处晶圆的温度仍高于预设值，则第一物质提供装置继续输送第一物质，同时第一冷却装置中的第二物质继续对第一物质提供装置输送的第一物质进行降温处理，重复该过程，直至晶圆的温度达到预设值。
第一物质提供装置提供的第一物质通过传输管道500以及第一贯穿孔120被输送至晶圆200的背面以实现对晶圆200的降温处理称为一次处理，本申请中可以对晶圆200进行多次处理直至晶圆200温度降低至预设值。以对晶圆200进行三次处理举例说明，在对晶圆200进行第一次降温处理之前，第一物质提供装置提供的第一物质由第二物质进行降温处理，此时第一物质的温度称为第一温度，晶圆200的温度称为第一晶圆温度，第一温度低于第一晶圆温度，利用第一物质对晶圆200进行降温处理后，第一温度升高为第二温度，第一晶圆温度降低为第二晶圆温度，第二温度可以例如小于第二晶圆温度。例如，第二温度还可以等于小于第二晶圆温度。
而后，继续由第二物质对第一物质进行降温处理，此时进行降温处理之后，第一物质的温度称为第三温度，由于此时的晶圆200温度低于第一晶圆温度，因此第三温度低于第一温度，将具有第三温度的第一物质输送至晶圆200的背面，以便对晶圆200进行第二次降温处理，利用具有第三温度的第一物质对晶圆200进行第二次降温处理之后，第三温度升高为第四温度，第二晶圆温度降低为第三晶圆温度，第四温度例如可以小于第三晶圆温度，例如，第四温度还可以等于小于第三晶圆温度。
随后，继续由第二物质对第一物质进行降温处理，此时进行降温处理之后，第一物质的温度称为第五温度，由于此时晶圆200的温度低于第二晶圆温度，因此第五温度低于第三温度，将具有第五温度的第一物质气体对晶圆200进行第三次降温处理之后，第五温度升高为第六温度，第三晶圆温度降低为第四晶圆温度，第六温度例如可以小于第三晶圆温度，例如，第六温度还可以小于等于第四晶圆温度。至此，完成对晶圆200的三次降温处理，可以根据具体的情况选择对晶圆200进行降温处理的次数。
在具体的应用中，晶圆上设置有3D NAND存储器件，随着集成度要求的提高，3DNAND存储器件的堆叠层数不断增加，申请人发现随着3D NAND存储器件的堆叠层数的增加，沟道孔的深度不断增大，沟道孔的深度通常可以达到几微米甚至十几微米，而沟道孔的宽度仅为十几纳米，沟道孔具有较大的深宽比，因而在沟道孔中填充绝缘介质材料时，会使得晶圆具有较大的弯曲度，影响器件的性能。例如，利用本申请提供的半导体机台进行3DNAND存储器中沟道孔的填充，以降低沟道孔中填充的介质材料的应力，进而降低晶圆的弯曲度，提高器件的性能。例如，通过调整晶圆的温度调节沟道孔中介质材料的应力。
本实施例中，机台还包括：上电极400，参考图2所示，静电吸盘100作为下电极，上下电极间形成射频电场，使被电场加速的电子等与通入处理腔室的蚀刻气体分子发生电离冲撞，产生等离子体，等离子体在上电极400和下电极之间的电场作用下运动至晶圆200表面，与晶圆200进行反应，以进行所需的工艺制程。
以上对本申请实施例提供的一种半导体结构处理机台进行了详细的描述，本申请实施例还提供一种静电吸盘100，参考图5所示，该静电吸盘用于吸附半导体结构，例如晶圆，该静电吸盘100包括第二冷却装置106，其中，第二冷却装置106与第三物质提供装置连通，并允许第三物质提供装置提供的第三物质在操作中到达第二冷却装置106；第三物质的沸点位于负300摄氏度到负100摄氏度。
通常，在进行高密度等离子体化学气相沉积等操作过程中高密度等离子体轰击晶圆正面产生的热量主要由通过第一贯穿孔120到达晶圆200背面的第一物质带走。静电吸盘100中的第二冷却装置106能够直接对第一物质进行降温，进而对晶圆200进行温度调节，这样进一步提高降温效率，有效减小晶圆200的热应力。第二冷却装置106与第三物质提供装置连通且由于第三物质的沸点大于第一物质的沸点，第三物质的沸点位于负300摄氏度到负100摄氏度，从而能够通过第三物质提供装置提供的第三物质对第一物质进行降温。第三物质例如可以为液氮，第一物质可以为氦气，从而通过液氮达到降低氦气温度的目的，通过氦气达到降低晶圆200温度的目的。
在具体的实施例中，第二冷却装置106包括环形结构，参考图6所示，第三物质在操作中到达该环形结构，环形结构可以围绕贯穿静电吸盘100的第一贯穿孔120中。环形结构例如可以为环形管，环形结构的数量可以为多个，例如可以包括多个环形管，多个环形管可以依次排布于第二冷却装置中，多个环形管之间的间隔可以相同。在具体的应用中，环形管可以分布在环形凹槽中，环形凹槽可以位于静电吸盘100的电隔离层中。本实施例中，第二冷却装置106中设置有第二贯穿孔122，以便第一物质能够到达第一贯穿孔120，当静电吸盘100中包括多个第一贯穿孔120时，第二冷却装置106中设置有多个第二贯穿孔122，每一个第二贯穿孔122均有对应的第一贯穿孔120，例如一个第二贯穿孔122正对一个第一贯穿孔120。
本实施例中，静电吸盘100包括第一电隔离层104和基座102，参考图3所示，则贯穿静电吸盘100的第一贯穿孔120贯穿第一电隔离层104和基座102，可以将第一贯穿孔120分为第一子贯穿孔和第二子贯穿孔，第一子贯穿孔贯穿第一电隔离层104，第二子贯穿孔贯穿基座102，且每一个第一子贯穿孔有与之对应的第二子贯穿孔，从而使得第一物质能够有效通过第一子贯穿孔和第二子贯穿孔对晶圆进行降温处理。
第二冷却装置106位于第一电隔离层104和基座102之间。第一电隔离层104可以位于基座102的正面和/或背面，此处基座102的正面是指基座102靠近晶圆200的表面，基座102的背面是指基座102远离晶圆200的表面，即基座102的正面是指基座102远离第二冷却装置106的一端，基座102的背面是指基座102靠近第二冷却装置106的一端。当第一电隔离层104位于基座102的正面时，第二冷却装置106位于第一电隔离层104和基座102之间即第二冷却装置106位于基座102的正面。当第一电隔离层104位于基座102的背面时，第二冷却装置106位于第一电隔离层104和基座102之间即第二冷却装置106位于基座102的背面，此时相比于第二冷却装置106，第一电隔离层104更第一电隔离层104远离静电吸盘100吸附半导体结构的一侧，即相比于第二冷却装置106，第一电隔离层104更远离基座102的正面。当第一电隔离层104位于基座102的正面和背面时，第二冷却装置106位于第一电隔离层104和基座102之间即第一电隔离层104位于基座102的正面和背面，进一步提高降温效果。
在具体的应用中，可以在基座102的背面设置第一电隔离层104，在基座102的正面设置第二电隔离层108，第一电隔离层104和基座102之间设置第二冷却装置106，第二电隔离层108和基座102之间设置第三冷却装置110，参考图6所示，即可以理解为，在传输管道500的延伸方向上，第二电隔离层108、第三冷却装置110、基座102、第二冷却装置106、第一电隔离层104依次排布。第二冷却装置106和第三冷却装置110可以为相同的装置，例如可以为包括环形结构的装置。第一电隔离层104和第二电隔离层108可以为相同的隔离层，例如可以为陶瓷隔离层。
本实施例中，静电吸盘100包括第一电隔离层104和基座102，第一电隔离层104可以位于基座102的正面或背面，第一电隔离层104包括环形沟槽，环形沟槽复用为环形结构，以便容纳第二冷却装置106。
本申请实施例还提供一种半导体结构处理机台，包括上述所述的静电吸盘100，参考图5所示。
本实施例中，该机台还包括第一冷却装置300，其中，第一冷却装置300包括不同于第一物质的第二物质，且被配置为在操作中利用第二物质降低第一物质的温度，第一物质在操作中到达贯穿静电吸盘100的第一贯穿孔120；其中，第一物质和第二物质的沸点均小于零度，第一物质的沸点小于第二物质的沸点。第二物质的沸点可以位于负300摄氏度到负100摄氏度。例如，第二物质可以为液氮。
本实施例中，该机台还可以包括传输通道500，传输通道500与第一贯穿孔120连通，以允许第一物质在操作中经由传输通道500到达第一贯穿孔120，从而能够利用第一贯穿孔120中的第一物质降低晶圆温度。传输通道500的外径可以小于第一贯穿孔120的内径，以便传输通道500***第一贯穿孔120中，传输通道500***第一贯穿孔120中的***深度可以小于第一贯穿孔120的深度，也可以等于第一贯穿孔120的深度。
本实施例中，该机台还包括第一物质提供装置，第一物质提供装置用于提供第一物质，第一物质提供装置与传输通道500的远离第一贯穿孔120的一端相连，以在操作中向传输通道500提供第一物质。第一物质提供装置可以位于第一冷却装置300中，或者当传输通道500贯穿第一物质提供装置300时，第一物质提供装置可以位于第一冷却装置300的远离静电吸盘100的一侧。
本申请实施例还提供一种半导体处理机台的操作方法，该半导体处理机台包括：静电吸盘，静电吸盘包括贯穿静电吸盘的第一贯穿孔；传输通道，传输通道与第一贯穿孔连通；第一冷却装置，传输通道的至少部分位于第一冷却装置中，第一冷却装置包括不同于第一物质的第二物质；其中，第一物质和第二物质的沸点均小于零度，第一物质的沸点小于第二物质的沸点；
所述操作方法包括：
在操作中利用位于第一冷却装置的第二物质降低第一物质的温度；
在操作中使得第一物质经由传输通道到达第一贯穿孔。
本申请实施例中，第一冷却装置包括不同于第一物质的第二物质，且第一物质和第二物质的沸点均小于零度，第一物质的沸点小于第二物质的沸点，使得能够在操作中利用第一冷却装置中的第二物质降低第一物质的温度，而后将第一物质经由传输通道到达第一贯穿孔时，能够降低静电吸盘吸附的晶圆的温度，减小晶圆由于热应力造成的弯曲变形。
本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可，每个实施例重点说明的都是与其它实施例的不同之处。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，虽然本发明已以较佳实施例披露如上，然而并非用以限定本发明。任何熟悉本领域的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的方法和技术内容对本发明技术方案做出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例。因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何的简单修改、等同变化及修饰，均仍属于本发明技术方案保护的范围内。

Claims (36)

1.一种半导体结构处理机台，其特征在于，包括：
静电吸盘，其中，所述静电吸盘包括贯穿所述静电吸盘的第一贯穿孔；
传输通道，其中，所述传输通道与所述第一贯穿孔连通，以允许第一物质在操作中经由所述传输通道到达所述第一贯穿孔；
第一冷却装置，其中，所述传输通道的至少部分位于所述第一冷却装置中，所述第一冷却装置包括不同于所述第一物质的第二物质，且被配置为在操作中利用所述第二物质降低所述第一物质的温度；
其中，所述第一物质和所述第二物质的沸点均小于零度，所述第一物质的沸点小于所述第二物质的沸点。
2.根据权利要求1所述的机台，其特征在于，所述第二物质的沸点位于负300摄氏度到负100摄氏度。
3.根据权利要求1所述的机台，其特征在于，所述第一物质为氦气，所述第二物质为液氮。
4.根据权利要求1所述的机台，其特征在于，所述传输通道的外径小于所述第一贯穿孔的内径，所述传输通道***所述第一贯穿孔中且***深度小于或等于所述第一贯穿孔的深度。
5.根据权利要求1所述的机台，其特征在于，所述传输通道的至少部分位于所述第一冷却装置中，所述第二物质至少部分围绕所述传输通道的位于所述第一冷却装置的部分。
6.根据权利要求5所述的机台，其特征在于，还包括：第一物质提供装置，其中，所述第一物质提供装置与所述传输通道的远离所述第一贯穿孔的一端相连，以在操作中向所述传输通道提供所述第一物质。
7.根据权利要求6所述的机台，其特征在于，所述第一物质提供装置位于所述第一冷却装置中；或者，所述传输通道贯穿所述第一冷却装置。
8.根据权利要求1-7任意一项所述的机台，其特征在于，所述静电吸盘包括：第二冷却装置，所述第二冷却装置与第三物质提供装置连通，并允许所述第三物质提供装置提供的第三物质在操作中到达所述第二冷却装置，其中，所述第三物质的沸点位于负300摄氏度到负100摄氏度。
9.根据权利要求8所述的机台，其特征在于，所述第三物质为液氮。
10.根据权利要求8所述的机台，其特征在于，所述第二冷却装置包括环形结构，所述第三物质在操作中到达所述环形结构。
11.根据权利要求10所述的机台，其特征在于，所述环形结构围绕所述第一贯穿孔。
12.根据权利要求8所述的机台，其特征在于，所述静电吸盘还包括第一电隔离层、基座，所述第二冷却装置位于所述第一电隔离层和所述基座之间。
13.根据权利要求12所述的机台，其特征在于，相比于所述第二冷却装置，所述第一电隔离层更靠近所述传输通道远离所述第一贯穿孔的一侧。
14.根据权利要求10所述的机台，其特征在于，所述环形结构为环形管。
15.根据权利要求14所述的机台，其特征在于，所述环形管在环形凹槽中。
16.根据权利要求13所述的机台，其特征在于，所述静电吸盘还包括第三冷却装置和第二电隔离层，所述第二电隔离层位于所述基座远离所述第二冷却装置的一侧，所述第三冷却装置位于所述第二电隔离层和所述基座之间。
17.根据权利要求10所述的机台，其特征在于，所述静电吸盘还包括第一电隔离层、基座，所述第一电隔离层包括环形沟槽，所述环形沟槽复用为所述环形结构。
18.一种静电吸盘，其特征在于，所述静电吸盘用于吸附半导体结构，所述静电吸盘包括第二冷却装置，其中，所述第二冷却装置与第三物质提供装置连通，并允许所述第三物质提供装置提供的第三物质在操作中到达所述第二冷却装置；所述第三物质的沸点位于负300摄氏度到负100摄氏度；所述第三物质为液氮。
19.根据权利要求18所述的静电吸盘，其特征在于，所述第二冷却装置包括环形结构，所述第三物质在操作中到达所述环形结构。
20.根据权利要求19所述的静电吸盘，其特征在于，所述环形结构围绕贯穿所述静电吸盘的第一贯穿孔。
21.根据权利要求19所述的静电吸盘，其特征在于，所述环形结构为环形管。
22.根据权利要求21所述的静电吸盘，其特征在于，所述环形管在环形凹槽中。
23.根据权利要求18-22任意一项所述的静电吸盘，其特征在于，所述静电吸盘还包括第一电隔离层、基座，所述第二冷却装置位于所述第一电隔离层和所述基座之间。
24.根据权利要求23所述的静电吸盘，其特征在于，相比于所述第二冷却装置，所述第一电隔离层更远离所述静电吸盘吸附半导体结构的一侧。
25.根据权利要求23所述的静电吸盘，其特征在于，所述静电吸盘还包括第三冷却装置和第二电隔离层，所述第二电隔离层位于所述基座远离所述第二冷却装置的一侧，所述第三冷却装置位于所述第二电隔离层和所述基座之间。
26.根据权利要求19所述的静电吸盘，其特征在于，所述静电吸盘还包括第一电隔离层、基座，所述第一电隔离层包括环形沟槽，所述环形沟槽复用为所述环形结构。
27.一种半导体结构处理机台，其特征在于，包括权利要求18-26任意一项所述的静电吸盘。
28.根据权利要求27所述的机台，其特征在于，还包括：第一冷却装置，其中，所述第一冷却装置包括不同于第一物质的第二物质，且被配置为在操作中利用所述第二物质降低所述第一物质的温度，所述第一物质在操作中到达贯穿所述静电吸盘的第一贯穿孔；
其中，所述第一物质和所述第二物质的沸点均小于零度，所述第一物质的沸点小于所述第二物质的沸点。
29.根据权利要求28所述的机台，其特征在于，所述第二物质的沸点位于负300摄氏度到负100摄氏度。
30.根据权利要求29所述的机台，其特征在于，所述第二物质为液氮。
31.根据权利要求28所述的机台，其特征在于，还包括：传输通道，其中，所述传输通道与所述第一贯穿孔连通，以允许所述第一物质在操作中经由所述传输通道到达所述第一贯穿孔。
32.根据权利要求31所述的机台，其特征在于，所述传输通道的外径小于所述第一贯穿孔的内径，所述传输通道***所述第一贯穿孔中且***深度小于或等于所述第一贯穿孔的深度。
33.根据权利要求31所述的机台，其特征在于，所述传输通道的至少部分位于所述第一冷却装置中，所述第二物质的至少部分围绕所述传输通道的位于所述第一冷却装置的部分。
34.根据权利要求31所述的机台，其特征在于，还包括：第一物质提供装置，其中，所述第一物质提供装置与所述传输通道的远离所述第一贯穿孔的一端相连，以在操作中向所述传输通道提供所述第一物质。
35.根据权利要求34所述的机台，其特征在于，所述第一物质提供装置位于所述第一冷却装置中；或者，所述传输通道贯穿所述第一冷却装置。
36.一种半导体结构处理机台的操作方法，其特征在于，所述半导体结构处理机台包括：静电吸盘，所述静电吸盘包括贯穿所述静电吸盘的第一贯穿孔；传输通道，所述传输通道与所述第一贯穿孔连通；第一冷却装置，所述传输通道的至少部分位于所述第一冷却装置中，所述第一冷却装置包括不同于第一物质的第二物质；其中，所述第一物质和所述第二物质的沸点均小于零度，所述第一物质的沸点小于所述第二物质的沸点；
所述操作方法包括：
在操作中利用位于所述第一冷却装置中的所述第二物质降低所述第一物质的温度；
在所述操作中使得所述第一物质经由所述传输通道到达所述第一贯穿孔。
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Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030024364A (ko) * 2001-09-18 2003-03-26 주성엔지니어링(주) 정전척
CN102856243A (zh) * 2011-06-30 2013-01-02 细美事有限公司 静电卡盘、包括它的基材处理设备和基材处理方法
CN103646840A (zh) * 2013-11-29 2014-03-19 上海华力微电子有限公司 用于离子注入机预冷腔的晶片固定装置
CN107818940A (zh) * 2017-11-30 2018-03-20 上海华力微电子有限公司 一种静电吸盘装置及其温控方法
CN111834285A (zh) * 2020-07-20 2020-10-27 武汉新芯集成电路制造有限公司 半导体器件及其制造方法

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6408903B2 (ja) * 2014-12-25 2018-10-17 東京エレクトロン株式会社 エッチング処理方法及びエッチング処理装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030024364A (ko) * 2001-09-18 2003-03-26 주성엔지니어링(주) 정전척
CN102856243A (zh) * 2011-06-30 2013-01-02 细美事有限公司 静电卡盘、包括它的基材处理设备和基材处理方法
CN103646840A (zh) * 2013-11-29 2014-03-19 上海华力微电子有限公司 用于离子注入机预冷腔的晶片固定装置
CN107818940A (zh) * 2017-11-30 2018-03-20 上海华力微电子有限公司 一种静电吸盘装置及其温控方法
CN111834285A (zh) * 2020-07-20 2020-10-27 武汉新芯集成电路制造有限公司 半导体器件及其制造方法

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