CN113097319A - 一种碳化硅/二硫化锡异质结光电晶体管及其制备方法和应用 - Google Patents
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Abstract
本发明属于紫外‑可见探测技术领域，公开了一种碳化硅/二硫化锡异质结光电晶体管及其制备方法和应用，该晶体管的结构为SiC/SiO2/SnS2纳米片/源电极和漏电极/栅极介电层六方氮化硼/顶栅电极石墨烯/栅电极，SnS2纳米片和SiC衬底接触形成异质结；该方法在清洗的SiC上沉积SiO2膜，利用激光直写技术获得SiO2窗口，将SnS2纳米片转移至SiC上形成SiC‑SnS2异质结，沉积金属得到源电极和漏电极，六方氮化硼作为栅极介电层，石墨烯作为顶栅电极材料，再光刻沉积金属制备栅电极，在150～250℃退火制得。该光电晶体管具有良好的栅压调控能力、较高的光灵敏度、较快的响应时间和较高的比探测率。
Description
技术领域
本发明属于紫外-可见探测技术领域，更具体地，涉及一种碳化硅/二硫化锡(SiC/SnS2)异质结光电晶体管及其制备方法和应用。
背景技术
SiC是第三代宽禁带半导体之一，禁带宽度在2.3～3.3eV之间，具有大的电子饱和漂移速度，高击穿场强，抗辐射能力，化学稳定性高、紫外-可见光波段有较好的吸光度等优点。基于这些优点，SiC作为半绝缘和半导体适合制作成功率半导体器件、微纳光电子器件如垂直光电二极管、位置依赖光电晶体管、肖特基二极管等。目前已有大量基于SiC和其它半导体结合的工作如β-Ga2O3/SiC、石墨烯/SiC。然而，目前SiC与新型二维半导体材料的结合较少，SiC仍然停留在紫外探测应用领域，不利于SiC的长远发展；此外，现有的二维材料主要还是以SiO2/Si为衬底，这类器件的缺点包括衬底不吸光，不耐高压，漏电流不够低，栅压施加范围较窄，还需要掺杂、组合等方法来提高二维材料的性能。目前还缺乏一种行之有效的水平SiC-二维材料加工工艺技术。因此，有必要构思一种简便且高效的加工技术。
SnS2作为重要的IVA-VIA族半导体之一，具有价格便宜，地球储量丰富和无毒的优点。据报道，层状SnS2的最大带隙值超过了～2.23eV，比传统过渡金属硫属化物如MoS2(1.8eV)、WS2(2.0eV)还要大，且电子迁移率高(超过200cm2.V-1.s-1)，高入射光电流转换效率(～38.7％)，紫外-可见光区域光吸收效率高(＞104cm-1)。SnS2合适的带隙使其具有良好的光电性质，可应用于可见光光电晶体管、太阳能电池和二极管等，但是高性能的SnS2往往需要表面处理、选择石墨烯电极等方法来提高性能。近年来，由于范德瓦尔斯结不受晶格失配的影响，新型二维半导体材料与三维半导体的结合为光电子器件、集成电路的发展提供了潜在的应用价值，例如光电探测器、太阳能电池、隧道二极管等。综上所述，SiC与SnS2的结合可以显著改善器件的紫外-可见吸收能力，并且有望用于高灵敏度、快速响应的器件上。
发明内容
为了解决上述现有技术存在的不足和缺点，本发明目的在于提供一种碳化硅/二硫化锡(SiC/SnS2)异质结光电晶体管。该光电晶体管具有良好的紫外-可见探测能力、良好的栅压调控能力、较高的光灵敏度(Rλ＝1000～3090mA/W)、较快的响应时间(上升/下降时间分别为0.35～0.5s/0.36～0.6s)和较高的比探测率(D*＝1.9～7.8×1011Jones)。
本发明的另一目的在于提供上述SiC/SnS2异质结光电晶体管的制备方法。该方法是将机械剥离的二硫化锡纳米片通过PVA干法转移到SiC基底上形成范德瓦尔斯异质结，并利用光刻蒸镀技术制备成光电晶体管。
本发明的目的通过下述技术方案来实现：
一种碳化硅/二硫化锡(SiC/SnS2)异质结光电晶体管，所述异质结光电晶体管的结构为SiC/SiO2薄膜/SnS2纳米片/源电极和漏电极/栅极介电层六方氮化硼/顶栅电极石墨烯/栅电极，其中，所述SnS2纳米片一部分与SiO2绝缘薄膜接触，另一部分与SiC衬底接触形成垂直异质结；所述异质结光电晶体管是利用PECVD法在清洗的SiC衬底上沉积SiO2薄膜；再利用激光直写技术在沉积了SiO2的SiC衬底上光刻一窗口，置于BOE溶液中浸泡使刻蚀深度至SiC衬底表面；利用聚乙烯醇转移法将机械剥离的二硫化锡纳米片转移到经BOE溶液刻蚀的SiC衬底上，所述SnS2纳米片一部分与SiO2薄膜接触，另一部分与SiC衬底接触形成垂直异质结；将光刻胶旋涂到已形成SnS2/SiC异质结的SiC衬底上，通过激光直写分别在SiC和SnS2上制备源电极和漏电极图案，再利用电子束蒸镀金属，经过丙酮去胶，得到源电极和漏电极；采用KOH湿法转移胶带剥离的六方氮化硼作为栅极介电层，用聚乙烯醇干法转移石墨烯作为顶栅电极调控光电晶体管；再光刻沉积金属，制备栅电极；将上述整体在保护气氛中150～250℃退火制得。
优选地，所述SiO2薄膜的厚度为150～500nm；所述二硫化锡纳米片的厚度为1～100nm。
优选地，所述源电极、漏电极和栅电极的金属均为Ti-Au、Au或Cr-Au。
优选地，所述的六方氮化硼的厚度为10～50nm，石墨烯的厚度为0.5～10nm。
优选地，所述退火的时间为15～60min；所述保护气氛为氮气或氩气。
优选地，所述异质结光电晶体管放入光灵敏度Rλ为1000～3090mA/W，上升的响应时间为0.35～0.5s，下降的响应时间为0.36～0.6s，比探测率D*＝1.9～7.8×1011Jones；工作偏压为5～20V，光功率密度为0.15～0.45mW/cm2。
所述的SiC/SnS2异质结光电晶体管的制备方法，包括以下具体步骤：
S1.将SiC衬底用BOE溶液浸泡，然后依次用丙酮、异丙醇和去离子水超声清洗，制得清洗的SiC衬底；
S2.利用PECVD法在清洗的SiC衬底上沉积SiO2薄膜；
S3.利用激光直写法在沉积了SiO2的衬底上光刻一窗口，再置于BOE溶液中浸泡使刻蚀深度至SiC表面；
S4.利用聚乙烯醇转移法将机械剥离的SnS2纳米片转移到S3步骤得到的衬底上，所述SnS2纳米片一部分与SiO2接触，另一部分和SiC接触形成垂直异质结；
S5.将光刻胶旋涂到将光刻胶旋涂到已形成SnS2/SiC异质结的SiC衬底上，通过激光直写分别在SiC和SnS2上，再利用电子束蒸镀金属，经过丙酮去胶，得到源电极和漏电极；
S6.采用KOH湿法转移胶带剥离的六方氮化硼作为栅极介电层，用聚乙烯醇干法转移石墨烯作为顶栅电极调控光电晶体管，再光刻蒸镀金属，制备栅电极；
S7.将上述整体在氮气或氩气气氛中150～250℃退火，制得SiC/SnS2异质结光电晶体管。
优选地，步骤S1中所述BOE溶液是将NH4F加入HF和H2O中配置；所述BOE浸泡的时间为5～30min，所述超声清洗的时间为5～30min。
更为优选地，所述的NH4F的质量、HF的体积和H2O的体积的比为(7～8)g：(3～4)mL：(10～13)mL。
所述的SiC/SnS2异质结光电晶体管在紫外-可见探测领域中的应用。
本发明六方氮化硼为栅极介电层，石墨烯作顶栅，由于栅极需要制备在光电晶体管的沟道上方，如果直接用金属(和源极漏极一样可用金，钛/金，铬/金)的话，金属会反射一定量的激光从而影响光电响应。因此，本发明选用透光性高的石墨烯来代替沟道上方的栅极金属，但由于石墨烯的尺寸小，测试时探针无法扎到，就需要镀一层栅电极方便测试。
与现有技术相比，本发明具有以下有益效果：
1.本发明的SnS2/SiC异质结光电晶体管可对265～600nm波段的激光进行吸收，对于机械剥离的厚度为1～100nm的SnS2纳米片与N型掺杂SiC衬底结合的器件。
2.本发明的光电晶体管具有良好的栅压调控能力，所述异质结光电晶体管放入光灵敏度Rλ为1000～3090mA/W，上升的响应时间为0.35～0.5s，下降的响应时间为0.36～0.6s，比探测率D*＝1.9～7.8×1011Jones；工作偏压为5～20V，光功率密度为0.15～0.45mW/cm2。
附图说明
图1为本发明的SiC/SnS2异质结光电晶体管的制备流程图；
图2为实施例1制得的SiC/SnS2异质结光电晶体管的侧面示意图；
图3为实施例1制得的SiC/SnS2异质结光电晶体管的光学显微镜图；
图4为实施例1制得的SiC/SnS2异质结光电晶体管的I-V曲线；
图5为实施例1制得的SiC/SnS2异质结光电晶体管在405nm激光，光功率密度为200mW/cm2，偏压为5V时的电流-时间关系曲线图；
图6为实施例3制得的SiC/SnS2异质结光电晶体管的侧面示意图；
图7为实施例3制得的SiC/SnS2异质结光电晶体管在405nm激光下测得的性能曲线；
图8为实施例3制得的SiC/SnS2异质结光电晶体管在325nm激光下测得的性能曲线。
具体实施方式
下面结合具体实施例进一步说明本发明的内容，但不应理解为对本发明的限制。若未特别指明，实施例中所用的技术手段为本领域技术人员所熟知的常规手段。除非特别说明，本发明采用的试剂、方法和设备为本技术领域常规试剂、方法和设备。
实施例1
图1为本发明的SiC/SnS2异质结光电晶体管器件制备流程图，包括以下步骤：
1.将40gNH4F加入18ml HF和60ml H2O配置缓冲氧化物刻蚀液(BOE)溶液，用BOE溶液浸泡SiC衬底15min(SiC结构为4H相，掺杂类型为N型，表面有一层N型掺杂外延层，厚度为11μm，掺杂浓度在1015cm-1，以彻底去除表面氧化硅层。再分别用丙酮和异丙醇超声清洗衬底15min以去除有机杂质及其他表面附着物，之后用去离子水冲洗，再用氮***吹干，制得清洗的SiC衬底；
2.用PECVD方法在清洗的SiC上沉积150nm SiO2薄膜。
3.利用激光直写技术在沉积了150nm的SiO2的衬底上光刻一窗口，之后用步骤1中所用的BOE刻蚀1min，露出N型掺杂外延层SiC表面，去离子水多次清洗，氮***吹干。
4.剥离SnS2纳米片，通过光学显微镜选择厚度约为15nm的SnS2纳米片，经过PVA干方法转移到衬底上与露出来的SiC窗口形成异质结：
(a)称量4g PVA颗粒(分子量27000)到装有21ml去离子水的烧杯中放置在磁力搅拌器平台上1000rpm进行搅拌10～12h，最终获得透明粘稠状液体。
(b)准备一片干净载玻片(经过丙酮、异丙醇分别超声清洗5～10min)，剪取0.5cm×0.3cm左右的0.4mm厚的PDMS(型号为17mil，两面分别由一层硬膜和一层软膜封装而成，购自美国Gel-Pak公司)，用尖嘴镊子取下硬膜，紧密贴在载玻片中心位置，再将软膜揭下，确保PDMS平整无褶皱和空气。
(c)将带有PDMS的干净载玻片放置在无尘纸上，用塑料滴管吸取少量PVA水溶液(注意不要吸取过多)，滴一滴到PDMS上，此时PVA溶液呈大液珠形式，取另一载玻片用边缘小心刮取多余的PVA到无尘纸上(载玻片刮取方向朝上)，待PVA呈均匀铺满到PDMS上且中间有所凸起。将其放置在加热台上在50℃加热10min，取起来观察PVA平整且无气泡。
(d)将转移平台温度调整至90℃，将SnS2样品衬底固定在下平台，找到所需的二硫化锡纳米片并聚焦将PVA/PDMS载玻片放置在转移平台的上平台固定，调整PVA/PDMS刚好位于目标样品上，调整PVA高度使其与二硫化锡纳米片接触，加热4min后抬起，将转移到PVA上的纳米片在转移平台上对准转移到衬底上与步骤3制得的SiC窗口形成异质结，90℃加热4min，取出衬底室温冷却后放置在去离子水或二甲基亚砜中50℃加热20min溶解PVA，并再次用干净去离子水或二甲基亚砜浸泡数分钟，取出用氮***吹干。
5.利用激光直写技术分别将光刻胶旋涂到已形成SnS2/SiC异质结的SiC衬底上，通过激光直写分别在SiC和SnS2上制备源电极和漏电极图案，SnS2纳米片叠在SiC上，漏电极既接触碳化硅也接触SnS2纳米片；
6.利用电子束蒸镀金属(Ti-Au、Au或Cr-Au)制备源漏电极，丙酮溶解光刻胶去金之后可得到源漏电极；用KOH湿法转移六方氮化硼(h-BN)作为顶栅介电层，用PVA转移石墨烯作为顶栅结构，再光刻蒸镀金属(Au或Ti-Au或Cr-Au)制备栅电极。然后在氮气气氛中150℃退火20min，获得SiC/SnS2异质结光电晶体管。
图2为实施例1制得的SiC/SnS2异质结光电晶体管的侧面示意图。从图2可知，SiC/SnS2异质结光电晶体管由SiC衬底、二氧化硅、漏电极、SnS2纳米片、源电极、顶栅介电层六方氮化硼、顶栅石墨烯和栅电极组成。其中，漏电极与SnS2纳米片接触；源电极与SiC接触，但不与SnS2接触，六方氮化硼为栅极介电层起到隔绝石墨烯和SnS2纳米片的作用。
图3为实施例1制得的SiC/SnS2异质结光电晶体管器件的光学显微镜图。其中，SnS2纳米片和石墨烯(Gr)由聚乙烯醇干法转移技术转移，h-BN由KOH湿法转移技术转移。图4为实施例1的SiC/SnS2异质结光电晶体管的I-V曲线；从图4中可知，在405nm波长激光照射下，随着光功率密度增大，电流增大明显了，说明该器件光响应明显。图5为实施例1的SiC/SnS2异质结光电晶体管在405nm激光，光功率密度为200mW/cm2，偏压为5V时的电流-时间关系曲线图。从图5中可知，该SiC/SnS2异质结光电晶体管的上升响应时间为0.35s，下降响应时间为0.36s，说明该光电晶体管光的响应速度快。
实施例2
1.清洗SiC衬底：将40gNH4F加入18ml HF和60ml H2O中配置BOE溶液，用BOE溶液浸泡SiC衬底10min以彻底去除表面氧化硅层。再分别用丙酮和异丙醇超声清洗SiC衬底20min以去除有机杂质及其他表面附着物，之后用去离子水冲洗，再用氮***吹干。
2.用等离子体增强化学的气相沉积法(PECVD)在清洗后的SiC衬底上淀积300nmSiO2薄膜，即为SiO2薄膜/SiC衬底；
3.利用激光直写技术在淀积了SiO2薄膜的衬底上光刻一窗口，之后用步骤1中所用的BOE溶液刻蚀SiO21min，使此窗口刻蚀深度达到11μm的N型掺杂外延层SiC表面，去离子水多次清洗，氮***吹干。
4.剥离厚度为10nm的SnS2纳米片，经过PVA干法转移到SiC衬底上与露出来的SiC窗口形成异质结：
(a)称量4g PVA颗粒(分子量27000)到装有21ml去离子水的烧杯中，放置在磁力搅拌器上1000r进行搅拌12h，获得透明粘稠状液体。
(b)准备一片干净载玻片(经过丙酮、异丙醇分别超声清洗5-10min)，剪取0.3cm×0.3cm左右的0.5mm厚PDMS(型号为KYN-500，两面分别有一层硬膜和一层软膜，购自中国杭州包尔得新材料科技有限公司)，用尖嘴镊子取下硬膜，紧密贴在载玻片中心位置，再将软膜揭下，确保PDMS平整无褶皱和空气。
(c)将带有PDMS的干净载玻片放置在无尘纸上，用塑料滴管吸取少量PVA去离子水溶液(注意不要吸取过多)，滴一滴到PDMS上，此时PVA溶液呈大液珠形式，取另一载玻片用边缘小心刮取多余的PVA到无尘纸上(载玻片刮取方向朝上)，待PVA呈均匀铺满到PDMS上且中间有所凸起。将其放置在加热台上在50℃加热10min，取起来观察PVA平整且无气泡。
(d)将转移平台温度调整至90℃，将SnS2样品衬底固定在下平台，找到二硫化锡纳米片并聚焦将PVA/PDMS载玻片放置在转移平台的上平台固定，调整PVA/PDMS刚好位于目标样品上，调整PVA高度使其SnS2纳米片接触，加热4min后抬起，将转移到PVA上的纳米片在转移平台上对准转移到SiC衬底上与SiC窗口形成异质结，90℃加热4min，取出衬底室温冷却后放置在去离子水中50℃加热20min溶解PVA，取出用氮***吹干。
5.将光刻胶旋涂到已形成SnS2/SiC异质结的SiC衬底上，通过激光直写分别在SiC和SnS2上制备源电极和漏电极图案，利用电子束蒸镀Ti-Au电极，丙酮溶解光刻胶，去金之后可得到源漏电极；同样利用转移平台湿法转移h-BN作为顶栅介电层，PVA法转移石墨烯作为顶栅透明电极，再利用制备源漏电极的方法制备栅电极。
6.将器件在氮气气氛中150℃退火20min，制得SiC-SnS2异质结光电晶体管。
实施例3
与实施例1不同的在于：源电极与SnS2纳米片接触。图6为实施例3制得的SiC/SnS2异质结光电晶体管的侧面示意图。从图6可知，SiC/SnS2异质结光电晶体管由SiC衬底、二氧化硅、漏电极、SnS2纳米片、源电极、顶栅介电层六方氮化硼、顶栅石墨烯和栅电极组成。其中，漏电极与SnS2纳米片接触；源电极与SiC和SnS2纳米片接触；源电极和漏电极均与SnS2纳米片接触，六方氮化硼为栅极介电层起到隔绝石墨烯和SnS2纳米片的作用。图7为实施例3制得的SiC/SnS2异质结光电晶体管在405nm激光下测得的性能曲线，其中，图7中(a)为405nm激光照射时不同光功率下的I-V曲线图，图7中(b)为比探测率D*和外量子效率EQE随光功率密度的变化曲线图，图7中(c)为光灵敏度Rλ和光电流Iph随光功率密度的变化曲线图，图7中(d)为I-t曲线图。从图7可知，405nm激光测试时，光灵敏度Rλ为1638A/W，上升的响应时间为3ms，下降的响应时间为6ms，比探测率D*＝1.2×1013Jones，外量子效率EQE＝5×105％，工作偏压为5V，光功率密度为0.68mW/cm2，说明所得光电晶体管性能非常优异。图8为实施例3制得的SiC/SnS2异质结光电晶体管在325nm激光下测得的性能曲线。其中，图8中(a)为405nm激光照射时不同光功率下的I-V曲线图，图8中(b)为比探测率D*和外量子效率EQE随光功率密度的变化曲线图，图8中(c)为光灵敏度Rλ和光电流Iph随光功率密度的变化曲线图，图8中(d)为I-t曲线图。从图8可知，325nm激光测试时，光灵敏度Rλ为24235A/W，上升的响应时间为5ms，下降的响应时间为8ms，比探测率D*＝7.6×1013Jones，EQE＝9.2×106％，工作偏压为5V，光功率密度为0.13mW/cm2。
本发明的异质结光电晶体管放入光灵敏度Rλ为1000～3090mA/W，上升的响应时间为0.35～0.5s，下降的响应时间为0.36～0.6s，比探测率D*＝1.9～7.8×1011Jones；工作偏压为5～20V，光功率密度为0.15～0.45mW/cm2。说明该光电晶体管具有良好的栅压调控能力。
上述实施例为本发明较佳的实施方式，但本发明的实施方式并不受上述实施例的限制，其他的任何未背离本发明的精神实质与原理下所作的改变、修饰、替代、组合和简化，均应为等效的置换方式，都包含在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种碳化硅/二硫化锡异质结光电晶体管，其特征在于，所述异质结光电晶体管的结构为SiC/SiO2薄膜/SnS2纳米片/源电极和漏电极/栅极介电层六方氮化硼/顶栅电极石墨烯/栅电极，其中，所述SnS2纳米片一部分与SiO2绝缘薄膜接触，另一部分与SiC衬底接触形成垂直异质结；所述异质结光电晶体管是利用PECVD法在清洗的SiC衬底上沉积SiO2薄膜；再利用激光直写技术在沉积了SiO2的SiC衬底上光刻一窗口，置于BOE溶液中浸泡使刻蚀深度至SiC衬底表面；利用聚乙烯醇转移法将机械剥离的二硫化锡纳米片转移到经BOE溶液刻蚀的SiC衬底上，所述二硫化锡纳米片一部分与SiO2薄膜接触，另一部分与SiC衬底接触形成垂直异质结；将光刻胶旋涂到已形成SnS2/SiC异质结的SiC衬底上，通过激光直写分别在SiC和SnS2上制备源电极和漏电极图案，再利用电子束蒸镀金属，经过丙酮去胶，得到源电极和漏电极；采用KOH湿法转移胶带剥离的六方氮化硼作为栅极介电层，用聚乙烯醇干法转移石墨烯作为顶栅电极调控光电晶体管，再光刻蒸镀金属，制备栅电极；将上述整体在保护气氛中150～250℃退火制得。
2.根据权利要求1所述的碳化硅/二硫化锡异质结光电晶体管，其特征在于，所述SiO2薄膜的厚度为150～500nm；所述二硫化锡纳米片的厚度为1～100nm。
3.根据权利要求1所述的碳化硅/二硫化锡异质结光电晶体管，其特征在于，所述源电极、漏电极和栅电极的金属均为Ti-Au、Au或Cr-Au。
4.根据权利要求1所述的碳化硅/二硫化锡异质结光电晶体管，其特征在于，所述的六方氮化硼的厚度为10～50nm，石墨烯的厚度为0.5～10nm。
5.根据权利要求1所述的碳化硅/二硫化锡异质结光电晶体管，其特征在于，所述退火的时间为15～60min；所述保护气氛为氮气或氩气。
6.根据权利要求1所述的碳化硅/二硫化锡异质结光电晶体管，其特征在于，所述异质结光电晶体管放入光灵敏度Rλ为1000～3090mA/W，上升的响应时间为0.35～0.5s，下降的响应时间为0.36～0.6s，比探测率D*＝1.9～7.8×1011Jones；工作偏压为5～20V，光功率密度为0.15～0.45mW/cm2。
7.一种根据权利要求1-6任一项所述的碳化硅/二硫化锡异质结光电晶体管的制备方法，其特征在于，包括以下具体步骤：
S1.将SiC衬底用BOE溶液浸泡，然后依次用丙酮、异丙醇和去离子水超声清洗，制得清洗的SiC衬底；
S2.利用PECVD法在清洗的SiC衬底上沉积SiO2薄膜；
S3.利用激光直写法在沉积了SiO2的衬底上光刻一窗口，再置于BOE溶液中浸泡使刻蚀深度至SiC表面；
S4.利用聚乙烯醇转移法将机械剥离的SnS2纳米片转移到S3步骤得到的衬底上，所述SnS2纳米片一部分与绝缘SiO2薄膜接触，另一部分和SiC接触形成垂直异质结；
S5.将光刻胶旋涂到已形成SnS2/SiC异质结的SiC衬底上，通过激光直写分别在SiC和SnS2上制备源电极和漏电极图案，再利用电子束蒸镀金属，经过丙酮去胶，得到源电极和漏电极；
S6.采用KOH湿法转移胶带剥离的六方氮化硼作为栅极介电层，用聚乙烯醇干法转移石墨烯作为顶栅电极调控光电晶体管，再光刻蒸镀金属，制备栅电极；
S7.将上述整体在氮气或氩气气氛中150～250℃退火，制得SiC/SnS2异质结光电晶体管。
8.根据权利要求7所述的碳化硅/二硫化锡异质结光电晶体管的制备方法，其特征在于，步骤S1中所述BOE溶液是将NH4F加入HF和H2O中配置；所述BOE浸泡的时间为5～30min，所述超声清洗的时间为5～30min。
9.根据权利要求8所述的碳化硅/二硫化锡异质结光电晶体管的制备方法，其特征在于，所述的NH4F的质量、HF的体积和H2O的体积的比为(7～8)g：(3～4)mL：(10～13)mL。
10.权利要求1-6任一项所述的碳化硅/二硫化锡异质结光电晶体管在紫外-可见探测领域中的应用。
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