CN113345844B - 芯片安全封装结构及封装方法 - Google Patents
芯片安全封装结构及封装方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN113345844B CN113345844B CN202110694351.7A CN202110694351A CN113345844B CN 113345844 B CN113345844 B CN 113345844B CN 202110694351 A CN202110694351 A CN 202110694351A CN 113345844 B CN113345844 B CN 113345844B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- chip
- packaging
- particles
- bonding
- resistant material
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 title claims abstract description 99
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 26
- 230000006378 damage Effects 0.000 claims abstract description 67
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims abstract description 65
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims abstract description 65
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 62
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 61
- 239000003292 glue Substances 0.000 claims abstract description 13
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 36
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 12
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 12
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 12
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 claims description 12
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims description 12
- 239000011133 lead Substances 0.000 claims description 7
- TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L barium sulfate Chemical compound [Ba+2].[O-]S([O-])(=O)=O TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 6
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010432 diamond Substances 0.000 claims description 5
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 4
- 238000003466 welding Methods 0.000 claims description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- JVPLOXQKFGYFMN-UHFFFAOYSA-N gold tin Chemical compound [Sn].[Au] JVPLOXQKFGYFMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000000088 plastic resin Substances 0.000 claims description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 3
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 3
- UONOETXJSWQNOL-UHFFFAOYSA-N tungsten carbide Chemical compound [W+]#[C-] UONOETXJSWQNOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000002224 dissection Methods 0.000 abstract description 3
- 230000009545 invasion Effects 0.000 abstract description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 3
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/02—Containers; Seals
- H01L23/04—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
- H01L23/041—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction having no base used as a mounting for the semiconductor body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/52—Mounting semiconductor bodies in containers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/02—Containers; Seals
- H01L23/10—Containers; Seals characterised by the material or arrangement of seals between parts, e.g. between cap and base of the container or between leads and walls of the container
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/16—Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations, e.g. centering rings
- H01L23/18—Fillings characterised by the material, its physical or chemical properties, or its arrangement within the complete device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/552—Protection against radiation, e.g. light or electromagnetic waves
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/562—Protection against mechanical damage
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Die Bonding (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Abstract
本发明涉及一种芯片安全封装结构,芯片的背面通过装片胶固定在封装外壳内,芯片破坏薄片通过装片胶固定在芯片的正面,在装片胶内掺杂有芯片破坏颗粒与抗X射线材料,芯片的键合指与键合点通过键合线相连,键合点与引脚相连,在封装外壳的正面固定有封装盖板。本发明利用装片胶掺杂芯片破坏颗粒与抗X射线材料,加以粘接芯片破坏薄片,将芯片进行封装,操作简单,有效地增强了芯片的防物理和化学解剖性能,增强芯片对X射线侵入的抵抗能力,增加了芯片的安全性。
Description
技术领域
本发明涉及微电子封装技术领域,具体地说是一种芯片安全封装结构及封装方法。
背景技术
封装是指将芯片通过一定方式密封在一个壳体之中,然后通过封装外壳的引脚与PCB板等结构进行互联,从而实现芯片的功能。随着微电子领域的快速发展,对芯片的安全性要求日益增强,传统的陶瓷封装,金属封装以及塑料封装等封装方式无法满足对于芯片安全性、防泄密性等需求,因此对芯片的安全封装研究日益迫切。
目前,安全封装多采用内置检测电路等手段,当芯片受到攻击时,检测电路首先发生破坏,并向芯片发送信号,从而启动芯片的自毁装置以保证芯片信息不被泄露。但是这种安全封装的方式占据了大量的芯片设计空间,设计成本增加,且大多数需要芯片在供电的情况下才能发挥作用。并不利于芯片内部信息的保护。
发明内容
本发明的目的是克服现有技术中存在的不足,提供一种可以有效增强芯片的防物理和化学解剖性能、增强芯片对X射线侵入的抵抗能力的芯片安全封装结构及封装方法。
按照本发明提供的技术方案,所述芯片安全封装结构,包括封装外壳、芯片、装片胶、芯片破坏颗粒、抗X射线材料、键合线、芯片破坏薄片与封装盖板;
所述芯片的背面通过装片胶固定在封装外壳内,芯片破坏薄片通过装片胶固定在芯片的正面,在装片胶内掺杂有芯片破坏颗粒与抗X射线材料,芯片的键合指与键合点通过键合线相连,键合点与引脚相连,在封装外壳的正面固定有封装盖板。
作为优选,所述装片胶为导电型、绝缘型、导热型或者耐腐蚀型,且装片胶的厚度在50-200μm。
作为优选,所述芯片破坏颗粒为粒径在20-300μm的金刚石颗粒或者陶瓷颗粒。
作为优选,所述抗X射线材料为颗粒状、条状或者片状,且抗X射线材料的材质为硫酸钡、铅、钨或者碳化钨。
作为优选,所述键合线为金线、铝线或者铜线。
作为优选,所述芯片破坏薄片为厚度在100~300μm的陶瓷薄片、碳化硅薄片或者TiN薄片。
作为优选,所述封装盖板的材质为陶瓷、金属或者塑料树脂。
上述芯片安全封装结构的封装方法,该封装方法包括以下步骤:
S1、将芯片破坏颗粒与抗X射线材料掺杂进装片胶之中;
S2、将芯片的背面涂覆装片胶后粘接在封装外壳内,然后进行加热使装片胶固化,且加热温度控制在200-350℃,加热时间控制在10-40min;
S3、在芯片的正面涂覆装片胶后粘接芯片破坏薄片,保证键合指可以露出,然后进行加热使装片胶固化,且加热温度控制在200-350℃,加热时间控制在10-40min;
S4、将芯片的键合指与键合点通过键合线连接;
S5、将封装盖板固定在封装外壳的正面,从而完成整个封装方法。
作为优选,步骤S1中,芯片破坏颗粒的加入质量是抗X射线材料的加入质量的20%-80%,且芯片破坏颗粒与抗X射线材料的总加入量是芯片破坏颗粒、抗X射线材料与装片胶总质量的40%-70%。
作为优选,步骤S5中,封装盖板通过粘接方式、锡金焊料焊接方式或者平行封焊方式固定在封装外壳的正面。
本发明利用装片胶掺杂芯片破坏颗粒与抗X射线材料,加以粘接芯片破坏薄片,将芯片进行封装,操作简单,有效地增强了芯片的防物理和化学解剖性能,增强芯片对X射线侵入的抵抗能力,增加了芯片的安全性。
附图说明
图1是本发明的结构示意图。
图2是图1中A部分的放大图。
图3是本发明中芯片破坏薄片的俯视图。
具体实施方式
下面将结合本发明提供的结构示意图,对本发明实施例中的方案进行清晰的说明,本发明所描述的实施方案,仅仅是本发明的部分实施例,只用于帮助理解本发明,而非对于本发明保护范围的限定,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离发明思想的前提下,还可以对本发明进行改进和修饰,均属于本发明权利要求的保护范围之内。
以下实施例使用的导电型的装片胶3由汉高乐泰中国有限公司提供,型号为8303a。
以下实施例使用的绝缘型的装片胶3由汉高乐泰中国有限公司提供,型号为QMI536。
以下实施例使用的导热型的装片胶3由汉高乐泰中国有限公司提供,型号为ABP6392TX。
实施例1
如图1、图2和图3所示,本发明的芯片安全封装结构,包括封装外壳1、芯片2、导电型的装片胶3、芯片破坏颗粒31、抗X射线材料32、键合线4、芯片破坏薄片5与封装盖板6;
所述芯片2的背面通过导电型的装片胶3固定在封装外壳1内,芯片破坏薄片5通过导电型的装片胶3固定在芯片2的正面,在导电型的装片胶3内掺杂有芯片破坏颗粒31与抗X射线材料32,芯片2的键合指与键合点通过键合线4相连,键合点与引脚相连,在封装外壳1的正面固定有封装盖板6。
所述装片胶3的厚度在50-200μm,芯片破坏颗粒31为粒径在20-300μm的金刚石颗粒,抗X射线材料32为颗粒状的铅,键合线4为金线,芯片破坏薄片5为厚度在100μm的陶瓷薄片,封装盖板6的材质为陶瓷盖板。
上述芯片安全封装结构的封装方法,该封装方法包括以下步骤:
S1、将芯片破坏颗粒31与抗X射线材料32掺杂进导电型的装片胶3之中,且芯片破坏颗粒31的加入质量是抗X射线材料32的加入质量的20%,且芯片破坏颗粒31与抗X射线材料32的总加入量是芯片破坏颗粒31、抗X射线材料32与导电型的装片胶3总质量的40%;
S2、将芯片2的背面涂覆导电型的装片胶3后粘接在封装外壳1内,然后进行加热使导电型的装片胶3固化,且加热温度控制在270℃,加热时间控制在20min;
S3、在芯片2的正面涂覆导电型的装片胶3后粘接芯片破坏薄片5,保证键合指可以露出,然后进行加热使导电型的装片胶3固化,且加热温度控制在270℃,加热时间控制在20min;
S4、将芯片2的键合指与键合点通过键合线4连接;
S5、将封装盖板6通过粘接方式固定在封装外壳1的正面,从而完成整个封装方法。
实施例2
如图1、图2和图3所示,本发明的芯片安全封装结构,包括封装外壳1、芯片2、绝缘型的装片胶3、芯片破坏颗粒31、抗X射线材料32、键合线4、芯片破坏薄片5与封装盖板6;
所述芯片2的背面通过绝缘型的装片胶3固定在封装外壳1内,芯片破坏薄片5通过绝缘型的装片胶3固定在芯片2的正面,在绝缘型的装片胶3内掺杂有芯片破坏颗粒31与抗X射线材料32,芯片2的键合指与键合点通过键合线4相连,键合点与引脚相连,在封装外壳1的正面固定有封装盖板6。
所述装片胶3的厚度在50-200μm,芯片破坏颗粒31为粒径在20-300μm的陶瓷颗粒,抗X射线材料32为颗粒状的钨,键合线4为铝线,芯片破坏薄片5为厚度在300μm的碳化硅薄片,封装盖板6金属盖板。
上述芯片安全封装结构的封装方法,该封装方法包括以下步骤:
S1、将芯片破坏颗粒31与抗X射线材料32掺杂进绝缘型的装片胶3之中,且芯片破坏颗粒31的加入质量是抗X射线材料32的加入质量的80%,且芯片破坏颗粒31与抗X射线材料32的总加入量是芯片破坏颗粒31、抗X射线材料32与绝缘型的装片胶3总质量的70%;
S2、将芯片2的背面涂覆绝缘型的装片胶3后粘接在封装外壳1内,然后进行加热使绝缘型的装片胶3固化,且加热温度控制在200℃,加热时间控制在30min;
S3、在芯片2的正面涂覆绝缘型的装片胶3后粘接芯片破坏薄片5,保证键合指可以露出,然后进行加热使绝缘型的装片胶3固化,且加热温度控制在200℃,加热时间控制在30min;
S4、将芯片2的键合指与键合点通过键合线4连接;
S5、将封装盖板6通过锡金焊料焊接方式固定在封装外壳1的正面,从而完成整个封装方法。
实施例3
如图1、图2和图3所示,本发明的芯片安全封装结构,包括封装外壳1、芯片2、导热型的装片胶3、芯片破坏颗粒31、抗X射线材料32、键合线4、芯片破坏薄片5与封装盖板6;
所述芯片2的背面通过导热型的装片胶3固定在封装外壳1内,芯片破坏薄片5通过导热型的装片胶3固定在芯片2的正面,在导热型的装片胶3内掺杂有芯片破坏颗粒31与抗X射线材料32,芯片2的键合指与键合点通过键合线4相连,键合点与引脚相连,在封装外壳1的正面固定有封装盖板6。
所述装片胶3的厚度在50-200μm,芯片破坏颗粒31为粒径在20-300μm的金刚石颗粒,抗X射线材料32为颗粒状的碳化钨,键合线4为铜线,芯片破坏薄片5为厚度在200μm的TiN薄片,封装盖板6为塑料树脂盖板。
上述芯片安全封装结构的封装方法,该封装方法包括以下步骤:
S1、将芯片破坏颗粒31与抗X射线材料32掺杂进导热型的装片胶3之中,且芯片破坏颗粒31的加入质量是抗X射线材料32的加入质量的50%,且芯片破坏颗粒31与抗X射线材料32的总加入量是芯片破坏颗粒31、抗X射线材料32与导热型的装片胶3总质量的60%;
S2、将芯片2的背面涂覆导热型的装片胶3后粘接在封装外壳1内,然后进行加热使导热型的装片胶3固化,且加热温度控制在230℃,加热时间控制在25min;
S3、在芯片2的正面涂覆导热型的装片胶3后粘接芯片破坏薄片5,保证键合指可以露出,然后进行加热使导热型的装片胶3固化,且加热温度控制在230℃,加热时间控制在25min;
S4、将芯片2的键合指与键合点通过键合线4连接;
S5、将封装盖板6通过平行封焊方式固定在封装外壳1的正面,从而完成整个封装方法。
实施例4
如图1、图2和图3所示,本发明的芯片安全封装结构,包括封装外壳1、芯片2、耐腐蚀型的装片胶3、芯片破坏颗粒31、抗X射线材料32、键合线4、芯片破坏薄片5与封装盖板6;
所述芯片2的背面通过耐腐蚀型的装片胶3固定在封装外壳1内,芯片破坏薄片5通过耐腐蚀型的装片胶3固定在芯片2的正面,在耐腐蚀型的装片胶3内掺杂有芯片破坏颗粒31与抗X射线材料32,芯片2的键合指与键合点通过键合线4相连,键合点与引脚相连,在封装外壳1的正面固定有封装盖板6。
所述装片胶3的厚度在50-200μm,芯片破坏颗粒31为粒径在20-300μm的金刚石颗粒,抗X射线材料32为颗粒状的铅,键合线4为金线,芯片破坏薄片5为厚度在100μm的陶瓷薄片,封装盖板6的材质为陶瓷盖板。
上述芯片安全封装结构的封装方法,该封装方法包括以下步骤:
S1、将芯片破坏颗粒31与抗X射线材料32掺杂进耐腐蚀型的装片胶3之中,且芯片破坏颗粒31的加入质量是抗X射线材料32的加入质量的20%,且芯片破坏颗粒31与抗X射线材料32的总加入量是芯片破坏颗粒31、抗X射线材料32与耐腐蚀型的装片胶3总质量的40%;
S2、将芯片2的背面涂覆耐腐蚀型的装片胶3后粘接在封装外壳1内,然后进行加热使耐腐蚀型的装片胶3固化,且加热温度控制在350℃,加热时间控制在40min;
S3、在芯片2的正面涂覆耐腐蚀型的装片胶3后粘接芯片破坏薄片5,保证键合指可以露出,然后进行加热使耐腐蚀型的装片胶3固化,且加热温度控制在350℃,加热时间控制在40min;
S4、将芯片2的键合指与键合点通过键合线4连接;
S5、将封装盖板6通过粘接方式固定在封装外壳1的正面,从而完成整个封装方法。
本发明的工作原理是:芯片破坏颗粒31为芯片2在遭受物理抛磨时将芯片2结构进行破坏从而保护内部内容不被窃取;抗X射线材料32为保护芯片2在封装之后遭受X射线检测探测到内部结构,从而保护芯片信息;芯片破坏薄片5为芯片2在遭受物理抛磨时将芯片2结构进行破坏从而保护内部内容不被窃取。
除实施例1至实施例4外,所述芯片破坏颗粒31还可以是任意已知材料以及即将出现的高强度材料。
所述抗X射线材料32还可以是条状或者片状。
所述抗X射线材料32的材质还可以是硫酸钡等任意已知能抗X射线的材料或者即将出现的能抗X射线的材料,且抗X射线材料32的种类可以是任意一种或多种。
所述键合线4还可以是任意已知的引线材料,或即将应用的引线材料。
所述芯片破坏薄片5还可以是任意已知的或者即将出现的材料。
所述封装盖板6的材质还可以是任意已知或即将出现的封装材料。
以上所述,仅是本发明所提供的一个较佳的实施例,并非用于限定本发明,任何熟悉本领域的技术人员,在不脱离本发明技术方案范围情况下,都可利用上述方法对本发明的技术方案进行改动和修饰,或修改为等同变化的等效实施例。因此,凡是未脱离本发明技术方案的内容,依据本发明的技术实质做出任何形式的改动、等同变化均属于本发明技术保护范围之内。
Claims (10)
1.一种芯片安全封装结构,其特征是:包括封装外壳(1)、芯片(2)、装片胶(3)、芯片破坏颗粒(31)、抗X射线材料(32)、键合线(4)、芯片破坏薄片(5)与封装盖板(6);
所述芯片(2)的背面通过装片胶(3)固定在封装外壳(1)内,芯片破坏薄片(5)通过装片胶(3)固定在芯片(2)的正面,在装片胶(3)内掺杂有芯片破坏颗粒(31)与抗X射线材料(32),芯片(2)的键合指与键合点通过键合线(4)相连,键合点与引脚相连,在封装外壳(1)的正面固定有封装盖板(6)。
2.根据权利要求1所述的芯片安全封装结构,其特征是:所述装片胶(3)为导电型、绝缘型、导热型或者耐腐蚀型,且装片胶(3)的厚度在50-200μm。
3.根据权利要求1所述的芯片安全封装结构,其特征是:所述芯片破坏颗粒(31)为粒径在20-300μm的金刚石颗粒或者陶瓷颗粒。
4.根据权利要求1所述的芯片安全封装结构,其特征是:所述抗X射线材料(32)为颗粒状、条状或者片状,且抗X射线材料(32)的材质为硫酸钡、铅、钨或者碳化钨。
5.根据权利要求1所述的芯片安全封装结构,其特征是:所述键合线(4)为金线、铝线或者铜线。
6.根据权利要求1所述的芯片安全封装结构,其特征是:所述芯片破坏薄片(5)为厚度在100-300μm的陶瓷薄片、碳化硅薄片或者TiN薄片。
7.根据权利要求1所述的芯片安全封装结构,其特征是:所述封装盖板(6)的材质为陶瓷、金属或者塑料树脂。
8.权利要求1所述的芯片安全封装结构的封装方法,其特征是:该封装方法包括以下步骤:
S1、将芯片破坏颗粒(31)与抗X射线材料(32)掺杂进装片胶(3)之中;
S2、将芯片(2)的背面涂覆装片胶(3)后粘接在封装外壳(1)内,然后进行加热使装片胶(3)固化,且加热温度控制在200-350℃,加热时间控制在10-40min;
S3、在芯片(2)的正面涂覆装片胶(3)后粘接芯片破坏薄片(5),保证键合指可以露出,然后进行加热使装片胶(3)固化,且加热温度控制在200-350℃,加热时间控制在10-40min;
S4、将芯片(2)的键合指与键合点通过键合线(4)连接;
S5、将封装盖板(6)固定在封装外壳(1)的正面,从而完成整个封装方法。
9.根据权利要求8所述的芯片安全封装结构的封装方法,其特征是:步骤S1中,芯片破坏颗粒(31)的加入质量是抗X射线材料(32)的加入质量的20%-80%,且芯片破坏颗粒(31)与抗X射线材料(32)的总加入量是芯片破坏颗粒(31)、抗X射线材料(32)与装片胶(3)总质量的40%-70%。
10.根据权利要求8所述的芯片安全封装结构的封装方法,其特征是:步骤S5中,封装盖板(6)通过粘接方式、锡金焊料焊接方式或者平行封焊方式固定在封装外壳(1)的正面。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202110694351.7A CN113345844B (zh) | 2021-06-22 | 2021-06-22 | 芯片安全封装结构及封装方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202110694351.7A CN113345844B (zh) | 2021-06-22 | 2021-06-22 | 芯片安全封装结构及封装方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN113345844A CN113345844A (zh) | 2021-09-03 |
CN113345844B true CN113345844B (zh) | 2023-04-07 |
Family
ID=77477612
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202110694351.7A Active CN113345844B (zh) | 2021-06-22 | 2021-06-22 | 芯片安全封装结构及封装方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN113345844B (zh) |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101471329A (zh) * | 2007-12-29 | 2009-07-01 | 清华大学 | 半导体封装件 |
-
2021
- 2021-06-22 CN CN202110694351.7A patent/CN113345844B/zh active Active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101471329A (zh) * | 2007-12-29 | 2009-07-01 | 清华大学 | 半导体封装件 |
CN101471329B (zh) * | 2007-12-29 | 2012-06-20 | 清华大学 | 半导体封装件 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN113345844A (zh) | 2021-09-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN100555614C (zh) | 带自动键合封装装置和将该装置键合到玻璃面板的方法 | |
US8536684B2 (en) | Method of assembling shielded integrated circuit device | |
US7989938B2 (en) | Semiconductor device for fingerprint recognition | |
JP3416737B2 (ja) | 半導体パッケージの製造方法 | |
CN105453255B (zh) | 热界面材料层及包括热界面材料层的层叠封装件器件 | |
JP3869860B2 (ja) | チップカードのための電子モジュール | |
KR20150054551A (ko) | 반도체 칩 및 반도체 칩을 구비하는 반도체 패키지 | |
KR20100049283A (ko) | 반도체 패키지 및 그 제조 방법 | |
CN103915405B (zh) | 半导体器件和制造半导体器件的方法 | |
KR102287761B1 (ko) | 방열 부재를 가지는 반도체 패키지 | |
US20100317155A1 (en) | Multifunctional die attachment film and semiconductor packaging using the same | |
CN101123248A (zh) | 具有改进的热性能的半导体封装 | |
TW201025464A (en) | Shrink package on board | |
CN104347539A (zh) | 芯片封装 | |
US7659620B2 (en) | Integrated circuit package employing a flexible substrate | |
CN113345844B (zh) | 芯片安全封装结构及封装方法 | |
JP2000286299A (ja) | 半導体装置の接続方法 | |
KR101959395B1 (ko) | 반도체 장치 및 그 제조 방법 | |
KR20130040071A (ko) | 반도체 스택 패키지 장치 | |
CN207834271U (zh) | 一种圆片级背金芯片的封装结构 | |
CN208753307U (zh) | 一种半导体桥点火器 | |
CN112420649B (zh) | 芯片封装结构及电子产品 | |
CN114334856A (zh) | 半导体装置及其制造方法 | |
CN209044625U (zh) | 生物传感芯片及电子设备 | |
US6984896B2 (en) | IC chip package |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |