CN113150339A - 一种SrSi2O2N2绿色光信息储存荧光薄膜的制备方法与应用 - Google Patents
一种SrSi2O2N2绿色光信息储存荧光薄膜的制备方法与应用 Download PDFInfo
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Abstract
本发明属于荧光薄膜制备与应用技术领域,具体涉及一种SrSi2O2N2绿色光信息储存荧光薄膜的制备方法与应用。所述方法包括以下步骤:(1)称量SrSi2O2N2荧光粉和粘合剂作为组合原料,将SrSi2O2N2荧光粉倒入粘合胶中搅拌混合,形成SrSi2O2N2荧光胶混合物;(2)将混合均匀的SrSi2O2N2荧光混合物抽真空或加热,去除气泡;(3)将步骤(2)得到的SrSi2O2N2荧光混合物导入膜具中,自然晾干成膜,得到SrSi2O2N2荧光薄膜。本发明利用荧光薄膜制备防伪标识安全可靠、防伪性好、难以复制、运用范围广,可作为商品防伪标识,保护了商家和买家的利益。
Description
技术领域
本发明属于荧光薄膜制备与应用技术领域,具体涉及一种SrSi2O2N2绿色光信息储存荧光薄膜的制备方法与应用。
背景技术
在当代,科技发达市场繁荣,商家为了增加收益,抄袭行为导致假冒伪劣产品日益增多,致使市场混乱。如何保护好商品的合法权益十分的重要,其中防伪标识是保护商家合法权益的重要关键。现有防伪技术包括电码防伪、二维码防伪和RFID防伪,存在以下缺点:
(1)电码防伪:防伪编码生成是唯一的,但可以很方便地重复生成—样的编码,造假者得到编码后也很容易复制;利用普通打印设备就可以大量伪造;鉴别速度很慢。
(2)二维码防伪:二维码生成是唯一的,但可以很方便地重复生成一样的二维码,造假者得到二维码后也很容易复制;利用普通打印设备就可以大量伪造;鉴别速度相对较慢。
(3)RFID防伪:掌握RFID技术的人可以重复生成出一模一样的RFID标识;除高端CPU型RFID外,一般的都能被破解复制;鉴别速度相对较慢。
光信息存储技术具有存储密度大、信息保存时间长、生产成本低、潜力巨大等特点,因此被视为最有发展前途的存储方法。因此,将光信息存储技术与防伪技术相结合制备一种难以复制、并具有特色的防伪标识有待解决。
发明内容
针对上述现状,本发明提供一种SrSi2O2N2绿色光信息储存荧光薄膜的制备方法,基于Sr-Si-O-N结构的氮化荧光粉具有发光效率高、激发带宽、化学稳定性好、结构变化大、发光颜色好等优点,将两者结合在一起,应用于防伪制作出难以复制、并具有特色的防伪标识。
为了实现上述目的,本发明一方面提供一种SrSi2O2N2绿色光信息储存荧光薄膜的制备方法,所述方法包括以下步骤:
(1)称量SrSi2O2N2荧光粉和粘合剂作为组合原料,将SrSi2O2N2荧光粉倒入粘合胶中搅拌混合,形成SrSi2O2N2荧光胶混合物;
(2)将混合均匀的SrSi2O2N2荧光混合物抽真空或加热,去除气泡;
(3)将步骤(2)得到的SrSi2O2N2荧光混合物导入膜具中,自然晾干成膜,得到SrSi2O2N2荧光薄膜。
进一步的,所述步骤(1)中SrSi2O2N2荧光粉的质量分数为5-15%。
进一步的,所述步骤(1)中粘合剂为环氧树脂AB胶,由A组分和B组分组成,所述A组分与所述B组分的质量比为1:1。
进一步的,所述步骤(2)中抽真空时间为5-10min。
进一步的,所述步骤(2)中加热温度为60℃,加热时间为20-30min。
本发明另一方面提供一种上述制备方法制得的SrSi2O2N2荧光薄膜的应用。
进一步的,将荧光薄膜为基底制备防伪标识。
进一步的,所述制备方法具体步骤包括:
(1)将制得的荧光薄膜用黑色的纸覆盖,预留图案区域的位置,用紫外灯照射1-2min后,在暗箱中进行200℃加热,预读出刻录信息;
(2)刻录信息结束后,用370nm进行信息激发,读出信息。
本发明具有以下有益效果:
本发明利用荧光薄膜制备防伪标识安全可靠、防伪性好、难以复制、运用范围广,可作为商品防伪标识,商家将独有符号或者防伪二维码刻录在荧光薄膜上,买家可用家用紫外灯进行照射检验,保护了商家和买家的利益。
附图说明
图1为实施例1中SrSi2O2N2荧光薄膜照片图;
图2为实施例1中SrSi2O2N2荧光薄膜370nm激发后照片图;
图3为实施例1中荧光薄膜在370nm激发下发射和激发光谱图,其中a为发射光谱图,b为激发光谱图;
图4为实施例2中荧光薄膜在370nm激发下激发光谱图,其中a为发射光谱图,b为激发光谱图;
图5为实施例3中荧光薄膜在370nm激发下激发光谱图,其中a为发射光谱图,b为激发光谱图。
具体实施方式
下面实施例用于对本发明的技术方案进行清楚、详细的描述,但实施例并不对本发明做任何形式的限定。
实施例1
(1)配胶:依次加入所需环氧树脂AB胶,其中A组合和B组分按质量1:1配比,手动沿杯壁快速搅拌5-10min并加热10min以去除气泡;
(2)称取质量分数为10%的SrSi2O2N2荧光粉,将SrSi2O2N2荧光粉倒入环氧树脂AB胶中,手动快速搅拌10-15min,经过搅拌均匀后放入真空机内抽真空5-10min,以去除气泡;
(3)将制作好的不同形状不同大小的膜具进行清洁铺上保鲜膜,喷上脱模剂方便胶凝后取膜,将SrSi2O2N2荧光混合胶导入膜具中,自然晾干成膜,得到SrSi2O2N2荧光薄膜;
(4)将制得的SrSi2O2N2荧光薄膜用黑色的纸覆盖,预留图案区域的位置,用紫外灯照射1-2min后,在暗箱中进行200℃加热,预读出刻录信息;
(5)刻录信息结束后,用370nm进行信息激发。
实施例1为质量分数为10%的SrSi2O2N2荧光粉制备的SrSi2O2N2荧光薄膜,用370nm激光进行激发后发出波长为位于470nm-590nm之间的绿光,经检测其激发光谱在340-500nm之间都有吸收,出现一个峰值,为380nm。
实施例2
(1)配胶:依次加入所需环氧树脂AB胶,其中A组合和B组分按质量1:1配比,手动沿杯壁快速搅拌5-10min并加热10min以去除气泡;
(2)称取质量分数为5%的SrSi2O2N2荧光粉,将SrSi2O2N2荧光粉倒入环氧树脂AB胶中,手动快速搅拌10-15min,经过搅拌均匀后于60℃加热20-30min,以去除气泡;
(3)将制作好的不同形状不同大小的膜具进行清洁铺上保鲜膜,喷上脱模剂方便胶凝后取膜,将SrSi2O2N2荧光混合胶导入膜具中,自然晾干成膜,得到SrSi2O2N2荧光薄膜;
(4)将制得的SrSi2O2N2荧光薄膜用黑色的纸覆盖,预留图案区域的位置,用紫外灯照射1-2min后,在暗箱中进行200℃加热,预读出刻录信息;
(5)刻录信息结束后,用370nm进行信息激发。
实施例2为质量分数为5%的SrSi2O2N2荧光粉制备的SrSi2O2N2荧光薄膜,用370nm激光进行激发后发出波长为位于470nm-590nm之间的绿光,经检测其激发光谱在300-485nm之间都有吸收,出现两个峰值,分别为310nm和385nm。。
实施例3
(1)配胶:依次加入所需环氧树脂AB胶,其中A组合和B组分按质量1:1配比,手动沿杯壁快速搅拌5-10min并加热10min以去除气泡;
(2)称取质量分数为15%的SrSi2O2N2荧光粉,将SrSi2O2N2荧光粉倒入环氧树脂AB胶中,手动快速搅拌10-15min,经过搅拌均匀后放入真空机内抽真空5-10min,以去除气泡;
(3)将制作好的不同形状不同大小的膜具进行清洁铺上保鲜膜,喷上脱模剂方便胶凝后取膜,将SrSi2O2N2荧光混合胶导入膜具中,自然晾干成膜,得到SrSi2O2N2荧光薄膜;
(4)将制得的SrSi2O2N2荧光薄膜用黑色的纸覆盖,预留图案区域的位置,用紫外灯照射1-2min后,在暗箱中进行200℃加热,预读出刻录信息;
(5)刻录信息结束后,用370nm进行信息激发。
实施例3为质量分数为15%的SrSi2O2N2荧光粉制备的SrSi2O2N2荧光薄膜,用370nm激光进行激发后发出波长为位于460nm-630nm之间的绿光,经检测其激发光谱在300-510nm之间都有吸收,出现两个峰值,分别为310nm和385nm。。
Claims (8)
1.一种SrSi2O2N2绿色光信息储存荧光薄膜的制备方法,其特征在于:所述方法包括以下步骤:
(1)称量SrSi2O2N2荧光粉和粘合剂作为组合原料,将SrSi2O2N2荧光粉倒入粘合胶中搅拌混合,形成SrSi2O2N2荧光胶混合物;
(2)将混合均匀的SrSi2O2N2荧光混合物抽真空或加热,去除气泡;
(3)将步骤(2)得到的SrSi2O2N2荧光混合物导入膜具中,自然晾干成膜,得到SrSi2O2N2荧光薄膜。
2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于:所述步骤(1)中SrSi2O2N2荧光粉的质量分数为5-15%。
3.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于:所述步骤(1)中粘合剂为环氧树脂AB胶,由A组分和B组分组成,所述A组分与所述B组分的质量比为1:1。
4.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于:所述步骤(2)中抽真空时间为5-10min。
5.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于:所述步骤(2)中加热温度为60℃,加热时间为20-30min。
6.一种权利要求1-5任一项所述制备方法制得的SrSi2O2N2荧光薄膜的应用。
7.根据权利要求6所述的应用,其特征在于:将荧光薄膜为基底制备防伪标识。
8.根据权利要求7所述的应用,其特征在于:所述制备方法具体步骤包括:
(1)将制得的荧光薄膜用黑色的纸覆盖,预留图案区域的位置,用紫外灯照射1-2min后,在暗箱中进行200℃加热,预读出刻录信息;
(2)刻录信息结束后,用370nm进行信息激发,读出信息。
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