CN113193019B - 显示面板及显示装置 - Google Patents
显示面板及显示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN113193019B CN113193019B CN202110435782.1A CN202110435782A CN113193019B CN 113193019 B CN113193019 B CN 113193019B CN 202110435782 A CN202110435782 A CN 202110435782A CN 113193019 B CN113193019 B CN 113193019B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- ultraviolet light
- conversion layer
- display panel
- light conversion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 89
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 22
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 237
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 31
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 29
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims 4
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 7
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 35
- 230000004224 protection Effects 0.000 description 6
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 5
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 5
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 5
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical compound [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017768 LaF 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006750 UV protection Effects 0.000 description 1
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011630 iodine Substances 0.000 description 1
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/38—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/126—Shielding, e.g. light-blocking means over the TFTs
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/50—OLEDs integrated with light modulating elements, e.g. with electrochromic elements, photochromic elements or liquid crystal elements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/873—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/351—Thickness
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
本申请提供一种显示面板及显示装置,显示面板包括阵列基板、发光层以及紫外光转换层,紫外光转换层设置在发光层的出光侧,紫外光转换层用于将高能紫外光转换成低能紫外光,同时还在紫外光转换层内设置吸光离子,当外界的高能紫外光透过该紫外光转换层时,被该紫外光转换层转换成低能的紫外光,低能的紫外光到达面板内部对面板的发光材料的影响较小,从而有效的提高了显示面板的使用性能以及使用寿命。
Description
技术领域
本申请涉及显示面板制造技术领域,特别是涉及一种显示面板及显示装置。
背景技术
随着显示技术的不断提升,人们对显示面板及显示装置的性能以及质量均提出了更高的要求。
有机发光二极管(organic light-emitting diode,OLED)器件因其较传统的液晶显示器(liquid crystal display,LCD)相比具有重量轻巧,视角广,响应时间快,耐低温,发光效率高等优点。因此在显示行业一直被视其为下一代新型显示技术,特别是OLED可以应用在各种不同型号的设备上。但是,现有的显示装置及设备在使用过程中,由于其使用工况比较复杂,设备的存放环境比较恶劣,如一些设备常常会在太阳辐射下或者较高的温度环境下进行工作。此时,恶劣的使用环境会对器件的使用性能以及寿命造成一定的影响,特别是外界的较高强度的紫外线对设备造成的影响,外界高强紫外光的辐射会对OLED器件内部的膜层材料造成一定的损伤,进而影响器件的使用寿命,不利于设备使用性能的提高。
综上所述,现有制备技术中制备得到的OLED器件,在复杂环境工况下工作时,高能紫外光线的辐射会对器件内部的功能膜层造成一定程度的损伤,进而降低了显示装置的使用寿命以及可靠性,不利于设备使用性能的提高。
发明内容
本申请实施例提供一种显示面板及显示装置,以有效的改善现有的显示面板及装置在复杂使用工况下,外界的高能紫外光线容易对设备内部膜层造成损害,进而影响设备的正常使用性能的问题。
为解决上述技术问题,本申请实施例提供的技术方法如下:
本申请实施例的第一方面,提供了一种显示面板,包括:
阵列基板;
发光器件层,所述发光器件层设置在所述阵列基板上;以及,
紫外光转换层,所述紫外光转换层设置在所述发光器件层的出光侧,所述紫外光转换层用于将高能紫外光转换成低能紫外光。
根据本申请一实施例,所述紫外光转换层内设置有吸光离子。
根据本申请一实施例,所述吸光离子包括Yb3+、Tm3+、Ce3+中的一种或者多种。
根据本申请一实施例,所述吸光离子均匀的设置在所述紫外光转换层内,且所述吸光离子的含量在1%~10%之间。
根据本申请一实施例,所述紫外光转换层的厚度在1微米~10微米之间。
根据本申请一实施例,所述低能紫外光中的光子的波长在900nm~1100nm之间。
根据本申请一实施例,所述显示面板还包括封装层以及保护层,所述封装层设置在所述发光器件层的出光侧,且所述保护层设置在所述封装层上。
根据本申请一实施例,所述封装层设置在所述发光层上,所述紫外光转换层设置在所述封装层上,且所述保护层设置在所述紫外光转换层上。
根据本申请一实施例,所述紫外光转换层设置在所述发光器件层上,所述封装层设置在所述紫外光转换层上,且所述保护层设置在所述封装层上。
根据本申请实施例的第二方面,还提供一种显示装置,显示装置包括本申请实施例中提供的显示面板,显示面板可将外界的高能紫外光转换成低能紫外光。
综上所述,本申请实施例的有益效果为:
本申请实施例提供一种显示面板及显示装置,为了有效的提高显示面板在使用时具有较高的使用性能以及降低外界高能紫外光线对设备造成的影响,本申请实施例中,通过在显示面板内部设置紫外光转换层,紫外光转换层设置在显示面板的发光层的出光侧,当外界的高能紫外光透过该紫外光转换层时,被该紫外光转换层转换成低能的紫外光,低能的紫外光到达面板内部对面板的发光材料的影响较小,甚至没有影响,从而有效的提高了显示面板的使用性能以及使用寿命。
附图说明
下面结合附图,通过对本申请的具体实施方式详细描述,将使本申请的技术方案及其它有益效果更显而易见。
图1为本申请实施例提供的显示面板的膜层结构示意图;
图2为本申请实施例提供的又一显示面板的膜层结构示意图;
图3为本申请实施例提供的另一膜层结构示意图;
图4为本申请实施例提供的功能膜层结构示意图;
图5为本申请实施例提供的偏光片的膜层结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例,本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本申请保护的范围。
在本申请的描述中,需要理解的是,术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本申请和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本申请的限制。此外,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的描述中,“多个”的含义是两个或两个以上,除非另有明确具体的限定。
随着显示面板制备技术的不断发展,人们希望制备并获得到的显示面板以及显示装置具有较好的发光性能及显示效果,同时,还需要得到能在各种复杂环境工况下正常工作,并在高强紫外光下,仍具有较好的使用性能以及寿命的显示设备。
如图1所示,图1为本申请实施例提供的显示面板的膜层结构示意图。显示面板包括阵列基板100、像素定义层101、封装层110、显示层105以及紫外光转换层106。
具体的,本申请实施例中的阵列基板100设置在衬底层上,该阵列基板100可为薄膜晶体管阵列基板,阵列基板100内设置多个薄膜晶体管器件。
像素定义层101设置在阵列基板100上,像素定义层101在阵列基板100上图案化设置,因此,在阵列基板100上形成有像素开口区111和非开口区112,其中,像素开口区111和非开口区112相邻设置。
本申请实施例中,显示面板还包括电极层108以及发光层109,电极层108通过对应的过孔与阵列基板100内的薄膜晶体管的源极107电连接。在设置电极层108时,电极层108对应的设置在像素定义层101的开口区111位置处。同时,发光层109设置在该电极层108上,并且,发光层109设置在像素定义层101的开口区111对应位置处。
因此,阵列基板100内的薄膜晶体管通过电极层108实现对发光层109的驱动以及控制。同时,发光层109发出的光线经过该开口区111,到达显示面板的外部,并最终实现发光显示功能。
进一步的,封装层110设置在像素定义层101上,通过封装层110实现对显示面板内膜层的密封,并阻止外界的水汽等物质进入到显示面板的发光层109内,而影响显示面板的使用性能。
本申请实施例中的封装层110可包括多层膜层的叠加结构,具体的,封装层110可包括第一无机层102、第一有机层103以及第二无机层104。其中,第一无机层102设置在像素定义层101上,并且,第一无机层102覆盖该像素定义层101以及发光层109。第一有机层103设置在第一无机层102上,同时,第二无机层104设置在第一有机层103上,通过无机层与有机层依次叠加的层叠结构,当外界的水汽等杂质进入到封装层110时,多膜层的结构可有效地对杂质进行阻挡,进而有效的提高封装层110的封装性能以及封装效果。优选的,第一无机层102以及第二无机层104的材料可为氮化硅、氧化硅等绝缘材料膜层。
本申请实施例中,显示层105设置在封装层110上,通过显示层105对显示画面进行发光显示。优选的,该显示层105可为量子点发光层,从而有效的提高显示面板的发光显示效果。
其中,显示面板还包括紫外光转换层106。详见图1,本申请实施例中,紫外光转换层106设置在显示层105上。当外界紫外光线到达紫外光转换层106时,在穿过紫外光转换层106的过程中,紫外光转换层106可将原先具有较高能量的紫外光转换成低能量的紫外光。
具体的,若外界的光线为太阳光,太阳光谱内的紫外光的光子波长在300nm~400nm,这些紫外线光子具有较高的光照强度,很容易对显示面板内部的发光层109造成损坏,进而影响面板的寿命。而在本申请实施例中,当这些较高强度的光子穿过该紫外光转换层106时,紫外光转换层106可将高能量的光子转换层低能量的紫外光,例如,将上述波长的光子转换成900nm~1100nm波长的紫外光,从而有效的降低了紫外光的强度,进而有效的对显示面板内部的敏感膜层进行保护,并提高了显示面板的寿命。
优选的,本申请实施例中提供的紫外光转换层106内设置有吸光离子。吸光离子可包括Yb3+、Tm3+、Ce3+等,其中,设置在紫外光转换层106内的吸光离子可包括上述粒子中的一种或者多种。
当紫外光经过上述吸光离子时,吸光离子可对紫外光进行量子裁剪(quantum-cutting),具体的,吸光离子吸收一个高能光子,并将吸收的高能光子转化为两个低能光子,并将该低能光子发射出来。从而有效的降低了紫外光的强度。
在设置紫外光转换层106时,吸光离子可均匀的分布在该紫外光转换层106内,并且设置的吸光离子的含量在1%~10%之间,优选的,该吸光离子的含量为5%,具体的,针对实际产品,可根据需求进行调整。
进一步的,在设置吸光离子时,还可在紫外光转换层106的不同位置区域处设置不同浓度的吸光离子。例如,在像素定义层101的开口区111内对应的位置处,该吸光离子的浓度大于其他非开口区112内对应吸光离子的浓度,这样,当外界光线进入到开口区111时,能有效的对光线中的高能紫外光进行转换,进而减小紫外光对发光层的损坏,提高面板的使用性能。
本申请实施例中的紫外光转换层106的厚度在1微米~10微米之间,优选为5微米,同时,可根据实际产品的需求进行调整。从而在保证对紫外光转换的同时,实现轻薄化设计。
同时,为了保证光线的透过率,本申请实施例中的紫外光转换层106为透明膜层。优选的,该透明膜层可为含Yb3+的透明基质层。具体的,该透明基质层可为含有CsPbX3材料的透明基质层,其中,该化学式中X可为氯元素、溴元素、碘元素等,或者其他元素周期表中的卤族元素。或该透明基质层为氧化物或氟化物,优选的,该氧化物或氟化物为G2O3、Y2O3、CeO2、NaYF4、LaF3以及K2GdF5等,这里不再详细说明。
优选的,在设置紫外光转换层时,可设置为多层结构。如第一紫外光转换层1061和第二紫外光转换层1062。其中,第一紫外光转换层1061内吸光离子的含量小于第二紫外光转换层1062内吸光离子的含量,从而形成一不同浓度梯度的紫外光转换层。当紫外光到达该膜层时,不同浓度的吸光离子能更好的对紫外光进行转换,进而有效的提高对外界光线的转换率,并最终提高对面板内发光层的保护。
进一步的,本申请实施例中的紫外光转换层106还可设置为一层。但是,对于一层膜层而言,为了提高紫外光转换层106的光线转换率,从上到下,该膜层内的吸光离子的浓度或单位面积内分布的吸光离子的含量逐渐增大。从而有效的提高了紫外光转换层106对紫外光转换的效率。
如图2所示,图2为本申请实施例提供的又一显示面板的膜层结构示意图。结合图1中的显示面板的膜层结构,本申请实施例中,将紫外光转换层106设置在封装层110上,并且将显示层105设置在紫外光转换层106上。此时,紫外光转换层106设置在显示面板的膜层之间,以进一步改善对紫外光的转换性能。
优选的,在制备紫外光转换层106时,可通过蒸镀工艺或者化学气相沉积工艺进行制备,以保证紫外光转换层106的一致性,以及粒子分布的均匀性。
如图3所示,图3为本申请实施例提供的另一膜层结构示意图。同时结合图1-图2中的结构,本实施例中,面板包括阵列基板100、像素定义层101、封装层110以及紫外光转换层106。
具体的,像素定义层101设置在阵列基板100上,像素定义层101在阵列基板100上图案化设置,并形成开口区111和非开口区112,开口区111和非开口区112相邻设置。
显示面板还包括电极层108以及发光层109,电极层108通过对应的过孔与阵列基板100内的薄膜晶体管的源极107电连接,同时,电极层108和发光层109均对应的设置在像素定义层101的开口区111处。
封装层110设置在像素定义层101上,通过封装层110实现对显示面板内膜层的密封,本申请实施例中的封装层110可包括多层膜层的叠加结构。具体结构这里不再赘述。
优选的,显示面板还包括紫外光转换层106。本申请实施例中,紫外光转换层106设置在像素定义层101上。同时紫外光转换层106覆盖发光层109和像素定义层101。
当外界的紫外光线进入显示面板,并穿过紫外光转换层106时,紫外光转换层106可将高能紫外光转换成低能量的紫外光,从而有效的对发光层109进行保护。优选的,在设置紫外光转换层106时,为了进一步提高光线的转换性能,在开口区111对应位置处,紫外光转换层106的厚度可大于非开口区112处对应的紫外光转换层106的厚度。或将开口区111内对应的膜层中的吸光离子的浓度提高,以有效的对高能紫外光进行转换。
如图4所示,图4为本申请实施例提供的功能膜层结构示意图。该膜层为显示面板正常工作时的主要膜层,其各膜层的结构仅为示例,除此之外,显示面板内部还包括其他功能膜层,本示意图中将其他功能膜层省去。
具体的,功能层包括发光层400、电极层401、覆盖层402、紫外光转换层106、光耦合层403以及封装层110。其中,电极层401设置在发光层400上,覆盖层402设置在电极层401上,紫外光转换层106设置在覆盖层402上,同时,光耦合层403设置在紫外光转换层106上,并将封装层110设置在光耦合层403上。
本申请实施例中,将紫外光转换层106设置在光耦合层403与覆盖层402之间,当外界的紫外光依次传过上述各膜层并进入到显示面板内时,紫外光转换层106可有效地将高能紫外线转换层低能紫外光,从而起到防紫外线的作用,并对发光层400进行保护,提高显示面板的可靠性能。
具体的,光耦合层403可为LiF膜层,通过LiF膜层以有效的提高光线出光率,并提高显示面板的显示效果。
进一步的,紫外光转换层106还可设置在电极层401与覆盖层402之间,具体结构不在详细描述,通过改变紫外光转换层106的膜层位置,以进一步改善紫外光转换层106对紫外光的转换性能。
本申请实施例还提供一种偏光片。如图5所示,图5为本申请实施例提供的偏光片的膜层结构示意图。偏光片包括多层偏光膜层,具体的,包括:衬底500、粘接层501、第一支撑层502、第一偏光层503、紫外光转换层106以及第二支撑层504。
具体的,本申请实施例中的第一支撑层502和第二支撑层504可为相同的材料,即两者可为同一膜层,优选为TAC支撑膜层。粘接层501可为压敏胶,从而将两相邻的膜层进行粘接。第一偏光层503可为PVA偏光层,通过PVA偏光层实现对光线的偏转,优选的,本申请实施例中提供的偏光片内可设置多层第一偏光层503,以有效的提高偏光片的偏光性能。
本申请实施例中的偏光片内设置有紫外光转换层106,紫外光转换层106优选为Yb3+基质层。紫外光转换层106设置在偏光片的支撑层与偏光层之间,从而有效的对高能紫外光进行转换,并提高偏光片的性能。
进一步的,本申请实施例还提供一种显示装置,显示装置内设置有本申请实施例中的显示面板或本申请实施例中提供的偏光片,通过在膜层内设置紫外光转换层,当高能紫外光透过该紫外光转换层时,该紫外光转换层将紫外光转换成低能紫外光,从而有效的防止了OLED内材料膜层的损伤,并提高了显示面板的防紫外光的性能。
以上对本申请实施例所提供的一种显示面板及显示装置进行了详细介绍,本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述,以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想;本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换;而这些修改或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。
Claims (9)
1.一种显示面板,其特征在于,包括:
阵列基板,所述阵列基板包括像素开口区和非像素开口区,所述像素开口区和所述非像素开口区相邻设置;
发光器件层,所述发光器件层设置在所述阵列基板上;以及,
紫外光转换层,所述紫外光转换层设置在所述发光器件层的出光侧,所述紫外光转换层用于将高能紫外光转换成低能紫外光,其中,所述紫外光转换层包括第一紫外光转换层和设置在所述第一紫外光转换层上的第二紫外光转换层;
其中,所述紫外光转换层内设置有吸光离子,且在所述像素开口区内对应的所述吸光离子的浓度,大于所述非像素开口区域内对应的所述吸光离子的浓度;
且所述第一紫外光转换层内的所述吸光离子的浓度小于所述第二紫外光转换层内的所述吸光离子的浓度。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述吸光离子包括Yb3+、Tm3+、Ce3+中的一种或者多种。
3.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,且所述吸光离子的含量在1%~10%之间。
4.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述紫外光转换层的厚度在1微米~10微米之间。
5.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述低能紫外光中的光子的波长在900nm~1100nm之间。
6.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括封装层以及保护层,所述封装层设置在所述发光器件层的出光侧,且所述保护层设置在所述封装层上。
7.根据权利要求6所述的显示面板,其特征在于,所述封装层设置在所述发光器件层上,所述紫外光转换层设置在所述封装层上,且所述保护层设置在所述紫外光转换层上。
8.根据权利要求6所述的显示面板,其特征在于,所述紫外光转换层设置在所述发光器件层上,所述封装层设置在所述紫外光转换层上,且所述保护层设置在所述封装层上。
9.一种显示装置,其特征在于,所述显示装置包括如权利要求1-8中任一项所述的显示面板。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202110435782.1A CN113193019B (zh) | 2021-04-22 | 2021-04-22 | 显示面板及显示装置 |
PCT/CN2021/091888 WO2022222194A1 (zh) | 2021-04-22 | 2021-05-06 | 显示面板及显示装置 |
US17/297,905 US20240016022A1 (en) | 2021-04-22 | 2021-05-06 | Display panel and display device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202110435782.1A CN113193019B (zh) | 2021-04-22 | 2021-04-22 | 显示面板及显示装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN113193019A CN113193019A (zh) | 2021-07-30 |
CN113193019B true CN113193019B (zh) | 2023-02-24 |
Family
ID=76978557
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202110435782.1A Active CN113193019B (zh) | 2021-04-22 | 2021-04-22 | 显示面板及显示装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20240016022A1 (zh) |
CN (1) | CN113193019B (zh) |
WO (1) | WO2022222194A1 (zh) |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102517013A (zh) * | 2011-11-24 | 2012-06-27 | 合肥工业大学 | 一种光子转换材料及其制备方法 |
JP2014034609A (ja) * | 2012-08-08 | 2014-02-24 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 波長変換デバイス及びその製造方法 |
CN106772753A (zh) * | 2015-11-25 | 2017-05-31 | 上海和辉光电有限公司 | 圆偏光片及其有机发光显示装置 |
CN109148709A (zh) * | 2018-09-04 | 2019-01-04 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 一种电致发光显示面板及显示装置 |
CN111697006A (zh) * | 2020-06-05 | 2020-09-22 | Tcl华星光电技术有限公司 | 显示面板及显示面板的制备方法 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20050049861A (ko) * | 2003-11-24 | 2005-05-27 | 삼성에스디아이 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널 |
KR101577300B1 (ko) * | 2008-10-28 | 2015-12-15 | 삼성디스플레이 주식회사 | 양자점을 이용한 백색광 발광다이오드 구조 및 이를 포함하는 백라이트 어셈블리 |
CN102576807A (zh) * | 2009-10-30 | 2012-07-11 | 住友化学株式会社 | 有机光电转换元件 |
JP2013004530A (ja) * | 2011-06-10 | 2013-01-07 | Panasonic Corp | 発光素子及び画像表示装置 |
JP6277065B2 (ja) * | 2014-05-30 | 2018-02-07 | 富士フイルム株式会社 | バックライトユニットおよび液晶表示装置 |
CN107452752A (zh) * | 2016-06-01 | 2017-12-08 | 三星显示有限公司 | 显示装置及其制造方法 |
CN108630738A (zh) * | 2018-07-24 | 2018-10-09 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板、装置及显示面板的制备方法 |
CN108873437B (zh) * | 2018-07-26 | 2021-03-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 调光玻璃结构及其制备方法、液晶显示装置 |
CN109273502B (zh) * | 2018-09-26 | 2020-12-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示背板及其制作方法以及显示装置 |
CN110752312A (zh) * | 2019-10-30 | 2020-02-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示面板、其制作方法及显示装置 |
CN111129350B (zh) * | 2019-12-26 | 2022-07-12 | Tcl华星光电技术有限公司 | 一种显示面板及显示面板制程方法 |
-
2021
- 2021-04-22 CN CN202110435782.1A patent/CN113193019B/zh active Active
- 2021-05-06 US US17/297,905 patent/US20240016022A1/en active Pending
- 2021-05-06 WO PCT/CN2021/091888 patent/WO2022222194A1/zh active Application Filing
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102517013A (zh) * | 2011-11-24 | 2012-06-27 | 合肥工业大学 | 一种光子转换材料及其制备方法 |
JP2014034609A (ja) * | 2012-08-08 | 2014-02-24 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 波長変換デバイス及びその製造方法 |
CN106772753A (zh) * | 2015-11-25 | 2017-05-31 | 上海和辉光电有限公司 | 圆偏光片及其有机发光显示装置 |
CN109148709A (zh) * | 2018-09-04 | 2019-01-04 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 一种电致发光显示面板及显示装置 |
CN111697006A (zh) * | 2020-06-05 | 2020-09-22 | Tcl华星光电技术有限公司 | 显示面板及显示面板的制备方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20240016022A1 (en) | 2024-01-11 |
WO2022222194A1 (zh) | 2022-10-27 |
CN113193019A (zh) | 2021-07-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7466075B2 (en) | OLED device having improved output and contrast with light-scattering layer and contrast-enhancement layer | |
US8841836B2 (en) | Flat panel display device, organic light emitting display device and method of manufacturing flat panel display device | |
KR102385235B1 (ko) | 디스플레이 장치 및 그 제조방법 | |
US10079366B2 (en) | Plastic organic electroluminescent display device and method of fabricating the same | |
KR100563675B1 (ko) | 유기 발광소자 및 유기 발광소자 패키지 | |
US8427045B2 (en) | Translucent substrate, process for producing the same, organic LED element and process for producing the same | |
US7710026B2 (en) | LED device having improved output and contrast | |
KR20150019620A (ko) | 유기발광 표시 장치 | |
US10950669B2 (en) | Display device | |
CN112614957A (zh) | 一种显示面板和显示装置 | |
US20140225099A1 (en) | Planar light emitting device | |
US11621406B2 (en) | Display apparatus and method of manufacturing the same | |
KR20170108192A (ko) | 표시 장치 | |
KR20150012591A (ko) | 유기발광표시장치 및 그 제조방법 | |
TW201947294A (zh) | 顯示面板 | |
CN109309170B (zh) | 一种显示面板及显示装置 | |
CN108121113B (zh) | 光学单元和具有该光学单元的显示装置 | |
US7019456B2 (en) | Organic EL display device | |
JP2007234391A (ja) | エレクトロルミネッセンス表示装置及び電子機器 | |
KR101874863B1 (ko) | 유기발광소자 | |
KR100707178B1 (ko) | 단방향 투명 광학계, 단방향 투명 광학계를 가진 평판디스플레이 및 그 제조 방법 | |
CN113193019B (zh) | 显示面板及显示装置 | |
KR101830612B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 | |
US20190288227A1 (en) | Organic electro-luminescence emission device | |
KR102310005B1 (ko) | 광학 필름 및 이를 구비하는 유기전계발광 표시장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |