CN113322440B - 半导体工艺设备及其工艺腔室 - Google Patents

Abstract

本申请实施例提供了一种半导体工艺设备及其工艺腔室。该工艺腔室包括：腔室本体及设置于腔室本体内的基座、沉积环及遮挡环；基座用于承载晶圆，基座内具有冷却结构，冷却结构用于对基座及晶圆进行冷却降温；沉积环环绕基座设置，沉积环包括环状的隔挡部，基座承载有晶圆时，隔挡部环绕晶圆；遮挡环可分离地设置于沉积环上，遮挡环位于沉积环上时，遮挡环环绕沉积环的隔挡部，并且遮挡环的顶面不高于隔挡部的顶面，以阻挡遮挡环的热量向晶圆传递。本申请实施例实现了隔挡部能防止遮挡环的热量传递至晶圆，使得晶圆表面能形成应力均匀的薄膜，从而大幅提高晶圆的良率，并且还能适用于应力较大的金属或合金薄膜，从而大幅提高适用性及适用范围。

Description

半导体工艺设备及其工艺腔室

技术领域

本申请涉及半导体加工技术领域，具体而言，本申请涉及一种半导体工艺设备及其工艺腔室。

背景技术

目前，随着集成电路(integrated circuit，IC)制程尺寸的快速微缩及功能的多元化，导致IC频率的提高以及引脚数目的剧烈激增，对导电性和导热能力的要求也亦趋严格，传统封装的引线接脚技术已不能满足要求，从而新的封装技术开始兴起，例如覆晶封装(Flip Chip Package)及晶圆尺寸封装(Chip Size Packa，CSP)等封装技术。

现有技术中覆晶封装一般采用磁控溅射技术沉积TiW(钛钨)薄膜和Au(金)薄膜。半导体工艺设备中的磁控溅射设备的腔室本体内，一般装配有内衬、沉积环及遮挡环以用于保护腔体本体，在进行薄膜沉积时，溅射粒子溅射在基衬上，不会沉积在腔室本体上。但是由于现有技术中结构设计不合理，导致工艺过程中遮挡环的温度会增高，较高温度的遮挡环会对晶圆上钛钨薄膜应力造成影响，不易形成应力较稳定的薄膜，从而造成晶圆质量不合格，甚至造成晶圆报废。

发明内容

本申请针对现有方式的缺点，提出一种半导体工艺设备及其工艺腔室，用以解决现有技术存在由于结构设计不合理，导致晶圆上无法形成应力稳定的薄膜，从而造成晶圆质量不合格的技术问题。

第一个方面，本申请实施例提供了一种半导体工艺设备的工艺腔室，包括：腔室本体及设置于腔室本体内的基座、沉积环及遮挡环；所述基座用于承载晶圆，所述基座内具有冷却结构，所述冷却结构用于对所述基座及所述晶圆进行冷却降温；所述沉积环环绕所述基座设置，所述沉积环包括环状的隔挡部，所述基座承载有所述晶圆时，所述隔挡部环绕所述晶圆；所述遮挡环可分离地设置于所述沉积环上，所述遮挡环位于所述沉积环上时，所述遮挡环环绕所述沉积环的所述隔挡部，并且所述遮挡环的顶面不高于所述隔挡部的顶面，以阻挡所述遮挡环的热量向所述晶圆传递。

于本申请的一实施例中，所述基座承载有所述晶圆时，所述隔挡部的内周面与所述晶圆的边缘之间具有第一预设间距；所述隔挡部的外周面与所述遮挡环的内周面之间具有第二预设间距，形成一间隙，所述第一预设间距和所述第二预设间距均小于或等于2毫米。

于本申请的一实施例中，所述隔挡部的内周面及外周面与顶面之间均具有第一倒角，所述第一倒角小于或等于1毫米；所述遮挡环的内周面及外周面与顶面之间均具有第二倒角，所述第二倒角为小于或等于1毫米。

于本申请的一实施例中，所述工艺腔室还包括内衬，所述内衬环绕设置在所述腔室本体内侧，且所述内衬的下端部设置有支撑部，所述支撑部用于在所述遮挡环与所述沉积环分离时支撑所述遮挡环。

于本申请的一实施例中，所述内衬的内周面与所述遮挡环的外周面之间具有第二预设间距，所述第二预设间距小于或等于6毫米。

于本申请的一实施例中，所述遮挡环的顶面与所述隔挡部的顶面平齐。

于本申请的一实施例中，所述沉积环还包括有搭接部，所述隔挡部设置在所述搭接部上，与所述搭接部连接，所述搭接部位于所述隔挡部外周侧下位置，所述遮挡环位于所述沉积环上时，所述遮挡环搭接于所述搭接部上，并且所述搭接部与所述遮挡环之间设置有防粘结构。

于本申请的一实施例中，所述防粘结构包括有第一凹槽，所述第一凹槽开设于所述搭接部的顶部，并且环绕所述隔挡部设置。

于本申请的一实施例中，所述防粘结构还包括第二凹槽和第三凹槽，所述第二凹槽开设于所述搭接部的顶面，环绕所述第一凹槽设置，并且与所述第一凹槽连通，所述第三凹槽开设于所述遮挡环底面，位置与所述第二凹槽对应，并且与所述隔挡部的外周面与所述遮挡环内周面之间的间隙连通。

第二个方面，本申请实施例提供了一种半导体工艺设备，包括如第一个方面提供的工艺腔室。

本申请实施例提供的技术方案带来的有益技术效果是：

本申请实施例通过将沉积环设置于基座上，并且沉积环的隔挡部环绕承载于基座上的晶圆设置，而遮挡环则环绕于隔挡部设置，由于沉积环整体被基座内的冷却结构冷却降温，并且隔挡部位于晶圆及遮挡环之间，隔挡部能防止遮挡环的热量传递至晶圆，使得晶圆表面能形成应力均匀的薄膜，从而大幅提高晶圆的良率。此外应用本申请实施例的晶圆表面薄膜应力较为均匀，使得本申请实施例能适用于应力较大的金属或合金薄膜，从而大幅提高适用性及适用范围。

本申请附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出，这些将从下面的描述中变得明显，或通过本申请的实践了解到。

附图说明

本申请上述的和/或附加的方面和优点从下面结合附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：

图1A为本申请实施例提供的一种工艺腔室省略腔室本体的局部剖视示意图；

图1B为本申请实施例提供的一种沉积环与遮挡环配合的局部剖视示意图；

图2A为本申请实施例提供的一种工艺腔室省略腔室本体的部分剖视示意图；

图2B为图2A中示出的一种沉积环与基座配合的A部放大示意图；

图2C为图2A中示出的一种遮挡环与内衬配合的B部放大示意图；

图3A为图2A中示出的一种沉积环与遮挡环配合的C部放大示意图；

图3B为图2A中示出的另一种沉积环与遮挡环配合的C部放大示意图。

具体实施方式

下面详细描述本申请，本申请的实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的部件或具有相同或类似功能的部件。此外，如果已知技术的详细描述对于示出的本申请的特征是不必要的，则将其省略。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本申请，而不能解释为对本申请的限制。

本技术领域技术人员可以理解，除非另外定义，这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)，具有与本申请所属领域中的普通技术人员的一般理解相同的意义。还应该理解的是，诸如通用字典中定义的那些术语，应该被理解为具有与现有技术的上下文中的意义一致的意义，并且除非像这里一样被特定定义，否则不会用理想化或过于正式的含义来解释。

下面以具体地实施例对本申请的技术方案以及本申请的技术方案如何解决上述技术问题进行详细说明。

本申请实施例提供了一种半导体工艺设备的工艺腔室，该工艺腔室的结构示意图如图1A及图1B所示，包括：腔室本体(图中未示出)及设置于腔室本体内的基座1、沉积环2及遮挡环3；基座1用于承载晶圆100，基座1内具有冷却结构(图中未示出)，冷却结构用于对基座1及晶圆100进行冷却降温；沉积环2环绕基座1设置，沉积环2包括环状的隔挡部21，基座1承载有晶圆100时，隔挡部21环绕晶圆100；遮挡环3可分离地设置于沉积环2上，遮挡环3位于沉积环2上时，遮挡环3环绕沉积环2的隔挡部21，并且遮挡环3的顶面不高于隔挡部21的顶面，以阻挡遮挡环3的热量向晶圆100传递。

如图1A及图1B所示，工艺腔室可以是磁控溅射设备的工艺腔室，并且具体执行的工艺为沉积钛钨薄膜或者金薄膜工艺，但是本申请实施例并不以此为限。基座1设置于腔室本体的底部居中位置，用于承载晶圆100，基座1内可以设置有冷却结构，以在工艺过程中对基座1及晶圆进行冷却，本申请实施例并不限定冷却结构的具体类型，例如采用水冷结构。沉积环2可以环绕设置于基座1的顶部，基座1内的冷却结构还可以用于在工艺时对沉积环2进行冷却。沉积环2可以包括有隔挡部21，当基座1上承载有晶圆100时，隔挡部21具体可以环绕承载于基座1上的晶圆100设置，用于聚焦沉积的粒子至晶圆100上。遮挡环3可以采用可分离地方式设置于沉积环2上，当遮挡环3位于沉积环2上时，遮挡环可以环绕隔挡部21的外周设置，用于防止沉积粒子进入腔室本体的底部。遮挡环3的顶面与隔挡部21的顶面高度相同，或者遮挡环3的顶面低于隔挡部21的顶面。由于遮挡环3位于隔挡部21的外周，并且由于沉积环2的隔挡部21可以由冷却结构进行冷却降温，因此隔挡部21能隔绝遮挡环3的热量传递到晶圆100，从而使得晶圆100表面形成应力均匀的薄膜。

本申请实施例通过将沉积环设置于基座上，并且沉积环的隔挡部环绕承载于基座上的晶圆设置，而遮挡环则环绕于隔挡部设置，由于沉积环整体被基座内的冷却结构冷却降温，并且隔挡部位于晶圆及遮挡环之间，隔挡部能防止遮挡环的热量传递至晶圆，使得晶圆表面能形成应力均匀的薄膜，从而大幅提高晶圆的良率。此外应用本申请实施例的晶圆表面薄膜应力较为均匀，使得本申请实施例能适用于应力较大的金属或合金薄膜，从而大幅提高适用性及适用范围。

需要说明的是，本申请实施例并不限定工艺腔室的具体类型及具体执行的工艺，例如工艺腔室可以其它物理气相沉积设备或者化学气相沉积设备，具体执行的工艺可以是沉积其它应力较大的金属或合金薄膜。因此本申请实施例并不以此为限，本领域技术人员可以根据实际情况自行调整设置。

于本申请的一实施例中，如图1A至图2B所示，基座1承载有晶圆100时，隔挡部21的内周面与晶圆的边缘之间具有第一预设间距L1；隔挡部21的外周面与遮挡环3的内周面之间具有第二预设间距L2，从在隔挡部21和遮挡环3之间形成一间隙，第一预设间距L1和第二预设间距均小于或等于2毫米。

如图1A至图2B所示，隔挡部21的顶面可以开设圆形凹槽，由于隔挡部21整体可以采用圆环形结构，因此该圆形凹槽为隔挡部21顶面至内周面连通的开放式结构。隔挡部21的底部可以环设于基座1的顶部外周，以实现隔挡部21顶部的圆形凹槽环绕晶圆100设置，因此使得隔挡部21的圆形凹槽内周面与晶圆100的边缘具有第一预设间距L1。遮挡环3套设于隔挡部21外周，并且与隔挡部21的间隔设置，以使得隔挡部21的外周面与遮挡环3的内周面之间具有第二预设间距L2，即使得隔挡部21的外周面与遮挡环3的内周面之间形成有一间隙。进一步的，第一预设间距L1及第二预设间距L2均小于或等于2毫米。采用上述设计，使得沉积环2与两侧的晶圆100及遮挡环3之间均形成深孔结构，例如在进行钛钨薄膜沉积时，大部分的薄膜200沉积在沉积环2、晶圆100及遮挡环3的顶面，很难沉积在遮挡环3与沉积环2所组成的深孔侧壁上，具体可以参照如图1B所示。由于限制了薄膜在沉积环2或遮挡环3侧表面上的沉积，使得薄膜呈现单一方向柱状生长，从而可有效抑制薄膜发生爆膜，从而大幅提高本申请实施例的沉积环2及遮挡环3的使用寿命，根据实验结果使用寿命可以延长至200kWh以上，从而大幅降低在工艺腔室的维护成本。

可选地，圆形凹槽的底部还设置有环形凹槽211，该环形凹槽211的宽度小于圆形凹槽的宽度，并且靠近圆形凹槽212的内周面设置，用于在工艺过程中容置少量的沉积粒子，从而避免圆形凹槽内沉积过多金属粒子而对基座1承载晶圆100造成影响。

在一具体实施例中，为了有效限制薄膜进入沉积环2与遮挡环3之间形成深孔结构的侧壁上，沉积环2与遮挡环3形成深孔开口设计在2mm以内，即第二预设间距L2小于或等于2mm。进一步的，为防止沉积环2与遮挡环3上表面沉积的薄膜发生粘连，典型的深孔开口范围设定在0.5mm-2mm之间，从而便于沉积环2与遮挡环3分离。

需要说明的是，本申请实施例并不限定第一预设间距L1及第二预设间距L2的具体数值，例如两者均可以根据薄膜的类型以及工艺类型进行调整。因此本申请实施例并不以此为限，本领域技术人员可以根据实际情况自行调整设置。

于本申请的一实施例中，如图1A至图2B所示，隔挡部21的内周面及外周面与顶面之间均具有第一倒角A1，第一倒角A1小于或等于1毫米。具体来说，在隔挡部21的径向剖视图中，隔挡部21顶部的两个边角均采用倒角设计，即隔挡部21的内周面与顶面之间具有第一倒角A1，以及隔挡部21的外周面与顶面之间也具有第一倒角A1。该第一倒角A1例如可以采用倒圆角或者倒斜角，但是本申请实施例并不以此为限，本领域技术人员可以根据实际情况自行调整设置。在一些具体实施例中，第一倒角A1的具体规格可以是R≤1毫米或者C≤1毫米，但是本申请实施例并不以此为限，只要第一倒角A1具体规格小于或等于1毫米即可，并且在沉积环2经过喷砂或铝熔射等表面处理之后，第一倒角A1几乎为不可见，从而进一步减小第一倒角A1的具体规格，但是本申请实施例并不限定表面处理的具体工艺。采用上述设计，能避免薄膜沉积在隔挡部21的边角处，以及由于应力原因造成的爆膜现象，以避免对腔室本体及晶圆100造成颗粒污染，从而大幅提高晶圆100的工艺良率。此外由于现有技术中一旦发生爆膜现象则必须对沉积环2进行更换维护，采用上述设计还能大幅降低维护频率以延长使用寿命，从而提高经济效益。

于本申请的一实施例中，如图1A至图2C所示，遮挡环3的内周面及外周面与顶面之间均具有第二倒角A2，第二倒角A2为小于或等于1毫米。具体来说，在遮挡环3的径向剖视图中，遮挡环3顶部的两个边角均采用倒角设计，即遮挡环3的内周面与顶面之间具有第二倒角A2，以及遮挡环3的外周面与顶面之间也具有第二倒角A2。该第二倒角A2例如可以采用倒圆角或者倒斜角，但是本申请实施例并不以此为限，本领域技术人员可以根据实际情况自行调整设置。在一些具体实施例中，第二倒角A2的具体规格可以是R≤1毫米或者C≤1毫米，但是本申请实施例并不以此为限，只要第二倒角A2的具体规格小于或等于1毫米即可，并且在遮挡环3经过喷砂或铝熔射等表面处理之后，第二倒角A2几乎为不可见，从而进一步减小第二倒角A2的具体规格，但是本申请实施例并不限定表面处理的具体工艺。采用上述设计，能避免薄膜沉积于遮挡环3的顶部边角处，以及由于应力原因造成的爆膜现象，以避免对腔室本体及晶圆100造成颗粒污染，从而大幅提高晶圆100的工艺良率。此外由于现有技术中一旦发生爆膜现象则必须对遮挡环3进行更换维护，采用上述设计还能大幅降低维护频率延长使用寿命，从而提高经济效益。

于本申请的一实施例中，如图1A及图2A所示，工艺腔室还包括内衬4，内衬4环绕设置在腔室本体内侧，且内衬4的下端部设置有支撑部41，支撑部41用于在遮挡环3与沉积环2分离时支撑遮挡环3。

如图1A及图2A所示，内衬4具体采用圆形套筒结构，内衬4的顶部外周可以与腔室本体连接，环绕于腔室本体内侧。内衬4的下端部可以一体形成有支撑部41，支撑部41可以由内衬4下端向内侧延伸后再向上延伸，以用于当遮挡环3与沉积环2分离时支撑遮挡环3。具体来说，沉积环2可以跟随基座1升降，当执行工艺时基座1带动沉积环2上升，此时遮挡环3搭接于沉积环2上以执行工艺；而当执行工艺完成时基座1带动沉积环2下降，遮挡环3随沉积环2下降一段后由内衬4的支撑部41进行支撑。采用上述设计，内衬4可以与遮挡环3及沉积环2形成相对独立的反应腔，以使薄膜沉积在内衬4、遮挡环3及沉积环2上，从而避免对腔室本体造成污染。

需要说明的是，本申请实施例并不限定支撑部41的具体结构，例如支撑部41也可以采用其它能支撑遮挡环3的结构即可。因此本申请实施例并不以此为限，本领域技术人员可以根据实际情况自行调整设置。

于本申请的一实施例中，如图1A至图2C所示，内衬4的内周面与遮挡环3的外周面之间具有第三预设间距L3，第三预设间距L3小于或等于6毫米。具体来说，内衬4具***于遮挡环3的外周，并且内衬4的支撑部41由遮挡环3的底部对其进行支撑，因此内衬4的内周面与遮挡环3的外周面之间可以具有第三预设间距L3，第三预设间距L3具体可以设置为小于或等于6毫米。由于采用上述设计，遮挡环3的顶部边角采用倒角设计，再配合第三预设间距L3的设计，可以避免内衬4遮挡环3之间的间隙过大及倒角过大造成的爆膜现象，从而避免对腔室本体及晶圆100造成颗粒污染，以提高晶圆100工艺效率。此外，采用上述设计还能降低遮挡环3的维护频率，从而大幅延长遮挡环3的使用寿命。于本申请的一实施例中，第三预设间距L3具体还可以设置为4.25毫米，从而进一步减少爆膜现象，在提高晶圆工艺良率的同时延长遮挡环3的使用寿命。但是本申请实施例并不限定第三预设间距L3的具体数值，本领域技术人员可以根据薄膜类型及工艺类型自行调整设置。

于本申请的一实施例中，如图1A及图1B所示，遮挡环3的顶面与隔挡部21的顶面平齐。具体来说，遮挡环3具体采用圆环结构，并且遮挡环3的截面形状例如可以是长方形，隔挡部21可以采用圆环结构，并且隔挡部21的截面形状例如采用长方形。遮挡环3具体嵌套于隔挡部21的外周，此时遮挡环3的顶面与隔挡部21的顶面位于同一水平面上，即遮挡环3的顶面与隔挡部21的顶面平齐设置。采用上述设计，由于遮挡环3完全被隔挡部21挡住，使得遮挡环3的热量完全被沉积环2的隔挡部21挡住，从而降低了遮挡环3对晶圆100的热影响，提高了晶圆100表面薄膜的应力稳定性，从而大幅提高了晶圆100的良率。此外，结合上述实施例，沉积环2的隔挡部21顶面与遮挡环3的顶面平齐设置，可有效防止薄膜沉积在沉积环2的外周面及遮挡环3的内周面上，从而有利于延长两者的使用寿命，进而大幅降低维护频率。

需要说明的是，本申请实施例并不限定遮挡环3及隔挡部21的具体形状及结构，例如遮挡环3及隔挡部21还可以采用正方形或其它形状。因此本申请实施例并不以此为限，本领域技术人员可以根据实际情况自行调整设置。

于本申请的一实施例中，如图1A至图3B所示，沉积环2还包括有搭接部22，隔挡部21设置在搭接部22上，与搭接部22连接，搭接部22位于隔挡部21外周侧下位置，遮挡环3位于沉积环2上时，遮挡环3搭接于搭接部22上，并且搭接部22与遮挡环3之间设置有防粘结构5。具体来说，搭接部22具体可以位于隔挡部21外周侧下位置，搭接部22可以是与隔挡部21一体形成的环状结构，但是本申请实施例并不以此为限。当遮挡环3位于沉积环2上时，遮挡环3可以搭接于搭接部22的顶面上，以用于承载遮挡环3。搭接部22与遮挡环3之间设置有防粘结构5，用于避免执行工艺时粒子沉积到两者的接触位置造成粘连。采用上述设计，不仅可以避免沉积环2与遮挡环3之间发生粘连，而且还能避免两者分离造成的颗粒污染，从而进一步提高晶圆100的工艺良率。

需要说明的是，本申请实施例并不限搭接部22的具体结构，例如搭接部22与隔挡部21之间也可以采用分体式结构。因此本申请实施例并不以此为限，本领域技术人员可以根据实际情况自行调整设置。

于本申请的一实施例中，如图1A至图3B所示，防粘结构5包括有第一凹槽51，第一凹槽51开设于搭接部22的顶部，并且环绕隔挡部21设置。第一凹槽51具体可以开设于搭接部22的顶部，第一凹槽51的具体形状为圆环形结构，并且环绕隔挡部21的外周设置，使得第一凹槽51位于遮挡环3与沉积环2之间的深孔结构处，例如第一凹槽51的宽度可以与第一预设间距L1对应设置，但是本申请实施例并不以此为限。在实际执行薄膜沉积工艺时，少量粒子溅射至沉积环2及遮挡环3之间的深孔结构时会直接落入第一凹槽51内，以避免粒子溅射到两者的接触位置而发生粘连，从而避免沉积环2与遮挡环3分离时产生颗粒污染，并且还能提高本申请实施例的稳定性。

于本申请的一实施例中，如图1A至图3B所示，防粘结构5还包括第二凹槽52和第三凹槽53，第二凹槽52开设于搭接部22的顶面，环绕第一凹槽51设置，并且与第一凹槽51连通，第三凹槽53开设于遮挡环3底面，位置与第二凹槽52对应，并且与隔挡部21的外周面与遮挡环3内周面之间的间隙连通。具体来说，搭接部22的顶面内侧开设圆环形的第二凹槽52，该第二凹槽52可以环绕第一凹槽51的外周设置，并且与第一凹槽51连通设置；遮挡环3的底面开设有圆环形的第三凹槽53，该第三凹槽53的位置可以与第二凹槽52对应设置，并且该第三凹槽53可以与隔挡部21外周面与遮挡环内周面之间形成的间隙连通，即第三凹槽53可以开设于开设遮挡环3的内周面与底面之间。采用上述设计，可以进一步避免金属粒子溅射到沉积环2与遮挡环3的接触位置，从而避免两者之间分离时产生颗料污染。

需要说明的是，本申请实施例并不限定第二凹槽52及第三凹槽53的具体实施方式，例如可仅设置有第二凹槽52或者第三凹槽53。因此本申请实施例并不以此为限，本领域技术人员可以根据实际情况自行调整设置。

于本申请的一实施例中，如图1A及图3A所示，遮挡环3的顶面低于隔挡部21的顶面。具体来说，遮挡环3具体嵌套于隔挡部21的外周，遮挡环3的顶面与隔挡部21的顶面位于不同水平面上，并且遮挡环3的顶面低于隔挡部21的顶面，即遮挡环3的顶面低于隔挡部21的顶面。采用上述设计，由于遮挡环3完全被隔挡部21挡住，使得遮挡环3进一步远离晶圆100，由于遮挡环3的热量完全被沉积环2的隔挡部21挡住，进一步降低了遮挡环3对晶圆100的热影响，从而提高了晶圆100表面薄膜的应力稳定性，大幅提高了晶圆100的良率。

基于同一发明构思，本申请实施例提供了一种半导体工艺设备，包括如上述各实施例提供的工艺腔室。

应用本申请实施例，至少能够实现如下有益效果：

本申请实施例通过将沉积环设置于基座上，并且沉积环的隔挡部环绕承载于基座上的晶圆设置，而遮挡环则环绕于隔挡部设置，由于沉积环整体被基座内的冷却结构冷却降温，并且隔挡部位于晶圆及遮挡环之间，隔挡部能防止遮挡环的热量传递至晶圆，使得晶圆表面能形成应力均匀的薄膜，从而大幅提高晶圆的良率。此外应用本申请实施例的晶圆表面薄膜应力较为均匀，使得本申请实施例能适用于应力较大的金属或合金薄膜，从而大幅提高适用性及适用范围。

可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。

术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。

在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

在本说明书的描述中，具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。

以上所述仅是本申请的部分实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本申请的保护范围。

Claims (9)

1.一种半导体工艺设备的工艺腔室，其特征在于，包括：腔室本体及设置于腔室本体内的基座、沉积环及遮挡环；

所述基座用于承载晶圆，所述基座内具有冷却结构，所述冷却结构用于对所述基座及所述晶圆进行冷却降温；

所述沉积环环绕设置于所述基座的顶部，所述沉积环包括环状的隔挡部，所述基座承载有所述晶圆时，所述隔挡部环绕所述晶圆；

所述遮挡环可分离地设置于所述沉积环上，所述遮挡环位于所述沉积环上时，所述遮挡环环绕所述沉积环的所述隔挡部，并且所述遮挡环的顶面不高于所述隔挡部的顶面，以阻挡所述遮挡环的热量向所述晶圆传递；

所述基座承载有所述晶圆时，所述隔挡部的内周面与所述晶圆的边缘之间具有第一预设间距；所述隔挡部的外周面与所述遮挡环的内周面之间具有第二预设间距，形成一间隙，所述第一预设间距和所述第二预设间距均小于或等于2毫米。

2.如权利要求1所述的工艺腔室，其特征在于，所述隔挡部的内周面及外周面与顶面之间均具有第一倒角，所述第一倒角小于或等于1毫米；

所述遮挡环的内周面及外周面与顶面之间均具有第二倒角，所述第二倒角为小于或等于1毫米。

3.如权利要求1所述的工艺腔室，其特征在于，所述工艺腔室还包括内衬，所述内衬环绕设置在所述腔室本体内侧，且所述内衬的下端部设置有支撑部，所述支撑部用于在所述遮挡环与所述沉积环分离时支撑所述遮挡环。

4.如权利要求3所述的工艺腔室，其特征在于，所述内衬的内周面与所述遮挡环的外周面之间具有第三预设间距，所述第三预设间距小于或等于6毫米。

5.如权利要求1所述的工艺腔室，其特征在于，所述遮挡环的顶面与所述隔挡部的顶面平齐。

6.如权利要求1所述的工艺腔室，其特征在于，所述沉积环还包括有搭接部，所述隔挡部设置在所述搭接部上，与所述搭接部连接，所述搭接部位于所述隔挡部外周侧下位置，所述遮挡环位于所述沉积环上时，所述遮挡环搭接于所述搭接部上，并且所述搭接部与所述遮挡环之间设置有防粘结构。

7.如权利要求6所述的工艺腔室，其特征在于，所述防粘结构包括有第一凹槽，所述第一凹槽开设于所述搭接部的顶部，并且环绕所述隔挡部设置。

8.如权利要求7所述的工艺腔室，其特征在于，所述防粘结构还包括第二凹槽和第三凹槽，所述第二凹槽开设于所述搭接部的顶面，环绕所述第一凹槽设置，并且与所述第一凹槽连通，所述第三凹槽开设于所述遮挡环底面，位置与所述第二凹槽对应，并且与所述隔挡部的外周面与所述遮挡环内周面之间的间隙连通。

9.一种半导体工艺设备，其特征在于，包括如权利要求1至8的任一所述的工艺腔室。

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