CN113363399B

CN113363399B - 一种有机电致发光器件和显示装置

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Publication number: CN113363399B
Application number: CN202110605916.XA
Authority: CN
Inventors: 蔡明瀚; 段炼; 李国孟; 李飞霞; 刘俊; 李梦真; 王宏宇; 曹方义
Original assignee: Tsinghua University; Kunshan Govisionox Optoelectronics Co Ltd
Current assignee: Tsinghua University; Kunshan Govisionox Optoelectronics Co Ltd
Priority date: 2021-05-31
Filing date: 2021-05-31
Publication date: 2022-09-13
Anticipated expiration: 2041-05-31
Also published as: CN113363399A

Abstract

本发明提供一种有机电致发光器件和显示装置，有机电致发光器件包括发光层；所述发光层包括第一TADF主体材料、第二TADF主体材料和客体材料；所述第一TADF主体材料的第一激发单重态能级大于所述第二TADF主体材料的第一激发单重态能级，所述第二TADF主体材料的第一激发单重态能级大于所述客体材料的第一激发单重态能级；所述第一TADF主体材料的第一激发三重态能级大于所述第二TADF主体材料的第一激发三重态能级，所述第二TADF主体材料的第一激发三重态能级大于所述客体材料的第一激发三重态能级。本发明的有机电致发光器件具有较为优异的发光效率以及使用寿命。

Description

一种有机电致发光器件和显示装置

技术领域

本发明涉及一种有机电致发光器件和显示装置，属于有机电致发光技术领域。

背景技术

有机电致发光器件是一种通过电流驱动而达到发光目的的器件。具体地，有机电致发光器件包括阴极、阳极以及位于阴极和阳极之间的发光层等功能层。当施加电压后，来自于阴极的电子和来自于阳极的空穴会分别向发光层迁移并结合产生激子，进而根据发光层的特性发出不同波长的光。

现阶段，产线上用于有机电致发光器件的蓝光材料主要为常见的三重态-三重态湮灭材料(TTA，triple-triple annihilation)，其是利用三重态激子的湮灭效应，提高单重态激子的总量，理论上，TTA的极限效率仅能够达到62.5％，并且在实际应用过程中的其激子利用率往往低于62.5％。而应用于有机电致发光器件的红光材料和绿光材料主要为磷光材料，但是磷光材料具有半峰宽大、色纯度差等缺陷，并且由于磷光材料含有贵金属，这也导致了磷光材料成本过高、不环保。

因此，如何在不使用含重金属磷光材料的基础上保证有机发光二极管(OLED，organic light-emitting diode)器件的高效率及长寿命成为了一个亟待解决的问题。

发明内容

本发明提供一种有机电致发光器件，通过对发光层的组成进行限定，有效提高了激子利用率，从而使有机电致发光器件的发光效率和使用寿命得到了改善。

本发明提供一种显示装置，该显示装置包括上述有机电致发光器件，因此发光效率和使用寿命都得到了实质性的优化。

本发明提供一种有机电致发光器件，包括发光层；所述发光层包括第一TADF主体材料、第二TADF主体材料和客体材料；

所述第一TADF主体材料的第一激发单重态能级大于所述第二TADF主体材料的第一激发单重态能级，所述第二TADF主体材料的第一激发单重态能级大于所述客体材料的第一激发单重态能级；

所述第一TADF主体材料的第一激发三重态能级大于所述第二TADF主体材料的第一激发三重态能级，所述第二TADF主体材料的第一激发三重态能级大于所述客体材料的第一激发三重态能级。

可选地，所述第一TADF主体材料350-750nm范围内的归一化发光光谱和所述第二TADF主体材料350-750nm范围内的归一化吸收光谱发生重叠且重叠面积与第一TADF主体材料350-750nm范围内的归一化发光光谱面积之比大于或等于10％。

可选地，所述第二TADF主体材料350-750nm范围内的归一化发光光谱和所述客体材料350-750nm范围内的归一化吸收光谱发生重叠且重叠面积与第二TADF主体材料350-750nm范围内的归一化发光光谱面积之比大于或等于10％。

可选地，所述客体材料选自荧光染料或共振型TADF材料。

可选地，所述客体材料光致发光光谱的半峰宽小于或等于60nm。

可选地，所述第一TADF主体材料的第一激发单重态能级与第一激发三重态能级之差小于或等于0.4ev。

可选地，所述第二TADF主体材料的第一激发单重态能级与第一激发三重态能级之差小于或等于0.4ev。

可选地，所述发光层按照质量百分含量包括：第二TADF主体材料10-50％，客体材料0.5-10％，余量可选地，所述发光层的厚度为10-50nm。

本发明还提供一种发光装置，所述发光装置包括上述任一项所述的有机电致发光器件。

本发明的有机电致发光器件中的发光层采用双TADF主体结构，即，包括第一TADF主体材料和第二TADF主体材料。具体地，TADF主体能够对三重态激子进行有效利用，并且双主体结构能够分散空穴和电子的复合场所，从而保证由TADF的三重态能级发生反窜越至单重态能级的激子更加快速和高效的跃迁至客体材料的单重态而发射荧光，通过提高激子利用率而使有机电致发光器件的发光效率和发光寿命得到改善。

具体实施方式

为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明的实施例，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

本发明第一方面提供一种有机电致发光器件，该有机电致发光器件包括在基板上依次沉积的阳极、空穴传输区、发光层、电子传输区以及阴极。

其中，基板、阳极、空穴传输区、电子传输区以及阴极可以采用本领域常用的材料。例如，基板可以采用具有机械强度、热稳定性、防水性、透明度优异的玻璃或聚合物材料；阳极材料可以采用铟锡氧(ITO)、铟锌氧(IZO)、二氧化锡(SnO₂)、氧化锌(ZnO)等氧化物透明导电材料和它们的任意组合；阴极可以采用镁(Mg)、银(Ag)、铝(A1)、铝-锂(A1-Li)、钙(Ca)、镁-铟(Mg-In)、镁-银(Mg-Ag)等金属或合金以及它们之间的任意组合。

以下，对发光层进行详细介绍。

本发明的发光层包括第一TADF主体材料、第二TADF主体材料和客体材料；

其中，第一TADF主体材料和第二TADF主体材料均是指三重态能级和单重态能级的能级差较小，从而能够发生反系间窜越(即三重态激子跃迁至单重态)的材料，且第一TADF主体材料和第二TADF主体材料为不同材料。

首先，第一TADF主体材料和第二TADF主体材料均是三重态激子能够发生反向系间窜越而跃迁至单重态的材料，因此有效抑制了第一TADF主体材料与第二TADF主体材料之间的Dexter能量传递，以及第一TADF主体材料和第二TADF主体材料分别与客体材料之间的Dexter能量传递，最终使整个体系的三重态激子的浓度低、寿命短，进而解决了由于三重态激子浓度过高导致器件的效率滚降，有效地增强了有机电致发光器件的稳定性能和发光效率。

其次，当包括两种主体材料时(第一TADF主体材料和第二TADF主体材料)，有机电致发光器件受到电激发后，空穴和电子会分别在第一TADF主体材料和第二TADF主体材料上复合，相较于单一主体而言，体系的空穴和电子的复合场所得到了分散，因此位于第一TADF主体材料和第二TADF主体材料的第一激发三重态上的激子能够更加高效和迅速的反向系间窜越至各自的第一激发单重态能级，不仅抑制了Dexter能量传递，并且从整体而言，也会有更多发生反向系间窜越至第一激发单重态能级的激子更加高效和迅速的发生

能量传递过程，避免发生反向系间窜越至第一激发单重态能级的激子再次跃迁至第一激发三重态能级，因此有利于实现体系内激子100％的利用，具体表现在使有机电致发光器件的发光效率和使用寿命得到了优化。

以下，对本发明的有机电致发光器件的能量传输和发光过程进行详细的介绍。

本发明的有机电致发光器件的发光层包括第一TADF主体材料、第二TADF主体材料和客体材料。其中，第一TADF主体材料的第一激发单重态能级大于第二TADF主体材料的第一激发单重态能级，第二TADF主体材料的第一激发单重态能级大于客体材料的第一激发单重态能级，第一TADF主体材料的第一激发三重态能级大于第二TADF主体材料的第一激发三重态能级，第二TADF主体材料的第一激发三重态能级大于客体材料的第一激发三重态能级，因此，在有机电致发光器件受到电激发后，空穴和电子会分散在第一TADF主体材料或第二TADF主体材料上复合。部分空穴和电子在第一TADF主体材料上复合后，第一TADF主体材料的第一激发三重态激子会发生反向系间窜越而跃迁至第一TADF主体材料的第一激发单重态，并且发生

能量传递过程而传递至第二TADF主体材料的第一激发单重态；而部分空穴和电子在第二TADF主体材料上复合后，第二TADF主体材料的第一激发三重态激子会发生反向系间窜越而跃迁至第二TADF主体材料的第一激发单重态，第二TADF主体材料的第一激发单重态的激子(自身第一激发单重态激子、来自于第一激发三重态的激子，以及来自于第一TADF主体材料的第一激发单重态的激子)会发生

能量传递过程而传递至客体材料的第一激发单重态。

如前述，由于第一TADF主体材料和第二TADF主体材料的第一激发三重态的激子都会快速发生反向系间窜越而至第一激发单重态，因此向客体材料的第一激发三重态的Dexter能量传递过程也得到了抑制，最终体系的激子基本都会跃迁至客体材料的第一激发单重态，并经第一客体材料的第一激发单重态跃迁回基态而发射荧光。因此，由空穴和电子复合得到的单重态激子和三重态激子都得到了高效利用，并最终从客体材料的第一激发单重态发返回基态而发射荧光，提升了有机电致发光器件的发光效率，延长了有机电致发光器件的使用寿命。

在一种具体实施方式中，本发明的第一TADF主体材料和第二TADF主体材料各自独立地选自于以下结构式所示之一的化合物，但并不限定于以下化合物，只要能够发射延迟荧光的材料均可作为本发明的第一TADF主体材料和第二TADF主体材料：

在一种具体的实施方式中，本发明的客体材料选自荧光染料或共振型TADF材料，其中，荧光染料可以包括窄带隙荧光染料和/或宽带隙荧光染料。当采用共振型TADF材料作为客体材料时，能够进一步提高对激子的利用率。由于共振型TADF材料的单重态与三重态的能级差较小，因此共振型TADF材料的三重态激子通过吸收环境热量会发生反向系间窜越至第一激发单重态进而跃迁回基态进行发光。

本发明的共振型TADF材料是指含有B原子、且单重态和三重态的能级相差小(≤0.5eV)，并且分子内电荷转移较弱，稳定性高的材料。例如可以是具有以下结构之一的化合物及其衍生物：

一方面，共振型TADF材料单重态和三重态的能级相差很小，从而使更多的三重态激子容易发生上转换向单重态迁移而产生延迟荧光；另一方面，由于其平面芳香刚性结构以及分子中不存在明显的给体基团和受体基团，因此平面共轭性良好，分子内电荷转移较弱，稳定性高，故而有助于器件光谱的窄化，提高器件色纯度。

具体地而言，在保证上述能级要求的前提下，本发明对第一TADF主体材料、第二TADF主体材料和客体材料的选择没有过多限定，但是发明人经过长时间的研究发现，当对第一TADF主体材料和第二TADF主体材料进行有目的匹配时，能够进一步促进第一TADF主体材料向第二TADF主体材料的

能量传递过程的发生；同样的，当对第二TADF主体材料和客体材料进行有目的匹配时，能够进一步促进第二TADF主体材料向客体的

能量传递过程的发生。

在一种具体实施方式中，当第一TADF主体材料350-750nm范围内的归一化发光光谱和所述第二TADF主体材料350-750nm范围内的归一化吸收光谱发生重叠且重叠面积与第一TADF主体材料350-750nm范围内的归一化发光光谱面积比大于或等于10％时，第一TADF主体材料向第二TADF主体材料的

能量传递过程会更加迅速高效，避免由于来不及发生

能量传递过程的第一激发单重态激子再跃迁至第一TADF主体材料的第一激发三重态而降低激子利用率，确保更多的激子能够最终经第二TADF主体材料跃迁至客体材料的第一激发单重态。

进一步地，当第二TADF主体材料350-750nm范围内的归一化发光光谱和客体材料350-750nm范围内的归一化吸收光谱发生重叠且重叠面积与第二TADF主体材料350-750nm范围内的归一化发光光谱之比大于或等于10％时，第二TADF主体材料向客体的

能量传递过程会更加迅速高效，避免由于来不及发生

能量传递过程的第一激发单重态激子再跃迁至第二TADF主体材料的第一激发三重态而降低激子利用率，确保更多的激子能够最终跃迁至客体材料的第一激发单重态。

除此之外，第一TADF主体材料和第二TADF主体材料各自的第一激发三重态激子发生反向系间窜越的能力也对有机电致发光器件的发光性能和使用寿命有一定的影响。能够理解，当第一TADF主体材料的第一激发单重态能级和第一激发三重态能级差越小，越有利于第一TADF主体材料的第一激发三重态激子反向系间窜越至第一激发单重态；当第二TADF主体材料的第一激发单重态能级和第一激发三重态能级差越小，越有利于第二TADF主体材料的第一激发三重态激子反向系间窜越至第一激发单重态。具体而言，本发明的第一TADF主体材料的第一激发单重态能级与第一激发三重态能级之差小于或等于0.4ev；第二TADF主体材料的第一激发单重态能级与第一激发三重态能级之差小于或等于0.4ev。

同时，在客体材料的选择上，可以选择光致发光光谱的半峰宽小于或等于60nm的客体材料，从而有助于器件光谱的进一步窄化，提高器件色纯度，抑制效率滚降。

此外，还可以通过控制发光层中第一TADF主体材料、第二TADF主体材料以及客体材料的比例进一步优化有机电致发光器件的性能。

在本发明具体实施过程中，合理控制第一TADF主体材料、第二TADF主体材料和客体材料在发光层中的比例，有利于进一步提高器件的效率以及延长器件的使用寿命。发明人研究发现，当发光层按照质量百分含量包括第二TADF主体材料10-50％，客体材料0.5-5％，余量为第一TADF主体材料时，有机电致发光器件的效率会出现较大程度的改善。

上述有机电致发光器件中，发光层的厚度一般控制在10-50nm，从而有利于确保有机电致发光器件的发光效率。

以下，对本发明的空穴传输区、电子传输区进行介绍。空穴传输区位于阳极和发光层之间。空穴传输区可以为单层结构的空穴传输层(HTL)，包括只含有一种化合物的单层空穴传输层和含有多种化合物的单层空穴传输层。空穴传输区也可以为包括空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子阻挡层(EBL)中的至少两层的多层结构。

空穴传输区的材料(包括HIL、HTL以及EBL)可以选自但不限于酞菁衍生物如CuPc、导电聚合物或含导电掺杂剂的聚合物如聚苯撑乙烯、聚苯胺/十二烷基苯磺酸(Pani/DBSA)、聚(3，4-乙撑二氧噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸盐)(PEDOT/PSS)、聚苯胺/樟脑磺酸(Pani/CSA)、聚苯胺/聚(4-苯乙烯磺酸盐)(Pani/PSS)、芳香胺衍生物。

其中，芳香胺衍生物如下面HT-1至HT-34所示的化合物。若空穴传输区3的材料为芳香胺衍生物，可以为HT-1至HT-34所示的化合物以及PH-47至PH-85中的一种或多种。

空穴注入层位于阳极和空穴传输层之间。空穴注入层可以是单一化合物材料，也可以是多种化合物的组合。例如，空穴注入层可以采用上述HT-1至HT-34的一种或多种化合物，或者采用下述HI1-HI3中的一种或多种化合物；也可以采用HT-1至HT-34的一种或多种化合物掺杂下述HI1-HI3中的一种或多种化合物。空穴注入层的厚度一般为5-30nm，空穴传输层的厚度一般为5-50nm。

电子传输区可以为单层结构的电子传输层(ETL)，包括只含有一种化合物的单层电子传输层和含有多种化合物的单层电子传输层。电子传输区也可以为包括电子注入层(EIL)、电子传输层(ETL)、空穴阻挡层(HBL)中的至少两层的多层结构。

一方面，电子传输层材料可以选自、但不限于以下所罗列的ET-1至ET-57以及PH-1至PH-46中的一种或多种的组合。电子传输层的厚度一般为5-30nm。

发光器件的结构中还可以包括位于电子传输层与阴极之间的电子注入层，电子注入层材料包括但不限于以下罗列的一种或多种的组合。电子注入层的厚度一般为0.5-5nm。

LiQ，LiF，NaCl，CsF，Li₂O，Cs₂CO₃，BaO，Na，Li，Ca。

上述各层的厚度可以采用本领域中的这些层的常规厚度。

本发明还提供该有机电致发光器件的制备方法，包括在基板上依次沉积阳极、空穴传输区、发光层、电子传输区、阴极，然后封装。其中，在制备发光层时，利用多源共蒸的方法，调节n型窄带隙主体材料的蒸镀速率、TADF敏化剂的蒸镀速率和客体材料的蒸镀速率使染料达到预设掺杂比例，通过上述任一所述的n型窄带隙主体材料源、TADF敏化剂材料源和客体材料源共同蒸镀的方法形成发光层。而阳极、空穴传输区、电子传输区、阴极的沉积方式与本领域现有的方式相同。

本发明实施例还提供一种显示装置，所述显示装置包括如上述提供的有机电致发光器件。该显示装置具体可以为OLED显示器等显示器件，以及包括该显示器件的电视、数码相机、手机、平板电脑等任何具有显示功能的产品或者部件。该显示装置与上述有机电致发光器件相对于现有技术所具有的优势相同，在此不再赘述。

以下，通过具体实施例对本发明的有机电致发光器件进行详细的介绍。

实施例1-16

实施例1-16分别提供一种有机电致发光器件，其器件结构依次包括ITO阳极、空穴注入层(HACTCN，5nm)、空穴传输层(NPB，30nm)、电子阻挡层(mCP，5nm)、发光层、空穴阻挡层(TPBi，5nm)、电子传输层(DPyPA：Liq，1：1，30nm)、电子注入层(Liq，1nm)和阴极(A1，150nm)。

其中，每个有机电致发光器件的发光层组成不同，发光层的具体组成和厚度见表1。

对比例1-2

对比例1-2提供一种有机电致发光器件，其器件结构与实施例1-2一致，相应功能层的参数与实施例1-2也基本一致，区别仅在于发光层的组成与实施例不同。具体材料的选择如表1所示。

表1中，A1为第一TADF主体材料350-750nm范围内的归一化发光光谱和第二TADF主体材料350-750nm范围内的归一化吸收光谱的重叠面积与第一TADF主体材料350-750nm范围内的归一化发光光谱面积之比；

A2为第二TADF主体材料350-750nm范围内的归一化发光光谱和客体材料350-750nm范围内的归一化吸收光谱的重叠面积与第二TADF主体材料350-750nm范围内的归一化发光光谱面积之比；

W3为客体材料光致发光光谱的半峰宽。

所有材料的吸收和发射光谱采用甲苯溶液测试得到，溶液浓度为1×10^-5mol L^-1。吸收光谱由美国安捷伦公司的Agilent 8453型紫外可见分光光谱仪测得。材料的稳态荧光光谱由日本日立公司的F-7000荧光光谱仪在室温下测定得到。材料的磷光光谱由F-7000荧光光谱仪在液氮环境下延迟3ms测定得到。

器件的电学性质(电流密度-电压-亮度、EQE，光谱等)采用日本滨松C9920-12绝对电致发光量子效率测试***搭载Keithley2400测试得到。在假定器件光取出效率为0.2，光致发光量子效率为1时，材料的内量子效率可以由外量子效率直接除以0.2得到。器件的寿命采用上海大学ZJZCL-2型寿命测试设备在1000nits初始亮度下测试得到。LT90指的是寿命测试过程中器件亮度衰减到初始亮度90％(即900nits)时所需的时间。

根据表1可知：

1、根据实施例1和对比例1，以及实施例4，6，7和对比例2的比较可知，相对于单主体的有机电致发光器件，本发明的双TADF主体的有机电致发光器件具有更为优异的发光效率和使用寿命；

2、根据实施例4、6和7的对比发现，当A1大于或等于10％时，有利于进一步优化有机电致发光器件的发光效率和寿命；

根据实施例1-3以及16的对比发现，当A2大于或等于10％时，有利于进一步优化有机电致发光器件的发光效率和寿命；

3、根据实施例1-3发现，当第一TADF主体材料彼此相同且第二TADF主体材料彼此相同时，通过改变客体材料能够调控有机电致发器件的电性能，其中，有机电致发光器件的发光效率与A2的变化趋势具有正相关性，即A2越大，越有利于有机电致发光器件发光效率的提升；

此外，根据实施例4-5可以发现同样的现象；

4、根据实施例4、6-7发现，当第二TADF主体材料彼此相同且客体材料彼此相同时，通过改变第一TADF主体材料能够调控有机电致发器件的电性能，其中，有机电致发光器件的发光效率与A1的变化趋势具有正相关性，即A1越大，越有利于有机电致发光器件发光效率的提升；

5、根据实施例4、8-9发现，当第二TADF主体材料的在发光层中的质量占比发生变化时，会对有机电致发光器件的电性能产生影响，具体地，第二TADF主体材料的质量占比在50％及以下时，有机电致发光器件的发光效率会具有更好的表现；

6、根据实施例4、10-12发现，当客体材料的在发光层中的质量占比发生变化时，会对有机电致发光器件的电性能产生影响，具体地，客体材料在小于10％的范围内，能够有效改善有机电致发光器件的发光效率，并且在该范围内随着客体材料质量占比的增多，有机电致发光器件的发光效率会出现先上升后下降的趋势；

7、根据实施例12-15发现，当发光层的厚度在50nm之内时，有机电致发光器件的发光效率均有较为优异的表现，并在在该范围内随着发光层厚度的增加，有机电致发光器件的发光效率会出现先上升后下降的趋势；

8、相对于采用了W3大于60nm实施例16中，实施例1-3的有机电致发光器件的色纯度能够得到显著提升。

最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。

Claims

1.一种有机电致发光器件，其特征在于，包括发光层；所述发光层包括第一TADF主体材料、第二TADF主体材料和客体材料；

所述第一TADF主体材料的第一激发三重态能级大于所述第二TADF主体材料的第一激发三重态能级，所述第二TADF主体材料的第一激发三重态能级大于所述客体材料的第一激发三重态能级；

所述客体材料选自荧光染料或共振型TADF材料，其中，所述共振型TADF材料含有硼原子，且所述共振型TADF材料单重态能级和三重态能级之差小于等于0.5eV。

2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述第一TADF主体材料350-750nm范围内的归一化发光光谱和所述第二TADF主体材料350-750nm范围内的归一化吸收光谱发生重叠且重叠面积与第一TADF主体材料350-750nm范围内的归一化发光光谱面积之比大于或等于10%。

3.根据权利要求1或2所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述第二TADF主体材料350-750nm范围内的归一化发光光谱和所述客体材料350-750nm范围内的归一化吸收光谱发生重叠且重叠面积与第二TADF主体材料350-750nm范围内的归一化发光光谱面积之比大于或等于10%。

4.根据权利要求1或2所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述客体材料光致发光光谱的半峰宽小于或等于60nm。

5.根据权利要求3所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述客体材料光致发光光谱的半峰宽小于或等于60nm。

6.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述第一TADF主体材料的第一激发单重态能级与第一激发三重态能级之差小于或等于0.4ev。

7.根据权利要求1或6所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述第二TADF主体材料的第一激发单重态能级与第一激发三重态能级之差小于或等于0.4ev。

8.根据权利要求1、2、5、6任一项所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述发光层按照质量百分含量包括：第二TADF主体材料10-50%，客体材料0.5-10%，余量为第一TADF主体材料。

9.根据权利要求3所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述发光层按照质量百分含量包括：第二TADF主体材料10-50%，客体材料0.5-10%，余量为第一TADF主体材料。

10.根据权利要求4所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述发光层按照质量百分含量包括：第二TADF主体材料10-50%，客体材料0.5-10%，余量为第一TADF主体材料。

11.根据权利要求1、2、5、6、9、10任一项所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述发光层的厚度为10-50nm。

12.一种发光装置，其特征在于，所述发光装置包括权利要求1-11任一项所述的有机电致发光器件。