CN113241942B - 一种应用于四开关buck-boost变换器的自举驱动电路 - Google Patents
一种应用于四开关buck-boost变换器的自举驱动电路 Download PDFInfo
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Abstract
本发明实施例中提供了一种应用于四开关buck‑boost变换器的自举驱动电路，包含通过电感连接的第一桥臂和第二桥臂，所述第一桥臂和第二桥臂用于切换所述电路的buck、buck‑boost或boost工作模式，所述电路还包括控制模块、驱动模块和充电模块，所述控制模块通过PWM1信号控制第一桥臂的上桥臂100％占空比输出，所述控制模块通过PWM4信号控制第二桥臂的上桥臂100％占空比输出，所述控制模块通过所述驱动模块驱动充电模块充电。本发明所述电路解决了四开关buck‑boost变换器无法实现上桥臂100％占空比驱动的问题。
Description
技术领域
本发明涉及电源技术领域，具体涉及一种应用于四开关buck-boost变换器的自举驱动电路。
背景技术
在四开关buck-boost变换器中，上桥臂开关管的驱动需要通过自举升压电路实现。
如图1所示，为一种常规的自举升压电路，NMOS管Q1和Q2组成同一桥臂的上下开关管，上开关管Q1和下开关管Q2的驱动信号成互补关系。当Q2导通时，Q1关断，输入电压Vin通过二极管D1向自举电容C1充电，此时Vboot电压即电容C1两端的电压，为Vin–Vf(Vf是二极管D1的正向导通压降)；当Q2关断时，控制器U1发出PWM信号驱动Q1导通，Vboot则向Q1提供驱动电压，随着Q1导通压降的不断下降，Q1源极电压不断升高，Vboot电压也不断上升，Q1完全导通时，Vboot＝2*Vin–Vf，整个过程称为自举升压过程。
常规自举升压电路为了维持自举电容两端的电压，下开关管Q2必须导通足够的时间，以便Vin通过二极管D1向自举电容C1充电。因此在四开关buck-boost变换器工作在纯buck或纯boost模式的情况下，无法实现上桥臂驱动100％占空比，从而影响***的效率。
发明内容
本发明实施例中提供了一种应用于四开关buck-boost变换器的自举驱动电路，解决了四开关buck-boost变换器无法实现上桥臂100％占空比驱动的问题。
本发明实施例公开了如下技术方案：
本发明提供了一种应用于四开关buck-boost变换器的自举驱动电路，包含通过电感连接的第一桥臂和第二桥臂，所述第一桥臂和第二桥臂用于切换所述电路的buck、buck-boost或boost工作模式，所述电路还包括控制模块、驱动模块和充电模块，所述控制模块通过PWM1信号控制第一桥臂的上桥臂100％占空比输出，所述控制模块通过PWM4信号控制第二桥臂的上桥臂100％占空比输出，所述控制模块通过所述驱动模块驱动充电模块充电。
进一步地，所述驱动模块包括第一驱动开关、第二驱动开关和第三驱动开关，PWM5信号为高电平时，第一驱动开关控制第二驱动开关关闭，并控制第三驱动开关打开，输入电压Vin经过充电模块进行一次充电，PWM5信号为低电平时，第一驱动开关控制第二驱动开关打开，并控制第三驱动开关关闭，输入电压Vin经过充电模块进行二次充电。
进一步地，所述第一驱动开关为NMOS管Q7，第二驱动开关为NMOS管Q6，第三驱动开关PNP型三极管Q5，NMOS管Q7的栅极连接电阻R1的一端，电阻R1的另一端连接控制模块的PWM5信号，NMOS管Q7的漏极连接NMOS管Q6的栅极，NMOS管Q7的源极接地，NMOS管Q6的漏极通过电阻R3连接NMOS管Q6的栅极，NMOS管Q6的栅极通过电阻R4连接PNP型三极管Q5的基极，NMOS管Q6的源级连接极PNP型三极管Q5的发射极，PNP型三极管Q5的的集电极接地；
所述电路工作在buck模式或buck-boost模式时，PWM5信号为低电平，所述驱动模块不控制充电模块；
所述电路工作在boost模式下，当PWM5信号为高电平时，NMOS管Q7导通，NMOS管Q6关闭，PNP型三极管Q5导通，输入电压Vin经过充电模块进行一次充电，当PWM5信号为低电平时，NMOS管Q7关闭，PNP型三极管Q5关闭、NMOS管Q6导通，输入电压Vin经过充电模块进行二次充电。
进一步地，所述充电模块包括第一自举电容C1和第二自举电容C2,输入电压Vin经过二极管D2连接第二自举电容C2的一端和二极管D1的正极,第二自举电容C2的另一端连接PNP型三极管Q5的发射极，二极管D1的负极连接第一自举电容C1的一端，第一自举电容C1的另一端连接第一桥臂，第一自举电容C1的一端作为Vboot电压给所述控制模块提供工作电压；
所述电路工作在buck模式或buck-boost模式时，PWM5信号为低电平，输入电压Vin经过二极管D2和二极管D1对第一自举电容C1充电；
所述电路工作在boost模式下，当PWM5信号为高电平时，输入电压Vin经过二极管D2、第二自举电容C2、PNP型三极管Q5发射极和基极的PN结、电阻R4到地形成回路，PNP型三极管Q5的基极电流经过放大后给第二自举电容C2充电，当PWM5信号为低电平时，NMOS管Q6导通，第二自举电容C2的参考电压升高，第二自举电容C2向第一自举电容C1充电。
进一步地，所述第一桥臂包括NMOS管Q1和NMOS管Q2，NMOS管Q1作为第一桥臂的上桥臂，NMOS管Q1的漏极连接输入电压Vin，NMOS管Q1的栅极连接控制模块的PWM1信号，NMOS管Q1的源极连接NMOS管Q2的漏级，NMOS管Q2的栅极连接控制模块的PWM2信号，NMOS管Q2的源极接地；
所述电路工作在buck模式或buck-boost模式时，NMOS管Q1和NMOS管Q2交替导通，NMOS管Q4长导通，NMOS管Q3长关断，NMOS管Q4作为第二桥臂的上桥臂以100％占空比输出。
进一步地，所述第二桥臂包括NMOS管Q3和NMOS管Q4，NMOS管Q4作为第二桥臂的上桥臂，NMOS管Q4的漏极连接输出电压Vout，NMOS管Q4的栅极连接控制模块的PWM4信号，NMOS管Q4的源极连接NMOS管Q3的漏级，NMOS管Q3的栅极连接控制模块的PWM3信号，NMOS管Q3的源极接地，NMOS管Q1的源极连接第一自举电容C1的另一端，NMOS管Q1的源极通过电感L1连接NMOS管Q4的源极；
所述电路工作在boost模式时，NMOS管Q3和NMOS管Q4交替导通，NMOS管Q1长导通，NMOS管Q2长关断，NMOS管Q1作为第一桥臂的上桥臂以100％占空比输出。
进一步地，所述控制模块包括控制器和开关控制单元，所述控制器的PWM＇1-5信号通过所述开关控制单元依次生成PWM1-5信号，PWM1-5信号依次与NMOS管Q1、Q2、Q3、Q4、Q7的栅极一对一连接；
所述电路工作在buck模式或buck-boost模式时，所述控制器通过开关控制单元控制PWM1-4的占空比，使NMOS管Q1和NMOS管Q2交替导通、NMOS管Q4长导通、NMOS管Q3长关断；
所述电路工作在boost模式时，所述控制器通过开关控制单元控制PWM1-4的占空比，使NMOS管Q3和NMOS管Q4交替导通、NMOS管Q1长导通、NMOS管Q2长关断。
进一步地，所述电压Vboot给所述开关控制单元提供工作电压。
进一步地，所述NMOS管Q1-Q4的型号为BSC050N03LS，NMOS管Q6和NMOS管Q7的型号为2N7002，PNP型三极管Q5的型号为LMBT3906LT1G。
进一步地，所述开关控制单元的型号为UCC27282。
发明内容中提供的效果仅仅是实施例的效果，而不是发明所有的全部效果，上述技术方案中的一个技术方案具有如下优点或有益效果：
本发明提供的应用于四开关buck-boost变换器的自举驱动电路，控制器通过开关控制单元控制PWM1-4信号的占空比，调节NMOS管Q1-Q4的导通和关断时间，控制器通过PWM5信号驱动模块驱动充电模块充电。本发明提供的电路实现了当电路工作在buck模式或buck-boost模式时，控制器控制第二桥臂的上桥臂以100％占空比输出，当电路工作在boost模式时，控制器控制第一桥臂的上桥臂以100％占空比输出，有效提高变换器的转换效率。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，对于本领域普通技术人员而言，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明所述常规自举升压电路的原理图；
图2为本发明所述电路的结构框图；
图3为本发明所述控制模块的结构框图；
图4为本发明实施例所述电路的原理图；
图5为本发明所述方法流程图。
具体实施方式
为了能清楚说明本方案的技术特点，下面通过具体实施方式，并结合其附图，对本发明进行详细阐述。下文的公开提供了许多不同的实施例或例子用来实现本发明的不同结构。为了简化本发明的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。此外，本发明可以在不同例子中重复参考数字和/或字母。这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施例和/或设置之间的关系。应当注意，在附图中所图示的部件不一定按比例绘制。本发明省略了对公知组件和处理技术及工艺的描述以避免不必要地限制本发明。
Boost变换器：也称升压式变换器，是一种输出电压高于输入电压的单管不隔离直流变换器。Buck/Boost变换器：也称升降压式变换器，是一种输出电压既可低于也可高于输入电压的单管不隔离直流变换器，但其输出电压的极性与输入电压相反。Buck/Boost变换器可看做是Buck变换器和Boost变换器串联而成，合并了开关管。
如图2所示，为本发明所述电路的结构框图，包含通过电感连接的第一桥臂和第二桥臂，第一桥臂和第二桥臂用于切换电路的buck、buck-boost或boost工作模式，电路还包括控制模块、驱动模块和充电模块，控制模块通过PWM1信号控制第一桥臂的上桥臂100％占空比输出，控制模块通过PWM4信号控制第二桥臂的上桥臂100％占空比输出，控制模块通过驱动模块驱动充电模块充电。
如图4所示，为本发明实施例电路的原理图，电路中，二极管D1和二极管D2的型号为IN4147，NMOS管Q1～Q4的型号为BSC050N03LS，NMOS管Q6和NMOS管Q7的型号为2N7002，PNP型三极管Q5的型号为LMBT3906LT1G。
驱动模块包括第一驱动开关、第二驱动开关和第三驱动开关，PWM5信号为高电平时，第一驱动开关控制第二驱动开关关闭，并控制第三驱动开关打开，输入电压Vin经过充电模块进行一次充电，PWM5信号为低电平时，第一驱动开关控制第二驱动开关打开，并控制第三驱动开关关闭，输入电压Vin经过充电模块进行二次充电。
第一驱动开关为NMOS管Q7，第二驱动开关为NMOS管Q6，第三驱动开关PNP型三极管Q5，NMOS管Q7的栅极连接电阻R1的一端，电阻R1的另一端连接控制模块的PWM5信号，NMOS管Q7的漏极连接NMOS管Q6的栅极，NMOS管Q7的源极接地，NMOS管Q6的漏极通过电阻R3连接NMOS管Q6的栅极，NMOS管Q6的栅极通过电阻R4连接PNP型三极管Q5的基极，NMOS管Q6的源级连接极PNP型三极管Q5的发射极，PNP型三极管Q5的的集电极接地。
电路工作在buck模式或buck-boost模式时，PWM5信号为低电平，驱动模块不控制充电模块；电路工作在boost模式下，当PWM5信号为高电平时，NMOS管Q7导通，NMOS管Q6关闭，PNP型三极管Q5导通，输入电压Vin经过充电模块进行一次充电，当PWM5信号为低电平时，NMOS管Q7关闭，PNP型三极管Q5关闭、NMOS管Q6导通，输入电压Vin经过充电模块进行二次充电。
充电模块包括第一自举电容C1和第二自举电容C2,输入电压Vin经过二极管D2连接第二自举电容C2的一端和二极管D1的正极,第二自举电容C2的另一端连接PNP型三极管Q5的发射极，二极管D1的负极连接第一自举电容C1的一端，第一自举电容C1的另一端连接第一桥臂，第一自举电容C1的一端作为Vboot电压给控制模块提供工作电压。
电路工作在buck模式或buck-boost模式时，PWM5信号为低电平，输入电压Vin经过二极管D2和二极管D1对第一自举电容C1充电；电路工作在boost模式下，当PWM5信号为高电平时，输入电压Vin经过二极管D2、第二自举电容C2、PNP型三极管Q5发射极和基极的PN结、电阻R4到地形成回路，PNP型三极管Q5的基极电流经过放大后给第二自举电容C2充电，当PWM5信号为低电平时，NMOS管Q6导通，第二自举电容C2的参考电压升高，第二自举电容C2向第一自举电容C1充电。
第一桥臂包括NMOS管Q1和NMOS管Q2，NMOS管Q1作为第一桥臂的上桥臂，NMOS管Q1的漏极连接输入电压Vin，NMOS管Q1的栅极连接控制模块的PWM1信号，NMOS管Q1的源极连接NMOS管Q2的漏级，NMOS管Q2的栅极连接控制模块的PWM2信号，NMOS管Q2的源极接地。
第二桥臂包括NMOS管Q3和NMOS管Q4，NMOS管Q4作为第二桥臂的上桥臂，NMOS管Q4的漏极连接输出电压Vout，NMOS管Q4的栅极连接控制模块的PWM4信号，NMOS管Q4的源极连接NMOS管Q3的漏级，NMOS管Q3的栅极连接控制模块的PWM3信号，NMOS管Q3的源极接地，NMOS管Q1的源极连接第一自举电容C1的另一端，NMOS管Q1的源极通过电感L1连接NMOS管Q4的源极。
电路工作在buck模式或buck-boost模式时，NMOS管Q1和NMOS管Q2交替导通，NMOS管Q4长导通，NMOS管Q3长关断，NMOS管Q4作为第二桥臂的上桥臂以100％占空比输出；电路工作在boost模式时，NMOS管Q3和NMOS管Q4交替导通，NMOS管Q1长导通，NMOS管Q2长关断，NMOS管Q1作为第一桥臂的上桥臂以100％占空比输出。
如图3所示，本发明控制模块的结构框图，控制模块包括控制器和开关控制单元，控制器的PWM＇1-5信号通过开关控制单元依次生成PWM1-5信号，PWM1-5信号依次与NMOS管Q1、Q2、Q3、Q4、Q7的栅极一对一连接，Vboot电压给开关控制单元提供工作电压。
开关控制单元的型号为UCC27282，UCC27282是一款强大的N沟道MOSFET驱动器，最大开关节点(HS)电压为100V。它允许两个N沟道MOSFET以半桥或同步架构配置为基础的拓扑结构进行控制。其3.5A峰值吸收电流和2.5A峰值源电流具有低上拉和下拉电阻，使UCC27282能够在MOSFET米勒平台转换期间以最小的开关损耗驱动大功率MOSFET。由于输入与电源电压无关，因此UCC27282可与模拟和数字控制器配合使用。
UCC27282的输入引脚和HS引脚能够承受超大的负电压，从而提高***的稳健性。输入互锁进一步提高了在高噪声应用中的鲁棒性和***可靠性。启用和禁用功能通过降低驱动器的功耗来响应***中的故障事件，这增加了***的灵活性。5V UVLO允许***在较低的偏置电压下工作，这在许多高频应用中是必需的，并且在某些工作模式下提高了***效率。较小传播延迟和延迟匹配性能可最大限度地减少对死区时间的要求，进一步提高效率。
UCC27282为高压侧和低压侧驱动器提供欠压锁定(UVLO)功能，如果VDD电压低于指定的阈值，则强制输出为低电平。集成式自举二极管使得在许多应用中无需外部分立二极管，节省电路板空间，并降低***成本。UCC27282采用小型封装，可实现高密度设计。
电路工作在buck模式或buck-boost模式时，控制器通过开关控制单元控制PWM1-4的占空比，使NMOS管Q1和NMOS管Q2交替导通、NMOS管Q4长导通、NMOS管Q3长关断。NMOS管Q2导通时，输入电压Vin经过二极管D2和二极管D1对第一自举电容C1充电，此时Vboot电压为Vin–2*Vf(Vf是二极管D1和D2的正向导通压降)，当NMOS管Q2关断时，控制器发出PWM1信号驱动NMOS管Q1导通，Vboot则向开关控制单元提供驱动电压，随着NMOS管Q1导通压降的不断下降，NMOS管Q1源极电压Vcom不断升高，Vboot电压也不断上升，NMOS管Q1完全导通时，Vboot电压为2Vin–2Vf，第一自举电容C1完成自举升压过程，从而实现NMOS管Q4100％占空比驱动。
当电路工作在buck或buck-boost模式时，NMOS管Q1和NMOS管Q2交替导通，第一自举电容C1通过NMOS管Q2的开通和关断自动实现自举升压，因此控制器不需要发出PWM5信号，就能实现NMOS管Q4100％占空比驱动。
电路工作在boost模式时，控制器通过开关控制单元控制PWM1-4的占空比，使NMOS管Q3和NMOS管Q4交替导通、NMOS管Q1长导通、NMOS管Q2长关断。控制器通过开关控制单元控制PWM5信号，当PWM5信号为高电平时，NMOS管Q7导通，NMOS管Q6关闭，PNP型三极管Q5导通，输入电压Vin经过二极管D2、第二自举电容C2、PNP型三极管Q5发射极和基极的PN结、电阻R4到地形成回路，PNP型三极管Q5的基极电流经过放大后给第二自举电容C2充电，忽略PNP型三极管Q5的导通压降，此时第二自举电容C2两端的电压为Vin–Vf。当PWM5信号为低电平时，NMOS管Q7关断，NMOS管Q6的栅极电压升高，迫使PNP型三极管Q5关断，同时NMOS管Q6导通，使第二自举电容C2参考电压抬高至Vcom，第二自举电容C2向第一自举电容C1充电，将Vboot电压最高充至Vcom+Vin–2Vf，Vboot电压作为开关控制单元的驱动电压，从而不需要NMOS管Q2导通就可以实现自举升压过程，实现NMOS管Q1100％占空比驱动。
电路工作在boost模式时，NMOS管Q1要持续导通，NMOS管Q1的驱动依赖Vboot电压，Vboot电压又依赖于第一自举电容C1，而NMOS管Q7、NMOS管Q6等电路和PWM1-5信号是实现C1自举充电的条件，因此要维持NMOS管Q1持续导通，传统电路是做不到的，用本发明所述方式才可以。
第一自举电容C1和二极管负极相连处的电压Vboot给开关控制单元提供工作电压。
如图5所示，为本发明电路工作流程图，包括：
第一桥臂接收输入电压Vin，第二桥臂提供输出电压Vout；
控制器通过第一桥臂和第二桥臂切换电路的buck、buck-boost或boost工作模式；
当电路工作在buck模式或buck-boost模式时，输入电压Vin向第一自举电容C1充电，控制器控制第二桥臂的上桥臂以100％占空比输出；
电路工作在boost模式时，控制器通过驱动模块驱动输入电压Vin向第一自举电容C1充电，控制器控制第一桥臂的上桥臂以100％占空比输出。
控制器通过第一桥臂和第二桥臂切换电路的buck、buck-boost或boost工作模式，具体包括：
控制器通过开关控制单元控制PWM1-4的占空比，使NMOS管Q1和NMOS管Q2交替导通、NMOS管Q4长导通、NMOS管Q3长关断，电路工作在buck模式或buck-boost模式下；
控制器通过开关控制单元控制PWM1-4的占空比，使NMOS管Q3和NMOS管Q4交替导通、NMOS管Q1长导通、NMOS管Q2长关断，电路工作在boost模式下。
当电路工作在buck模式或buck-boost模式时，输入电压Vin向第一自举电容C1充电，控制器控制第二桥臂的上桥臂以100％占空比输出，具体为：
当NMOS管Q1关断、NMOS管Q2导通时，输入电压Vin经过二极管D2和二极管D1对第一自举电容C1充电；
当NMOS管Q1的导通、NMOS管Q2关断时，和NMOS管Q1源极相连的第一自举电容C1的参考电压升高；
电路在buck模式或buck-boost模式下，NMOS管Q4长导通、NMOS管Q3长关断，实现NMOS管Q4100％占空比输出。
电路工作在boost模式时，控制器通过驱动模块驱动输入电压Vin向第一自举电容C1充电，控制器控制第一桥臂的上桥臂以100％占空比输出，具体为：
控制器通过开关控制单元控制PWM1-5信号；
当PWM5信号为高电平时，NMOS管Q7和PNP型三极管Q5导通，NMOS管Q6关闭，输入电压Vin经过二极管D2、第二自举电容C2、PNP型三极管Q5发射极和基极的PN结、电阻R4到地形成回路，PNP型三极管Q5的基极电流经过放大后给第二自举电容C2充电；
当PWM5信号为低电平时，NMOS管Q7和PNP型三极管Q5关闭、NMOS管Q6导通，第二自举电容C2的参考电压升高，第二自举电容C2向第一自举电容C1充电；
电路在boost模式下，NMOS管Q3和NMOS管Q4交替导通，NMOS管Q1长导通、NMOS管Q2长关断，实现NMOS管Q1100％占空比输出。
以上所述只是本发明的优选实施方式，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也被视为本发明的保护范围。
Claims (8)
1.一种应用于四开关 buck-boost 变换器的自举驱动电路，包含通过电感连接的第一桥臂和第二桥臂，电感两端分别连接第一桥臂中点和第二桥臂中点，所述第一桥臂和第二桥臂用于切换所述电路的buck、buck-boost 或boost 工作模式，其特征在于，所述电路还包括控制模块、驱动模块和充电模块，所述控制模块通过 PWM1 信号控制第一桥臂的上桥臂输出，所述控制模块通过PWM4 信号控制第二桥臂的上桥臂输出，所述控制模块通过所述驱动模块驱动充电模块，所述充电模块用于给所述电路充电；
所述驱动模块包括第一驱动开关、第二驱动开关和第三驱动开关，第一驱动开关为NMOS 管Q7，PWM5信号为高电平时，第一驱动开关接收PWM5信号，控制第二驱动开关关闭，并控制第三驱动开关打开，输入电压Vin经过充电模块进行一次充电，PWM5信号为低电平时，第一驱动开关接收PWM5信号，控制第二驱动开关打开，并控制第三驱动开关关闭，输入电压Vin经过充电模块进行二次充电。
2.根据权利要求 1所述的一种应用于四开关buck-boost变换器的自举驱动
电路，其特征在于，所述第二驱动开关为 NMOS 管 Q6，第三驱动开关为PNP型三极管Q5，NMOS管 Q7的栅极连接电阻 R1的一端，电阻R1的另一端连接控制模块的 PWM5信号，NMOS管 Q7的漏极连接 NMOS管 Q6的栅极，NMOS管 Q7的源极接地，NMOS管 Q6的漏极通过电阻R3连接NMOS管Q6的栅极，NMOS管Q6的栅极通过电阻R4连接PNP型三极管Q5 的基极，NMOS管Q6 的源极连接PNP 型三极管Q5 的发射极，PNP 型三极管Q5 的的集电极接地。
3.根据权利要求 2所述的一种应用于四开关buck-boost 变换器的自举驱动电路，其特征在于，所述充电模块包括第一自举电容 C1 和第二自举电容 C2, 输入电压Vin 经过二极管D2 连接第二自举电容C2 的一端和二极管D1 的正极,
第二自举电容C2 的另一端连接PNP 型三极管Q5 的发射极，二极管 D1 的负极连接第一自举电容C1 的一端，第一自举电容 C1 的另一端连接第一桥臂的中点，第一自举电容C1的一端作为Vboot 电压给所述控制模块提供工作电压。
4.根据权利要求 1所述的一种应用于四开关buck-boost变换器的自举驱动电路，其特征在于，所述第一桥臂包括NMOS管Q1 和NMOS管Q2，NMOS 管Q1作为第一桥臂的上桥臂，NMOS管Q1的漏极连接输入电压Vin，NMOS 管Q1的栅极连接控制模块的PWM1信号，NMOS 管Q1的源极连接NMOS 管Q2 的漏极，其连接点为第一桥臂的中点，NMOS 管Q2 的栅极连接控制模块的PWM2 信号，NMOS管Q2的源极接地。
5.根据权利要求 4所述的一种应用于四开关buck-boost 变换器的自举驱动电路，其特征在于，所述第二桥臂包括NMOS 管Q3 和NMOS 管Q4，NMOS 管Q4 作为第二桥臂的上桥臂，NMOS 管Q4 的漏极连接输出电压Vout，NMOS
管Q4 的栅极连接控制模块的PWM4 信号，NMOS 管Q4 的源极连接NMOS 管Q3 的漏极，其连接点为第二桥臂的中点，NMOS 管 Q3 的栅极连接控制模块的 PWM3 信号，NMOS 管 Q3的源极接地，NMOS 管 Q1 的源极连接第一自举电容 C1 的另一端，NMOS 管Q1 的源极通过电感L1 连接NMOS 管Q4 的源极。
6.根据权利要求 5所述的一种应用于四开关buck-boost 变换器的自举驱动
电路，其特征在于，所述控制模块包括控制器和开关控制单元，所述控制器的PWM＇1-5信号通过所述开关控制单元依次生成PWM1-5 信号，PWM1-5 信号依次与NMOS 管Q1、Q2、Q3、Q4、Q7 的栅极一对一连接。
7.根据权利要求 6所述的一种应用于四开关buck-boost变换器的自举驱动电路，其特征在于，所述 NMOS管Q1-Q4的型号为BSC050N03LS，NMOS管Q6和 NMOS管 Q7的型号为2N7002， PNP型三极管 Q5的型号为LMBT3906LT1G。
8.根据权利要求7所述的一种应用于四开关 buck-boost 变换器的自举驱
动电路，其特征在于，所述开关控制单元的型号为UCC27282。
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