CN113380863A - 显示面板及电子设备 - Google Patents
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Abstract
本申请实施例提供的显示面板及电子设备，涉及显示技术领域。在显示面板的非显示区中，导电膜层和增厚层位于平坦化层远离阵列驱动层的一侧，且增厚层在平坦化层上的正投影覆盖非功能阵列驱动区在平坦化层上的正投影，如此设计，可以使位于非功能阵列驱动区上的导电膜层在受到压力作用(比如，在进行有机发光层蒸镀时，精密金属掩膜版通过粒子作用在导电膜层上的压力)时，不容易将导电膜层与非功能阵列驱动区之间的距离缩短，以确保导电膜层与非功能阵列驱动区之间不会出现电信号串扰，避免两者在显示面板的制作过程或后续使用过程中因电信号串扰引起的显示不良。
Description
技术领域
本申请涉及显示技术领域，具体而言，涉及一种显示面板及电子设备。
背景技术
随着显示技术的不断发展，消费者对电子设备的显示效果要求也越来越高。在电子设备的使用过程中，电子设备可能会出现显示亮度异常的情况，比如，显示亮度过大。如何解决上述显示亮度异常是本领域技术人员急需要解决的技术问题。
发明内容
为了克服上述技术背景中所提及的技术问题，本申请实施例提供一种显示面板及电子设备。
本申请的第一方面，提供一种显示面板，包括非显示区及至少部分由所述非显示区围绕的显示区；
所述显示面板还包括阵列驱动层、平坦化层、增厚层及导电膜层，所述平坦化层位于所述阵列驱动层靠近所述增厚层的一侧，所述阵列驱动层包括位于显示区的像素阵列驱动区及位于非显示区的非功能阵列驱动区；
所述导电膜层及所述增厚层位于所述非显示区中的所述平坦化层远离所述阵列驱动层的一侧，所述增厚层在所述平坦化层上的正投影覆盖所述非功能阵列驱动区在所述平坦化层上的正投影。
在上述结构中，在非显示区，导电膜层和增厚层位于平坦化层远离阵列驱动层的一侧，且增厚层在平坦化层上的正投影覆盖非功能阵列驱动区在平坦化层上的正投影，如此设计，可以使位于非功能阵列驱动区上的导电膜层在受到压力作用(比如，在进行有机发光层蒸镀时，精密金属掩膜版通过粒子作用在导电膜层上的压力)时，不容易将导电膜层与非功能阵列驱动区之间的距离缩短甚至刺穿，以确保导电膜层与非功能阵列驱动区之间的电绝缘，避免导电膜层与非功能阵列驱动区在显示面板使用过程中因两者之间的距离过小导致最终短接而出现显示亮度异常，降低显示不良的发生概率。
在本申请的一种可能实施例中，所述显示面板还包括阳极膜层、像素限定层及阴极膜层；
所述阳极膜层位于所述显示区且位于所述平坦化层远离所述阵列驱动层的一侧，其中，所述阳极膜层与所述导电膜层绝缘设置；
所述像素限定层至少部分位于所述阳极膜层远离所述平坦化层的一侧；
所述阴极膜层位于所述像素限定层及所述导电膜层远离所述平坦化层的一侧；
所述阴极膜层在所述非显示区与所述导电膜层电连接。
上述设计，通过导电膜层为阴极膜层提供电信号，导电膜层与阳极膜层绝缘设置，可以保证阳极膜层与阴极膜层不会出现电信号短接，以使显示面板所显示的亮度正常。
在本申请的一种可能实施例中，所述增厚层位于所述导电膜层与所述非功能阵列驱动区之间；或，
所述增厚层位于所述导电膜层与所述阴极膜层之间。
在本申请的一种可能实施例中，所述增厚层包括至少一层电绝缘材料层。
在本申请的一种可能实施例中，在垂直于所述显示区的方向，位于所述像素阵列驱动区的平坦化层的厚度为第一厚度，位于所述非显示区的非功能阵列驱动区的平坦化层与增厚层的厚度之和为第二厚度，所述第二厚度大于所述第一厚度。
在本申请的一种可能实施例中，所述增厚层位于所述导电膜层与所述非功能阵列驱动区之间，所述增厚层的材料与所述平坦化层的材料相同。
在本申请的一种可能实施例中，所述增厚层位于所述导电膜层与所述阴极膜层之间，所述增厚层与所述非功能阵列驱动区的像素限定层的材料相同。
在本申请的一种可能实施例中，所述显示面板还包括隔离柱，所述增厚层位于所述导电膜层与所述阴极膜层之间，所述增厚层与所述非功能阵列驱动区的隔离柱的材料相同。
在本申请的一种可能实施例中，所述增厚层在垂直于所述显示区方向上的厚度为1.0um～2.0um。
本申请的第二方面，还提供一种电子设备，包括第一方面所述的显示设备。
相对于现有技术，本申请实施例提供的显示面板及电子设备，在显示面板的非显示区中，导电膜层和增厚层位于平坦化层远离阵列驱动层的一侧，且增厚层在平坦化层上的正投影覆盖非功能阵列驱动区在平坦化层上的正投影，如此设计，可以使位于非功能阵列驱动区上的导电膜层在受到压力作用(比如，在进行有机发光层蒸镀时，精密金属掩膜版通过粒子作用在导电膜层上的压力)时，不容易将导电膜层与非功能阵列驱动区之间的距离缩短甚至刺穿，以确保导电膜层与非功能阵列驱动区之间的电绝缘，避免导电膜层与非功能阵列驱动区在显示面板的使用过程中因两者之间的距离过小导致最终短接而出现显示亮度异常，降低显示不良的发生概率。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本申请的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
图1示例了一种显示面板的结构示意图；
图2A-图2B示例了阵列驱动层与显示区在不同相对位置关系时进行刻蚀的示意图；
图3示例了精密金属掩膜版作用于导电膜层上时的示意图；
图4示例了本申请实施例提供的显示面板的膜层结构示意图；
图5示例了图4中显示面板在显示区的具体膜层结构示意图；
图6示例了本申请实施例提供的非功能阵列驱动区的显示面板的一种可能的膜层结构示意图；
图7示例了本申请实施例提供的非功能阵列驱动区的显示面板的另一种可能的膜层结构示意图；
图8示例了本申请实施例提供的增厚层的一种可能膜层结构示意图；
图9示例了本申请实施例提供的增厚层的另一种可能膜层结构示意图。
标号：
10-显示面板；110-显示区；120-非显示区；121-周边电路区；122-非功能阵列驱动区；101-阵列驱动层；1011-基板层；1012-缓冲层；10131-有源层；10132-栅极绝缘层；10133-栅极；10134-源极；10135-漏极；10136-第一绝缘层；10137-第二绝缘层；10138-第一电极；10139-第二电极；1014-平坦化层；10141-第一平坦化层；10142-第二平坦化层；102-发光器件层；1021-阳极膜层；1022-像素限定层；1023-发光层；1024-阴极膜层；1025-像素开口；1026-隔离柱；103-增厚层；104-导电膜层；20-精密金属掩膜版；21-颗粒。
具体实施方式
为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本申请实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。
因此，以下对在附图中提供的本申请的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本申请的范围，而是仅仅表示本申请的选定实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。
在本申请的描述中，需要说明的是，术语“上”、“下”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是该申请产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。
需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请的实施例中的不同特征之间可以相互结合。
请参照图1，图1示出了一种显示面板的结构示意图，显示面板10包括显示区110及非显示区120，在显示面板10中，除了在显示区110中用于控制子像素的薄膜晶体管之外，位于非显示区120的周边电路区121还可以包括薄膜晶体管，并通过与其他电子元件构成控制电路，以对位于显示区110的薄膜晶体管进行控制。一般地，周边电路区121通常设置在显示区110相对的两侧。由于周边电路区121位于显示区110相对的两侧，可以确保显示区110两侧边缘的阵列驱动层101能被均匀刻蚀，并确保位于显示区110两侧边缘位置处的阵列驱动层101具有均匀的线宽。如此，在相同信号驱动子像素时，可确保显示区110两侧的子像素亮度与显示区110中间的子像素亮度一致。
然而，由于显示区110的上下边缘没有周边电路区121，请参照图2A，图2A示例了一种阵列驱动层101的上下边缘刚好与显示区110的上下边缘重合的示意图。在制作阵列驱动层101时，由于刻蚀气体在阵列驱动层101的上下边缘容易过刻蚀，这会使得位于显示区110上下边缘的刻蚀图像的线宽值相对于显示区110的中间位置处小，从而会导致采用相同信号驱动子像素时，位于显示区110边缘的子像素与位于显示区110中间的子像素存在亮度不一致的问题。
为了解决上述技术问题，一种可能的解决方案是，将阵列驱动层101的上下边缘向外延伸到显示区110的外侧，比如如图2B所示，在阵列驱动层101的上下边缘靠近显示区110的位置处设置非功能阵列驱动区122(Dummy pixel)，将存在刻蚀程度不均的部分外延到显示区110外，以避免阵列驱动层101在显示区的上下边缘刻蚀图案的线宽值不均一，导致的亮度不一致的问题。
同时，由于非功能阵列驱动区122中金属走线悬空，可能在非功能阵列驱动区122中金属走线上积累静电，导致静电分布不均，从而在非功能阵列驱动区122上形成静电释放(Electro-Static discharge，ESD)。为此，一般地，需要将非功能阵列驱动区122接一电位，比如，接一PVGH的高电位。请参照图3，在制作有机发光层的过程中，在非功能阵列驱动区122，精密金属掩膜版201作用于导电膜层104上，精密金属掩膜版201上的颗粒21可能将导电膜层104与非功能阵列驱动区122刺穿或使两者之间的距离很近，从而可能导致在显示面板在后续使用过程中，导电膜层104与非功能阵列驱动区122短接，又因导电膜层104用于为阴极膜层提供电信号ELVSS，两者的短接会拉高阴极膜层的电位，从而可能出现显示亮度异常的情况。
为了解决上述技术问题。发明人创新性的设计以下技术方案，下面将结合附图对本申请的具体实现方案进行详细说明。
所应说明的是，以上现有技术中的方案所存在的缺陷，均是发明人在经过实践并仔细研究后得出的结果，因此，上述技术问题的发现过程以及下文中本申请实施例针对上述问题所提出的解决方案，都应该是发明人在发明创造过程中对本申请做出的贡献，而不应当理解为本领域技术人员所公知的技术内容。
在介绍申请技术方案之前，先对显示面板10的显示区110的膜层结构进行介绍。
请参照图4及图5，在本申请实施例中，显示面板10可以包括阵列驱动层101及发光器件层102，其中，阵列驱动层101可以包括基板层1011、缓冲层1012及像素驱动层。
基板层1011可以为玻璃基板，缓冲层1012可以位于基板层1011的一侧，像素驱动层位于缓冲层1012远离基板层1011的一侧。在本实施例中，缓冲层1012可由无机材料，例如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等制备形成。在本实施例中，缓冲层1012可以是依次形成于基板层1011上的氮化硅(SiNx)层和氧化硅(SiOx)层的双层结构。
像素驱动层可以包括有源层10131、栅极绝缘层10132、栅极10133、源极10134、漏极10135、第一绝缘层10136、第二绝缘层10137，以及用于形成电容的第一电极10138及第二电极10139。
有源层10131形成于缓冲层1012上，有源层10131可以由无机半导体(如，非晶体硅或多晶硅)、有机半导体或氧化物半导体形成，有源层10131可以包括源区(S)、漏区(D)和沟道区(p-si)。
栅极绝缘层10132形成于有源层10131和未被有源层10131覆盖的缓冲层1012上，以便将有源层10131和栅极10133绝缘隔离。栅极绝缘层10132可以采用氧化硅或氮化硅等材料制成，但不限于此。
栅极10133形成于有源层10131对应的栅极绝缘层10132背离基板层1011的一侧，栅极10133可以使用金属Al、Mo、Cu、Ti或其他低电阻率的金属材料中的一种或多种形成。同时，在栅极绝缘层10132上还形成有电容的第一电极10138。该第一电极10138形成于栅极绝缘层10132上，第一电极10138与栅极10133的材料可以相同，可以在栅极绝缘层10132上制作第一金属层M1，以达到同时在栅极绝缘层10132上制作栅极10133和第一电极10138。
第一绝缘层10136形成于栅极绝缘层10132上并覆盖栅极10133和第一电极10138，第二电极10139位于第一电极10138所对应的第一绝缘层10136远离基板层1011的一侧。第一绝缘层10136用于将第一电极10138与第一电极10138绝缘隔离，使第一电极10138与第二电极10139形成电容。第一绝缘层10136同样可以由无机材料，如：氮化硅和氧化硅形成。第二电极10139位于第一绝缘层10136上方制作的第二金属层M2中。
第二绝缘层10137形成于第一绝缘层10136上并覆盖第二电极10139，用于隔离源极10134、漏极10135与第二电极10139，使得源极10134、漏极10135与第二电极10139相互绝缘。第二绝缘层10137同样可以由无机材料(如：氮化硅和氧化硅)形成。第二绝缘层10137的结构可以为氮化硅和氧化硅形成的双层或三层以上的结构。
源极10134和漏极10135形成于第二绝缘层10137上，源极10134通过通孔与有源层10131中的源区(S)电连接，漏极10135通过通孔与有源层10131中的漏区(D)电连接。栅极10133、源极10134、漏极10135、第一电极10138、第二电极10139的电极材料可同为金属Al、Mo、Cu、Ti或其他低电阻率的金属材料中的一种或多种。源极10134和漏极10135位于第二绝缘层10137上制作的第三金属层M3中。
在像素驱动层远离基板层1011的一侧还可以设置平坦化层1014及发光器件层102。驱动元件包括由栅极10133、源极10134、漏极10135以及有源层10131等形成的TFT(ThinFilm Transistor，薄膜晶体管)。
发光器件层102可以包括阳极膜层1021、像素限定层1022、发光层1023及阴极膜层。阳极膜层1021位于阵列驱动层101上，像素限定层1022位于阵列驱动层101上，像素限定层1022在阳极膜层1021上形成像素开口1025，发光层1023位于像素开口1025远离阵列驱动层101的一侧，阴极膜层位于发光层1023远离阵列驱动层101的一侧。在本申请实施例中，发光器件层102还可以包括隔离柱1026，隔离柱1026位于像素限定层1022远离基板层1011的一侧，隔离柱1026可以采用与像素限定层1022相同的材料制作。
具体地，阳极膜层1021位于平坦化层1014远离基板层1011的一侧，阳极膜层1021通过平坦化层过孔与驱动元件的漏极10135电连接。像素限定层1022位于平坦化层1014及阳极膜层1021远离基板层1011的一侧。
在本实施例中，平坦化层1014可以包括第一平坦化层10141及第二平坦化层10142，在第一平坦化层10141与第二平坦化层之间还可以设置第四金属层M4，第四金属层M4可通过平坦化层1014的膜层通孔连接驱动元件的漏极10135和阳极膜层1021。例如，在图2中，阳极膜层1021可以先通过第二平坦化层10142的膜层通孔与第四金属层M4连接，第四金属层M4再通过第一平坦化层10141的膜层通孔与位于第三金属层M3的驱动元件的漏极10135连接。
在本申请实施例中，可以将非功能阵列驱动区122的第四金属层M4接高电位，以避免在非功能阵列驱动区122上形成静电释放。导电膜层104与非功能阵列驱动区122短接可以是指导电膜层104与非功能阵列驱动区122的第四金属层M4短接。
请参照图6，图6示例了本申请实施例提供的显示面板10在非功能阵列驱动区122的一种可能的膜层结构示意图。显示面板10可以包括阵列驱动层11、平坦化层1014、增厚层103及导电膜层104，阵列驱动层101可以包括位于显示区110的像素阵列驱动区及位于非显示区120的非功能阵列驱动区122。
平坦化层1014位于阵列驱动层101靠近增厚层103的一侧，导电膜层104与增厚层103位于非显示区120的平坦化层1014远离阵列驱动层101的一侧，增厚层103在平坦化层1014上的正投影覆盖非功能阵列驱动区122在平坦化层1014上的正投影。
上述方案中，在显示面板10的非显示区120中，导电膜层104和增厚层103位于平坦化层1014远离阵列驱动层101的一侧，且增厚层103在平坦化层1014上的正投影覆盖非功能阵列驱动区122在平坦化层1014上的正投影，如此设计，可以使位于非功能阵列驱动区122上的导电膜层104在受到压力作用(比如，在进行有机发光层蒸镀时，精密金属掩膜版通过粒子作用在导电膜层上的压力)时，不容易将导电膜层104与非功能阵列驱动区122之间的距离缩短，以确保导电膜层104与非功能阵列驱动区122之间的电绝缘，避免两者在显示面板10的制作过程或后续使用过程中因短接导致电信号异常引起的显示亮度异常。
请参照图7，图7示例了显示面板10的非显示区120的可能的膜层结构示意图。
结合图5及图7，阳极膜层1021可以位于显示区110且位于平坦化层1014远离阵列驱动层101的一侧，导电膜层104可以位于非显示区120且位于平坦化层1014远离阵列驱动层101的一侧。其中，导电膜层104可以和阳极膜层1021同层设置，具体地，导电膜层104和阳极膜层1021可以为ITO膜层，导电膜层104和阳极膜层1021之间电绝缘。
像素限定层1022至少部分位于阳极膜层1021远离平坦化层1014的一侧，即像素限定层1022可以完全位于显示区110中阳极膜层1021远离平坦化层1014的一侧；也可以一部分位于显示区110中阳极膜层1021远离平坦化层1014的一侧，另一部分位于非功能阵列驱动区122中导电膜层104远离平坦化层1014的一侧。
阴极膜层1024可以位于像素限定层1022及导电膜层104远离平坦化层1014的一侧，具体地，阴极膜层1024可以为一位于显示区110及非功能阵列驱动区122的膜层。在本申请实施例中，阴极膜层1024在非显示区120与导电膜层104连接，由导电膜层104为阴极膜层1024提供电信号ELVSS。
上述设置，可以通过导电膜层104为阴极膜层1024提供电信号，导电膜层104与阳极膜层1021电绝缘，可以确保阳极膜层1021与阴极膜层1024不会出现短接。
在本申请实施例中，增厚层103可以包括至少一层电绝缘材料层，其中，电绝缘材料层可以是有机材料层，也可以是无机材料层。
在本申请实施例中，在垂直于显示区110的方向，位于像素阵列驱动区的平坦化层1014的厚度为第一厚度，位于非显示区120的非功能阵列驱动区122的平坦化层1014与增厚层103的厚度之和为第二厚度，第二厚度大于第一厚度。
进一步地，增厚层103在垂直于显示区110方向上的厚度可以为1.0um～2.0um。
在本申请的一种实施例中，增厚层103可以位于非功能阵列驱动区122中的导电膜层104与平坦化层1014之间。
比如，如图8所示，增厚层103可以为与平坦化层1014的材料相同的膜层。具体的，增厚层1014可以和平坦化层1014同时制作，下面是一种制作上述增厚层103的可能实施方式：
首先，在阵列驱动层101上制作一平坦化层1014；
然后，通过掩膜版进行刻蚀，将除非功能阵列驱动区122之外位置的平坦化层刻蚀变薄，其中，非功能阵列驱动区122位置处相对于其他位置处平坦化层1014凸起的部分可以作为增厚层103。
在本申请的另一种实施例中，增厚层103可以位于导电膜层104与阴极膜层1024之间。
比如，如图9所示，增厚层103可以是位于非功能阵列驱动区122的像素限定层1022。
又比如，如图9所示，增厚层103也可以是位于非功能阵列驱动区122的隔离柱1026。
可以理解的是，在其他实施例中，增厚层103也还可以由其他非显示面板10的膜层制作而成，当然，增厚层103也还可以由显示面板10的多个膜层组合而成，比如，增厚层103可以由像素限定层1022和隔离柱1026组合而成。
本申请实施例还提供一种包括上述显示面板的电子设备，由于包括上述显示面板，可以确保电子设备不会因为导电膜层104与非功能阵列驱动区122之间因短接或距离过小而导致显示亮度异常的技术问题。
本申请实施例提供的显示面板及电子设备，在显示面板的非显示区中，导电膜层和增厚层位于平坦化层远离阵列驱动层的一侧，且增厚层在平坦化层上的正投影覆盖非功能阵列驱动区在平坦化层上的正投影，如此设计，可以使位于非功能阵列驱动区上的导电膜层在受到压力作用(比如，在进行有机发光层蒸镀时，精密金属掩膜版通过粒子作用在导电膜层上的压力)时，不容易将导电膜层与非功能阵列驱动区之间的距离缩短，以确保导电膜层与非功能阵列驱动区之间不会出现电信号串扰，避免两者在显示面板的制作过程或后续使用过程中因电信号串扰引起的显示不良。
以上所述仅为本申请的优选实施例而已，并不用于限制本申请，对于本领域的技术人员来说，本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种显示面板，其特征在于，包括非显示区及至少部分由所述非显示区围绕的显示区；
所述显示面板还包括阵列驱动层、平坦化层、增厚层及导电膜层，所述平坦化层位于所述阵列驱动层靠近所述增厚层的一侧，所述阵列驱动层包括位于显示区的像素阵列驱动区及位于非显示区的非功能阵列驱动区；
所述导电膜层及所述增厚层位于所述非显示区中的所述平坦化层远离所述阵列驱动层的一侧，所述增厚层在所述平坦化层上的正投影覆盖所述非功能阵列驱动区在所述平坦化层上的正投影。
2.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括阳极膜层、像素限定层及阴极膜层；
所述阳极膜层位于所述显示区且位于所述平坦化层远离所述阵列驱动层的一侧，其中，所述阳极膜层与所述导电膜层绝缘设置；
所述像素限定层至少部分位于所述阳极膜层远离所述平坦化层的一侧；
所述阴极膜层位于所述像素限定层及所述导电膜层远离所述平坦化层的一侧；
所述阴极膜层在所述非显示区与所述导电膜层电连接。
3.如权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述增厚层位于所述导电膜层与所述非功能阵列驱动区之间；或，
所述增厚层位于所述导电膜层与所述阴极膜层之间。
4.如权利要求1-3中任意一项所述的显示面板，其特征在于，所述增厚层包括至少一层电绝缘材料层。
5.如权利要求1-3中任意一项所述的显示面板，其特征在于，在垂直于所述显示区的方向，位于所述像素阵列驱动区的平坦化层的厚度为第一厚度，位于所述非显示区的非功能阵列驱动区的平坦化层与增厚层的厚度之和为第二厚度，所述第二厚度大于所述第一厚度。
6.如权利要求1-3中任意一项所述的显示面板，其特征在于，所述增厚层位于所述导电膜层与所述非功能阵列驱动区之间，所述增厚层的材料与所述平坦化层的材料相同。
7.如权利要求2或3所述的显示面板，其特征在于，所述增厚层位于所述导电膜层与所述阴极膜层之间，所述增厚层与所述非功能阵列驱动区的像素限定层的材料相同。
8.如权利要求2或3所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括隔离柱，所述增厚层位于所述导电膜层与所述阴极膜层之间，所述增厚层与所述非功能阵列驱动区的隔离柱的材料相同。
9.如权利要求1-3中任意一项所述的显示面板，其特征在于，所述增厚层在垂直于所述显示区方向上的厚度为1.0um～2.0um。
10.一种电子设备，其特征在于，包括权利要求1-9中任意一项所述的显示面板。
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