CN113295964A - 一种用于电缆综合试验的电源电路 - Google Patents

Abstract

本申请公开了一种用于电缆综合试验的电源电路，包括：负极性高压电源电路包括第一可调高频交流电源、第一高频高压变压器、第一电阻组、第一电容组、第一光控半导体开关组和第一高压硅堆组；正极性高压电源电路包括第二可调高频交流电源、第二高频高压变压器、第二电阻组、第二电容组、第二光控半导体开关组和第二高压硅堆组；分压耦合单元包括第三电阻组和第三电容组；介损测量单元包括分压电阻组、电流互感器、采集卡和工控机；电流互感器与待测电缆的一端电连接。本申请能够解决现有拓扑电路中的机械开关换向噪音大，耐高压性能较差，且电路集成度较低，导致实际操作效率较差，且无法满足多种状态检测的综合需求的技术问题。

Description

一种用于电缆综合试验的电源电路

技术领域

本申请涉及电缆状态检测技术领域，尤其涉及一种用于电缆综合试验的电源电路。

背景技术

近年来，配电电缆及其相关设备在配网中逐渐普及并大量应用，但配电电缆故障频发，严重影响供电可靠性。现阶段针对配电电缆并没有便捷、可靠、经济的状态检测手段。目前配电电缆的试验主要为耐压试验、局部放电测试和介质损耗试验三种，每种试验对应着一种专业设备，集成度不高，依次现场试验耗时较长，操作不方便。

通常阻尼振荡波电源多用于现场局放试验，不能满足耐压及介损试验需求；超低频正弦波高压电源可用于现场耐压和介损试验，因其等效性问题，无法满足现场局放测试需求。

现有产生超低频余弦方波型电源的拓扑电路中采用的多为机械开关，而机械开关控制下的电源换向噪音大，会影响局部放电信号检测好介质损耗检测；而且电源换向开关在换向过程中需要承受较高电压，存在一定的电路风险；另外，目前的拓扑电路因为集成度较低，无法同时满足电缆的多种状态检测的综合需求。

发明内容

本申请提供了一种用于电缆综合试验的电源电路，用于解决现有拓扑电路中的机械开关换向噪音大，耐高压性能较差，且电路集成度较低，导致实际操作效率较差，且无法满足多种状态检测的综合需求的技术问题。

有鉴于此，本申请第一方面提供了一种用于电缆综合试验的电源电路，包括：负极性高压电源电路、正极性高压电源电路、分压耦合单元、待测电缆和介损测量单元；

所述负极性高压电源电路包括第一可调高频交流电源、第一高频高压变压器、第一电阻组、第一电容组、第一光控半导体开关组和第一高压硅堆组；

所述正极性高压电源电路包括第二可调高频交流电源、第二高频高压变压器、第二电阻组、第二电容组、第二光控半导体开关组和第二高压硅堆组；

所述分压耦合单元包括第三电阻组和第三电容组；

所述介损测量单元包括分压电阻组、电流互感器、采集卡和工控机；

所述电流互感器与所述待测电缆的一端电连接。

可选的，所述负极性高压电源电路与所述正极性高压电源电路的电路连接结构相同，且并联连接。

可选的，还包括：高压电感；

所述高压电感连接于所述负极性高压电源电路与所述分压耦合单元之间。

可选的，所述第一光控半导体开关组包括第一光控半导体开关和第二光控半导体开关；

所述第二光控半导体开关组包括第三光控半导体开关和第四光控半导体开关；

所述第一高压硅堆组包括第一高压硅堆和第二高压硅堆；

所述第二高压硅堆组包括第三高压硅堆和第四高压硅堆。

可选的，所述第一电阻组包括第一电阻和第二电阻；

所述第二电阻组包括第三电阻和第四电阻；

所述第三电阻组包括第五电阻和第六电阻；

所述分压电阻组包括第七电阻和第八电阻。

可选的，所述第一电容组包括第一电容和第二电容；

所述第二电容组包括第三电容和第四电容；

所述第三电容组包括第五电容和第六电容。

可选的，所述第五电阻的一端与所述第六电阻的一端连接；

所述第五电容的一端与所述第六电容的一端连接；

所述第五电阻的另一端和所述第五电容的另一端均与所述分压电阻组相连；

所述第六电阻的另一端和所述第六电容的另一端均与PD耦合单元连接。

可选的，所述分压电阻组中的所述第七电阻与所述第八电阻串联，且所述第八电阻的一端接地。

可选的，所述电流互感器和所述分压电阻组均与所述采集卡的输入端连接；

所述采集卡的输出端与所述工控机的输入端连接。

可选的，所述介损测量单元还包括：通信模块；

所述通信模块与所述工控机相连，用于所述工控机与上位机进行通信。

从以上技术方案可以看出，本申请实施例具有以下优点：

本申请中，提供了一种用于电缆综合试验的电源电路，包括：负极性高压电源电路、正极性高压电源电路、分压耦合单元、待测电缆和介损测量单元；负极性高压电源电路包括第一可调高频交流电源、第一高频高压变压器、第一电阻组、第一电容组、第一光控半导体开关组和第一高压硅堆组；正极性高压电源电路包括第二可调高频交流电源、第二高频高压变压器、第二电阻组、第二电容组、第二光控半导体开关组和第二高压硅堆组；分压耦合单元包括第三电阻组和第三电容组；介损测量单元包括分压电阻组、电流互感器、采集卡和工控机；电流互感器与待测电缆的一端电连接。

本申请提供的用于电缆综合试验的电源电路，通过负极性高压电源电路和正极性高压电源电路形成超低频余弦方波型电源提供试验过程所需电压；电源电路中选取光控半导体开关组实现电源换向，光控半导体开关通过激光束作为开通信号，高低压之间完全隔离，绝缘性能优异；且光控半导体开关开通前的双向耐压性能良好；开通时又无噪音，能够满足高压测试中的局部放电信号和介质损耗的检测需求；可以通过分压耦合单元和介损测量单元实现局放试验和介损试验，一体化电路设计集成度高。因此，本申请能够解决现有拓扑电路中的机械开关换向噪音大，耐高压性能较差，且电路集成度较低，导致实际操作效率较差，且无法满足多种状态检测的综合需求的技术问题。

附图说明

图1为本申请实施例提供的一种用于电缆综合试验的电源电路的拓扑结构示意图；

图2为本申请实施例提供的负向电源换向电路运行示意图；

图3为本申请实施例提供的正向电源换向电路运行示意图；

图4为本申请提供的用于电缆综合试验的电源电路的部件***；

图5为本申请提供的采用本申请电源电路的设备应用示意图；

图6为本申请提供的基于本申请电源电路的耐压试验电路运行拓扑结构图；

图7为本申请提供的基于本申请电源电路的耐压加局放试验电路运行拓扑结构图；

图8为本申请提供的基于本申请电源电路的耐压加介损试验电路运行拓扑结构图；

图9为本申请提供的基于本申请电源电路的耐压、局放加介损试验电路运行拓扑结构图；

附图标记：

负极性高压电源电路1；正极性高压电源电路2；分压耦合单元3；待测电缆4；介损测量单元5；正向高压倍压及换向组件6；负向高压倍压及换向组件7；高压电感器件8；高压电感支柱9；高压电感底座10；滚轮11；高压均压装置12；阻容分压器高压臂13；接地柱14；低压臂及PD耦合单元15；介损测量模块16；补偿电容17；耐压、局放及介损一体化设备18；高压引线19；源端局放测量模块20。

具体实施方式

为了使本技术领域的人员更好地理解本申请方案，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

申请人发现，超低频余弦方波型电源理论上可以进行耐压、局放及介损的检测，超低频余弦方波型电源正向或负向电压维持时进行耐压试验，而电源换向时可进行局放及介损的试验。

为了便于理解，请参阅图1，本申请提供的一种用于电缆综合试验的电源电路的实施例，包括：负极性高压电源电路1、正极性高压电源电路2、分压耦合单元3、待测电缆4和介损测量单元5；

负极性高压电源电路1包括第一可调高频交流电源S1、第一高频高压变压器T1、第一电阻组、第一电容组、第一光控半导体开关组和第一高压硅堆组；而正极性高压电源电路2包括第二可调高频交流电源S2、第二高频高压变压器T2、第二电阻组、第二电容组、第二光控半导体开关组和第二高压硅堆组。其中，第一可调高频交流电源S1和第二可调高频交流电源S2的规格相同，电源频率10KHz～100KHz，电压峰值不低于300V。第一高频高压变压器T1和第二高频高压变压器T2也相同，工作频率在10KHz～100KHz，原边、副边的电压比值不小于1：60，副边输出对地耐压不小于30KV。第一电阻组和第二电阻组均用于限流，作为高压倍压以及换向组件的保护元件，其中的电阻阻值不小于20kΩ。第一光控半导体开关组和第二光控半导体开关组通过开关通断的时序性控制切换组件的工作状态。第一高压硅堆组与第一电容组构成负向倍压电路，第二高压硅堆组与第二电容组构成正向倍压电路。

分压耦合单元3包括第三电阻组和第三电容组。分压耦合单元3主要用于采集电源电压以及耦合高压电源激励出的高频局部放电信号。所以除了电阻和电容之外，还包括PD耦合单元，有局部放电耦合阻抗，主要用于耦合高频局部放电信号，PD耦合单元可以通过上位机控制。具体的，第三电阻组用于电源电压采集，根据电阻分压原理，分压采集的电压和电源电压之间存在一定的关系，可以根据电路原理计算表达出来。而第三电容组用于耦合高频局部放电信号获取。且第三电阻组和第三电容组之间可以平衡调节，以满足电路需求。

介损测量单元5包括分压电阻组、电流互感器CT1、采集卡和工控机；电流互感器CT1与待测电缆4的一端电连接。介损测量单元5用于采集介损关键参数，并进行分析计算，介损测量单元5通过工控机与上位机建立联系，受控于上位机。电压电阻组是由高精度电阻构成，用于获取施加在被测电缆上的精确电压值。电流互感器CT1为高精度电流互感器，与待测电缆4电连接，用于获取被测电缆上的电流值。采集卡为不低于100MS/s的双通道采集卡，电压电流信号经过放大缓冲电路进入采集卡。工控机用于通过采集卡获取的介损关键参数计算介损值。

进一步地，负极性高压电源电路1与正极性高压电源电路2的电路连接结构相同，且并联连接。

请参阅图1，负极性高压电源电路1与正极性高压电源电路2结构对称分布，第一高频高压变压器T1和第二高频高压变压器T2的一端均接地。

进一步地，还包括：高压电感L；高压电感L连接于负极性高压电源电路1与分压耦合单元3之间。

高压电感L作为储能元件，在电源换向时与待测电缆4构成LC回路，要求在设备工作的最高电压下没有可测局部放电信号，电感取值在0.6～2H范围内。

进一步地，第一光控半导体开关组包括第一光控半导体开关K1和第二光控半导体开关K2；第二光控半导体开关组包括第三光控半导体开关K3和第四光控半导体开关K4。

请参阅图1，每个光控半导体开关组包括两个开关，在两极高压电源电路中，通过第一光控半导体开关K1、第二光控半导体开关K2、第三光控半导体开关K3和第四光控半导体开关K4进行电源方向的工作状态控制。

第一高压硅堆组包括第一高压硅堆D1和第二高压硅堆D2；第二高压硅堆组包括第三高压硅堆D3和第四高压硅堆D4。两个高压硅堆分别与两个光控半导体开关连接，通过开关通断实现倍压电路的工作状态控制。

进一步地，第一电阻组包括第一电阻R1和第二电阻R2；第二电阻组包括第三电阻R3和第四电阻R4；第三电阻组包括第五电阻R5和第六电阻R6；分压电阻组包括第七电阻R7和第八电阻R8。

请参阅图1，第一电阻R1与第二电阻R2的一端均与第一高频高压变压器T1连接，分布在不同侧。第三电阻R3和第四电阻R4的一端则均与第二高频高压变压器T2相连，同样分布在不同侧。

进一步地，第一电容组包括第一电容C1和第二电容C2；第二电容组包括第三电容C3和第四电容C4；第三电容组包括第五电容C5和第六电容C6。

请参阅图1，负极性高压电源电路1的连接关系为：第一电容C1的一端与第一电阻R1的另一端相连，第一电容C1的另一端与第一光控半导体开关K1的一端和第二高压硅堆D2的输出端均相连。第一光控半导体开关K1的另一端与第一高压硅堆D1的输入端连接；第二高压硅堆D2的输入端与第二光控半导体开关K2的一端连接。第二电阻R2与第二电容C2串联连接于第二光控半导体开关K2的另一端和第一高压硅堆D1的输出端之间。第一高频高压变压器T1的副边连接于第一电阻R1与第一高压硅堆D1的输出端之间，第一高频高压变压器T1的原边与第一可调高频交流电源S1相连。

可以理解的是，正极性高压电源电路2的结构与负极性高压电源电路1的结构相同，因此，第二可调高频交流电源S2、第二高频高压变压器T2、第二电阻组中的电阻、第二电容组中的电容、第二光控半导体开关组中的开关和第二高压硅堆组高压硅堆之间的连接关系类似于负极性高压电源电路1中的连接关系，不同的点在于部分器件连接方向不同，例如，第三高压硅堆D3和第四高压硅堆D4的连接方向分别与第一高压硅堆D1和第二高压硅堆D2的连接方向相反，从而满足电源正负极性需求。

第二光控半导体开关K2的另一端和第四光控半导体开关K4的另一端作为电源电路的输出端与高压电感L的一端连接。高压电感L的另一端分别与第五电阻R5、第五电容C5、第七电阻R7和待测电缆4的另一端连接。

进一步地，第五电阻R5的一端与第六电阻R6的一端连接；第五电容C5的一端与第六电容C6的一端连接；第五电阻R5的另一端和第五电容C5的另一端均与分压电阻组相连；第六电阻R6的另一端和第六电容C6的另一端均与PD耦合单元连接。分压耦合单元3用于采集电源电压和耦合局放信号，具体的第三电阻组是第五电阻R5和第六电阻R6，根据电阻分压原理，分压采集的电压和电源电压可以按照公式作如下表达：

其中，v_采样为采集的电压，v_电源为电源电压。第三电容组包括第五电容C5和第六电容C6，是两个耦合电容，分压耦合电路中的电阻和电容取值可以通过如下公式进行：

R5×C5＝R6×C6；

以上为分压耦合电路的各个器件的连接关系以及具体调节机制。

进一步地，分压电阻组中的第七电阻R7与第八电阻R8串联，且第八电阻R8的一端接地。分压电阻组是介损测量单元5中的器件，选取高精度电阻用于作分压器件，从而准确获取待测电缆4上的电压。

进一步地，电流互感器CT1和分压电阻组均与采集卡的输入端连接；采集卡的输出端与工控机的输入端连接。请参阅图1，电流互感器CT1的输入端连接在待测电缆4的一端，电流互感器CT1的输出端与采集卡的输入端连接，同时，采集卡的输入端还与第七电阻R7的一端和第八电阻R8的另一端连接，用于获取电压。工控机通过USB接口与采集卡的输出端连接，从中获取关键参数。

进一步地，介损测量单元5还包括：通信模块；通信模块与工控机相连，用于工控机与上位机进行通信。通信模块可以wifi通信机制，工控机获取或者计算的数据可以通过wifi的形式传输给上位机，进行处理。

电路开始运行时，通过切换高压倍压及换向组件的光控半导体开关，电源工作在倍压整流状态，调节高压交流输入电压大小，设备可以产生正向或负向的直流高压电源。因待测的电力电缆对直流高压电源体现为容性负载，此时高压电源通过高压电感L给待测电缆4充电，充电至预定电压后保持。

通过本申请实施例中提出的用于电缆综合试验的电源电路主要是产生余弦方波型超低频电压。需要强调的是，电源换向时，需要停止交流高压输入，通过控制高压倍压及换向组件中开关的方向，高压电感L和待测电缆4构成LC回路，实现电源的换向，电源换向波形频率可以通过以下公式计算：

C为待测电缆4等效电容。

产生目标电压的操作过程可以划分为如下操作：

1)负向升压

如图2所示，电源开始运行，在0s时，闭合第一光控半导体开关K1、第二光控半导体开关K2，断开第三光控半导体开关K3、第四光控半导体开关K4，实际执行过程可以延时一段时间，例如20ms，此时高压倍压及换向组件处于负向电源倍压电路状态，调节第一可调高频交流电源S1幅值，可控制设备输出负向直流高压的幅值，负向直流高压通过高压电感L向待测电缆4充电蓄能，充电至预设负向直流电压后保持电压，根据最后需要产生电源的频率确定负向直流高压保持时间，可以采用定时器进行计时，负向直流高压需保持时间可按以下公式计算：

2)正向电源换向

如图3所示，负压直流高压保持时间到了之后，首先关闭第一可调高频交流电源S1，然后依次断开第一光控半导体开关K1、第二光控半导体开关K2，闭合第三半导体光控开关K3、第四半导体光控开关K4，此时待测电缆4等效电容C与高压电感L形成LC振荡波回路，实现电源电压方向由负向变换为正向，电源换向波形频率可以通过以下公式计算：

电源换向时间通常为2-6ms。现场试验在电源换向时进行局部放电以及介损测量，电源换向时要求参与换向的开关元件在换向电压下没有局部放电信号可测。

3)正向电压保持

电源换向为正向后，保持开关状态，此时高压倍压及换向组件处于正向电源倍压电路状态，打开并调节第二可调高频交流电源S2，可控制输出正向直流电压的幅值，正向直流高压通过高压电感L向待测电缆4充电蓄能，充电至预设正向直流电压后保持电压，保持时间同负向直流电压保持时间。

4)负向电源换向

如图2所示，正向压高压保持时间到之后，首先关闭第二可调高频交流电源S2，然后依次断开第三光控半导体开关K3、第四光控半导体开关K4，闭合第一光控半导体开关K1、第二光控半导体开关K2，此时待测电缆4的等效电容C与高压电感L形成LC振荡波回路，实现电源电压方向由正向变换为负向。

重复上述4个操作过程就可以产生余弦方波型超低频电压。

本申请实施例提供的用于电缆综合试验的电源电路，通过负极性高压电源电路和正极性高压电源电路形成超低频余弦方波型电源提供试验过程所需电压；电源电路中选取光控半导体开关组实现电源换向，光控半导体开关通过激光束作为开通信号，高低压之间完全隔离，绝缘性能优异；且光控半导体开关开通前的双向耐压性能良好；开通时又无噪音，能够满足高压测试中的局部放电信号和介质损耗的检测需求；可以通过分压耦合单元和介损测量单元实现局放试验和介损试验，一体化电路设计集成度高。因此，本申请实施例能够解决现有拓扑电路中的机械开关换向噪音大，耐高压性能较差，且电路集成度较低，导致实际操作效率较差，且无法满足多种状态检测的综合需求的技术问题。

为了便于理解，提供一种用于电缆综合试验的电源电路的部件***，请参阅图4，具体包括正向高压倍压及换向组件6、负向高压倍压及换向组件7、高压电感器件8、高压电感支柱9、高压电感底座10、滚轮11、高压均压装置12、阻容分压器高压臂13、接地柱14、低压臂及PD耦合单元15和介损测量模块16。具体的工作模式如上，不再赘述。

为了便于理解，提供一种用于电缆综合试验的电源的现场设备应用案例；请参阅图5，包括补偿电容17，耐压、局放及介损一体化设备18，高压引线19、待测电缆4和源端局放测量模块20。通过该应用案例，可以分别进行耐压试验，耐压加局放试验，耐压加介损试验和耐压、局放加介损试验，根据不同的电路工作模式，可以得到如图6-9的试验电路图。

图6为耐压试验电路运行拓扑图，上位机控制关闭PD耦合单元以及介损测量单元5的部分电路功能，只有第五电阻R5和第六电阻R6构成的电压取样电路正常运行，此时设备工作在耐压模式，升压后可对待测电缆4进行耐压测试。

图7为耐压加局放试验电路运行拓扑图，上位机控制关闭介损测量单元5，第五电阻R5和第六电阻R6构成电压取样电路，第五电容C5、第六电容C6和PD耦合单元构成局放耦合电路工作，此时设备工作在耐压加局放模式，升压后，不仅对被测电缆进行耐压试验，在耐压的同时测量局放，试验后可给出耐压和局放结论。

图8为耐压加介损试验电路运行拓扑图，上位机控制关闭PD耦合单元，第五电阻R5和第六电阻R6构成电压取样电路以及介损测量单元5电路工作，此时设备工作在耐压加介损模式，升压后，不仅对被测电缆进行耐压试验，在耐压的同时测量介损值，试验后可给出耐压和介损结论。

图9为耐压、局放及介损一体化试验电路运行拓扑图，分压耦合单元3和介损测量单元5均正常工作，此时设备工作在耐压、局放和介损模式，升压后，不仅对被测电缆进行耐压试验，在耐压的同时测量局放和介损值，试验后可给出耐压、局放和介损结论。

在本申请所提供的几个实施例中，应该理解到，所揭露的装置和方法，可以通过其它的方式实现。例如，以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，例如，所述单元的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，例如多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个***，或一些特征可以忽略，或不执行。另一点，所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些接口，装置或单元的间接耦合或通信连接，可以是电性，机械或其它的形式。

所述作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本实施例方案的目的。

另外，在本申请各个实施例中的各功能单元可以集成在一个处理单元中，也可以是各个单元单独物理存在，也可以两个或两个以上单元集成在一个单元中。上述集成的单元既可以采用硬件的形式实现，也可以采用软件功能单元的形式实现。

所述集成的单元如果以软件功能单元的形式实现并作为独立的产品销售或使用时，可以存储在一个计算机可读取存储介质中。基于这样的理解，本申请的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分或者该技术方案的全部或部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在一个存储介质中，包括若干指令用以通过一台计算机设备(可以是个人计算机，服务器，或者网络设备等)执行本申请各个实施例所述方法的全部或部分步骤。而前述的存储介质包括：U盘、移动硬盘、只读存储器(英文全称：Read-OnlyMemory，英文缩写：ROM)、随机存取存储器(英文全称：Random Access Memory，英文缩写：RAM)、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。

以上所述，以上实施例仅用以说明本申请的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本申请进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例技术方案的精神和范围。

Claims (10)

1.一种用于电缆综合试验的电源电路，其特征在于，包括：负极性高压电源电路、正极性高压电源电路、分压耦合单元、待测电缆和介损测量单元；

所述负极性高压电源电路包括第一可调高频交流电源、第一高频高压变压器、第一电阻组、第一电容组、第一光控半导体开关组和第一高压硅堆组；

所述正极性高压电源电路包括第二可调高频交流电源、第二高频高压变压器、第二电阻组、第二电容组、第二光控半导体开关组和第二高压硅堆组；

所述分压耦合单元包括第三电阻组和第三电容组；

所述介损测量单元包括分压电阻组、电流互感器、采集卡和工控机；

所述电流互感器与所述待测电缆的一端电连接。

2.根据权利要求1所述的用于电缆综合试验的电源电路，其特征在于，所述负极性高压电源电路与所述正极性高压电源电路的电路连接结构相同，且并联连接。

3.根据权利要求1所述的用于电缆综合试验的电源电路，其特征在于，还包括：高压电感；

所述高压电感连接于所述负极性高压电源电路与所述分压耦合单元之间。

4.根据权利要求1所述的用于电缆综合试验的电源电路，其特征在于，所述第一光控半导体开关组包括第一光控半导体开关和第二光控半导体开关；

所述第二光控半导体开关组包括第三光控半导体开关和第四光控半导体开关；

所述第一高压硅堆组包括第一高压硅堆和第二高压硅堆；

所述第二高压硅堆组包括第三高压硅堆和第四高压硅堆。

5.根据权利要求1所述的用于电缆综合试验的电源电路，其特征在于，所述第一电阻组包括第一电阻和第二电阻；

所述第二电阻组包括第三电阻和第四电阻；

所述第三电阻组包括第五电阻和第六电阻；

所述分压电阻组包括第七电阻和第八电阻。

6.根据权利要求5所述的用于电缆综合试验的电源电路，其特征在于，所述第一电容组包括第一电容和第二电容；

所述第二电容组包括第三电容和第四电容；

所述第三电容组包括第五电容和第六电容。

7.根据权利要求6所述的用于电缆综合试验的电源电路，其特征在于，所述第五电阻的一端与所述第六电阻的一端连接；

所述第五电容的一端与所述第六电容的一端连接；

所述第五电阻的另一端和所述第五电容的另一端均与所述分压电阻组相连；

所述第六电阻的另一端和所述第六电容的另一端均与PD耦合单元连接。

8.根据权利要求6所述的用于电缆综合试验的电源电路，其特征在于，所述分压电阻组中的所述第七电阻与所述第八电阻串联，且所述第八电阻的一端接地。

9.根据权利要求8所述的用于电缆综合试验的电源电路，其特征在于，所述电流互感器和所述分压电阻组均与所述采集卡的输入端连接；

所述采集卡的输出端与所述工控机的输入端连接。

10.根据权利要求1所述的用于电缆综合试验的电源电路，其特征在于，所述介损测量单元还包括：通信模块；

所述通信模块与所述工控机相连，用于所述工控机与上位机进行通信。

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