CN113039487B - 用于监测光刻装置的方法 - Google Patents

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Abstract

一种确定光刻装置的参数的方法，其中该方法包括提供第一基底的第一高度变化数据(602)，提供第一基底的第一性能数据(604)，以及基于第一高度变化数据和第一性能数据确定模型(606)。该方法还包括获取(608)第二基底的第二高度变化数据，将第二高度变化数据输入(609)到模型(610)，以及通过运行模型确定(612)第二基底的第二性能数据。基于第二性能数据，该方法确定(614)装置的参数。

Description

用于监测光刻装置的方法
相关申请的交叉引用
本申请要求2018年11月16日提交的EP申请18206696.9和2019年6月24日提交的EP申请19181883.0的优先权，通过引用将其全部内容并入本文。
技术领域
本发明涉及用于监测光刻装置的方法。具体地，该方法涉及使用模型确定基底的性能数据和确定光刻装置的参数。
背景技术
光刻装置是构造成将所需图案施加到基底上的机器。光刻装置可以用于例如集成电路(IC)的制造。光刻装置可以例如在图案化设备(例如掩模)将图案(也通常称为“设计布局”或“设计”)投射到设置在基底(例如晶片)上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。
为了在基底上投射图案，光刻装置可以使用电磁辐射。这种辐射的波长决定了可以在基底上形成的特征的最小尺寸。目前使用的典型波长为365纳米(i线)、248纳米、193纳米和13.5纳米。使用波长在4-20纳米(例如6.7纳米或13.5纳米)范围内的极紫外(EUV)辐射的光刻装置可以用于在基底上形成比使用例如波长为193纳米的辐射的光刻装置更小的特征。
低k1光刻可以用于处理尺寸小于光刻装置的经典分辨率极限的特征。在此工艺中，分辨率公式可以表示为CD＝k1×λ/NA，其中，λ为所使用的辐射波长，NA为光刻装置中投影光学器件的数值孔径，CD为“临界尺寸”(通常为印刷的最小特征尺寸，但在这种情况下为半间距)，且k1为经验分辨率因子。通常，k1越小，就越难以在基底上再现与电路设计者所规划的形状和尺寸相似的图案，以实现特定的电功能和性能。为了克服这些困难，可以将复杂的微调步骤应用于光刻投影装置和/或设计布局。这些包括，例如，但不限于，NA的优化、定制照明方案、相移图案化设备的使用、设计布局的各种优化，例如设计布局中的光学邻近校正(OPC，有时也称为“光学和工艺校正”)，或通常定义为“分辨率增强技术”(RET)的其他方法。可选地，可以使用用于控制光刻装置的稳定性的紧密控制环来改善在低k1下的图案的再现。
可以使用计量装置来确定光刻***的参数，以通过测量与光刻工艺有关的数据来监测和控制图案化工艺。可以相对于装置本身执行测量，或者可以在将要或已经在光刻装置中图案化的基底上执行测量。不同类型的计量工具可以获取不同类型的数据，并且该数据可以用于确定不同类型的参数。不同的测量工具有其自身的特点，例如关于获取数据的速度和分辨率。因此，某些数据可能比其他数据更容易获取。本发明涉及通过改进计量工艺来增强对光刻工艺和装置的监测和控制。
发明内容
根据本发明的一个方面，提供了一种确定光刻装置的参数的方法，该方法包括提供第一基底的第一高度变化数据，提供第一基底的第一性能数据，以及基于第一高度变化数据和第一性能数据确定模型。该方法还可以包括获取第二基底的第二高度变化数据，将第二高度变化数据输入到模型，以及通过运行该模型来确定第二基底的第二性能数据。该方法还可以包括基于第二性能数据确定该装置的参数。
可选地，第一基底和第二基底是相同的基底。
可选地，该方法还包括将第一高度变化数据分解为至少基底特定指纹，并且其中，模型的确定基于基底特定指纹。
可选地，性能数据是套刻数据。
可选地，高度变化数据是调平(levelling)数据。
可选地，该方法还包括获取第二基底的参考数据，并将参考数据输入到模型。
可选地，获取参考数据包括第一次运行模型，该方法还包括：存储第二性能数据作为参考数据，以用于在模型的后续运行期间输入。
可选地，监测该参数以调度装置的维护动作。
可选地，调度的维护动作涉及用于校准光刻装置中的基底定位的基底支撑件或参考基底。
可选地，该方法还包括提供第一基底的第一对准数据，基于第一对准数据确定模型，获取第二基底的第二对准数据，以及将第二对准数据输入模型。
可选地，该方法还包括基于相应的第一高度变化数据或第二高度变化数据对第一对准数据或第二对准数据的分辨率进行上采样。
可选地，该方法还包括将第二高度变化数据分解为多个子组，以及将多个子组中的至少一个子组输入到模型。
可选地，子组中的一个包括与第二基底的场水平特征相关的数据，并且在输入到模型之前从多个子组中的至少一个子组中移除场水平特征子组。
可选地，该方法还包括以稀疏分辨率获取第二基底的第二性能数据，将稀疏的第二性能数据输入到模型，以及使用具有输入数据的模型估计密集的第二性能数据。
可选地，该方法还包括使用计量装置从第二基底获取稀疏的第二性能数据。
可选地，第二基底是参考基底。
可选地，第二基底是校准基底。
可选地，参数是支撑第二基底的装置的基底支撑件的质量的度量。
可选地，光刻装置包括参考基底。
可选地，该参数与光刻装置的一个或多个设置相关。
可选地，光刻装置的一个或多个设置是曝光设置。
可选地，确定模型包括确定权重和偏差的矩阵。
可选地，确定模型包括使用机器学习算法。
可选地，该模型包括神经网络。
可选地，该参数与计量图相关。
可选地，该方法还包括：基于计量图更新光刻装置的一个或多个设置。
可选地，一个或多个设置涉及光刻装置的位置网格。
可选地，参数涉及光刻装置的预曝光条件，该方法还包括：确定光刻装置的一个或多个设置是否需要校正。
可选地，该方法还包括估计需校正的水平。
可选地，该模型包括第一模型和第二模型，其中，第一模型和第二模型具有不同的输入和不同的输出。
可选地，以第一周期运行第一模型以确定与第一参数相关的第一输出，并且以第二周期运行第二模型以确定与第二参数相关的第二输出，其中，第一周期大于第二周期。
可选地，运行第一模型包括使用校准基底作为第二基底进行接收，并且使用第二模型包括使用参考基底作为第二基底。
根据本发明的另一方面，提供了一种通过光刻装置改进曝光的方法，该方法包括将基底装载入基底支撑件上的机器中，确定曝光前基底的高度变化数据，根据上述确定光刻装置的参数的任何方法确定光刻装置的参数。该方法还可以包括基于参数更新光刻装置，以及通过光刻装置曝光基底上的图案。
根据本发明的另一方面，提供了一种光刻装置，该光刻装置包括处理器，处理器被配置为根据上述方法确定参数。
根据本发明的另一方面，提供了一种包括指令的计算机程序，当在至少一个处理器上执行时，该指令使至少一个处理器控制装置以执行根据上述任何方法的方法。
根据本发明的另一方面，提供了一种包含如上段描述的计算机程序的载体，其中，载体是电子信号、光信号、无线电信号和非暂时性计算机可读存储介质中的一种。
根据本发明的另一方面，提供了一种用于控制光刻装置的方法，该方法包括与根据上述任何方法的方法确定的参数相关联的控制参数的设定点。
可选地，控制参数与套刻误差的控制相关联。
可选地，设定点被提供为描述跨基底的定位误差的高阶模型的系数。
可选地，方法被配置为周期性地校准光刻装置。
可选地，校准被配置为校准光刻装置内的基底定位***和/或基底测量***的坐标系。
根据本发明的另一方面，提供了一种用于校准基底的方法。该方法可以包括获取经训练以将高度变化数据与性能参数数据相关联的模型。该方法还可以包括获取基底的高度变化数据，以及分解高度变化数据以确定基底的工艺特征(process signature)。该方法还可以包括向模型输入与工艺特征相关的数据，运行模型以确定基底和基底标准之间的性能数据的预测偏差，以及使用性能参数的预测偏差来校准基底。
可选地，高度变化数据可以是调平数据。
可选地，性能数据可以是套刻数据。
可选地，与工艺特征相关的数据可以包括工艺特征。
可选地，该方法还可以包括针对多个基底确定平均工艺特征。可以从工艺特征中减去平均工艺特征以确定基底到基底的工艺特征。与工艺特征相关的数据可以包括基底到基底的工艺特征。
可选地，工艺特征可以涉及基底的蚀刻。
任选地，基底可以是参考基底。
附图说明
现在将参考附图仅通过示例的方式描述本发明的实施例，其中：
图1描述了光刻装置的示意性概图；
图2描述了光刻单元的示意性概图；
图3描述了整体光刻的示意图，表示三种关键技术之间的协作以优化半导体制造；
图4描述了水平传感器的示意图；
图5描述了用于确定光刻装置的参数的方法的示意性流程图；
图6描述了用于确定光刻装置的参数的另一方法的示意性流程图；
图7描述了用于校准基底的方法的示意性流程图；
图8描述了将高度变化数据分解为至少一个工艺特征的示意性概图；
图9描述了确定与用于提供给用于校准基底的模型的工艺特征相关的数据的方法的示意性流程图；以及
图10描述了确定基底的w2w工艺特征的示意性概图。
具体实施方式
在本文献中，术语“辐射”和“束”用于包括所有类型的电磁辐射，包括紫外线辐射(例如波长为365、248、193、157或126纳米)和EUV(极紫外线辐射，例如波长在约5-100纳米范围内)。本文中使用的术语“光罩”(reticle)、“掩模”(mask)或“图案化设备”可以广义地解释为指的是通用的图案化设备，其可以用于赋予入射辐射束图案化横截面，对应于要在基底的目标部分中创建的图案。术语“光阀”也可以用于此环境。除了经典掩模(透射式或反射式、二进制、相移式、混合式等)之外，其它这种图案化设备的示例包括可编程反射镜阵列和可编程LCD阵列。
图1示意性地描述了光刻装置LA。光刻装置LA包括：照明***(也称为照明器)IL，被配置为调节辐射束B(例如，UV辐射、DUV辐射或EUV辐射)；掩模支撑件(例如，掩模台)MT，被构造成支撑图案化设备(例如，掩模)MA并连接到第一***PM，第一***PM被配置为根据特定参数精确定位图案化设备MA；基底支撑件(例如，晶片台)WT，被构造成保持基底(例如，涂覆抗蚀剂的晶片)W并且连接到第二***PW，该第二***PW被配置为根据特定参数精确定位基底支撑件；以及投影***(例如，折射投影透镜***)PS，被配置为将由图案化设备MA赋予辐射束B的图案投影到基底W的目标部分C(例如，包括一个或多个管芯)上。
在操作中，照明***IL接收来自辐射源SO的辐射束，例如经由束传送***BD。照明***IL可以包括各种类型的光学部件，诸如折射的、反射的、磁性的、电磁的、静电的和/或其它类型的光学部件，或其任何组合，用于引导、成形和/或控制辐射。照明器IL可以用于调节辐射束B以使其在图案化设备MA的平面处的横截面中具有期望的空间和角强度分布。
本文中使用的术语“投影***”PS应广义地解释为包括各种类型的投影***，包括折射、反射、折反射、变形、磁、电磁和/或静电光学***，或它们的任何组合，这对于所使用的曝光辐射和/或对于诸如使用浸没液体或使用真空的其他因素是适当的。本文中对术语“投影透镜”的任何使用都可以被认为是更一般的术语“投影***”PS的同义词。
光刻装置LA可以是这样的类型，其中基底的至少一部分可以被具有相对高折射率的液体(例如水)覆盖，以便填充投影***PS和基底W之间的空间，这也被称为浸没光刻。关于浸没技术的更多信息在US6952253中给出，其通过引用并入本文。
光刻装置LA也可以是具有两个或多个基底支撑件WT的类型(也称为“双台”)。在这样的“多台”机器中，基底支撑件WT可以并行使用，和/或准备基底W的后续曝光的步骤可以在位于基底支撑件WT之一上的基底W上进行，而另一基底支撑件WT上的另一基底W正在用于曝光另一基底W上的图案。
除了基底支撑件WT之外，光刻装置LA可以包括测量台。测量台布置成保持传感器和/或清洁设备。传感器可以布置成测量投影***PS的特性或辐射束B的特性。测量台可以保持多个传感器。清洁设备可以布置成清洁光刻装置的一部分，例如投影***PS的一部分或提供浸没液体的***的一部分。当基底支撑件WT远离投影***PS时，测量台可以在投影***PS下方移动。
在操作中，辐射束B入射到保持在掩模支撑件MT上的图案化设备(例如掩模)MA上，并且通过存在于图案化设备MA上的图案(设计布局)图案化。在穿过掩模MA之后，辐射束B穿过投影***PS，投影***PS将辐射束聚焦到基底W的目标部分C上。借助第二***PW和位置测量***IF，基底支撑件WT可以精确地移动，例如，以便将辐射束B路径中的不同目标部分C定位在聚焦和对准位置。类似地，第一***PM和可能的另一位置传感器(其在图1中未明确示出)可以用于相对于辐射束B的路径精确定位图案化设备MA。图案化设备MA和基底W可以使用掩模对准标记M1、M2和基底对准标记P1、P2对准。尽管如图所示的基底对准标记P1、P2占据专用目标部分，但它们可以位于目标部分之间的空间中。当基底对准标记P1、P2位于目标部分C之间时，它们被称为划线对准标记。
如图2所示，光刻装置LA可以形成光刻单元LC的一部分，有时也称为光刻单元或(光刻)簇，其通常还包括在基底W上执行曝光前和曝光后工艺的装置。通常，这些装置包括用于沉积抗蚀剂层的旋涂机SC、用于显影曝光的抗蚀剂的显影剂DE、冷却板CH和烘烤板BK，例如用于调节基底W的温度，例如用于调节抗蚀剂层中的溶剂。基底处理器或机器人RO从输入/输出端口I/O1、I/O2拾取基底W，在不同的处理装置之间移动基底W，并将基底W传送到光刻装置LA的装载舱LB。通常也统称为轨道的光刻单元中的设备通常在轨道控制单元TCU的控制下，轨道控制单元TCU本身可以由监督控制***SCS控制，监督控制***SCS也可以例如经由光刻控制单元LACU控制光刻装置LA。
为了使由光刻装置LA曝光的基底W正确且一致地曝光，希望检查基底以测量图案化结构的性质，例如后续层之间的套刻(overlay，覆盖)误差、线厚度、临界尺寸(CD)等。为此，检查工具(未示出)可以包括在光刻单元LC中。如果检测到错误，则例如可以对后续基底的曝光或要在基底W上执行的其他处理步骤进行调整，特别是如果在仍要曝光或处理相同批次或批量的其他基底W之前进行检查。
一种检查装置，也可以称为计量装置，用于确定基底W的性质，特别是不同基底W的性质如何变化，或者与同一基底W的不同层相关联的性质如何在层与层之间变化。可选地，检查装置可以被构造成识别基底W上的缺陷，并且例如可以是光刻单元LC的一部分，或者可以集成到光刻装置LA中，或者甚至可以是独立的设备。检查装置可以测量潜像(曝光后的抗蚀剂层中的图像)、或半潜像(后曝光后烘烤步骤PEB后的抗蚀剂层中的图像)、或显影抗蚀剂图像(其中已除去抗蚀剂的曝光或未曝光部分)、或甚至蚀刻图像(诸如蚀刻等图案转印步骤后)上的特性。
典型地，光刻装置LA中的图案化工艺是该工艺中最关键的步骤之一，该工艺需要在基底W上的结构的尺寸标注和放置的高精度。为了确保该高精度，三个***可以组合在所谓的“整体”控制环境中，如图3中示意性地描述的。这些***中的一个是光刻装置LA，其(实际上)连接到计量工具MT(第二***)和计算机***CL(第三***)。这种“整体”环境的关键是优化这三个***之间的协作以增强整个工艺窗口并提供紧密的控制循环以确保由光刻装置LA执行的图案化形成停留在工艺窗口内。工艺窗口定义了工艺参数的范围(例如剂量、焦点、套刻)，在该范围内特定制造工艺产生定义的结果(例如功能半导体器件)-通常允许光刻工艺或图案化工艺中的工艺参数在该范围内变化。
计算机***CL可以使用要图案化的设计布局(部分)来预测要使用哪些分辨率增强技术，并执行计算光刻模拟和计算，以确定哪个掩模布局和光刻装置设置实现图案化工艺的最大总工艺窗口(在图3中由第一刻度SC1中的双箭头描述)。通常，分辨率增强技术被布置成与光刻装置LA的图案化可能性匹配。计算机***CL还可以用于检测光刻装置LA当前在处理窗口内的何处操作(例如，使用来自计量工具MT的输入)，以预测由于例如次优处理(在图3中由第二刻度SC2中指向“0”的箭头描述)是否可能存在缺陷。
计量工具MT可以向计算机***CL提供输入以实现精确的模拟和预测，并且可以向光刻装置LA提供反馈以识别可能的漂移，例如在光刻装置LA的校准状态下(在图3中由第三刻度SC3中的多个箭头描述)。
在光刻工艺中，需要经常测量所产生的结构，例如用于工艺控制和验证。进行这种测量的工具通常称为计量工具MT。用于进行这种测量的不同类型的计量工具MT是已知的，包括扫描电子显微镜或各种形式的散射计计量工具MT。散射计是多用途仪器，其允许通过在散射计物镜的瞳孔或与瞳孔共轭的平面中具有传感器(测量通常称为基于瞳孔的测量)，或者通过在图像平面或与图像平面共轭的平面中具有传感器(在这种情况下，测量通常称为基于图像或场的测量)来测量光刻工艺的参数。在专利申请US20100328655、US2011102753A1、US20120044470A、US20110249244、US20110026032或EP1628164A中进一步描述了这种散射计和相关的测量技术，这些专利申请通过引用将其全部内容并入本文。上述散射计可以使用来自软X射线和可见到近IR波长范围的光来测量光栅。
散射计MT可以是角分辨散射计。在这样的散射计中，可以将重构方法应用于所测量的信号，以重构或计算光栅的性质。这样的重构例如可以通过模拟散射辐射与目标结构的数学模型的相互作用并将模拟结果与测量结果进行比较而产生。调整数学模型的参数，直到模拟的相互作用产生类似于从真实靶上观察到的衍射图案。
散射计MT可以是光谱散射计MT。在这种光谱散射计MT中，辐射源发射的辐射被引导到目标上，并且来自目标的反射或散射辐射被引导到光谱仪检测器，该光谱仪检测器测量镜面反射辐射的光谱(即，作为波长函数的强度的测量)。根据该数据，例如通过严格的耦合波分析和非线性回归或通过与模拟光谱库的比较，可以重构产生所检测光谱的目标的结构或轮廓。
散射计MT可以是椭圆偏振散射计。椭圆偏振散射计允许通过测量每个偏振态的散射辐射来确定光刻工艺的参数。这样的计量装置通过在计量装置的照明部分中使用例如适当的偏振滤光器来发射偏振光(例如线性、圆形或椭圆)。适用于计量装置的源也可以提供极化辐射。现有椭圆偏振光散射计的各种实施例在美国专利申请11/451,599、11/708,678、12/256,780、12/486,449、12/920,968、12/922,587、13/000,229、13/033,135、13/533,110和13/891,410中描述，通过引用将其全部内容并入本文。
散射计MT可以适于通过测量反射光谱和/或检测配置中的非对称性来测量两个未对准光栅或周期结构的套刻，该非对称性与套刻的程度相关。两个(典型地套刻的)光栅结构可以应用在两个不同的层(不一定是连续的层)中，并且可以基本上形成在晶片上的相同位置处。散射计可以具有对称的检测配置，如在共同拥有的专利申请EP1628164中所描述的，使得任何不对称都是可清楚区分的。这提供了一种直接测量光栅失准的方法。通过周期性结构的不对称性来测量包含周期性结构作为目标的两个层之间的套刻误差的进一步示例可以在PCT专利申请公开号WO 2011/012624或美国专利申请US20160161863中找到，通过引用将其全部内容并入本文。
其他感兴趣的参数可能是焦点和剂量。焦点和剂量可以通过散射测量法(或者可选地通过扫描电子显微镜)同时确定，如美国专利申请US2011-0249244中所述，其全部内容通过引用并入本文。可以使用单个结构，其具有针对聚焦能量矩阵(FEM-也称为聚焦曝光矩阵)中的每个点的临界尺寸和侧壁角度测量的独特组合。如果临界尺寸和侧壁角度的这些独特组合是可用的，则焦点和剂量值可由这些测量值唯一地确定。
计量目标可以是由光刻工艺形成的复合光栅的集合，该光刻工艺主要在抗蚀剂中，但也在例如蚀刻工艺之后形成。典型地，光栅中的结构的间距和线宽强烈地依赖于能够捕获来自计量目标的衍射级的测量光学器件(特别是光学器件的NA)。如前所述，衍射信号可以用于确定两个层之间的偏移(也称为“套刻”)，或可以用于重构由光刻工艺产生的原始光栅的至少一部分。该重构可以用于提供光刻工艺的质量的指导，并且可以用于控制光刻工艺的至少一部分。目标可以具有更小的子分割，子分割被配置为模拟目标中的设计布局的功能部分的尺寸。由于这种子分割，目标将表现得更类似于设计布局的功能部分，使得总体工艺参数测量更类似于设计布局的功能部分。目标可以在欠填充模式或过填充模式下测量。在欠填充模式下，测量光束产生比整体目标小的光斑。在过填充模式下，测量光束产生比整体目标大的光斑。在这样的过填充模式中，还可以同时测量不同的目标，从而同时确定不同的处理参数。
使用特定目标的光刻参数的总体测量质量至少部分地由用于测量该光刻参数的测量方法确定。术语“基底测量方法”可以包括测量本身的一个或多个参数、所测量的一个或多个图案的一个或多个参数、或两者。例如，如果基底测量方法中使用的测量是基于衍射的光学测量，则测量的一个或多个参数可以包括辐射的波长、辐射的偏振、辐射相对于基底的入射角、辐射相对于基底上的图案的取向等。选择测量方法的标准之一例如可以是测量参数之一对处理变化的灵敏度。在美国专利申请US2016-0161863和公开的美国专利申请US2016/0370717A1中描述了更多的示例，通过引用将其全部内容并入本文。
可以集成在光刻装置中的形貌测量***、水平传感器或高度传感器被布置成测量基底(或晶片)的顶表面的形貌。可以根据这些测量值生成基底的地形图，也称为高度图，测量值指示作为基底上位置的函数的基底的高度。该高度图随后可以用于在基底上的图案转移期间校正基底的位置，以便提供基底上处于适当聚焦位置的图案化设备的空中图像。应当理解，在此上下文中，“高度”指的是平面外到基底(也称为Z轴)的宽泛的维度。通常，水平或高度传感器在固定位置(相对于其自身的光学***)处执行测量，并且在基底和水平或高度传感器的光学***之间的相对移动导致在跨基底的位置处的高度测量。
图4示意性地示出了本领域已知的水平或高度传感器LS的示例，其仅示出了操作原理。在该示例中，水平传感器包括光学***，该光学***包括投影单元LSP和检测单元LSD。投影单元LSP包括辐射源LSO，该辐射源LSO提供由投影单元LSP的投影光栅PGR赋予的辐射束LSB。辐射源LSO可以是例如窄带或宽带辐射源，例如超连续光源，偏振或非偏振，脉冲或连续，例如偏振或非偏振激光束。辐射源LSO可以包括具有不同颜色或波长范围的多个辐射源，例如多个LED。水平传感器LS的辐射源LSO不限于可见光辐射，而是可以附加地或替代地包括UV和/或IR辐射以及适合于从基底表面反射的任何波长范围。
投影光栅PGR是周期性光栅，其包括导致具有周期性变化强度的辐射束BE1的周期性结构。具有周期性变化强度的辐射束BE1被导向基底W上的测量位置MLO，基底W具有相对于垂直于入射基底表面的轴(Z轴)的在0度至90度之间的入射角ANG，典型地在70度至80度之间。在测量位置MLO处，图案化的辐射束BE1被基底W(由箭头BE2指示)反射并朝向检测单元LSD。
为了确定测量位置MLO处的高度水平，水平传感器还包括检测***，该检测***包括检测光栅DGR、检测器DET和用于处理检测器DET的输出信号的处理单元(未示出)。检测光栅DGR可以与投影光栅PGR相同。检测器DET产生指示所接收的光的检测器输出信号，例如指示所接收的光的强度，例如光电检测器，或者表示所接收的强度的空间分布，例如照相机。检测器DET可以包括一个或多个检测器类型的任何组合。
通过三角测量技术，可以确定测量位置MLO处的高度水平。检测到的高度水平典型地与由检测器DET测量的信号强度相关，信号强度具有周期性，该周期性尤其取决于投影光栅PGR的设计和(斜)入射角ANG。投影单元LSP和/或检测单元LSD可以包括沿着投影光栅PGR和检测光栅DGR(未示出)之间的图案化辐射束的路径的其它光学元件，例如透镜和/或反射镜。在实施方式中，可以省略检测光栅DGR，并且可以将检测器DET放置在检测光栅DGR所在的位置。这样的配置提供了对投影光栅PGR的图像的更直接的检测。
为了有效地覆盖基底W的表面，水平传感器LS可以被配置为将测量光束BE1的阵列投射到基底W的表面上，从而产生覆盖更大测量范围的测量区域MLO或点的阵列。例如在US7265364和US7646471中公开了一般类型的各种高度传感器，其通过引用合并于此。US2010233600A1公开了一种使用UV辐射而不是可见光或红外辐射的高度传感器，其通过引用合并于此。在通过引用并入的WO2016102127A1中，描述了一种紧凑的高度传感器，其使用多元件检测器来检测和识别光栅图像的位置，而不需要检测光栅。
上述各种测量通常发生在基底被夹持到基底支撑件上之后和曝光之前。在夹持状态下，偏差可以来自几个来源，例如基底放置到基底支撑件上的误差；基底上的前一层的处理如何使基底表面成形；或者基片背面是否有污染。由于基底被夹持在基底支撑件上，基底背面和基底支架表面之间的任何污染或任何不均匀的支撑特性都可能影响基底表面形貌。在操作时，控制光刻装置的基底到基底调整的物理模型使用对准和整平(levelling)计量学来一致地正确定位每个基底，以便实现基底的精确图案化。
夹持过程中基底支撑件损坏等缺陷可能导致基底变形。特别地，应当理解，由于其支撑表面与基底背面之间的摩擦和/或化学物质(在一个或多个处理步骤期间用于基底的处理)的影响，基底支撑件将随着时间的推移而退化。该支撑表面通常可以包括多个突起或粒节(burl)，主要是为了减轻介于基底和支撑件之间的污染物颗粒的影响。这些粒节中的一个或多个或基底支撑件的其它方面(特别是在边缘处)可能受到这种劣化的影响，导致其形状随时间变化，这将影响夹持在其上的基底的形状。使用现有的控制***，基底支撑件的这种劣化的影响可能是不可校正的。本文描述的方法寻求提供一种确定何时需要处理基底支撑件的劣化的改进方式。
光刻装置和经处理的基底的监测可以在各个阶段进行。光刻装置可以在安装时经历一个或多个校准过程，作为引入新的制造过程的一部分，作为检测短期变化的每日例行程序的一部分，或者更周期性地，例如每周一次，检测光刻装置参数中的较长期漂移。例如，每天测量晶片台WT的平整度和/或每周或根据需要测量特定工艺的套刻对准可以是标准过程。另外，可以测量通过光刻装置的每个基底，以确定曝光之前基底的位置。
为了能够建立精确的图像，成功的监测通常需要收集大量数据以提供足够的晶片间信息。总体来说，拥有更多的数据往往意味着拥有更多的测量点，即密集的计量分辨率，这可能使得能够进行更详细和/或更精确的监测，但不可避免地要付出时间代价。足够密集的性能数据，例如套刻数据，可能需要从参考基底获取数千次测量，以便提供具有正确分辨率的数据。这可能需要大量的时间来收集。因此，希望减少由计量工具检查基底所需的时间量，同时仍然保持对光刻装置LA性能进行详细和精确监测的能力。
还希望通过延长测量过程之间的间隔来减少数据采集(即测量)的数量。
本文公开了用于使用模型确定光刻装置LA的参数的方法。该模型可以用于有效地进行上采样稀疏计量数据以提供更有用的密集计量数据。然后可以利用该计量数据来确定参数。以这种方式使用模型的方法允许在提供可接受的密集数据集的同时减少数据捕获，即测量时间。
在一个示例中，可以通过输入一组一个或多个稀疏计量数据并将算法训练到密集计量数据的对应输出来提供模型。一旦经过训练，该模型可以用于对稀疏计量数据进行上采样，以提供密集计量数据的输出。然后，密集计量数据可以用于评估光刻装置的一个或多个性质或确定何时可能需要校准。
该特性可以涉及一个或多个参数，参数可被调节以改善光刻装置的性能。附加地或可选地，属性可以涉及指示可能需要光刻装置或***的某些校正维护、部件更换或重新校准的一个或多个参数。这样的部件可以包括基底支撑***的一个或多个部件。重新校准可以涉及可以用于调整光刻装置的参数的高阶模型的计量图或系数的更新。
在一个示例中，可以从参考基底(也可以称为参考晶片)获取计量数据。计量数据可以包括性能数据，例如套刻数据、对准和高度图或调平数据。计量数据可以包括稀疏数据和密集数据。例如，套刻数据可以包括稀疏数据集和密集数据集。
在一个示例中可以是神经网络的模型可以包括由将输入映射到输出的多个权重和/或偏差定义的一个或多个层。计量数据的选择，例如，调平、对准和稀疏套刻数据，可以用作模型的输入，已知输出是测量的密集套刻数据。通过迭代地运行模型并调整权重和偏差以使误差最小化，可以获取将稀疏数据的特定输入映射到对应的密集数据的权重和偏差。一旦训练完成，就确定权重和偏差，并且可以使用该模型对在服务中获取的稀疏输入计量数据进行上采样，以提供对应的密集套刻数据的输出。然后，密集计量数据可以用于提供例如晶片和/或光刻装置的计量图，其可以依次用于调整装置。
因此，所公开的方法的优点在于，使用适当训练的模型，稀疏计量数据可以用于提供可以多种不同方式使用的对应的密集计量数据。
在另一示例中，可以在一组不同的一个或多个计量数据上训练模型。例如，模型的输入可以仅是调平数据，其被训练成计量数据的输出，例如套刻数据。套刻数据可以是密集的。一旦经过训练，例如在处理步骤之前或作为一般监测或校准过程的一部分而获取的调平数据可以用作模型的输入，以仅从调平数据提供密集套刻数据。仅使用一种类型的计量数据来训练模型可能会导致较不精确的模型。因此，仅使用调平数据可以导致套刻数据的近似。然而，这种近似可以节省大量的时间和资源，并且足以确定关于光刻装置的有用度量。这样的度量可以涉及晶片台WT或校准的精度以及何时可能需要重新校准。
本文还公开了用于控制光刻装置的方法。方法可以包括与由所述方法确定的参数相关联的控制参数的多个设定点。例如，控制参数可以与套刻误差的控制相关联。设定点可以提供为描述基底上的定位误差的高阶模型的系数。方法可以被配置为周期性地校准光刻装置。校准可以根据基于模型输出的新导出的设定点进行。高阶模型可以包括计量图。校准可以被配置为校准光刻装置内的基底定位***和/或基底测量***的坐标系。
更一般地，图5描述了用于确定光刻装置的参数的方法中的步骤的流程图。在第一步骤602中，提供第一组计量数据。计量数据可以是第一基底的第一高度变化数据HVD。在第二步骤604处，可以提供第二组计量数据。第二组计量数据可以是与第一基底相关的第一性能数据PD。第一性能数据PD可以是例如套刻数据或对准数据，或者与参考基底或处理装置的一个或多个工艺相关参数相关的任何其他合适数据。在第三步骤606中，基于所提供的计量数据(例如，第一高度变化数据HVD和第一性能数据PD)确定模型DM。一旦训练完成并且模型610已经确定，该方法还可以包括获取608第二基底的第二高度变化数据OHVD。所获取的第二高度变化数据OHVD可以在步骤609处被提供作为模型的输入。使用所提供的输入数据，可以运行模型，并确定612第二基底的第二性能数据DPD作为模型的输出。该方法还可以包括基于第二性能数据确定614光刻装置LA的参数DP。
如上所述，获取性能数据测量可能是耗时的。在一个示例中，性能数据可以是基底上图案的套刻数据。该模型可以用于以密集分辨率确定基底上的套刻数据，同时使用计量装置以稀疏分布执行基底上的套刻测量。该模型使得能够确定密集的套刻数据，而使用计量学仅确定稀疏的套刻数据，从而减少了由计量学过程用于获取基底的检查数据的时间量。在另一示例中，可以使用不同于套刻数据的计量数据作为输入，以密集分辨率为基底确定套刻数据。由模型确定的套刻数据可以用于确定光刻装置LA的参数和/或监测性能，从而消除获取套刻计量的需要。
基于为基底确定的套刻数据，可以调整光刻装置LA的一个或多个参数、方法或工艺，以在光刻装置LA的后续曝光中实现更好的套刻性能。可选地或附加地，套刻数据可以用于确定光刻装置LA未按预期或要求执行。因此，诸如套刻数据的性能数据可以用作例如错误检测或预测性维护调度的工具。
该方法的优点在于，可以基于第二性能数据来确定光刻装置LA的参数，而不需要测量该基底的性能数据。使用高度变化数据代替性能数据通常需要较少的时间。可以使用与用于获取性能数据的测量工具不同的测量工具(例如，水平传感器或高度传感器)来获取高度变化数据。此外，高度变化是通常为其它目的而频繁获取的参数。因此，所述方法可以利用现有数据来确定性能数据，而不需要额外的计量学。
第一高度变化数据和第一性能数据与第一基底相关。第一基底可以是具有已知特性的基底，并且可以是参考基底。可以以第一分辨率提供第一高度变化数据，第一分辨率可以是高分辨率。可以以高分辨率提供第一性能数据。高度变化的分辨率可以高于性能数据的分辨率。
稀疏数据和密集数据在相对意义上被使用，因为密集数据包括更多的数据点，例如测量点，然后是稀疏数据。密集和稀疏的确切定义将取决于所讨论的应用和计量数据。与可以称为密集的完整数据集相比，任何子集(例如下采样的)数据集可以被认为是稀疏的。因此，稀疏数据集可以被认为是密集数据集的子集。密集数据集可以包括用于提供在基底上的针对每个计量目标的至少一个条目。通常，密集数据将具有比稀疏数据至少多一倍的数据点数。因此，例如，直径76mm的晶片对于密集计量可以具有1000到数千个数据点，对于稀疏计量数据可以具有少于1000个数据点。可选地，密集测量可以对应于在预定区域内采取的特定数量的测量点。应当理解，晶片尺寸的直径可以远远大于76mm，并且可以大到450mm或更大。典型的晶片将在200mm和300mm之间。
第一基底和第二基底可以是相同或相同类型的基底。因此，第二基底可以是具有相同特征并经历了基本上相同的处理的相同类型的基底，但仍然是不同的物理基底。可选地，第二基底可以是相同的第一基底，但在较晚的时间点。第二基底可以与第一基底相同，但在施加到基底的工艺中的不同的稍后步骤处。工艺可以是光刻图案化工艺。
基底可以是参考晶片，其用于获取计量数据，作为监测或校准过程的一部分。参考晶片可以在一个或多个层上具有一个或多个参考特征。例如，参考晶片可以被设计并用于允许计量***确定对准数据和套刻数据。这样，参考晶片可以包括本领域已知的一条或多条线和空间或网格。如本领域已知的，这样的参考晶片可以被称为基线匹配的机器覆盖基底。因此，该方法可以包括将特征周期性地暴露到参考晶片，该参考晶片设置有定位在已知、校准的位置的第一特征。通过测量曝光特征相对于第一特征的位置，可以确定用于确定晶片上的曝光剂量和焦点的扫描器网格。
可选地或附加地，参考基底可以用于仅提供相对于调平数据的校准数据。这样的参考基底可以被称为调平基底，与用于覆盖评估的第一参考基底相比，该参考基底可能需要更少的层和特征。调平基底可以是空白晶片。调平基底可以用于校准基底支撑件的调平和/或其它参数。根据应用，这种基底可以被称为调节晶片或卡盘温度晶片。
套刻参考基底和调平基底可以用于不同的目的和不同的时间。例如，调平基底可以例如作为每日校准或监测过程的一部分每日使用。因此，可以将调平基底放置在卡盘上，并且收集调平数据。作为监测过程的一部分，套刻参考基底可以比调平基底使用得更少，该监测过程确定在预定时间或制造运行次数之后是否需要光刻装置的任何校准。例如，覆盖基底可以每周使用一次，其结果用于调整光刻装置的扫描器或一个或多个其它参数。为了本公开的目的，作为光刻装置LA的监测和校准过程的一部分，参考基底可以被认为形成光刻装置LA的一部分。
参考基底，特别是覆盖基底，可能需要不时地更新曝光，以便可以更新计量图和光刻装置校准。在一个示例中，通过所述方法确定的光刻装置的参数可以与基底中的一个有关。例如，参数可以与覆盖基底相关，并提供何时需要新曝光的指示和/或提供计量图或参考晶片测量中的误差估计。
根据所使用的模型和正在确定的参数，第一基底和第二基底都可以是套刻参考基底。在其它示例中，第一基底可以是用于训练模型的覆盖基底，并且输入可以以调平基底的形式从第二基底提供，如下文所述。
该模型可以是能够将稀疏输入数据充分映射到密集输出数据的任何模型。该模型可以是例如机器学习算法，其中在输入处提供数据，并且迭代调整该算法，直到输出在预定误差阈值内。模型可以是神经网络，或者是深度神经网络。
可以基于所提供的从多个基底获取的第一高度变化数据HVD和第一性能数据PD来确定(例如训练)模型。多个基底可以被细分为训练、验证和测试子集。因此，可以使用多个基底中的至少两个基底的高度变化数据HVD和性能数据PD来确定模型。可以基于来自多个基底中的一些但不是全部的高度变化数据HVD和性能数据PD来确定模型。一个或多个第一基底可以是特别为模型的训练而制造的参考基底。可以在训练参考基底上执行详细的和时间密集的计量，以便具有可以在其上训练模型和验证结果的详细信息。
在一个示例中，提供了十四个套刻参考基底。将多个十四个基底分成子组。第一子组包括用于训练模型的多个训练基底。第二组包括用于验证模型的多个验证基底。第三组基底用于对模型进行盲测。第三组基底使用替代方法被进行评估，以提供一个已知的度量值，根据该度量值可以评估模型的输出。
为了训练模型，测量多个参考基底的训练子集以确定密集性能数据PD和高度变化数据HVD。将高度变化数据HVD输入到模型以确定将高度变化数据HVD映射到测量的密集性能数据的正确权重和偏差。
为了验证模型，获取并提供验证子组的第二高度变化数据OHVD，以确定输出的密集性能数据和测量的性能数据之间的误差是否在预定容限内。应当理解，第二分辨率可以是导致稀疏高度变化数据集的稀疏分辨率。在这一点上，模型已经准备就绪，需要通过测试子组进行盲测。
返回参考图5，在使用中，可以将第二高度变化数据608输入到模型610，并且可以运行模型610以提供输出。运行模型610可以包括由模型610接收提供给模型610的输入，以及基于模型610和输入确定输出。输出的确定可以涉及模型610的一个或多个计算和/或估计。
模型610的输出可以包括第二基底的第二性能数据DPD。可以以至少与第一性能数据PD的分辨率一样高的分辨率来确定第二性能数据DPD。可以以至少与第二高度变化数据OHVD的分辨率一样高的分辨率提供第二性能数据DPD。在一些示例中，可以对输出性能数据DPD进行上采样以提供超密集性能数据。如果性能数据以高于第二基底的计量测量的分辨率提供，则可以认为它是超密集的。超密集数据可以在第二基底没有计量标记(例如对准标记)的位置提供性能数据。可以使用计算计量技术来确定超稠密性能数据，关于其更多信息在WO2018149553中给出，其通过引用并入本文。输出性能数据可以用于确定可以用于调整光刻装置LA的工艺图。使用超密集性能数据来确定工艺图或确定与该数据的另一拟合的优点在于，较大数量的数据点允许对性能数据执行更高阶拟合，这可以导致更好和/或更详细的工艺图或其他拟合。
第二性能数据DPD可以用于在步骤614处确定光刻装置LA的参数DP。第二基底可能已经在光刻装置中被处理，使得性能数据包括由光刻装置LA引起的效果产生的分量。光刻装置LA的影响或效果可以包括在为第二基底获取的第二高度变化数据OHVD内。例如，如果获取数据的高度变化计量工具与光刻装置LA集成，则可以在第二基底位于光刻装置LA内时获取高度变化数据。可选地或附加地，光刻装置LA对第二基底的影响可以是使得第二基底上的高度变化OHVD已经由于光刻装置LA的结果而改变，例如通过在光刻装置LA中定位期间基底的变形。
高度变化数据HVD、OHVD可以通过调平数据提供。用于测量调平数据的测量工具可以是水平传感器或高度传感器，其可以集成在光刻装置LA中。如上所述，可以以高度图的形式提供高度变化数据。
基底W可以是平面的，也就是说，与基底W的第三维度相比，在两个维度上显著地大。较小的维度可以被称为基底W的高度。其他两个维度可以形成基底W的平面。平面基底W可以在晶片平面上具有基本相似的高度。高度的变化可以通过基底上的光刻和/或蚀刻工艺引入。跨基底平面的高度变化可以归因于基底W的变形，例如，由基底材料中的缺陷引起的变形。基底W的高度变化还可以由在基底W上工作的光刻装置LA的影响引起，例如，基底W可以通过基底支撑件将基底W保持和/或夹持在载物台上的适当位置以将其定位在载物台上而变形。
用于确定高度变化数据HVD的测量工具和用于确定性能数据PD的测量工具都可以与光刻装置LA集成。当在光刻装置LA中处理基底时，例如用于图案化基底时，基底W可以定位在基底支撑件WT上。基底可以例如通过机械夹紧、真空定位等被可移除地附接到基底支撑件WT。基底W可以在光刻图案化步骤、高度变化HVD数据测量、性能数据PD测量和在基底W上执行的其他处理步骤中的一个或多个过程中保持定位在相同的基底支撑件WT上。
可以将高度变化数据OHVD、HVD分解(也称为反卷积)成代表不同效果的组成部分。这些效果中的至少一个可以是基底特定指纹。模型的确定可以基于高度变化数据HVD的基底特定指纹。基底W的高度变化数据HVD的分解可以针对基底W在测量工具MT的基底支撑件WT上的位置来执行，高度变化数据是在该位置上获取的。分解可以包括将高度变化数据反卷积成多个子组，其中，子组中的一个或多个可以形成基底特定指纹。可以将高度变化数据HVD反卷积成四个子组，表示基底的夹持形状、基底的径向形状、基底的高频特征和基底的场水平特征。夹持形状可以由基底W放置在基底支撑件WT上引起，并且具体地可以由将基底W临时地和可移除地附接在基底支撑件WT上的机构引起。
可以通过将正则化最小二乘模型拟合到高度变化数据HVD来获取钳位子组中的钳位形状反卷积数据。径向子组数据的确定可以涉及使用当获取高度变化数据HVD时基底W所位于的基底支撑件WT的设计规格。径向子组和箝位子组可以从高度变化数据中去除(例如减去)，并且一系列低通滤波器可以用于将剩余的高度变化信号分离成高频特征和场水平特征。高频数据可以包括在基底上图案化的结构。场水平特征数据可以包括图案化特征，图案化特征可以是由光刻装置LA图案化的特征。场水平特征可以包括基底本身特有的特征，例如基底W的材料中的缺陷。
如上所述，性能数据PD可以是套刻数据。具体地，套刻数据可以通过包括一个或多个传感器的计量工具的一个或多个测量获取。计量工具MT可以是散射计。计量工具MT可以集成在光刻装置LA中。计量工具MT可以逐点地测量套刻数据，也就是说，可以一次针对一个测量位置测量套刻。由计量工具MT执行套刻测量所需的时间量可以与由计量工具MT测量的点的数量线性地成比例。计量工具MT可以通过在基底上获取套刻测量点的稀疏分布来提供低分辨率的套刻数据。计量工具MT可以通过在基底上获取套刻测量点的密集分布来提供高分辨率的套刻数据。提供低分辨率套刻测量所需的时间量显著短于提供高分辨率套刻测量所需的时间量。
关于神经网络训练的进一步信息可以在Hwang，Chan等人的论文中找到，“Smartoverlay metrology pairing adaptive deep learning with the physics-basedmodels used by a lithographic apparatus”，Proc.SPIE 10587，OpticalMicrolethography XXXI，105870B，2018年3月20日，其描述了适用于执行本文所述方法的神经网络模型和高度数据反卷积过程。
该方法还可以包括获取第二基底W的参考数据，并将该参考数据输入到模型。模型可以使用所提供的要确定其性能数据的基底W的参考数据以及所获取的第一基底或第二基底W的高度变化数据HVD。参考数据可以包括高度变化数据HVD和性能数据PD中的一个或多个。参考数据可以包括来自基底W的先前测量的所测量的高度变化数据HVD和/或来自基底W的先前测量的所测量的性能数据PD。参考数据可以包括在模型的先前运行期间确定的性能数据PD。例如，可以运行该模型以确定基底W的性能数据PD。性能数据PD可以作为参考数据存储在合适的存储器中。对于模型的后续使用，参考性能数据PD可以从存储器中被调用并输入到模型，以提供最后已知性能数据的基线。以这种方式使用最后已知的性能数据可以减少执行模型和使用最新高度变化数据获取校正的性能数据PD所需的时间。
参考数据可以称为历史数据。历史数据可以包括测量的或确定的性能数据和/或测量的高度变化数据。对于与第二基底相同的基底，可以在较早的时间点获取历史数据。参考数据可以由模型610用作用于确定第二基底的输出性能数据的参考或基础。在一个示例中，模型610周期性地确定基底的套刻数据。为基底W确定的最近套刻数据可以用作模型610的下一次运行的参考数据。当确定最近的套刻数据时，模型610可以使用先前确定的套刻数据作为用于确定新套刻数据的输入。在一些示例中，模型可以使用来自模型的多个先前运行的套刻数据，或者更一般地使用性能数据。
参考数据可以提供权重和偏差，当模型被训练或再训练时使用这些权重和偏差。以这种方式使用参考数据减少了使用新参数训练模型所需的时间量。
在使用中，从模型610输出的第二性能数据DPD可以用于确定光刻装置LA的参数。性能数据DPD可以用于调度光刻装置LA的维护。这可以通过监测从性能数据DPD确定的参数来完成。监测参数可以包括利用新的一组获取的输入数据(即获取的基底W的高度变化数据OHVD)周期性地运行模型。这使得能够基于由模型输出的性能数据PD周期性地确定光刻装置LA的参数。基于随时间对参数值的监测，可以预测维护的需要，并相应地进行维护调度。
例如，如果所确定的参数通过阈值或落在预定范围之外，则可以确定维护的需要；如果确定了意外的参数值；或者参数发生突然或不寻常的更改。在一个示例中，性能数据DPD可以是套刻数据，并且高度变化数据OHVD可以是调平数据。模型610可以基于周期性获取的调平数据来确定基底的套刻数据。如果套刻数据通过阈值或如果确定了意外的套刻数据值，则套刻数据可以用于重新校准或调整光刻装置的一个以上部分。因此，例如，可以调整扫描器的一个或多个参数以改变晶片W的特定区域上的焦点或剂量。在一个示例中，确定的参数可以指示计量图或其他模型需要更新，并且还可以提供对现有计量图或模型中所需更新或误差的估计。
在另一示例性实现中，光刻装置LA的参数可以与用于支撑光刻装置LA中的基底的基底支撑件WT的质量相关。基底支撑件可以是晶片台WT。通过使用基底支撑件WT，例如通过将基底W放置在支撑件WT上和/或随后将其移除，基底支撑件可以随时间退化。基底支撑件WT的质量可以影响基底W在支撑件WT上的定位，以及为该支撑件WT确定的性能参数。因此，本文公开的方法可以用于确定表示基底支撑件WT的质量的参数。模型的周期性运行允许对参数进行监测。基底支撑件WT的维护可以包括更换基底支撑件WT。
使用高度变化数据OHVD作为模型的输入以提供密集套刻数据可能导致套刻数据的较不精确的预测。即，套刻数据的使用仅仅提供了套刻数据的更近似的估计。这样的近似值对于确定：卡盘是否已退化；是否需要更新一个或多个参数；以及提供参数可能需要更新多少的估计的目的可能是足够的。例如，由高度调平数据提供的估计的密集套刻可以指示计量图可能过期，并且提供需要多少的估计。
可以在与已知或参考目标或晶片的比较中使用近似套刻数据。在一个示例中，相似性索引方法可以用于确定与已知或参考目标或晶片的相似性。相似性索引方法可以是层次聚类方法。比较的输出可以提供关于是否需要更新的指示，并且在一些情况下，提供所需更新的近似值。
在一些示例中，可以设置预定阈值，用于确定何时达到相似性中的分歧。预定阈值可以涉及何时需要新的校准或何时***需要清洁。阈值可以与关于相似性距离的基于距离的产量相关。
本文公开的方法还可以包括提供用于第一基底的第一对准数据，其中，基于第一对准数据以及第一高度变化数据HVD和第一性能数据PD确定模型610。对准数据可以通过对准计量工具获取。对准计量工具可以集成在光刻装置LA中。
基底的对准数据可以通过与为基底获取的高度变化数据的分辨率相比较的低分辨率由计量器测量。在低分辨率下获取的稀疏对准数据可以作为该方法的一部分被上采样到更高分辨率。对准的上采样可以例如通过使用基于三角测量(triangulation)的内插和对基底可用的稀疏对准数据的双三次插值的组合来实现。可以实现具有贝叶斯框架的自动正则化，以最小化数据过拟合的可能性。第一对准数据的上采样意味着模型610的确定基于高分辨率对准数据。第二对准数据的上采样意味着模型610接收高分辨率对准数据作为输入。
如上所述，高度变化数据可以被分解成多个子组，多个子组可以包括钳位形状子组、径向形状子组、高频特征和场级特征。第二高度变化数据可以被分解成多个子组，其中，子组中的至少一个被用作模型610的输入，用于确定第二性能数据。
高度变化数据的子组之一可以包括与第二基底的场水平特征相关的数据。在上面列出的示例性分解中，与场水平特征相关的数据可以包含在场特水平征内。场水平特征可以包括基底本身固有的特征。场水平特征可以包括唯一标记，例如，由于在基底上创建基底光栅期间发生的蚀刻误差，唯一标记可以存在于基底的基底光栅上。由于这些特征是单个基底特有的，因此从分析中去除由场水平特征引起的影响，并且分离由其它性质引起的对高度变化数据的影响是有益的，包括例如由光刻装置引起的影响。从模型610确定和模型610输入中移除场水平特征可以移除在该方法的稍后阶段或其他后续数据分析处处理场特征的其他校正过程的需要。
如上所述，该方法使用模型610和第二基底的高度变化数据来确定第二基底的性能数据。在本文描述的一些实现中，该方法还可以包括获取第二基底的第二性能数据。可以以稀疏分辨率获取第二性能数据。该方法还包括将第二性能数据输入模型610。模型610可以以密集分辨率确定第二性能数据，即比稀疏输入的第二性能数据的分辨率高的分辨率。可以使用可以是散射计的计量工具MT来获取第二性能数据。
图6描述了用于确定光刻装置LA的参数的另一示例方法的流程图，其中模型610以与上述类似的方式被确定，但利用附加的输入数据。因此，在该第二示例中，该方法还可以包括使用三种不同类型的输入数据来训练模型，三种不同类型的输入数据包括例如对准数据AD、高度变化数据HVD和性能数据PD。输入被映射到测量的稀疏性能数据DPD。在一个示例中，模型610的训练可以通过稀疏套刻数据、稀疏或密集对准数据和调平数据(其可以如上所述地被反卷积)的输入来实现。与先前描述的模型一样，模型610的输出可以是测量的密集套刻数据。
在使用中，一旦确定了模型，该方法可以包括获取608第二基底的高度变化数据HVD，获取616对准数据AD，其可以从稀疏对准数据上采样，以及获取618稀疏性能数据PD，其中，步骤608、616和618的数据均从第二基底获取。将所获取的数据608、616、618输入到模型610，并且运行该模型以确定第二基底的密集性能数据DPD的输出612。基于所确定的性能数据，可以确定620光刻装置的参数DOVL。密集性能数据可以是密集套刻数据。密集性能数据可以以超密集分辨率提供，该超密集分辨率可以高于由用于测量性能数据的计量工具可获取的分辨率。模型610还可以使用参考数据作为输入，其中参考数据可以是第二基底的历史数据。
在一些实施方式中，第一基底和第二基底可以是参考基底。在一个示例中，参考基底通常是套刻基底，但是可以使用其它基底，例如如上所述的调平基底。该模型可以针对基底运行多次，例如以预定的时间间隔运行，或者当用户具体实施时运行，例如响应于检测到的事件。多次执行该方法(可以周期性地)可以包括重复获取输入数据和运行模型610以确定输出性能数据的步骤。模型610的重复使用可以包括确定模型610一次，以及将相同确定的模型610用于模型610的多个运行。更新模型610可以与运行模型610分开地执行。
光刻装置的参数可以是光刻装置的用于第二基底的基底支撑件的质量的度量。可选地或附加地，基底支撑件可以与光刻装置的一个或多个设置相关。具体地，设置可以是光刻装置的曝光设置。更具体地，一个或多个设置可能影响所产生的曝光图案的套刻。
参数可以包括单个值，或者可以包括多个值。该参数可以与计量图相关。计量图可以是将计量值链接到基底上的位置以提供与光刻装置的校准相关的信息的多个值。例如，计量图可以包括关于暴露焦点和/或剂量需要校正的地方的指示。因此，该方法还可以包括基于计量图更新光刻装置LA的一个或多个设置。光刻装置的一个或多个设置可以与光刻装置LA的位置网格相关。
在一些实现中，该参数可以涉及光刻装置LA的预曝光条件。该方法还可以包括基于所确定的参数确定光刻装置LA的设置中的一个或多个是否需要校正。该方法还可以包括估计需校正的水平，也就是说，基于所确定的光刻装置LA的参数，定量地估计需修改一个或多个设置的量。例如，性能数据可以是第二基底的套刻数据。基于套刻数据确定的参数可以包括光刻装置LA的一个或多个设置，并且可以对设置中的一个或多个进行调整，以校正由确定的套刻数据指示的套刻中的失配，以改善后续曝光中的套刻性能。
如上所述的方法可以包括两个模型，其中，模型具有不同的输入和不同的输出。因此，第一模型和第二模型可以具有不同的权重和/或偏置集合。具体地，该方法可以包括以第一周期运行第一模型，以及以第二周期运行第二模型。第一周期可以高于第二周期，也就是说，第一模型可以比第二模型更频繁地运行。第一模型可以使用校准基底作为第二基底，第二模型可以使用参考模型作为第二基底。第一模型可以接收作为输入的高度变化数据和可选的对准数据。可以运行第一模型以确定第一输出，其中，输出可以是性能数据，并且优选地是超密集性能数据。第二模型可以接收高度变化数据、对准数据和稀疏性能数据作为输入数据。可以运行第二模型以确定第二输出，其中，第二输出可以是性能数据，并且优选地是超密集性能数据。
为了确定基底的参数，例如使用上述模型和方法，了解在其上确定该参数的基底的性质是有益的。这些性质可以用于解释基底的计量数据以确定参数。基底的这种校准可以涉及晶圆误差校正(WEC)文件的确定。WEC文件可以表示基底与基底的特定预定标准的偏差。包括在WEC文件内的数据例如可以被提供给上文描述的方法和/或模型以确定基底的性能数据。
WEC文件可以基于计量数据。获取计量数据可能耗时，占用与光刻装置LA和本文描述的过程相关的一个或多个计量工具MT的时间。当计量工具MT执行用于基底校准的测量时，它不能自由地用于其它计量应用。由于WEC文件包含与每个基底特定的属性相关的数据，因此可以为每个基底生成不同的WEC文件。可能需要相当多的计量学和管理努力来获取用于校准基底的WEC文件。因此，希望减少校准基底所需的时间和成本。这可以例如通过减少计量数据的量和/或改变确定基底的性质所需的计量数据的类型来完成。
本文提出了使用模型校准基底的方法。该模型可以用于确定用于校准基底的参数的估计，例如基底的性能数据，例如套刻。该参数可能难以测量，使得期望基于其它数据(例如与基底相关的高度变化数据)来估计该参数。测量参数的困难可以由模型从获取的耗时/成本较低的数据推断出来。数据可以是计量数据，例如高度变化数据，例如调平数据。获取密集调平数据所需的成本和时间可能显著低于获取套刻数据的成本和时间。
该模型可以根据计量数据进行训练。具体地，可以提供高度变化数据和相应的性能数据(例如，套刻数据)。高度变化数据和性能数据可以是计量数据。可以训练该模型以基于高度变化数据来预测性能数据。可以通过将预测与提供的性能数据进行比较来测试和训练模型的准确性。为训练模型而提供的高度变化数据和性能数据可以是密集的高度变化数据和密集的性能数据。高度变化数据可以是调平数据。性能数据可以是套刻数据。
一旦训练了模型，就可以基于高度变化数据推断性能数据。在一个示例实现中，通过模型从高度变化数据推断性能数据，而不提供性能数据。该模型的一个优点是消除了校准基底时对性能数据计量的需要。推断的性能数据可能是密集的。在另一示例实现中，可以从密集高度变化数据和稀疏性能数据推断密集性能数据。这减少了校准基底所需的性能数据计量的量。性能数据可以是套刻数据。
该模型可以用于确定处理步骤对基底性质的贡献。例如，该模型可以用于推断套刻数据，套刻数据可以用于校准基底。具体地，基底可以是已经经历蚀刻步骤的参考基底。模型可以确定由基底的蚀刻产生的套刻。可以基于已经输入到模型的基底的调平数据来确定套刻。针对基底获取的调平数据或其它形式的高度变化数据可以被反卷积/分解成如上所述的组成部分。使用这样的分解，可以从高度变化数据中提取蚀刻步骤对基底性质的贡献。蚀刻步骤的贡献可以描述为场水平特征或工艺特征。
图7描述了具有用于校准基底的方法的步骤的流程图。首先，获取700经训练以将高度变化数据与性能数据相关联的模型。在702中，获取待校准基底的高度变化数据。可以作为该方法的一部分测量高度变化数据，或者可以从与该方法分离的确定高度变化数据的源提供高度变化数据。在704中，可以确定工艺特征。该确定可以涉及将高度变化数据分解成多个子组，这将结合图8更详细地解释。子组之一可以是工艺特征。工艺特征可以是高度变化数据，包括与基底所经历的一个或多个处理步骤相关的信息。例如，工艺特征可以涉及基底的蚀刻。与工艺特征相关的数据可以被提供706作为对模型的输入。在一些情况下，与工艺特征相关的数据可以是工艺特征本身。在其他示例中，工艺特征可以在作为输入提供给模型之前被进一步处理。例如，如下面更详细描述的，数据可以包括基底到基底工艺特征。一旦提供了与工艺特征相关的输入，就可以运行708模型，以确定模型输出。模型输出可以包括与性能数据相关的信息。具体地，输出可以包括基底和基底标准之间的性能数据的预测偏差。基底标准可以是为基底提供的预定的属性/参数值的标准集合。预测的偏差可以用于校准710基底。例如，套刻数据的预测偏差可以对应于晶片误差测量的套刻数据。因此，可以代替包括套刻计量数据的晶片误差校正文件或在该文件之外提供预测的套刻偏差。叠加数据的估计可以减少或消除对叠加计量数据的要求。这可以具有减少计量工具MT用于校准基底的时间量的优点。
图8描述了将高度变化数据分解成多个子组的示意性概述。盘(disk)示出跨基底的高度变化数据。测量的高度变化数据可以是高度变化图750和752的和，其中，752示出跨基底的二阶多项式分布，表示由晶片台形变产生的影响。从测量的高度变化数据中去除晶片台变形影响752以形成高度变化数据750，该高度变化数据750包括由基底本身的影响产生的高度变化数据。可以将高度变化数据750分解754为多个子组。每个子组可以代表基底上的效应的特征。例如，高度变化数据子组756包括基底的主要特征。高度变化数据子组758包括径向特征，高度变化数据子组760包括次要特征，高度变化数据子组762包括工艺特征，并且高度变化数据子组764包括高、中和低频特征。
可以使用分解从高度变化数据中提取对具有不同原因的高度变化数据的贡献。如图8所示，通过晶片的处理对高度变化数据的贡献可以被提取为图8中的子组762，形成工艺特征。参考基底的工艺特征可以例如表示由基底的蚀刻产生的对基底的性质的贡献。蚀刻的效果在按相同设计生产的不同参考基底之间可能不同。不同基底之间的差异可以表示基底之间的偏差，并且可以被称为基底到基底或晶圆-2-晶圆(w2w)工艺特征。为了确定基底的工艺特征的偏差，可以将该工艺特征与取自多个基底的平均工艺特征进行比较。使用本文描述的模型，可以提供w2w工艺特征作为模型输入，以确定基底的性能数据与预定基底标准的偏差。性能数据的这种偏差可以看作是w2w性能数据特征。
w2w工艺特征可以被确定为两个基底之间的差异。在一些情况下，可以使用来自多个基底的高度变化来确定w2w工艺特征。为了能够比较基底，基底的设计标准对于多个基底是相同的。具体地，要比较的多个基底可以属于同一批基底。比较属于同一批基底的基底的一个优点是它们经历了相同的一组生产步骤，因此可能具有紧密对齐的性质。这可能使它们适合于比较和/或平均。
为了比较多个基底的工艺特征，可以确定平均工艺特征，然后可以将基底的工艺特征与该平均值进行比较。确定平均值的一个优点是减少了任何单个基底上存在的性能误差或偏差的影响。图9描述了确定与用于提供给模型的工艺特征相关的数据的示例性方法中的步骤的流程图。在900中，提供多个基底。多个基底可以都具有相同的设计。多个基底可以属于同一批。在步骤902中，为多个基底中的每一个提供高度变化数据。在步骤904中，根据来自多个基底中的每一个的高度变化数据确定工艺特征。基底的工艺特征的确定可以基于该基底的高度变化数据而不考虑高度变化或与其它基底相关的其它数据。确定906多个单独确定的工艺特征的平均值。从基底的工艺特征中减去平均值908以便确定该基底的w2w工艺特征。w2w工艺特征作为模型的输入被提供，以确定性能数据。w2w工艺特征可以表示工艺特征与其它基底相比的偏差。可以针对从其确定平均值的多个基底中的每一个确定。
图10描述了确定w2w工艺特征的示意图。提供了三个基底的工艺特征作为101、102和103。基于基底101、102、103确定平均工艺特征AVG。然后，对于每个基底，从工艺特征101、102、103中减去平均工艺特征AVG。所得的高度变化数据是三个基底的w2w工艺特征：111、112、113。
本发明的进一步实施例在下面的编号项的列表中公开：
1.一种确定光刻装置的参数的方法，该方法包括：
提供第一基底的第一高度变化数据；
提供第一基底的第一性能数据；
基于第一高度变化数据和第一性能数据确定模型；
获取第二基底的第二高度变化数据；
将第二高度变化数据输入到模型；
通过运行模型，确定第二基底的第二性能数据；以及
基于第二性能数据确定装置的参数。
2.根据项1所述的方法，其中，第一基底和第二基底是相同的基底。
3.根据项1所述的方法，还包括将第一高度变化数据分解为至少一个基底特定指纹，并且其中，模型的确定基于基底特定指纹。
4.根据前述项中任一项所述的方法，其中，性能数据是套刻数据。
5.根据前述项中任一项所述的方法，其中，高度变化数据是调平数据。
6.根据前述项中任一项所述的方法，还包括：
获取第二基底的参考数据；以及
将参考数据输入到模型。
7.根据项6所述的方法，其中，获取参考数据包括第一次运行模型，该方法还包括：存储第二性能数据作为参考数据，以便在模型的后续运行期间输入。
8.根据前述项中任一项所述的方法，其中，参数被监测以调度装置的维护动作。
9.根据项8所述的方法，其中，调度的维护动作涉及用于校准光刻装置中的基底定位的基底支撑件或参考基底。
10.根据前述项中任一项所述的方法，还包括：
提供第一基底的第一对准数据；
基于第一对准数据确定模型；
获取第二基底的第二对准数据；以及
将第二对准数据输入到模型。
11.根据项10所述的方法，还包括基于相应的第一高度变化数据或第二高度变化数据对第一对准数据或第二对准数据的分辨率进行上采样。
12.根据前述项中任一项所述的方法，还包括：
将第二高度变化数据分解为多个子组，并将多个子组中的至少一个子组输入到模型。
13.根据项12所述的方法，其中，子组中的一个包括与第二基底的场特征相关的数据，并且在输入到模型之前从多个子组中的至少一个子组中移除场特征子组。
14.根据前述项中任一项所述的方法，还包括：
以稀疏分辨率获取第二基底的第二性能数据；
将稀疏的第二性能数据输入到模型；以及
使用具有输入数据的模型估计密集的第二性能数据。
15.根据项14所述的方法，还包括使用计量装置从第二基底获取稀疏的第二性能数据。
16.根据前述项中任一项所述的方法，其中，第二基底是参考基底。
17.根据项1至13中任一项所述的方法，其中，第二基底是校准基底。
18.根据前述项中任一项所述的方法，其中，参数是支撑第二基底的装置的基底支撑件的质量的度量。
19.根据项16至18中任一项所述的方法，其中，光刻装置包括参考基底。
20.根据前述项中任一项所述的方法，其中，参数与光刻装置的一个或多个设置相关。
21.根据前述项中任一项所述的方法，其中，光刻装置的一个或多个设置是曝光设置。
22.根据前述项中任一项所述的方法，其中，确定模型包括确定权重和偏差的矩阵。
23.根据前述项中任一项所述的方法，其中，确定模型包括使用机器学习算法。
24.根据前述项中任一项所述的方法，其中，模型包括神经网络。
25.根据前述项中任一项所述的方法，其中，参数涉及计量图。
26.根据项25所述的方法，还包括：基于计量图更新光刻装置的一个或多个设置。
27.根据项26所述的方法，其中，一个或多个设置与光刻装置的位置网格相关。
28.根据前述项中任一项所述的方法，其中，参数涉及光刻装置的预曝光条件，该方法还包括：确定光刻装置的一个或多个设置是否需要校正。
29.根据项28所述的方法，还包括：估计需校正的水平。
30.根据前述项中任一项所述方法，其中，模型包括第一模型和第二模型，其中，第一模型和第二模型具有不同的输入和不同的输出。
31.根据项30所述的方法，其中，以第一周期运行第一模型以确定与第一参数相关的第一输出；并且第二模型以第二周期运行以确定与第二参数相关的第二输出，其中，第一周期大于第二周期。
32.根据项31所述的方法，其中，运行第一模型包括使用校准基底作为第二基底，并且使用第二模型包括使用参考基底作为第二基底。
33.一种通过光刻装置改进曝光的方法，该方法包括：
将基底装载到基底支撑件上的机器中；
确定曝光前基底的高度变化数据；
根据项1至32所述的方法确定光刻装置的参数；
基于参数更新光刻装置；以及
通过光刻装置在基底上曝光图案。
34.一种光刻装置，包括：
处理器，被配置为根据方法项1至33确定参数。
35.一种计算机程序，包括指令，当在至少一个处理器上执行时，该指令使至少一个处理器控制装置以执行根据项1至33中任一项所述的方法。
36.一种载体，包含项35所述的计算机程序，其中，载体是电子信号、光信号、无线电信号或非暂时性计算机可读存储介质中的一种。
37.一种用于控制光刻装置的方法，包括与根据项1至33中任一项所述的方法确定的参数相关联的控制参数的设定点。
38.根据项37所述的用于控制光刻装置的方法，其中，控制参数与套刻误差的控制相关联。
39.根据项38所述的用于控制光刻装置的方法，其中，设定点被提供为描述跨基底的定位误差的高阶模型的系数。
40.根据项37至39所述的方法，其中，方法被配置为周期性地校准光刻装置。
41.根据项40所述的方法，其中，校准被配置为校准光刻装置内的基底定位***和/或基底测量***的坐标系。
42.一种用于校准基底的方法，该方法包括：
获取被训练成将高度变化数据与性能参数数据相关联的模型；
获取基底的高度变化数据；
分解高度变化数据以确定基底的工艺特征；
将与工艺特征相关的数据输入到模型；
运行模型以确定基底和基底标准之间的性能数据的预测偏差；以及
使用性能参数的预测偏差来校准基底。
43.根据项42所述的方法，其中，高度变化数据是调平数据。
44.根据项42至43中任一项所述的方法，其中，性能数据是套刻数据。
45.根据项42至44中任一项所述的方法，其中，与工艺特征相关的数据包括工艺特征。
46.根据项42至45中任一项所述的方法，还包括：
针对多个基底，确定平均工艺特征；以及
从基底的工艺特征中减去平均工艺特征，以确定基底到基底的工艺特征；
其中，与工艺特征相关的数据包括所述基底到基底工艺特征。
47.根据项42至46中任一项所述的方法，其中，工艺特征涉及基底的蚀刻。
48.根据项42至47中任一项所述的方法，其中，基底是参考基底。
本文描述的是通过光刻装置LA改进曝光的方法，其中，该方法包括在通过光刻装置LA曝光之前将基底装载到机器中，其中，机器可以是高度变化计量工具，例如水平传感器。高度变化计量工具可以集成到光刻装置中，在这种情况下，机器可以参考具有集成的高度变化计量工具的光刻装置LA。该方法还包括根据上述方法确定光刻装置的参数。该方法还包括基于参数更新光刻装置LA，以及通过更新的光刻装置LA在基底上曝光图案。更新光刻装置LA可以包括如上所述更新光刻装置LA的一个或多个设置。
本文描述的方法可以用于定义用于控制光刻装置LA的一个或多个方法(recipe)。方法可以包括与根据上述方法确定的参数相关联的控制参数的多个设定点。控制参数可以与光刻装置LA的曝光的套刻误差的控制相关联。多个设定点可以被提供为描述跨基底的定位误差的高阶模型的系数。该方法可以用于校准光刻装置LA。可以周期性地执行基于方法的校准。光刻装置LA的校准可以包括光刻装置内的基底定位***和基底测量***的坐标系中的一个或两者的校准。
光刻装置LA包括处理器，并且可以包括多个处理器。处理器可以连接到载体，载体可以包括在光刻装置LA或连接到光刻装置LA的计算机***CL内。载体可以是电子信号、光信号、无线电信号和非暂时性计算机可读存储介质(例如存储器)中的一种。载体包括指令，当在处理器上执行时，该指令使处理器控制装置以执行如上所述的任何方法。该装置可以是计算机***CL和光刻装置LA中的一个或两者。
尽管在本文中可以具体参考光刻装置在IC制造中的使用，但应当理解，本文中描述的光刻装置可以具有其它应用。其他可能的应用包括集成光学***的制造、磁畴存储器的引导和检测图案、平板显示器、液晶显示器、薄膜磁头等。
尽管在本文中可以在光刻装置的上下文中具体参考本发明的实施例，但本发明的实施例可以用于其它装置。本发明的实施例可以形成掩模检查装置、计量装置或测量或处理诸如晶片(或其它基底)或掩模(或其它图案化设备)的物体的任何装置的一部分。这些装置通常可称为光刻工具。这种光刻工具可以使用真空条件或环境(非真空)条件。
尽管上面已经具体参考了本发明的实施例在光学光刻的上下文中的使用，但是应当理解，在上下文允许的情况下，本发明不限于光学光刻，并且可以用于其它应用，例如压印光刻。
虽然上面已经描述了本发明的具体实施例，但是将理解，本发明可以以不同于所描述的方式来实践。以上描述旨在说明性，而非限制性。因此，对于本领域技术人员来说，显而易见的是，在不脱离所附权利要求的范围的情况下，可以对本发明进行所述的修改。

Claims (20)

1.一种确定光刻装置的参数的方法，所述方法包括：
提供第一基底的第一高度变化数据；
将所述第一高度变化数据至少分解为基底特定指纹；
提供所述第一基底的第一性能数据；
至少部分地基于所述第一高度变化数据、所述第一性能数据和所述基底特定指纹来确定模型；
获取第二基底的第二高度变化数据；
将所述第二高度变化数据输入到所述模型；
通过运行所述模型，确定所述第二基底的第二性能数据；以及
基于所述第二性能数据确定所述装置的参数。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一基底和所述第二基底是相同的基底。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述性能数据是套刻数据，并且所述高度变化数据是调平数据。
4.根据权利要求1所述的方法，还包括：
获取所述第二基底的参考数据；以及
将所述参考数据输入到所述模型。
5.根据权利要求4所述的方法，其中获取所述参考数据包括第一次运行所述模型，所述方法还包括：存储所述第二性能数据作为所述参考数据，以用于在所述模型的后续运行期间输入。
6.根据权利要求1所述的方法，还包括：
提供所述第一基底的第一对准数据；
附加地基于所述第一对准数据确定所述模型；
获取所述第二基底的第二对准数据；以及
将所述第二对准数据输入到所述模型。
7.根据权利要求6所述的方法，还包括：基于相应的第一高度变化数据或第二高度变化数据，对所述第一对准数据或所述第二对准数据的分辨率进行上采样。
8.根据权利要求1所述的方法，还包括：
将所述第二高度变化数据分解为多个子组，并且将所述多个子组中的至少一个子组输入到所述模型。
9.根据权利要求1所述的方法，还包括：
以稀疏分辨率获取所述第二基底的第二性能数据；
将稀疏的所述第二性能数据输入到所述模型；以及
使用具有输入数据的所述模型估计密集的第二性能数据。
10.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二基底是参考基底或校准基底。
11.根据权利要求1所述的方法，其中所述参数是支撑所述第二基底的所述装置的基底支撑件的质量的度量。
12.根据权利要求1所述的方法，其中确定所述模型包括确定权重和偏差的矩阵。
13.根据权利要求1所述的方法，其中所述模型包括第一模型和第二模型，其中所述第一模型和所述第二模型具有不同的输入和不同的输出。
14.根据权利要求13所述的方法，其中所述第一模型以第一周期运行，以确定与第一参数相关的第一输出；以及
所述第二模型以第二周期运行，以确定与第二参数相关的第二输出，其中所述第一周期大于所述第二周期。
15.根据权利要求14所述的方法，其中运行所述第一模型包括：使用校准基底作为所述第二基底，并且使用所述第二模型包括：使用参考基底作为所述第二基底。
16.一种用于校准基底的方法，所述方法包括：
获取被训练成将高度变化数据与性能参数数据相关联的模型；
获取所述基底的高度变化数据；
分解所述高度变化数据，以确定所述基底的工艺特征；
将与所述工艺特征相关的数据输入到所述模型；
运行所述模型，以确定所述基底和基底标准之间的性能数据的预测偏差；以及
使用所述性能参数的所述预测偏差来校准所述基底。
17.根据权利要求16所述的方法，其中所述高度变化数据是调平数据。
18.根据权利要求16所述的方法，其中所述性能数据是套刻数据。
19.根据权利要求16所述的方法，其中与所述工艺特征相关的所述数据包括所述工艺特征。
20.根据权利要求16所述的方法，其中所述基底是参考基底。
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