CN113089000B - 一种具有面内缺陷的钼基催化剂及其制备方法与应用 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种具有面内缺陷的钼基催化剂及其制备方法与应用，以五氯化钼为钼源，硫脲为硫源和硫位封端剂，通过分批次投料，利用二者的配位络合，采用自下而上的方法制备得到二硫化钼催化剂并将其应用于电化学合成氨反应中。本发明制备的二硫化钼电催化剂具有丰富的面内缺陷，能有效吸附活化双氮分子，且有很好的稳定性，比表面积较大，良好的电催化性能，同时还保持很高的热稳定性等，且本发明的制备方法简单方便，能耗低，成本低，有较大的应用潜力。

Description

一种具有面内缺陷的钼基催化剂及其制备方法与应用
技术领域
本发明涉及一种具有面内缺陷的钼基催化剂的制备方法与应用，属于材料的合成、电催化及精细化工的技术领域。
背景技术
合成氨是20世纪最重要的发明之一，为推动人类社会进步做出了重大贡献。氨作为最重要的基础化工产品之一，产量居各种化工产品的首位。目前，全球氨产量约为5亿吨，在食品、能源化学方面具有相当重要的地位；其中，90％的氨用于化肥工业中，化肥工业的出现和发展大幅度提高了农作物产量，从而解决了人口快速增长带来的粮食问题，此外，氨在清洁运输和储氢方面发挥重要作用，被视为是未来有潜力的液体燃料和氢能载体。
工业上合成氨广泛采用的是哈伯-博施法(Haber-Bosch process)，即氮气和氢气在高温高压条件以及铁基催化剂作用下合成氨，哈伯法合成氨需要在高压(>700bar)、高温(>673K)的条件下进行，能耗高，污染严重，整个过程的能耗占世界年能耗重量的1-2％，使用的高纯氢来源于化石燃料的天然气重整，每年的CO2排放量高达4.5亿吨。和工业化合成氨相反，生物固氮是植物和细菌在常温常压下利用固氮酶将大气中的氮气转化为氨，但是通过生物固氮获得的氨无法满足人类的需求。因而，寻找高性能、低成本的非贵金属催化剂实现温和条件下合成氨一直是催化领域的重要研究课题。
近年来利用可再生能源电能，在常温常压下进行催化固氮引起全球范围学者的广泛关注，并且被认为是最有前景取代工业合成氨的技术之一。在过去几年中，NRR的发展主要依赖于过渡金属基电催化剂。然而，在实际应用中，催化效率还有待提高，主要源于以下几点：第一，大多数与氮结合太弱的过渡金属不能胜任N2活化；第二，过渡金属中的d轨道电子也有助于析氢反应(HER)中金属-H键的形成，从而导致法拉第效率的降低；第三，尽管一些过渡金属在适当的电位下会阻碍HER，但迫切需要可行的替代机制来获得合理的NRR性能。因此，电催化NRR的转化进展不仅可以从开发全新类型的催化剂，而且可以通过改性催化剂来获得有效N2活化的新机制。
二硫化钼(MoS2)是一种常见的类石墨烯状二维材料，被广泛用于光电催化、石油化工催化、储氢材料以及太阳能电池等领域，根据物相结构的不同，二硫化钼可以分为稳定的2H半导体态和亚稳定的1T金属态。MoS2中由于Mo的d轨道有利于接收氮原子的孤对电子并提供电子到N≡N的π*轨道上，以弱化N≡N键，有利于氮气的活化，且考虑到天然N2固定都是通过植物细菌产生的固氮酶实现的，而固氮酶的活性中心是Mo基结构，含有Mo和S元素。因此，MoS2在电催化氮气还原上具有很大潜在的发展前景，同时MoS2具有高稳定性与高催化活性等优点使其有希望成为钌等固氮贵金属催化剂的替代品。目前所制备的MoS2的形貌有很多，其中，申请号为201611027687.3的专利公开了单层二硫化钼的制备方法，申请号为201611078868.9的专利公开了空心球状的二硫化钼的制备方法，申请号为201610417377.6的专利公开了有边缘卷曲褶皱的木耳状二硫化钼的制备方法，然而，作为一类重要的二维平面材料在催化、电化学、电子器件中有着广泛应用的MoS2材料，通过实验以及理论计算已经证实其催化活性位只位于材料的边界，高活性的边棱结构暴露的较少，其大量的表面位却是催化惰性的，这严重制约了MoS2纳米材料作为新一代固氮反应催化剂的大规模实际应用，因此，采用缺陷工程在MoS2制造面缺陷使其暴露更多边缘活性位点，同时改变惰性平面区的性质，使其成为活性位点，可以增强催化剂吸附活化氮气的能力，提高电催化合成氨性能。
申请号为202010405604.X的专利公开了一种富缺陷1T-2H混合相的二硫化钼催化剂及其制备方法和用途，并具体公开了采用水热合成法，利用水和乙醇的混合溶剂，采用有机酸作为调控剂，合成了具有富缺陷1T-2H混合相的二硫化钼催化剂的制备方法，但是该专利中合成的二硫化钼为混合相，其大量缺陷位集中在晶体边缘，基面内缺陷缺乏。
发明内容
为了解决现有技术存在的问题，本发明提供一种具有面内缺陷的钼基催化剂及其制备方法，以五氯化钼为钼源，硫脲为硫源和硫位封端剂，利用二者的配位络合，采用自下而上的方法制备得到具有丰富面内缺陷的二硫化钼二维纳米片，同时将制得的钼基催化剂应用在电化学合成氨反应中。
本发明的技术方案如下：
本发明公开一种具有面内缺陷的钼基催化剂，所述钼基催化剂呈MoS2纳米片状，分散的单层纳米片厚度为2nm，其面内存在由三个相邻的S空位所组成的稳定的面内缺陷。
本发明公开还一种具有面内缺陷的钼基催化剂的制备方法，以五氯化钼为钼源，硫脲为硫源和硫位封端剂，利用二者的配位络合，采用自下而上的方法制备得到具有丰富面内缺陷的二硫化钼二维纳米片。
进一步的，所述具有面内缺陷的钼基催化剂的制备方法具体包括以下步骤：
(1)将五氯化钼、硫脲溶解于60～70mL的无水乙醇中，搅拌60～70min后，形成MoS2纳米微晶；
(2)将MoS2纳米微晶烘干后置于球磨机中进行高能研磨；
(3)将经过高能研磨的MoS2纳米微晶粉末倒入聚四氟乙烯反应釜中，并加入与步骤(1)中同体积的无水乙醇，加上钢套后进行水热反应；
(4)待反应结束并冷却至室温，进行离心分离，沉淀物分别用蒸馏水和无水乙醇洗涤，于60～70℃下真空干燥得到富含面内缺陷的MoS2二维纳米片。
进一步的，所述步骤(1)中五氯化钼的浓度为14mmol，硫脲的浓度为28～70mmol；所述五氯化钼与硫脲的摩尔比为1:2～5。
进一步的，所述步骤(2)中样品的球磨时间为60～120min，转速为200～300r/min。
进一步的，所述步骤(3)中水热反应的温度为160～220℃，水热反应的时间为12～36h。
本发明还公开一种具有面内缺陷的钼基催化剂在电化学合成氨反应中的应用。
进一步的，将具有面内缺陷的钼基催化剂分散于包括乙醇、水和Nafion的分散液中，经过超声后滴于疏水碳纸上制成工作电极，利用三电极体系进行电催化合成氨反应。
进一步的，所述分散液中乙醇、水和Nafion溶液的体积比为12:12:1。
相较于现有技术，本发明的有益效果在于：
(1)本发明提供的制备方法中分别使用五氯化钼和硫脲作为Mo和S元素来源，将五氯化钼和硫脲分散在无水乙醇中，该过程能够实现Mo5+阳离子与CH4N2S之间的配位络合，并且将形成的混合物干燥后，对获得的粉末进行球磨，球磨的过程有效地增强了Mo5+和CH4N2S的相互作用，从而形成了MoS2纳米微晶，在随后的水热反应过程中，本发明中添加了过量的CH4N2S，部分硫脲与五氯化钼反应形成MoS2纳米晶体，另一部分的硫脲作为S位封端剂吸附在MoS2纳米晶体表面，定向阻止MoS2纳米晶体的生长，从而才能产生具有三个相邻S空位的丰富的面内缺陷，使得本发明制得的钼基催化剂有别于常规二硫化钼中的边缘缺陷；本发明制得的钼基催化剂具有丰富的面内缺陷，改变了二硫化钼惰性平面区的性质，暴露了更多的面内活性位点，大大增强了催化剂吸附活化氮气的能力，有效提高了电催化合成氨性能。
(2)本发明提供的制备方法简单易控制，生产过程绿色环保，能耗低，产率高，成本低，符合实际生产需要，有利于大规模的推广。
(3)通过本发明制得的钼基催化剂在电催化反应体系中的稳定性和可再生能力强，重复利用率高，具有很高的实用价值和应用前景。
附图说明
图1为根据本发明实施例1所制得的具有面内缺陷的钼基催化剂的X射线粉末衍射图(XRD)；
图2为根据本发明实施例1所制得的具有面内缺陷的钼基催化剂球差透射电镜图(HAADF-STEM)；
图3为根据本发明实施例1所制得的具有面内缺陷的钼基催化剂和不含缺陷的钼基催化剂的氮气程序升温脱附对比图(N2-TPD)；
图4为根据本发明实施例1所制得的具有面内缺陷的钼基电催化剂和不含缺陷钼基催化剂电催化固氮活性对比图。
具体实施方式
为了使本发明所述的内容更加便于理解，下面结合具体实施方式和附图对本发明所述的技术方案做进一步的说明，但是本发明不仅限于此。
实施例1
一种具有面内缺陷的钼基催化剂，所述钼基催化剂呈MoS2纳米片状，分散的单层纳米片厚度为2nm，其面内存在由三个相邻的S空位所组成的稳定的面内缺陷。
上述具有面内缺陷的钼基催化剂的制备方法，以五氯化钼为钼源，硫脲为硫源和硫位封端剂，利用二者的配位络合，采用自下而上的方法制备得到具有丰富面内缺陷的二硫化钼二维纳米片，具体包括以下步骤：
(1)将质量为14mmol的五氯化钼、质量为60mmol的硫脲溶解于70mL的无水乙醇中，搅拌60min后，形成MoS2纳米微晶；所述五氯化钼与硫脲的摩尔比为7:30；
(2)将MoS2纳米微晶烘干后置于球磨机中进行高能研磨60min，转速为200r/min；
(3)将经过高能研磨的MoS2纳米微晶粉末倒入聚四氟乙烯反应釜中，并加入70mL的无水乙醇，加上钢套后进行水热反应；水热反应的温度为220℃，水热反应的时间为18h；
(4)待反应结束并冷却至室温，进行离心分离，沉淀物分别用蒸馏水和无水乙醇洗涤，于60℃下真空干燥得到富含面内缺陷的MoS2二维纳米片。
实施例2
一种具有面内缺陷的钼基催化剂，所述钼基催化剂呈MoS2纳米片状，分散的单层纳米片厚度为2nm，在其面内存在由三个相邻的S空位所组成的稳定的面内缺陷。
上述具有面内缺陷的钼基催化剂的制备方法，以五氯化钼为钼源，硫脲为硫源和硫位封端剂，利用二者的配位络合，采用自下而上的方法制备得到具有丰富面内缺陷的二硫化钼二维纳米片，具体包括以下步骤：
(1)将质量为14mmol的五氯化钼、质量为28mmol的硫脲溶解于70mL的无水乙醇中，搅拌60min后，形成MoS2纳米微晶；所述五氯化钼与硫脲的摩尔比比为1:2；
(2)将MoS2纳米微晶烘干后置于球磨机中进行高能研磨80min，转速为250r/min；
(3)将经过高能研磨的MoS2纳米微晶粉末倒入聚四氟乙烯反应釜中，并加入70mL的无水乙醇，加上钢套后进行水热反应；水热反应的温度为160℃，水热反应的时间为12h；
(4)待反应结束并冷却至室温，进行离心分离，沉淀物分别用蒸馏水和无水乙醇洗涤，于70℃下真空干燥得到富含面缺陷的MoS2二维纳米片。
实施例3
一种具有面内缺陷的钼基催化剂，所述钼基催化剂呈MoS2纳米片状，分散的单层纳米片厚度为2nm，在其面内存在由三个相邻的S空位所组成的稳定的面内缺陷。
上述具有面内缺陷的二硫化钼催化剂的制备方法，以五氯化钼为钼源，硫脲为硫源和硫位封端剂，利用二者的配位络合，采用自下而上的方法制备得到具有丰富面内缺陷的二硫化钼二维纳米片，具体包括以下步骤：
(1)将质量为14mmol的五氯化钼、质量为40mmol的硫脲溶解于60mL的无水乙醇中，搅拌60min后，形成MoS2纳米微晶；所述五氯化钼与硫脲的摩尔比比为7:20；
(2)将MoS2纳米微晶烘干后置于球磨机中进行高能研磨120min，转速为200r/min；
(3)将经过高能研磨的MoS2纳米微晶粉末倒入聚四氟乙烯反应釜中，并加入60mL的无水乙醇，加上钢套后进行水热反应；水热反应的温度为180℃，水热反应的时间为16h；
(4)待反应结束并冷却至室温，进行离心分离，沉淀物分别用蒸馏水和无水乙醇洗涤，于60℃下真空干燥得到富含面缺陷的MoS2二维纳米片。
实施例4
一种具有面内缺陷的钼基催化剂，所述钼基催化剂呈MoS2纳米片状，分散的单层纳米片厚度为2nm，在其面内存在由三个相邻的S空位所组成的稳定的面内缺陷。
上述具有面内缺陷的钼基催化剂的制备方法，以五氯化钼为钼源，硫脲为硫源和硫位封端剂，利用二者的配位络合，采用自下而上的方法制备得到具有丰富面内缺陷的二硫化钼二维纳米片，具体包括以下步骤：
(1)将质量为14mmol的五氯化钼、质量为70mmol的硫脲溶解于65mL的无水乙醇中，搅拌60min后，形成MoS2纳米微晶；所述五氯化钼与硫脲的摩尔比比为1:5；
(2)将MoS2纳米微晶烘干后置于球磨机中进行高能研磨120min，转速为300r/min；
(3)将经过高能研磨的MoS2纳米微晶粉末倒入聚四氟乙烯反应釜中，并加入65mL的无水乙醇，加上钢套后进行水热反应；水热反应的温度为200℃，水热反应的时间为36h；
(4)待反应结束并冷却至室温，进行离心分离，沉淀物分别用蒸馏水和无水乙醇洗涤，于65℃下真空干燥得到富含面缺陷的MoS2二维纳米片。
实施例5
一种具有面内缺陷的钼基催化剂在电化学合成氨反应中的应用，将制得的具有面缺陷的二硫化钼催化剂5mg分散于包括240μL乙醇、240μL水和20μLNafion的分散液中，经过超声处理1h后滴于疏水碳纸上制成工作电极，利用三电极体系进行电催化合成氨反应。
性能测试
根据本发明的实施例1提供的制备方法制得的具有面内缺陷的钼基催化剂的性能检测如下所示：
图1为根据本发明实施例1的方法制得的具有面内缺陷的钼基催化剂的X射线粉末衍射图，从图1中可以看出，XRD所检测出的特征峰与二硫化钼标准卡片相一致，表明利用本发明的方法成功制备出了钼基催化剂；
图2为根据本发明的实施例1提供的制备方法制得的具有面内缺陷的钼基催化剂的球差透射电镜图，从图2中可以看出利用本发明的方法所制备的钼基催化剂含有丰富的面内缺陷；
图3为根据本发明的实施例1提供的制备方法制得的具有面内缺陷的钼基催化剂和不带缺陷的钼基催化剂的氮气程序升温脱附对比图，从图3中可看出富含面内缺陷的钼基催化剂氮气脱附的中心是313℃，不带缺陷钼基催化剂氮气脱附的中心是306℃，带面内缺陷的钼基催化剂氮气脱附温度更高，且氮气脱附量更大，说明富含面内缺陷的钼基催化剂与氮气的化学结合力更强；
图4为根据本发明的实施例1提供的制备方法制得的具有面内缺陷的钼基催化剂和不带缺陷的钼基催化剂的电催化固氮活性对比图，电催化实验采用的是三电极体系，根据实施例5所示将制得的钼基催化剂滴在碳纸上作为工作电极，铂作为对电极，银/氯化银作为参比电极，在体系中加入一定量的电解液K2SO4，在测试前，向电解液中鼓入氮气1h，待电解液中氮气达到饱和时，可施加一定的偏压进行反应，所有的电势都是相对于标准氢电极；从图4中可以看出，通过本发明制备得到富含面缺陷的钼基催化剂具有更优异的电催化固氮合成氨活性，当施加偏压为-0.3V vs.RHE，氨合成产率最大为43.4μg h-1mgcat. -1，法拉第效率可达到16.8％。
以上所述仅为本发明的实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。

Claims (8)

1.一种具有面内缺陷的钼基催化剂的制备方法，其特征在于：所述钼基催化剂呈MoS2纳米片状，分散的单层纳米片厚度为2nm，其面内存在由三个相邻的S空位所组成的稳定的面内缺陷；所述钼基催化剂的制备以五氯化钼为钼源，硫脲为硫源和硫位封端剂，利用二者的配位络合，采用自下而上的方法制备得到具有丰富面内缺陷的二硫化钼二维纳米片，具体包括以下步骤：
(1)将五氯化钼、硫脲溶解于60～70mL的无水乙醇中，搅拌60～70min后，形成MoS2纳米微晶；其中，所述五氯化钼与硫脲的摩尔比为1:2～5；
(2)将MoS2纳米微晶烘干后置于球磨机中进行高能研磨；
(3)将经过高能研磨的MoS2纳米微晶粉末倒入聚四氟乙烯反应釜中，并加入与步骤(1)中同体积的无水乙醇，加上钢套后进行水热反应；
(4)待反应结束并冷却至室温，进行离心分离，沉淀物分别用蒸馏水和无水乙醇洗涤，于60～70℃下真空干燥得到富含面内缺陷的MoS2二维纳米片。
2.如权利要求1所述的一种具有面内缺陷的二硫化钼催化剂的制备方法，其特征在于：所述步骤(1)中五氯化钼的浓度为14mmol，硫脲的浓度为28～70mmol。
3.如权利要求1所述的一种具有面内缺陷的钼基催化剂的制备方法，其特征在于：所述步骤(2)中样品的球磨时间为60～120min，转速为200～300r/min。
4.如权利要求1所述的一种具有面内缺陷的二硫化钼催化剂的制备方法，其特征在于：所述步骤(3)中水热反应的温度为160～220℃，水热反应的时间为12～36h。
5.一种具有面内缺陷的钼基催化剂，其特征在于：根据权利要求1至4任一所述的制备方法制得，制得的钼基催化剂呈MoS2纳米片状，分散的单层纳米片厚度为2nm，其面内存在由三个相邻的S空位所组成的稳定的面内缺陷。
6.如权利要求5述的一种具有面内缺陷的钼基催化剂在电化学合成氨反应中的应用。
7.如权利要求6所述的一种具有面内缺陷的钼基催化剂在电化学合成氨反应中的应用，其特征在于：将具有面内缺陷的二硫化钼催化剂分散于包括乙醇、水和Nafion溶液的分散液中，经过超声后滴于疏水碳纸上制成工作电极，利用三电极体系进行电催化合成氨反应。
8.如权利要求7所述的一种具有面内缺陷的二硫化钼催化剂在电化学合成氨反应中的应用，其特征在于：所述分散液中乙醇、水和Nafion溶液的体积比为12:12:1。
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113499787A (zh) * 2021-08-13 2021-10-15 中国科学院大连化学物理研究所 一种二氧化碳加氢制甲醇催化剂及其制备方法和应用
CN114481197A (zh) * 2022-02-07 2022-05-13 武汉工程大学 一种二硫化钼电催化材料及其制备方法与应用
CN117187238B (zh) * 2023-11-02 2024-02-27 清华大学深圳国际研究生院 一种dna剪切装置和方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101838011A (zh) * 2010-05-25 2010-09-22 陕西科技大学 一种CuAlO2微晶的制备方法
CN107138149A (zh) * 2017-06-13 2017-09-08 湖南理工学院 一种高效产氢的球状纳米ZnO/ZnCr2O4复合光催化剂的制备方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101838011A (zh) * 2010-05-25 2010-09-22 陕西科技大学 一种CuAlO2微晶的制备方法
CN107138149A (zh) * 2017-06-13 2017-09-08 湖南理工学院 一种高效产氢的球状纳米ZnO/ZnCr2O4复合光催化剂的制备方法

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Chaoqun Ma et. al..Defected MoS 2 : An efficient electrochemical nitrogen reduction catalyst under mild conditions.《Electrochimica Acta》.2021,第370卷第137695页. *
Defected MoS 2 : An efficient electrochemical nitrogen reduction catalyst under mild conditions;Chaoqun Ma et. al.;《Electrochimica Acta》;20210107;第370卷;第137695页 *
Towards defect engineering in hexagonal MoS 2 nanosheets for tuning hydrogen evolution and nitrogen reduction reactions;Ivana Matanovic et. al.;《Applied Materials Today》;20200824;第21卷;第100812页 *

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CN113089000A (zh) 2021-07-09

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