CN113261204A - 电放大器和包括电放大器的电光装置 - Google Patents

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Abstract

一种电放大器，其包括具有第一输出端口和第二输出端口的差分前置放大器(PA)；第一输出单元，其被连接到差分前置放大器的第一输出端口，以及第二输出单元，其被连接到差分前置放大器的第二输出端口；其中，第一输出单元和第二输出单元中的每一个包括发射极跟随器单元和偏置晶体管；其中，第一输出单元的发射极跟随器单元的发射极通过第一电容器(C1)被连接到第二输出单元的偏置晶体管的基极；并且其中，第二输出单元的发射极跟随器单元的发射极通过第二电容器(C2)被连接到第一输出单元的偏置晶体管的基极。

Description

电放大器和包括电放大器的电光装置
技术领域
本发明涉及电放大器、放大电信号的方法和包括电放大器的电光装置。
背景技术
光学通信***采用各种电压驱动装置以产生光调制。最常用的装置中的一种是马赫-曾德尔干涉调制器(MZM)。MZM具有波长独立的传递函数；此外，它能够在双电极结构中运行，即——与单电极调制器相比——需要更低的驱动电压并且提供无啁啾(chirp-free)光学输出。
对于SiPh MZM，反向偏置结通常被使用以产生电光效应。该方法的一个缺点是反向偏置结具有非常小的电容，并且因此需要具有相对高的驱动电压和损耗的长调制器以实现所需的消光比。行波电极或分布式放大器是最常见的驱动方案。
为了减小调制器的尺寸和损耗，正向偏置结是要被优选的。正向偏置结用作注入装置——因此——鉴于其长度较短，它具有非常大的电容(>1pF)以产生足够的消光比。为了驱动这个重负载，需要低阻抗驱动器。最好的驱动器由B类输出级组成；也被称为推挽。在CMOS技术中，这种实现是直接的，但在通常只有横向PNP晶体管可用的双极技术中，最合适的级是发射极跟随器(EF)。
在EF中，当输出变高时并非来自顶部晶体管的所有电流都可用于对负载充电，因为流经偏置晶体管会损失一些电流，从而减慢转换时间。
规避该缺点的一种方式是提供用于信号在转换期间激活偏置晶体管的辅助路径，将其变成有源下拉元件，其从输出节点吸收或向输出节点提供额外的电流的量，从而加速转换。
该原理已经在美国专利No.6,707,589B2中被描述，并且被用于单端的EAM驱动器。相同的原理也被应用于Enrico Temporiti等的标题为“Insights Into SiliconPhotonics Mach-Zehnder-Based Optical Transmitter Architectures(基于马赫-曾德尔的硅光子学的光发射器架构洞察)”IEEE固态电路期刊(Vol.51，No.12，pp.3178-3191，2016年12月)的论文中的差分MZM驱动器。
上述实现的一个缺点是通过前置驱动器级(下文中也被称为前置放大器)看到的负载电容由耦合电容器和下拉器件的输入电容的串联电容增加，因此，不可能改善输出转换时间而不损害前置驱动器的带宽。当需要低功率和高电压摆幅时尤其如此。
能够包括在前置驱动器与输出级之间的额外的缓冲器，但这会导致总电流消耗增加。此外，如美国专利No.6,707,589B2所示，辅助缓冲器需要更高的电源电压，以防止下拉元件的饱和，其变成额外的功率消耗。
本发明的目的
本发明的目的是提供一种改进的电放大器。
本发明的进一步的目的是提供一种改进的放大电信号的方法。
本发明的进一步的目的是提供一种改进的电光装置。
发明内容
本发明的一个实施例涉及一种电放大器，其包括：具有第一输出端口和第二输出端口的差分前置放大器；第一输出单元和第二输出单元，第一输出单元被连接到差分前置放大器的第一输出端口，第二输出单元被连接到差分前置放大器的第二输出端口，第一输出单元和第二输出单元相对于彼此被电气地并联布置；以及正反馈回路，其耦合第一输出单元和第二输出单元，并且包括第一电容器和第二电容器；其中，第一输出单元和第二输出单元中的每一个包括发射极跟随器单元和与其输出单元的发射极跟随器单元被串联连接的偏置晶体管；其中，第一输出单元的发射极跟随器单元的发射极通过正反馈回路的第一电容器被连接到第二输出单元的偏置晶体管的基极；并且其中，第二输出单元的发射极跟随器单元的发射极通过正反馈回路的第二电容器被连接到第一输出单元的偏置晶体管的基极。
放大器的正反馈回路可以减少放大器输出端口的转换时间。因此，放大器可以被用作具有改进的开关速度和功率消耗的调制器驱动器电路(例如用于诸如MZM调制器的电光装置)。虽然所提出的放大器被专门设计用于SiPh MZM，但它当然可以与其他类型的光学调制器一起被使用。
第一输出单元的发射极跟随器单元的发射极优选地形成电放大器的第一输出端口。
第二输出单元的发射极跟随器单元的发射极优选地形成电放大器的第二输出端口。
第一输出单元和/或第二输出单元的偏置晶体管的基极还优选地经由电阻器被连接到公共电压源。
差分前置放大器的第一输出端口优选地被连接到第一输出单元的发射极跟随器单元的基极。
差分前置放大器的第二输出端口优选地被连接到第二输出单元的发射极跟随器单元的基极。
第一输出单元优选地包括内串联电路和外串联电路。
第一输出单元的内串联电路优选地包括所述第一输出单元的发射极跟随器单元，以下被称为内发射极跟随器，以及所述第一输出单元的偏置晶体管，以下被称为内偏置晶体管。内偏置晶体管优选地与内发射极跟随器单元被串联连接。
第二输出单元的发射极跟随器单元的发射极优选地通过正反馈回路的第二电容器被连接到第一输出单元的内偏置晶体管的基极。
第一输出单元的内发射极跟随器单元的发射极优选地通过正反馈回路的第一电容器被连接到第二输出单元的偏置晶体管的基极。
外发射极跟随器单元的发射极优选地形成电放大器的第一输出端口。
差分前置放大器的第一输出端口优选地被连接到内发射极跟随器单元的基极和外发射极跟随器单元的基极两者。
第一输出单元的内串联电路优选地包括被连接到内偏置晶体管的发射极的阻抗。阻抗优选地包括具有与第一辅助电容器并联的电阻的并联谐振电路。
第二输出单元优选地包括被连接到第二输出单元的偏置晶体管的发射极的阻抗。第二输出单元的阻抗优选地包括具有与第二辅助电容器并联的电阻的并联谐振电路。
根据优选的实施例，第一输出单元包括第一内串联电路和第一外串联电路，其中，第一内串联电路与第一外串联电路被并联连接。第二输出单元优选地包括第二内串联电路和第二外串联电路，其中，第二内串联电路与第二外串联电路被并联连接。
第一内串联电路优选地包括所述第一输出单元的发射极跟随器单元，以下被称为第一内发射极跟随器单元，以及所述第一输出单元的偏置晶体管，以下被称为第一内偏置晶体管。第一内偏置晶体管优选地与第一内发射极跟随器单元被串联连接。
第一外串联电路优选地包括第一外发射极跟随器单元和与第一外发射极跟随器单元串联连接的第一外偏置晶体管。
第二内串联电路优选地包括所述第二输出单元的发射极跟随器单元，以下被称为第二内发射极跟随器单元，以及所述第二输出单元的偏置晶体管，以下被称为第二内偏置晶体管。第二内偏置晶体管优选地与第二内发射极跟随器单元串联连接。
第二外串联电路优选地包括第二外发射极跟随器单元和与第二外发射极跟随器单元串联连接的第二外偏置晶体管。
第二内发射极跟随器单元的发射极优选地通过正反馈回路的第二电容器被连接到所述第一内偏置晶体管的基极和所述第一外偏置晶体管的基极两者。
第一内发射极跟随器单元的发射极优选地通过所述正反馈回路的第一电容器被连接到第二内偏置晶体管的基极和第二外偏置晶体管的基极两者。
差分前置放大器的第一输出端口优选地被连接到第一内发射极跟随器单元的基极和第一外发射极跟随器单元的基极两者。
差分前置放大器的第二输出端口优选地被连接到第二内发射极跟随器单元的基极和第二外发射极跟随器单元的基极两者。
第一外发射极跟随器单元的发射极优选地形成电放大器的第一输出端口。
第二外发射极跟随器单元的发射极优选地形成电放大器的第二输出端口。
第一内偏置晶体管的基极优选地经由第一电阻器被连接到公共电压源。
第二内偏置晶体管的基极优选地经由第二电阻器被连接到同一个公共电压源或另一公共电压源。
第一内偏置晶体管的发射极优选地通过第一阻抗被连接到参考电位。
第二内偏置晶体管的发射极优选地通过第二阻抗被连接到同一个参考电位或另一参考电位。
优选地，所有发射极跟随器单元是npn双极性晶体管或包括npn双极性晶体管。
优选地，所有偏置晶体管是npn双极性晶体管。
本发明的进一步的实施例涉及放大电信号的方法，其包括以下步骤：
利用具有第一输出端口和第二输出端口的差分前置放大器对差分输入信号进行前置放大；
将差分前置放大器的第一前置放大信号馈送入第一输出单元，并且将差分前置放大器的第二前置放大信号馈送入第二输出单元，第一输出单元与第二输出单元被相对于彼此被电气地并联布置；以及
经由第一电容器和第二电容器通过耦合第一输出单元和第二输出单元来提供正反馈；
其中，第一输出单元和第二输出单元中的每一个包括发射极跟随器单元和与其输出单元的发射极跟随器单元串联连接的偏置晶体管；
其中，第一输出单元的发射极跟随器单元的发射极通过第一电容器被连接到第二输出单元的偏置晶体管的基极；并且
其中，第二输出单元的发射极跟随器单元的发射极通过第二电容器被连接到第一输出单元的偏置晶体管的基极。
本发明的进一步的实施例涉及包括电放大器的电光装置，其包括：
具有第一输出端口和第二输出端口的差分前置放大器；
第一输出单元和第二输出单元，第一输出单元被连接到差分前置放大器的第一输出端口，第二输出单元被连接到差分前置放大器的第二输出端口，第一输出单元和第二输出单元相对于彼此被电气地并联布置；以及
第一电容器和第二电容器，其均耦合第一输出单元和第二输出单元；
其中，第一输出单元和第二输出单元中的每一个包括发射极跟随器单元和与其输出单元的发射极跟随器单元串联连接的偏置晶体管；
其中，第一输出单元的发射极跟随器单元的发射极通过第一电容器被连接到第二输出单元的偏置晶体管的基极；并且
其中，第二输出单元的发射极跟随器单元的发射极通过第二电容器被连接到第一输出单元的偏置晶体管的基极。
电光装置可以进一步包括具有用于输入调制信号的至少一个输入端口的电光调制器，其中，电放大器的至少一个输出端口被连接到电光调制器的所述至少一个输入端口。
附图说明
为了将容易理解获得本发明的上述和其他优点的方式，以上简要描述的本发明的更具体的描述将通过参考在附图中示出的本发明的特定实施例而被呈现。理解这些附图仅描绘了本发明的典型实施例，因此不应被视为对其范围的限制，将通过附图的使用利用额外的特性和细节来描述和解释本发明，其中，
图1图示根据本发明的电光装置和电放大器的第一示例性实施例；
图2图示根据本发明的电光装置和电放大器的第二示例性实施例；
图3图示根据本发明的电光装置和电放大器的第三示例性实施例；
图4图示根据本发明的电光装置和电放大器的第四示例性实施例；
图5图示没有正反馈回路的电放大器；
图6图示描绘图1、图3和图5的实施例的电压脉冲响应U(t)和下拉电流I(t)随时间t变化的时域模拟；以及
图7更详细地图示包括MZM的电光装置。
具体实施方式
本发明的优选的实施例通过参考附图将被最好地理解。将容易理解的是，如本文中的附图中所一般描述和图示的，本发明可以在宽范围内变化。因此，如附图中所表示的本发明的示例性实施例的以下更详细描述并非旨在限制所要求保护的本发明的范围，而仅代表本发明的当前优选的实施例。
图1示出了根据本发明的电光装置1和电放大器10的第一示例性实施例。电放大器10被连接到电源电压Vc、参考电位V0和两个负载MD1和MD2。负载MD1和MD2可以是例如基于SiPh的马赫-曾德尔干涉式调制器(MZM)的二极管。二极管优选地被分配给MZM的相对的干涉仪臂，以增加它们对由马赫-曾德尔干涉式调制器产生的光学信号的影响。
电放大器10包括差分前置放大器PA。在图1的示例性实施例中，差分前置放大器PA包括电阻器R1和R2、晶体管(优选地npn双极性晶体管)T1和T2以及提供恒定电流I的电流源。
差分前置放大器PA的输入端口Pil和Pi2允许差分输入信号±Vin/2的输入。作为响应，差分前置放大器PA在差分前置放大器PA的第一输出端口P1处产生第一前置放大信号V1，并且在差分前置放大器PA的第二输出端口P2处产生第二前置放大信号V2。
电放大器10进一步包括被连接到差分前置放大器PA的第一输出端口P1的第一输出单元100，以及被连接到差分前置放大器PA的第二输出端口P2的第二输出单元200。
第一输出单元100包括发射极跟随器单元110和与发射极跟随器单元110串联连接的偏置晶体管120。发射极跟随器单元110和偏置晶体管120可以是双极性晶体管(优选地npn晶体管)或者可以包括双极性晶体管(优选地npn晶体管)。第一输出单元100的偏置晶体管120的基极经由电阻器Rb1被连接到恒定公共电压源Vc1。
第二输出单元200包括发射极跟随器单元210和与发射极跟随器单元210串联的偏置晶体管220。发射极跟随器单元210和偏置晶体管220可以是双极性晶体管(优选地npn晶体管)或者可以包括双极性晶体管(优选地npn晶体管)。第二输出单元200的偏置晶体管220的基极经由电阻器Rb2被连接到恒定公共电压源Vc2。恒定公共电压源Vc2可以与恒定公共电压源Vc1相同。电阻器Rb1和Rb2可以是相同的。
差分前置放大器PA的第一输出端口P1被连接到第一输出单元100的发射极跟随器单元110的基极。差分前置放大器PA的第二输出端口P2被连接到第一输出单元100的发射极跟随器单元110的基极。
第一输出单元100和第二输出单元200相对于彼此被电气地并联布置并且与前置放大器PA并联。
在图1的示例性实施例中，第一输出单元100的发射极跟随器单元110的发射极形成电放大器10的第一输出端口Pout1。第二输出单元200的发射极跟随器单元110的发射极形成电放大器10的第二输出端口Pout2。电放大器10因此是双端的并且允许利用反向输入信号馈送两个负载MD1和MD2。
电放大器10进一步包括正反馈回路300，其耦合第一输出单元100和第二输出单元200并且包括第一电容器C1和第二电容器C2。在图1的示例性实施例中，正反馈回路300由电容器C1和C2以及偏置晶体管140和240组成。
正反馈回路300的第一电容器C1连接第一输出单元100的发射极跟随器单元110的发射极和第二输出单元200的偏置晶体管220的基极。
正反馈回路300的第二电容器C2连接第二输出单元200的发射极跟随器单元210的发射极和第一输出单元100的偏置晶体管120的基极。
在图1的示例性实施例中，晶体管T1和T2的差分对与集电极电阻器R1和R2一起提供在负载MD1和MD2中产生电光效应所需的电压摆幅。两个发射极跟随器单元110和210提供低阻抗输出并且因此提供相比于单独的前置放大器PA的输出电流比较大的输出电流。
如上所述，发射极跟随器单元110和210的发射极中的每一个分别经由电容器C1和C2被耦合到偏置晶体管210和120的基极，从而形成差分伪推挽布置。这种差分伪推挽布置创建了一个显着地加快转换时间的正反馈回路。事实上，当输出端口Vout1变高时，偏置晶体管220的基极电压将升高，加速输出端口Vout2的放电。因此，偏压晶体管120处的基极电压会下降得更快；这反过来又会导致更多的电流流入负载MD1，使得输出端口Vout1将上升得更快，等等。回路300仅在信号转换期间被自维持并且直到在偏置晶体管120和220的基极处的电压回到其稳态值。
由于耦合电容器C1和C2被连接到输出端口Vout1和Vout2，它们对前置放大器PA的带宽没有影响，使得前置放大器PA能够为低功率消耗而被优化，即，具有低偏置电流和高输出电阻。
为了将图1的正反馈回路300的效果可视化，图5示出没有正反馈回路的实施例。在图5中，耦合电容器C1和C2被耦合到前置放大器PA，因此不能够形成正反馈回路。因此，如结合图1所解释的，对信号转换速度的正影响在图5的实施例中不存在。图5的实施例类似于现有技术。
图6示出描绘图1和图5的实施例的电压脉冲响应U(t)和下拉电流I(t)随时间t变化的时域模拟。能够看出，与图5的实施例相比，图1的实施例中的转换时间显著地更小。进一步的改进能够通过结合图3的以下进一步解释的附加措施而被实现。
图2示出根据本发明的电光装置1和电放大器10的第二示例性实施例。图2的电放大器10是单端的并且仅提供单个输出Vout1。图2的第二实施例的其他特征与图1的第一实施例的那些相同。因此，以上关于正反馈回路300及其对速度(例如信号边沿的转换时间)的正影响的解释也适用于第二示例性实施例。
图1和图2的电放大器10的一个缺点是，如果负载MD1和/或MD2具有电感部件——例如由于电极、金属互连和线键合——由正反馈电路300提供的正反馈可能导致不想要的振铃。
为了减轻或规避这种负面影响，能够将输出晶体管分成两部分，其中两部分之一被偏置并且被连接到输出负载，如图，另一部分具有很小的电流并且被连接到耦合电容器。
该拆分-支路方法的一种可能的实现如图3所示。
在图3的放大器10中，第一输出单元100包括第一内串联电路101和第一外串联电路102。第一内串联电路101和第一外串联电路102相对于彼此被并联连接并且与前置放大器PA并联。
第一内串联电路101包括第一内发射极跟随器单元110和与第一内发射极跟随器单元110串联的第一内偏置晶体管120。第一外串联电路102包括第一外发射极跟随器单元130和与第一外发射极跟随器单元130串联的第一外偏置晶体管140。
第二输出单元200包括第二内串联电路201和第二外串联电路202，第二内串联电路201与第二外串联电路202被并联连接。
第二内串联电路201包括第二内发射极跟随器单元210和与第二内发射极跟随器单元210串联的第二内偏置晶体管220。
第二外串联202电路包括第二外发射极跟随器单元230和与第二外发射极跟随器单元230串联的第二外偏置晶体管240。
第二内发射极跟随器单元210的发射极通过正反馈回路300的第二电容器C2被连接到第一内偏置晶体管120的基极和第一输出单元100的第一外偏置晶体管140的基极两者。第一内发射极跟随器单元110的发射极通过正反馈回路的第一电容器C1被连接到第二内偏置晶体管220的基极和第二外偏置晶体管240的基极两者。
差分前置放大器PA的第一输出端口P1被连接到第一内发射极跟随器单元110的基极和第一输出单元100的第一外发射极跟随器单元130的基极两者。差分前置放大器PA的第二输出端口P2被连接到第二内发射极跟随器单元210的基极和第二输出单元200的第二外发射极跟随器单元240的基极两者。
第一外发射极跟随器单元130的发射极形成电放大器10的第一输出端口Pout1。第二外发射极跟随器单元230的发射极形成电放大器10的第二输出端口Pout2。
第一内偏置晶体管120的基极经由第一电阻器Rb1被连接到公共电压源Vc1。第二内偏置晶体管220的基极经由第二电阻器Rb2被连接到同一个或另一公共电压源Vc2。
第一内偏置晶体管120的发射极通过第一阻抗Z1被连接到参考电位V0(例如地电位)。第二内偏置晶体管220的发射极通过第二阻抗Z2被连接到相同或另一参考电位V0。
阻抗Z1和Z2可以包括具有与第一辅助电容器Ce1、Ce2并联的电阻Re1、Re2的并联谐振电路或由该并联谐振电路组成。优选地，电阻Re1与Re2相同。优选地，第一辅助电容器Ce1与Ce2相同。
换句话说，在图3的示例性实施例中，除了电容器C1和C2之外，外串联电路102和202均经由维德拉(Widlar)电流镜(由内串联电路101和201提供)被偏置，以便在较高频率下增加正反馈回路300的增益。因此，正反馈回路300作用于内部推挽级(内串联电路101和201)，并且同时作用于输出下拉元件(外串联电路102和202)。
以上结合图1和图3的实施例已经被提及的图6也示出图3的拆分-支路方法的效果。时域模拟清楚地指示与图1的实施例相比图3的实施例中的转换时间显著地更少。
图4示出根据本发明的电光装置1和电放大器10的第四示例性实施例。图4的电放大器10是单端的并且仅提供单个输出Vout1。因此，第二外串联电路220不是必需的并且被放弃。图4的第四实施例的其他特征与图3的第三实施例的相同。因此，以上关于拆分-分支方法、正反馈回路300以及它们对速度(例如信号边沿的转换时间)的正影响的解释也适用于第四示例性实施例。
图7示出根据本发明的电光装置1和电放大器10的第五示例性实施例。电光装置1包括马赫-曾德尔干涉式调制器30，例如，基于SiPh。电放大器10的输出端口Pout1和Pout2与二极管MD2和MD1连接，其被分配给马赫-曾德尔干涉式调制器30的分开的平行干涉仪臂31和32。由于电放大器10的输出端口Pout1和Pout2处的输出信号Vout1和Vout2是相反的，所以光输入信号Sopt的光学调制是最佳的。
如上所述，电光装置1的负载MD1和MD2优选地是基于SiPh材料的马赫-曾德尔干涉式调制器。然而，图1-图4的放大器10的操作原理也可以被应用于其他类型的光学调制器，诸如电吸收调制器或依靠电光效应通过施加外加电场来改变某种材料的折射率的任何其他类型的电光调制器。因此，上述本发明旨在包括所有这样的替代、修改、应用和变化。
本文中公开的本发明的各种实施例和实施例的方面不仅在本说明书中具体描述的顺序和上下文中被理解，而且包括任何顺序及其任何组合。
当上下文需要时，所有以单数形式使用的词语均应视为包括复数形式，反之亦然。当上下文需要时，所列举的所有带有“和”词的选项应当被视为包括词“或”，反之亦然，以及它们的任何组合。
在附图和说明书中，已经公开了本发明的多个实施例。申请人要强调的是，每个实施例的每个特征都可以与任何其他实施例组合或添加到任何其他实施例中，以修改相应的实施例并创建另外的实施例。这些另外的实施例构成本公开的一部分，并且因此，申请人可以在审查的后期阶段就这些附加实施例提交进一步的专利权利要求。
此外，申请人要强调的是，以下从属权利要求中的每一个的每个特征都可以与任何本独立权利要求以及任何其他(一个或多个)本从属权利要求(无论本权利要求结构如何)组合。因此，申请人可以在审查的后期将进一步的专利权利要求指向其他权利要求组合。

Claims (20)

1.一种电放大器，包括：
差分前置放大器，所述差分前置放大器具有第一输出端口和第二输出端口；
第一输出单元和第二输出单元，所述第一输出单元被连接到所述差分前置放大器的所述第一输出端口，所述第二输出单元被连接到所述差分前置放大器的所述第二输出端口，所述第一输出单元和所述第二输出单元相对于彼此被电气地并联布置；以及
正反馈回路，所述正反馈回路耦合所述第一输出单元和所述第二输出单元，并且包括第一电容器和第二电容器；
其中，所述第一输出单元和所述第二输出单元中的每一个包括：发射极跟随器单元和偏置晶体管，所述偏置晶体管与其输出单元的所述发射极跟随器单元被串联连接；
其中，所述第一输出单元的所述发射极跟随器单元的发射极通过所述正反馈回路的所述第一电容器被连接到所述第二输出单元的所述偏置晶体管的基极；并且
其中，所述第二输出单元的所述发射极跟随器单元的发射极通过所述正反馈回路的所述第二电容器被连接到所述第一输出单元的所述偏置晶体管的基极。
2.根据权利要求1所述的电放大器，其中，
所述第一输出单元的所述发射极跟随器单元的所述发射极形成所述电放大器的第一输出端口。
3.根据权利要求2所述的电放大器，其中，
所述第二输出单元的所述发射极跟随器单元的所述发射极形成所述电放大器的第二输出端口。
4.根据权利要求1所述的电放大器，其中，
所述第一输出单元和/或所述第二输出单元的所述偏置晶体管的所述基极还经由电阻器被连接到公共电压源。
5.根据权利要求1所述的电放大器，
其中，所述差分前置放大器的所述第一输出端口被连接到所述第一输出单元的所述发射极跟随器单元的基极；并且
其中，所述差分前置放大器的所述第二输出端口被连接到所述第二输出单元的所述发射极跟随器单元的基极。
6.根据权利要求1所述的电放大器，
其中，所述第一输出单元包括内串联电路和外串联电路；
其中，所述第一输出单元的所述内串联电路包括：所述第一输出单元的所述发射极跟随器单元，以下被称为内发射极跟随器单元；以及所述第一输出单元的所述偏置晶体管，以下被称为内偏置晶体管，其中，所述内偏置晶体管与所述内发射极跟随器单元被串联连接；并且
其中，所述第一输出单元的所述外串联电路包括外发射极跟随器单元和与所述外发射极跟随器单元串联连接的外偏置晶体管。
7.根据权利要求6所述的电放大器，
其中，所述第二输出单元的所述发射极跟随器单元的所述发射极通过所述正反馈回路的所述第二电容器被连接到所述第一输出单元的所述内偏置晶体管的基极；并且
其中，所述第一输出单元的所述内发射极跟随器单元的所述发射极通过所述正反馈回路的所述第一电容器被连接到所述第二输出单元的所述偏置晶体管的所述基极。
8.根据权利要求6所述的电放大器，
其中，所述外发射极跟随器单元的所述发射极形成所述电放大器的所述第一输出端口。
9.根据权利要求6所述的电放大器，其中，
所述差分前置放大器的所述第一输出端口被连接到所述内发射极跟随器单元的基极和所述外发射极跟随器单元的基极两者。
10.根据权利要求6所述的电放大器，其中，
所述第一输出单元的所述内串联电路包括被连接到所述内偏置晶体管的所述发射极的阻抗。
11.根据权利要求10所述的电放大器，其中，
所述阻抗包括具有与第一辅助电容器并联的电阻的并联谐振电路。
12.根据权利要求6所述的电放大器，其中，
所述第二输出单元包括被连接到所述第二输出单元的所述偏置晶体管的发射极的阻抗。
13.根据权利要求12所述的电放大器，其中，
所述第二输出单元的所述阻抗包括具有与第二辅助电容器并联的电阻的并联谐振电路。
14.根据权利要求1所述的电放大器，
其中，所述第一输出单元包括第一内串联电路和第一外串联电路，所述第一内串联电路与所述第一外串联电路被并联连接；
其中，所述第一内串联电路包括：所述第一输出单元的所述发射极跟随器单元，以下被称为第一内发射极跟随器单元；以及所述第一输出单元的所述偏置晶体管，以下被称为第一内偏置晶体管，其中，所述第一内偏置晶体管与所述第一内发射极跟随器单元被串联连接；
其中，所述第一外串联电路包括第一外发射极跟随器单元和与所述第一外发射极跟随器单元串联连接的第一外偏置晶体管；
其中，所述第二输出单元包括第二内串联电路和第二外串联电路，所述第二内串联电路与所述第二外串联电路被并联连接；
其中，所述第二内串联电路包括：所述第二输出单元的所述发射极跟随器单元，以下被称为第二内发射极跟随器单元；以及所述第二输出单元的所述偏置晶体管，以下被称为第二内偏置晶体管，其中，所述第二内偏置晶体管与所述第二内发射极跟随器单元被串联连接；并且
其中，所述第二外串联电路包括第二外发射极跟随器单元和与所述第二外发射极跟随器单元串联连接的第二外偏置晶体管。
15.根据权利要求14所述的电放大器，
其中，所述第二内发射极跟随器单元的所述发射极通过所述正反馈回路的所述第二电容器被连接到所述第一内偏置晶体管的基极和所述第一外偏置晶体管的基极两者；并且
其中，所述第一内发射极跟随器单元的所述发射极通过所述正反馈回路的所述第一电容器被连接到所述第二内偏置晶体管的基极和所述第二外偏置晶体管的基极两者。
16.根据权利要求14所述的电放大器，其中，
所述差分前置放大器的所述第一输出端口被连接到所述第一内发射极跟随器单元的基极和所述第一外发射极跟随器单元的基极两者；
所述差分前置放大器的所述第二输出端口被连接到所述第二内发射极跟随器单元的基极和所述第二外发射极跟随器单元的基极两者；
所述第一外发射极跟随器单元的所述发射极形成所述电放大器的第一输出端口；
所述第二外发射极跟随器单元的所述发射极形成所述电放大器的第二输出端口；
所述第一内偏置晶体管的所述基极经由第一电阻器被连接到公共电压源；
所述第二内偏置晶体管的所述基极经由第二电阻器被连接到同一个公共电压源或另一公共电压源；
所述第一内偏置晶体管的所述发射极通过第一阻抗被连接到参考电位；并且
所述第二内偏置晶体管的所述发射极通过第二阻抗被连接到同一个参考电位或另一参考电位。
17.根据权利要求1所述的电放大器，其中，
所述发射极跟随器单元中的至少一个是npn双极性晶体管或包括npn双极性晶体管。
18.一种放大电信号的方法，包括以下步骤：
利用具有第一输出端口和第二输出端口的差分前置放大器，对差分输入信号进行前置放大；
将所述差分前置放大器的第一前置放大信号馈送入第一输出单元，并且将所述差分前置放大器的第二前置放大信号馈送入第二输出单元，所述第一输出单元与所述第二输出单元相对于彼此被电气地并联布置；以及
通过经由第一电容器和第二电容器耦合所述第一输出单元和所述第二输出单元来提供正反馈；
其中，所述第一输出单元和所述第二输出单元中的每一个包括：发射极跟随器单元和偏置晶体管，所述偏置晶体管与其输出单元的所述发射极跟随器单元被串联连接；
其中，所述第一输出单元的所述发射极跟随器单元的发射极通过所述第一电容器被连接到所述第二输出单元的所述偏置晶体管的基极；并且
其中，所述第二输出单元的所述发射极跟随器单元的发射极通过所述第二电容器被连接到所述第一输出单元的所述偏置晶体管的基极。
19.一种包括电放大器的电光装置，所述电放大器包括：
差分前置放大器，所述差分前置放大器具有第一输出端口和第二输出端口；
第一输出单元和第二输出单元，所述第一输出单元被连接到所述差分前置放大器的所述第一输出端口，所述第二输出单元被连接到所述差分前置放大器的所述第二输出端口，所述第一输出单元和所述第二输出单元相对于彼此被电气地并联布置；以及
第一电容器和第二电容器，所述第一电容器和所述第二电容器均耦合所述第一输出单元和所述第二输出单元；
其中，所述第一输出单元和所述第二输出单元中的每一个包括：发射极跟随器单元和偏置晶体管，所述偏置晶体管与其输出单元的所述发射极跟随器单元被串联连接；
其中，所述第一输出单元的所述发射极跟随器单元的发射极通过所述第一电容器被连接到所述第二输出单元的所述偏置晶体管的基极；并且
其中，所述第二输出单元的所述发射极跟随器单元的发射极通过所述第二电容器被连接到所述第一输出单元的所述偏置晶体管的基极。
20.根据权利要求19所述的电光装置，进一步包括：
电光调制器，所述电光调制器具有用于输入调制信号的至少一个输入端口；
其中，所述电放大器的至少一个输出端口被连接到所述电光调制器的所述至少一个输入端口。
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