CN112992918A - 发光装置 - Google Patents

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Abstract

本申请实施例提供一种发光装置，包括可挠基板、发光单元、薄膜晶体管、以及电路。可挠基板具有通孔、顶表面、以及底表面。发光单元设置在可挠基板的顶表面上。薄膜晶体管电性连接到发光单元。电路设置在可挠基板的底表面上，并通过通孔传送信号，此信号驱动发光单元。

Description

发光装置
技术领域
本申请实施例是关于一种发光装置。
背景技术
电子产品已成为现代社会不可或缺的必需品。随着这类电子产品的蓬勃发展，消费者对这些产品的品质、功能或价格抱有很高的期望。
一些电子产品具有发光、或显示的功能，但发光装置仍未在各个方面皆符合需求。
发明内容
本申请实施例提供一种发光装置，包括可挠基板、发光单元、薄膜晶体管、以及电路。可挠基板具有通孔、顶表面、以及底表面。发光单元设置在可挠基板的顶表面上。薄膜晶体管电性连接到发光单元。电路设置在可挠基板的底表面上，并通过通孔传送信号，此信号驱动发光单元。
附图说明
为让本发明的上述目的、特征和优点能更明显易懂，以下结合附图对本发明的具体实施方式作详细说明，其中：
图1A是本申请一些实施例的发光装置的示意图。
图1B是图1A的发光装置的放大图。
图2是本申请一些实施例的发光装置的示意图。
图3A以及图3B是本申请一些实施例的发光装置的示意图。
图4是本申请一些实施例的发光装置的示意图。
图5是本申请一些实施例的发光装置的示意图。
图6是本申请一些实施例的发光装置的示意图。
图7A至图7H是本申请一些实施例的一种制作发光装置的方法的示意图。
图8A至图8G是本申请一些实施例的一种制作发光装置的方法的示意图。
图9A是本申请一些实施例的发光装置的俯视图。
图9B是图9A的发光装置沿B-B’剖面线绘示的剖面图。
图中元件标号说明：
100、200、300A、300B、400A、400B、500、600、700、1000 发光装置
10 可挠基板
10A 顶表面
10B 底表面
12 侧壁
20 导电层(第一导电层)
22 导电层(第二导电层)
26 导电材料
30 阻障层
40 保护层
50 支撑层
60 连接层
70 连接器
71、72、73、74、75 电路
76 半导体芯片
80 接合材料
91、93 支撑基板
92 粘合层
94 牺牲层
A1、A2、A3、A4 部分
C、C1、C2、C3 发光单元
D1、D2、D3、D4、E1、E2、E3、E4 导电结构
O 开口
P1、P2 封装结构
T 薄膜晶体管
T1、T2、T3 厚度
V、V’、V1、V2、V3、V4 通孔
θ 夹角
具体实施方式
以下公开许多不同的实施方法或是范例来实行所提供的标的的不同特征，以下描述具体的元件及其排列的实施例以阐述本申请。当然这些实施例仅用以例示，且不该以此限定本申请的范围。举例来说，在说明书中提到第一特征部件形成于第二特征部件之上，其包括第一特征部件与第二特征部件是直接接触的实施例，另外也包括于第一特征部件与第二特征部件之间另外有其他特征的实施例，亦即，第一特征部件与第二特征部件并非直接接触。
此外，在不同实施例中可能使用重复的标号或标示，这些重复仅为了简单清楚地叙述本申请，不代表所讨论的不同实施例及/或结构之间有特定的关系。此外，在本申请中的在另一特征部件之上形成、连接到及/或耦接到另一特征部件可包括其中特征部件形成为直接接触的实施例，并且还可包括其中可形成***上述特征部件的附加特征部件的实施例，使得上述特征部件可能不直接接触。此外，其中可能用到与空间相关用词，例如“垂直的”、“上方”、“上”、“下”、“底”及类似的用词(如“向下地”、“向上地”等)，这些空间相关用词是为了便于描述附图中一个(些)元件或特征与另一个(些)元件或特征之间的关系，这些空间相关用词旨在涵盖包括特征的装置的不同方向。
除非另外定义，在此使用的全部用语(包括技术及科学用语)具有与本领域技术人员所通常理解的相同涵义。能理解的是这些用语，例如在通常使用的字典中定义的用语，应被解读成具有一与相关技术及本申请的背景或上下文一致的意思，而不应以一理想化或过度正式的方式解读，除非在此特别定义。
在此，“约”、“大约”、“实质上”的用语通常表示在一给定值或范围的20％内，例如10％内、5％内、3％之内、2％之内、1％之内、或0.5％之内。在此给定的数量为大约的数量，亦即在没有特定说明“约”、“大约”、“实质上”的情况下，仍可隐含“约”、“大约”、“实质上”的含义。
此外，在本申请一些实施例中，关于接合、连接的用语例如“连接”、“互连”等，除非特别定义，否则可指两个结构是直接接触，或者亦可指两个结构并非直接接触，其中有其它结构设于此两个结构之间。且此关于接合、连接的用语亦可包括两个结构都可移动，或者两个结构都固定的情况。此外，在一些实施例中，前述用语亦可包括两者电性连接或两者未直接接触。
此外，用语“在第一数值至第二数值的范围中”、“范围为第一数值至第二数值”表示所述范围包含第一数值、第二数值以及它们之间的其它数值。
图1A是本申请一些实施例的发光装置100的示意图，而图1B是图1A的发光装置100的A1部分的放大图。发光装置100可包括可挠基板10、导电层20、导电层22、阻障层30、保护层40、以及发光单元C。在图1B中，可挠基板10可包括通孔V，并且具有顶表面10A以及底表面10B。导电层20可设置在可挠基板10的底表面10B上。导电层22可设置在可挠基板10的顶表面10A上以及通孔V之中。在一些实施例中，导电层22可覆盖通孔V的侧壁以及导电层20。阻障层30可设置在导电层20以及导电层22上。保护层40可设置在阻障层30上。发光单元C可设置在可挠基板10的顶表面10A上，且保护层40可设置于发光单元C与阻障层30之间。在一些实施例中，保护层可通过保护层40、及阻障层30而与导电层20电性连接。在其他实施例中，保护层40可在连接到发光单元C时发生反应，而使得发光单元C直接接触阻障层30(图未示)，但并不以此为限。
在一些实施例中，可挠基板10可包括基材及/或设置在基材中的线路等。所述基材可包括高分子材料，例如聚碳酸酯(polycarbonate，PC)、聚酰亚胺(polyimide，PI)、聚丙烯(polypropylene，PP)或者聚对苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate，PET)等、其他适合的材料、或上述材料的组合，但不限于此。所述基材中的线路可包括无源式矩阵(passive matrix，PM)线路或者有源式矩阵(active matrix，AM)线路等。
在一些实施例中，导电层20及/或导电层22的材料可包括导电材料，例如铜、银、铝、金、钼、钛、钨、锡、镍、其他适合的材料或上述材料的组合，但不限于此。阻障层30的材料可包括金属材料(例如镍、铂、银、金、铜或上述的合金)、其他适合的材料、或上述材料的组合，但不限于此。保护层40的材料可包括金属材料(例如金、铜、或上述的合金)、其他适合的材料或上述材料的组合，但不限于此。在一实施例中，导电层20、导电层22、阻障层30、保护层40可包含相同的材料，在此实施例中，阻障层30、及保护层40可视为与导电层20及/或导电层22同一层，但不限于此。
由于导电层20以及导电层22可分别位在可挠基板10的两侧，故可允许于可挠基板10的两侧传输电流信号。阻障层30可用以保护导电层20及/或导电层22，例如可减少导电层20及/或导电层22的材料扩散到其他元件而造成阻抗改变的几率。保护层40可保护导电层20、导电层22、及/或阻障层30等元件与外界发生反应(例如氧化)。
在可挠基板10的法线方向上(Z方向)，导电层20的厚度T2或导电层22的厚度T3可小于可挠基板10的厚度T1。导电层20的厚度T2可为在可挠基板10的底表面上的最大厚度。导电层22的厚度T3可为在通孔V的中央区域或顶表面10A上的厚度。举例来说，在一些实施例中，可挠基板10的厚度T1可小于或等于约150微米，例如120微米、100微米、80微米、50微米、或30微米，但不限于此。导电层20的厚度T2或导电层22的厚度T3可小于或等于约100微米，例如80微米、60微米、50微米、30微米、或10微米。此外，在一些实施例中，导电层20的厚度T2可大致上与导电层22的厚度T3相等，但不限于此。借由将可挠基板10的厚度T1设计为小于约150微米或者将导电层20的厚度T2或导电层22的厚度T3设计为小于约100微米，可降低发光装置100的尺寸，达成微型化。
在一些实施例中，发光单元C可包括例如发光二极管(light emitting diode，LED)、其他适合的元件或其组合，但不限于此。所述发光二极管可例如包括无机发光二极管(inorganic light emitting diode)、有机发光二极管(organic light emitting diode，OLED)、次毫米发光二极管(mini LED)、微发光二极管(micro LED)、量子点(quantum dot，QD)、量子点发光二极管(QLED、QDLED)、荧光(fluorescence)材料、磷光(phosphor)材料、其他适合的材料、或上述的组合，但不以此为限。在一些实施例中，可在发光单元C上设置封装结构P1，以保护发光单元C。在一些实施例中，封装结构P1的材料可包含有机聚合物、无机聚合物、玻璃或前述的组合，但不限于此。在一些实施例中，封装结构P1可为透明或半透明的，以允许发光单元C的光线透过，但不限于此。
接着，请参考图2，其是本申请一些实施例的发光装置200的示意图。发光装置200的可挠基板10可包括至少一薄膜晶体管T(thin-film transistor，TFT)，例如设置于基材(图未示)上，以驱动其他元件(例如发光单元C)，但并不限于此。在一些实施例中，薄膜晶体管T可包括上栅极(top gate)薄膜晶体管、下栅极(bottom gate)薄膜晶体管、双栅极(double gate及/或dual gate)薄膜晶体管或其组合，但并不限于此。在一些实施例中，薄膜晶体管T可包括半导体材料，例如非晶硅(amorphous silicon)、多晶硅(polysilicon，例如低温多晶硅(low temperature polysilicon，LTPS))、氧化半导体(例如氧化铟镓锌(indium gallium zinc oxide，IGZO))、其他金属氧化物、其他适合的材料或上述材料的组合，但不限于此。在一些实施例中，不同的薄膜晶体管T可包括上述不同的半导体材料，但不限于此。举例来说，一薄膜晶体管T可包含低温多晶硅，而另一薄膜晶体管T可包含氧化半导体，但不限于此。
此外，在发光装置200中，可挠基板10还包括支撑层50、及设置在可挠基板10与支撑层50之间的连接层60。支撑层50可设置于可挠基板10远离发光单元C的一侧，即可挠基板10可位于支撑层50与发光单元C之间。支撑层50的材料可包括玻璃、铝、或其他适当的材料，但不限于此。在一实施例中，支撑层50可包含电路板，但不限于此。在一些实施例中，支撑层50的硬度可大于可挠基板10的硬度，以增加发光装置200的强度。连接层60的材料可包括环氧树脂胶(Epoxy glue)、硅胶(silicon glue)、光阻、其他适当的粘着材料、或上述的组合，但不限于此。连接层60可用以连接可挠基板10与支撑层50。此外，在一些实施例中，连接层60可用以减少导电层20、阻障层30、保护层40等暴露于外界而腐蚀或氧化的情况，进而保护导电层20、阻障层30、保护层40等。在一些实施例中，在形成具有支撑层50的发光装置200后，可将支撑层50与连接层60替换为合适的软性材料，例如聚酰亚胺、软性电路板(flexible circuit board)、或聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)，借此可得到具有软性基板的发光装置，但并不限于此。
接着，请参考图3A以及图3B，其分别是本申请一些实施例的发光装置300A以及发光装置300B的示意图。在发光装置300A中，可将薄膜晶体管T与发光单元C设置于基材(图未示)的同一侧，并且可借由设置在基材另一侧的线路与其他元件电性连接，使薄膜晶体管T可接收信号。在发光装置300B中，可将薄膜晶体管T与发光单元C分别设置在基材(图未示)的相对两侧。借此，可满足不同的制程或设计需求。应注意的是，在图3B中为了简洁起见，省略了一些连接到薄膜晶体管T的线路。
在一些实施例中，可在支撑层50以及连接层60中形成至少一开口O，以在可挠基板10不具有发光单元的一侧设置各种元件。在某些实施例中，开口O可完全穿过或未完全穿过连接层60。举例来说，如图3A以及图3B所示，可将一电子元件70设置在开口O中，亦即设置在靠近可挠基板10的底表面10B处。在某些实施例中，电子元件70可包含连接器、半导体芯片、其他适当的电子元件、或上述的组合。在其他实施例中，如图3B所示，将薄膜晶体管T与发光单元C分别设置于基材的两侧，可增加在可挠基板10的顶表面10A设置发光单元的空间。电子元件70可用以将前述发光单元C、薄膜晶体管T等通过线路及通孔V与外界进行电性连接(例如传送驱动发光单元C及/或薄膜晶体管T的信号)。此外，导电层20、阻障层30、保护层40等亦可通过电子元件70与外界电性连接，但不限于此。在一实施例中，半导体芯片可用以控制发光装置300A或发光装置300B中的各种元件(例如发光单元C、薄膜晶体管T等)。借由将半导体芯片设置在开口O中，可降低发光装置300A或发光装置300B的尺寸。在一些实施例中，在可挠基板10的法线方向上(Z方向)，半导体芯片的厚度可小于支撑层50的厚度与连接层60的厚度的和，因此可允许半导体芯片被保护在开口O中，但不限于此，在其他实施例中，半导体芯片的厚度也可以大于或等于支撑层50的厚度与连接层60的厚度的和。在一些实施例中，可同时在发光装置中设置连接器及半导体芯片，取决于设计需求。
在一些实施例中，如图3B所示，可将多个发光单元C封装在单一个封装结构P2中，借此可简化制程。虽然图3A的发光单元C与薄膜晶体管T是设置在基材的同一侧，并且所述多个发光单元C是分别以封装结构P1封装，而图3B的发光单元C与薄膜晶体管T是设置在基材的相反侧，并且所述多个发光单元C是以单个封装结构P2封装，但本申请并不以此为限。举例来说，本申请亦包括发光单元C与薄膜晶体管T设置在基材的同一侧，并且所述多个发光单元C是以单个封装结构P2封装、以及发光单元C与薄膜晶体管T设置在基材的相反侧，并且所述多个发光单元C是分别以多个封装结构P1封装的实施例，取决于设计需求。
图4是本申请一些实施例的发光装置500的示意图。发光装置500与前述发光装置100大致相同，其差异在于发光装置500的通孔V’具有倾斜的侧壁，而其余类似的结构于此不再赘述。通孔V’的侧壁12与可挠基板10的底表面10B间的夹角θ可介于30度至120度之间(30度≤夹角θ≤120度)，例如50度、60度、70度、90度、100度、或110度。借此，可使导电层20更易与导电层22接触、或导电层22较不容易断线。
图5是本申请一些实施例的发光装置600的部分放大示意图。应注意的是，为了简洁起见，在发光装置600中未绘示前述发光单元C。在可挠基板10的通孔V中设置导电层22、阻障层30、保护层40等之后，可在通孔V中额外设置接合材料80。接合材料80可包括银胶(silver paste)、铜胶、纳米金属粉末、焊锡(solder)、其他适当的材料、或上述的组合，但不限于此。接合材料80可用以电性连接导电层22、阻障层30、保护层40等导电结构与其他元件(例如前述发光单元C)，但不限于此。在一实施例中，由于接合材料80可填入通孔V的空隙中，因此可增强发光装置600在制造过程中通孔V处的机械强度，但不限于此。
图6是本申请一些实施例的发光装置700的示意图。发光装置700与前述实施例不同的是，通孔V中可包含导电材料26，导电层22可通过导电材料26与导电层20电性连接。导电材料26例如可包括金属材料(例如铜、银、金、铝、镍、钨、锡、或上述的合金)、其他适合的材料或上述材料的组合，但不限于此。借此，亦可使设置在可挠基板10两侧的导电层20与导电层22彼此进行电性连接。
图7A至图7H是本申请一些实施例的一种形成发光装置(例如前述发光装置100)的方法的示意图。在图7A中，提供支撑基板91，并且将可挠基板10通过粘合层92而连接至支撑基板91。可挠基板10可包含薄膜晶体管。在其他实施例中，可将基材(图未示)连接至支撑基板91后，再形成线路层或薄膜晶体管(图未示)于基材上以形成可挠基板10。支撑基板91的材料可包括玻璃或其他适当的材料，但不限于此。粘合层92的材料可包括环氧树脂胶(Epoxy glue)、硅胶(silicon glue)、光阻、光学透明胶(Optical Clear Adhesive)与光学透明树脂(Optical Clear Resin)、其他适当的材料、或上述的组合，但不限于此。在一些实施例中，支撑基板91的硬度可大于可挠基板10的硬度，故可提供后续对可挠基板10进行处理时的支撑。在一些实施例中，可挠基板10可包含前述薄膜晶体管T。在一实施方式中，可以不需要粘合层92，而是直接利用涂布制程形成可挠基板10于支撑基板91上，用以简化制程。举例来说，可使用涂布制程形成可挠基板10的基材于支撑基板91，再形成可挠基板10的线路层。
接着，在图7B中，在可挠基板10上设置导电层20，导电层20可被图案化。在一些实施例中，可借由溅镀(sputter)、电镀(plating)、光刻(photolithography)、及/或网印(printing)等方式设置图案化的导电层20，但并不以此为限。
在图7C中，可在导电层20上设置阻障层30及/或保护层40。可借由电镀、化学镀(chemical plating)等方式设置阻障层30及/或保护层40，但并不以此为限。在图7D中，可将支撑层50借由连接层60连接到可挠基板10上，其中连接层60可包围导电层20、阻障层30、以及保护层40。接着，在图7E中，可翻转整个结构使可挠基板10位于支撑层50上方，并且借由化学蚀刻、激光移除(laser lift-off)、或机械剥离等方式去除支撑基板91以及粘合层92，之后可再用激光、及/或光刻蚀刻等方式，在可挠基板10中形成通孔V，但并不以此为限。在图7F中，可在可挠基板10上以及通孔V中形成导电层22、阻障层30、保护层40。可借由溅镀、电镀、光刻等方式形成导电层22，并且可借由电镀、化学镀等方式设置阻障层30以及保护层40，但并不以此为限。在一些实施例中，在图7F的步骤之后，如图7G所示，可去除支撑层50及/或连接层60。在一些实施例中，如图7H所示，在图7F的步骤之后，亦可保留支撑层50及连接层60。不论去除或保留支撑层50及连接层60，可将发光单元C设置在可挠基板10上，并通过导电层20、导电层22、阻障层30、保护层40，与可挠基板10上的其他元件(图未示)进行电性连接。然而，本申请并不以此为限，亦可在图7G的步骤之后，形成新的支撑层及/或连接层60。
图8A至图8G是本申请一些实施例的另一种制作发光装置(例如前述发光装置100)的方法的示意图。在8A图中，可提供支撑基板93以及设置在支撑基板93上的牺牲层94。支撑基板93的材料与功能可与前述支撑基板91相同或相似，于此不再赘述。牺牲层94的材料可包括胶、光阻、非晶硅、高分子材料、其他适合的材料或上述材料的组合，但不限于此。
在图8B中，可在牺牲层94上形成导电层20。在8C图中，可在牺牲层94上提供可挠基板10。可借由在牺牲层94上涂覆一层合适的基板材料(如前述可挠基板10的基板材料)，并在基板材料中设置有源元件(例如前述薄膜晶体管T)或线路层，以形成可挠基板10，但不限于此。
在图8D中，在可挠基板10上对应导电层20的位置形成通孔V。在图8E中，在可挠基板10上以及通孔V中形成导电层22、阻障层30、保护层40。
在图8F中，去除支撑基板93、及牺牲层94从而露出导电层20。可借由激光、化学蚀刻等方式去除支撑基板93、牺牲层94，但不限于此。在一实施例中，可更移除一部分的可挠基板10，但不限于此。之后，再在导电层20上形成阻障层30以及保护层40。最后，在图8G中，将发光单元C设置在可挠基板10上，并通过导电层20、导电层22、阻障层30、及保护层40，与可挠基板10上的其他元件(图未示)进行电性连接，从而形成前述发光装置。
在一些实施例中，前述发光装置例如可为发光二极管发光装置。举例来说，图9A是本申请一些实施例的发光装置1000的俯视图，而图9B是图9A的发光装置沿着B-B’剖面线所绘示的剖面图。发光装置1000例如可包括发光单元C1、发光单元C2、发光单元C3。在一些实施例中，发光单元C1、发光单元C2、发光单元C3可发出不同颜色的光(例如发出红、绿、蓝、黄光)，或者亦可发出相同颜色的光，但并不以此为限。在一些实施例中，由于本申请所提供的基板具有良好的精度，故发光单元C1、发光单元C2、发光单元C3的正极与负极之间的间隔距离(P-N gap)可小于50微米，以满足微型化的需求。
如图9A以及图9B所示，发光单元C1、发光单元C2、发光单元C3的正极及负极的其中一极(例如正极)例如可一起电性连接到设置在可挠基板10顶表面10A上的导电结构E1(包括导电层22、阻障层30、保护层40)，并通过通孔V1电性连接到设置在可挠基板10底表面9B上的导电结构D1(包括导电层20、阻障层30、保护层40，如图9A虚线所示)。换句话说，发光单元C1、发光单元C2、及发光单元C3可具有一共同的电极(正极或负极)。借此，可降低所需的电极数目。在一实施例中，一部分的导电结构E1可与发光单元C1、发光单元C2、及发光单元C3在俯视方向上重叠。
发光单元C1、发光单元C2、发光单元C3的另外一极(例如负极)可分别连接到设置在可挠基板10顶表面10A上的导电结构E2、导电结构E3、导电结构E4(包括导电层22、阻障层30、保护层40)，再分别通过通孔V2、通孔V3、通孔V4电性连接到设置在可挠基板10底表面10B上的导电结构D2、导电结构D3、导电结构D4(包括导电层20、阻障层30、保护层40，如图9A虚线所示)。换句话说，发光单元C1、发光单元C2、发光单元C3的正极与负极电性分离。在一实施例中，一部分的导电结构E2可与发光单元C1在俯视方向上重叠。一部分的导电结构E3可与发光单元C2在俯视方向上重叠。一部分的导电结构E4可与发光单元C3在俯视方向上重叠。然而，本申请并不以此为限，亦可仅让发光单元C1、发光单元C2、发光单元C3其中两者共用电极，或者是发光单元C1、发光单元C2、发光单元C3亦可不共用电极。借此，可个别控制各个发光单元C1、发光单元C2、发光单元C3。
综上所述，本申请实施例提供一种具有高精度基板的发光装置。借由提高了基板的精度，可降低基板的尺寸，以达成微型化。应注意的是，前述实施例中所述的材料、材料层厚度、各种元件的轮廓、结构、电路等仅为范例，且所述尺寸或范围仅用以示意，本申请并不以此为限。
本申请前述实施例所述的发光装置亦可整合触控功能，作为一种触控电子装置。此外，本申请前述实施例所述的发光装置或触控电子装置可应用在任何电子装置上，譬如显示器、手机、手表、笔记本电脑、摄影机、照相机、移动导航装置、电视机等，然上述装置仅为举例而已，本申请的应用并不限于此。前述电子装置可包括显示装置、天线装置、感测装置或拼接装置、可弯折或可挠式电子装置、但不以此为限。本申请前述实施例所述的发光装置亦可应用在具有触控功能的天线装置或其他类型的显示装置上。此外，本申请前述实施例所述的发光装置亦可用于显示装置的背光模块。各实施例间特征只要不违背发明精神或相冲突，均可任意混合搭配使用。
虽然本发明已以较佳实施例揭示如上，然其并非用以限定本发明，任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的修改和完善，因此本发明的保护范围当以权利要求书所界定的为准。

Claims (11)

1.一种发光装置，包括：
一可挠基板，具有一通孔、一顶表面、以及一底表面；
一发光单元，设置在该可挠基板的该顶表面上；
一薄膜晶体管，电性连接到该发光单元；以及
一电路，设置在该可挠基板的该底表面上，并通过该通孔传送一信号，该信号驱动该发光单元。
2.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，该薄膜晶体管设置在该可挠基板的该顶表面上。
3.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，该薄膜晶体管设置在该可挠基板的该底表面上。
4.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，该电路包括一连接器。
5.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，该电路包括一半导体芯片。
6.如权利要求1所述的发光装置，更包括：
一导电层，设置在该通孔中；以及
一阻障层，覆盖该导电层。
7.如权利要求6所述的发光装置，其特征在于，该导电层的材料包括铜、银、铝、钼、钛、及其组合。
8.如权利要求6所述的发光装置，其特征在于，该阻障层的材料包括镍、铂、银、及其组合。
9.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，该通孔包括一倾斜的侧壁。
10.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，该通孔填充有一导电材料。
11.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，该电路电性连接到该薄膜晶体管并传送该信号到该薄膜晶体管。
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Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030227021A1 (en) * 2002-06-07 2003-12-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and manufacturing method thereof
US20140078705A1 (en) * 2012-09-17 2014-03-20 Samsung Display Co., Ltd. Display device
US20180006058A1 (en) * 2016-06-30 2018-01-04 Innolux Corporation Display device
TWI635523B (zh) * 2017-06-13 2018-09-11 達方電子股份有限公司 發光按鍵及包含該發光按鍵之發光鍵盤
CN109712932A (zh) * 2018-11-13 2019-05-03 友达光电股份有限公司 可挠式阵列基板及其制造方法
CN109786399A (zh) * 2017-11-13 2019-05-21 群创光电股份有限公司 检测装置
CN110391252A (zh) * 2018-04-19 2019-10-29 群创光电股份有限公司 电子装置

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7459719B2 (en) * 2004-12-17 2008-12-02 Panasonic Corporation Superlattice optical semiconductor device where each barrier layer has high content of group III elements in center portion and low content near well layer
JP2007201054A (ja) * 2006-01-25 2007-08-09 Matsushita Electric Ind Co Ltd 接続部構造及びその製造方法
KR20140021096A (ko) * 2012-08-07 2014-02-20 한국전자통신연구원 도핑 베리어를 가지는 자기 정렬 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법
US10121710B2 (en) * 2016-06-14 2018-11-06 Innolux Corporation Methods for manufacturing a display device
US11201200B2 (en) * 2019-08-23 2021-12-14 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor device package and method of manufacturing the same
US11437415B2 (en) * 2019-08-30 2022-09-06 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor device package and method of manufacturing the same

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030227021A1 (en) * 2002-06-07 2003-12-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and manufacturing method thereof
US20140078705A1 (en) * 2012-09-17 2014-03-20 Samsung Display Co., Ltd. Display device
US20180006058A1 (en) * 2016-06-30 2018-01-04 Innolux Corporation Display device
TWI635523B (zh) * 2017-06-13 2018-09-11 達方電子股份有限公司 發光按鍵及包含該發光按鍵之發光鍵盤
CN109786399A (zh) * 2017-11-13 2019-05-21 群创光电股份有限公司 检测装置
CN110391252A (zh) * 2018-04-19 2019-10-29 群创光电股份有限公司 电子装置
CN109712932A (zh) * 2018-11-13 2019-05-03 友达光电股份有限公司 可挠式阵列基板及其制造方法

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