CN113031687B - 一种内嵌校准算法的高精度高低温监测电路及校准方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种内嵌校准算法的高精度高低温监测电路，包括高低温监测整体电路和校准控制逻辑电路；所述高低温监测整体电路包括带隙基准电路、时序控制电路、高低温监测电路、高低温监测判断电路以及输出控制逻辑电路；本发明还涉及一种内嵌校准算法的高精度高低温监测电路的校准方法。本发明可在任意常温(10℃～41℃)下，自动化实现校准高低温检测阈值，提高了芯片的结温测量精度，进而提高芯片的良率，同时大幅降低了在低温和高温下进行测试的工作量，大幅降低了测试的成本。

Description

一种内嵌校准算法的高精度高低温监测电路及校准方法

技术领域

本发明涉及半导体集成电路电路技术领域，具体涉及一种内嵌校准算法的高精度高低温监测电路及校准方法。

背景技术

在半导体芯片内，内部结温监测器用来监测芯片内部实时结温，用来确保芯片不出现工作异常状态或者不受损坏，通常包含高温监测器和低温监测器。

当芯片的结温高于某设定温度阈值(比如110℃)或者低于某设定温度阈值(比如-30℃)时，会输出预警信号给片上***芯片，片上***芯片会根据设定的规则做出相应的保护操作。

目前市面上，芯片内部结温监测器通常没有校准算法电路。受芯片的工艺制程影响，通常情况下，对于这样的温度监测器，其设置的温度监测阈值在不同芯片之间差异非常大，有的甚至达到二十多摄氏度的偏差，导致良率非常的低。而且在低温(比如-35℃左右)和高温(比如110℃左右)下进行测试，会导致测试的效率非常低，测试时间成本和经济成本都非常的高。

发明内容

本发明的目的是：提供了一种内嵌校准算法的高精度高低温监测电路，可在任意常温(10℃～41℃)下，自动化校准高低温监测阈值，提高了芯片的结温监测精度，进而提高了芯片的良率，大幅降低了在低温和高温下的测试成本。

为了实现上述目的，本发明提供如下的技术方案：

一种内嵌校准算法的高精度高低温监测电路，包括高低温监测整体电路和校准控制逻辑电路；所述高低温监测整体电路包括带隙基准电路、时序控制电路、高低温监测电路、高低温监测判断电路以及输出控制逻辑电路；所述校准控制逻辑电路在校准使能打开后进入校准模式，完成电路监测阈值的校准；所述高低温监测判断电路判断进入高温监测状态或者低温监测状态；所述带隙基准电路产生随温度成正比的电压信号与参考电压信号；所述高低温监测电路产生初步高温监测结果或者初步低温监测结果；所述输出控制逻辑电路产生最终的高温监测结果和最终的低温监测结果；所述校准控制逻辑电路与带隙基准电路电性连接，并且校准控制逻辑电路可向带隙基准电路产生第一输出；所述高低温监测判断电路与带隙基准电路、高低温监测电路以及输出控制逻辑电路电性连接，并且可分别向带隙基准电路、高低温监测电路以及输出控制逻辑电路产生第二输出；所述带隙基准电路与高低温监测电路和高低温监测判断电路电性连接，并且带隙基准电路可向高低温监测电路和高低温监测判断电路产生第三输出；所述高低温监测电路与输出控制逻辑电路电性连接，并且高低温监测电路可向输出控制逻辑电路产生第四输出；所述输出控制逻辑电路与校准控制逻辑电路电性连接，并且输出控制逻辑电路可向校准控制逻辑电路产生第五输出，所述输出控制逻辑电路还可向外部电路产生第六输出。

进一步的，所述带隙基准电路包括带隙基准启动电路和偏置电路；由第一晶体管mp1、第二晶体管mp2、第一电阻串以及第一三极管Q1依次串联组成的电路与带隙基准启动电路和偏置电路相并联；由第三晶体管mp3、第四晶体管mp4以及第二三极管Q0依次串联组成的电路与带隙基准启动电路和偏置电路相并联；由第五晶体管mp5、第六晶体管mp6以及第二电阻串依次串联组成的电路与带隙基准启动电路和偏置电路相并联；由第七晶体管mp7、第八晶体管mp8以及第三电阻串依次串联组成的电路与带隙基准启动电路和偏置电路相并联；由第九晶体管mp9和第十晶体管mp10串联组成的电路与第十一晶体管mp11和第十二晶体管mp12串联组成的电路相并联，然后与第四电阻串串联后形成参考电压电路，该参考电压电路与带隙基准启动电路和偏置电路相并联。

进一步的，所述带隙基准电路还包括第一运放器和第二运放器，所述第一运放器的输出端分别与第一晶体管mp1、第三晶体管mp3、第七晶体管mp7以及第九晶体管mp9的栅极电性连接，所述第一运放器的两个输入端分别与第一电阻串和第二三极管Q0电性连接；所述第二运放器的输出端分别与第五晶体管mp5和第十一晶体管mp11的栅极电性连接，所述第二运放器的输入端分别与第二三极管Q0和第二电阻串连接。

进一步的，所述第二晶体管mp2、第四晶体管mp4、第六晶体管mp6、第八晶体管mp8、第十晶体管mp10以及第十二晶体管mp12的栅极均电性连接；所述第二电阻串分别与校准控制逻辑电路和高低温监测判断电路电性连接；所述第三电阻串与高低温监测电路电性连接；所述第四电阻串分别与校准控制逻辑电路和高低温监测电路电性连接。

一种内嵌校准算法的高精度高低温监测电路的校准方法，基于一种内嵌校准算法的高精度高低温监测电路，包括以下步骤：

步骤一：校准准备,保证芯片温度与当前环境温度一致，测量当前的实时环境温度，配置当前实时温度对应的配置值，同时配置带隙基准参考信号调整阈值为中间值，即配置vref_adj<5:0>＝b’100000；

步骤二：校准使能，即将校准使能信号calibration_en置为1；

步骤三：校准使能之后，芯片进入自动校准状态；带隙基准产生的随温度成正比的电压信号vout_ts与参考电压信号tn进行比较，产生校准比较结果信号tdout_cm；

步骤四：根据校准比较结果信号tdout_cm判断当前参考电压信号是偏高还是偏低，或者已是理想状态；

如果校准比较结果信号tdout_cm为高电平，说明当前参考电压信号偏低，校准逻辑会将vref_adj<5:0>加1；

如果校准比较结果信号tdout_cm为低电平，说明当前参考电压信号偏高或者处于理想状态，校准逻辑会将vref_adj<5:0>减1；

步骤五：带隙基准参考信号调整控制信号vref_adj<5:0>改变之后，带隙基准参考信号会做出改变，重复步骤三，产生新的校准比较结果信号tdout_cm；

如果此时校准比较结果信号tdout_cm为高电平，而上次比较结果为低电平时，说明上次比较结果是理想状态，将带隙基准参考信号调整控制信号vref_adj<5:0>加1，跳转到步骤六；

如果此时校准比较结果信号tdout_cm为高电平，而上次比较结果也是高电平时，说明当前参考电压信号仍然偏低，校准逻辑会继续将vref_adj<5:0>加1，重复步骤三和步骤五，依次自动循环，如果vref_adj<5:0>的值大于63，校准失败，给出校准失败标志，跳至步骤六；

如果此时校准比较结果信号tdout_cm为低电平，说明当前参考电压信号仍然偏高或者已经处于理想状态，校准逻辑会继续将vref_adj<5:0>减1，重复步骤三和步骤五，依次自动循环，如果vref_adj<5:0>的值小于0，校准失败，给出校准失败标志，跳至步骤六；

步骤六：校准完成。

本发明的有益效果为：一种内嵌校准算法的高精度高低温监测电路，通过带隙基准电路、时序控制电路、高低温监测电路、高低温监测判断电路、输出控制逻辑电路以及校准控制逻辑电路的配合使用，可在任意常温(10℃～41℃)下，自动化实现校准高低温检测阈值，提高了芯片的结温测量精度，可将测得的温度偏差缩小至1℃之内，进而提高了芯片的良率，大幅降低了在低温和高温下进行测试的工作量，提升测试效率，大幅降低了在低温和高温下的测试成本。

附图说明

图1为本发明一种内嵌校准算法的高精度高低温监测电路的电路模块示意图。

图2为本发明一种内嵌校准算法的高精度高低温监测电路的带隙基准电路的电路示意图。

图3为低温、常温以及高温三种温度环境下的基准信号曲线。

图4为本发明一种内嵌校准算法的高精度高低温监测电路的校准方法的流程示意图。

图5为本发明一种内嵌校准算法的高精度高低温监测电路的校准方法的实时温度配置二进制对照图。

图中：100、高低温监测整体电路；101、带隙基准电路；102、时序控制电路；103、高低温监测电路；104、高低温监测判断电路；105、输出控制逻辑电路；106、校准控制逻辑电路。

1011、第一运放器；1012、第二运放器；1013、第一电阻串；1014、第二电阻串；1015、第三电阻串；1016、第四电阻串。

具体实施方式

为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明作进一步的详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

参考图1至图3，一种提高芯片结温测量精度的校准算法电路，包括高低温监测整体电路100和校准控制逻辑电路106；所述高低温监测整体电路100包括带隙基准电路101、时序控制电路102、高低温监测电路103、高低温监测判断电路104以及输出控制逻辑电路105；所述校准控制逻辑电路106在校准使能打开后进入校准模式，完成电路监测阈值的校准；所述高低温监测判断电路104判断进入高温监测状态或者低温监测状态，并将结果输出至带隙基准电路101和高低温监测电路103；所述带隙基准电路101产生随温度成正比的电压信号与参考电压信号，并将随温度成正比的电压与参考电压输出至高低温监测电路103；所述高低温监测电路103产生初步高温监测结果或者初步低温监测结果，并将结果输出至输出控制逻辑电路105；所述输出控制逻辑电路105产生最终的高温监测结果和最终的低温监测结果，并将结果输出。

所述带隙基准电路101用于产生随温度成正比的电压信号、产生与电源和温度几乎无关的参考电压信号。所述时序控制电路102用于对整个高低温监测整体电路100的时序进行控制，确保各模块的有序开启和关闭，确保各个工作模式之间的有序切换。所述高低温监测电路103用于比较随温度成正比的电压信号与参考电压信号，给出高低温监测结果。所述高低温监测判断电路104用于初步判断当前芯片结温，从而使得高低温监测电路进入高温监测状态或低温监测状态。所述输出控制逻辑电路105用于根据当前的工作模式，给出最终的高低温监测结果。所述校准控制逻辑电路106用于在常温下，进入校准模式，完成出厂校准。

所述校准控制逻辑电路106与带隙基准电路101电性连接，并且校准控制逻辑电路106可向带隙基准电路101产生第一输出；所述高低温监测判断电路104与带隙基准电路101、高低温监测电路103以及输出控制逻辑电路105电性连接，并且可分别向带隙基准电路101、高低温监测电路103以及输出控制逻辑电路105产生第二输出，所述第二输出具体为td_state；所述带隙基准电路101与高低温监测电路103和高低温监测判断电路104电性连接，并且带隙基准电路101可向高低温监测电路103和高低温监测判断电路104产生第三输出；所述高低温监测电路103与输出控制逻辑电路105电性连接，并且高低温监测电路103可向输出控制逻辑电路105产生第四输出；所述输出控制逻辑电路105与校准控制逻辑电路106电性连接，并且输出控制逻辑电路105可向校准控制逻辑电路106产生第五输出，所述输出控制逻辑电路105还可向外部电路产生第六输出，所述第六输出对应高温检测结果htdout和低温检测结果ltdout。

所述带隙基准电路101包括带隙基准启动电路和偏置电路1010，所述带隙基准启动电路和偏置电路1010作为带隙基准电路101的正常启动和运行保证电路；由第一晶体管mp1、第二晶体管mp2、第一电阻串1013以及第一三极管Q1依次串联组成的电路与带隙基准启动电路和偏置电路1010相并联；由第三晶体管mp3、第四晶体管mp4以及第二三极管Q0依次串联组成的电路与带隙基准启动电路和偏置电路1010相并联；由第五晶体管mp5、第六晶体管mp6以及第二电阻串1014依次串联组成的电路与带隙基准启动电路和偏置电路1010相并联；由第七晶体管mp7、第八晶体管mp8以及第三电阻串1015依次串联组成的电路与带隙基准启动电路和偏置电路1010相并联；由第九晶体管mp9和第十晶体管mp10串联组成的电路与第十一晶体管mp11和第十二晶体管mp12串联组成的电路相并联，然后与第四电阻串1016串联后形成参考电压电路，该参考电压电路与带隙基准启动电路和偏置电路1010相并联。

所述带隙基准电路101还包括第一运放器1011和第二运放器1012，所述第一运放器1011的输出端分别与第一晶体管mp1、第三晶体管mp3、第七晶体管mp7以及第九晶体管mp9的栅极电性连接，所述第一运放器1011的两个输入端分别与第一电阻串1013和第二三极管Q0电性连接；所述第二运放器1012的输出端分别与第五晶体管mp5和第十一晶体管mp11的栅极电性连接，所述第二运放器1012的输入端分别与第二三极管Q0和第二电阻串1014连接。

所述第二晶体管mp2、第四晶体管mp4、第六晶体管mp6、第八晶体管mp8、第十晶体管mp10以及第十二晶体管mp12的栅极均电性连接；所述第二电阻串1014分别与校准控制逻辑电路106和高低温监测判断电路104电性连接；所述第三电阻串1015与高低温监测电路103电性连接；所述第四电阻串1016分别与校准控制逻辑电路106和高低温监测电路103电性连接。

在带隙基准电路101中：所述第一晶体管mp1、第二晶体管mp2、第三晶体管mp3、第四晶体管mp4、第一三极管Q1、第二三极管Q0、第一电阻串1013res_ptat以及第一运放器1011一起构成PTAT电流(与温度成正比的电流)产生电路；所述第三晶体管mp3、第四晶体管mp4、第五晶体管mp5、第六晶体管mp6、第二三极管Q0、以及第二电阻串1014res_ctat和第二运放器1012等一起构成与温度成反比的电流产生电路；第七晶体管mp7、第八晶体管mp8为第一晶体管mp1、第二晶体管mp2的镜向电流，同样为PTAT电流，电流通过第三电阻串1015产生与温度成正比的电压信号vout_ts；第九晶体管mp9、第十晶体管mp10为第一晶体管mp1、第二晶体管mp2的镜向电流，同样为PTAT电流；第十一晶体管mp11、第十二晶体管mp12为第三晶体管mp3、第四晶体管mp4的镜向电流，同样为温度成反比的电流；设置一定的比例使得其合成的电流在整个温度范围内几乎与温度无关，该合成电流经过第四电路串1016res_vref得到参考电压。

calibration_en为校准使能控制端。

对第二电阻串1014res_ctat来说：当calibration_en为1时，不管td_state为何值，其最终产生的结果为图3中的中间曲线,即常温下(校准时)的基准信号曲线。

当calibration_en为0时，如果td_state＝1，基准信号曲线为图3中右边高温下(高温监测时)的基准信号曲线，如果td_state＝0，基准信号曲线为图3中左边低温下(低温监测时)的基准信号曲线。

改变第二电阻串1014res_ctat，可以得到上面三种情形下的参考信号特征曲线，但是其绝对值大小的逼近要通过改变第四电阻串1016res_vref的值。

对第四电阻串1016res_vref来说：参考电压曲线常温下中心点(比如27℃)的值、高温下(高温监测时)中心点(比如110℃)的值、低温下(低温监测时)中心点(比如-30℃)的值，通过反复的仿真设计，改变第四电阻串1016res_vref，使得这三者绝对值高度逼近；vref_adj<5:0>用来改变参考电压的绝对值来调整制程偏差引起的高低温监测阈值绝对值偏差。

参考图4和图5，一种内嵌校准算法的高精度高低温监测电路的校准方法，基于一种内嵌校准算法的高精度高低温监测电路，包括以下步骤：

步骤一：校准准备,保证芯片温度与当前环境温度一致，测量当前的实时环境温度，配置当前实时温度对应的配置值，同时配置带隙基准参考信号调整阈值为中间值，即配置vref_adj<5:0>＝b’100000；

步骤二：校准使能，即将校准使能信号calibration_en置为1；

步骤三：校准使能之后，芯片进入自动校准状态；带隙基准产生的随温度成正比的电压信号vout_ts与参考电压信号tn进行比较，产生校准比较结果信号tdout_cm；

步骤四：根据校准比较结果信号tdout_cm判断当前参考电压信号是偏高还是偏低，或者已是理想状态；

如果校准比较结果信号tdout_cm为高电平，说明当前参考电压信号偏低，校准逻辑会将vref_adj<5:0>加1；

如果校准比较结果信号tdout_cm为低电平，说明当前参考电压信号偏高或者处于理想状态，校准逻辑会将vref_adj<5:0>减1；

步骤五：带隙基准参考信号调整控制信号vref_adj<5:0>改变之后，带隙基准参考信号会做出改变，重复步骤三，产生新的校准比较结果信号tdout_cm；

如果此时校准比较结果信号tdout_cm为高电平，而上次比较结果为低电平时，说明上次比较结果是理想状态，将带隙基准参考信号调整控制信号vref_adj<5:0>加1，跳转到步骤六；

如果此时校准比较结果信号tdout_cm为高电平，而上次比较结果也是高电平时，说明当前参考电压信号仍然偏低，校准逻辑会继续将vref_adj<5:0>加1，重复步骤三和步骤五，依次自动循环，如果vref_adj<5:0>的值大于63，校准失败，给出校准失败标志，跳至步骤六；

如果此时校准比较结果信号tdout_cm为低电平，说明当前参考电压信号仍然偏高或者已经处于理想状态，校准逻辑会继续将vref_adj<5:0>减1，重复步骤三和步骤五，依次自动循环，如果vref_adj<5:0>的值小于0，校准失败，给出校准失败标志，跳至步骤六；

步骤六：校准完成(剔除校准失败的芯片)。

在本发明中，除非另有明确的规定和限定，术语“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

上述实施例用于对本发明作进一步的说明，但并不将本发明局限于这些具体实施方式。凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应理解为在本发明的保护范围之内。

Claims (5)

1.一种内嵌校准算法的高精度高低温监测电路，其特征在于：包括高低温监测整体电路(100)和校准控制逻辑电路(106)；所述高低温监测整体电路(100)包括带隙基准电路(101)、时序控制电路(102)、高低温监测电路(103)、高低温监测判断电路(104)以及输出控制逻辑电路(105)；所述校准控制逻辑电路(106)在校准使能打开后进入校准模式，完成电路监测阈值的校准；所述高低温监测判断电路(104)判断进入高温监测状态或者低温监测状态；所述带隙基准电路(101)产生随温度成正比的电压信号与参考电压信号；所述高低温监测电路(103)产生初步高温监测结果或者初步低温监测结果；所述输出控制逻辑电路(105)产生最终的高温监测结果和最终的低温监测结果；所述校准控制逻辑电路(106)与带隙基准电路(101)电性连接，并且校准控制逻辑电路(106)可向带隙基准电路(101)产生第一输出；所述高低温监测判断电路(104)与带隙基准电路(101)、高低温监测电路(103)以及输出控制逻辑电路(105)电性连接，并且可分别向带隙基准电路(101)、高低温监测电路(103)以及输出控制逻辑电路(105)产生第二输出；所述带隙基准电路(101)与高低温监测电路(103)和高低温监测判断电路(104)电性连接，并且带隙基准电路(101)可向高低温监测电路(103)和高低温监测判断电路(104)产生第三输出；所述高低温监测电路(103)与输出控制逻辑电路(105)电性连接，并且高低温监测电路(103)可向输出控制逻辑电路(105)产生第四输出；所述输出控制逻辑电路(105)与校准控制逻辑电路(106)电性连接，并且输出控制逻辑电路(105)可向校准控制逻辑电路(106)产生第五输出，所述输出控制逻辑电路(105)还可向外部电路产生第六输出。

2.根据权利要求1所述的一种内嵌校准算法的高精度高低温监测电路，其特征在于：所述带隙基准电路(101)包括带隙基准启动电路和偏置电路(1010)；由第一晶体管mp1、第二晶体管mp2、第一电阻串(1013)以及第一三极管Q1依次串联组成的电路与带隙基准启动电路和偏置电路(1010)相并联；由第三晶体管mp3、第四晶体管mp4以及第二三极管Q0依次串联组成的电路与带隙基准启动电路和偏置电路(1010)相并联；由第五晶体管mp5、第六晶体管mp6以及第二电阻串(1014)依次串联组成的电路与带隙基准启动电路和偏置电路(1010)相并联；由第七晶体管mp7、第八晶体管mp8以及第三电阻串(1015)依次串联组成的电路与带隙基准启动电路和偏置电路(1010)相并联；由第九晶体管mp9和第十晶体管mp10串联组成的电路与第十一晶体管mp11和第十二晶体管mp12串联组成的电路相并联，然后与第四电阻串(1016)串联后形成参考电压电路，该参考电压电路与带隙基准启动电路和偏置电路(1010)相并联。

3.根据权利要求2所述的一种内嵌校准算法的高精度高低温监测电路，其特征在于：所述带隙基准电路(101)还包括第一运放器(1011)和第二运放器(1012)，所述第一运放器(1011)的输出端分别与第一晶体管mp1、第三晶体管mp3、第七晶体管mp7以及第九晶体管mp9的栅极电性连接，所述第一运放器(1011)的两个输入端分别与第一电阻串(1013)和第二三极管Q0电性连接；所述第二运放器(1012)的输出端分别与第五晶体管mp5和第十一晶体管mp11的栅极电性连接，所述第二运放器(1012)的输入端分别与第二三极管Q0和第二电阻串(1014)连接。

4.根据权利要求3所述的一种内嵌校准算法的高精度高低温监测电路，其特征在于：所述第二晶体管mp2、第四晶体管mp4、第六晶体管mp6、第八晶体管mp8、第十晶体管mp10以及第十二晶体管mp12的栅极均电性连接；所述第二电阻串(1014)分别与校准控制逻辑电路(106)和高低温监测判断电路(104)电性连接；所述第三电阻串(1015)与高低温监测电路(103)电性连接；所述第四电阻串(1016)分别与校准控制逻辑电路(106)和高低温监测电路(103)电性连接。

5.一种内嵌校准算法的高精度高低温监测电路的校准方法，基于如权利要求1-4所述的一种内嵌校准算法的高精度高低温监测电路，其特征在于，包括以下步骤：

步骤一：校准准备,保证芯片温度与当前环境温度一致，测量当前的实时环境温度，配置当前实时温度对应的配置值，同时配置带隙基准参考信号调整阈值为中间值，即配置vref_adj<5:0>＝b’100000；

步骤二：校准使能，即将校准使能信号calibration_en置为1；

步骤三：校准使能之后，芯片进入自动校准状态；带隙基准产生的随温度成正比的电压信号vout_ts与参考电压信号tn进行比较，产生校准比较结果信号tdout_cm；

步骤四：根据校准比较结果信号tdout_cm判断当前参考电压信号是偏高还是偏低，或者已是理想状态；

如果校准比较结果信号tdout_cm为高电平，说明当前参考电压信号偏低，校准逻辑会将vref_adj<5:0>加1；

如果校准比较结果信号tdout_cm为低电平，说明当前参考电压信号偏高或者处于理想状态，校准逻辑会将vref_adj<5:0>减1；

步骤五：带隙基准参考信号调整控制信号vref_adj<5:0>改变之后，带隙基准参考信号会做出改变，重复步骤三，产生新的校准比较结果信号tdout_cm；

如果此时校准比较结果信号tdout_cm为高电平，而上次比较结果为低电平时，说明上次比较结果是理想状态，将带隙基准参考信号调整控制信号vref_adj<5:0>加1，跳转到步骤六；

如果此时校准比较结果信号tdout_cm为高电平，而上次比较结果也是高电平时，说明当前参考电压信号仍然偏低，校准逻辑会继续将vref_adj<5:0>加1，重复步骤三和步骤五，依次自动循环，如果vref_adj<5:0>的值大于63，校准失败，给出校准失败标志，跳至步骤六；

如果此时校准比较结果信号tdout_cm为低电平，说明当前参考电压信号仍然偏高或者已经处于理想状态，校准逻辑会继续将vref_adj<5:0>减1，重复步骤三和步骤五，依次自动循环，如果vref_adj<5:0>的值小于0，校准失败，给出校准失败标志，跳至步骤六；

步骤六：校准完成。

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