CN113030804A - 传感器和电子设备 - Google Patents

Abstract

本发明公开一种传感器和电子设备，其中，传感器包括：衬底；第一传感单元，第一传感单元对第一传感轴方向的磁场进行检测，第一传感单元包括设置于衬底上的两个第一磁阻模块和两个第二磁阻模块，第一磁阻模块和第二磁阻模块连接形成全桥电路；定义第一磁阻模块的钉扎层的磁化方向与第一传感轴的正方向的夹角为α，定义第二磁阻模块的钉扎层的磁化方向与第一传感轴的正方向的夹角为β，α和β互为补角；以及多个磁通聚集器，多个磁通聚集器设于衬底上，相邻两磁通聚集器间形成磁间隙，每个第一磁阻模块和每个第二磁阻模块分别位于一所述磁间隙。本发明技术方案能提高传感器的检测灵敏度。

Description

传感器和电子设备

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种传感器以及应用该传感器的电子设备。

背景技术

随着科技的发展，对测量领域的传感器的要求越来越高，传统的单轴传感器或者双轴传感器在对磁场的大小和方向进行检测过程中，由于外部磁场在传感器的检测方向上的分量较小，使得磁场传感器检测的灵敏度较低。

发明内容

本发明的主要目的是提供一种传感器，旨在提高传感器的检测灵敏度。

为实现上述目的，本发明提出的传感器，包括：

衬底；

第一传感单元，所述第一传感单元对第一传感轴方向的磁场进行检测，所述第一传感单元包括设置于所述衬底上的两个第一磁阻模块和两个第二磁阻模块，所述第一磁阻模块和所述第二磁阻模块连接形成全桥电路；

定义所述第一磁阻模块的钉扎层的磁化方向与所述第一传感轴的正方向的夹角为α，定义所述第二磁阻模块的钉扎层的磁化方向与所述第一传感轴的正方向的夹角为β，α和β互为补角；以及

多个磁通聚集器，多个所述磁通聚集器设于所述衬底上，相邻两磁通聚集器间形成磁间隙，每个所述第一磁阻模块和每个所述第二磁阻模块分别位于一所述磁间隙。

可选地，所述第一磁阻模块两侧的所述磁通聚集器沿所述第一磁阻模块的钉扎层的磁化方向排列；

所述第二磁阻模块两侧的所述磁通聚集器沿所述第二磁阻模块的钉扎层的磁化方向排列。

可选地，多个所述磁通聚集器包括相对设置的两第一磁通聚集器，以及相对设置的两第二磁通聚集器；

两所述第一磁通聚集器沿所述第一传感轴的方向设置，两所述第二磁通聚集器沿垂直于所述第一传感轴的方向设置；

所述第一磁通聚集器和所述第二磁通聚集器在所述第一传感轴方向上的尺寸大于所述第一传感轴相垂直的方向上的尺寸。

可选地，一所述第一磁通聚集器朝向另一所述第一磁通聚集器的端部具有呈夹角设置的第一导向面和第二导向面，一所述第一磁通聚集器的所述第一导向面与另一第一磁通聚集器的所述第二导向面相对设置；

所述第一导向面面向一所述第一磁阻模块，所述第二导向面面向所述第二磁阻模块。

可选地，两所述第二磁通聚集器均为梯形，两所述第二磁通聚集器的长边相对设置或两所述第二磁通聚集器的短边相对设置；

定义所述第二磁通聚集器的梯形的两个腰分别为第三导向面和第四导向面，一所述第二磁通聚集器的所述第三导向面面向一所述第一磁通聚集器的第一导向面，并形成所述磁间隙；一所述第二磁通聚集器的所述第四导向面面向一所述第一磁通聚集器的第二导向面，并形成所述磁间隙。

可选地，所述第三导向面与所述第一导向面平行设置，所述第四导向面与所述第二导向面平行设置。

可选地，所述第一磁阻模块包括相串联或并联的多个磁阻，相邻两磁阻间还设有所述磁通聚集器；

且/或，所述第二磁阻模块包括相串联或并联的多个磁阻，相邻两磁阻件件还设有所述磁通聚集器。

可选地，还包括设于所述衬底上的第二传感单元，所述第二传感单元对第二传感方向的磁场进行检测，所述第二传感方向垂直于所述第一传感方向，所述第二传感单元包括设置于所述衬底上的两第三磁阻模块和两第四磁阻模块，所述第三磁阻模块和所述第四磁阻模块连接形成半桥电路；

两所述第三磁阻模块的钉扎层的磁化方向与所述第三磁阻模块的自由层的磁化方向平行，且与所述第二传感轴方向平行；两所述第四磁阻模块的钉扎层的磁化方向与所述第四磁阻模块的自由层的磁化方向垂直；所述第三磁阻模块和所述第四磁阻模块的钉扎层的磁化方向一致。

可选地，所述磁通聚集器还对应所述第三磁阻模块设置，两个所述第三磁阻模块分别设于两所述磁通聚集器上。

本发明还提出一种电子设备，其特征在于，包括传感器；

所述传感器包括：

衬底；

第一传感单元，所述第一传感单元对第一传感轴方向的磁场进行检测，所述第一传感单元包括设置于所述衬底上的两个第一磁阻模块和两个第二磁阻模块，所述第一磁阻模块和所述第二磁阻模块连接形成全桥电路；

定义所述第一磁阻模块的钉扎层的磁化方向与所述第一传感轴的正方向的夹角为α，定义所述第二磁阻模块的钉扎层的磁化方向与所述第一传感轴的正方向的夹角为β，α和β互为补角；以及

多个磁通聚集器，多个所述磁通聚集器设于所述衬底上，相邻两磁通聚集器间形成磁间隙，每个所述第一磁阻模块和每个所述第二磁阻模块分别位于一所述磁间隙。

本发明技术方案，在传感器中还设置了多个磁通聚集器，磁通聚集器设置于衬底，相邻两磁通聚集器间形成磁间隙。传感器在对磁场进行检测过程中，位于磁场中的磁通聚集器能够对磁场起到引导的作用，磁场能够沿着磁通聚集器的排列方向集中，在相邻两磁通聚集器所形成的磁间隙中，磁场由一个磁通聚集器至另一个磁通聚集器方向进行聚集，使得磁间隙处的磁场强度增大。每个第一磁阻模块和每个第二磁阻模块分别位于一磁间隙中，传感器在对磁场进行检测过程中，第一磁阻模块和第二磁阻模块所处位置的磁场强度增大且方向改变为与钉扎层平行，从而传感器对磁场的检测效果更加灵敏。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。

图1为本发明传感器一实施例中第一传感单元的结构示意图；

图2为图1中第一磁阻模块和第二磁阻模块示出钉扎层的磁化方向(实线箭头)以及初始的自由层的磁化方向(虚线箭头)的示意图；

图3为图1中第一传感单元在第一传感轴磁场中的磁场方向示意图；

图4为本发明传感器另一实施例的结构示意图；

图5为本发明传感器又一实施例的结构示意图；

图6为图5中第一磁阻模块和第二磁阻模块示出钉扎层的磁化方向(实线箭头)和初始的自由层的磁化方向(虚线箭头)的示意图；

图7为图5中第一传感单元在第一传感轴磁场中的磁场方向示意图；

图8为本发明传感器实施例中第二传感单元的结构示意图。

附图标号说明：

标号	名称	标号	名称
				10	第一传感单元	231	第三导向面
11	第一磁阻模块	233	第四导向面
				13	第二磁阻模块	25	第三磁通聚集器
20	磁通聚集器	27	第四磁通聚集器
				21	第一磁通聚集器	30	第二传感单元
211	第一导向面	31	第三磁阻模块
				213	第二导向面	33	第四磁阻模块
23	第二磁通聚集器

本发明目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

需要说明，本发明实施例中所有方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后……)仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。

另外，在本发明中涉及“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本发明要求的保护范围之内。

本发明提出一种传感器，该传感器主要涉及到测量领域，特别是与互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor，CMOS)兼容的磁性电子领域的传感器，例如角度传感器等。该传感器用于对磁场的大小和方向进行检测。该传感器可以为单轴传感器也可以为双轴传感器，当传感器为单轴传感器时，该传感器能够对一个方向上的磁场的大小和方向进行检测；当传感器为双轴传感器时，该传感器能够对两个方向上的磁场的大小和方向进行检测。

参见图1，在本发明技术方案中，传感器包括衬底，以及设置于衬底上的第一传感单元10。第一传感单元10包括设置于衬底上的两个第一磁阻模块11和两个第二磁阻模块13。该两个第一磁阻模块11和两个第二磁阻模块13连接形成全桥电路，该全桥电路满足惠斯通全桥电路的设置要求，即，两个第一磁阻模块11分别位于全桥电路的一对相对设置的桥臂上，两个第二磁阻模块13分别位于全桥电路的另一对相对设置的桥臂上。

该第一传感单元10能够对第一传感轴方向的磁场进行检测。本发明技术方案中的传感器在对外部磁场进行检测过程中，外部磁场在第一传感轴方向上的分量能够由第一传感单元10进行检测。

该第一传感单元10能够对第一传感轴方向的磁场进行检测的具体结构可以为：第一传感单元10中，两个第一磁阻模块11的钉扎层的磁化方向与初始的自由层的磁化方向相垂直，且两个第一磁阻模块11的钉扎层的磁化方向一致，两个第一磁阻模块11的初始的自由层的方向一致；两个第二磁阻模块13的钉扎层的磁化方向与初始的自由层的磁化方向相垂直，且两个第二磁阻模块13的钉扎层的磁化方向一致，两个第二磁阻模块13的初始的自由层的方向一致。定义：第一磁阻模块11的钉扎层的磁化方向与第一传感轴的正方形的夹角为α，定义：第二磁阻模块13的钉扎层的磁化方向与第一传感轴的正方向的夹角为β，α和β互为补角。

本发明技术方案中，在传感器中还设置了多个磁通聚集器20，磁通聚集器20设置于衬底，相邻两磁通聚集器20间形成磁间隙。传感器在对磁场进行检测过程中，位于磁场中的磁通聚集器20能够对磁场起到引导的作用，磁场能够沿着磁通聚集器20的排列方向集中，在相邻两磁通聚集器20所形成的磁间隙中，磁场由一个磁通聚集器20至另一个磁通聚集器20方向进行聚集，使得磁间隙处的磁场强度增大。

每个第一磁阻模块11和每个第二磁阻模块13分别位于一磁间隙中，传感器在对磁场进行检测过程中，第一磁阻模块11和第二磁阻模块13所处位置的磁场强度增大且方向改变为与钉扎层平行，从而传感器对磁场的检测效果更加灵敏。

结合图2和图3所示的实施例中，图2示出了第一传感单元10一实施例中，第一磁阻模块11的钉扎层的磁化方向(实线箭头)和初始的自由层的磁化方向(虚线箭头)，以及第二磁阻模块13的钉扎层的磁化方向(实线箭头)和初始的自由层的磁化方向(虚线箭头)。该实施例中，第一传感单元10用于对图示的Y轴方向磁场进行检测，即，该实施例中，第一传感轴为Y轴。图3示出了Y轴方向的磁场在磁通聚集器20结构下的偏转方向。

第一传感单元10中，第一磁阻模块11的钉扎层的磁化方向与第一传感轴的正方向的夹角α，可以在取值范围0°＜α＜180°，具体可以为30°、45°、60°、120°、135°或150°，还可以为以上取值范围内的任意取值；第二磁阻模块13的钉扎层的磁化方向与第一传感轴的正方向的夹角β，可以在取值范围0°＜β＜180°，具体可以为30°、45°、60°、90°、120°、135°或150°。当α取值为30°时，β取值为150°；当α取值为45°时，β取值为135°；α取值为60°时，β取值为120°；α取值为90°时，β取值为90°；α取值为120°时，β取值为60°；α取值为135°时，β取值为45°；α取值为150°时，β取值为30°。相应地，α和β还可以为其他互为补角的取值，在此不做赘述。

如图2所示的实施例中，第一磁阻模块11的钉扎层的磁化方向与第一传感轴的正方向的夹角α为135°，第二磁阻模块13的钉扎层的磁化方向与第一传感轴的正方向的夹角β为45°。

图5、图6和图7所示的实施例中，第一磁阻模块11的钉扎层的磁化方向与第一传感轴的正方向的夹角α为45°，第二磁阻模块13的钉扎层的磁化方向与第一传感轴的正方向的夹角β为135°。

第一磁阻模块11两侧的磁通聚集器20沿第一磁阻模块11的钉扎层的磁化方向排列。该磁通聚集器20的排列方式，使得第一磁阻模块11所在的磁间隙处的相邻两磁通聚集器20能够引导外加磁场偏转至方向与第一磁阻模块11的钉扎层的磁化方向位于同一直线。该结构的具体实现方式可以为，第一磁阻模块11两侧的磁通聚集器20分别具有面向该第一磁阻模块11的导向面，该两磁通聚集器20的导向面之间形成第一磁阻模块11容纳的磁间隙，该两磁通聚集器20的导向面沿该第一磁阻模块11的钉扎层的磁化方向排列，第一磁阻模块11的钉扎层的磁化方向相垂直于导向面。在该两磁通聚集器20的导向面所形成的间隙处，外加磁场会由一磁通聚集器20的导向面引导至另一磁通聚集器20的导向面方向，使得第一磁阻模块11所处的磁间隙处的磁场偏转至与第一磁阻模块11的钉扎层的磁化方向位于同一直线上。

第二磁阻模块13两侧的磁通聚集器20沿第二磁阻模块13的钉扎层的磁化方向排列。该磁通聚集器20的排列方式，使得第二磁阻模块13所在的磁间隙处的相邻两磁通聚集器20能够引导外加磁场偏转至方向与第二磁阻模块13的钉扎层的磁化方向位于同一直线。该结构的具体实现方式可以为，第二磁阻模块13两侧的磁通聚集器20分别具有面向该第二磁阻模块13的导向面，该两磁通聚集器20的导向面之间形成第二磁阻模块13容纳的磁间隙，该两磁通聚集器20的导向面沿该第二磁阻模块13的钉扎层的磁化方向排列，第二磁阻模块13的钉扎层的磁化方向相垂直于导向面。在该两磁通聚集器20的导向面所形成的间隙处，外加磁场会由一磁通聚集器20的导向面引导至另一磁通聚集器20的导向面方向，使得第二磁阻模块13所处的磁间隙处的磁场偏转至与第二磁阻模块13的钉扎层的磁化方向位于同一直线上。上述磁通聚集器20的设置方式能够对外部磁场进行放大、导向、降低噪声，提高传感器检测的灵敏度、提高传感器输出值的线性范围。

由于第一磁阻模块11的钉扎层的磁化方向与第一传感轴的正方向的夹角α和第二磁阻模块13的钉扎层的磁化方向与第一传感轴的正方向的夹角β互为补角。当本发明技术方案的传感器对第一传感轴方向的磁场进行检测时。能够使得第一磁阻模块11所在磁间隙处的磁场方向与第一磁阻模块11的钉扎层的磁化方向一致时，第二磁阻模块13所在磁间隙处的磁场方向与第二磁阻模块13的钉扎层的磁化方向相反；

或者，使得第一磁阻模块11所在磁间隙处的磁场方向与第一磁阻模块11的钉扎层的磁化方向相反时，第二磁阻模块13所在磁间隙处的磁场方向与第二磁阻模块13的钉扎层的磁化方向一致。

多个磁通聚集器20包括相对设置的两第一磁通聚集器21，以及相对设置的两第二磁通聚集器23；

两第一磁通聚集器21沿第一传感轴的方向设置，两第二磁通聚集器23沿垂直于第一传感轴的方向设置。该第一磁通聚集器21和第二磁通聚集器23所组合形成的结构能够对待检测的磁场分别在第一传感轴方向和垂直于第一传感轴的方向进行导向，然后在磁间隙处对磁场进行偏转。

由于该第一传感单元10用于对第一传感轴方向上的磁场进行检测，该第一磁通聚集器21和第二磁通聚集器23所组合形成的结构在第一传感轴方向上的尺寸大于垂直于第一传感轴方向上的尺寸，使得该第一磁通聚集器21和第二磁通聚集器23所围合形成的结构能够对待检测的磁场在第一传感轴方向上的分量放大的程度更大，而在于第一传感轴相垂直的方向上的分量放大的程度较小。

具体可以为，第一磁通聚集器21和第二磁通聚集器23在第一传感轴方向上的尺寸大于第一传感轴相垂直的方向上的尺寸。

进一步参见图1，一第一磁通聚集器21朝向另一第一磁通聚集器21的端部具有呈夹角设置的第一导向面211和第二导向面213，该第一导向面211与第二导向面213相对第一传感轴对称设置。如图1所示，第一磁阻模块11的钉扎层的磁化方向与第一传感轴的正方向夹角为135°，第二磁阻模块13的钉扎层的磁化方向与第一传感轴的正方向夹角为45°，该实施例中第一磁通聚集器21的第一导向面211和第二导向面213的夹角为90°，即，第一磁通聚集器21的第一导向面211和第二导向面213相垂直。

第一磁通聚集器21的第一导向面211与另一第一磁通聚集器21的第二导向面213相对设置，第一导向面211面向一第一磁阻模块11，第二导向面213面向第二磁阻模块13。其中，一第一磁通聚集器21的第一导向面211面向全桥电路一个桥臂上的第一磁阻模块11，另一第一磁通聚集器21的第一导向面211面向全桥电路另一个桥臂上的第一磁阻模块11；一第二磁通聚集器23的第二导向面213面向全桥电路一个桥臂上的第二磁阻模块13，另一第一磁通聚集器21的第二导向面213面向全桥电路另一个桥臂上的第二磁阻模块13。

两第二磁通聚集器23均为梯形，梯形具有相背对设置的长边和短边，以及相背对设置的两个腰，两个第二磁通聚集器23的长边相对设置或者两个磁通聚集器20的短边相对设置；

定义第二磁通聚集器23的梯形的两个腰分别为第三导向面231和第四导向面233，一第二磁通聚集器23的第三导向面231面向一第一磁通聚集器21的第一导向面211，并形成磁间隙；一第二磁通聚集器23的第四导向面233面向一第一磁通聚集器21的第二导向面213，并形成磁间隙。

参见图1，图1所示的实施例中，两个第二磁通聚集器23的短边相对设置。参见图5，图5所示的实施例中，两个第二磁通聚集器23的长边相对设置。

第三导向面231与第一导向面211平行设置，第四导向面233与第二导向面213平行设置。第三导向面231与第一导向面211的形状和尺寸一致，第四导向面233与第二导向面213的形状和尺寸一致，以对第一磁通聚集器21和第二磁通聚集器23进行充分的利用。

参见图4，第一磁阻模块11还可以包括相串联或并联的多个磁阻，相邻两磁阻间还设有磁通聚集器20，以进一步增强第一磁阻模块11所在磁间隙处的磁场强度；

且/或，第二磁阻模块13包括相串联或并联的多个磁阻，相邻两磁阻件件还设有磁通聚集器20，以进一步增强第二磁阻模块13所在磁间隙处的磁场强度。

可以将位于第一磁阻模块11内相邻两磁阻之间的磁通聚集器20定义为第三磁通聚集器25，以将第三磁通聚集器25和第一磁通聚集器21以及第二磁通聚集器23以示区分。

组成第一磁阻模块11和第二磁阻模块13的磁阻均可以为长方体结构，以使其钉扎层的磁化方向更加规整。

参见图8，本发明技术方案的传感器还可以包括设于衬底上的第二传感单元30，该第二传感单元30用于对第二传感方向的磁场进行检测，第二传感方向垂直于第一传感方向；

第二传感单元30包括设置于衬底上的两第三磁阻模块31和两第四磁阻模块33，第三磁阻模块31和第四磁阻模块33连接形成半桥电路；该半桥电路惠斯通电桥原理，即，两第三磁阻模块31分别位于半桥电路的一对相对设置的桥臂上，两个第四磁阻模块33分别位于半桥电路的另一对相对设置的桥臂上。

两第三磁阻模块31的钉扎层的磁化方向与第三磁阻模块31的初始的自由层的磁化方向相平行，且与第二传感轴方向平行；两第四磁阻模块33的钉扎层的磁化方向与第四磁阻模块33初始的自由层的磁化方向垂直；第三磁阻模块31和第四磁阻模块33的钉扎层的磁化方向一致。

该第三磁阻模块31和第四磁阻模块33也可以由多个磁阻串联或并联而成。

本发明技术方案的多个磁通聚集器20还可以包括对应第三磁阻模块31设置的磁通聚集器20，两个第三磁阻模块31分别设于两磁通聚集器20上。可以将该对应第三磁阻模块31设置的磁通聚集器20定义为第四磁通聚集器27。

该第四磁通聚集器27能够对第三磁阻模块31进行屏蔽，使得第三磁阻模块31上的磁阻的电阻值不随外部磁场而变化。该第二传感单元30在对第二传感轴方向的磁场检测过程中，四个桥臂差分产生非零输出。能够完成对第二传感轴方向的磁场进行检测。

该第二传感单元30能够对第二传感轴上的磁场分量进行检测。该第一传感单元10和第二传感单元30共同组成了双轴传感器，使得该传感器能够对外部磁场于第一传感轴方向的分量进行检测，同时能够对外加磁场于第二传感轴方向的分量进行检测，以达到准确测量外部磁场强度和方向的效果。

图8所示的实施例中，该第二传感单元30用于对图示的X轴方向的磁场进行检测，即，在该实施例中，X轴方向为第二传感轴的方向。

磁通聚集器20可以采用电镀工艺一次性成型于衬底上。该磁通聚集器20具体可以为镍铁、铁硅合金或各种软磁铁等具有高导磁率的软磁材料。

本发明还提出一种电子设备，该电子设备包括传感器，该传感器的具体结构参照上述实施例，由于本电子设备采用了上述所有实施例的全部技术方案，因此至少具有上述实施例的技术方案所带来的所有有益效果，在此不再一一赘述。该电子设备可以是任何能够应用传感器对外部磁场进行检测的电子设备，例如：手机、电脑、游戏设备，或者车载角度检测设备等。

以上所述仅为本发明的可选实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是在本发明的发明构思下，利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构变换，或直接/间接运用在其他相关的技术领域均包括在本发明的专利保护范围内。

Claims (10)

1.一种传感器，其特征在于，包括：

衬底；

第一传感单元，所述第一传感单元对第一传感轴方向的磁场进行检测，所述第一传感单元包括设置于所述衬底上的两个第一磁阻模块和两个第二磁阻模块，所述第一磁阻模块和所述第二磁阻模块连接形成全桥电路；

定义所述第一磁阻模块的钉扎层的磁化方向与所述第一传感轴的正方向的夹角为α，定义所述第二磁阻模块的钉扎层的磁化方向与所述第一传感轴的正方向的夹角为β，α和β互为补角；以及

多个磁通聚集器，多个所述磁通聚集器设于所述衬底上，相邻两磁通聚集器间形成磁间隙，每个所述第一磁阻模块和每个所述第二磁阻模块分别位于一所述磁间隙。

2.如权利要求1所述的传感器，其特征在于，所述第一磁阻模块两侧的所述磁通聚集器沿所述第一磁阻模块的钉扎层的磁化方向排列；

所述第二磁阻模块两侧的所述磁通聚集器沿所述第二磁阻模块的钉扎层的磁化方向排列。

3.如权利要求1所述的传感器，其特征在于，多个所述磁通聚集器包括相对设置的两第一磁通聚集器，以及相对设置的两第二磁通聚集器；

两所述第一磁通聚集器沿所述第一传感轴的方向设置，两所述第二磁通聚集器沿垂直于所述第一传感轴的方向设置；

所述第一磁通聚集器和所述第二磁通聚集器在所述第一传感轴方向上的尺寸大于所述第一传感轴相垂直的方向上的尺寸。

4.如权利要求3所述的传感器，其特征在于，一所述第一磁通聚集器朝向另一所述第一磁通聚集器的端部具有呈夹角设置的第一导向面和第二导向面，一所述第一磁通聚集器的所述第一导向面与另一第一磁通聚集器的所述第二导向面相对设置；

所述第一导向面面向一所述第一磁阻模块，所述第二导向面面向所述第二磁阻模块。

5.如权利要求4所述的传感器，其特征在于，两所述第二磁通聚集器均为梯形，两所述第二磁通聚集器的长边相对设置或两所述第二磁通聚集器的短边相对设置；

定义所述第二磁通聚集器的梯形的两个腰分别为第三导向面和第四导向面，一所述第二磁通聚集器的所述第三导向面面向一所述第一磁通聚集器的第一导向面，并形成所述磁间隙；一所述第二磁通聚集器的所述第四导向面面向一所述第一磁通聚集器的第二导向面，并形成所述磁间隙。

6.如权利要求5所述的传感器，其特征在于，所述第三导向面与所述第一导向面平行设置，所述第四导向面与所述第二导向面平行设置。

7.如权利要求1所述的传感器，其特征在于，所述第一磁阻模块包括相串联或并联的多个磁阻，相邻两磁阻间还设有所述磁通聚集器；

且/或，所述第二磁阻模块包括相串联或并联的多个磁阻，相邻两磁阻件件还设有所述磁通聚集器。

8.如权利要求1至7中任一项所述的传感器，其特征在于，还包括设于所述衬底上的第二传感单元，所述第二传感单元对第二传感方向的磁场进行检测，所述第二传感方向垂直于所述第一传感方向，所述第二传感单元包括设置于所述衬底上的两第三磁阻模块和两第四磁阻模块，所述第三磁阻模块和所述第四磁阻模块连接形成半桥电路；

两所述第三磁阻模块的钉扎层的磁化方向与所述第三磁阻模块的自由层的磁化方向平行，且与所述第二传感轴方向平行；两所述第四磁阻模块的钉扎层的磁化方向与所述第四磁阻模块的自由层的磁化方向垂直；所述第三磁阻模块和所述第四磁阻模块的钉扎层的磁化方向一致。

9.如权利要求8所述的传感器，其特征在于，所述磁通聚集器还对应所述第三磁阻模块设置，两个所述第三磁阻模块分别设于两所述磁通聚集器上。

10.一种电子设备，其特征在于，包括如权利要求1至9中任一项所述的传感器。

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