CN113110740A - 电子装置 - Google Patents

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CN113110740A CN202110390120.7A CN202110390120A CN113110740A CN 113110740 A CN113110740 A CN 113110740A CN 202110390120 A CN202110390120 A CN 202110390120A CN 113110740 A CN113110740 A CN 113110740A
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郭家玮
林敬桓
洪敬榔
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Abstract

本发明提出一种电子装置。电子装置包括第一基板、第二基板、发光元件与压电元件。发光元件配置于第一基板与第二基板之间。压电元件配置于第一基板与第二基板之间。压电元件包括压电层。压电层具有开口且发光元件位于开口中。

Description

电子装置
技术领域
本发明涉及一种装置，尤其涉及一种电子装置。
背景技术
随着科技技术不断改良，各类电子装置除了在显示效果与音效上不断突破以提供更丰富的声光刺激外，对于其他感官的刺激也不停的在开发中。对于AI相关产品，这样的开发趋势更是需要。
发明内容
本发明的目的在于提供一种电子装置，电子装置可提供多重功能。
本发明的电子装置包括第一基板、第二基板、发光元件与压电元件。发光元件配置于第一基板与第二基板之间。压电元件配置于第一基板与第二基板之间。压电元件包括压电层。压电层具有开口且发光元件位于开口中。
本发明的电子装置包括第一基板、第二基板、发光元件与温控元件。发光元件配置于第一基板与第二基板之间。温控元件配置于第一基板的远离第二基板的表面上。温控元件为各自可独立控制的。
基于上述，本公开实施例将压电元件与温控元件至少一个结合发光元件以构成电子装置。如此一来，电子装置可以显示画面而提供视觉的刺激外，还可提供使用者触觉与温度的刺激，从而增益电子装置的功能。
附图说明
图1为本公开一实施例的电子装置的俯视示意图。
图2为本公开一实施例的电子装置的局部剖面示意图。
图3至图6为本公开多个实施例的电子装置的局部剖面示意图。
图7至图10为本公开一实施例的电子装置的制造流程。
图11为本公开一实施例的压电元件的分解示意图。
图12为本公开再一实施例的电子装置的局部剖面示意图。
图13为本公开又一实施例的电子装置的局部剖面示意图。
图14至图17示意性的说明电子装置的制作方式本公开一实施例的电子装置的制造流程。
图18为本公开一实施例的压电元件240的压电层、第一电极与第二电极的分解示意图。
图19为本公开又一实施例的电子装置的俯视示意图。
图20为本公开一实施例的电子装置的局部剖面示意图。
图21为本公开一实施例的阵列排列的多个温控元件的示意图。
图22为图21的温控元件沿剖线A-A'的剖面示意图。
图23为本公开另一实施例的阵列排列的多个温控元件的示意图。
图24与图25为图23的温控元件沿剖线B-B'与线C-C’的剖面示意图。
图26为本公开再一实施例的电子装置的示意图。
附图标记如下：
10、20、30、100A、100B、100C、100D、100E、200A、200B、300:电子装置
12、12’:发光元件
14、140、240、240’、340:压电元件
16:温控元件
110、310:第一基板
112:驱动电路层
120、320:第二基板
130、330:发光元件
142、242:压电层
142’、242’:压电材料层
144、244、354:第一电极
144A:电极开口
144B:第一带状电极
146、246、356:第二电极
146A:电极开口
146B:第二带状电极
150:吸光层
150A:吸光层开口
160:填充层
170:彩色滤光层
180:阻隔挡墙
244A:第一梳状图案
244B:第一连接图案
246A:第二梳状图案
246B:第二连接图案
246C:跨接图案
248、248’:阻挡层
312:表面
350、350A、350B:温控元件
352:电热偶
352A:n半导体
352B:p半导体
358A:第三基板
358B:第四基板
AS:容置空间
CS1、CS2:连接导体
D1:第一方向
D2:第二方向
EF:电场
ET:蚀刻步骤
G1、G2:电极间隔
OP1开口
P1、P2、P3、P4:间距
PD1、PD2、PD3:接垫
S352:电热偶列
SB:组合步骤
VH:外加电场
具体实施方式
图1为本公开一实施例的电子装置的俯视示意图。图1的电子装置10包括多个发光元件12与多个压电元件14，且发光元件12与压电元件14都呈现阵列排列。发光元件12可以是微发光二极管、次毫米发光二极管或是类似的发光二极管元件。发光元件12可以彼此独立控制且可包括多种色彩的可见光发光二极管元件，从而实现多彩化的显示效果。不过，在一些实施例中，发光元件12可以都是同一种颜色的发光二极管元件，且发光元件12可搭配波长转换层、彩色滤光层等具有光色调整作用的膜层或材料而实现不同的光色，其中具有光色调整作用的膜层或材料可设置于发光元件12的出光路径上。压电元件14是可产生压电效应的元件。具体而言，压电元件14可以在受到电力控制之后震动而对触碰电子装置10的使用者提供触觉的刺激，或是在使用者触摸电子装置之后产生电信号以感测使用者的触摸。因此，电子装置10除了可以提供使用者视觉上的刺激(例如显示图像)还可以提供使用者触觉上的刺激(例如震动、摩擦力、触觉感测等)。在本实施例中，多个压电元件14可以独立控制，因此可提供区域化的触觉刺激以使电子装置10的功能更为多样化。举例而言，不同压电元件14可以不同时产生压电效应，或是可以产生不同频率的震动以提供多重触觉刺激。
发光元件12与压电元件14的设置密度可以依据电子装置10所需要的显示效果及要提供的触觉刺激效果来决定。一般来说，触觉刺激功能所需要的解析度相较于显示功能所需要的解析度较低，但不以此为限。在本实施例中，发光元件12的设置密度可以大于压电元件14的设置密度，且每个压电元件14可以对应于多个发光元件12来设计。举例而言，图1中呈现了4×6个压电元件14而每个压电元件14的面积中设置有6×2个发光元件12。不过，上述数字仅是举例说明各种元件的设置密度之用，并非用以限定发光元件12与压电元件14的数量。
图2为本公开一实施例的电子装置的局部剖面示意图。在图2中，电子装置100A可以作为图1的电子装置10的一种剖面结构的实施方式，但电子装置10的剖面结构不以此为限。电子装置100A可包括第一基板110、第二基板120、发光元件130以及压电元件140，其中发光元件130可以视为图1的发光元件12的实施方式而压电元件140可以视为图1的压电元件14的实施方式。
第一基板110与第二基板120以面对面的方式设置而将发光元件130与压电元件140夹持其间。换言之，发光元件130与压电元件140都设置在第一基板110与第二基板120之间，而第一基板110与第二基板120可对发光元件130与压电元件140提供保护、支撑以及承载的作用。如图2所示，发光元件130与压电元件140可以并列的方式设置于第一基板110与第二基板120之间。如此一来，电子装置100A可利用发光元件130来实现画面显示的功能，并利用压电元件140来实现触觉刺激，例如震动、摩擦力等的功能。具体而言，压电元件140例如是包括压电层142的元件，且压电层142具有开口OP1。发光元件130则位于压电层142的开口OP1中。
第一基板110与第二基板120可以是具有足够承载性质，以保护发光元件130与压电元件140不被损伤的板状物。在一些实施例中，第一基板110与第二基板120的材质包括玻璃、石英、蓝宝石(sapphire)、陶瓷、聚碳酸酯(polycarbonate,PC)、聚酰亚胺(polyimide,PI)、聚对苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate，PET)、玻璃纤维、陶瓷、其它合适的基板材料、或前述的组合。另外，第一基板110上可设置有驱动电路层112，且驱动电路层112可包括电路结构(未示出)、接垫PD1、PD2、PD3以及用于电绝缘不同电路结构的介电层(未示出)。驱动电路层112中的电路结构可包括晶体管、电容、传输线、电源线等电路元件，而接垫PD1、PD2、PD3则用于将其他元件，例如发光元件130及/或压电元件140电连接至驱动电路层112中的电路结构。
发光元件130可以是预先制作好的发光二极管，且发光元件130可以接合至第一基板110上的接垫PD1与接垫PD2，以电性连接至驱动电路层112的电路结构。发光元件130接合至接垫PD1与接垫PD2的方式可包括倒装芯片接合、打线接合或是其他可替代的接合方式。图2中以倒装芯片接合为例，但不以此为限。发光元件130在一些实施例中可以为发光二极管、次毫米发光二极管等。发光元件130可以是向上发光式(top emission)发光二极管、向下发光式(bottom emission)发光二极管或是双面发光式(double side emission)发光二极管。位于发光元件130的发光侧的第一基板110、第二基板120或两者可以允许发光元件130发出的光线通过而为可透光的基板。另外，电子装置100A实际上可包括多个发光元件130，且多个发光元件130可用于发出不同色彩的光线，以达到多采化的显示效果。在一些实施例中，多个发光元件130可包括不同色彩的可见光发光元件，例如红色发光元件、绿色发光元件、蓝色发光元件、青色发光元件、黄色发光元件的任意组合。在另外一些实施例中，多个发光元件130中的至少一部分可搭配不同的光色调整层或是光色调整材料以实现需要的发光色彩。
压电元件140包括压电层142。在一些实施例中，压电层142的材质包括压电单晶体、压电多晶体(压电陶瓷)、压电聚合物(例如聚偏氟乙烯活环氧树脂、聚偏二氟乙烯(PVDF))、压电陶瓷与压电聚合物复合的压电复合材料等。为了控制压电层142的压电性能，压电元件140还包括第一电极144与第二电极146。在图2中，第一电极144与第二电极146位于压电层142的相对两侧，其中第一电极144配置于第一基板110与压电层142之间，而第二电极146配置于第二基板120与压电层142之间。不过，第一电极144与第二电极146在其他实施例中也可以位于压电层142的同一侧。
第一电极144与第二电极146可电连接至第一基板110上的驱动电路层112，以接收对应的电信号。举例而言，第一电极144可以连接至驱动电路层112上的接垫PD3，而由驱动电路层112中的电路结构提供控制信号给第一电极144。另外，图中虽未示出，但第二电极146也可电连接至驱动电路层112中的电路结构以接收对应的控制信号。
当第一电极144与第二电极146被施加电信号，压电层142可根据电信号而发生震动，从而提供使用者触觉上的刺激。另外，压电层142也可能在震动之后产生电信号，因此压电元件140可以为电容式机械超音波传感元件(Capacitive Micromachined UltrasonicTransducer,CMUT)或是压电式机械超音波传感元件(Piezoelectric MicromachinedUltrasonic Transducer,PMUT)，从而可感测使用者的触摸动作。在一些实施例中，第一电极144被输入的电信号例如具有第一波形，第二电极146被输入的电信号例如具有第二波形，且第一波形与第二波形是不同的波形。举例而言，第一波形与第二波形可具有不同频率、不同相位、不同震幅或上述条件的任意组合。在另一实施例中，第一波形与第二波形的其中一个可以是直流电式的直线波形，而另一个是复合波形。
电子装置100A利用发光元件130实现显示功能，且利用压电元件140来提供触觉刺激给使用者。因此电子装置100A可以广泛应用在各种需要提供使用者多重感官刺激的领域当中。发光元件130与压电元件140的配置方式及设计可依据不同的需求而有所调整。举例而言，压电元件140可还包括染料、带色粒子、吸光粒子等，且染料、带色粒子、吸光粒子等可掺杂于压电层142中，而使压电元件140在提供压电性质之外进一步提供吸光特性。如此一来，压电元件140可以吸收及/或遮挡不必要的杂散光线以提升电子装置100A的显示对比。因此，电子装置100A可兼具良好的显示与触觉刺激功能。
图3至图6为本公开多个实施例的电子装置的局部剖面示意图。图3的电子装置100B，大致相似于图2的电子装置100A，因此两实施例中相同的构件将采用相同的元件符号表示。电子装置100B包括具有驱动电路层112的第一基板110、第二基板120、发光元件130、压电元件140以及吸光层150，其中第一基板110、第二基板120、发光元件130与压电元件140的结构、配置关系与材质可参照前述实施例而不另重述。电子装置100B相较于电子装置100A还包括吸光层150。在本实施例中，吸光层150可配置于压电元件140与第二基板120之间，且吸光层150可具有吸光层开口150A。吸光层开口150A的设置位置允许发光元件130不被吸光层150遮蔽，因此发光元件130发出的光线可通过吸光层开口150A并穿过第二基板120。吸光层150的设置可以吸收发光元件130周边可能存在的反射光、散射光等杂散光线，从而有助于在电子装置100B显示画面时提高显示对比度。
图4的电子装置100C，大致相似于图2的电子装置100A，因此两实施例中相同的构件将采用相同的元件符号表示。电子装置100C包括具有驱动电路层112的第一基板110、第二基板120、发光元件130、压电元件140与填充层160，其中第一基板110、第二基板120、发光元件130与压电元件140的结构、配置关系与材质可参照前述实施例而不另重述。填充层160例如可包覆发光元件130并且填充发光元件130、第一基板110、第二基板120与压电元件140之间的空间。
在一些实施例中，填充层160内可掺杂有荧光粉或是类似材料，且发光元件130发出的光线例如可具有较短波长而可以激发添加于填充层160中的荧光粉或类似材料。荧光粉或类似材料可具备波长转换的作用，以将发光元件130发出的光线的波长转换成另一波长，从而实现需要的发光色彩。在一些实施例中，发光元件130可以为蓝色发光元件，而填充层160中的荧光粉可以为红色荧光粉、绿色荧光粉、黄色荧光粉、青色荧光粉或是多种颜色的荧光粉的组合。换言之，在掺杂有荧光粉时，配置于发光元件130的出光路径上的填充层160可以提供光色调整的作用而作为光色调整层，但不以此为限。在一些实施例中，填充层160内可掺杂有散射粒子，以将发光元件130发出的光线散射至不同角度。另外，在一些实施例中，电子装置100C也可进一步包括图3中的吸光层150，而有助于提升电子装置的显示对比。
图5的电子装置100D，大致相似于图4的电子装置100C，因此两实施例中相同的构件将采用相同的元件符号表示。电子装置100D包括具有驱动电路层112的第一基板110、第二基板120、发光元件130、由压电层142、第一电极144与第二电极146构成的压电元件140、填充层160与彩色滤光层170，其中第一基板110、第二基板120、发光元件130、压电元件140与填充层160的结构、配置关系与材质可参照前述实施例而不另重述。彩色滤光层170配置于填充层160与第二基板120之间且位于发光元件130上方。彩色滤光层170可以过滤发光元件130发出的光线而允许特定波长的光线穿过，从而实现需要的发光色彩。彩色滤光层170可包括红色滤光层、绿色滤光层或其他可见光色彩的滤光层。换言之，填充层160添加有荧光粉或类似材料时可以提供光色调整的作用外，彩色滤光层170也可以提供光色调整的作用而作为光色调整层，但不以此为限。另外，在一些实施例中，电子装置100D也可进一步包括图3中的吸光层150，而有助于提升电子装置的显示对比。
图6的电子装置100E，大致相似于图5的电子装置100D，因此两实施例中相同的构件将采用相同的元件符号表示。电子装置100E包括具有驱动电路层112的第一基板110、第二基板120、发光元件130、由压电层142、第一电极144与第二电极146构成的压电元件140、填充层160、彩色滤光层170与阻隔挡墙180，其中第一基板110、第二基板120、发光元件130、压电元件140、填充层160与彩色滤光层170的结构、配置关系与材质可参照前述实施例而不另重述。阻隔挡墙180围绕发光元件130且位于发光元件130与压电元件140之间。另外，填充层160可以填充于阻隔挡墙180与发光元件130之间。在一些实施例中，电子装置100E的制作方法可以是将阻隔挡墙180与发光元件130都先形成于第一基板110上，再将第一基板110与已设置有压电元件140的第二基板120组合起来以完成电子装置100E。
图7至图10为本公开一实施例的电子装置的制造流程，其中图7至图10用以举例说明电子装置100A的制造流程，但也可以应用于电子装置100B～100E的制造流程。在图7中，将第二电极146制作于第二基板120上，其中第二电极146可经图案化而设置于预定区域。以图7而言，第二电极146可具有电极开口146A。在一些实施例中，第二电极146可采用沉积搭配光刻的方式制作，而在另一些实施例中，第二电极146也可采用印刷的方式制作。第二电极146的材质可包括透明导电材料、金属导电材料、有机导电材料或是其他可以导电且可以图案化而设置于预定区域中的材料。
接着，请参照图8，将压电材料层142’形成于第二基板120上，且压电材料层142’可直接接触第二电极146，但不以此为限。压电材料层142’例如是压电聚合物。在一些实施例中，压电材料层142’可采用旋转涂布或是贴膜的方式形成于第二基板120上。此外，在压电材料层142’形成于第二基板120之后，可进行极化步骤使压电材料层142’受到极化。举例而言，将压电材料层142’极化的步骤可例如是将第二电极146连接至接地电位，并且提供外加电场VH对压电材料层142’施加高电压，使压电材料层142’的电偶极矩重新排列从而具有需要的压电性质。
之后，如图9所示，将第一电极144形成于压电材料层142’上，其中第一电极144经图案化而具有电极开口144A，且电极开口144A可露出部分的压电材料层142’。第一电极144的电极开口144A可对应于第二电极146的电极开口146A，且具体而言，第一电极144的电极开口144A正投影至第二基板120上的面积可以重叠于第二电极146的电极开口146A正投影至第二基板120上的面积。接着，可使用第一电极144为掩模进行蚀刻步骤ET，以移除电极开口144A所露出的压电材料层142’。
压电材料层142’经图9的步骤图案化之后，可形成图10所示的压电层142，其中图10呈现出图9所示的第二基板120上下翻转后的方式。压电层142具有开口OP1，且位于第一电极144与第二电极146之间，且压电层142、第一电极144与第二电极146共同构成压电元件140。压电层142的开口OP1、第一电极144的电极开口144A与第二电极146的电极开口146A可彼此对应，而露出第二基板120的一部分。如此一来，压电元件140与第二基板120可定义出容置空间AS。
之后，如图10所示，进行组合步骤SB，将第二基板120与第一基板110组合在一起。在组合步骤SB之前，可在第一基板110上预先制作具有接垫PD1、接垫PD2以及接垫PD3的驱动电路层112，且将发光元件130预先接合在驱动电路层112的接垫PD1与接垫PD2上。组合步骤SB例如是将第一基板110与第二基板120彼此贴附，使发光元件130位于第二基板120与压电元件140构成的容置空间AS中，且让压电元件140的第一电极144连接驱动电路层112中的接垫PD3。组合步骤SB之后即完成图2所示的电子装置100A。
上述电子装置100A的制作流程仅为举例说明之用，不以此为限。在一些实施例中，将图7至图10的制作流程用于制作电子装置100B时，制作方法还包括在制作压电元件140之前，先在第二基板120上制作吸光层150。在一些实施例中，将图7至图10的制作流程用于制作电子装置100C～100E时，制作方法还包括在将第一基板110与第二基板120组合之前，先形成包覆发光元件130的填充层160。在一些实施例中，将图7至图10的制作流程用于制作电子装置100D或电子装置100E时，制作方法还包括在第二基板120上形成压电元件140的第二电极146之后，先将彩色滤光层170制作于第二基板120上，再将压电元件140的压电层142与第一电极144制作于第二基板120上。在一些实施例中，将图7至图10的制作流程用于制作电子装置100E时，制作方法还包括在将第一基板110与第二基板120组合之前，将阻隔挡墙180制作于第一基板110上以及将填充层160形成于阻隔挡墙180与发光元件130之间。另外，上述压电材料层142’的图案化步骤可采用额外设置的光刻胶材料作为掩模而不限于以第一电极144作为掩模。另外，在一些实施例中，压电层142可以为压电陶瓷，且压电层142、第一电极144与第二电极146可以事先制作成独立的压电元件140后再以转移贴附的方式设置于第二基板120上。
图11为本公开一实施例的压电元件的分解示意图。图11中以四个压电元件140的设计来说明。图11的压电元件140设计可以应用于前述实施例的压电元件14与压电元件140，其中各个压电元件140的界线以虚线表示。这四个压电元件140可以分别由压电层142、第一电极144与第二电极146构成，且图11呈现了压电层142、第一电极144与第二电极146各层的俯视示意图。
图11中的压电层142可以连续延伸于四个压电元件140之间。换言之，压电层142在不同压电元件140之间可不被断开，但不以此为限。另外，压电层142可具有多个开口OP1。如前述实施例所述，压电层142的多个开口OP1对应于电子装置中的发光元件而可以视为发光元件的设置区域。
第一电极144例如包括多个第一带状电极144B，且各第一带状电极144B例如沿着第一方向D1连续延伸而横跨多个压电元件140。各第一带状电极144B可以具有多个电极开口144A，且电极开口144A的设置可参照图7至图10的相关说明。具体来说，第一带状电极144B上所设置的电极开口144A可以对应于压电层142中的开口OP1，并且对应于电子装置的发光元件的设置位置。
相邻第一带状电极144B之间隔有电极间隔G1以使相邻第一带状电极144B在第二方向D2(例如可相交或甚至垂直第一方向D1)上彼此隔开，因此第一带状电极144B彼此电性独立。电极间隔G1用以让相邻的第一带状电极144B彼此电性独立，其大小可以视工艺能力而定。另外，第一带状电极144B在第二方向D2上的间距P1可决定压电元件140在第二方向D2的间距，其中间距P1例如大于0.5mm(毫米)，但不以此为限。在其他的实施例中，间距P1的大小可以依据压电元件140需要的设置密度来决定。
第二电极146例如包括多个第二带状电极146B，且各第二带状电极146B例如沿着第二方向D2连续延伸而横跨多个压电元件140，其中第一方向D1与第二方向D2彼此相交。各第二带状电极146B可以具有多个电极开口146A，且电极开口146A的设置可参照图7至图10的相关说明。具体来说，第二带状电极146B上所设置的电极开口146A可以对应于压电层142中的开口OP1，而允许发光元件设置于电极开口146A的面积内。
相邻第二带状电极146B之间隔有电极间隔G2以使相邻第二带状电极146B在第一方向D1彼此隔开，因此第二带状电极146B彼此电性独立。电极间隔G2用以让相邻的第二带状电极146B彼此电性独立，其大小可以视工艺能力而定。另外，第二带状电极146B在第一方向D1上的间距P2可决定压电元件140在第一方向D1的间距，其中间距P2例如大于0.5mm(毫米)，但不以此为限。在其他的实施例中，间距P2的大小可以依据压电元件140需要的设置密度来决定。
图12为本公开再一实施例的电子装置的局部剖面示意图。图12的电子装置200A包括第一基板110、第二基板120、发光元件130以及压电元件240。电子装置200A的设计可以作为图1的电子装置10的一种剖面结构的实施方式，因此发光元件130以及压电元件240在俯视图中的布局方式可以如图1所示。另外，电子装置200A大致类似于电子装置100A，且第一基板110、第二基板120与发光元件130的配置关系、材料、结构等可参照前述图2至图10的说明。举例而言，第一基板110上可设置有驱动电路层112，而发光元件130可配置于第一基板110上且电连接驱动电路层112。
电子装置200A不同于电子装置100A之处主要在于压电元件240的设计。具体而言，电子装置200A的压电元件240包括压电层242、第一电极244、第二电极246与阻挡层248。压电层242的材质可与前述压电层142的材质相同。不过，在本实施例中，第一电极244与第二电极246都位于压电层242的同一侧，且阻挡层248位于压电层242的另一侧。举例而言，第一电极244与第二电极246都位于压电层242与第二基板120之间，而阻挡层248位于压电层242与第一基板110之间。在本实施例中，第一基板110上的驱动电路层112可不电连接至阻挡层248，因此阻挡层248可由导电材料制作也可由绝缘材料制作，且前述实施例中的接垫PD3在本实施例中可被省略。如此一来，电子装置200A中，压电元件240的压电层242可受到位于同一侧的第一电极244与第二电极246上的电信号而产生压电效应。
图13为本公开又一实施例的电子装置的局部剖面示意图。图13的电子装置200B包括第一基板110、第二基板120、发光元件130以及压电元件240’。具体而言，电子装置200B大致相似于电子装置200A，但电子装置200B中压电元件240’的阻挡层248’是以导电材质制作的，且可以电连接至第一基板110上的驱动电路层112。因此，第一基板110上的驱动电路层112具有连接至阻挡层248’的接垫PD3。另外，电子装置200B中，压电元件240’的压电层242可受第一电极244、第二电极246与阻挡层248’上的电信号控制而产生压电效应。
图14至图17示意性的说明电子装置的制作方式本公开一实施例的电子装置的制造流程，其中图14至图17用以举例说明电子装置200A的制造流程，但也可以应用于电子装置200B的制造流程。图14示出了将第一电极244与第二电极246形成于第二基板120上的步骤。在一些实施例中，第一电极244与第二电极246可以由同一层导电层图案化而构成，而设置于同平面上，但不以此为限。另外，第一电极244与第二电极246可以交替设置于第二基板120上。第一电极244与第二电极246的材质可包括金属、透明导电材料或是多种导电材料的组合，例如多层导电材料堆叠而成。
在图15中，将压电材料层242'形成于第二基板120上，其中形成压电材料层242’的方法可以参照前述实施例中形成压电材料层142’的方法。压电材料层242’可以整面的以涂布的方式形成于第二基板120上以接触第一电极244与第二电极246，但不以此为限。另外，在将压电材料层242'形成于第二基板120之后，可进行极化步骤以将压电材料层242’极化。举例而言，可以对第一电极244与第二电极246施加电压，而通过第一电极244与第二电极246所产生的电场EF来将压电材料层242’极化。由于第一电极244与第二电极246处于同平面，压电材料层242'的极化方向可不同于前述实施例中压电材料层142’的极化方向。不过，相同于前述实施例的压电材料层142’，压电材料层242'经极化后可以在第一电极244与第二电极246的控制之下产生需要的压电效应。
在图16中，将阻挡层248形成于第二基板120上。随后，可利用阻挡层248作为掩模，进行蚀刻步骤ET以移除未被阻挡层248遮盖的部分压电材料层242’。在一些实施例中，阻挡层248的材质可包括介电材料、导电材料等不容易在蚀刻压电材料层242’的过程中被移除的材料。阻挡层248例如具有预定的图案以暴露出局部的压电材料层242’。换言之，压电材料层242’被阻挡层248遮蔽的部分会被保留在第二基板120上以形成图17所示的压电层242，而压电材料层242’被移除的部分则形成开口OP1。如此一来，由压电层242、第一电极244、第二电极246与阻挡层248的压电元件240即形成于第二基板120上，且压电层242的开口OP1与第二基板120可定义出容置空间AS。
在图17中，进行组合步骤SB，将已经形成有压电元件240的第二基板120与已经形成有驱动电路层112且已经设置有发光元件130的第一基板110组合。在本实施例中，第一基板110与第二基板120的组合方式例如是让发光元件130设置于第二基板120上的容置空间AS中，且让阻挡层248贴附于驱动电路层112上。采用图14至图17的制作流程制作图12的电子装置200A时，阻挡层248不会电连接驱动电路层112，而可采用绝缘材料或导电材料制作，且驱动电路层112中的接垫PD3可省略。采用图14至图17的制作流程制作图13的电子装置200B时，第一基板110上的驱动电路层112可预先形成有接垫PD3，且可选用导电材料制作阻挡层248’，从而允许阻挡层248’与驱动电路层112的电连接。在另一些实施例中，阻挡层248可在组合步骤SB之前被移除，因此压电层242可以直接贴附于驱动电路层112上而无阻挡层248设置于压电层242与驱动电路层112之间。换言之，压电元件240可主要由压电层242、第一电极244与第二电极246构成。
图18为本公开一实施例的压电元件240的压电层、第一电极与第二电极的分解示意图且图18也呈现了发光元件130、第一电极244与第二电极246的布局关系。图18主要示出压电元件240中压电层、第一电极与第二电极在俯视视角下的布局设计且图18呈现了四个压电元件240的布局，但并非用以限定本公开。图18的压电元件240设计可以应用于前述实施例的压电元件14与压电元件240、240’。
图18中以虚线表示压电元件240的交界，且每个压电元件240的面积中可设置有多个发光元件130。在图18中，压电层242可以连续分布于四个压电元件240中，也就是说压电层242在不同压电元件240之间不会断开或分离。压电层242具有多个开口OP1，且每个开口OP1例如对应于一个发光元件130。图18中每个压电元件240的面积中可设置有2×6个发光元件130，但不以此为限。
第一电极244与第二电极246为同平面设置。第一电极244具有第一梳状图案244A，且第二电极246具有第二梳状图案246A。第一梳状图案244A与第二梳状图案246A沿着第一方向D1交替排列，且图18中呈现两列梳状图案的方式。第一梳状图案244A与第二梳状图案246A的每一个例如是沿着第二方向D2延伸的条状电极图案且第一梳状图案244A与第二梳状图案246A的每一个的延伸长度例如不超出单一一个压电元件240而不跨越到其他的压电元件240。在发光元件130的设置区域，第一梳状电极244A与第二梳状电极246A的设置密度可以减小，以降低第一电极244与第二电极246的电信号对发光元件130的干扰，但不以此为限。
第一电极244还具有第一连接图案244B，其将多个第一梳状图案244A连接在一起。第一连接图案244B可以朝相邻的压电元件240的第一电极244延伸而连接至相邻的压电元件240的第一电极244，使得在第一方向D1上排列的多个第一电极244连接在一起。换言之，沿第一方向D1排列的多个第一电极244可以彼此电连接，但不以此为限。
第二电极246还具有第二连接电极246B，其将同一个压电元件240中的多个第二梳状图案246A连接在一起。另外，第二电极246还可包括跨接图案246C，且跨接图案246C将第二方向D2上相邻的压电元件240的第二电极246连接在一起。跨接图案246C可以横跨第一电极244的第一连接图案244B。在一些实施例中，跨接图案246C的膜层可不同于第一连接图案244B的膜层，且跨接图案246C与所横跨的第一连接图案244B之间可通过绝缘层(未示出)分隔开来。另外，在一些实施例中，同一个压电元件240的第一梳状图案244A、第一连接图案244B、第二梳状图案246A与第二连接图案246B可为相同膜层，但不以此为限。
在图18中，第一电极244与第二电极246成对设置而可用于控制对应的压电元件240。每个压电元件240可以独立控制而提供区域化的触觉刺激。第一电极244与第二电极246的尺寸及第一梳状图案244A与第二梳状图案246A的分布密度设计可以依据需要的解析度来决定。在一些实施例中，为了让使用者以手触摸时感受到压电元件240提供的触觉刺激，第一电极244与第二电极246在第一方向D1上的间距P3以及在第二方向D2上的间距P4可以大于0.5mm，但不以此为限。
图19为本公开又一实施例的电子装置的俯视示意图。图19的电子装置20包括多个发光元件12、多个压电元件14以及多个温控元件16，其中发光元件12与压电元件14的配置、布局、结构、材料与剖面结构等可以应用前述实施例中任一个的发光元件与压电元件的设计来实现。举例而言，发光元件12与压电元件的布局关系可以如图1的实施例所述，发光元件12与压电元件14的剖面结构可以如图2至图6与图12至图13中任一实施例所述，发光元件12与压电元件14的制作方法可以如图7-图10或是图14-图17的实施例所述，而压电元件14的电极设计可以如图11或图18所述。
具体而言，电子装置20不同于前述实施例之处主要在于，电子装置20还包括温控元件16。图19中示意性的以粗线表示温控元件16的边界，以清楚呈现温控元件16、发光元件12与压电元件14的配置关系，但图19的粗线并非用以限定温控元件16实际边界的轮廓与位置。在本实施例中，发光元件12用于发出光线以显示画面而可提供使用者视觉刺激。压电元件14用于受电场控制而发出震动以提供使用者触觉上的机械刺激(例如震动、摩擦力等)或是基于外界的震动产生对应的信号以感受使用者的触碰。另外，温控元件16可以具有吸热或是放热的性质，以提供使用者触觉上的温度刺激(例如冷热感受)。因此，电子装置20可具有显示画面、机械震动、温度改变等多重功能。
多个温控元件16可以独立控制，而提供区域化的温度刺激，使电子装置20的应用更为多样化。举例而言，电子装置20利用发光元件12同时显示出一杯热咖啡与一杯冰果汁时，温控元件16可在显示热咖啡的区域提供放热作用而在显示冰果汁的区域提供吸热作用，让使用者触碰热咖啡的画面与触碰冰果汁的画面时可感到不同温度，而提供多元化的功能。
发光元件12、压电元件14与温控元件16所需要的设置密度可根据于个别功能的差异而有所不同。举例而言，发光元件12用于显示画面，其设置密度需要足够让人眼感受画面的连续；压电元件14用于提供触觉的震动刺激，其设置密度可对应于使用者的手指按压面积；而温控元件16用于产生不同温度，其设置密度可大于手指按压面积。因此，发光元件12的设置密度可以大于压电元件14的设置密度，且压电元件14的设置密度可以大于温控元件16的设置密度。举例而言，图19呈现出2×2个温控元件16，其中，一个温控元件16对应于2×3个压电元件14，而一个压电元件14对应于6×2个发光元件12。不过，上述数字仅是举例说明各种元件的设置密度之用，并非用以限定发光元件12与压电元件14的数量。另外，在一些实施例中，电子装置20可视设计需求而省略压电元件14或是新增其他功能的元件。
图20为本公开一实施例的电子装置的局部剖面示意图，其中图20可作为图19中电子装置20的剖面结构的一种实施方式。在图20中，电子装置300可包括第一基板310、第二基板320、发光元件330、压电元件340以及温控元件350。发光元件330与压电元件340都配置于第一基板310与第二基板320之间，且具体而言，第一基板310、第二基板320、发光元件330与压电元件340可采用图2至图6与图12至图13中任一实施例所述的结构来实现。另外，温控元件350配置于第一基板310的远离第二基板320的表面312上。也就是说，温控元件350可以设置于第一基板310的外表面。电子装置300在俯视图中的布局可以如图19的电子装置20，因此发光元件330、压电元件340以及温控元件350的数量可以都是多个。
图21为本公开一实施例的阵列排列的多个温控元件的示意图。图21的温控元件例如可应用于图19的电子装置中且可以作为图20的温控元件350的实施方式。图21的温控元件350A包括电热偶352、第一电极354与第二电极356，其中电热偶352包括n半导体352A与p半导体352B。n半导体352A与p半导体352B电性串联且连接于第一电极354与第二电极356之间。具体而言，温控元件350A可包括多组电热偶352，这些电热偶352排列成多个电热偶列S352，且多个电热偶列S352并联连接于第一电极354与第二电极356之间。n半导体352A与p半导体352B的材质包括碲化铋(Bismuth telluride)及其合金，碲化铅(Lead telluride)及其合金与硅锗合金(Silicon germanium)。
另外，图21中仅示意性的以粗黑线框表示温控元件350A，但并非用来限定温控元件350A的实际轮廓。
温控元件350A的第一电极354与第二电极356可被施加不同的电压，以产生流经这些电热偶列S352的电流，且这些电热偶列S352中的电热偶352可基于电流的流动方向而产生吸热或是放热的效应而实现温度调制功能。图21中呈现了3×3个温控元件350A的阵列，这些温控元件350A的第一电极354可连接置同一个信号源SG1，而这些温控元件350A的第二电极356可彼此独立的连接至不同的控制源。如此，不同温控元件350A可独立操作而提供不同的温度调整作用，以在不同区域产生不同温度，实现温度刺激的区域化设计。
图22为图21的温控元件沿剖线A-A'的剖面示意图。由图21与图22可知，温控元件350A可由第三基板358A与第四基板358B支撑及承载，且电热偶352、第一电极354与第二电极356配置于第三基板358A与第四基板358B之间。第三基板358A与第四基板358B的材质包括绝缘陶瓷材料、氧化铝(Al2O3)、氮化铝(AlN)或其组合。当图22的温控元件配置于图20的电子装置300时，第三基板358A可贴附于第一基板310的表面312上。换言之，电子装置300可包括夹住发光元件330与压电元件340的第一基板310与第二基板320外，还包括夹住温控元件350的第三基板358A与第四基板358B。
另外，由图22可知，n半导体352A与p半导体352B可以交替排列，且n半导体352A与p半导体352B之间隔有空气间隔，但不以此为限。n半导体352A与p半导体352B可通过设置于第三基板358A上的连接导体CS1以及设置于第四基板358B上的连接导体CS2串联连接。在本实施例中，连接导体CS1、连接导体CS2、第一电极354与第二电极356例如可以由铜制作而成，但不以此为限。
图23为本公开另一实施例的阵列排列的多个温控元件的示意图。图23的温控元件例如可应用于图19的电子装置中且可以作为图20的温控元件350的实施方式。图23的温控元件350B包括电热偶352、第一电极354与第二电极356，其中电热偶352包括n半导体352A与p半导体352B。n半导体352A与p半导体352B电性串联且连接于第一电极354与第二电极356之间。具体而言，温控元件350B可包括多个电热偶352，这些电热偶352排列成多个电热偶列S352，且多个电热偶列S352串联连接于第一电极354与第二电极356之间。换言之，温控元件350B不同于温控元件350A之处在于，电热偶列S352的连接方式。举例而言，图23的每个温控元件350B中多个电热偶列S352连接成一串，而图22的每个温控元件350A中多个电热偶列S352各自成串。
温控元件350B的第一电极354与第二电极356可被施加不同的电压，以产生流经这些电热偶列S352的电流，且这些电热偶列S352可基于电流的流动方向而产生吸热或是放热的效应而实现温度调制功能。图23中呈现了3×3个温控元件350B的阵列，这些温控元件350B的第一电极354可连接置相同的信号源，而这些温控元件350B的第二电极356可彼此独立的连接至不同的信号源。如此，不同温控元件350B可独立操作以在不同区域产生不同温度，实现温度刺激的区域化设计。
图24与图25为图23的温控元件沿剖线B-B'与线C-C’的剖面示意图。由图23至图25可知，温控元件350B设置在第三基板358A与第四基板358B之间，且电热偶352、第一电极354与第二电极356配置于第三基板358A与第四基板358B之间。当图23与图24的温控元件350B配置于图20的电子装置300时，第三基板358A可贴附于第一基板310的表面312上，但不以此为限。另外，由图24与图25可知，n半导体352A与p半导体352B可以交替排列，且n半导体352A与p半导体352B可通过设置于第三基板358A上的连接导体CS1以及设置于第四基板358B上的连接导体CS2串联连接。在本实施例中，连接导体CS1、连接导体CS2、第一电极354与第二电极356例如可以由铜制作而成，但不以此为限。
图26为本公开再一实施例的电子装置的示意图。图26的电子装置30包括多个发光元件12、多个压电元件14以及多个温控元件16，其中发光元件12与压电元件14的配置、布局、结构、材料与剖面结构等可以应用前述实施例中任一个的发光元件与压电元件的设计来实现。举例而言，发光元件12与压电元件的布局关系可以如图1的实施例所述，发光元件12与压电元件14的剖面结构可以如图2至图6与图12至图13中任一实施例所述，发光元件12与压电元件14的制作方法可以如图7-图10或是图14-图17的实施例所述，而压电元件14的电极设计可以如图11或图18所述。另外，温控元件16可由前述图20至图25公开的任一实施例的方式来实现。具体而言，电子装置30不同于前述实施例之处主要在于，电子装置30还包括发光元件12’，其中发光元件12’例如是红外线发光二极管，其可提供升温作用而与温控元件16一样用于提供温度刺激。发光元件12’与压电元件14的配置关系可以大致相同于发光元件12与压电元件14的配置关系。换言之，发光元件12’可以采用图2、图12与图13中任一个结构中的发光元件12的设置方式来实现。在本实施例中，除了温控元件16可以用于调整电子装置30在不同区域的温度外，发光元件12'也可用于加热电子装置30的局部区域，因此电子装置30可以提供更多重变化的温度调整。
综上所述，本公开实施例的电子装置除了发光元件外还包括压电元件与温控元件至少一个。如此一来，除了提供视觉的刺激外，电子装置还可提供使用者触觉与温度的刺激，从而增益电子装置的功能。此外，本公开实施例将多个压电元件与多个温控元件以阵列方式设置于电子装置中，且多个压电元件与多个温控元件都是可以独立控制的。如此，电子装置可以提供区域化的触觉与温度刺激，从而使电子装置的应用更丰富。

Claims (20)

1.一种电子装置，包括：
第一基板；
第二基板；
发光元件，配置于所述第一基板与所述第二基板之间；以及
压电元件，配置于所述第一基板与所述第二基板之间，其中所述压电元件包括压电层，所述压电层具有开口且所述发光元件位于所述开口中。
2.如权利要求1所述的电子装置，其中所述压电元件还包括第一电极与第二电极，且所述第一电极与所述第二电极用于控制所述压电层的压电性质。
3.如权利要求2所述的电子装置，其中所述第一电极位于所述压电层与所述第一基板之间，而所述第二电极位于所述压电层与所述第二基板之间。
4.如权利要求2所述的电子装置，其中所述第一电极与所述第二电极都位于所述压电层与所述第二基板之间。
5.如权利要求4所述的电子装置，其中所述第一电极具有第一梳状图案，所述第二电极具有第二梳状图案，且所述第一梳状图案与所述第二梳状图案交替排列。
6.如权利要求1所述的电子装置，其中所述压电元件还包括吸光粒子，所述吸光粒子掺杂于所述压电层中。
7.如权利要求1所述的电子装置，其中所述发光元件与所述压电元件的数量皆为多个，且所述发光元件的设置密度大于所述压电元件的设置密度。
8.如权利要求7所述的电子装置，其中多个压电层每一个的开口的数量为多个以分别容置对应的发光元件。
9.如权利要求1所述的电子装置，还包括温控元件，其中所述温控元件包括电热偶，且所述电热偶配置于所述第一基板的远离所述第二基板的表面上。
10.如权利要求9所述的电子装置，其中所述温控元件还包括第一电极与第二电极，所述电热偶包括n半导体与p半导体，且所述n半导体与所述p半导体串联连接于所述第一电极与所述第二电极之间。
11.如权利要求9所述的电子装置，其中所述压电元件与所述温控元件的数量皆为多个，且所述压电元件的设置密度大于所述温控元件的设置密度。
12.权利要求1所述的电子装置，其中所述发光元件包括可见光发光元件、红外光发光元件或两者。
13.权利要求1所述的电子装置，还包括吸光层，所述吸光层配置于所述第一基板与所述第二基板之间，且所述吸光层位于所述压电层与所述第二基板之间。
14.权利要求1所述的电子装置，还包括光色调整层，配置于所述发光元件的出光路径上。
15.权利要求1所述的电子装置，还包括阻隔挡墙，围绕所述发光元件且位于所述发光元件与所述压电元件之间。
16.一种电子装置，包括:
第一基板；
第二基板；
多个发光元件，配置于所述第一基板与所述第二基板之间；以及
多个温控元件，配置于所述第一基板的远离所述第二基板的表面上，且所述温控元件为各自可独立控制的。
17.权利要求16所述的电子装置，其中所述多个温控元件各自包括多个电热偶，所述多个电热偶各自包括n半导体与p半导体，且所述多个电热偶排成多列。
18.如权利要求17所述的电子装置，其中所述多个温控元件各自还包括第一电极与第二电极，且所述n半导体与所述p半导体电性串联且连接于所述第一电极与所述第二电极之间。
19.如权利要求17所述的电子装置，还包括第三基板与第四基板，所述电热偶配置于所述第三基板与所述第四基板之间，其中所述第三基板贴附于所述第一基板的所述表面上。
20.如权利要求19所述的电子装置，其中所述第三基板与所述第四基板的材质包括绝缘陶瓷材料、氧化铝、氮化铝或其组合。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114546101B (zh) * 2020-11-24 2024-05-17 京东方科技集团股份有限公司 触觉再现装置、显示面板和显示装置

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010108808A (ja) * 2008-10-31 2010-05-13 Seiko Epson Corp 発光装置および電子機器
CN106020553A (zh) * 2016-06-03 2016-10-12 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板、其制作方法及显示装置
CN106997248A (zh) * 2015-12-30 2017-08-01 乐金显示有限公司 显示装置及其驱动方法
CN107368227A (zh) * 2017-07-18 2017-11-21 京东方科技集团股份有限公司 一种触控显示基板、触控显示装置
US20180052550A1 (en) * 2016-01-25 2018-02-22 Boe Technology Group Co., Ltd. Tactile feedback device, related method, and touch display device containing the same
EP3534239A1 (en) * 2016-10-31 2019-09-04 Tegway Co., Ltd. Flexible thermoelectric module and thermoelectric apparatus comprising same

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE69714909T2 (de) * 1996-05-27 2003-04-30 Ngk Insulators, Ltd. Piezoelektrisches Element des Dünnschichttyps
CN106597697A (zh) * 2013-12-02 2017-04-26 株式会社半导体能源研究所 显示装置及其制造方法
KR20170038681A (ko) * 2015-09-30 2017-04-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 소자, 표시 장치, 전자 기기, 및 조명 장치
CN108604628A (zh) * 2016-01-28 2018-09-28 康宁股份有限公司 分配量子点材料的方法
KR102380244B1 (ko) * 2017-11-17 2022-03-28 엘지디스플레이 주식회사 터치스크린장치 및 이를 구비한 전자기기
US11476312B2 (en) * 2018-11-23 2022-10-18 Chengdu Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. Display substrate comprising fingerprint recognition sensors, method for manufacturing the same, and display device
CN111105713B (zh) * 2019-12-20 2022-08-09 京东方科技集团股份有限公司 一种可折叠显示模组、显示装置和散热方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010108808A (ja) * 2008-10-31 2010-05-13 Seiko Epson Corp 発光装置および電子機器
CN106997248A (zh) * 2015-12-30 2017-08-01 乐金显示有限公司 显示装置及其驱动方法
US20180052550A1 (en) * 2016-01-25 2018-02-22 Boe Technology Group Co., Ltd. Tactile feedback device, related method, and touch display device containing the same
CN106020553A (zh) * 2016-06-03 2016-10-12 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板、其制作方法及显示装置
EP3534239A1 (en) * 2016-10-31 2019-09-04 Tegway Co., Ltd. Flexible thermoelectric module and thermoelectric apparatus comprising same
CN107368227A (zh) * 2017-07-18 2017-11-21 京东方科技集团股份有限公司 一种触控显示基板、触控显示装置

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