CN113140605B - 一种显示器件及其制造方法 - Google Patents

Abstract

本公开提供一种显示器件及其制造方法，显示器件的像素区包括交替设置的第一像素区和第二像素区，显示器件包括：衬底基板；遮光层，设置于衬底基板的第一侧，设有多个第一镂空区；阵列层，位于遮光层的远离衬底基板的一侧，包括位于第一像素区的第一开关控制单元和位于第二像素区的第二开关控制单元；像素定义层，位于阵列层的远离衬底基板的一侧，包括位于第一像素区的第一开口和位于第二像素区的第二开口，第二开口与第一镂空区在衬底基板上的正投影完全重合；发光方向朝向衬底基板的第一侧的第一发光器件，位于第一像素区；发光方向朝向衬底基板的第二侧的第二发光器件，位于第二像素区。本公开的显示器件及其制造方法能够解决双面显示装置体积大、厚度大、重量大及背面显示屏亮度低的问题。

Description

一种显示器件及其制造方法

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示器件及其制造方法。

背景技术

在相关技术中，顺应显示功能多样化的趋势，出现了双面显示装置。目前生产的双面显示装置通常是将两个单面显示面板对贴而形成的。单面显示面板例如可以是单面OLED(Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管)显示面板或单面液晶(LiquidCrystal，简称LC)显示面板。采用这种方式形成的双面显示装置虽然能实现双面显示，但均存在体积大、厚度大、重量大等不足；对于OLED双面显示屏，其背面屏亮度提升是目前双面显示屏开发的技术难点，背面屏的低亮度使得背面屏上很难组装CPOL(圆偏光片)。

发明内容

本公开实施例提供了一种显示器件及其制造方法，能够解决相关技术中双面显示装置体积大、厚度大、重量大以及背面显示屏亮度低等技术问题。

本公开实施例所提供的技术方案如下：

本公开实施例中提供了一种显示器件，所述显示器件的像素区包括交替设置的多个第一像素区和多个第二像素区，所述显示器件具体包括：

衬底基板，包括相背设置的第一侧和第二侧；

遮光层，设置于所述衬底基板的第一侧，所述遮光层上设有多个第一镂空区；

阵列层，位于所述遮光层的远离所述衬底基板的一侧，所述阵列层包括位于所述第一像素区的第一开关控制单元和位于所述第二像素区的第二开关控制单元；

像素定义层，位于所述阵列层的远离所述衬底基板的一侧，所述像素定义层包括位于所述第一像素区的第一开口和位于所述第二像素区的第二开口，所述第二开口与所述第一镂空区在所述衬底基板上的正投影完全重合；

第一发光器件，所述第一发光器件位于所述第一像素区，并与所述第一开关控制单元连接，所述第一发光器件的发光方向朝向所述衬底基板的第一侧；

第二发光器件，所述第二发光器件位于所述第二像素区，并与所述第一开关控制单元连接，所述第二发光器件的发光方向朝向所述衬底基板的第二侧。

示例性的，所述第一发光器件为顶发射发光器件，包括：

位于所述像素定义层的远离所述衬底基板的一侧的第一阳极，所述第一阳极为反射性导电薄膜，所述第一阳极与所述第一开关控制单元连接；

位于所述第一阳极的远离所述衬底基板的一侧的第一发光层，所述第一发光层位于所述第一开口内；

位于所述第一发光层的远离所述衬底基板的一侧的第一阴极，所述第一阴极为透明导电薄膜。

示例性的，所述第一阳极为ITO/Ag/ITO复合导电薄膜；

所述第一阴极为Mg/Ag复合导电薄膜。

示例性的，所述第二发光器件为底发射发光器件，包括：

位于所述像素定义层的远离所述衬底基板的一侧的第二阳极，所述第二阳极为透光率大于80％的高透光性导电薄膜，所述第二阳极与所述第二开关控制单元连接；

位于所述第二阳极的远离所述衬底基板的一侧的第二发光层，所述第二发光层位于所述第二开口内；

位于所述第二发光层的远离所述衬底基板的一侧的第二阴极，所述第二阴极为反射率为100％的高反射性导电薄膜。

示例性的，所述第二阳极为ITO/Ag/ITO复合导电薄膜，其中所述第二阳极中Ag膜层的膜层厚度为20±10nm；

所述第二阴极为Al导电薄膜或Mg/Ag复合导电薄膜，其中所述Al导电薄膜的膜层厚度为200～300nm，所述Mg/Ag复合导电薄膜的膜层厚度为120～150nm。

示例性的，所述遮光层包括Mo膜层。

示例性的，在所述衬底基板与所述遮光层之间还设有选择性反射膜层。

示例性的，所述选择性反射膜层为多层有色光学膜层叠层结构。

示例性的，所述选择性反射膜层为对应整个所述显示器件的像素区设置的整个膜层；

或者，所述选择性反射膜层上设有第二镂空区，且所述第二镂空区与所述第二开口在所述衬底基板上的正投影重合。

示例性的，所述第一开关控制单元包括第一薄膜晶体管，所述第二开关控制单元包括第二薄膜晶体管。

本公开实施例还提供了一种显示器件的制造方法，用于制造如上所述的显示器件，所述方法包括如下步骤：

提供一衬底基板，所述衬底基板包括相背设置的第一侧和第二侧；

在所述衬底基板的第一侧形成遮光层，所述遮光层上设有多个第一镂空区；

在所述遮光层远离所述衬底基板的一侧形成阵列层，所述阵列层包括位于所述第一像素区的第一开关控制单元和位于所述第二像素区的第二开关控制单元；

在所述阵列层的远离所述衬底基板的一侧形成像素定义层，并在所述像素定义层上刻蚀形成多个第一开口和多个第二开口，所述第一开口位于所述第一像素区，所述第二开孔位于所述第二像素区，且所述第二开口与所述第一镂空区在所述衬底基板上的正投影完全重合；

在所述像素定义层上形成第一发光器件和第二发光器件，所述第一发光器件位于所述第一像素区，并与所述第一开关控制单元连接，所述第一发光器件的发光方向朝向所述衬底基板的第一侧，所述第二发光器件位于所述第二像素区，并与所述第一开关控制单元连接，所述第二发光器件的发光方向朝向所述衬底基板的第二侧。

示例性的，在所述衬底基板与所述遮光层之间还设有选择性反射膜层，其中，在所述衬底基板的第一侧形成遮光层之前，所述方法还包括：

在所述衬底基板的第一侧形成选择性反射膜层。

示例性的，当所述选择性反射膜层上设有第二镂空区，且所述第二镂空区与所述第二开口在所述衬底基板上的正投影重合时，在所述衬底基板的第一侧形成选择性反射膜层，具体包括：

在所述衬底基板的第一侧形成选择性反射膜层，其中所述选择性反射膜层包括多层有色光学膜层叠层结构时，所述多层有色光学膜层叠层结构中无机薄膜采用干刻方式进行镂空，所述多层有色光学膜层叠层结构中金属薄膜采用湿刻方式进行镂空，以形成所述第二镂空区。

示例性的，所述在所述像素定义层上形成第一发光器件和第二发光器件，具体包括：

在所述阵列层上沉积第一导电层，对所述第一导电层进行图案化处理，在所述第一导电层的图案包括第一去除区和第一保留区，所述第一保留区的图案形成为所述第一阳极或所述第二阳极中的一个；

在所述阵列层上沉积第二导电层，并对所述第二导电层进行图案化处理，所述第二导电层的图案包括第二去除区和第二保留区，所述第二保留区的图案形成为所述第一阳极或所述第二阳极中的另一个；

在所述第一阳极的远离所述衬底基板的一侧形成第一发光层，在所述第二阳极的远离所述衬底基板的一侧形成第二发光层；

在所述第一发光层的远离所述衬底基板的一侧形成第三导电层，并对所述第三导电层进行图案化处理，所述第三导电层的图案包括第三去除区和第三保留区，所述第三保留区的图案形成为所述第一阴极或所述第二阴极中的一个；

在所述第二发光层的远离所述衬底基板的一侧形成第四导电层，并对所述第四导电层进行图案化处理，所述第四导电层的图案包括第四去除区和第四保留区，所述第四保留区的图案形成为所述第一阴极或第二阴极中的另一个。

本公开实施例所带来的有益效果如下：

本公开实施例提供的显示器件及其制造方法，该显示器件的像素区分为交替设置的第一像素区和第二像素区，位于第一像素区内的第一发光器件的发光方向朝向所述衬底基板的第一侧，也就是，所述第一发光器件朝向显示器件的正面发光，所述第一像素区即为正面显示像素；位于第二像素区内的第二发光器件的发光方向朝向所述衬底基板的第二侧，也就是，第二发光器件朝向显示器件的背面发光，所述第二像素区即为背面显示像素。通过在阵列层与衬底基板之间设置遮光层，在正面显示像素的第一像素区及背面显示像素的第二开关控制单元下方进行遮挡，防止第一发光器件发出的光从显示器件的背面漏光，从而保证正面显示像素的发光效果，防止了显示器件的背面受正面第一发光器件的漏光干扰；同时该遮光层在反面显示像素的第二像素区设计第一镂空区，第一镂空区的开口与第二像素区内的像素定义层上的第二开口大小一致，将第反面显示像素的第二区域光从所述第一镂空区发射至显示器件的背面，实现背面显示目的。由此可见，本公开实施例所提供的显示器件及其制造方法，相较于相关技术中采用两个单面显示面板对贴来实现双面显示的技术方案，体积小、厚度小，易于实现轻薄化的双面显示效果，且能够提升显示亮度。

附图说明

图1表示本公开实施例中提供的显示基板的局部剖面结构示意图；

图2表示为Mo/SiNx/SiO₂/SiN_X复合光学膜层反射率曲线模拟与实际测量Mo/SiNx/SiO₂/SiN_X复合光学膜层的模拟值与实测值示意图。

具体实施方式

为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本公开实施例的附图，对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本公开的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本公开的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。

除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，“一个”、“一”或者“该”等类似词语也不表示数量限制，而是表示存在至少一个。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。

在本对公开实施例提供的显示器件及其制造方法进行详细说明之前，有必要对于相关技术进行以下说明：

在相关技术中，双面显示器件通常是将两个单面显示单元对贴形成，存在体积大、厚度大、重量大等不足。对于OLED双面显示器件来说，OLED显示面板还需要设置圆偏光片(CPOL)，以解决阴极反射问题。这是因为，OLED为自发光器件，外界光会经过阴极及金属走线将光反射回来，且会影响对比度，设置圆偏光片(即，偏光片和1/4λ波片组合的偏光片)之后，当外界光先经过偏光片时有一半光无法通过，这一半光经过1/4λ波片和反射之后与原来的光已经偏90度，反射回来的光无法通过偏光片，从而圆偏光片解决了反射问题。但是目前双面屏中背面屏的亮度提升目前成了开发的难点，即使OLED显示器件采用透明阳极和透明衬底，背面屏的亮度提升后只能到达10％，加上圆偏光片之后将降低至5％，因此双面显示屏很难进行圆偏光片的组装，若加入圆偏光片，背面屏的亮度就更难达到目前市场的需求。

为了解决相关技术中双面显示屏体积大、厚度大、重量大及背面显示屏亮度低等技术问题，本公开实施例提供了一种显示器件及其制造方法，更有利于实现双面显示屏轻薄化设计，且能够提升背面屏的亮度。

如图1所示，本公开实施例中提供的显示器件，其像素区包括交替设置的多个第一像素区A和多个第二像素区B，所述显示器件具体包括：衬底基板100、遮光层200、阵列层300、像素定义层400、第一发光器件500和第二发光器件600等，其中，所述衬底基板100包括相背设置的第一侧和第二侧；所述遮光层200设置于所述衬底基板100的第一侧，所述遮光层200上设有多个第一镂空区210；所述阵列层300位于所述遮光层200的远离所述衬底基板100的一侧，所述阵列层300包括位于所述第一像素区A的第一开关控制单元310和位于所述第二像素区B的第二开关控制单元320；所述像素定义层400位于所述阵列层300的远离所述衬底基板100的一侧，所述像素定义层400包括位于所述第一像素区A的第一开口和位于所述第二像素区B的第二开口，所述第二开口与所述第一镂空区210在所述衬底基板100上的正投影完全重合，也就是说，所述第二开口与所述第一镂空区210的开口尺寸大小一致；所述第一发光器件500位于所述第一像素区A，并与所述第一开关控制单元310连接，所述第一发光器件500的发光方向朝向所述衬底基板100的第一侧，即所述第一发光器件500实现显示器件的正面显示；所述第二发光器件600位于所述第二像素区B，并与所述第一开关控制单元310连接，所述第二发光器件600的发光方向朝向所述衬底基板100的第二侧，即所述第二发光器件600实现所述显示器件的背面显示。

本公开实施例提供的显示器件及其制造方法，该显示器件的像素区分为交替设置的第一像素区A和第二像素区B，位于第一像素区A内的第一发光器件500的发光方向朝向所述衬底基板100的第一侧，也就是，所述第一发光器件500朝向显示器件的正面发光，所述第一像素区A即为正面显示像素；位于第二像素区B内的第二发光器件600的发光方向朝向所述衬底基板100的第二侧，也就是，第二发光器件600朝向显示器件的背面发光，所述第二像素区B即为背面显示像素。通过在阵列层300与衬底基板100之间设置遮光层200，在正面显示像素的第一像素区A及背面显示像素的第二开关控制单元320下方进行遮挡，防止第一发光器件500发出的光从显示器件的背面漏光，从而保证正面显示像素的发光效果，防止了显示器件的背面受正面第一发光器件500的漏光干扰；同时该遮光层200在反面显示像素的第二像素区B设计第一镂空区210，第一镂空区210的开口与第二像素区B内的像素定义层400上的第二开口大小一致，将第反面显示像素的第二区域光从所述第一镂空区210发射至显示器件的背面，实现背面显示目的。由此可见，本公开实施例所提供的显示器件及其制造方法，相较于相关技术中采用两个单面显示面板对贴来实现双面显示的技术方案，体积小、厚度小，易于实现轻薄化的双面显示效果；并且，由于设置遮光层200来防止漏光，可以无需设置圆偏光片，可以提升显示亮度。

本公开实施例提供的显示器件适用于柔性显示器件(衬底基板100为柔性衬底)，也可以适用于刚性显示器件(衬底基板100为刚性基板)，其可以是AMOLED或者PMOLED显示器件。对于所述显示器件的的具体类型不限，例如，所述显示器件可以应用于平面手机、副屏、穿戴显示、可折叠的手机、卷曲类显示、笔记本电脑、电子书或板、及平板电脑或显示玻璃墙等显示产品，此外，也适用于透明双面OLED显示技术领域。

以下对本公开实施例提供的显示器件进行更为详细说明。

在一些示例性的实施例中，如图1所示，所述第一发光器件500的发光方向朝向所述衬底基板100的第一侧，所述第一发光器件500可采用顶发射发光器件，其具体包括：

位于所述像素定义层400的远离所述衬底基板100的一侧的第一阳极510，所述第一阳极510为反射性导电薄膜，所述第一阳极510与所述第一开关控制单元310连接；

位于所述第一阳极510的远离所述衬底基板100的一侧的第一发光层520，所述第一发光层520位于所述第一开口内；

位于所述第一发光层520的远离所述衬底基板100的一侧的第一阴极530，所述第一阴极530为透明导电薄膜。

需要说明的是，在上述方案中，所述第一发光器件500要实现顶发射功能，其第一阳极510应具备反射光性能，第一阴极530应具备透光性，这样，所述遮光层200遮挡在第一开关控制单元310以及第一发光器件500的下方，可防止第一发光器件500发出的光从显示器件的背面漏光。

作为一种示例性的实施例中，所述第一阳极510可选用ITO/Ag/ITO复合导电薄膜，该ITO/Ag/ITO复合导电薄膜具有反射光性能，所述第一阴极530可选用Mg/Ag复合导电薄膜，该Mg/Ag复合导电薄膜具有透光性能。

其中需要说明的是，以上仅是所述第一阳极510和所述第一阴极530所采用的导电薄膜材质的一种举例，但是并不以此对所述第一阳极510和所述第一阴极530所采用的导电薄膜材质进行限定。

作为一种示例性的实施例中，如图1所示，所述第二发光器件600的发光方向朝向所述衬底基板100的第二侧，所述第二发光器件600可采用底发射发光器件，其具体包括：

位于所述像素定义层400的远离所述衬底基板100的一侧的第二阳极610，所述第二阳极610为透光率大于80％的高透光性导电薄膜，所述第二阳极610与所述第二开关控制单元320连接；

位于所述第二阳极610的远离所述衬底基板100的一侧的第二发光层620，所述第二发光层620位于所述第二开口内；

位于所述第二发光层620的远离所述衬底基板100的一侧的第二阴极630，所述第二阴极630为反射率为100％的高反射性导电薄膜。

需要说明的是，在上述方案中，所述第二发光器件600要实现底发射功能，其第二阳极610应具备高透光性，第二阴极630应具备高反射性，这样，所述第二发光器件600发出的光会透光所述遮光层200上的第一镂空区210从显示器件的背面漏出射。

作为一种示例性的实施例中，所述第二阳极610为ITO/Ag/ITO复合导电薄膜，为了实现所述第二阳极610的高透光性，所述第二阳极610的ITO/Ag/ITO复合导电薄膜中，Ag膜层可相较于常规ITO/Ag/ITO复合导电薄膜减薄，例如Ag膜层的膜层厚度为20±10nm(第一阳极510中ITO/Ag/ITO复合导电薄膜的Ag膜层的膜层厚度大约为100nm)，同时，第二阴极630可选用Al导电薄膜或Mg/Ag复合导电薄膜，且为了实现所述第二阴极630的高反射性，所述Mg/Ag复合导电薄膜可相较于常规Mg/Ag复合导电薄膜加厚设计，例如所述Al导电薄膜的膜层厚度为200～300nm，所述Mg/Ag复合导电薄膜的膜层厚度为120～150nm。这样，所述第二阳极610以半透半反模式与上方强反射阴极形成OLED微腔效应，保证显示器件背面发光亮度及色域得到更好地提升。

当然可以理解的是，以上仅是所述第二阳极610和所述第二阴极630所采用的导电薄膜材质的一种举例，但是并不以此对所述第二阳极610和所述第二阴极630所采用的导电薄膜材质进行限定。

此外，在一些示例性的实施例中，所述遮光层200可选用Mo(钼)膜层，反射率低。当然可以理解的是，对于所述遮光层200的具体选材并不限定。

此外，在一些示例性的实施例中，在所述衬底基板100与所述遮光层200之间还设有选择性反射膜层700。

采用上述方案，通过在所述衬底基板100与所述遮光层200之间设置选择性反射膜层700，对光线进行选择性反射各颜色光，同时显示光仍可保持高透光率，从而使得该显示器件的背面显示能够表现出不同颜色，由于双面显示器件的背面屏通常作为副屏使用，基于上述方案，由于显示器件的背面显示可通过所述选择性反射膜层700得到较为炫酷的颜色，可无需圆偏光片。

此外，所述选择性反射膜层700可设计为各种颜色，具体的所述选择性反射膜层700可为多层有色光学膜层叠层结构，具体的各光学膜层的选择可参见以下列表：

在本公开实施例提供的显示器件中，可通过调节所述选择性反射膜层700中各膜层的厚度而得到多种颜色，所述选择性反射膜层700的反射率在26～35％之间。

需要说明的是，Mo系金属光学薄膜整体表现颜色深、反射率低。

以所述选择性反射膜层700选用Mo/SiNx/SiO₂/SiN_X复合光学膜层为例，图2所示为Mo/SiNx/SiO₂/SiN_X复合光学膜层反射率曲线模拟与实际测量Mo/SiNx/SiO₂/SiN_X复合光学膜层的模拟值与实测值示意图。

此外，在一些示例性的实施例中，所述选择性反射膜层700为对应整个所述显示器件的像素区设置的整个膜层。

在另一些示例性的实施例中，所述选择性反射膜层700上设有第二镂空区710，且所述第二镂空区710与所述第二开口在所述衬底基板100上的正投影重合，即，所述选择性反射膜层700上的第二镂空区710与所述第二像素区B的第二开口大小一致，这样，可将光损失降到最低。

此外，需要说明的是，在本公开所提供的实施例中，所述第一开关控制单元310可选用第一薄膜晶体管，所述第二开关控制单元320可选用第二薄膜晶体管。

其中，所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管的类型可以是LTPS-TFT或IGZO-TFT或其他类型TFT，且所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管可以类型相同，也可以不同，也就是说，所述显示器件背板适用于LTPS-TFT或IGZO-TFT的背板，也可以是适用于LTPS-TFT与IGZO-TFT相互组合的背板。

所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管均可以包括有源层、栅极、源极和漏极；且所述阵列层除了所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管之外还可以包括各绝缘膜层，在此不再赘述。此外，所述显示器件的阵列层300还可以报还可以包括隔垫(PS)800等。

此外，本公开实施例还提供了一种显示器件的制造方法，用于制造本公开实施例提供的显示器件，所述方法包括如下步骤：

步骤S01、提供一衬底基板100，所述衬底基板100包括相背设置的第一侧和第二侧；

步骤S02、在所述衬底基板100的第一侧形成遮光层200，所述遮光层200上设有多个第一镂空区210；

步骤S03、在所述遮光层200远离所述衬底基板100的一侧形成阵列层300，所述阵列层300包括位于所述第一像素区A的第一开关控制单元310和位于所述第二像素区B的第二开关控制单元320；

步骤S04、在所述阵列层300的远离所述衬底基板100的一侧形成像素定义层400，并在所述像素定义层400上刻蚀形成多个第一开口和多个第二开口，所述第一开口位于所述第一像素区A，所述第二开孔位于所述第二像素区B，且所述第二开口与所述第一镂空区210在所述衬底基板100上的正投影完全重合；

步骤S05、在所述像素定义层400上形成第一发光器件500和第二发光器件600，所述第一发光器件500位于所述第一像素区A，并与所述第一开关控制单元310连接，所述第一发光器件500的发光方向朝向所述衬底基板100的第一侧，所述第二发光器件600位于所述第二像素区B，并与所述第一开关控制单元310连接，所述第二发光器件600的发光方向朝向所述衬底基板100的第二侧。

作为一种示例性的实施例中，步骤S02之前，所述方法还包括：

步骤S02’、在所述衬底基板100的第一侧形成选择性反射膜层700。

作为一种示例性的实施例中，当所述选择性反射膜层700上设有第二镂空区710，且所述第二镂空区710与所述第二开口在所述衬底基板100上的正投影重合时，步骤S02’具体包括：

在所述衬底基板100的第一侧形成选择性反射膜层700，其中所述选择性反射膜层700包括多层有色光学膜层叠层结构时，所述多层有色光学膜层叠层结构中无机薄膜采用干刻方式进行镂空，所述多层有色光学膜层叠层结构中金属薄膜采用湿刻方式进行镂空，以形成所述第二镂空区710。

作为一种示例性的实施例，步骤S05具体包括：

步骤S051、在所述阵列层300上沉积第一导电层，对所述第一导电层进行图案化处理，在所述第一导电层的图案包括第一去除区和第一保留区，所述第一保留区的图案形成为所述第一阳极510或所述第二阳极610中的一个；

步骤S052、在所述阵列层300上沉积第二导电层，并对所述第二导电层进行图案化处理，所述第二导电层的图案包括第二去除区和第二保留区，所述第二保留区的图案形成为所述第一阳极510或所述第二阳极610中的另一个；

步骤S053、在所述第一阳极510的远离所述衬底基板100的一侧形成第一发光层520，在所述第二阳极610的远离所述衬底基板100的一侧形成第二发光层620；

步骤S054、在所述第一发光层520的远离所述衬底基板100的一侧形成第三导电层，并对所述第三导电层进行图案化处理，所述第三导电层的图案包括第三去除区和第三保留区，所述第三保留区的图案形成为所述第一阴极530或所述第二阴极630中的一个；

步骤S055、在所述第二发光层620的远离所述衬底基板100的一侧形成第四导电层，并对所述第四导电层进行图案化处理，所述第四导电层的图案包括第四去除区和第四保留区，所述第四保留区的图案形成为所述第一阴极530或第二阴极630中的另一个。

本公开实施例所提供的显示器件的制造方法，显示器件的制作流程相对简单，相较于传统的单面显示器件，仅需要增加所述选择性反射膜层700构图工艺、所述遮光层200构图工艺以及多增加一次阳极和一次阴极构图工艺即可，易于实现轻薄化的双面显示器件。

以所述第一阳极510选用ITO/Ag/ITO复合导电薄膜，所述第一阴极530选用Mg/Ag复合导电薄膜，所述第二阳极610为ITO/Ag/ITO复合导电薄膜，第二阴极630选用Al导电薄膜或Mg/Ag复合导电薄膜为例，步骤S05具体包括：

步骤S051、在所述阵列层300上沉积第一层ITO/Ag/ITO复合导电薄膜，对所述第一层ITO/Ag/ITO复合导电薄膜进行图案化处理，保留第一阳极510的图形，以使所述第一层ITO/Ag/ITO复合导电薄膜形成第一阳极510的图形；

步骤S052、在在所述阵列层300上沉积第二层ITO/Ag/ITO复合导电薄膜，对所述第二层ITO/Ag/ITO复合导电薄膜进行图案化处理，保留第二阳极610的图形，以使所述第二层ITO/Ag/ITO复合导电薄膜形成第二阳极610的图形；

步骤S053、在所述第一阳极510的远离所述衬底基板100的一侧形成第一发光层520，在所述第二阳极610的远离所述衬底基板100的一侧形成第二发光层620；

步骤S054、在所述阵列层300上沉积第一层Mg/Ag复合导电薄膜，对所述第一层Mg/Ag复合导电薄膜进行图案化处理，保留第一阴极530的图形，以使所述第一层Mg/Ag复合导电薄膜膜形成第一阴极530的图形；

步骤S055、在所述阵列层300上沉积第二层Mg/Ag复合导电薄膜，对所述第二层Mg/Ag复合导电薄膜进行图案化处理，保留第二阴极630的图形，以使所述第二层Mg/Ag复合导电薄膜膜形成第二阴极630的图形。

需要说明的是，所述第一阳极510和所述第二阳极610的形成顺序可互选，所述第一阴极530和所述第二阴极630的形成顺序可互换。

有以下几点需要说明：

(1)本公开实施例附图只涉及到与本公开实施例涉及到的结构，其他结构可参考通常设计。

(2)为了清晰起见，在用于描述本公开的实施例的附图中，层或区域的厚度被放大或缩小，即这些附图并非按照实际的比例绘制。可以理解，当诸如层、膜、区域或基板之类的元件被称作位于另一元件“上”或“下”时，该元件可以“直接”位于另一元件“上”或“下”或者可以存在中间元件。

(3)在不冲突的情况下，本公开的实施例及实施例中的特征可以相互组合以得到新的实施例。

以上，仅为本公开的具体实施方式，但本公开的保护范围并不局限于此，本公开的保护范围应以权利要求的保护范围为准。

Claims (12)

1.一种显示器件，其特征在于，所述显示器件的像素区包括交替设置的多个第一像素区和多个第二像素区，所述显示器件具体包括：

衬底基板，包括相背设置的第一侧和第二侧；

遮光层，设置于所述衬底基板的第一侧，所述遮光层上设有多个第一镂空区；

阵列层，位于所述遮光层的远离所述衬底基板的一侧，所述阵列层包括位于所述第一像素区的第一开关控制单元和位于所述第二像素区的第二开关控制单元；

像素定义层，位于所述阵列层的远离所述衬底基板的一侧，所述像素定义层包括位于所述第一像素区的第一开口和位于所述第二像素区的第二开口，所述第二开口与所述第一镂空区在所述衬底基板上的正投影完全重合；

第一发光器件，所述第一发光器件位于所述第一像素区，并与所述第一开关控制单元连接，所述第一发光器件的发光方向朝向所述衬底基板的第一侧；

第二发光器件，所述第二发光器件位于所述第二像素区，并与所述第二开关控制单元连接，所述第二发光器件的发光方向朝向所述衬底基板的第二侧；

在所述衬底基板与所述遮光层之间还设有选择性反射膜层；

所述选择性反射膜层上设有第二镂空区，且所述第二镂空区与所述第二开口在所述衬底基板上的正投影重合。

2.根据权利要求1所述的显示器件，其特征在于，

所述第一发光器件为顶发射发光器件，包括：

位于所述像素定义层的远离所述衬底基板的一侧的第一阳极，所述第一阳极为反射性导电薄膜，所述第一阳极与所述第一开关控制单元连接；

位于所述第一阳极的远离所述衬底基板的一侧的第一发光层，所述第一发光层位于所述第一开口内；

位于所述第一发光层的远离所述衬底基板的一侧的第一阴极，所述第一阴极为透明导电薄膜。

3.根据权利要求2所述的显示器件，其特征在于，

所述第一阳极为ITO/Ag/ITO复合导电薄膜；

所述第一阴极为Mg/Ag复合导电薄膜。

4.根据权利要求1所述的显示器件，其特征在于，

所述第二发光器件为底发射发光器件，包括：

位于所述像素定义层的远离所述衬底基板的一侧的第二阳极，所述第二阳极为透光率大于80％的高透光性导电薄膜，所述第二阳极与所述第二开关控制单元连接；

位于所述第二阳极的远离所述衬底基板的一侧的第二发光层，所述第二发光层位于所述第二开口内；

位于所述第二发光层的远离所述衬底基板的一侧的第二阴极，所述第二阴极为反射率为100％的高反射性导电薄膜。

5.根据权利要求4所述的显示器件，其特征在于，

所述第二阳极为ITO/Ag/ITO复合导电薄膜，其中所述第二阳极中Ag膜层的膜层厚度为20±10nm；

所述第二阴极为Al导电薄膜或Mg/Ag复合导电薄膜，其中所述Al导电薄膜的膜层厚度为200～300nm，所述Mg/Ag复合导电薄膜的膜层厚度为120～150nm。

6.根据权利要求1所述的显示器件，其特征在于，

所述遮光层包括Mo膜层。

7.根据权利要求1所述的显示器件，其特征在于，

所述选择性反射膜层为多层有色光学膜层叠层结构。

8.根据权利要求1所述的显示器件，其特征在于，

所述第一开关控制单元包括第一薄膜晶体管，所述第二开关控制单元包括第二薄膜晶体管。

9.一种显示器件的制造方法，其特征在于，用于制造如权利要求1至8任一项所述的显示器件，所述方法包括如下步骤：

提供一衬底基板，所述衬底基板包括相背设置的第一侧和第二侧；

在所述衬底基板的第一侧形成遮光层，所述遮光层上设有多个第一镂空区；

在所述遮光层远离所述衬底基板的一侧形成阵列层，所述阵列层包括位于所述第一像素区的第一开关控制单元和位于所述第二像素区的第二开关控制单元；

在所述阵列层的远离所述衬底基板的一侧形成像素定义层，并在所述像素定义层上刻蚀形成多个第一开口和多个第二开口，所述第一开口位于所述第一像素区，所述第二开口位于所述第二像素区，且所述第二开口与所述第一镂空区在所述衬底基板上的正投影完全重合；

在所述像素定义层上形成第一发光器件和第二发光器件，所述第一发光器件位于所述第一像素区，并与所述第一开关控制单元连接，所述第一发光器件的发光方向朝向所述衬底基板的第一侧，所述第二发光器件位于所述第二像素区，并与所述第二开关控制单元连接，所述第二发光器件的发光方向朝向所述衬底基板的第二侧。

10.根据权利要求9所述的显示器件的制造方法，其特征在于，在所述衬底基板与所述遮光层之间还设有选择性反射膜层，其中，在所述衬底基板的第一侧形成遮光层之前，所述方法还包括：

在所述衬底基板的第一侧形成选择性反射膜层。

11.根据权利要求10所述的显示器件的制造方法，其特征在于，

当所述选择性反射膜层上设有第二镂空区，且所述第二镂空区与所述第二开口在所述衬底基板上的正投影重合时，在所述衬底基板的第一侧形成选择性反射膜层，具体包括：

在所述衬底基板的第一侧形成选择性反射膜层，其中所述选择性反射膜层包括多层有色光学膜层叠层结构时，所述多层有色光学膜层叠层结构中无机薄膜采用干刻方式进行镂空，所述多层有色光学膜层叠层结构中金属薄膜采用湿刻方式进行镂空，以形成所述第二镂空区。

12.根据权利要求9所述的显示器件的制造方法，其特征在于，用于制造如权利要求1至8任一项所述的显示器件，所述在所述像素定义层上形成第一发光器件和第二发光器件，具体包括：

在所述阵列层上沉积第一导电层，对所述第一导电层进行图案化处理，在所述第一导电层的图案包括第一去除区和第一保留区，所述第一保留区的图案形成为第一阳极或第二阳极中的一个；

在所述阵列层上沉积第二导电层，并对所述第二导电层进行图案化处理，所述第二导电层的图案包括第二去除区和第二保留区，所述第二保留区的图案形成为第一阳极或第二阳极中的另一个；

在所述第一阳极的远离所述衬底基板的一侧形成第一发光层，在所述第二阳极的远离所述衬底基板的一侧形成第二发光层；

在所述第一发光层的远离所述衬底基板的一侧形成第三导电层，并对所述第三导电层进行图案化处理，所述第三导电层的图案包括第三去除区和第三保留区，所述第三保留区的图案形成为第一阴极或第二阴极中的一个；

在所述第二发光层的远离所述衬底基板的一侧形成第四导电层，并对所述第四导电层进行图案化处理，所述第四导电层的图案包括第四去除区和第四保留区，所述第四保留区的图案形成为第一阴极或第二阴极中的另一个。

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