CN113257929A - 一种新型光伏电池 - Google Patents
一种新型光伏电池 Download PDFInfo
- Publication number
- CN113257929A CN113257929A CN202110636124.9A CN202110636124A CN113257929A CN 113257929 A CN113257929 A CN 113257929A CN 202110636124 A CN202110636124 A CN 202110636124A CN 113257929 A CN113257929 A CN 113257929A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- photovoltaic cell
- layer
- novel photovoltaic
- silicon substrate
- carbon nanotube
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 47
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 40
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 claims abstract description 30
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 claims abstract description 30
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 26
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 24
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims abstract description 20
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims abstract description 20
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims abstract description 11
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims abstract description 8
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims abstract description 8
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims abstract description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 12
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 9
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 9
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000002109 single walled nanotube Substances 0.000 claims description 6
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 5
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000005083 Zinc sulfide Substances 0.000 claims description 3
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 3
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 3
- 238000005553 drilling Methods 0.000 claims description 3
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 3
- 239000001307 helium Substances 0.000 claims description 3
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000002073 nanorod Substances 0.000 claims description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 3
- GKCNVZWZCYIBPR-UHFFFAOYSA-N sulfanylideneindium Chemical compound [In]=S GKCNVZWZCYIBPR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 claims description 3
- 238000003466 welding Methods 0.000 claims description 3
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 3
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N zinc;sulfide Chemical compound [S-2].[Zn+2] DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 241000167857 Bourreria Species 0.000 abstract description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 4
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 abstract description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 abstract description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 abstract description 2
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 abstract description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 1
- 230000000750 progressive effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic Table
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
本发明公开了一种新型光伏电池，包括：碳纳米管层，沉积在单晶硅衬底的顶部；二氧化硅隔离层，热氧化生长在碳纳米管层的表面；电极柱，对称焊接在二氧化硅隔离层的左右两端；背电极，包覆在单晶硅衬底的底部。本发明通过碳纳米管的使用，为光伏电池提供了强的背面场和高的导电率，增大了石墨与硅的接触面积，有利于提高光伏电池的效率，能够使光照的反射率大幅度降低，制备工艺简单，制造成本低，适合大范围的推广使用。
Description
本申请是名为《一种新型光伏电池及其制造方法》的专利申请的分案申请，原申请的申请日为2018年01月18日，申请号为201810047476.9。
技术领域
本发明涉及太阳能技术领域，特别是涉及一种新型光伏电池。
背景技术
光伏电池用于把太阳的光能直接转化为电能。目前地面光伏***大量使用的是以硅为基底的硅太阳能电池，可分为单晶硅、多晶硅、非晶硅太阳能电池。在能量转换效率和使用寿命等综合性能方面，单晶硅和多晶硅电池优于非晶硅电池。多晶硅比单晶硅转换效率低，但价格更便宜。常见的，铝以包含铝颗粒的形式印刷在太阳能电池的后表面上，并且在高温下退火。可供用于这些用途的铝浆料包括各种直径的铝颗粒，这些铝颗粒基本上是分散的，以实现高的封装密度，进而实现更佳的横向传导性。但是这种形式的导线性能不佳，热传导效率较低。为此，我们提出了一种新型光伏电池及其制造方法投入使用，以解决上述问题。
发明内容
本发明的目的是提供一种新型光伏电池，通过碳纳米管的使用，为光伏电池提供了强背面场和高导电率，提高了光伏电池的效率。
为实现上述目的，本发明提供了如下方案：
一种新型光伏电池，包括：
碳纳米管层(2)，沉积在单晶硅衬底(1)的顶部；
二氧化硅隔离层(3)，热氧化生长在碳纳米管层(2)的表面；
电极柱(5)，对称焊接在二氧化硅隔离层(3)的左右两端；
背电极(4)，包覆在单晶硅衬底(1)的底部；
所述新型光伏电池的制造方法，具体包括：
S1：取阳极直径8mm，阴极直径14mm的石墨棒，在石墨棒阳极端部钻孔，孔内填充金属混合物和石墨粉末，抽真空后，通入惰性气体，接通电源，放电4～6min后制得单壁碳纳米管；其中，在通入惰性气体时，气体压力不低于14000Pa；接通电源后，电流控制在90～100A，并保持石墨棒两极的电压为30V；
S2：将单壁碳纳米管溅射到单晶硅衬底(1)上，形成碳纳米管层(2)；
S3：湿法蚀刻单晶硅衬底(1)背部氧化层，在氧化层上通过电子束蒸发金属作为背电极(4)；
S4：在碳纳米管层(2)上通过热氧化生长二氧化硅，作为二氧化硅隔离层(3)；
S5：将缓冲材料沉积到氧化锌纳米棒上，并焊接在二氧化硅隔离层(3)的左右两端，形成电极柱(5)。
可选的，所述单晶硅衬底(1)的表面均匀包覆有透明导电氧化物层，且单晶硅衬底(1)的厚度为5～20μm。
可选的，所述碳纳米管层(2)的内腔均匀排列有碳纳米管，且碳纳米管层(2)的厚度为3～10μm。
可选的，所述金属混合物为金属镍和金属钇的混合物，其中金属镍：金属钇＝1.6:0.6。
可选的，所述惰性气体为氦气、氩气、氮气和氢气中的一种。
可选的，所述缓冲材料为二氧化钛、硫化铟和硫化锌中的一种。
根据本发明提供的具体实施例，本发明公开了以下技术效果：
本发明提供了一种新型光伏电池，包括：碳纳米管层，沉积在单晶硅衬底的顶部；二氧化硅隔离层，热氧化生长在碳纳米管层的表面；电极柱，对称焊接在二氧化硅隔离层的左右两端；背电极，包覆在单晶硅衬底的底部。本发明通过碳纳米管的使用，为光伏电池提供了强的背面场和高的导电率，增大了石墨与硅的接触面积，有利于提高光伏电池的效率，能够使光照的反射率大幅度降低，制备工艺简单，制造成本低，适合大范围的推广使用。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例所提供的新型光伏电池结构示意图；
其中：1单晶硅衬底、2碳纳米管层、3二氧化硅隔离层、4背电极、5电极柱。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明的目的是提供一种新型光伏电池，通过碳纳米管的使用，为光伏电池提供了强背面场和高导电率，提高了光伏电池的效率。
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。
图1为本发明实施例所提供的新型光伏电池结构示意图，如图1所示，本发明提供了一种新型光伏电池，包括：
碳纳米管层2，沉积在单晶硅衬底1的顶部；
二氧化硅隔离层3，热氧化生长在碳纳米管层2的表面；
电极柱5，对称焊接在二氧化硅隔离层3的左右两端；
背电极4，包覆在单晶硅衬底1的底部；
此外，本申请提供的新型光伏电池中，单晶硅衬底1的表面均匀包覆有透明导电氧化物层，且单晶硅衬底1的厚度为5～20μm。碳纳米管层2的内腔均匀排列有碳纳米管，且碳纳米管层2的厚度为3～10μm。
具体的，本发明中所提供的新型光伏电池，制造方法如下：
步骤S1：取阳极直径8mm，阴极直径14mm的石墨棒，在石墨棒阳极端部钻孔，孔内填充金属混合物和石墨粉末，抽真空后，通入惰性气体，接通电源，放电4～6min后制得单壁碳纳米管；
具体的，在步骤S1中，在通入惰性气体时，气体压力不低于14000Pa；接通电源后，电流控制在90～100A，并保持石墨棒两极的电压为30V；金属混合物为金属镍和金属钇的混合物，其中金属镍：金属钇＝1.6:0.6；惰性气体为氦气、氩气、氮气和氢气中的一种。
步骤S2：将单壁碳纳米管溅射到单晶硅衬底1上，形成碳纳米管层2；
步骤S3：湿法蚀刻单晶硅衬底1背部氧化层，在氧化层上通过电子束蒸发金属作为背电极4；
步骤S4：在碳纳米管层2上通过热氧化生长二氧化硅，作为二氧化硅隔离层3；
步骤S5：将缓冲材料沉积到氧化锌纳米棒上，并焊接在二氧化硅隔离层3的左右两端，形成电极柱5。其中，缓冲材料为二氧化钛、硫化铟和硫化锌中的一种。
本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。
本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处。综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。
Claims (6)
1.一种新型光伏电池，其特征在于，所述新型光伏电池，包括：
碳纳米管层(2)，沉积在单晶硅衬底(1)的顶部；
二氧化硅隔离层(3)，热氧化生长在碳纳米管层(2)的表面；
电极柱(5)，对称焊接在二氧化硅隔离层(3)的左右两端；
背电极(4)，包覆在单晶硅衬底(1)的底部；
所述新型光伏电池的制造方法，具体包括：
S1：取阳极直径8mm，阴极直径14mm的石墨棒，在石墨棒阳极端部钻孔，孔内填充金属混合物和石墨粉末，抽真空后，通入惰性气体，接通电源，放电4～6min后制得单壁碳纳米管；其中，在通入惰性气体时，气体压力不低于14000Pa；接通电源后，电流控制在90～100A，并保持石墨棒两极的电压为30V；
S2：将单壁碳纳米管溅射到单晶硅衬底(1)上，形成碳纳米管层(2)；
S3：湿法蚀刻单晶硅衬底(1)背部氧化层，在氧化层上通过电子束蒸发金属作为背电极(4)；
S4：在碳纳米管层(2)上通过热氧化生长二氧化硅，作为二氧化硅隔离层(3)；
S5：将缓冲材料沉积到氧化锌纳米棒上，并焊接在二氧化硅隔离层(3)的左右两端，形成电极柱(5)。
2.根据权利要求1所述的一种新型光伏电池，其特征在于，所述单晶硅衬底(1)的表面均匀包覆有透明导电氧化物层，且单晶硅衬底(1)的厚度为5～20μm。
3.根据权利要求1所述的一种新型光伏电池，其特征在于，所述碳纳米管层(2)的内腔均匀排列有碳纳米管，且碳纳米管层(2)的厚度为3～10μm。
4.根据权利要求1所述的新型光伏电池，其特征在于，所述金属混合物为金属镍和金属钇的混合物，其中金属镍：金属钇＝1.6:0.6。
5.根据权利要求1所述的新型光伏电池，其特征在于，所述惰性气体为氦气、氩气、氮气和氢气中的一种。
6.根据权利要求1所述的新型光伏电池，其特征在于，所述缓冲材料为二氧化钛、硫化铟和硫化锌中的一种。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110636124.9A CN113257929A (zh) | 2018-01-18 | 2018-01-18 | 一种新型光伏电池 |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201810047476.9A CN108281498A (zh) | 2018-01-18 | 2018-01-18 | 一种新型光伏电池及其制造方法 |
| CN202110636124.9A CN113257929A (zh) | 2018-01-18 | 2018-01-18 | 一种新型光伏电池 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201810047476.9A Division CN108281498A (zh) | 2018-01-18 | 2018-01-18 | 一种新型光伏电池及其制造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN113257929A true CN113257929A (zh) | 2021-08-13 |
Family
ID=62803955
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202110636124.9A Pending CN113257929A (zh) | 2018-01-18 | 2018-01-18 | 一种新型光伏电池 |
| CN201810047476.9A Pending CN108281498A (zh) | 2018-01-18 | 2018-01-18 | 一种新型光伏电池及其制造方法 |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201810047476.9A Pending CN108281498A (zh) | 2018-01-18 | 2018-01-18 | 一种新型光伏电池及其制造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (2) | CN113257929A (zh) |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101552296A (zh) * | 2008-04-03 | 2009-10-07 | 清华大学 | 太阳能电池 |
| CN101820012A (zh) * | 2010-04-09 | 2010-09-01 | 上海交通大学 | 表面组装有碳纳米管的硅太阳电池 |
| CN101861654A (zh) * | 2007-07-09 | 2010-10-13 | 塔林科技大学 | 基于氧化锌纳米棒的光伏电池及其制造方法 |
| CN102290529A (zh) * | 2010-06-18 | 2011-12-21 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 单层有机太阳能电池及其制备方法 |
| CN102347341A (zh) * | 2010-07-30 | 2012-02-08 | 索尼公司 | 固态摄像器件、其驱动方法和电子装置 |
| CN103119674A (zh) * | 2010-06-29 | 2013-05-22 | 曳达研究和发展有限公司 | 光伏电池及其制造方法 |
| CN103466593A (zh) * | 2013-08-27 | 2013-12-25 | 西北工业大学 | 一种改进型温控电弧炉及制备半导体型单壁碳纳米管的方法 |
| CN104505369A (zh) * | 2014-12-03 | 2015-04-08 | 上海蓝沛新材料科技股份有限公司 | 用于柔性显示背电极的柔性tft及其制备工艺 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20120058088A (ko) * | 2010-11-29 | 2012-06-07 | 엘지전자 주식회사 | 태양전지 및 이의 제조방법 |
-
2018
- 2018-01-18 CN CN202110636124.9A patent/CN113257929A/zh active Pending
- 2018-01-18 CN CN201810047476.9A patent/CN108281498A/zh active Pending
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101861654A (zh) * | 2007-07-09 | 2010-10-13 | 塔林科技大学 | 基于氧化锌纳米棒的光伏电池及其制造方法 |
| CN101552296A (zh) * | 2008-04-03 | 2009-10-07 | 清华大学 | 太阳能电池 |
| CN101820012A (zh) * | 2010-04-09 | 2010-09-01 | 上海交通大学 | 表面组装有碳纳米管的硅太阳电池 |
| CN102290529A (zh) * | 2010-06-18 | 2011-12-21 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 单层有机太阳能电池及其制备方法 |
| CN103119674A (zh) * | 2010-06-29 | 2013-05-22 | 曳达研究和发展有限公司 | 光伏电池及其制造方法 |
| CN102347341A (zh) * | 2010-07-30 | 2012-02-08 | 索尼公司 | 固态摄像器件、其驱动方法和电子装置 |
| CN103466593A (zh) * | 2013-08-27 | 2013-12-25 | 西北工业大学 | 一种改进型温控电弧炉及制备半导体型单壁碳纳米管的方法 |
| CN104505369A (zh) * | 2014-12-03 | 2015-04-08 | 上海蓝沛新材料科技股份有限公司 | 用于柔性显示背电极的柔性tft及其制备工艺 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN108281498A (zh) | 2018-07-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Yao et al. | Superior high-rate lithium-ion storage on Ti2Nb10O29 arrays via synergistic TiC/C skeleton and N-doped carbon shell | |
| Li et al. | Vertically aligned carbon nanotubes grown on graphene paper as electrodes in lithium-ion batteries and dye-sensitized solar cells | |
| US8974967B2 (en) | Nanotube-based nanomaterial membrane | |
| Song et al. | Highly Connected Silicon–Copper Alloy Mixture Nanotubes as High‐Rate and Durable Anode Materials for Lithium‐Ion Batteries | |
| Xie et al. | Capacitive performance of molybdenum nitride/titanium nitride nanotube array for supercapacitor | |
| Peng et al. | Silicon nanowires for rechargeable lithium-ion battery anodes | |
| Chen et al. | Designing aligned inorganic nanotubes at the electrode interface: towards highly efficient photovoltaic wires | |
| RU2469442C1 (ru) | Система для высокоэффективного преобразования и аккумулирования энергии с использованием углеродных наноструктурированных материалов | |
| CN103700819B (zh) | 表面具有梯度变化包覆层的硅复合负极材料的制备方法 | |
| CN106450196B (zh) | 一种用于锂离子电池负极的硅基材料及其制备方法 | |
| Zhang et al. | Fabrication and supercapacitive performance of long anodic TiO2 nanotube arrays using constant current anodization | |
| CN107732170B (zh) | 一种高效锂金属复合材料及其制备方法和作为负极的应用 | |
| US20200395607A1 (en) | Composite electrode material, method for manufacturing the same, composite electrode comprising the same and lithium-based battery comprising the said composite electrode | |
| TW201135769A (en) | High performance carbon nanotube energy storage device | |
| WO2018024184A1 (zh) | 锗/石墨烯/二氧化钛纳米纤维复合材料制备方法及电池 | |
| Wu et al. | Co/Se and Ni/Se nanocomposite films prepared by magnetron sputtering as counter electrodes for dye-sensitized solar cells | |
| Al-Mamun et al. | Pt and TCO free hybrid bilayer silver nanowire–graphene counter electrode for dye-sensitized solar cells | |
| CN103325998B (zh) | 柔性纳米SnO2/Si复合物锂离子电池负极材料及其制备方法 | |
| CN107369770B (zh) | 一种低温碳基钙钛矿太阳能电池用碳电极层的制备方法 | |
| JP2011108639A (ja) | カラーストップを含む電極 | |
| CN213212183U (zh) | 亲锂氮掺杂碳纳米管三维复合锂金属负极片 | |
| CN112397706A (zh) | 锂离子电池负极材料结构及其制备方法、锂离子电池 | |
| CN104795498A (zh) | 一种柔性钙钛矿太阳能电池的制备工艺 | |
| KR101030039B1 (ko) | 유기 태양전지 및 그 제조방법 | |
| CN112768697A (zh) | 一种复合锂金属负极集流体及其制备方法和应用 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20210813 |
|
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |