CN113359930A - 线性稳压器、软启动方法以及电子设备 - Google Patents

线性稳压器、软启动方法以及电子设备 Download PDF

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CN113359930A CN202110839487.2A CN202110839487A CN113359930A CN 113359930 A CN113359930 A CN 113359930A CN 202110839487 A CN202110839487 A CN 202110839487A CN 113359930 A CN113359930 A CN 113359930A
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Abstract

本申请公开一种线性稳压器、线性稳压器的软启动方法以及电子设备,线性稳压器包括:软启动模块,用于对输入端输入的信号进行升压处理,包括至少两个输入端,其中第一输入端用于获取基准电压,第二输入端用于获取采样电压,基准电压从初始值逐渐上升至参考电压;误差放大模块,包括至少两个输入端,其中第一输入端用于连接至软启动模块的输出端,以获取基准电压升压后对应的第一升压,第二输入端也连接至软启动模块的输出端,以获取采样电压升压后对应的第二升压,并对第一升压和第二升压的差值进行放大,输出误差放大值;误差放大值用于调整线性稳压器的输出电压,采样电压采样自输出电压。

Description

线性稳压器、软启动方法以及电子设备
技术领域
本申请涉及线性稳压器领域,具体涉及一种线性稳压器以及软启动方法以及电子设备。
背景技术
线性稳压器是一种电路上常用的器件,能够用来调整输入电压的大小,达到稳压的目的。线性稳压器使用在其线性区域内运行的晶体管或FET,从应用的输入电压中减去超额的电压,产生经过调节的输出电压。其产品均采用小型封装,具有出色的性能,并且提供热过载保护、安全限流等增值特性,关断模式还能大幅降低功耗。
现有技术中的线性稳压器包括低压差线性稳压器,低压差线性稳压器利用对地的电压差就能让功率管处于饱和导通状态,输出稳定的负载电压以稳定驱动外接负载。
现有技术中,在启动线性稳压器以驱动外接负载时,该线性稳压器很有可能会产生超出所述外接负载的正常工作电压的瞬间过电压冲击,造成外接负载的性能损耗,甚至毁损。这种瞬间过电压是发生在极短时间内的一种剧烈脉冲,对外接负载的影响较大,如何防止该种剧烈脉冲的产生,成为本领域的技术人员亟待解决的问题。
发明内容
鉴于此,本申请提供一种线性稳压器、线性稳压器软启动的方法以及电子设备。
本申请提供的一种线性稳压器,包括:软启动模块,用于对输入端输入的信号进行升压处理,包括至少两个输入端,其中第一输入端用于获取基准电压,第二输入端用于获取采样电压,所述基准电压能够从初始值逐渐上升至参考电压;误差放大模块,包括至少两个输入端,其中第一输入端用于连接至所述软启动模块的输出端,以获取所述基准电压升压后对应的第一升压,第二输入端也连接至所述软启动模块的输出端,以获取所述采样电压升压后对应的第二升压,并对所述第一升压和第二升压的差值进行放大,输出误差放大值;所述误差放大值用于调整所述线性稳压器的输出电压,所述采样电压采样自所述输出电压。
可选的,所述软启动模块包括:第一电流源,用于提供第一电流;升压单元,连接至所述第一电流源,并用于获取所述基准电压和采样电压,以根据所述基准电压和采样电压输出对应的第一升压和第二升压。
可选的,所述升压单元包括:第一PMOS管,导通阈值高于所述参考电压,栅极用于获取所述基准电压,源极连接至所述第一电流源的输出端,以获取所述第一电流,并用于输出所述第一升压,漏极接地;第二PMOS管,栅极用于接收所述采样电压,源极连接至所述第一电流源的输出端,以获取所述第一电流,并用于输出所述第二升压,漏极接地。
可选的,所述第一电流源包括第三PMOS管以及第四PMOS管,且所述第三PMOS管以及第四PMOS管的栅极均连接至第一预设电压源,以获取一第一预设电压;所述第三PMOS管的源极用于获取所述线性稳压器的输入电压,漏极连接至所述第一PMOS管和第二PMOS管的源极;所述第四PMOS管的源极用于获取所述线性稳压器的输入电压,漏极连接至所述第三PMOS管的源极。
可选的,所述误差放大模块包括第二电流源以及输入对管,所述第二电流源用于给所述输入对管提供第二电流,所述输入对管包括:第一NMOS管,漏极连接至所述第二电流源,以获取所述第二电流,源极通过偏置电流源接地,栅极连接至所述软启动模块的输出端,以获取所述第二升压;第二NMOS管,漏极连接至所述第二电流源,以获取所述第二电流,源极通过所述偏置电流源接地,栅极连接至所述软启动模块的输出端,以获取所述第一升压。
可选的,所述第二电流源包括:第五PMOS管,源极用于接收至输入电压,漏极连接至所述第一NMOS管的漏极,且所述第五PMOS管的栅极和漏极相互连接;第六PMOS管,源极用于接收所述输入电压,漏极连接至所述第二NMOS管的漏极,且所述第六PMOS管的栅极连接至所述第六PMOS管的栅极。
可选的,还包括输出模块,所述输出模块包括:第七PMOS管,栅极连接至所述误差放大模块的输出端,源极连接至输入电压,漏极通过分压单元接地,并通过所述漏极输出所述输出电压;所述分压单元包括依次连接的第一电阻和第二电阻,且所述第一电阻的上端连接至所述第七PMOS管的漏极,所述第二电阻的下端接地。
可选的,所述初始值小于等于0V。
本申请还提供一种线性稳压器的软启动方法,还包括以下步骤:提供基准电压,并对所述基准电压进行升压处理,获取第一升压,所述基准电压能够从初始值逐渐增大至所述参考电压;对所述线性稳压器的输出电压进行采样,获取采样电压,并对所述采样电压做升压处理,获取第二升压;比较所述第一升压和第二升压,并对所述第一升压和第二升压的误差进行放大;根据误差放大后的误差放大值以调整所述线性稳压器的输出。
可选的,获取第一升压和第二升压时,包括以下步骤:提供第一PMOS管和第二PMOS管,所述第一PMOS管和第二PMOS管的源极均连接至第一电流源以获取第一电流,漏极均接地;将所述基准电压输出至第一PMOS管的栅极,将所述采样电压输出至第二PMOS管的栅极,并获取第一PMOS管的栅源电压作为所述第一升压,获取第二PMOS管的栅源电压作为第二升压。
本申请提供的一种电子设备,包括所述线性稳压器。
本申请的线性稳压器、软启动方法以及所述电子设备,通过所述软启动模块对所述基准电压以及采样电压进行升压,保证所述误差放大模块中的输入对管在初始启动阶段就能够被驱动,防止所述线性稳压器在初始启动阶段失调。并且,所述基准电压从初始值开始逐渐增大,直至增大至参考电压,保证了所述输出电压的逐渐增大。
并且,本申请中的线性稳压器、软启动方法以及所述电子设备具有结构简单的特点,对电流负载、输出电容等外部因素不敏感,且可以实现N型输入对管的线性稳压器的输出电压的真正意义上的平顺建立。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例,对于本领域技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本申请的一实施例中线性稳压器的结构示意图。连接关系示意图。
图2是本申请的一实施例中所述线性稳压器中软启动模块以及误差放大模块的电路结构示意图。
图3是本申请的一实施例中所述软启动模块和所述误差放大模块的电路示意图。
图4是本申请的一实施例中所述输出模块的电路结构示意图。
图5是本申请的一实施例中述线性稳压器的软启动方法的步骤流程示意图。
具体实施方式
研究发现,现有技术中线性稳压器中的误差放大器常常使用NMOS管作为输入对管。在线性稳压器的初始启动阶段,由于所述线性稳压器的输出电压是逐渐增大的,所述输出电压的采样电压也是逐渐增大的,因此在所述初始启动阶段较低的采样电压无法驱动所述输入对管,这会使得所述线性稳压器的误差放大器在初始启动阶段处于掉线状态,无法对所述线性稳压器的输出进行调整,造成所述线性稳压器的失调,无法实现所述线性稳压器的软启动。
下面结合附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅是本申请一部分实施例,而非全部实施例。基于本申请中的实施例,本领域技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本申请保护的范围。在不冲突的情况下,下述各个实施例及其技术特征可以相互组合。
请参考图1,为本发明的一实施例的线性稳压器的结构示意图。
在该实施例中,提供了一种线性稳压器,包括依次连接的软启动模块101、误差放大模块102和输出模块103。
所述软启动模块101用于对输入端输入的信号进行升压处理,包括至少两个输入端,其中第一输入端用于获取基准电压Vref_soft,第二输入端用于获取采样电压Vfb,所述基准电压Vref_soft小于或等于所述参考电压Vref,并能够从初始值V0逐渐上升至所述参考电压。
所述采样电压Vfb采样自所述输出模块103输出的输出电压Vout,所述参考电压为所述线性稳压器正常使用时,所述误差放大模块102使用到的参考电压。
所述误差放大模块102包括至少两个输入端,其中第一输入端用于连接至所述软启动模块的输出端,以获取所述基准电压Vref_soft升压后对应的第一升压Vup1,第二输入端也连接至所述软启动模块的输出端,以获取所述采样电压Vfb升压后对应的第二升压Vup2,并对所述第一升压Vup1和第二升压Vup2的差值进行放大,输出误差放大值Vea-out;所述误差放大值Vea-out用于调整所述线性稳压器的输出电压Vout。
在该实施例中,所述误差放大模块102使用NMOS管作为输入对管,该输入对管由软启动模块101输出的升压后的信号驱动。所述基准电压Vref_soft对所述基准电压Vref_soft以及采样电压Vfb的升压幅度足够大,使得所述第一升压Vup1以及第二升压Vup2足够大,大于或等于所述误差放大模块102中输入对管1022的导通阈值。
在线性稳压器启动的初始阶段,即使所述输出电压Vout和所述采样电压Vfb较小,所述输入对管也能够被升压后的信号驱动,使得所述误差放大模块102可以处于工作状态,对所述输出模块103输出的输出电压Vout进行调整。
请看图2,为一实施例中所述线性稳压器中软启动模块101以及误差放大模块102的电路结构示意图。
在该实施例中,所述软启动模块101包括第一电流源1011和升压单元1012,其中所述第一电流源1011用于提供第一电流,所述升压单元1012连接至所述第一电流源1011,并用于获取所述第一电流、采样电压Vfb以及基准电压Vref_soft,以根据所述基准电压Vref_soft和采样电压Vfb输出对应的第一升压Vup1和第二升压Vup2。
在该实施例中,所述升压单元1012包括第一PMOS管MP1、第二PMOS管MP2,分别对所述基准电压Vref_soft进行升压,以及对所述采样电压Vfb进行升压,并且所述第一PMOS管MP1和第二PMOS管MP2均在栅压低于导通阈值时导通。
所述第一PMOS管MP1的导通阈值高于所述参考电压,该参考电压是所述基准电压Vref_soft能够达到的最大电压,使得所述第一PMOS管MP1在所述误差放大模块102正常工作后也能保持导通,输出所述第一升压Vup1。
所述第一PMOS管MP1的栅极用于获取所述基准电压Vref_soft,源极连接至所述第一电流源1011的输出端,以获取所述第一电流,并用于输出所述第一升压Vup1,漏极接地。
所述第二PMOS管MP2的导通阈值需要高于所述线性稳压器的目标输出电压对应的采样电压Vfb一定值,这样,在所述采样电压Vfb升高至最大电压,并在所述最大电压处波动时,所述第二PMOS管MP2依旧也可以保持导通,并输出所述采样电压Vfb对应的第二升压Vup2。
所述第二PMOS管MP2的栅极用于接收所述采样电压Vfb,源极连接至所述第一电流源1011的输出端,以获取所述第一电流,并用于输出所述第二升压Vup2,漏极接地。
在该实施例中,所述第一电流源1011输出的第一电流足够大,所述第一PMOS管MP1和第二PMOS管MP2的跨导也足够大,此时,即使所述基准电压Vref_soft和采样电压Vfb很小,对应输出的第一升压Vup1和第二升压Vup2也足够大,能够顺利驱动所述误差放大模块102中的输入对管1022,使所述误差放大模块102处于工作状态,防止所述线性稳压器在初始启动阶段失调。
并且,由于所述采样电压Vfb采样自所述输出电压Vout,与所述输出电压Vout呈倍数关系,所述采样电压Vfb能够跟随所述基准电压Vref_soft从0V开始逐渐增大,所述输出电压Vout也能够跟随所述采样电压Vfb,从0V开始逐渐增大,实现所述输出电压Vout的平稳建立。
所述基准电压Vref_soft从初始值开始逐渐增大,为斜率固定的斜坡电压,并且所述初始值小于等于0V。
在一些实施例中,所述初始值为0V,所述斜率为1。此时,所述输出电压Vout也能够从0V开始逐渐增大,并且斜率固定,所述线性稳压器的输出电压Vout得以平滑建立。
在其他的实施例中,也可根据需要设置所述初始值和斜率。
在图2所示的实施例中,所述第一电流源1011包括第三PMOS管MP3以及第四PMOS管MP4,且所述第三PMOS管MP3以及第四PMOS管MP4的栅极均连接至第一预设电压源,以获取一第一预设电压VBP;所述第三PMOS管MP3的源极用于接收输入电压VDD,漏极连接至所述第一PMOS管MP1的源极;所述第四PMOS管MP4的源极用于接收所述输入电压VDD,漏极连接至所述第二PMOS管MP2的源极。
所述第一预设电压VBP可以控制第三PMOS管MP3以及第四PMOS管MP4的源漏电阻,从而控制所述第一电流的大小。实际上,还可通过控制所述输入电压VDD来控制所述第一电流的大小。所述第一电流的大小发生变化时,所述第一升压Vup1以及第二升压Vup2也发生变化。
所述误差放大模块102包括第二电流源1021以及输入对管1022。
所述第二电流源1021用于给所述输入对管1022提供第二电流,包括:第五PMOS管MP5,源极用于接收至输入电压VDD,漏极连接至所述第一NMOS管MN1的漏极,且所述第五PMOS管MP5的栅极和漏极相互连接;第六PMOS管MP6,源极用于接收所述输入电压VDD,漏极连接至所述第二NMOS管MN2的漏极,且所述第六PMOS管MP6的栅极连接至所述第五PMOS管MP5的栅极。
所述输入对管1022包括:第一NMOS管MN1,漏极连接至所述第二电流源1021,以获取所述第二电流,源极通过偏置电流源接地,栅极连接至所述软启动模块的输出端,以获取所述第二升压Vup2;第二NMOS管MN2,漏极连接至所述第二电流源1021,以获取所述第二电流,源极通过所述偏置电流源接地,栅极连接至所述软启动模块的输出端,以获取所述第一升压Vup1。所述误差放大值Vea-out自所述第二NMOS管MN2的源极输出,并输入至所述输出模块103。
在图2所示的一实施例中,所述偏置电流源包括一第三NMOS管MN3,该第三NMOS管MN3的栅极用于接收一控制栅压VBN,控制所述第三NMOS管MN3导通。所述第三NMOS管MN3的漏极连接所述第一NMOS管MN1和第二NMOS管MN2的源极,所述第三NMOS管MN3的源极接地。
在所述第一NMOS管MN1导通时,所述第一升压Vup1大于或等于所述第一NMOS管MN1的阈值电压以及所述第三NMOS管MN3的过驱动电压之和。在所述第二NMOS管MN2导通时,所述第二升压Vup2大于或等于所述第二NMOS管MN2的阈值电压以及所述第三NMOS管MN3的过驱动电压之和。所述过驱动电压和为MOS管的栅源电压VGS与导通阈值VTH之差。
请参阅图3,为一实施例中所述软启动模块和所述误差放大模块的电路示意图。
在该实施例中,所述升压单元1012中还包括第八PMOS管MP8。所述第一PMOS管MP1的导通阈值设置为小于所述参考电压Vref,在所述基准电压Vref_soft在增大至等于参考电压Vref后,所述第一PMOS管MP1关断,所述第八PMOS管MP8对栅极获取的参考电压Vref进行升压,源极输出第三升压Vup3至所述误差放大模块102的第二NMOS管的栅极。所述误差放大模块102比较所述第三升压Vup3以及第二升压Vup2,并根据比较结果输出所述误差放大值Vea-out。
该第八PMOS管MP8的宽长比远小于所述第一PMOS管MP1的宽长比,在初始启动时,所述第八PMOS管MP8关断。
在该实施例中,虽然多设置了一个第八PMOS管MP8,以及一个参考电压源,但能够在保证所述线性稳压器正常工作后,所述参考电压Vref的准确性,而无需依赖逐渐增大的基准电压Vref_soft来保证所述线性稳压器正常工作后使用到的参考电压Vref。
请参阅图4,为一实施例中所述输出模块103的电路结构示意图。
在该实施例中,所述输出模块103包括:第七PMOS管MP7,栅极连接至所述误差放大模块的输出端以获取所述误差放大值Vea-out,这里的输出端指的是图2、图3中所述第二NMOS管MN2的源极,所述第七PMOS管MP7的源极连接至输入电压VDD,漏极通过分压单元301接地,并通过所述漏极输出所述输出电压Vout。
在接受所述误差放大值Vea-out的调控时,所述误差放大值Vea-out会调整所述第七PMOS管MP7的源漏电阻,从而调节所述第七PMOS管MP7的漏极电压,即所述输出电压Vout。
所述分压单元301包括依次连接的第一电阻R1和第二电阻R2,且所述第一电阻R1的另一端连接至所述第七PMOS管MP7的漏极,所述第二电阻R2的另一端接地。所述采样电压Vfb自所述第一电阻R1和第二电阻R2的连接点输出至所述软启动模块101。所述第一电阻R1和第二电阻R2的大小关系影响所述采样电压Vfb与输出电压Vout的比例关系。具体的:
Vfb=Vout*R1/(R1+R2);
其中,Vfb为所述采样电压Vfb,Vout为所述输出电压Vout,R1为所述第一电阻R1的阻值,R2为所述第二电阻R2的阻值。在该实施例中,可根据需要设置所述第一电阻R1和第二电阻R2的阻值,以使得所述采样电压Vfb的大小适中。
本申请的实施例中还提供了一种线性稳压器的软启动方法。
请参阅图5,为本申请的一实施例中线性稳压器的软启动方法的步骤流程示意图。
在该实施例中,所述软启动方法包括以下步骤:
步骤S401:提供基准电压,并对所述基准电压进行升压处理,获取第一升压,所述基准电压能够从初始值逐渐增大至所述参考电压,所述初始值小于或等于参考电压,所述基准电压最终增大至所述参考电压;
步骤S402:对所述线性稳压器的输出电压进行采样,获取采样电压,并对所述采样电压做升压处理,获取第二升压;
步骤S403:比较所述第一升压和第二升压,并对所述第一升压和第二升压的误差进行放大;
步骤S404:根据误差放大后的误差放大值以调整所述线性稳压器的输出。
获取第一升压和第二升压时,包括以下步骤:提供第一PMOS管和第二PMOS管,所述第一PMOS管和第二PMOS管的源极均连接至第一电流源以获取第一电流,漏极均接地;将所述基准电压输出至第一PMOS管的栅极,将所述采样电压输出至第二PMOS管的栅极,并获取第一PMOS管的栅源电压作为所述第一升压,获取第二PMOS管的栅源电压作为第二升压。
本申请的实施例中还包括一种电子设备,所述电子设备包括上述实施例中所述的线性稳压器。
该电子设备由于具有所述线性稳压器,因此能够实现软启动,并且有效防止启动初期所述线性稳压器失调。
本申请的线性稳压器、软启动方法以及所述电子设备,通过所述软启动模块对所述基准电压以及采样电压进行升压,保证所述误差放大模块中的输入对管在初始启动阶段就能够被驱动,防止所述线性稳压器在初始启动阶段失调。并且,所述基准电压从初始值开始逐渐增大,直至增大至参考电压,保证了所述输出电压的逐渐增大。
并且,本申请中的线性稳压器、软启动方法以及所述电子设备具有结构简单的特点,对电流负载、输出电容等外部因素不敏感,且可以实现N型输入对管的线性稳压器的输出电压的真正意义上的平顺建立。
以上所述仅为本申请的实施例,并非因此限制本申请的专利范围,凡是利用本申请说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换,例如各实施例之间技术特征的相互结合,或直接或间接运用在其他相关的技术领域,均同理包括在本申请的专利保护范围内。

Claims (11)

1.一种线性稳压器,其特征在于,包括:
软启动模块,用于对输入端输入的信号进行升压处理,包括至少两个输入端,其中第一输入端用于获取基准电压,第二输入端用于获取采样电压,所述基准电压能够从初始值逐渐上升至参考电压;
误差放大模块,包括至少两个输入端,其中第一输入端用于连接至所述软启动模块的输出端,以获取所述基准电压升压后对应的第一升压,第二输入端也连接至所述软启动模块的输出端,以获取所述采样电压升压后对应的第二升压,并对所述第一升压和第二升压的差值进行放大,输出误差放大值;
所述误差放大值用于调整所述线性稳压器的输出电压,所述采样电压采样自所述输出电压。
2.根据权利要求1所述的线性稳压器,其特征在于,所述软启动模块包括:
第一电流源,用于提供第一电流;
升压单元,连接至所述第一电流源,并用于获取所述基准电压和采样电压,以根据所述基准电压和采样电压输出对应的第一升压和第二升压。
3.根据权利要求2所述的线性稳压器,其特征在于,所述升压单元包括:
第一PMOS管,导通阈值高于所述参考电压,栅极用于获取所述基准电压,源极连接至所述第一电流源的输出端,以获取所述第一电流,并用于输出所述第一升压,漏极接地;
第二PMOS管,栅极用于接收所述采样电压,源极连接至所述第一电流源的输出端,以获取所述第一电流,并用于输出所述第二升压,漏极接地。
4.根据权利要求3所述的线性稳压器,其特征在于,所述第一电流源包括第三PMOS管以及第四PMOS管,且所述第三PMOS管以及第四PMOS管的栅极均连接至第一预设电压源,以获取一第一预设电压;
所述第三PMOS管的源极用于获取所述线性稳压器的输入电压,漏极连接至所述第一PMOS管和第二PMOS管的源极;
所述第四PMOS管的源极用于获取所述线性稳压器的输入电压,漏极连接至所述第三PMOS管的源极。
5.根据权利要求1所述的线性稳压器,其特征在于,所述误差放大模块包括第二电流源以及输入对管,所述第二电流源用于给所述输入对管提供第二电流,所述输入对管包括:
第一NMOS管,漏极连接至所述第二电流源,以获取所述第二电流,源极通过偏置电流源接地,栅极连接至所述软启动模块的输出端,以获取所述第二升压;
第二NMOS管,漏极连接至所述第二电流源,以获取所述第二电流,源极通过所述偏置电流源接地,栅极连接至所述软启动模块的输出端,以获取所述第一升压。
6.根据权利要求5所述的线性稳压器,其特征在于,所述第二电流源包括:
第五PMOS管,源极用于接收至输入电压,漏极连接至所述第一NMOS管的漏极,且所述第五PMOS管的栅极和漏极相互连接;
第六PMOS管,源极用于接收所述输入电压,漏极连接至所述第二NMOS管的漏极,且所述第六PMOS管的栅极连接至所述第六PMOS管的栅极。
7.根据权利要求1所述的线性稳压器,其特征在于,还包括输出模块,所述输出模块包括:
第七PMOS管,栅极连接至所述误差放大模块的输出端,源极连接至输入电压,漏极通过分压单元接地,并通过所述漏极输出所述输出电压;
所述分压单元包括依次连接的第一电阻和第二电阻,且所述第一电阻的上端连接至所述第七PMOS管的漏极,所述第二电阻的下端接地。
8.根据权利要求1所述的线性稳压器,其特征在于,所述初始值小于等于0V。
9.一种线性稳压器的软启动方法,其特征在于,还包括以下步骤:
提供基准电压,并对所述基准电压进行升压处理,获取第一升压,所述基准电压能够从初始值逐渐增大至参考电压;
对所述线性稳压器的输出电压进行采样,获取采样电压,并对所述采样电压做升压处理,获取第二升压;
比较所述第一升压和第二升压,并对所述第一升压和第二升压的误差进行放大;
根据误差放大后的误差放大值以调整所述线性稳压器的输出。
10.根据权利要求9所述的软启动方法,其特征在于,获取第一升压和第二升压时,包括以下步骤:
提供第一PMOS管和第二PMOS管,所述第一PMOS管和第二PMOS管的源极均连接至第一电流源以获取第一电流,漏极均接地;
将所述基准电压输出至第一PMOS管的栅极,将所述采样电压输出至第二PMOS管的栅极,并获取第一PMOS管的栅源电压作为所述第一升压,获取第二PMOS管的栅源电压作为第二升压。
11.一种电子设备,其特征在于,包括权利要求1至8中任一项所述线性稳压器。
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