CN113026093B - 一种电阻率均匀的半绝缘型碳化硅晶片及其制备方法 - Google Patents

一种电阻率均匀的半绝缘型碳化硅晶片及其制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN113026093B
CN113026093B CN201911356607.2A CN201911356607A CN113026093B CN 113026093 B CN113026093 B CN 113026093B CN 201911356607 A CN201911356607 A CN 201911356607A CN 113026093 B CN113026093 B CN 113026093B
Authority
CN
China
Prior art keywords
silicon carbide
resistivity
semi
wafer
pressure
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201911356607.2A
Other languages
English (en)
Other versions
CN113026093A (zh
Inventor
刘春俊
姚静
赵宁
彭同华
杨建�
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Beijing Tianke Heda New Material Co ltd
Jiangsu Tiankeheda Semiconductor Co ltd
Xinjiang Tankeblue Semiconductor Co ltd
Tankeblue Semiconductor Co Ltd
Original Assignee
Beijing Tianke Heda New Material Co ltd
Jiangsu Tiankeheda Semiconductor Co ltd
Xinjiang Tankeblue Semiconductor Co ltd
Tankeblue Semiconductor Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Beijing Tianke Heda New Material Co ltd, Jiangsu Tiankeheda Semiconductor Co ltd, Xinjiang Tankeblue Semiconductor Co ltd, Tankeblue Semiconductor Co Ltd filed Critical Beijing Tianke Heda New Material Co ltd
Priority to CN201911356607.2A priority Critical patent/CN113026093B/zh
Publication of CN113026093A publication Critical patent/CN113026093A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN113026093B publication Critical patent/CN113026093B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B23/00—Single-crystal growth by condensing evaporated or sublimed materials
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/36—Carbides
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

本发明提供了一种电阻率均匀的半绝缘型碳化硅晶片及其制备方法，所述半绝缘型碳化硅晶片的整体范围内，电阻率的相对标准偏差小于70％，电阻率的最小值大于1×106Ω·cm。本发明还提供了一种上述技术方案所述半绝缘型碳化硅晶片的制备方法，通过采用零度籽晶生长出的晶体和同时控制晶体生长径向温度梯度保证晶体生长的平坦程度，可避免切割、加工得到的晶片的中心和边缘不同位置源自不同生长时刻，尽量保证晶片中心和边缘生长时刻非常接近，保证晶片整体掺杂的均匀性；掺杂剂均匀地合成到SiC原料中，也保证晶体内部电阻率的均匀性。半绝缘型碳化硅晶片的电阻率的相对标准偏差小于70％，晶片电阻率的最小值大于1×106Ω·cm。

Description

一种电阻率均匀的半绝缘型碳化硅晶片及其制备方法
技术领域
本发明属于晶片技术领域，尤其涉及一种电阻率均匀的半绝缘型碳化硅晶片及其制备方法。
背景技术
碳化硅作为第三代半导体材料，具有非常优异的物理及化学性能，在高端光电、大功率以及微波射频等领域具有广泛的用途。
目前生长碳化硅晶体最成熟最有效的方式是物理气相输运法(Journalofcrystal growth 43(1978)209-212)，物理气相输运法的基本原理是：将碳化硅原料放置在坩埚中，将籽晶固定在坩埚上盖顶部，在高温和低压下使原料升华，升华后的气体以晶体生长热场提供的温度梯度为动力做质量传输，最终输运至籽晶处，在其上结晶生长。热场中的温度梯度包括轴向温度梯度和径向温度梯度。
半绝缘型碳化硅晶片中的各种缺陷是影响碳化硅基各类器件主要性能的因素之一。目前宏观缺陷均有较好的方法应对，但电阻率的不均匀性尚未得到很好的解决。电阻率的均匀性直接影响器件的各项性能以及器件的成品率。因此提升半绝缘型碳化硅晶片电阻率均匀性，特别是大尺寸半绝缘晶片如4英寸、6英寸电阻率均匀性迫在眉睫。
发明内容
有鉴于此，本发明的目的在于提供一种电阻率均匀的半绝缘型碳化硅晶片及其制备方法，该晶片电阻率的均匀性较好。
本发明提供了一种电阻率均匀的半绝缘型碳化硅晶片，所述半绝缘型碳化硅晶片的整体范围内，电阻率的相对标准偏差小于70％，电阻率的最小值大于1×106Ω·cm。
优选地，所述半绝缘型碳化硅晶片的直径≥100mm。
优选地，所述电阻率的相对标准偏差小于50％。
优选地，所述电阻率的相对标准偏差小于30％。
优选地，所述电阻率的最小值大于1×107Ω·cm。
优选地，所述电阻率的最小值大于1×109Ω·cm。
本发明提供了一种上述技术方案所述半绝缘型碳化硅晶片的制备方法，包括以下步骤：
将掺杂剂均匀地混合在碳粉和硅粉中，烧结合成，得到碳化硅原料；
将装有碳化硅原料和零偏角度的籽晶的坩埚放于生长室中，在一定温度、压力和坩埚移动条件下，使所述碳化硅原料升华并在籽晶上结晶，冷却，后处理得到半绝缘型碳化硅晶片；
所述一定温度、压力和坩埚移动条件包括：
(1)在压力20～80kPa下，将温度升至2000～2500℃，并维持1～10h；
(2)将压力降至100～5000Pa，并维持1～5h；
(3)将压力维持在100～5000Pa，坩埚提拉速度为0.5～5mm/h，提升 0～50mm，并维持40～200h；
(4)将压力升至20～80kPa，进行冷却。
优选地，所述掺杂剂选自钒或硼；所述掺杂剂、硅粉和碳粉的摩尔比为 0.0001～0.0005:1:1。
优选地，所述碳化硅原料的粒度为4～200目。
优选地，所述半绝缘型碳化硅晶片的高度的最大值和最小值的差值小于 5mm。
本发明提供了一种电阻率均匀的半绝缘型碳化硅晶片，所述半绝缘型碳化硅晶片的整体范围内，电阻率的相对标准偏差小于70％，电阻率的最小值大于1×106Ω·cm。本发明还提供了一种上述技术方案所述半绝缘型碳化硅晶片的制备方法，通过采用零度籽晶生长出的晶体和同时控制晶体生长径向温度梯度保证晶体生长的平坦程度，可避免切割、加工得到的晶片的中心和边缘不同位置源自不同生长时刻，尽量保证晶片中心和边缘生长时刻非常接近，保证晶片整体掺杂的均匀性；掺杂剂均匀地合成到SiC原料中，也保证晶体内部电阻率的均匀性。实验结果表明：半绝缘型碳化硅晶片的电阻率的相对标准偏差小于70％，晶片电阻率的最小值大于1×106Ω·cm。
附图说明
图1为本发明实施例1制备的6英寸半绝缘型碳化硅晶片的电阻率测试图；
图2为本发明实施例2制备的6英寸半绝缘型碳化硅晶片的电阻率测试图；
图3为本发明对比例1制备的6英寸半绝缘型碳化硅晶片的电阻率测试图。
具体实施方式
本发明提供了一种电阻率均匀的半绝缘型碳化硅晶片，所述半绝缘型碳化硅晶片的整体范围内，电阻率的相对标准偏差小于70％，电阻率的最小值大于1×106Ω·cm。
在本发明中，所述半绝缘型碳化硅晶片的直径优选≥100mm，更优选为 4～8英寸；具体为4英寸、6英寸或8英寸。具体实施例中，半绝缘型碳化硅晶片的直径为6英寸。
在本发明中，所述电阻率的相对标准偏差优选小于50％，更优选小于 30％。
在本发明中，所述电阻率的最小值优选大于1×107Ω·cm，所述电阻率的最小值更优选大于1×109Ω·cm。
本发明提供了一种上述技术方案所述半绝缘型碳化硅晶片的制备方法，包括以下步骤：
将掺杂剂均匀地混合在碳粉和硅粉中，烧结合成，得到碳化硅原料；
将装有碳化硅原料和零偏角度的籽晶的坩埚放于生长室中，在一定温度、压力和坩埚移动条件下，使所述碳化硅原料升华并在籽晶上结晶，冷却，后处理得到半绝缘型碳化硅晶片；
所述一定温度、压力和坩埚移动条件包括：
(1)在压力20～80kPa下，将温度升至2000～2500℃，并维持1～10h；
(2)将压力降至100～5000Pa，并维持1～5h；
(3)将压力维持在100～5000Pa，坩埚提拉速度为0.5～5mm/h，提升 0～50mm，并维持40～200h；
(4)将压力升至20～80kPa，进行冷却。
本发明将掺杂剂均匀地混合在碳粉和硅粉中，烧结合成，得到碳化硅原料。本发明将掺杂剂均匀地混合在硅粉和碳粉中，烧结合成到SiC原料中，提高生产过程中掺杂剂的均匀性。传统方法是直接将固体掺杂剂混合到SiC 原料中，一般由于固体掺杂剂在SiC生长高温下蒸气压比较高，很容易逐渐耗尽，导致生长初期溶度高于后期溶度，而本发明提供的方法将掺杂剂已经混入SiC晶格中或者以包裹体的形式存在于SiC原料内部，从而固体掺杂剂在生长初期和后期的浓度差相对较小，从而解决了掺杂剂直接与原材料混合带来的不均匀的问题，同时能够保证掺杂剂的充分使用，进而保证晶体内部电阻率的均匀性。
在本发明中，所述掺杂剂选自钒或硼；所述掺杂剂、硅粉和碳粉的摩尔比为0.0001～0.0005:1:1。所述烧结合成的温度优选为2100～2200℃；烧结合成的压力优选为5k～15kPa。具体实施例中，所述烧结合成的温度为2200℃或 2100℃，压力为10kPa或15kPa。烧结合成后优选将产物进行破碎和筛分，得到碳化硅原料；所述碳化硅原料的粒度优选为4～200目，更优选为10～100目，最优选为20～40目。
得到碳化硅原料后，本发明将装有碳化硅原料和零偏角度的籽晶的坩埚放于生长室中，在一定温度、压力和坩埚移动条件下，使所述碳化硅原料升华并在籽晶上结晶，冷却，后处理得到半绝缘型碳化硅晶片。
在本发明中，所述零偏角度的籽晶是指籽晶表面取向为{0001}，也即是表面法向矢量与晶体的<0001>轴夹角为0度，也可简称零度籽晶或零度晶片。具体实施例中，零偏角度的籽晶为0度6英寸的4H-SiC籽晶。
在本发明中，所述一定温度、压力和坩埚移动条件包括：
(1)在压力20～80kPa下，将温度升至2000～2500℃，并维持1～10h；
(2)将压力降至100～5000Pa，并维持1～5h；
(3)将压力维持在100～5000Pa，坩埚提拉速度为0.5～5mm/h，提升 0～50mm，并维持40～200h；
(4)将压力升至20～80kPa，进行冷却。
本发明提供的方法通过采用零度籽晶生长出的晶体和同时控制晶体生长径向温度梯度保证晶体生长的平坦程度，可避免切割、加工得到的晶片的中心和边缘不同位置源自不同生长时刻，尽量保证晶片中心和边缘生长时刻非常接近，保证晶片整体掺杂的均匀性。
本发明通过控制生长晶体的径向温度梯度，减小晶体的径向温度梯度，保证生长后获得晶体的界面较为平坦。在本发明中，所述半绝缘型碳化硅晶片的高度的最大值和最小值的差值优选小于5mm，更优选小于3mm，最优选小于1mm。
本发明将半绝缘型碳化硅晶体优选经切、磨、抛等后处理，得到厚度为 300～800μm的零度半绝缘型碳化硅单晶片。
本发明提供的方法解决了掺杂剂直接与原材料混合带来的不均匀的问题，同时能够保证掺杂剂的充分使用。(2)采用沿轴取向的籽晶生长出的晶体，可取消晶体转角度加工，同时控制晶体表面的平坦程度，可避免晶片不同位置源自不同生长时刻，保证晶片整体掺杂的均匀性。
上述技术方案所述半绝缘型碳化硅晶体的电阻率测试采用非接触测量方法，测试设备为德国Semimap公司的。1个晶片至少测试256点。电阻率的相对标准偏差根据256点测试数据计算得到，通常相对标准偏差也直接由该设备计算显示。
为了进一步说明本发明，下面结合实施例对本发明提供的一种电阻率均匀的半绝缘型碳化硅晶片及其制备方法进行详细地描述，但不能将它们理解为对本发明保护范围的限定。
实施例1
将掺杂剂钒与高纯碳粉和硅粉(纯度大99.99％)，按摩尔比0.0002:1:1均匀混合，混合后原料颜色统一。将装有混合好的原料的坩埚放在原材料合成炉中，在2200℃和10kPa下合成，经过破碎与筛分，得到粒径在20～40目之间的碳化硅原材料。
取0度6寸的4H-SiC籽晶一片，以C面作为晶体生长面，将其粘结于石墨坩埚盖上。在坩埚底部装满足够的SiC原料，再将粘有籽晶的坩埚盖置于坩埚上部，装配好后放入单晶生长炉中。依次进行以下过程：(1)以氩气向生长炉充气至压力达到50kPa，保持该压力不变，采用中频感应加热进行升温，设定原料处温度在2200～2300℃，温度达到后保温3h，此后保持炉内温度不变； (2)通过生长炉控压***，将压力降至生长压力，保持2h；(3)将压力继续维持在生长压力，维持200h；(5)将压力升至30kPa，进行降温冷却，获得半绝缘型6英寸的碳化硅单晶体，其高度最大值与最小值的差值为0.9mm。晶体经过粗加工，切磨抛等过程后，得到沿轴取向的碳化硅单晶片。
图1为本发明实施例1制备的6英寸半绝缘型0°碳化硅晶片的电阻率测试图。从图1可以看出，电阻率的相对标准偏差为29％，且最小值为 1.1×107Ω·cm。
实施例2
将掺杂剂钒与高纯碳粉和硅粉(纯度大99.99％)，按摩尔比0.0005:1:1均匀混合，混合后原料颜色统一。将装有混合好的原料的坩埚放在原材料合成炉中，在2100℃和15kPa下合成，经过破碎与筛分，得到粒径在10～100目之间的碳化硅原料。
采用0度的6英寸4H-SiC籽晶一片，以C面作为晶体生长面，将其粘结于石墨坩埚盖上。在坩埚底部装满足够的SiC粉末原料，再将粘有籽晶的坩埚盖置于坩埚上部，装配好后放入单晶生长炉中。通过调控热场进行晶体生长，生长温度压力同实施例1获得6英寸半绝缘型0°碳化硅单晶体，其高度最大值与最小值的差值为2.1mm。晶体经过粗加工，切磨抛等过程后，得到沿轴取向的碳化硅单晶片。
图2为本发明实施例2制备的6英寸半绝缘型碳化硅晶片的电阻率测试图。从图2可以看出，电阻率的相对标准偏差为59％，且最小值为6.3×106Ω·cm。
对比例1
将掺杂剂钒与合成好粒径在10～100目之间的碳化硅原材料在混料机中，转速为800转/min，混合4小时，得到混合好的碳化硅原料。
采用偏轴取向4°的4H-SiC籽晶一片，以C面作为晶体生长面，将其粘结于石墨坩埚盖上。在坩埚底部装满足够的SiC粉末原料，再将粘有籽晶的坩埚盖置于坩埚上部，装配好后放入单晶生长炉中。生长温度和压力同实施例1，获得半绝缘型6英寸4°的碳化硅单晶体，其高度最大值与最小值的差值为 2.2mm。晶体经过转角度，粗加工，切磨抛等过程后，得到6英寸半绝缘4°碳化硅单晶片。
图3为本发明对比例1制备的6英寸半绝缘型碳化硅晶片的电阻率测试图。从图3可以看出，电阻率的相对标准偏差为265％，且最小值小于105Ω·cm (电阻率小于测试设备下限1*105Ω·cm)。
由以上实施例可知，本发明提供了一种电阻率均匀的半绝缘型碳化硅晶片，所述半绝缘型碳化硅晶片的整体范围内，电阻率的相对标准偏差小于 70％，电阻率的最小值大于1×106Ω·cm。本发明还提供了一种上述技术方案所述半绝缘型碳化硅晶片的制备方法，通过采用零度籽晶生长出的晶体和同时控制晶体生长径向温度梯度保证晶体生长的平坦程度，可避免切割、加工得到的晶片的中心和边缘不同位置源自不同生长时刻，尽量保证晶片中心和边缘生长时刻非常接近，保证晶片整体掺杂的均匀性；掺杂剂均匀地合成到SiC原料中，也保证晶体内部电阻率的均匀性。实验结果表明：半绝缘型碳化硅晶片的电阻率的相对标准偏差小于70％，晶片电阻率的最小值大于1×106Ω·cm。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (4)

1.一种半绝缘型碳化硅晶片的制备方法，包括以下步骤：
将掺杂剂均匀地混合在碳粉和硅粉中，烧结合成，得到碳化硅原料；所述碳化硅原料的粒度为4～200目；
将装有碳化硅原料和零偏角度的籽晶的坩埚放于生长室中，在一定温度、压力和坩埚移动条件下，使所述碳化硅原料升华并在籽晶上结晶，冷却，后处理得到半绝缘型碳化硅晶片；
所述掺杂剂选自钒；所述掺杂剂、硅粉和碳粉的摩尔比为0.0001～0.0005:1:1；
所述一定温度、压力和坩埚移动条件包括：
(1)在压力20～80kPa下，将温度升至2000～2500℃，并维持1～10h；
(2)将压力降至100～5000Pa，并维持1-5h；
(3)将压力维持在100～5000Pa，坩埚提拉速度为0.5～5mm/h，提升0～50mm，并维持40～200h；
(4)将压力升至20～80kPa，进行冷却；
所述半绝缘型碳化硅晶片的整体范围内，电阻率的相对标准偏差小于70％，电阻率的最小值大于1×106Ω·cm；
所述半绝缘型碳化硅晶片的高度的最大值和最小值的差值小于5mm；所述半绝缘型碳化硅晶片的直径≥100mm。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述电阻率的相对标准偏差小于50％。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述电阻率的相对标准偏差小于30％。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述电阻率的最小值大于1×107Ω·cm。
CN201911356607.2A 2019-12-25 2019-12-25 一种电阻率均匀的半绝缘型碳化硅晶片及其制备方法 Active CN113026093B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201911356607.2A CN113026093B (zh) 2019-12-25 2019-12-25 一种电阻率均匀的半绝缘型碳化硅晶片及其制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201911356607.2A CN113026093B (zh) 2019-12-25 2019-12-25 一种电阻率均匀的半绝缘型碳化硅晶片及其制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN113026093A CN113026093A (zh) 2021-06-25
CN113026093B true CN113026093B (zh) 2022-08-12

Family

ID=76458208

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201911356607.2A Active CN113026093B (zh) 2019-12-25 2019-12-25 一种电阻率均匀的半绝缘型碳化硅晶片及其制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN113026093B (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7245586B1 (ja) * 2022-06-02 2023-03-24 株式会社レゾナック ｎ型ＳｉＣ単結晶基板

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1985029A (zh) * 2004-07-07 2007-06-20 Ⅱ－Ⅵ公司 低掺杂的半绝缘sic晶体和方法
CN103696012A (zh) * 2013-12-13 2014-04-02 山东大学 一种高均匀性、高产率半绝缘碳化硅衬底的制备方法
CN109280965A (zh) * 2018-10-16 2019-01-29 山东天岳先进材料科技有限公司 一种掺杂少量钒的高质量半绝缘碳化硅单晶及衬底
CN109722712A (zh) * 2019-03-12 2019-05-07 广州南砂晶圆半导体技术有限公司 一种SiC单晶金属杂质的均匀掺杂的方法
CN110592673A (zh) * 2018-12-14 2019-12-20 北京天科合达半导体股份有限公司 一种高品质的大尺寸碳化硅晶体生长方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1985029A (zh) * 2004-07-07 2007-06-20 Ⅱ－Ⅵ公司 低掺杂的半绝缘sic晶体和方法
CN103696012A (zh) * 2013-12-13 2014-04-02 山东大学 一种高均匀性、高产率半绝缘碳化硅衬底的制备方法
CN109280965A (zh) * 2018-10-16 2019-01-29 山东天岳先进材料科技有限公司 一种掺杂少量钒的高质量半绝缘碳化硅单晶及衬底
CN110592673A (zh) * 2018-12-14 2019-12-20 北京天科合达半导体股份有限公司 一种高品质的大尺寸碳化硅晶体生长方法
CN109722712A (zh) * 2019-03-12 2019-05-07 广州南砂晶圆半导体技术有限公司 一种SiC单晶金属杂质的均匀掺杂的方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN113026093A (zh) 2021-06-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6758527B1 (ja) 炭化珪素インゴット成長用粉末及びそれを用いた炭化珪素インゴットの製造方法
JP5779171B2 (ja) ＳｉＣ単結晶の昇華成長方法及び装置
EP2484815B1 (en) METHOD FOR PRODUCING SiC SINGLE CRYSTAL
US20150361580A1 (en) Device and method for producing multi silicon carbide crystals
TWI750628B (zh) 碳化矽晶圓以及碳化矽晶圓之製備方法
CN110396717B (zh) 高质量高纯半绝缘碳化硅单晶、衬底及其制备方法
CN110592673B (zh) 一种高品质的大尺寸碳化硅晶体生长方法
TWI774929B (zh) 碳化矽單晶的製造方法
EP3816328A1 (en) Method for preparing a sic ingot, method for preparing a sic wafer, and a device for preparing a sic ingot
JPH0455397A (ja) α―ＳｉＣ単結晶の製造方法
CN113026093B (zh) 一种电阻率均匀的半绝缘型碳化硅晶片及其制备方法
US20130061801A1 (en) Method for manufacturing silicon carbide crystal
TWI703242B (zh) 摻雜少量釩的半絕緣碳化矽單晶、基材、製備方法
WO2009098997A1 (ja) 炭化ケイ素単結晶の製造方法
TWI815863B (zh) 碳化矽單晶的製造方法
KR20150142245A (ko) 탄화규소 분말, 이의 제조방법 및 탄화규소 단결정
US20220251725A1 (en) Method of growing on-axis silicon carbide single crystal by regulating silicon carbide source material in size
JP2018140903A (ja) 炭化珪素単結晶インゴットの製造方法
EP3960911B1 (en) Silicon carbide ingot manufacturing method
JP6961893B2 (ja) シリコン系溶融組成物およびこれを用いるシリコンカーバイド単結晶の製造方法
JPH0416597A (ja) 炭化珪素単結晶の製造方法
KR20150142246A (ko) 탄화규소 분말, 이의 제조방법 및 탄화규소 단결정
JP2004284869A (ja) 窒化物単結晶の製造方法およびその製造装置
JP2011201754A (ja) 単結晶炭化珪素の製造方法
JP7339434B1 (ja) ＳｉＣ単結晶基板及びその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
EE01 Entry into force of recordation of patent licensing contract

Application publication date: 20210625

Assignee: Shenzhen Reinvested Tianke Semiconductor Co.,Ltd.

Assignor: TANKEBLUE SEMICONDUCTOR Co.,Ltd.|BEIJING TIANKE HEDA NEW MATERIAL CO.,LTD.|Jiangsu tiankeheda Semiconductor Co.,Ltd.|XINJIANG TANKEBLUE SEMICONDUCTOR Co.,Ltd.

Contract record no.: X2023990000675

Denomination of invention: A semi insulating silicon carbide wafer with uniform resistivity and its preparation method

Granted publication date: 20220812

License type: Common License

Record date: 20230725

EE01 Entry into force of recordation of patent licensing contract