CN113314673B - 一种基于Mg离子掺杂空穴传输层的钙钛矿光电探测器及其制备方法 - Google Patents

一种基于Mg离子掺杂空穴传输层的钙钛矿光电探测器及其制备方法 Download PDF

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Abstract

本发明涉及光电探测器件技术领域，尤其涉及一种基于Mg离子掺杂空穴传输层的钙钛矿光电探测器及其制备方法。一种基于Mg离子掺杂空穴传输层的钙钛矿光电探测器，主要由依次设置的衬底、导电阳极、空穴传输层、钙钛矿光活性层、电子传输层、修饰层和金属阴极组成，所述空穴传输层材料的化学式为NixMg1–xO，其中0＜x＜1。本发明使用了溶液处理方式，向氧化镍溶液中掺入Mg离子，Mg离子取代部分Ni离子形成NixMg1–xO晶格。该制备过程简单，极大降低器件成本。且掺杂后的器件提高了空穴传输层的载流子萃取能力及迁移率，同时降低了器件的暗电流，提高了可见光范围内的外量子效率、探测率及响应度。

Description

一种基于Mg离子掺杂空穴传输层的钙钛矿光电探测器及其制 备方法
技术领域
本发明涉及光电探测器件技术领域，尤其涉及一种基于Mg离子掺杂空穴传输层的钙钛矿光电探测器及其制备方法。
背景技术
光电探测器是一种能将光信号转换为电信号的光电器件，在视频成像、空间光通信、化学/生物传感、环境监测、空间探索、安全、夜视和运动检测等领域有着广泛的应用。目前，商用光电探测器材料主要是无机半导体，包括Si、GaN、InGaAs和ZnO。由于其优异的光学和电学特性，这些器件具有较宽的光谱响应和高探测率。然而，器件的制造过程复杂且昂贵，需要用到金属有机化学气相沉积等。近年来，研究表明有机金属三卤化物钙钛矿材料拥有出色的光电性能，它可通过交换原子组成来调节带隙、拥有较强的宽带吸收、高载流子迁移率以及较长的载流子扩散长度等优点，且由于钙钛矿太阳能电池的结构、制作过程简单及近年来发展迅速，有望成为下一代太阳能电池。其转换效率取得了突破性的增长，从最初的3.8％增长到最新的25.5％。这些优点还使得新兴的钙钛矿材料有望取代探测器中使用的常规半导体材料。简而言之，有机-无机杂化钙钛矿有望用于快速光检测。而目前空穴传输层与钙钛矿层界面的接触性、电荷累积，及其萃取和传输能力是影响钙钛矿探测器发展的一大难题，其器件的暗电流仍然较高，导致器件的整体探测效率较为低下。
发明内容
为解决上述问题，本发明的一个目的是提供一种基于Mg离子掺杂空穴传输层的钙钛矿光电探测器，该器件采用简单的溶液处理Mg离子掺杂氧化镍作为空穴传输层。
本发明的目的通过如下技术方案实现：
一种基于Mg离子掺杂空穴传输层的钙钛矿光电探测器，主要由依次设置的衬底、导电阳极、空穴传输层、钙钛矿光活性层、电子传输层、修饰层和金属阴极组成，所述空穴传输层材料的化学式为NixMg1–xO，其中0＜x＜1。
优选的是，所述化学式NixMg1–xO中x的值为0.96＜x＜1。
优选的是，所述空穴传输层材料的厚度为20～40nm。
优选的是，所述衬底为玻璃衬底或PET塑料衬底；所述导电阳极材料为ITO或FTO。
优选的是，所述钙钛矿光活性层的材料为MAPbI3，厚度为400～550nm；
所述电子传输层材料为C60、C60衍生物、双富勒烯或双富勒烯衍生物中的任意一种，厚度为20～40nm；
所述修饰层材料为BCP，厚度为8～10nm；
所述金属阴极为Al、Ag、或Cu中的一种或多种，厚度为80～100nm。
本发明另外一个目的是提供一种基于Mg离子掺杂空穴传输层的钙钛矿光电探测器的制备方法，所述方法包括以下步骤：
1)、对由衬底和导电阳极组成的基底进行清洗、干燥和紫外臭氧处理；
2)、在基底表面梯度旋涂NixMg1–xO溶液、梯度退火制得空穴传输层；
3)、在空穴传输层上梯度旋涂MAPbI3前驱体溶液，退火制得钙钛矿光活性层；
4)、在钙钛矿光活性层上蒸镀电子传输层；
5)、在电子传输层上依次蒸镀修饰层、金属阴极，制得所需钙钛矿光电探测器。
优选的是，步骤1)中所述的清洗是指使用洗涤剂、丙酮溶液、异丙酮、酒精和去离子水依次对基底进行超声清洗，每次超声10～20分钟。
优选的是，步骤2)中所述的NixMg1–xO溶液的总摩尔浓度为1mmol/mL；
所述梯度旋涂的程序为：转速2000～3000rpm旋涂10～20s，将转速变为5000～6000rpm旋涂45～60s；
所述梯度退火为：温度140～160℃退火3～7min，温度280～300℃退火25～35min。
优选的是，步骤3)中所述MAPbI3前驱体溶液的总浓度为610～915mg/mL，PbI2与MAI的摩尔比为1:1；所述梯度旋涂的程序为：转速2000～3500rpm旋涂10～15s，将转速变为4000～6000rpm旋涂50～55s，所述退火温度为100℃，退火时间为20min。
优选的是，步骤4)和5)中所述蒸镀为真空蒸镀，控制真空蒸镀机内的气压小于5×10-4Pa。
综上所述，本发明相较于现有技术的有益效果是：
1、器件暗电流低。本发明通过Mg离子掺杂氧化镍作为空穴传输层的技术使得空穴传输层的载流子传输能力得以改善，减少了器件工作中的漏电流，从而大幅降低暗电流。本申请制得的器件暗电流密度低，在-0.1V偏压下，可达到2.2×10-9A/cm2。
2、外量子效率高。通过Mg离子掺杂氧化镍作为空穴传输层的技术有利于促进钙钛矿的生长，提高晶粒尺寸，改善钙钛矿薄膜质量，从而增强对光的吸收及转换，在0V偏压下，外量子效率高达88.1％。
3、器件响应度、探测率高。通过Mg离子掺杂氧化镍作为空穴传输层的技术有利于改善与提高空穴传输层与钙钛矿层界面的接触、电荷累积，及其萃取和传输能力从而提高器件响应度，制得的器件响应度、探测率高，在0V偏压下响应度可达0.41A/W，探测率高达0.56×1014Jones。
附图说明
图1为实施例1所得基于Mg离子掺杂氧化镍作为空穴传输层的钙钛矿光电探测器的暗电流密度曲线图。
图2为实施例1所得基于Mg离子掺杂氧化镍作为空穴传输层的钙钛矿光电探测器在0V偏压下的外量子效率曲线图。
图3为实施例1所得基于Mg离子掺杂氧化镍作为空穴传输层的钙钛矿光电探测器在0V偏压下的光谱响应度。
图4为实施例1所得基于Mg离子掺杂氧化镍作为空穴传输层的钙钛矿光电探测器在0V偏压下的探测率。
图5为对比例1所得基于氧化镍作为空穴传输层的钙钛矿光电探测器的暗电流密度曲线图。
图6为对比例1所得基于氧化镍作为空穴传输层的钙钛矿光电探测器在0V偏压下的外量子效率曲线图。
图7为对比例1所得基于氧化镍作为空穴传输层的钙钛矿光电探测器在0V偏压下的光谱响应度。
图8为对比例1所得基于氧化镍作为空穴传输层的钙钛矿光电探测器在0V偏压下的探测率。
具体实施方式
下面结合具体实施例，对本发明作进一步详细的阐述，但本发明的实施方式并不局限于实施例表示的范围。这些实施例仅用于说明本发明，而非用于限制本发明的范围。此外，在阅读本发明的内容后，本领域的技术人员可以对本发明作各种修改，这些等价变化同样落于本发明所附权利要求书所限定的范围。
以下实施例提供一种基于Mg离子掺杂氧化镍作为空穴传输层的钙钛矿光电探测器，包括从下到上依次设置的衬底、导电阳极、空穴传输层、钙钛矿光活性层、电子传输层、修饰层和金属阴极，所述空穴传输层材料的化学式为NixMg1–xO，膜层厚度为20～40nm。
实施例1
一种基于Mg离子掺杂氧化镍作为空穴传输层的钙钛矿光电探测器的制备方法，包括以下步骤：
(1)选择玻璃为衬底，以ITO为导电阳极，对由衬底和导电阳极组成的基底进行依次清洗及预处理，清洗及预处理方法为：将基底依次放入洗涤剂、丙酮溶液、异丙酮、酒精和去离子水进行超声，超声时间为15min，清洗后使用氮气吹干，干燥后利用紫外臭氧处理基底表面待用；
(2)将99mol％六水合硝酸镍与1mol％MgCl2溶解于乙二胺跟乙二醇的混合溶剂中，溶剂体积比例为14:1，溶液总摩尔浓度为1mmol/mL，在70℃条件下溶解2小时得到Ni0.99Mg0.01O混合溶液。将溶解好的混合溶液用以下旋涂程序旋涂在基底上：转速3000rpm旋涂12s，接着转速变为6000rpm旋涂50s。旋涂结束后将基底采用梯度退火，退火条件为：温度150℃退火5min，温度280℃退火30min。退火处理得到Mg离子掺杂的空穴传输层。
(3)将旋涂有空穴传输层的衬底转移至手套箱中，称量1-1.5mmol碘化铅与1-1.5mmol碘甲胺溶(摩尔比为1:1)于1mLN,N-二甲基甲酰胺和二甲基亚枫(体积比为9:1)的混合溶剂中,得到溶液总浓度为610-915mg/mL的钙钛矿MAPbI3前驱体溶液，将MAPbI3前驱体溶液旋涂在空穴传输层上，旋涂程序为：转速3000rpm旋涂10s，接着转速变为5000rpm旋涂50s。接着将基底100℃退火处理20min，制得钙钛矿光活性层；
(4)将带有阳极、空穴传输层和钙钛矿层的基底放入高真空蒸镀机的蒸发室中，在钙钛矿光活性层上蒸镀厚度为30nm的电子传输层C60；
(5)真空蒸镀机内的气压为4.5×10-4Pa高真空环境下，在电子传输层上蒸镀修饰层BCP(浴铜灵)，控制膜厚为8～10nm，最后蒸镀铜电极，控制膜厚为80～100nm，最终得到结构为衬底/ITO/Ni0.99Mg0.01O/CH3NH3PbI3/C60/BCP/Cu的钙钛矿光电探测器。如图1至图4所示，本实施例所得钙钛矿光电探测器在-0.1V偏压下的暗电流为2.2×10-9A/cm2，外量子效率高达88.1％，器件在640nm处的响应度为0.41A/W，最高探测率为0.56×1014Jones。
实施例2
参照实施例1，仅将步骤(2)改为将98mol％六水合硝酸镍与2mol％MgCl2溶解于乙二胺跟乙二醇的混合溶剂中，其他工艺参数条件与实施例1相同，得到结构为衬底/ITO/Ni0.98Mg0.02O/CH3NH3PbI3/C60/BCP/Cu的钙钛矿光电探测器。该器件的在0V偏压下的外量子效率达83.4％，在640nm处的响应度为0.38A/W。
实施例3
参照实施例1，仅将步骤(2)改为将97mol％六水合硝酸镍与3mol％MgCl2溶解于乙二胺跟乙二醇的混合溶剂中，其他工艺参数条件与实施例1相同，得到结构为衬底/ITO/Ni0.97Mg0.03O/CH3NH3PbI3/C60/BCP/Cu的钙钛矿光电探测器。该器件的在0V偏压下的外量子效率达83.1％，在640nm处的响应度为0.39A/W。
实施例4
参照实施例1，仅将步骤(1)中的阳极材料改为FTO，其他工艺参数条件与实施例1相同，得到结构为衬底/FTO/Ni0.99Mg0.01O/CH3NH3PbI3/C60/BCP/Cu的钙钛矿光电探测器。器件暗电流低、外量子效率高。
实施例5
参照实施例1，仅将步骤(4)中电子传输层C60改为(6,6)-苯基-C61-丁酸甲酯(PC61BM)，其他工艺参数条件与实施例1相同，得到结构为ITO/Ni0.99Mg0.01O/CH3NH3PbI3/PC61BM/BCP/Cu的钙钛矿光电探测器。器件暗电流低、外量子效率高。
对比例1
为验证基于Mg离子掺杂氧化镍作为空穴传输层的钙钛矿光电探测器的性能，该对比例的空穴传输层未引入Mg离子材料，空穴传输层为单一氧化镍材料，具体制备步骤如下：
(1)选择玻璃为衬底，以ITO为导电阳极，对由衬底和导电阳极组成的基底进行依次清洗及预处理，清洗及预处理方法为：将基底依次放入洗涤剂、丙酮溶液、异丙酮、酒精和去离子水进行超声，超声时间为15min，清洗后使用氮气吹干，干燥后利用紫外臭氧处理基底表面待用；
(2)将六水合硝酸镍溶解于乙二胺跟乙二醇的混合溶剂中，溶剂体积比例为14:1，溶液总浓度为1mmol/mL，在70℃条件下溶解2小时得到氧化镍前驱体溶液，将溶解好的前驱体溶液用以下旋涂程序旋涂在基底上：转速3000rpm旋涂12s，接着转速变为6000rpm旋涂50s。旋涂结束后将基底采用梯度退火，退火条件为：温度150℃退火5min，温度280℃退火30min。退火处理得到空穴传输层；
(3)将旋涂有空穴传输层的衬底转移至手套箱中，称量1-1.5mmol碘化铅与1-1.5mmol碘甲胺溶(摩尔比为1:1)于1mLN,N-二甲基甲酰胺和二甲基亚枫(体积比为9:1)的混合溶剂中,得到溶液总浓度为610-915mg/mL的钙钛矿MAPbI3前驱体溶液，将MAPbI3前驱体溶液旋涂在空穴传输层上，旋涂程序为：转速3000rpm旋涂10s，接着转速变为5000rpm旋涂50s。接着将基底100℃退火处理20min，制得钙钛矿光活性层；
(4)将带有阳极、空穴传输层和钙钛矿层的基底放入高真空蒸镀机的蒸发室中，在钙钛矿光活性层上蒸镀厚度为30nm的电子传输层C60；
(5)真空蒸镀机内的气压为4.5×10-4Pa高真空环境下，在电子传输层上蒸镀修饰层BCP，控制膜厚为8～10nm，最后蒸镀铜电极，控制膜厚为80～100nm，最终得到结构为衬底/ITO/NiO/CH3NH3PbI3/C60/BCP/Cu的钙钛矿光电探测器。如图5至图8所示，对比例所得钙钛矿光电探测器在-0.1V偏压下的暗电流密度为5.7×10-9A/cm2，外量子效率为80.0％，器件在640nm处的响应度为0.37A/W，最高探测率为0.49×1014Jones。
结论：通过实施例与对比例的测试数据可以看出，在钙钛矿光电探测器的空穴传输层中掺入Mg离子，能降低暗电流，同时提高外量子效率，从而提升器件的响应度及探测率。

Claims (8)

1.一种基于Mg离子掺杂空穴传输层的钙钛矿光电探测器，其特征在于，所述钙钛矿光电探测器主要由依次设置的衬底、导电阳极、空穴传输层、钙钛矿光活性层、电子传输层、修饰层和金属阴极组成，所述空穴传输层材料的化学式为NixMg1–xO，其中0.98≤x＜1；
所述钙钛矿光活性层的材料为MAPbI3，厚度为400～550nm；
所述电子传输层材料为C60、C60衍生物、双富勒烯或双富勒烯衍生物中的任意一种，厚度为20～40nm；
所述修饰层材料为BCP(浴铜灵)，厚度为8～10nm；
所述金属阴极为Al、Ag、或Cu中的一种或多种，厚度为80～100nm。
2.根据权利要求1所述的基于Mg离子掺杂空穴传输层的钙钛矿光电探测器，其特征在于，所述空穴传输层材料的厚度为20～40nm。
3.根据权利要求1-2任一所述的基于Mg离子掺杂空穴传输层的钙钛矿光电探测器，其特征在于，所述衬底为玻璃衬底或PET塑料衬底；所述导电阳极材料为ITO或FTO。
4.权利要求1所述的一种基于Mg离子掺杂空穴传输层的钙钛矿光电探测器的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
1)、对由衬底和导电阳极组成的基底进行清洗、干燥和紫外臭氧处理；
2)、在基底表面梯度旋涂NixMg1–xO溶液、梯度退火制得空穴传输层；
3)、在空穴传输层上梯度旋涂MAPbI3前驱体溶液，退火制得钙钛矿光活性层；
4)、在钙钛矿光活性层上蒸镀电子传输层；
5)、在电子传输层上依次蒸镀修饰层、金属阴极，制得所需钙钛矿光电探测器。
5.根据权利要求4所述的基于Mg离子掺杂空穴传输层的钙钛矿光电探测器的制备方法，其特征在于，步骤1)中所述的清洗是指使用洗涤剂、丙酮溶液、异丙酮、酒精和去离子水依次对基底进行超声清洗，每次超声10～20分钟。
6.根据权利要求4所述的基于Mg离子掺杂空穴传输层的钙钛矿光电探测器的制备方法，步骤2)中所述的NixMg1–xO溶液的总摩尔浓度为1mmol/mL；所述梯度旋涂的程序为：转速2000～3000rpm旋涂10～20s，将转速变为5000～6000rpm旋涂45～60s；
所述梯度退火为：温度140～160℃退火3～7min，温度280～300℃退火25～35min。
7.根据权利要求4所述的基于Mg离子掺杂空穴传输层的钙钛矿光电探测器的制备方法，步骤3)中所述MAPbI3前驱体溶液的总浓度为610～915mg/mL，PbI2与MAI的摩尔比为1:1；
所述梯度旋涂的程序为：转速2000～3500rpm旋涂10～15s，将转速变为4000～6000rpm旋涂50～55s；
所述退火温度为100℃，退火时间为20min。
8.根据权利要求4所述的基于Mg离子掺杂空穴传输层的钙钛矿光电探测器的制备方法，步骤4)和5)中所述蒸镀为真空蒸镀，控制真空蒸镀机内的气压小于5×10-4Pa。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113790744A (zh) * 2021-09-10 2021-12-14 华能新能源股份有限公司 一种光探测方法及光探测器

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105070834A (zh) * 2015-07-28 2015-11-18 华中科技大学 一种基于掺杂型NiO空穴传输层的钙钛矿太阳能电池及其制备方法
CN106716664A (zh) * 2014-07-11 2017-05-24 洛桑联邦理工学院 模板增强的有机无机钙钛矿异质结光伏器件
CN109216550A (zh) * 2017-06-30 2019-01-15 松下电器产业株式会社 太阳能电池以及太阳能电池模块
CN111244283A (zh) * 2020-01-16 2020-06-05 广西大学 一种增益型钙钛矿光电探测器、制备方法及应用
CN111599923A (zh) * 2020-05-15 2020-08-28 成都新柯力化工科技有限公司 一种提高钙钛矿太阳能电池效率的方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105895817B (zh) * 2016-04-11 2017-09-01 郑州大学 以Ni(Mg)O作为空穴提供层的钙钛矿绿光LED及制备方法
CN107768521B (zh) * 2017-10-20 2019-05-07 吉林大学 一种基于电子俘获诱导空穴注入形成光增益的钙钛矿光电器件及其制备方法
CN110112258A (zh) * 2019-05-23 2019-08-09 电子科技大学 钙钛矿太阳能电池及其制造方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106716664A (zh) * 2014-07-11 2017-05-24 洛桑联邦理工学院 模板增强的有机无机钙钛矿异质结光伏器件
CN105070834A (zh) * 2015-07-28 2015-11-18 华中科技大学 一种基于掺杂型NiO空穴传输层的钙钛矿太阳能电池及其制备方法
CN109216550A (zh) * 2017-06-30 2019-01-15 松下电器产业株式会社 太阳能电池以及太阳能电池模块
CN111244283A (zh) * 2020-01-16 2020-06-05 广西大学 一种增益型钙钛矿光电探测器、制备方法及应用
CN111599923A (zh) * 2020-05-15 2020-08-28 成都新柯力化工科技有限公司 一种提高钙钛矿太阳能电池效率的方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Enhanced Performance of P-type Dye Sensitized Solar Cells Based on Mesoporous Ni1-xMgxO Ternary Oxides Films;Zhanfeng Huang;《RSC Advances》;20141104(第105期);正文第4页右栏第29-46行 *

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