CN113241420A - 显示模组、显示模组的制备方法和显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及显示设备技术领域，具体而言，涉及一种显示模组，还涉及该显示模组的制备方法以及包含有该显示模组的显示装置。显示模组包括依次层叠设置的基底、第一阵列层和缓冲层，缓冲层背离基底的一侧设置有发光器件和像素驱动电路，第一阵列层上阵列分布有若干朝向基底的第一锥状凸起，第一阵列层用于将发光器件射向所述基底的光线收拢。通过在显示模组的基底上方制作出具有锥状凸起结构阵列的第一阵列层，该第一阵列层能够将发光器件的透明电极射出的光线进行收拢，使得进入到基底的光线具有更高的准直度，从而减少基底内部全反射的光的数量，达到提升光效作用，由于该第一阵列层能够将光线进行收拢，所以该结构还具有一定防窥作用。
Description
技术领域
本发明涉及显示设备技术领域，具体而言，涉及一种显示模组，还涉及该显示模组的制备方法以及包含有该显示模组的显示装置。
背景技术
有机电致发光二级管(Organic light-emitting diode,OLED)是目前高端旗舰手机必用的显示器件，就有色彩丰富、重量轻薄、功耗低等优点。然而，由于OLED光效利用率较低(约20％)，并且不具有防窥功能，因此有必要对现有的模组结构进行改进，以实现光效的提升。
发明内容
有鉴于此，本发明实施例提供了一种显示模组、该显示模组的制备方法以及包含有该显示模组的显示装置，以解决现有技术中存在的显示模组结构设计光效利用率较低的技术问题。
为了实现上述目的，根据发明实施例的一个方面，提供了一种显示模组。
根据本发明实施例第一方面的显示模组，其包括依次层叠设置的基底、第一阵列层和缓冲层，所述缓冲层背离所述基底的一侧设置有发光器件和像素驱动电路，所述第一阵列层上阵列分布有若干朝向所述基底的第一锥状凸起，所述第一阵列层用于将所述发光器件射向所述基底的光线收拢。
在本发明实施例提供的显示模组中，所述基底背离所述缓冲层的一侧设置有第二阵列层，所述第二阵列层上阵列分布有若干背离所述基底的第二锥状凸起。
在本发明实施例提供的显示模组中，所述第一阵列层和/或所述第二阵列层的材质为氮化硅、二氧化硅或PET。
在本发明实施例提供的显示模组中，所述第一锥状凸起和/或所述第二锥状凸起的形状为四棱锥、圆锥或三棱锥。
在本发明实施例提供的显示模组中，所述显示模组还包括像素定义层，所述像素定义层在对应于所述发光器件的区域设有像素开口，所述发光器件布置在所述像素开口内，所述发光器件包括阳极、阴极以及位于所述阳极与所述阴极之间的有机发光层。
在本发明实施例提供的显示模组中，所述有机发光层的***依次设置有所述像素定义层和光路折射层，所述光路折射层的折射率大于所述像素定义层的折射率，所述像素定义层与所述光路折射层之间形成第一交界面，所述第一交界面倾斜设置且在远离所述基底的方向上逐渐靠近所述发光器件。
在本发明实施例提供的显示模组中，所述有机发光层的***依次设置有所述像素定义层和光路反射层，所述像素定义层与所述光路折射层之间形成第二交界面，所述第二交界面倾斜设置且在远离所述基底的方向上逐渐远离所述发光器件。
在本发明实施例提供的显示模组中，所述光路反射层的材质为金属。
在本发明实施例提供的显示模组中，所述基底与所述第一阵列层之间设置有若干层交替设置的第一防蓝光层和第二防蓝光层，所述第一防蓝光层和所述第二防蓝光层均为透光材质且具有不同的折射率。
在本发明实施例提供的显示模组中，所述第一防蓝光层的材质为氮化硅，所述第二防蓝光层的材质为二氧化硅。
在本发明实施例提供的显示模组中，所述缓冲层在背离所述基底的一侧依次叠层设置有栅极绝缘层、层间介质层和平坦化层，所述像素定义层和所述发光器件均设置在所述平坦化层背离所述基底的表面上。
为了实现上述目的，根据发明实施例的第二个方面，还提供了一种显示装置，该显示装置包括本发明实施例第一方面提供的显示模组。
为了实现上述目的，根据发明实施例的第三个方面，还提供了一种显示模组的制备方法，该制备方法用于制备本发明实施例第一方面提供的显示模组。该制备方法包括以下步骤：
制备具有锥状凸起的第一阵列层，
在基底上依次设置第一阵列层和缓冲层；
在所述缓冲层背离所述基底的一侧形成像素驱动电路和发光器件。
采用本发明实施例提供的显示模组以及显示装置中，通过在显示模组的基底上方制作出具有锥状凸起结构阵列的第一阵列层，该第一阵列层能够将发光器件的透明电极射出的光线进行收拢，使得进入到基底的光线具有更高的准直度，从而减少基底内部全反射的光的数量，达到提升光效作用，由于该第一阵列层能够将光线进行收拢，所以该结构还具有一定防窥作用。
附图说明
构成本申请的一部分的附图用来提供对本申请的进一步理解，使得本申请的其它特征、目的和优点变得更明显。本申请的示意性实施例附图及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。在附图中：
图1为相关技术中显示模组的剖视图；
图2为本发明实施例提供的显示模组的剖视图一；
图3为本发明实施例提供的显示模组的剖视图二；
图4为本发明实施例提供的显示模组的剖视图三；
图5为图3所示显示模组的基底射出光路的原理图；
图6为图3所示显示模组的基底射出光路的原理图；
图7为本发明实施例提供的显示模组的剖视图四；
图8为图7所示显示模组中防蓝光的原理图；
图9为本发明实施例提供的显示模组的剖视图五；
图10为本发明实施例提供的显示模组中发光器件部分的剖视图一；
图11为图10的显示模组对应的俯视图；
图12为本发明实施例提供的显示模组中发光器件部分的剖视图二；
图13为图12的显示模组对应的俯视图；
图14为本发明实施例提供的显示模组中发光器件部分的剖视图三；以及
图15为图14的显示模组对应的俯视图。
图中：
1、基底；2、第一阵列层；201、第一锥状凸起；3、缓冲层；4、发光器件；401、阳极；402、阴极；403、有机发光层；5、第二阵列层；501、第二锥状凸起；6、像素定义层；7、平坦化层；8、光路折射层；9、第一交界面；10、光路反射层；11、第二交界面；12、第一防蓝光层；13、第二防蓝光层；14、栅极绝缘层、15、层间介质层；16、半导体层；17、源极区域；18、漏极区域；19、栅极电极；20、源极电极；21、漏极电极。
具体实施方式
为了使本技术领域的人员更好地理解本申请方案，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本申请保护的范围。
需要说明的是，本申请的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列单元的***、产品或设备不必限于清楚地列出的那些单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些产品或设备固有的其单元。
在本申请中，术语“上”、“下”、“内”、“中”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系。这些术语主要是为了更好地描述本申请及其实施例，并非用于限定所指示的装置、元件或组成部分必须具有特定方位，或以特定方位进行构造和操作。
并且，上述部分术语除了可以用于表示方位或位置关系以外，还可能用于表示其他含义，例如术语“上”在某些情况下也可能用于表示某种依附关系或连接关系。对于本领域普通技术人员而言，可以根据具体情况理解这些术语在本申请中的具体含义。
此外，术语“设置”、“连接”、“固定”应做广义理解。例如，“连接”可以是固定连接，可拆卸连接，或整体式构造；可以是机械连接，或电连接；可以是直接相连，或者是通过中间媒介间接相连，又或者是两个装置、元件或组成部分之间内部的连通。对于本领域普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
图1为常规的AMOLED显示模组结构的剖面示意图，依次包括层叠设置的基底1、缓冲层3、栅极绝缘层14、层间介质层15、平坦化层7和像素定义层6。
如图2所示，根据本发明实施例第一方面的显示模组，其包括依次层叠设置的基底1、第一阵列层2和缓冲层3，所述缓冲层3背离所述基底1的一侧设置有发光器件4和像素驱动电路，所述第一阵列层2上阵列分布有若干朝向所述基底1的第一锥状凸起201，所述第一阵列层2用于将所述发光器件4射向所述基底1的光线收拢。采用本发明实施例提供的显示模组以及显示装置中，通过在显示模组的基底1上方制作出具有锥状凸起结构阵列的第一阵列层2，该第一阵列层2能够将发光器件4的透明电极射出的光线进行收拢，使得进入到基底1的光线具有更高的准直度，从而减少基底1内部全反射的光的数量，达到提升光效作用，由于该第一阵列层2能够将光线进行收拢，所以该结构还具有一定防窥作用。
在上面的实施例中，基底1为透光材质，其材质包括但不限于聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、石英、UV树脂、聚碳酸酯(PC)和聚二甲基硅氧烷(PDMS)。
本发明实施例中的第一阵列层2中，所述第一阵列层2的材质包括但不限于氮化硅、二氧化硅或PET。第一锥状凸起201的具体尺寸参数可以根据需要来结合发光器件4的类型、缓冲层3的厚度等进行具体的调整，以实现对射出缓冲层3的光线的收拢效果为目的，例如所述第一锥状凸起201最宽处的宽度为50-800nm，高度为100-500nm，第一锥状凸起201所形成的阵列结构的周期可以为50-1000nm，该阵列结构的周期理解为相邻两第一锥状凸起201之间的最小间距。在本发明上述实施例提供的第一阵列层2中，所述第一锥状凸起201的形状包括但不限于四棱锥、圆锥或三棱锥。具体地，当第一锥状凸起201为四棱锥结构时，四棱锥底面中较长的对角线即为第一锥状凸起201的宽度，四棱锥的高即为第一锥状凸起201的高度；当第一锥状凸起201为圆锥结构时，圆锥底面的直径尺寸即为第一锥状凸起201的宽度，圆锥的高即为第一锥状凸起201的高度；当第一锥状凸起201为三棱锥结构时，三棱锥底面中最长的边长即为第一锥状凸起201的宽度，三棱锥的高即为第一锥状凸起201的高度。
如图3和4所示，在一些实施例中，显示模组中所述基底1背离所述缓冲层3的一侧设置有第二阵列层5，所述第二阵列层5上阵列分布有若干背离所述基底1的第二锥状凸起501。其中第二阵列层5的设计形式可以参考第一阵列层2，第二锥状凸起501的设计形式可以参考第一锥状凸起201，即第二阵列层5的材质包括但不限于氮化硅、二氧化硅或PET；第二锥状凸起501的形状包括但不限于四棱锥、圆锥或三棱锥。在显示模组的基底1表面制作出的第二阵列层5的结构阵列，能够将基底1内部进行全反射的光线打散，使更多的光从基底1射出，达到增强光效作用。由于在显示模组中，基底相较于其他膜层会很厚，大量光线在基底内部会发生全反射，第二阵列层5会将全反射的光线打散，这是导致第二阵列层虽然与第一阵列层结构类似，但对光线的作用原理不同的原因。
图5为常规平面结构基底1，光从基底1出射至空气中时发生反射和折射，入射角和折射角符合折射定律，即n1sinβ＝n0sinβ′，其中n0、n1分别为空气的折射率和基底1的折射率，β为入射角，β′为折射角。随着入射角增大，折射角β′跟着增大，当折射角为90°时，入射角β＝arcsin(n0/n1)为临界角，一般用θc表示，即如图中光路③所示；当0<β<θc时，光线可以正常射出基底1，即如图中光路②所示；当θc<β<90°时，光线在基底1内部发生全反射，不能正常出射到空气中，即如图中光路④所示。也就是说，入射角大于θc的这部分光被损失掉了，光效利用率较差。
图6为本发明实施例提供的设置有第二阵列层5的基底1，设第二锥状凸起501的坡度角为α，则光线通过第二锥状凸起501表面时，光线射出情况为：入射角β满足0<β<θc时，光线直接射出基底1，即如图中光路①所示；入射角β满足θc<β<90°时，光线在一个第二锥状凸起501表面反射，反射至相邻的第二锥状凸起501表面，此时相对入射角为β2，则β2＝|2α-β|，当(2α-θc)<β<2α或者2α<β<(2α+θc)时，光线也直接射出，即如图中光路②所示；此外还会存在图中的光路③，光线在基底1上的第二锥状凸起501的表面反射后，光线反射至相邻第二锥状凸起501的表面，再次反射至基底1内部，这部分的光通常很少。
根据上面的分析，当基底1表面为第二阵列层5时，大部分的光能够出射到空气中，只有一小部分的光因在第二锥状凸起501的表面发生两次反射而无法射出，因此该第二阵列层5的设置使得显示模组具有更高的出光效率，优选地，第二阵列层5的折射率与基底1的折射率相同，使得光线在基底1与第二阵列层5过渡时不会发生折射，最好可以通过对基底1的表面进行处理形成第二阵列层5，当然也可通过沉积或溅射等方式在基底1表面单独形成一层独立的第二阵列层5。
如图10和11所示，在本发明实施例提供的显示模组中，所述显示模组还包括像素定义层6，所述像素定义层6在对应于所述发光器件4的区域设有像素开口，所述发光器件4布置在所述像素开口内，所述发光器件4包括阳极401、阴极402以及位于所述阳极401与所述阴极之间的有机发光层403。在发光器件4的底部一般设计有平坦化层7，因此上方的有机发光层403较为平整有机发光层403的发光因光波导效应使得光在有机层内部传播并且进入到像素定义层6内水平传播，不会发射到外部，即会存在图中所需要尽量避免的光路②和光路③。
为了改善图10和11中显示模组结构的缺陷，如图12和13所示，在本发明实施例提供的显示模组中，所述有机发光层403的***依次设置有所述像素定义层6和光路折射层8，所述光路折射层8的折射率大于所述像素定义层6的折射率，所述像素定义层6与所述光路折射层8之间形成第一交界面9，所述第一交界面9倾斜设置且在远离所述基底的方向上逐渐靠近所述发光器件4。通过该结构使得在有机发光层403周边设计了一层透明的折射率较大倒梯形结构的光路折射层8，在满足上述折射率要求的前提下，光路折射层8的材质可以为氮化硅或二氧化硅，利用该结构折射率大于像素定义层6折射率的特性，在像素定义层6内平行于有机发光层403横向传播的光线(如图12中的光路②和光路③)在第一交界面9发生折射，从而使部分光线(如图12中光路④和光路⑤)因折射而射出显示模组的表面，达到提升光效目的，另外通过控制第一交界面9坡度的形状和长度可以达到不同提升效果，此处不再赘述。
为了改善图10和11中显示模组结构的缺陷，如图14和15所示，在本发明实施例提供的显示模组中，所述有机发光层403的***依次设置有所述像素定义层6和光路反射层10，所述像素定义层6与所述光路折射层8之间形成第二交界面11，所述第二交界面11倾斜设置且在远离所述基底的方向上逐渐远离所述发光器件4。通过该结构使得在有机发光层403周边设计了一层不透光的梯形结构的光路反射层10，利用该结构可以对光形成大量反射的特性，在像素定义层6内平行于有机发光层403横向传播的光线(如图14中的光路②和光路③)在第二交界面11发生反射，从而使部分光线(如图14中光路④和光路⑤)因反射而射出显示模组的表面，达到提升光效目的，另外通过控制第二交界面11坡度的形状和长度可以达到不同提升效果，此处不再赘述。其中所述光路反射层10的材质包括但不限于金属。
如图7和8所示，在本发明实施例提供的显示模组中，所述基底与所述第一阵列层2之间设置有若干层交替设置的第一防蓝光层12和第二防蓝光层13，所述第一防蓝光层12和所述第二防蓝光层13均为透光材质且具有不同的折射率。多层交替设置的第一防蓝光层12和第二防蓝光层13，光从光疏到光密介质传播时，反射光会有半波损失，反射光与入射光相位差为π，反射率＞4％。光从光密到光疏介质传播时，不会产生半波损失，但经过高折射率膜层后会发生(2n-1)*π的相位变化。多层纳米膜层结构使得反射光的相位相同，这些反射光之间会发生干涉，使反射率增加，从而达到削弱蓝光强度的目的，起到防蓝光作用。
随着高/低折射率薄膜交替层数增加，透过率下降，反射率增大，高反射率的波长趋于一个极限，对应的波段称之为反射带宽。反射带宽计算公式为Δg＝2/π*arcsin((nH-nL)/(nH+nL))，其中nH和nL分别为第一防蓝光层12和第二防蓝光层13中高折射率膜层的折射率和低折射率膜层的折射率；其中nH/nL越大，反射带宽就越大，非蓝光波长的反射率也相对增加，故实际设计时应考虑防蓝光和透过率二者兼顾。作为一种可选的实施方式，所述第一防蓝光层12的材质为氮化硅，所述第二防蓝光层13的材质为二氧化硅。
在本发明实施例提供的显示模组中，所述缓冲层3在背离所述基底的一侧依次叠层设置有栅极绝缘层14、层间介质层15和平坦化层，所述像素定义层6和所述发光器件4均设置在所述平坦化层背离所述基底的表面上。
参照各附图所示，本发明的实施例提供的显示模组中，位于基底上的像素驱动电路可以包含有若干晶体管结构，各附图中仅仅展示一个晶体管的结构来加以说明。基底的整个表面上沉积有缓冲层3；根据情况，可不包括缓冲层3；或者，缓冲层3可具有多个层。在此，为了说明上的便利，以单层设置的缓冲层3为例进行说明。并且，可在缓冲层3和基底之间的所需区域处具有本发明前述实施例中提及的第二阵列层5、第一防蓝光层12和第二防蓝光层13。
下面将对像素驱动电路进行简要介绍，显示驱动电路具有半导体层16、源极区域17、漏极区域18、栅极电极19等结构，在缓冲层3上设置有半导体层16，半导体层16包括晶体管的沟道区域，沟道区域被定义为是栅极电极19和半导体层16之间的重叠区域，由于栅极电极19与半导体层16的中央部分重叠，半导体层16的中央部分即成为沟道区域，沟道区域两侧扩展的两个区域掺杂有杂质，分别被定义为源极区域17和漏极区域18。半导体层16优选具有例如多晶硅(p-Si)的多晶半导体材料。
在具有半导体层16的缓冲层3的整个表面上沉积有栅极绝缘层14。栅极绝缘层14可以由氮化硅材料或氧化硅材料形成。为保证元件的稳定性及特性，栅极绝缘层14优选具有一定的厚度。在栅极绝缘层14由氮化硅形成的情况下，在制造工艺上可能会在栅极绝缘层14内含有大量氢粒子。这些氢粒子可能会扩散到栅极绝缘层14外部，因此栅极绝缘层14优选以氧化硅材料形成。在栅极绝缘层14上方沉积有层间绝缘层以覆盖栅极电极19。层间绝缘层包括但不限于包括氮化硅的氮化物层SIN和包括氧化硅的氧化物层SIO交替层叠的多层结构。为了方便形成发光器件4和像素定义层6，在层间绝缘层上方覆盖有平坦化层。
本发明上述实施例中的第一阵列层、第二阵列层、光路折射层、光路反射层、防蓝光层等结构可以相互组合搭配使用，可以达到集防窥与防蓝光于一体，同时提升光效的目的，例如下面给出了本发明实施例提供的一种如图9所示的显示模组的制备方法，具体可以为：
步骤S100，制备具有第一锥状凸起201的第一阵列层2；
步骤S200，在基底上依次交替设置的第一防蓝光层12和第二防蓝光层13；
步骤S300，在交替设置的第一防蓝光层12和第二防蓝光层13上方设置第一阵列层2；
步骤S400，在第一阵列层2上沉积缓冲层3。
步骤S500，在所述缓冲层3背离所述基底的一侧形成像素驱动电路。具体包括步骤
步骤S510，在缓冲上沉积非晶硅(a-Si)材料，执行结晶化工艺，将非晶硅层转化为多晶硅(poly-Si)。使用掩模工艺，对多晶硅层进行图案化以形成半导体层16。
步骤S520，在具有导体层的缓冲层3整个表面上沉积绝缘材料，以形成栅极绝缘层14。栅极绝缘层14优选包括氧化硅。
步骤S530，在栅极绝缘层14上沉积栅极金属材料，使用掩模工艺，对栅极金属层进行图案化以形成栅极电极19。栅极电极19设置为与半导体层16的中心部分重叠。
步骤S540，使用栅极电极19作为掩模，将杂质材料掺入半导体层16的一些部分，以定义出包括源极区域17及漏极区域18的掺杂区域。
步骤S550，在具有栅极电极19的整个栅极绝缘层14表面上沉积层间介质层15。
步骤S560，使用掩模工艺，对层间介质层15和栅极绝缘层14进行图案化以形成暴露半导体层16的一部分的源极接触孔和暴露半导体层16的另一部分的漏极接触孔。
步骤S570，在具有源极接触孔及漏极接触孔的层间介质层15上沉积源极-漏极金属材料，使用掩模工艺，对源极-漏极金属材料进行图案化以形成源极电极20和漏极电极21。源极电极20通过源极接触孔与源极区域17接触，漏极电极21通过漏极接触孔与漏极区域18接触。
步骤S600，在形成有像素驱动电路的整个器件结构表面上沉积钝化层，对钝化层进行图案化以形成用以暴露漏极电极21的一些部分的接触孔。
步骤S700，在钝化层表面沉积平坦化层。
步骤S800，在平坦化层上制备形成发光器件4，具体包括以下步骤：通过一次构图制备阳极401；通过蒸镀工艺制备有机发光层403；通过蒸镀工艺制备阴极402；通过PEVCD工艺制备像素定义层；通过PEVCD工艺制备光路折射层8或通过Sputter工艺制备光路反射层10。
步骤S900，在基底的表面上形成第二阵列层5。
以上为本发明实施例关于显示模组的示例性描述和说明，显示模组的其他构成以及其制备方法的其他操作对于本领域的普通技术人员来说是可知的，在此不再详细描述，本领域技术人员可以参考现有技术的记载进行理解和应用。
本发明实施例还提供了一种显示装置，该显示装置采用了本发明实施例提供的显示模组，即显示装置中的显示模组包括依次层叠设置的基底1、第一阵列层2和缓冲层3，所述缓冲层3背离所述基底1的一侧设置有发光器件4和像素驱动电路，所述第一阵列层2上阵列分布有若干朝向所述基底1的第一锥状凸起201，所述第一阵列层2用于将所述发光器件4射向所述基底1的光线收拢。
本申请实施例提供的显示装置可以为：液晶面板、电子纸、有机发光二极管(OLED)面板、有源矩阵有机发光二极管(AMOLED)面板、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框或导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。本申请实施例所公开的显示装置由于包括上述实施例提供的显示模组，因此具有该显示模组的显示装置也具有上述所有的技术效果，在此不再一一赘述。显示模组和显示装置的其他构成、原理以及制备方法对于本领域的普通技术人员来说是可知的，在此不再详细描述。
本说明书中部分实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。
以上仅是本发明的具体实施方式，使本领域技术人员能够理解或实现本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所申请的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。
Claims (13)
1.一种显示模组，其特征在于，包括依次层叠设置的基底、第一阵列层和缓冲层，所述缓冲层背离所述基底的一侧设置有发光器件和像素驱动电路，所述第一阵列层上阵列分布有若干朝向所述基底的第一锥状凸起，所述第一阵列层用于将所述发光器件射向所述基底的光线收拢。
2.根据权利要求1所述的显示模组，其特征在于，所述基底背离所述缓冲层的一侧设置有第二阵列层，所述第二阵列层上阵列分布有若干背离所述基底的第二锥状凸起。
3.根据权利要求2所述的显示模组，其特征在于，所述第一阵列层和/或所述第二阵列层的材质为氮化硅、二氧化硅或PET。
4.根据权利要求2或3所述的显示模组，其特征在于，所述第一锥状凸起和/或所述第二锥状凸起的形状为四棱锥、圆锥或三棱锥。
5.根据权利要求1所述的显示模组，其特征在于，所述显示模组还包括像素定义层，所述像素定义层在对应于所述发光器件的区域设有像素开口，所述发光器件布置在所述像素开口内，所述发光器件包括阳极、阴极以及位于所述阳极与所述阴极之间的有机发光层。
6.根据权利要求5所述的显示模组，其特征在于，所述有机发光层的***依次设置有所述像素定义层和光路折射层，所述光路折射层的折射率大于所述像素定义层的折射率，所述像素定义层与所述光路折射层之间形成第一交界面，所述第一交界面倾斜设置且在远离所述基底的方向上逐渐靠近所述发光器件。
7.根据权利要求5所述的显示模组，其特征在于，所述有机发光层的***依次设置有所述像素定义层和光路反射层，所述像素定义层与所述光路折射层之间形成第二交界面，所述第二交界面倾斜设置且在远离所述基底的方向上逐渐远离所述发光器件。
8.根据权利要求7所述的显示模组，其特征在于，所述光路反射层的材质为金属。
9.根据权利要求1所述的显示模组，其特征在于，所述基底与所述第一阵列层之间设置有若干层交替设置的第一防蓝光层和第二防蓝光层，所述第一防蓝光层和所述第二防蓝光层均为透光材质且具有不同的折射率。
10.根据权利要求9所述的显示模组，其特征在于，所述第一防蓝光层的材质为氮化硅，所述第二防蓝光层的材质为二氧化硅。
11.根据权利要求10所述的显示模组，其特征在于，所述缓冲层在背离所述基底的一侧依次叠层设置有栅极绝缘层、层间介质层和平坦化层，像素定义层和所述发光器件均设置在所述平坦化层背离所述基底的表面上。
12.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-11中任一项所述的显示模组。
13.一种显示模组的制备方法，用于制备权利要求1-11中任一项所述的显示模组，其特征在于，包括以下步骤：
制备具有锥状凸起的第一阵列层，
在基底上依次设置第一阵列层和缓冲层；
在所述缓冲层背离所述基底的一侧形成像素驱动电路和发光器件。
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