CN113328017B - 一种通孔式垂直结构led芯片及其制作方法 - Google Patents
一种通孔式垂直结构led芯片及其制作方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN113328017B CN113328017B CN202110562795.5A CN202110562795A CN113328017B CN 113328017 B CN113328017 B CN 113328017B CN 202110562795 A CN202110562795 A CN 202110562795A CN 113328017 B CN113328017 B CN 113328017B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- metal layer
- integrated metal
- type semiconductor
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 34
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 107
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 107
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 35
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 15
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims abstract description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 49
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 47
- 238000003475 lamination Methods 0.000 claims description 31
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 15
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 7
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 6
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000011133 lead Substances 0.000 claims description 6
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 6
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 abstract description 3
- 239000003513 alkali Substances 0.000 abstract description 3
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 abstract description 3
- 239000003595 mist Substances 0.000 abstract description 3
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 abstract description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 6
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 5
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 2
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000000750 progressive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/14—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a carrier transport control structure, e.g. highly-doped semiconductor layer or current-blocking structure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
本发明提供了一种通孔式垂直结构LED芯片及其制作方法，实现了将电流扩展层与PAD金属层集成到一起的制作方式，即形成集成金属层，用集成金属层取代电流扩展层，在制作集成金属层的过程中采用含Au金属材料，由于Au金属材料的电阻率较低，可以实现较好的电流扩展能力；另外，在PAD制作时，通过蚀刻的方式，裸露出集成金属层中的部分表面，该裸露部分承担PAD功能，可以实现与外部的电连接。通过该方式，节省了单独制作PAD金属层的工序，节约了成本。另外，与传统制作的PAD金属层不同，该集成金属层的侧壁包覆在绝缘层内，可以较好地耐受外部水汽、酸碱、盐雾等的侵蚀，提高了芯片的可靠性。
Description
技术领域
本发明涉及发光二极管领域，尤其涉及一种通孔式垂直结构LED芯片及其制作方法。
背景技术
随着LED芯片技术的发展，垂直结构芯片和倒装结构芯片等均取得较大进步，尤其是采用通孔式的设计，可以极大提高垂直芯片和倒装芯片的发光效率。
所谓通孔式，即是通过在外延表面开孔至N型半导体，通过电连接将N型接触引至芯片表面，以便于做键合或者固晶；其芯片结构可参考说明书附图的图1所示，该结构在制作过程中为了导通第二型半导体层33，需要在第二型半导体层33表面制作欧姆反射层4，并通过电流扩展层8将欧姆反射层4与PAD 金属层9连接。电流扩展层的扩展能力越好，电压越低，电流分布约均匀，光效越高。为了增加扩展能力，通常电流扩展层采用高导电率金属或者增加厚度来实现。然而，高导电率金属的化学性质通常比较活泼(如Ag、Cu、Al、 Ca、Mg等)或者价格比较昂贵(如Au等)；因此，在进行产品设计时，通常需在电流扩展性能和产品成本之间做出平衡和妥协；比如，选择Ti、W、 Pt、Cr等电阻率相对较高的金属，同时通过增加厚度来实现电流扩展。
有鉴于此，本发明人专门设计了一种通孔式垂直结构LED芯片及其制作方法，本案由此产生。
发明内容
本发明的目的在于提供通孔式垂直结构LED芯片及其制作方法，以解决现有的垂直结构LED芯片，在进行其产品设计时，通常需在电流扩展性能和产品成本之间做出平衡和妥协的技术问题。
为了实现上述目的，本发明采用的技术方案如下：
一种通孔式垂直结构LED芯片，包括：
基板，及设置于所述基板上方的第一金属层、绝缘层、集成金属层以及外延叠层；所述外延叠层至少包括沿第一方向依次堆叠的第二型半导体层、有源区以及第一型半导体层，且所述外延叠层具有裸露所述第一型半导体层部分表面的通孔；第一方向垂直于所述基板，并由所述基板指向所述外延叠层；
其中，所述集成金属层层叠于所述第二型半导体层背离所述有源区的一侧表面，且所述集成金属层朝向所述第二型半导体层的一侧设有用于电连接的裸露面；
所述绝缘层设置所述外延叠层朝向所述基板的一侧，且覆盖所述集成金属层、外延叠层裸露面并延伸至所述通孔侧壁；
所述第一金属层层叠于所述绝缘层背离所述集成金属层的一侧表面，并嵌入所述通孔与所述第一型半导体层形成接触；且所述基板层叠于所述第一金属层背离所述外延叠层的一侧表面。
优选地，所述集成金属层包括Au金属材料。
优选地，所述集成金属层的侧壁被所述绝缘层包覆。
优选地，在所述集成金属层朝向所述第二型半导体层的一侧表面设有可欧姆接触并实现光反射的欧姆反射层。
优选地，所述欧姆反射层包括铟、锡、铝、金、铂、锌、银、钛、铅、镍中的一种或多种。
优选地，所述基板包括导电基板。
本发明提供了一种通孔式垂直结构LED芯片的制作方法，包括如下步骤：
S01、提供一生长衬底；
S02、层叠一外延叠层于所述生长衬底表面，所述外延叠层包括沿第一方向依次堆叠第一型半导体层、有源区以及第二型半导体层，所述第一方向垂直于所述生长衬底，并由所述生长衬底指向所述外延叠层；
S03、通过蚀刻工艺在所述外延叠层形成通孔及发光台面，所述通孔裸露所述第一型半导体层的部分表面；
S04、在所述发光台面形成欧姆反射层，所述欧姆反射层用于欧姆接触并实现光反射；
S05、沉积一绝缘层，所述绝缘层填充所述通孔并延伸至所述欧姆反射层***；
S06、制作集成金属层，所述集成金属层层叠于所述欧姆反射层及绝缘层的表面；
S07、再次沉积一绝缘层，使所述绝缘层包覆所述集成金属层，并使所述外延叠层表面形成一平面；
S08、通过蚀刻工艺，形成侧壁具有绝缘层的通孔；
S09、制作第一金属层，所述第一金属层层叠于所述绝缘层表面，并嵌入所述通孔与所述第一型半导体层形成接触；
S10、通过键合工艺，将步骤S09所形成的芯片结构固定于导电性的基板，且所述基板形成于所述第一金属层的表面；
S11、剥离所述生长衬底；
S12、蚀刻部分所述外延叠层至绝缘层，使所述集成金属层具有用于电连接的裸露面。
优选地，所述步骤S12包括通过蚀刻工艺，使所述集成金属层的侧壁被所述绝缘层包覆。
优选地，所述集成金属层包括Au金属材料。
优选地，所述欧姆反射层包括铟、锡、铝、金、铂、锌、银、钛、铅、镍中的一种或多种。
经由上述的技术方案可知，本发明提供的通孔式垂直结构LED芯片，通过：在所述第二型半导体层背离所述有源区的一侧表面设有集成金属层，且所述集成金属层朝向所述第二型半导体层的一侧设有用于电连接的裸露面；所述绝缘层设置所述外延叠层朝向所述基板的一侧，且覆盖所述集成金属层、外延叠层裸露面并延伸至所述通孔侧壁。实现了将电流扩展层与PAD金属层集成到一起的制作方式，即形成集成金属层，用集成金属层取代电流扩展层，在制作集成金属层的过程中采用含Au金属材料，由于Au金属材料的电阻率较低，可以实现较好的电流扩展能力；另外，在PAD制作时，通过蚀刻的方式，裸露出集成金属层中的部分表面，该裸露部分承担PAD功能，可以实现与外部的电连接。通过该方式，节省了单独制作PAD金属层的工序，节约了成本。另外，与传统制作的PAD金属层不同，该集成金属层的侧壁包覆在绝缘层内，可以较好地耐受外部水汽、酸碱、盐雾等的侵蚀，提高了芯片的可靠性。
本发明提供的通孔式垂直结构LED芯片的制作方法，在实现上述通孔填充式LED芯片的有益效果的同时，其工艺制作简单、便捷，节省了单独制作 PAD金属层的工序，节约了成本，便于生产化。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。
图1为背景技术中所提供的通孔式LED芯片的结构示意图；
图2为本发明实施例所提供的通孔式垂直结构LED芯片的结构示意图；
图2.1至图2.12为本发明实施例中图2所提供的通孔填充式LED芯片的制作方法步骤所对应的结构示意图；
图中符号说明：1、基板，2、生长衬底，3、外延叠层，31、第一型半导体层，32、有源区，33、第二型半导体层，34、通孔，35、发光台面，4、欧姆反射层，5、绝缘层，6、集成金属层，7、第一金属层，8、电流扩展层，9、 PAD金属层。
具体实施方式
为使本发明的内容更加清晰，下面结合附图对本发明的内容作进一步说明。本发明不局限于该具体实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
如图2所示，一种通孔式垂直结构LED芯片，包括：
基板1，及设置于基板1上方的第一金属层7、绝缘层5、集成金属层6 以及外延叠层3；外延叠层3至少包括沿第一方向依次堆叠的第二型半导体层33、有源区32以及第一型半导体层31，且外延叠层3具有裸露第一型半导体层31部分表面的通孔34；第一方向垂直于基板1，并由基板1指向外延叠层3；
其中，集成金属层6层叠于第二型半导体层33背离有源区32的一侧表面，且集成金属层6朝向第二型半导体层33的一侧设有用于电连接的裸露面；
绝缘层5设置外延叠层3朝向基板1的一侧，且覆盖集成金属层6、外延叠层3裸露面并延伸至通孔34侧壁；
第一金属层7层叠于绝缘层5背离集成金属层6的一侧表面，并嵌入通孔34与第一型半导体层31形成接触；且基板1层叠于第一金属层7背离外延叠层3的一侧表面。
值得一提的是，另外，外延叠层的第一型半导体层31、有源区32以及第二型半导体层33的类型在本实施例中也可以不受限制，例如，第一型半导体层31可以是但不限于氮化镓层，相应地，第二型半导体层33可以是但不限于氮化镓层；
同时，本实施例不限定绝缘层5、第一金属层7的具体类型，只要满足上述要求即可。
本实施例中，集成金属层6包括Au金属材料。
本实施例中，集成金属层6的侧壁被绝缘层5包覆。
本实施例中，在集成金属层6朝向第二型半导体层33的一侧表面设有可欧姆接触并实现光反射的欧姆反射层4。
本实施例中，欧姆反射层4包括铟、锡、铝、金、铂、锌、银、钛、铅、镍中的一种或多种。
本实施例中，基板1包括导电基板1。
本发明提供了一种通孔式垂直结构LED芯片的制作方法，包括如下步骤：
S01、如图2.1所示，提供一生长衬底2；
S02、如图2.2所示，层叠一外延叠层3于生长衬底2表面，外延叠层3 包括沿第一方向依次堆叠第一型半导体层31、有源区32以及第二型半导体层33，第一方向垂直于生长衬底2，并由生长衬底2指向外延叠层3；
S03、如图2.3所示，通过蚀刻工艺在外延叠层3形成通孔34及发光台面35，通孔34裸露第一型半导体层31的部分表面；
S04、如图2.4所示，在发光台面35形成欧姆反射层4，欧姆反射层4 用于欧姆接触并实现光反射；
S05、如图2.5所示，沉积一绝缘层5，绝缘层5填充通孔34并延伸至欧姆反射层4***；
S06、如图2.6所示，制作集成金属层6，集成金属层6层叠于欧姆反射层4及绝缘层5的表面；
S07、如图2.7所示，再次沉积一绝缘层5，使绝缘层5包覆集成金属层 6，并使外延叠层3表面形成一平面；
S08、如图2.8所示，通过蚀刻工艺，形成侧壁具有绝缘层5的通孔34；
S09、如图2.9所示，制作第一金属层7，第一金属层7层叠于绝缘层5 表面，并嵌入通孔34与第一型半导体层31形成接触；
S10、如图2.10所示，通过键合工艺，将步骤S09所形成的芯片结构固定于导电性的基板1，且基板1形成于第一金属层7的表面；
S11、如图2.11所示，剥离生长衬底2；
S12、如图2.12所示，蚀刻部分外延叠层3至绝缘层5，使集成金属层6 具有用于电连接的裸露面。
本实施例中，步骤S12包括通过蚀刻工艺，使集成金属层6的侧壁被绝缘层5包覆。
本实施例中，集成金属层6包括Au金属材料。
本实施例中，欧姆反射层4包括铟、锡、铝、金、铂、锌、银、钛、铅、镍中的一种或多种。
经由上述的技术方案可知，本发明提供的通孔式垂直结构LED芯片，通过：在第二型半导体层33背离有源区32的一侧表面设有集成金属层6，且集成金属层6朝向第二型半导体层33的一侧设有用于电连接的裸露面；绝缘层5设置外延叠层3朝向基板的一侧，且覆盖集成金属层6、外延叠层3裸露面并延伸至通孔34侧壁。实现了将电流扩展层与PAD金属层集成到一起的制作方式，即形成集成金属层6，用集成金属层6取代电流扩展层，在制作集成金属层6的过程中采用含Au金属材料，由于Au金属材料的电阻率较低，可以实现较好的电流扩展能力；另外，在PAD制作时，通过蚀刻的方式，裸露出集成金属层6中的部分表面，该裸露部分承担PAD功能，可以实现与外部的电连接。通过该方式，节省了单独制作PAD金属层的工序，节约了成本。另外，与传统制作的PAD金属层不同，该集成金属层6的侧壁包覆在绝缘层5内，可以较好地耐受外部水汽、酸碱、盐雾等的侵蚀，提高了芯片的可靠性。
本发明提供的通孔式垂直结构LED芯片的制作方法，在实现上述通孔 34填充式LED芯片的有益效果的同时，其工艺制作简单、便捷，节省了单独制作PAD金属层的工序，节约了成本，便于生产化。
本发明实施例所提供的装置，其实现原理及产生的技术效果和前述方法实施例相同，为简要描述，装置实施例部分未提及之处，可参考前述方法实施例中相应内容。所属领域的技术人员可以清楚地了解到，为描述的方便和简洁，前述描述的***、装置和单元的具体工作过程，均可以参考上述方法实施例中的对应过程，在此不再赘述。
本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。
还需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括上述要素的物品或者设备中还存在另外的相同要素。
对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本申请。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本申请的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本申请将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。
Claims (9)
1.一种通孔式垂直结构LED芯片，其特征在于，包括：
基板，及设置于所述基板上方的第一金属层、绝缘层、集成金属层以及外延叠层；所述外延叠层至少包括沿第一方向依次堆叠的第二型半导体层、有源区以及第一型半导体层，且所述外延叠层具有裸露所述第一型半导体层部分表面的通孔；第一方向垂直于所述基板，并由所述基板指向所述外延叠层；
其中，所述集成金属层层叠于所述第二型半导体层背离所述有源区的一侧表面，且所述集成金属层朝向所述第二型半导体层的一侧设有用于电连接的裸露面；且，在所述集成金属层朝向所述第二型半导体层的一侧表面设有可欧姆接触并实现光反射的欧姆反射层；
所述绝缘层设置所述外延叠层朝向所述基板的一侧，且覆盖所述集成金属层、外延叠层裸露面并延伸至所述通孔侧壁；
所述第一金属层层叠于所述绝缘层背离所述集成金属层的一侧表面，并嵌入所述通孔与所述第一型半导体层形成接触；且所述基板层叠于所述第一金属层背离所述外延叠层的一侧表面。
2.根据权利要求1所述的通孔式垂直结构LED芯片，其特征在于，所述集成金属层包括Au金属材料。
3.根据权利要求1所述的通孔式垂直结构LED芯片，其特征在于，所述集成金属层的侧壁被所述绝缘层包覆。
4.根据权利要求1所述的通孔式垂直结构LED芯片，其特征在于，所述欧姆反射层包括铟、锡、铝、金、铂、锌、银、钛、铅、镍中的一种或多种。
5.根据权利要求1所述的通孔式垂直结构LED芯片，其特征在于，所述基板包括导电基板。
6.一种通孔式垂直结构LED芯片的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
S01、提供一生长衬底；
S02、层叠一外延叠层于所述生长衬底表面，所述外延叠层包括沿第一方向依次堆叠第一型半导体层、有源区以及第二型半导体层，所述第一方向垂直于所述生长衬底，并由所述生长衬底指向所述外延叠层；
S03、通过蚀刻工艺在所述外延叠层形成通孔及发光台面，所述通孔裸露所述第一型半导体层的部分表面；
S04、在所述发光台面形成欧姆反射层，所述欧姆反射层用于欧姆接触并实现光反射；
S05、沉积一绝缘层，所述绝缘层填充所述通孔并延伸至所述欧姆反射层***；
S06、制作集成金属层，所述集成金属层层叠于所述欧姆反射层及绝缘层的表面；
S07、再次沉积一绝缘层，使所述绝缘层包覆所述集成金属层，并使所述外延叠层表面形成一平面；
S08、通过蚀刻工艺，形成侧壁具有绝缘层的通孔；
S09、制作第一金属层，所述第一金属层层叠于所述绝缘层表面，并嵌入所述通孔与所述第一型半导体层形成接触；
S10、通过键合工艺，将步骤S09所形成的芯片结构固定于导电性的基板，且所述基板形成于所述第一金属层的表面；
S11、剥离所述生长衬底；
S12、蚀刻部分所述外延叠层至绝缘层，使所述集成金属层具有用于电连接的裸露面。
7.根据权利要求6所述的通孔式垂直结构LED芯片的制作方法，其特征在于，所述步骤S12包括通过蚀刻工艺，使所述集成金属层的侧壁被所述绝缘层包覆。
8.根据权利要求6所述的通孔式垂直结构LED芯片的制作方法，其特征在于，所述集成金属层包括Au金属材料。
9.根据权利要求6所述的通孔式垂直结构LED芯片的制作方法，其特征在于，所述欧姆反射层包括铟、锡、铝、金、铂、锌、银、钛、铅、镍中的一种或多种。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110562795.5A CN113328017B (zh) | 2021-05-24 | 2021-05-24 | 一种通孔式垂直结构led芯片及其制作方法 |
| PCT/CN2022/094089 WO2022247742A1 (zh) | 2021-05-24 | 2022-05-20 | 一种led芯片及其制作方法 |
| US18/380,139 US20240038938A1 (en) | 2021-05-24 | 2023-10-13 | Light-emitting structure, manufacturing method thereof, and light-emitting device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110562795.5A CN113328017B (zh) | 2021-05-24 | 2021-05-24 | 一种通孔式垂直结构led芯片及其制作方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN113328017A CN113328017A (zh) | 2021-08-31 |
| CN113328017B true CN113328017B (zh) | 2022-06-21 |
Family
ID=77416425
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202110562795.5A Active CN113328017B (zh) | 2021-05-24 | 2021-05-24 | 一种通孔式垂直结构led芯片及其制作方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN113328017B (zh) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2022247742A1 (zh) * | 2021-05-24 | 2022-12-01 | 厦门乾照光电股份有限公司 | 一种led芯片及其制作方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102751431A (zh) * | 2011-04-18 | 2012-10-24 | 北京地调科技发展有限公司 | Led芯片及其制备方法 |
| CN104409585A (zh) * | 2014-11-28 | 2015-03-11 | 杭州士兰明芯科技有限公司 | 一种垂直led结构及其制作方法 |
| CN104952993A (zh) * | 2014-03-24 | 2015-09-30 | 山东华光光电子有限公司 | 一种电流扩展层带有二维光学结构的反极性AlGaInP发光二极管 |
| CN109768134A (zh) * | 2019-01-28 | 2019-05-17 | 华引芯（武汉）科技有限公司 | 一种发光高效率反转垂直结构高压芯片及其制备方法 |
| KR102186922B1 (ko) * | 2019-10-01 | 2020-12-04 | 윤치영 | 버티컬 타입 초소형 엘이디의 수직 정렬방법 및 이를 이용한 엘이디 어셈블리 제조방법 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI583019B (zh) * | 2015-02-17 | 2017-05-11 | 新世紀光電股份有限公司 | Light emitting diode and manufacturing method thereof |
| CN107681032B (zh) * | 2017-10-16 | 2024-05-10 | 泉州三安半导体科技有限公司 | 发光二极管及其制作方法 |
| WO2019195960A1 (zh) * | 2018-04-08 | 2019-10-17 | 厦门市三安光电科技有限公司 | 一种发光二极管芯片结构及其制作方法 |
| KR102140993B1 (ko) * | 2019-04-01 | 2020-08-05 | (주)라이타이저 | 발광다이오드 칩 스케일 패키지 및 그의 제조 방법 |
| CN112349819B (zh) * | 2020-11-04 | 2022-01-25 | 厦门乾照光电股份有限公司 | 一种通孔填充式led芯片及其制作方法 |
-
2021
- 2021-05-24 CN CN202110562795.5A patent/CN113328017B/zh active Active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102751431A (zh) * | 2011-04-18 | 2012-10-24 | 北京地调科技发展有限公司 | Led芯片及其制备方法 |
| CN104952993A (zh) * | 2014-03-24 | 2015-09-30 | 山东华光光电子有限公司 | 一种电流扩展层带有二维光学结构的反极性AlGaInP发光二极管 |
| CN104409585A (zh) * | 2014-11-28 | 2015-03-11 | 杭州士兰明芯科技有限公司 | 一种垂直led结构及其制作方法 |
| CN109768134A (zh) * | 2019-01-28 | 2019-05-17 | 华引芯（武汉）科技有限公司 | 一种发光高效率反转垂直结构高压芯片及其制备方法 |
| KR102186922B1 (ko) * | 2019-10-01 | 2020-12-04 | 윤치영 | 버티컬 타입 초소형 엘이디의 수직 정렬방법 및 이를 이용한 엘이디 어셈블리 제조방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN113328017A (zh) | 2021-08-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US10062810B2 (en) | Light-emitting diode module having light-emitting diode joined through solder paste and light-emitting diode | |
| US6255129B1 (en) | Light-emitting diode device and method of manufacturing the same | |
| US9893240B2 (en) | Light emitting diode and LED module having the same | |
| CN112164742A (zh) | 一种发光二极管 | |
| CN111710767A (zh) | 一种基于图形化反射镜的led芯片及其制作方法 | |
| KR100665361B1 (ko) | 질화물 발광다이오드 패키지 | |
| CN113328017B (zh) | 一种通孔式垂直结构led芯片及其制作方法 | |
| CN105633238A (zh) | 一种倒装led芯片及其制造方法 | |
| CN111261766A (zh) | 一种倒装薄膜led芯片结构及其制备方法 | |
| CN114512592A (zh) | 倒装led芯片及其制备方法、led封装体及显示装置 | |
| EP2605294B1 (en) | Semiconductor light emitting device | |
| TWM521810U (zh) | 發光裝置 | |
| CN113363373B (zh) | 一种半导体发光元件和发光装置 | |
| CN217239490U (zh) | 一种垂直结构led芯片 | |
| CN114628561A (zh) | 一种垂直结构led芯片及其制作方法 | |
| WO2022247742A1 (zh) | 一种led芯片及其制作方法 | |
| US20240038938A1 (en) | Light-emitting structure, manufacturing method thereof, and light-emitting device | |
| CN220106568U (zh) | 一种垂直结构led芯片 | |
| CN104617202A (zh) | 氮化镓基发光器件的电极体系及其制作方法 | |
| CN115440861A (zh) | 一种垂直结构led芯片及其制作方法 | |
| CN113644180B (zh) | 倒装led芯片及其制备方法 | |
| CN114141924B (zh) | 发光二极管及其制备方法 | |
| KR100463957B1 (ko) | 발광 다이오드 장치를 제조하는 방법 | |
| CN117153985A (zh) | 一种垂直结构led芯片及其制作方法 | |
| CN115732622A (zh) | 一种led芯片及其制作方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |