CN113032222A - 一种抗单粒子功能中断的固态硬盘 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种抗单粒子功能中断的固态硬盘，包括固态硬盘，所述固态硬盘的内部设置有控制芯片，所述控制芯片的一侧连接有闪存阵列，所述控制芯片、闪存阵列的一侧连接有输入输出接口，所述控制芯片远离控制芯片的一侧还连接有监控电路；本发明的抗单粒子功能中断的固态硬盘，是针对目前固态硬盘中控制芯片抗单粒子功能中断能力薄弱的问题，所提出一种抗单粒子功能中断的固态硬盘，可以提高其抗单粒子功能中断能力；通过对固态硬盘增加监控电路并将监控电路和控制芯片进行相互监控，确保消除了SEFI导致的固态硬盘中的控制芯片跑飞而法响应外部接口的操作请求的问题，有效提高了固态硬盘的抗SEFI能力。
Description
技术领域
本发明涉及固态硬盘技术领域，尤其涉及一种抗单粒子功能中断的固态硬盘。
背景技术
固态硬盘凭借其容量大、访问速度快等特点，在航空航天领域得到了越来越广泛的应用；然而，应用于航空航天等恶劣辐射环境的固态硬盘会受到单粒子翻转效应（Single-EventUpset,SEU）和单粒子功能中断效应（Single-EventFunctionalInterrupt,SEFI）的影响而发生错误，造成不可估量的损失；目前，固态硬盘中的闪存颗粒经过多级冗余纠错，其存储的数据抗SEU的能力较强，但固态硬盘中的控制芯片受SEFI的影响较为严重，提高其抗SEFI能力是实现固态硬盘在航空航天等恶劣辐射环境应用的关键；
固态硬盘中的闪存颗粒存储的数据本身具有一定的出错概率，因此一般固态硬盘都构建了多级冗余纠错方式来保证存储数据的正确性，单粒子翻转效应（SEU）同样会造成固态硬盘中存储数据的错误，目前的多级冗余纠错方式也适用于抗SEU加固；此外，大量论文和专利也提出了多种存储器抗SEU加固的方法；然而，固态硬盘中的控制芯片同样会受到单粒子辐照的影响，发生单粒子功能中断（SEFI）效应；
SEFI会对固态硬盘造成两种后果：第一，造成固态硬盘中的控制芯片跑飞，无法响应外部接口的操作请求；第二，造成固态硬盘中的控制芯片操作错误，包括如下但不限于如下情况：1、将错误数据写入错误地址，2、将正确数据写入错误地址；3、将错误数据写入正确地址；4、读地址错误，返回的数据也错误；5、读地址错误，返回错误地址的正确数据；6、读地址正确，返回的数据错误；7、擦除未能完成；针对SEFI对固态硬盘造成的影响，目前尚无针对性的加固方案。
业内对包括固态硬盘在内的存储器进行抗单粒子加固的方法主要集中在对存储数据的抗SEU加固上，目前还未有到固态硬盘抗单粒子功能中断的技术方案。
发明内容
本发明的目的在于提供一种抗单粒子功能中断的固态硬盘，以解决上述背景技术中提出的未有到固态硬盘抗单粒子功能中断的技术方案的问题。
为了实现以上目的，本发明采用的技术方案为：一种抗单粒子功能中断的固态硬盘，包括固态硬盘，所述固态硬盘的内部设置有控制芯片，所述控制芯片的一侧连接有闪存阵列，所述控制芯片、闪存阵列的一侧连接有输入输出接口，所述控制芯片远离控制芯片的一侧还连接有监控电路。
进一步的，所述控制芯片、闪存阵列、监控电路与输入输出接口相互之间电连接。
为了实现以上目的，本发明采用的技术方案为：一种抗单粒子功能中断的固态硬盘的方法，包括以下流程：
S10、监控电路对控制芯片的监控工作流程；
S20、控制芯片对监控电路的监控工作流程；
S30、控制芯片读操作的流程；
S40、控制芯片写操作的流程；
S50、控制芯片擦除操作的流程。
进一步的，所述监控电路对控制芯片的监控工作流程包括：
步骤1：上电，初始化完成时间上限T，初始化时间间隔ΔT，开始监控输入输出接口；
步骤2：等待ΔT时间；
步骤3：对控制芯片发出响应信号A；
步骤4：如果发现输入输出接口对固态硬盘的控制芯片有操作请求信息，则开始计时，置计时变量t=0，转步骤5，否则转步骤2；
步骤5：等待ΔT时间，t值增ΔT；
步骤6：对控制芯片发出响应信号A；
步骤7：如果发现固态硬盘的控制芯片返回输入输出接口操作完成信息，则转步骤2，否则转步骤8。
步骤8：如果计时t≥T，则判断控制芯片发生SEFI，复位并启动控制芯片，转步骤2；否则转步骤5。
进一步的，所述控制芯片对监控电路的监控工作流程包括；
步骤1：上电，初始化等待时间间隔倍数B，初始化计数m=0；
步骤2：等待ΔT时间；
步骤3：如果已经收到监控电路发出的响应信号A，则置m=0，转步骤2，否则m值增1，转步骤4；
步骤4：如果m>B，则判断监控电路发生SEFI，复位并启动监控电路，置m=0，转步骤1；否则转步骤2。
进一步的，所述监控电路可以判断输入输出接口对固态硬盘控制芯片的操作请求类型，针对不同的操作请求类型设置不同的完成时间上限。
进一步的，所述根据监控电路和控制芯片的抗SEFI特性，配置ΔT范围在1毫秒至10秒之间，确保监控电路和控制芯片不会同时发生SEFI。
进一步的，所述控制芯片读操作的流程包括；
步骤1：收到输入输出接口对逻辑块地址P0的读请求；
步骤2：进行第一次读操作：
步骤201：将逻辑块地址P0转换为物理块地址P1；
步骤202：从闪存阵列读出物理块地址P1的数据Q1；
步骤3：进行第二次读操作：
步骤301：将逻辑块地址P0转换为物理块地址P2；
步骤302：从闪存阵列读出物理块地址P2的数据Q2；
步骤4：比较是否P1=P2且Q1=Q2，如果是，转步骤8，否则转步骤5；
步骤5：进行第三次读操作：
步骤501：将逻辑块地址P0转换为物理块地址P3；
步骤502：从闪存阵列读出物理块地址P3的数据Q3；
步骤6：比较是否P1=P3且Q1=Q3，如果是，转步骤8，否则转步骤7；
步骤7：比较是否P2=P3且Q2=Q3，如果是，转步骤9，否则判断发生SEFI且不可恢复，返回输入输出接口读操作失败，结束；
步骤8：返回输入输出接口数据Q1，结束；
步骤9：返回输入输出接口数据Q2，结束。
进一步的，所述控制芯片写操作的流程包括。
步骤1：收到输入输出接口将数据Q0写入逻辑块地址P0的写请求；
步骤2：将逻辑块地址P0转换为物理块地址P1；
步骤3：将逻辑块地址P0转换为物理块地址P2；
步骤4：比较是否P1=P2，如果是，转步骤8，否则转步骤5；
步骤5：将逻辑块地址P0转换为物理块地址P3；
步骤6：比较是否P1=P3，如果是，转步骤8，否则转步骤7；
步骤7：比较是否P2=P3，如果是，转步骤9，否则判断发生SEFI且不可恢复，返回输入输出接口写操作失败；
步骤8：将数据Q0写入闪存阵列的物理块地址P1，转步骤10；
步骤9：将数据Q0写入闪存阵列的物理块地址P2，转步骤11；
步骤10：从闪存阵列读出物理块地址P1的数据Q1，转步骤12；
步骤11：从闪存阵列读出物理块地址P2的数据Q1，转步骤12；
步骤12：比较是否Q0=Q1，如果是，返回输入输出接口写操作完成；否则判断发生SEFI且不可恢复，返回输入输出接口写操作失败。
进一步的，所述控制芯片擦除操作的流程包括：
步骤1：收到输入输出接口对逻辑块地址P0的擦除请求；
步骤2：将逻辑块地址P0转换为物理块地址P1；
步骤3：将逻辑块地址P0转换为物理块地址P2；
步骤4：比较是否P1=P2，如果是，转步骤8，否则转步骤5；
步骤5：将逻辑块地址P0转换为物理块地址P3；
步骤6：比较是否P1=P3，如果是，转步骤8，否则转步骤7；
步骤7：比较是否P2=P3，如果是，转步骤9，否则判断发生SEFI且不可恢复，返回输入输出接口擦除操作失败；
步骤8：擦除闪存阵列的物理块地址P1，转步骤10；
步骤9：擦除闪存阵列的物理块地址P2，转步骤11；
步骤10：从闪存阵列读出物理块地址P1的数据Q1，转步骤12；
步骤11：从闪存阵列读出物理块地址P2的数据Q1，转步骤12；
步骤12：是否Q1已全部擦除，如果是，返回输入输出接口擦除操作完成；否则判断发生SEFI且不可恢复，返回输入输出接口擦除操作失败。
本发明的有益效果为：
1.本发明的抗单粒子功能中断的固态硬盘，是针对目前固态硬盘中控制芯片抗单粒子功能中断能力薄弱的问题，所提出一种抗单粒子功能中断的固态硬盘，可以提高其抗单粒子功能中断能力；
2.本发明的抗单粒子功能中断的固态硬盘，通过对固态硬盘增加监控电路并将监控电路和控制芯片进行相互监控，确保消除了SEFI导致的固态硬盘中的控制芯片跑飞而法响应外部接口的操作请求的问题，有效提高了固态硬盘的抗SEFI能力；
3.本发明的抗单粒子功能中断的固态硬盘，通过多次操作并交叉检查的方式，消除了SEFI导致的固态硬盘中控制芯片的可恢复的操作错误，并对不可恢复的操作错误进行报警，有效提高了固态硬盘的抗SEFI能力。
附图说明
图1为本发明一种抗单粒子功能中断的固态硬盘流程图；
图2为本发明一种抗单粒子功能中断的固态硬盘方法的监控电路对控制芯片的监控工作流程图；
图3为本发明一种抗单粒子功能中断的固态硬盘的方法的控制芯片对监控电路的监控工作流程图；
图4为本发明一种抗单粒子功能中断的固态硬盘的方法的控制芯片读操作的流程图；
图5为本发明一种抗单粒子功能中断的固态硬盘的方法的控制芯片写操作的流程图；
图6为本发明一种抗单粒子功能中断的固态硬盘的方法的控制芯片擦除操作的流程图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
如图1，本发明提供一种技术方案：一种抗单粒子功能中断的固态硬盘，包括控制芯片1、闪存阵列2、监控电路3、输入输出接口4和固态硬盘5，所述固态硬盘5的内部设置有控制芯片1，所述控制芯片1的一侧连接有闪存阵列2，所述控制芯片1、闪存阵列2的一侧连接有输入输出接口4，所述控制芯片1远离控制芯片1的一侧还连接有监控电路3；
优选的，所述控制芯片1、闪存阵列2、监控电路3与输入输出接口4相互之间电连接，控制芯片1连接闪存阵列2和监控电路3，并通过输入输出接口4与外界通信。控制芯片1用来与输入输出接口4和监控电路3交互数据，用来监控电路3电路的复位和启动，用来读写闪存阵列2中的数据、擦除闪存阵列2中所有数据，闪存阵列2存储数据，用来在控制芯片1的控制下存储、输出、擦除数据，监控电路3连接控制芯片1，用来与控制芯片1交互数据，控制控制芯片1的复位和启动，监控和记录输入数据接口的数据。
如图2-6，本发明提供一种技术方案：一种抗单粒子功能中断的固态硬盘的方法，包括以下流程：
监控电路对控制芯片的监控工作流程；
控制芯片对监控电路的监控工作流程；
控制芯片读操作的流程；
控制芯片写操作的流程；
控制芯片擦除操作的流程。
如图2，本发明实施提供的监控电路对控制芯片的监控工作流程包括：
步骤1：上电，初始化完成时间上限T，初始化时间间隔ΔT，开始监控输入输出接口；
步骤2：等待ΔT时间；
步骤3：对控制芯片发出响应信号A；
步骤4：如果发现输入输出接口对固态硬盘的控制芯片有操作请求信息，则开始计时，置计时变量t=0，转步骤5，否则转步骤2；
步骤5：等待ΔT时间，t值增ΔT；
步骤6：对控制芯片发出响应信号A；
步骤7：如果发现固态硬盘的控制芯片返回输入输出接口操作完成信息，则转步骤2，否则转步骤8。
步骤8：如果计时t≥T，则判断控制芯片发生SEFI，复位并启动控制芯片，转步骤2；否则转步骤5。
如图3，本发明实施提供的控制芯片对监控电路的监控工作流程包括；
步骤1：上电，初始化等待时间间隔倍数B，初始化计数m=0；
步骤2：等待ΔT时间；
步骤3：如果已经收到监控电路发出的响应信号A，则置m=0，转步骤2，否则m值增1，转步骤4；
步骤4：如果m>B，则判断监控电路发生SEFI，复位并启动监控电路，置m=0，转步骤1；否则转步骤2。
优选的，所述监控电路可以判断输入输出接口对固态硬盘控制芯片的操作请求类型，针对不同的操作请求类型设置不同的完成时间上限。
优选的，所述根据监控电路和控制芯片的抗SEFI特性，配置ΔT范围在1毫秒至10秒之间，确保监控电路和控制芯片不会同时发生SEFI。
如图4，本发明实施提供的控制芯片读操作的流程包括；
步骤1：收到输入输出接口对逻辑块地址P0的读请求；
步骤2：进行第一次读操作：
步骤201：将逻辑块地址P0转换为物理块地址P1；
步骤202：从闪存阵列读出物理块地址P1的数据Q1；
步骤3：进行第二次读操作：
步骤301：将逻辑块地址P0转换为物理块地址P2；
步骤302：从闪存阵列读出物理块地址P2的数据Q2；
步骤4：比较是否P1=P2且Q1=Q2，如果是，转步骤8，否则转步骤5；
步骤5：进行第三次读操作：
步骤501：将逻辑块地址P0转换为物理块地址P3；
步骤502：从闪存阵列读出物理块地址P3的数据Q3；
步骤6：比较是否P1=P3且Q1=Q3，如果是，转步骤8，否则转步骤7；
步骤7：比较是否P2=P3且Q2=Q3，如果是，转步骤9，否则判断发生SEFI且不可恢复，返回输入输出接口读操作失败，结束；
步骤8：返回输入输出接口数据Q1，结束；
步骤9：返回输入输出接口数据Q2，结束
如图5，本发明实施提供的控制芯片写操作的流程包括。
步骤1：收到输入输出接口将数据Q0写入逻辑块地址P0的写请求；
步骤2：将逻辑块地址P0转换为物理块地址P1；
步骤3：将逻辑块地址P0转换为物理块地址P2；
步骤4：比较是否P1=P2，如果是，转步骤8，否则转步骤5；
步骤5：将逻辑块地址P0转换为物理块地址P3；
步骤6：比较是否P1=P3，如果是，转步骤8，否则转步骤7；
步骤7：比较是否P2=P3，如果是，转步骤9，否则判断发生SEFI且不可恢复，返回输入输出接口写操作失败；
步骤8：将数据Q0写入闪存阵列的物理块地址P1，转步骤10；
步骤9：将数据Q0写入闪存阵列的物理块地址P2，转步骤11；
步骤10：从闪存阵列读出物理块地址P1的数据Q1，转步骤12；
步骤11：从闪存阵列读出物理块地址P2的数据Q1，转步骤12；
步骤12：比较是否Q0=Q1，如果是，返回输入输出接口写操作完成；否则判断发生SEFI且不可恢复，返回输入输出接口写操作失败
如图6，本发明实施提供的控制芯片擦除操作的流程包括：
步骤1：收到输入输出接口对逻辑块地址P0的擦除请求；
步骤2：将逻辑块地址P0转换为物理块地址P1；
步骤3：将逻辑块地址P0转换为物理块地址P2；
步骤4：比较是否P1=P2，如果是，转步骤8，否则转步骤5；
步骤5：将逻辑块地址P0转换为物理块地址P3；
步骤6：比较是否P1=P3，如果是，转步骤8，否则转步骤7；
步骤7：比较是否P2=P3，如果是，转步骤9，否则判断发生SEFI且不可恢复，返回输入输出接口擦除操作失败；
步骤8：擦除闪存阵列的物理块地址P1，转步骤10；
步骤9：擦除闪存阵列的物理块地址P2，转步骤11；
步骤10：从闪存阵列读出物理块地址P1的数据Q1，转步骤12；
步骤11：从闪存阵列读出物理块地址P2的数据Q1，转步骤12；
步骤12：是否Q1已全部擦除，如果是，返回输入输出接口擦除操作完成；否则判断发生SEFI且不可恢复，返回输入输出接口擦除操作失败。
需要说明的是，在本文中，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。
本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想。以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，由于文字表达的有限性，而客观上存在无限的具体结构，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进、润饰或变化，也可以将上述技术特征以适当的方式进行组合；这些改进润饰、变化或组合，或未经改进将发明的构思和技术方案直接应用于其它场合的，均应视为本发明的保护范围。
Claims (10)
1.一种抗单粒子功能中断的固态硬盘，包括固态硬盘（5），其特征在于：所述固态硬盘（5）的内部设置有控制芯片（1），所述控制芯片（1）的一侧连接有闪存阵列（2），所述控制芯片（1）、闪存阵列（2）的一侧连接有输入输出接口（4），所述控制芯片（1）远离控制芯片（1）的一侧还连接有监控电路（3）。
2.根据权利要求1所述的一种抗单粒子功能中断的固态硬盘方法，其特征在于：所述控制芯片（1）、闪存阵列（2）、监控电路（3）与输入输出接口（4）相互之间电连接。
3.根据权利要求1所述的一种抗单粒子功能中断的固态硬盘方法，其特征在于：包括以下流程：
所述监控电路对控制芯片的监控工作流程；
所述控制芯片对监控电路的监控工作流程；
所述控制芯片读操作的流程；
所述控制芯片写操作的流程；
所述控制芯片擦除操作的流程。
4.根据权利要求3所述的一种抗单粒子功能中断的固态硬盘方法，其特征在于：所述监控电路对控制芯片的监控工作流程，包括：
S10：上电，初始化完成时间上限T，初始化时间间隔ΔT，开始监控输入输出接口
步骤2：等待ΔT时间；
步骤3：对控制芯片发出响应信号A；
步骤4：如果发现输入输出接口对固态硬盘的控制芯片有操作请求信息，则开始计时，置计时变量t=0，转步骤5，否则转步骤2；
步骤5：等待ΔT时间，t值增ΔT；
步骤6：对控制芯片发出响应信号A；
步骤7：如果发现固态硬盘的控制芯片返回输入输出接口操作完成信息，则转步骤2，否则转步骤8；
步骤8：如果计时t≥T，则判断控制芯片发生SEFI，复位并启动控制芯片，转步骤2；否则转步骤5。
5.根据权利要求3所述的一种抗单粒子功能中断的固态硬盘，其特征在于：所述控制芯片对监控电路的监控工作流程，包括：
步骤1：上电，初始化等待时间间隔倍数B，初始化计数m=0；
步骤2：等待ΔT时间；
步骤3：如果已经收到监控电路发出的响应信号A，则置m=0，转步骤2，否则m值增1，转步骤4；
步骤4：如果m>B，则判断监控电路发生SEFI，复位并启动监控电路，置m=0，转步骤1；否则转步骤2。
6.根据权利要求5所述的一种抗单粒子功能中断的固态硬盘，其特征在于：所述监控电路可以判断输入输出接口对固态硬盘控制芯片的操作请求类型，针对不同的操作请求类型设置不同的完成时间上限。
7.根据权利要求6所述的一种抗单粒子功能中断的固态硬盘，其特征在于：所述根据监控电路和控制芯片的抗SEFI特性，配置ΔT范围在1毫秒至10秒之间，确保监控电路和控制芯片不会同时发生SEFI。
8.根据权利要求3所述的一种抗单粒子功能中断的固态硬盘，其特征在于：所述控制芯片读操作的流程，包括：
步骤1：收到输入输出接口对逻辑块地址P0的读请求；
步骤2：进行第一次读操作：
步骤201：将逻辑块地址P0转换为物理块地址P1；
步骤202：从闪存阵列读出物理块地址P1的数据Q1；
步骤3：进行第二次读操作：
步骤301：将逻辑块地址P0转换为物理块地址P2；
步骤302：从闪存阵列读出物理块地址P2的数据Q2；
步骤4：比较是否P1=P2且Q1=Q2，如果是，转步骤8，否则转步骤5；
步骤5：进行第三次读操作：
步骤501：将逻辑块地址P0转换为物理块地址P3；
步骤502：从闪存阵列读出物理块地址P3的数据Q3；
步骤6：比较是否P1=P3且Q1=Q3，如果是，转步骤8，否则转步骤7；
步骤7：比较是否P2=P3且Q2=Q3，如果是，转步骤9，否则判断发生SEFI且不可恢复，返回输入输出接口读操作失败，结束；
步骤8：返回输入输出接口数据Q1，结束；
步骤9：返回输入输出接口数据Q2，结束。
9.根据权利要求3所述的一种抗单粒子功能中断的固态硬盘，其特征在于：所述S40、控制芯片写操作的流程包括：
步骤1：收到输入输出接口将数据Q0写入逻辑块地址P0的写请求；
步骤2：将逻辑块地址P0转换为物理块地址P1；
步骤3：将逻辑块地址P0转换为物理块地址P2；
步骤4：比较是否P1=P2，如果是，转步骤8，否则转步骤5；
步骤5：将逻辑块地址P0转换为物理块地址P3；
步骤6：比较是否P1=P3，如果是，转步骤8，否则转步骤7；
步骤7：比较是否P2=P3，如果是，转步骤9，否则判断发生SEFI且不可恢复，返回输入输出接口写操作失败；
步骤8：将数据Q0写入闪存阵列的物理块地址P1，转步骤10；
步骤9：将数据Q0写入闪存阵列的物理块地址P2，转步骤11；
步骤10：从闪存阵列读出物理块地址P1的数据Q1，转步骤12；
步骤11：从闪存阵列读出物理块地址P2的数据Q1，转步骤12；
步骤12：比较是否Q0=Q1，如果是，返回输入输出接口写操作完成；否则判断发生SEFI且不可恢复，返回输入输出接口写操作失败。
10.根据权利要求3所述的一种抗单粒子功能中断的固态硬盘，其特征在于：所述S50、控制芯片擦除操作的流程包括：
步骤1：收到输入输出接口对逻辑块地址P0的擦除请求；
步骤2：将逻辑块地址P0转换为物理块地址P1；
步骤3：将逻辑块地址P0转换为物理块地址P2；
步骤4：比较是否P1=P2，如果是，转步骤8，否则转步骤5；
步骤5：将逻辑块地址P0转换为物理块地址P3；
步骤6：比较是否P1=P3，如果是，转步骤8，否则转步骤7；
步骤7：比较是否P2=P3，如果是，转步骤9，否则判断发生SEFI且不可恢复，返回输入输出接口擦除操作失败；
步骤8：擦除闪存阵列的物理块地址P1，转步骤10；
步骤9：擦除闪存阵列的物理块地址P2，转步骤11；
步骤10：从闪存阵列读出物理块地址P1的数据Q1，转步骤12；
步骤11：从闪存阵列读出物理块地址P2的数据Q1，转步骤12。
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|---|---|
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Citations (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20050005203A1 (en) * | 2003-01-28 | 2005-01-06 | Czajkowski David R. | SEU and SEFI fault tolerant computer |
| CN1760676A (zh) * | 2004-10-14 | 2006-04-19 | 中国科学院空间科学与应用研究中心 | 一种检测微处理器抗单粒子事件能力的探测器及方法 |
| US7036059B1 (en) * | 2001-02-14 | 2006-04-25 | Xilinx, Inc. | Techniques for mitigating, detecting and correcting single event upset effects in systems using SRAM-based field programmable gate arrays |
| CN101145118A (zh) * | 2007-10-30 | 2008-03-19 | 北京时代民芯科技有限公司 | Sparc处理器单粒子效应检测装置与检测方法 |
| CN102332311A (zh) * | 2011-10-18 | 2012-01-25 | 中国航天科技集团公司第五研究院第五一〇研究所 | 一种基于fpga的nand flash器件单粒子效应测试方法 |
| CN103744014A (zh) * | 2013-12-24 | 2014-04-23 | 北京微电子技术研究所 | 一种sram型fpga单粒子辐照试验测试***及方法 |
| US20140247068A1 (en) * | 2011-10-21 | 2014-09-04 | Nelson Mandela Metropolitan University | Method and circuit structure for suppressing single event transients or glitches in digital electronic circuits |
| US20140281810A1 (en) * | 2013-03-15 | 2014-09-18 | Silicon Space Technology Corporation | Memory circuit incorporating error detection and correction (edac), method of operation, and system |
| CN104461808A (zh) * | 2014-11-06 | 2015-03-25 | 北京空间飞行器总体设计部 | 一种fpga单粒子软错误影响评估方法 |
| CN104483622A (zh) * | 2014-11-27 | 2015-04-01 | 北京时代民芯科技有限公司 | 一种基于jtag接口的单粒子辐照试验测试***及方法 |
| CN105653771A (zh) * | 2015-12-25 | 2016-06-08 | 北京时代民芯科技有限公司 | 一种通过逻辑设计提高芯片抗单粒子翻转能力的方法 |
| US20160188395A1 (en) * | 2014-07-29 | 2016-06-30 | SEAKR Engineering, Inc. | Robust serdes wrapper |
| CN106130545A (zh) * | 2016-06-17 | 2016-11-16 | 中国电子科技集团公司第五十八研究所 | 一种抗单粒子辐射的自偏置pll加固结构 |
| CN106788340A (zh) * | 2017-01-12 | 2017-05-31 | 深圳大学 | 一种抗单粒子翻转的同步置位d触发器 |
| CN107678896A (zh) * | 2017-09-13 | 2018-02-09 | 湖南斯北图科技有限公司 | 一种sram型fpga翻转故障注入器及故障注入方法 |
| CN108491296A (zh) * | 2018-03-09 | 2018-09-04 | 中国人民解放军国防科技大学 | 微处理器单粒子翻转截面的测试方法 |
| CN110119539A (zh) * | 2019-04-17 | 2019-08-13 | 西北核技术研究所 | 一种组合逻辑电路单粒子翻转效应传播规律的分析方法 |
-
2021
- 2021-04-13 CN CN202110393004.0A patent/CN113032222B/zh active Active
Patent Citations (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7036059B1 (en) * | 2001-02-14 | 2006-04-25 | Xilinx, Inc. | Techniques for mitigating, detecting and correcting single event upset effects in systems using SRAM-based field programmable gate arrays |
| US20050005203A1 (en) * | 2003-01-28 | 2005-01-06 | Czajkowski David R. | SEU and SEFI fault tolerant computer |
| CN1760676A (zh) * | 2004-10-14 | 2006-04-19 | 中国科学院空间科学与应用研究中心 | 一种检测微处理器抗单粒子事件能力的探测器及方法 |
| CN101145118A (zh) * | 2007-10-30 | 2008-03-19 | 北京时代民芯科技有限公司 | Sparc处理器单粒子效应检测装置与检测方法 |
| CN102332311A (zh) * | 2011-10-18 | 2012-01-25 | 中国航天科技集团公司第五研究院第五一〇研究所 | 一种基于fpga的nand flash器件单粒子效应测试方法 |
| US20140247068A1 (en) * | 2011-10-21 | 2014-09-04 | Nelson Mandela Metropolitan University | Method and circuit structure for suppressing single event transients or glitches in digital electronic circuits |
| US20140281810A1 (en) * | 2013-03-15 | 2014-09-18 | Silicon Space Technology Corporation | Memory circuit incorporating error detection and correction (edac), method of operation, and system |
| CN103744014A (zh) * | 2013-12-24 | 2014-04-23 | 北京微电子技术研究所 | 一种sram型fpga单粒子辐照试验测试***及方法 |
| US20160188395A1 (en) * | 2014-07-29 | 2016-06-30 | SEAKR Engineering, Inc. | Robust serdes wrapper |
| CN104461808A (zh) * | 2014-11-06 | 2015-03-25 | 北京空间飞行器总体设计部 | 一种fpga单粒子软错误影响评估方法 |
| CN104483622A (zh) * | 2014-11-27 | 2015-04-01 | 北京时代民芯科技有限公司 | 一种基于jtag接口的单粒子辐照试验测试***及方法 |
| CN105653771A (zh) * | 2015-12-25 | 2016-06-08 | 北京时代民芯科技有限公司 | 一种通过逻辑设计提高芯片抗单粒子翻转能力的方法 |
| CN106130545A (zh) * | 2016-06-17 | 2016-11-16 | 中国电子科技集团公司第五十八研究所 | 一种抗单粒子辐射的自偏置pll加固结构 |
| CN106788340A (zh) * | 2017-01-12 | 2017-05-31 | 深圳大学 | 一种抗单粒子翻转的同步置位d触发器 |
| CN107678896A (zh) * | 2017-09-13 | 2018-02-09 | 湖南斯北图科技有限公司 | 一种sram型fpga翻转故障注入器及故障注入方法 |
| CN108491296A (zh) * | 2018-03-09 | 2018-09-04 | 中国人民解放军国防科技大学 | 微处理器单粒子翻转截面的测试方法 |
| CN110119539A (zh) * | 2019-04-17 | 2019-08-13 | 西北核技术研究所 | 一种组合逻辑电路单粒子翻转效应传播规律的分析方法 |
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