CN113088875B - 掩膜版及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本申请提供一种掩膜版及其制备方法,该掩膜版包括:第一遮挡部;多个间隔设置且贯穿所述第一遮挡部的第一开口;其中,所述第一开口对应显示面板的显示区;设置于所述第一开口内侧并与所述第一遮挡部连接的第二遮挡部;多个间隔设置且贯穿所述第二遮挡部的第二开口;其中,所述第二遮挡部包括位于至少部分相邻的所述第二开口之间的第一金属层,以及设置于所述第一金属层与所述第二开口之间以围绕所述第二开口的第二金属层;所述第一金属层从所述第一开口侧壁向所述第一开口内延伸,所述第一金属层的厚度大于所述第二金属层的厚度。该掩膜版可在保证蒸镀精度的前提下,同时兼顾用于蒸镀整面公共层(如阴极)的大开孔和蒸镀公共层图案的小开孔。
Description
技术领域
本申请涉及显示技术领域,具体涉及一种掩膜版及其制备方法。
背景技术
目前,有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)显示屏幕的应用领域和产品形态逐渐趋向于多元化发展,刘海屏、折叠屏、曲面屏、屏下摄像等逐渐成为了OLED面板显示行业的研究热点。其中,通过降低摄像头区域的像素密度(低像素密度区),去除像素间的阴极,同时其他区域为正常像素密度(高像素密度区),需整面蒸镀阴极,保证显示效果和降低压降的影响,以实现局部透明显示和屏下摄像功能的技术被广泛研究。
OLED面板发光器件中阴极公共层为整面蒸镀,如何实现局部(异形区)的阴极图案化而其他区域整面蒸镀成为实现屏下摄像技术面临的主要问题。在众多的阴极图形化方案中,通过掩膜板实现阴极图形化蒸镀的方案是相对来说成本最低的方案。目前的OLED蒸镀技术中,精细金属掩膜板(Fine Metal Mask,FMM)和公共层金属掩膜板(Common MetalMask,Open mask)分别用于蒸镀红、绿、蓝像素发光材料和公共层的有机或金属材料。由于局部(异形区)阴极的图案化精度要求高,传统的Open mask的制作精度无法满足要求,而局部图案化要求open mask必须兼顾大开口与像素级别开孔,并且异形区在张网过程中容易出现上翘或下垂现象,导致蒸镀精度降低,出现蒸镀不良。
发明内容
针对上述问题,本申请提供了一种掩膜版及其制备方法,解决了现有技术中蒸镀掩膜版在不变形的情况下无法同时兼顾异形区精细开口和正常区大开口的技术问题。
第一方面,本申请提供一种掩膜版,包括:
第一遮挡部;
多个间隔设置且贯穿所述第一遮挡部的第一开口;其中,所述第一开口对应显示面板的显示区;
设置于所述第一开口内侧并与所述第一遮挡部连接的第二遮挡部;其中,所述第二遮挡部的面积小于所述第一开口的面积;
多个间隔设置且贯穿所述第二遮挡部的第二开口;
其中,所述第二遮挡部包括位于至少部分相邻的所述第二开口之间的第一金属层,以及设置于所述第一金属层与所述第二开口之间以围绕所述第二开口的第二金属层;所述第一金属层从所述第一开口侧壁向所述第一开口内延伸,所述第一金属层的厚度大于所述第二金属层的厚度。
在一些实施例中,上述掩膜版中,所述第一金属层的延伸方向垂直于所述第一遮挡部与所述第二遮挡部的连接部分。
在一些实施例中,上述掩膜版中,所述第一金属层的下表面与所述第二金属层的下表面平齐。
在一些实施例中,上述掩膜版中,所述第二金属层还覆盖所述第一金属层的上表面和侧面。
在一些实施例中,上述掩膜版中,所述第一遮挡部至少包括与所述第一金属层连接的第三金属层。
在一些实施例中,上述掩膜版中,所述第三金属层的形状与所述第一遮挡部的形状相同。
在一些实施例中,上述掩膜版中,所述第三金属层包括多个间隔设置的子金属层;
其中,所述子金属层的延伸方向与所述第一金属层的延伸方向相反。
在一些实施例中,上述掩膜版中,所述第一遮挡部还包括围绕于所述第三金属层侧面以及所述第一开口周围的第四金属层。
在一些实施例中,上述掩膜版中,所述第三金属层的厚度大于所述第四金属层的厚度。
在一些实施例中,上述掩膜版中,所述第三金属层的下表面与所述第四金属层的下表面平齐。
在一些实施例中,上述掩膜版中,所述第四金属层还覆盖所述第三金属层的上表面和侧面。
第二方面,本申请提供一种掩膜版的制备方法,包括:
提供基板;
在所述基板上方形成第一遮挡部,并形成多个间隔设置且贯穿所述第一遮挡部的第一开口;
在所述基板上方于所述第一开口内侧形成与所述第一遮挡部连接的第二遮挡部,并形成多个间隔设置且贯穿所述第二遮挡部的第二开口;其中,所述第二遮挡部包括位于至少部分相邻的所述第二开口之间的第一金属层,以及设置于所述第一金属层与所述第二开口之间以围绕所述第二开口的第二金属层;所述第一金属层从所述第一开口侧壁向所述第一开口内延伸,所述第一金属层的厚度大于所述第二金属层的厚度;
去除所述基板。
在一些实施例中,上述掩膜版的制备方法中,在所述基板上方于所述第一开口内侧形成与所述第一遮挡部连接的第二遮挡部,并形成多个间隔设置且贯穿所述第二遮挡部的第二开口,包括以下步骤:
在所述基板上方于所述第一开口内侧形成从所述第一开口侧壁向所述第一开口内延伸的所述第一金属层;
在所述基板上方于所述第一金属层两侧形成所述第二金属层,并形成多个间隔设置且贯穿所述第二金属层的所述第二开口。
在一些实施例中,上述掩膜版的制备方法中,在所述基板上方形成第一遮挡部,并形成多个间隔设置且贯穿所述第一遮挡部的第一开口,包括以下步骤:
在所述基板上方形成第三金属层,并形成多个间隔设置且贯穿所述第三金属层的第一开口;
其中,所述第三金属层与所述第一金属层连接。
在一些实施例中,上述掩膜版的制备方法中,在所述基板上方形成第一遮挡部,并形成多个间隔设置且贯穿所述第一遮挡部的第一开口,包括以下步骤:
在所述基板上方形成第三金属层;其中,所述第三金属层与所述第一金属层连接,且所述第三金属层包括多个间隔设置的子金属层,所述子金属层的延伸方向与所述第一金属层的延伸方向相反;
在所述基板上方形成围绕于所述第三金属层侧面的第四金属层,并形成多个间隔设置且贯穿所述第四金属层的第一开口。
采用上述技术方案,至少能够达到如下技术效果:
本申请提供了一种掩膜版及其制备方法,该掩膜版包括:第一遮挡部;多个间隔设置且贯穿所述第一遮挡部的第一开口;其中,所述第一开口对应显示面板的显示区;设置于所述第一开口内侧并与所述第一遮挡部连接的第二遮挡部;其中,所述第二遮挡部的面积小于所述第一开口的面积;多个间隔设置且贯穿所述第二遮挡部的第二开口;其中,所述第二遮挡部包括位于至少部分相邻的所述第二开口之间的第一金属层,以及设置于所述第一金属层与所述第二开口之间以围绕所述第二开口的第二金属层;所述第一金属层从所述第一开口侧壁向所述第一开口内延伸,所述第一金属层的厚度大于所述第二金属层的厚度。该掩膜版可在不变形以保证蒸镀精度的前提下,同时兼顾用于蒸镀整面公共层(如阴极)的大开孔和蒸镀公共层图案的小开孔,该掩膜版具有结构和制作工艺简单,精度高的特点,有效提升显示面板的局部光透过率,实现屏下摄像等技术。
附图说明
附图是用来提供对本申请的进一步理解,并且构成说明书的一部分,与下面的具体实施方式一起用于解释本申请,但并不构成对本申请的限制。在附图中:
图1是一种显示面板的正面俯视示意图;
图2是本申请一示例性实施例示出的一种掩膜版的正面俯视示意图;
图3是本申请一示例性实施例示出的一种掩膜版的第二遮挡部的剖面结构示意图;
图4是本申请一示例性实施例示出的另一种掩膜版的第二遮挡部的剖面结构示意图;
图5是本申请一示例性实施例示出的另一种掩膜版的局部正面俯视示意图;
图6是本申请一示例性实施例示出的另一种掩膜版的第一遮挡部的剖面结构示意图;
图7是本申请一示例性实施例示出的另一种掩膜版的第一遮挡部的剖面结构示意图;
图8是本申请一示例性实施例示出的一种掩膜版的制备方法流程示意图;
图9是本申请一示例性实施例示出的一种掩膜版的制备方法的相关步骤形成的第一中间结构的剖面结构示意图;
图10是本申请一示例性实施例示出的一种掩膜版的制备方法的相关步骤形成的第二中间结构的剖面结构示意图;
图11是本申请一示例性实施例示出的一种掩膜版的制备方法的相关步骤形成的第三中间结构的剖面结构示意图;
图12是本申请一示例性实施例示出的一种掩膜版的制备方法的相关步骤形成的第四中间结构的剖面结构示意图;
图13是本申请一示例性实施例示出的一种掩膜版的制备方法的相关步骤形成的第五中间结构的剖面结构示意图;
图14是本申请一示例性实施例示出的一种掩膜版的制备方法的相关步骤形成的第六中间结构的剖面结构示意图;
图15是本申请一示例性实施例示出的一种掩膜版的制备方法的相关步骤形成的第七中间结构的剖面结构示意图;
图16是本申请一示例性实施例示出的一种掩膜版的制备方法的相关步骤形成的第八中间结构的剖面结构示意图;
在附图中,相同的部件使用相同的附图标记,附图并未按照实际的比例绘制;
附图标记为:
11-整面蒸镀区;12-精细图案化蒸镀区;121-透光区域;122-精细图案;13-像素;21-第一遮挡部;211-第三金属层;212-第四金属层;22-第一开孔;23-第二遮挡部;231-第一金属层;232-第二金属层;24-第二开口;25-基板;26-第一光刻胶层;261-第一窗口;27-第二光刻胶层;271-第二窗口;30-金属框架。
具体实施方式
以下将结合附图及实施例来详细说明本申请的实施方式,借此对本申请如何应用技术手段来解决技术问题,并达到相应技术效果的实现过程能充分理解并据以实施。本申请实施例以及实施例中的各个特征,在不相冲突前提下可以相互结合,所形成的技术方案均在本申请的保护范围之内。在附图中,为了清楚,层和区的尺寸以及相对尺寸可能被夸大。自始至终相同附图标记表示相同的元件。
应理解,尽管可使用术语“第一”、“第二”、“第三”等描述各种元件、部件、区、层和/或部分,这些元件、部件、区、层和/或部分不应当被这些术语限制。这些术语仅仅用来区分一个元件、部件、区、层或部分与另一个元件、部件、区、层或部分。因此,在不脱离本申请教导之下,下面讨论的第一元件、部件、区、层或部分可表示为第二元件、部件、区、层或部分。
应理解,空间关系术语例如“在...上方”、位于...上方”、“在...下方”、“位于...下方”等,在这里可为了方便描述而被使用从而描述图中所示的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。应当明白,除了图中所示的取向以外,空间关系术语意图还包括使用和操作中的器件的不同取向。例如,如果附图中的器件翻转,然后,描述为“在其它元件下方”的元件或特征将取向为在其它元件或特征“上”。因此,示例性术语“在...下方”和“在...下”可包括上和下两个取向。器件可以另外地取向(旋转90度或其它取向)并且在此使用的空间描述语相应地被解释。
在此使用的术语的目的仅在于描述具体实施例并且不作为本申请的限制。在此使用时,单数形式的“一”、“一个”和“所述/该”也意图包括复数形式,除非上下文清楚指出另外的方式。还应明白术语“组成”和/或“包括”,当在该说明书中使用时,确定所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或部件的存在,但不排除一个或更多其它的特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或组的存在或添加。在此使用时,术语“和/或”包括相关所列项目的任何及所有组合。
这里参考作为本申请的理想实施例(和中间结构)的示意图的横截面图来描述本申请的实施例。这样,可以预期由于例如制备技术和/或容差导致的从所示形状的变化。因此,本申请的实施例不应当局限于在此所示的区的特定形状,而是包括由于例如制备导致的形状偏差。
为了彻底理解本申请,将在下列的描述中提出详细的结构以及步骤,以便阐释本申请提出的技术方案。本申请的较佳实施例详细描述如下,然而除了这些详细描述外,本申请还可以具有其他实施方式。
屏下摄像等局部透明显示OLED面板,如图1所示,其显示区分为整面蒸镀区11和精细图案化蒸镀区12,分别对应高密度像素区和低密度像素区。单个精细图案122覆盖一个或者多个像素13,一个像素13包含R、G、B三个子像素。在相邻的精细图案122之间为透光区域121,没有公共层材料(如阴极)。可以将摄像头安装在精细图案化蒸镀区,以实现显示和摄像的双重功能。
本申请实施例提供一种掩膜版,应用于显示面板的蒸镀工艺,请参阅图2,该掩膜版包括第一遮挡部21、第一开孔22、第二遮挡部23和第二开口24。
多个第一开口22间隔设置且贯穿第一遮挡部21,其中,第一开口22对应显示面板的显示区。也就是说,第一开口22的形状大小均与显示面板的显示区相同。
第二遮挡部23设置于第一开口22内侧并与第一遮挡部21连接,第二遮挡部23用于遮挡部分蒸镀材料(如阴极),以在显示面板的显示区上形成透光区,便于在屏下安装摄像头等部件。第二遮挡部23的面积小于第一开口22的面积。
多个第二开口24间隔设置且贯穿第二遮挡部23,第二开口24用于蒸镀精细图案,以在实现异形区的显示。
第一开口22远大于第二开口24。
在将掩膜版放入到蒸镀机之前,必须对其进行张网,以防重力作用导致的变形,造成对位变差。张网时,为抵抗重力和热变形的影响,需将掩膜版拉伸至设计位置后焊接在金属框架30上,过程中,对掩膜版两端施加向掩膜版的外侧延伸的拉力F,使掩膜图案的两端沿着拉力F方向(如图中的水平方向,即显示面板的显示区的短边方向)进行拉伸。但是在拉伸和焊接过程中,异形区(对应第二遮挡部23和第二开口24)因受拉力不均匀易出现上翘或者下垂的现象,使得蒸镀时,位置精度不够而出现蒸镀不良的情况。
因此,如图2和图3所示,本申请实施例中,第二遮挡部23包括:第一金属层231和第二金属层232。
第一金属层231位于至少部分相邻的第二开口24之间中间位置,其中,第一金属层231从第一开口22侧壁向第一开口22内延伸,如2图中的竖直方向。
第二金属层232设置于第一金属层231与第二开口24之间以围绕第二开口24。第二金属层232与第一金属层231连接,且第一金属层231的厚度大于第二金属层232的厚度。
第二金属层232定义第二开口24(精细图案开口),厚度较小,可有效降低蒸镀shadow,提高透光区域的光穿透率。
第一金属层231的厚度较厚,且其从第一开口22侧壁向第一开口22内延伸,可以防止第二遮挡部23张网过程中出现的上翘和下垂变形,保证第二开口24(精细图案开口)的位置和形状精度,保证蒸镀精度,并提升面板局部的透过率。使得该掩膜版可在不变形以保证蒸镀精度的前提下,同时兼顾用于蒸镀整面公共层(如阴极)的大开孔和蒸镀公共层图案的小开孔。
在一些实施例中,第一金属层231的延伸方向垂直于第一遮挡部21与第二遮挡部23的连接部分,使受力均匀,抗变形效果更好。
在一些实施例中,第一金属层231的延伸方向垂直于掩膜版的拉伸方向,掩膜版的拉伸方向如图2中的水平方向,更能达到受力均匀的效果。
第一金属层231穿插在第二开口24之间,但是第一金属层231不与第二开口24接触,第二金属层232的数量越多,延伸长度越长,抗变形效果越好。
在一些实施例中,第一金属层231厚度t1为30~100um。
在一些实施例中,第二金属层232厚度t2为5~30um。
在一些实施例中,第一金属层231的下表面与第二金属层232的下表面平齐。
如图4所示,在一些实施例中,第二金属层232还覆盖第一金属层231的上表面和侧面。
在一些实施例中,第一遮挡部21至少包括与第一金属层231连接的第三金属层211。第一金属层231与第三金属层211连接,对异形区的第二遮挡部23起到支撑作用,可进一步降低张网过程中第二遮挡部23出现的上翘和下垂变形,保证第二开口24(精细图案开口)的位置和形状精度,保证蒸镀精度,并提升面板局部的透过率。
在一些实施例中,第三金属层211的厚度与第一金属层231的厚度相同。
在一些实施例中,第三金属层211的材料与第一金属层231的材料相同。
在一些实施例中,第三金属层211的形状与第一遮挡部21的形状相同,也就是说,第三金属层211呈片状,第一遮挡部21均是厚度较厚的金属层。
如图5所示,在一些实施例中,第三金属层211包括多个间隔设置的子金属层(图中未标注);其中,子金属层的延伸方向与第一金属层231的延伸方向相反。
在一些实施例中,上述子金属层的形状可以为条状。
在一些实施例中,子金属层的材料和厚度都与第一金属层231的材料和厚度相同。
每个子金属层都与第二遮挡部23的第一金属层231连接,对异形区的第二遮挡部23起到支撑作用,同样可降低张网过程中第二遮挡部23出现的上翘和下垂变形,保证第二开口24的对位精度。
对应的,第一遮挡部21还包括围绕于第三金属层211侧面以及第一开口22周围的第四金属层212。
在一些实施例中,第三金属层211的厚度大于第四金属层212的厚度,如图6所示。
在一些实施例中,第三金属层211的下表面与第四金属层212的下表面平齐。
如图7所示,在一些实施例中,第四金属层212还覆盖第三金属层211的上表面和侧面。
请参阅图8,本申请实施例还提供的一种掩膜版的制备方法,包括以下步骤:
步骤S110:提供基板25。
其中,基板25为电铸基板25,包括不锈钢基板或者高掺杂单晶硅基板中的至少一种。
步骤S120:在基板25上方形成第一遮挡部21,并形成多个间隔设置且贯穿第一遮挡部21的第一开口22。
步骤S130:在基板25上方于第一开口22内侧形成与第一遮挡部21连接的第二遮挡部23,并形成多个间隔设置且贯穿第二遮挡部23的第二开口24;其中,第二遮挡部23包括位于至少部分相邻的第二开口24之间的第一金属层231,以及设置于第一金属层231与第二开口24之间以围绕第二开口24的第二金属层232;第一金属层231从第一开口22侧壁向第一开口22内延伸,第一金属层231的厚度大于第二金属层232的厚度。
第二金属层232与第一金属层231连接,第一金属层231的厚度大于第二金属层232的厚度,且其从第一开口22侧壁向第一开口22内延伸,可以防止第二遮挡部23张网过程中出现的上翘和下垂变形,保证第二开口24(精细图案开口)的位置和形状精度,保证蒸镀精度,并提升面板局部的透过率。使得该掩膜版可在保证蒸镀精度的前提下,同时兼顾用于蒸镀整面公共层(如阴极)的大开孔和蒸镀公共层图案的小开孔。
对应的,在一些实施例中,步骤S120中,在基板25上方形成第一遮挡部21,并形成多个间隔设置且贯穿第一遮挡部21的第一开口22,包括以下步骤:
S122a:在基板25上方形成第三金属层211,并形成多个间隔设置且贯穿第三金属层211的第一开口22。
也就是说,请参阅图2,第三金属层211的形状与第一遮挡部21的形状相同,第三金属层211呈片状。第一金属层231与第三金属层211连接,对异形区的第二遮挡部23起到支撑作用,可降低张网过程中第二遮挡部23出现的上翘和下垂变形,保证第二开口24(精细图案开口)的位置和形状精度,保证蒸镀精度,并提升面板局部的透过率。
或者,在一些实施例中,在基板25上方形成第一遮挡部21,并形成多个间隔设置且贯穿第一遮挡部21的第一开口22,包括以下步骤:
S122b:在基板25上方形成第三金属层211;其中,第三金属层211与第一金属层231连接,且第三金属层211包括多个间隔设置的子金属层,子金属层的延伸方向与第一金属层231的延伸方向相反;
S124:在基板25上方形成围绕于第三金属层211侧面的第四金属层212,并形成多个间隔设置且贯穿第四金属层212的第一开口22。
在一些实施例中,请参阅图5和图6,子金属层的形状可以为条状。
在一些实施例中,在子金属层的材料和厚度都与第一金属层231的材料和厚度相同。
每个子金属层都与第二遮挡部23的第一金属层231连接,对异形区的第二遮挡部23起到支撑作用,同样可降低张网过程中第二遮挡部23出现的上翘和下垂变形。
如图7所示,在一些实施例中,第四金属层212还覆盖第三金属层211的上表面和侧面。
在一些实施例中,步骤S130中,在基板25上方于第一开口22内侧形成第二遮挡部23,并形成多个间隔设置且贯穿第二遮挡部23的第二开口24,包括以下步骤:
S132:在基板25上方于第一开口22内侧形成从第一开口22侧壁向第一开口22内延伸的第一金属层231;
S134:在基板25上方于第一金属层231两侧形成第二金属层232,并形成多个间隔设置且贯穿第二金属层232的第二开口24。
具体的,如图9所示,首先在基板25上涂覆第一光刻胶层26。
随后,如图10所示,对第一光刻胶层26进行曝光显影,去除第一金属层231对应位置的光刻胶,其余位置保留,以在第一光刻胶层26上形成第一窗口261。
随后,以此基板25为电铸阴极,铁、镍、钴等金属作为电铸阳极,置于电铸液中,在一定温度和电流密度条件下通电,以在未被光刻胶覆盖的位置(第一窗口261处)形成第一金属层231,如图11所示,其厚度t1为30~100um。
随后,如图12所示,去除剩余的第一光刻胶层26。
随后,如图13所示,在基板25上和第一金属层231上涂覆第二光刻胶层27。需要说明的是,第一金属层231上方的光刻胶层图中未示出。
随后,对第二光刻胶层27进行曝光显影,去除第二金属层232对应位置(第一金属层231两侧)的光刻胶,其余位置保留,以在第二光刻胶层27上形成第二窗口271。
在一些实施例中,如图14所示,第一金属层231的侧面和上表面均未被光刻胶覆盖。
随后,以此基板25为电铸阴极,铁、镍、钴等金属作为电铸阳极,置于电铸液中,在一定温度和电流密度条件下通电,以在未被光刻胶覆盖的位置(第二窗口271处)形成第二金属层232,其厚度t2为5~30um。
在一些实施例中,如图15所示,第二金属层232还覆盖第一金属层231的上表面和侧面。
随后,去除剩余的第二光刻胶层27,以形成第二开口24。即电铸完成之后,将基板25从电铸液中取出,清洗后去除表面光刻胶(裸露出第二开口24位置)。
在一些实施例中,第一遮挡部21的第三金属层211的材料和厚度,均与第二遮挡部23的第一金属层231的材料和厚度相同。
对应的,第一遮挡部21的第三金属层211的制备可以与第二遮挡部23的第一金属层231的制备同步进行,即上述步骤S122a或S122b与步骤S132可同步进行。
在一些实施例中,第一遮挡部21的第四金属层212的材料和厚度,均与第二遮挡部23的第二金属层232的材料和厚度相同。
对应的,第一遮挡部21的第四金属层212的制备可以与第二遮挡部23的第二金属层232的制备同步进行,即上述步骤S124与步骤S134可同步进行。
对应的,在去除剩余的光刻胶之后,同时得到第一开口22和第二开口24。
步骤S140:如图16所示,去除基板25。
可以通过激光玻璃、机械分离或化学刻蚀的方式去除基板25,使得电铸层(上述各金属层)与电铸基板25分离。
需要是说明的是,除了上述实施例中的电铸法外,本申请中的掩膜版还可以采用膜层沉积并进行图案化(包括涂覆光刻胶、掩模曝光、显影、刻蚀和剥离光刻胶等处理)的方法进行制备。沉积可以采用溅射、蒸镀和化学气相沉积中的任意一种或多种,刻蚀可以采用选自干刻和湿刻中的任意一种或多种。
以上仅为本申请的优选实施例而已,并不用于限制本申请,对于本领域的技术人员来说,本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本申请的保护范围之内。虽然本申请所公开的实施方式如上,但的内容只是为了便于理解本申请而采用的实施方式,并非用以限定本申请。任何本申请所属技术领域内的技术人员,在不脱离本申请所公开的精神和范围的前提下,可以在实施的形式上及细节上作任何的修改与变化,但本申请的保护范围,仍须以所附的权利要求书所界定的范围为准。
Claims (10)
1.一种掩膜版,其特征在于,包括:
第一遮挡部;
多个间隔设置且贯穿所述第一遮挡部的第一开口;其中,所述第一开口对应显示面板的显示区;
设置于所述第一开口内侧并与所述第一遮挡部连接的第二遮挡部;其中,所述第二遮挡部的面积小于所述第一开口的面积;
多个间隔设置且贯穿所述第二遮挡部的第二开口;
其中,所述第二遮挡部包括位于至少部分相邻的所述第二开口之间的第一金属层,以及设置于所述第一金属层与所述第二开口之间以围绕所述第二开口的第二金属层;所述第一金属层从所述第一开口侧壁向所述第一开口内延伸,所述第一金属层的延伸方向垂直于所述第一遮挡部与所述第二遮挡部的连接部分;所述第一金属层的厚度大于所述第二金属层的厚度;
所述第一遮挡部至少包括与所述第一金属层连接的第三金属层;所述第三金属层的形状与所述第一遮挡部的形状相同;所述第三金属层包括多个间隔设置的子金属层;其中所述子金属层的延伸方向与所述第一金属层的延伸方向相反。
2.根据权利要求1所述的掩膜版,其特征在于,所述第一金属层的下表面与所述第二金属层的下表面平齐。
3.根据权利要求1所述的掩膜版,其特征在于,所述第二金属层还覆盖所述第一金属层的上表面和侧面。
4.根据权利要求1所述的掩膜版,其特征在于,所述第一遮挡部还包括围绕于所述第三金属层侧面以及所述第一开口周围的第四金属层。
5.根据权利要求4所述的掩膜版,其特征在于,所述第三金属层的厚度大于所述第四金属层的厚度。
6.根据权利要求4所述的掩膜版,其特征在于,所述第三金属层的下表面与所述第四金属层的下表面平齐。
7.根据权利要求4所述的掩膜版,其特征在于,所述第四金属层还覆盖所述第三金属层的上表面和侧面。
8.一种掩膜版的制备方法,其特征在于,包括:
提供基板;
在所述基板上方形成第一遮挡部,并形成多个间隔设置且贯穿所述第一遮挡部的第一开口,至少包括:在所述基板上方形成第三金属层,并形成多个间隔设置且贯穿所述第三金属层的第一开口;
在所述基板上方于所述第一开口内侧形成与所述第一遮挡部连接的第二遮挡部,并形成多个间隔设置且贯穿所述第二遮挡部的第二开口;其中,所述第二遮挡部包括位于至少部分相邻的所述第二开口之间的第一金属层,以及设置于所述第一金属层与所述第二开口之间以围绕所述第二开口的第二金属层;其中,所述第三金属层与所述第一金属层连接;所述第一金属层从所述第一开口侧壁向所述第一开口内延伸,所述第一金属层的延伸方向垂直于所述第一遮挡部与所述第二遮挡部的连接部分;所述第一金属层的厚度大于所述第二金属层的厚度;
去除所述基板。
9.根据权利要求8所述的制备方法,其特征在于,在所述基板上方于所述第一开口内侧形成与所述第一遮挡部连接的第二遮挡部,并形成多个间隔设置且贯穿所述第二遮挡部的第二开口,包括以下步骤:
在所述基板上方于所述第一开口内侧形成从所述第一开口侧壁向所述第一开口内延伸的所述第一金属层;
在所述基板上方于所述第一金属层两侧形成所述第二金属层,并形成多个间隔设置且贯穿所述第二金属层的所述第二开口。
10.根据权利要求8所述的制备方法,其特征在于,在所述基板上方形成第一遮挡部,并形成多个间隔设置且贯穿所述第一遮挡部的第一开口,包括以下步骤:
在所述基板上方形成第三金属层;其中,所述第三金属层与所述第一金属层连接,且所述第三金属层包括多个间隔设置的子金属层,所述子金属层的延伸方向与所述第一金属层的延伸方向相反;
在所述基板上方形成围绕于所述第三金属层侧面的第四金属层,并形成多个间隔设置且贯穿所述第四金属层的第一开口。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202110362242.5A CN113088875B (zh) | 2021-04-02 | 2021-04-02 | 掩膜版及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202110362242.5A CN113088875B (zh) | 2021-04-02 | 2021-04-02 | 掩膜版及其制备方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN113088875A CN113088875A (zh) | 2021-07-09 |
CN113088875B true CN113088875B (zh) | 2022-12-13 |
Family
ID=76673827
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202110362242.5A Active CN113088875B (zh) | 2021-04-02 | 2021-04-02 | 掩膜版及其制备方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN113088875B (zh) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114134460B (zh) * | 2021-11-29 | 2023-06-06 | 昆山国显光电有限公司 | 掩膜板 |
CN115305440A (zh) * | 2022-08-17 | 2022-11-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种掩膜板及其制备方法、显示面板的制备装置 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3856123B2 (ja) * | 2002-04-17 | 2006-12-13 | セイコーエプソン株式会社 | マスク及びその製造方法、エレクトロルミネッセンス装置及びその製造方法並びに電子機器 |
JP4692290B2 (ja) * | 2006-01-11 | 2011-06-01 | セイコーエプソン株式会社 | マスクおよび成膜方法 |
US8673428B2 (en) * | 2006-12-27 | 2014-03-18 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Engraved plate and substrate with conductor layer pattern using the same |
KR101820020B1 (ko) * | 2011-04-25 | 2018-01-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 증착용 마스크 프레임 어셈블리 |
JP6599103B2 (ja) * | 2014-12-27 | 2019-10-30 | マクセルホールディングス株式会社 | 蒸着マスク及びその製造方法 |
CN108026628B (zh) * | 2015-09-15 | 2020-09-25 | 应用材料公司 | 用于有机发光二极管制造的阴影掩模 |
CN106521412B (zh) * | 2016-11-30 | 2019-01-29 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种蒸镀掩模板及蒸镀方法 |
CN110071217B (zh) * | 2019-03-29 | 2023-12-12 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 掩膜板、显示面板的制作方法及显示装置 |
CN109957754B (zh) * | 2019-04-09 | 2021-04-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 掩膜板组件、oled显示面板及其制作方法、显示装置 |
CN110473988B (zh) * | 2019-08-02 | 2020-11-10 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示面板制程用掩模版及其应用 |
CN111155055A (zh) * | 2020-01-06 | 2020-05-15 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled面板、其蒸镀方法和其掩膜版组 |
-
2021
- 2021-04-02 CN CN202110362242.5A patent/CN113088875B/zh active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN113088875A (zh) | 2021-07-09 |
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PB01 | Publication | ||
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