CN113293430A - 一种大直径单晶拉制过程中二次放肩的方法 - Google Patents

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杨昊
赵秀雷
牛立东
李向宇
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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
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Abstract

本发明公开了一种大直径单晶拉制过程中二次放肩的方法，涉及直拉单晶拉晶技术领域。本发明的方法包括如下步骤：第一步.引晶放肩和开叉；第二步.提升拉速，用于肩型闭合收成线；第三步.二次开叉，用于二次放肩。本发明通过单晶放肩到等径过程中，存在界面反转的过程，放肩过程中二次放肩可以在放肩过程中改善肩部凸面大，界面形态差的情况；二次放肩过程中改善界面形态后，单晶等径后头部界面形态较一次放肩单晶界面小，界面反转更容易，因界面反转带来的断线可以降低。

Description

一种大直径单晶拉制过程中二次放肩的方法
技术领域
本发明属于直拉单晶拉晶技术领域，特别是涉及一种大直径单晶拉制过程中二次放肩的方法。
背景技术
随着单晶产能提升，单晶拉制直径逐渐向大尺寸单晶迈进，自210大尺寸硅片发布以来，其发展速度极为快速，210大尺寸硅片作为能够降低光伏电站***效益的有效方式，令光伏市场充满期待，其发展进度一直以来也备受行业关注；
但随着直拉法单晶尺寸向12吋单晶迈进的同时，12吋单晶引放成活率低，成晶率低的问题也得以显现，大尺寸单晶引放成活率提升，完全可以代表大尺寸单晶的制程能力，故改善大尺寸单晶的引放成活率，显的尤为重要。
发明内容
本发明的目的在于提供一种大直径单晶拉制过程中二次放肩的方法，以解决了现有的问题：随着直拉法单晶尺寸向12吋单晶迈进的同时，12吋单晶引放成活率低。
为解决上述技术问题，本发明是通过以下技术方案实现的：一种大直径单晶拉制过程中二次放肩的方法，方法包括如下步骤：
第一步.引晶放肩和开叉；
第二步.提升拉速，用于肩型闭合收成线；
第三步.二次开叉，用于二次放肩。
进一步地，所述引晶在拉速合适后正常放肩，所述放肩过程中正常开叉。
进一步地，所述开叉后提升拉速，用于肩型闭合，收成线。
进一步地，所述收成线后进行二次开叉，用于二次放肩，直到放肩完成。
与现有技术相比，本发明的有益效果是：
本发明在单晶放肩到等径过程中，存在界面反转的过程，放肩过程中二次放肩可以在放肩过程中改善肩部凸面大，界面形态差的情况；二次放肩过程中改善界面形态后，单晶等径后头部界面形态较一次放肩单晶界面小，界面反转更容易，因界面反转带来的断线可以降低。
具体实施方式
下面将对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明为一种大直径单晶拉制过程中二次放肩的方法。
具体的，本发明包括以下步骤：
第一步.引晶放肩和开叉；引晶在拉速合适后正常放肩，放肩过程中正常开叉，整个过程可以在放肩参数内设定；
第二步.提升拉速，用于肩型闭合收成线；开叉后提升拉速，用于肩型闭合，收成线，本次操作可以暂时手动操作，统计大数据后，按照大数据设置参数；
第三步.二次开叉，用于二次放肩；收成线后进行二次开叉，用于二次放肩，直到放肩完成。
综上步骤，需要根据实际放肩情况进行参数修改，达到参数匹配现场的情况。
由此，本发明产生的效果是控制单晶二次放肩过程，达到引放成活率的改善，改善放肩、等径过程的界面反转形态，达到降低放肩短线和等径头部断线的目的。
以上公开的本发明优选实施例只是用于帮助阐述本发明。优选实施例并没有详尽叙述所有的细节，也不限制该发明仅为所述的具体实施方式。显然，根据本说明书的内容，可作很多的修改和变化。本说明书选取并具体描述这些实施例，是为了更好地解释本发明的原理和实际应用，从而使所属技术领域技术人员能很好地理解和利用本发明。本发明仅受权利要求书及其全部范围和等效物的限制。

Claims (4)

1.一种大直径单晶拉制过程中二次放肩的方法，其特征在于：方法包括如下步骤：
第一步.引晶放肩和开叉；
第二步.提升拉速，用于肩型闭合收成线；
第三步.二次开叉，用于二次放肩。
2.根据权利要求1所述的一种大直径单晶拉制过程中二次放肩的方法，其特征在于：所述引晶在拉速合适后正常放肩，所述放肩过程中正常开叉。
3.根据权利要求2所述的一种大直径单晶拉制过程中二次放肩的方法，其特征在于：所述开叉后提升拉速，用于肩型闭合，收成线。
4.根据权利要求3所述的一种大直径单晶拉制过程中二次放肩的方法，其特征在于：所述收成线后进行二次开叉，用于二次放肩，直到放肩完成。
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