CN112951154A - 像素驱动电路、显示面板及显示装置 - Google Patents

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Abstract

本申请实施例公开一种像素驱动电路、显示面板及显示装置，像素驱动电路包括：发光器件、驱动单元、初始化单元及补偿单元。驱动单元包括驱动晶体管，初始化单元连接于驱动晶体管的栅极与初始化电压端之间，补偿单元连接于驱动晶体管的栅极与驱动晶体管的源极或漏极中的一者之间。其中，初始化单元、补偿单元中的至少一个包括串联的两晶体管，两晶体管中的至少一个晶体管的有源层包括氧化物半导体，以通过有源层包括氧化物半导体的晶体管具有的低漏电流特性，降低功耗，提高发光器件的发光稳定性，并利于显示面板实现高屏幕刷新率显示。

Description

像素驱动电路、显示面板及显示装置
技术领域
本申请涉及显示技术领域，具体涉及一种像素驱动电路、一种显示面板及一种显示装置。
背景技术
大尺寸显示装置虽然可以提供较大面积的信息交互窗口，但为确保显示装置具有较好的显示效果，显示装置会要求更高的屏幕刷新率。而高的屏幕刷新率要求及驱动所述显示装置显示的像素驱动电路中所采用的晶体管存在漏电流问题，会导致显示装置的功耗的增大。
发明内容
本申请实施例提供一种像素驱动电路、一种显示面板及显示装置，可以降低显示面板的功耗。
本申请实施例提供一种像素驱动电路，包括：发光器件、驱动单元、初始化单元及补偿单元。所述驱动单元连接于第一电压端与所述发光器件之间，所述驱动单元包括驱动晶体管。所述初始化单元连接于所述驱动晶体管的栅极与初始化电压端之间。所述补偿单元连接于所述驱动晶体管的所述栅极与所述驱动晶体管的源极或漏极中的一者之间。其中，所述初始化单元、所述补偿单元中的至少一个包括串联的两晶体管，两所述晶体管中的至少一个所述晶体管的有源层包括氧化物半导体。
可选地，在本申请的一些实施例中，所述初始化单元包括串联的第一初始化晶体管和第二初始化晶体管。其中，所述第一初始化晶体管的有源层包括所述氧化物半导体，所述第二初始化晶体管的有源层包括的半导体材料与所述第一初始化晶体管的所述有源层包括的半导体材料不同。
可选地，在本申请的一些实施例中，所述第一初始化晶体管的栅极与第一扫描信号线连接，所述第一初始化晶体管的源极或漏极中的一者与所述初始化电压端连接，所述第一初始化晶体管的所述源极或所述漏极中的另一者与所述第二初始化晶体管的源极或漏极中的一者连接。
所述第二初始化晶体管的栅极与第二扫描信号线连接，所述第二初始化晶体管的所述源极或所述漏极中的另一者与所述驱动晶体管的所述栅极连接。
可选地，在本申请的一些实施例中，所述补偿单元包括串联的第一补偿晶体管和第二补偿晶体管。其中，所述第一补偿晶体管的有源层包括所述氧化物半导体，所述第二补偿晶体管的有源层包括的半导体材料与所述第一补偿晶体管的有源层包括的半导体材料不同。
可选地，在本申请的一些实施例中，所述第一补偿晶体管的栅极与第三扫描信号线连接，所述第一补偿晶体管的源极或漏极中的一者与所述驱动晶体管的源极或漏极中的一者连接，所述第一补偿晶体管的所述源极或所述漏极中的另一者与所述第二补偿晶体管的源极或漏极中的一者连接。
所述第二补偿晶体管的栅极与第四扫描信号线连接，所述第二补偿晶体管的所述源极或所述漏极中的另一者与所述驱动晶体管的所述栅极连接。
可选地，在本申请的一些实施例中，所述像素驱动电路还包括：复位单元和发光控制单元。
所述复位单元连接于复位电压端与所述发光器件的阳极之间，所述复位单元包括复位晶体管，所述复位晶体管的源极或漏极中的一者与所述复位电压端连接，所述复位晶体管的所述源极或所述漏极中另一者与所述发光器件的所述阳极连接。
所述发光控制单元包括第一开关晶体管和第二开关晶体管，所述第一开关晶体管的源极或漏极的一者与所述第一电压端连接，所述第一开关晶体管的所述源极或所述漏极的另一者与所述驱动晶体管的所述源极或所述漏极中的一者连接，所述第二开关晶体管的源极或漏极中的一者与所述驱动晶体管的所述源极或所述漏极中的一者连接，所述第二开关晶体管的所述源极或所述漏极中的另一者与所述发光器件的所述阳极连接。
其中，所述复位晶体管的栅极、所述第一开关晶体管的栅极及所述第二开关晶体管的栅极均与发光控制信号线连接。
可选地，在本申请的一些实施例中，所述复位晶体管的有源层包括氧化物半导体；所述复位晶体管的导电沟道与所述第一开关晶体管、所述第二开关晶体管的导电沟道类型不同。
可选地，在本申请的一些实施例中，所述第一初始化晶体管为N型晶体管，所述第二初始化晶体管为P型晶体管。
可选地，在本申请的一些实施例中，所述第一补偿晶体管为N型晶体管，所述第二补偿晶体管为P型晶体管。
可选地，在本申请的一些实施例中，所述像素驱动电路还包括：数据写入单元和存储单元。
所述数据写入单元连接于数据信号线与所述驱动晶体管的源极或漏极中的一者之间，所述数据写入单元包括数据晶体管，所述数据晶体管的栅极与第四扫描信号线连接，所述数据晶体管的源极或漏极中的一者与数据信号线连接，所述数据晶体管的所述源极或所述漏极中的另一者与所述驱动晶体管的所述源极或所述漏极的一者连接；
所述存储单元包括存储电容，所述存储电容串联在所述第一电压端与所述驱动晶体管的所述栅极之间。
本申请的实施例还提供一种显示面板，包括发光器件及用于驱动所述发光器件发光的像素驱动电路。所述像素驱动电路包括：第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管及第五晶体管。
所述第二晶体管的栅极与第一扫描信号线连接，所述第二晶体管的源极或漏极中的一者与初始化电压端连接。所述第三晶体管的栅极与第二扫描信号线连接，所述第三晶体管的源极或漏极中的一者与所述第二晶体管的所述源极或所述漏极中的另一者连接，所述第三晶体管的所述源极或所述漏极的另一者与所述第一晶体管的栅极连接。所述第四晶体管的栅极与第三扫描信号线连接，所述第四晶体管的源极或漏极中的一者与所述第一晶体管的源极或漏极中的一者连接。所述第五晶体管的栅极与第四扫描信号线连接，所述第五晶体管的源极或漏极中的一者与所述第四晶体管的所述源极或所述漏极中的另一者连接，所述第五晶体管的所述源极或所述漏极中的另一者与所述第一晶体管的栅极连接。
其中，所述第二晶体管、所述第三晶体管、所述第四晶体管与所述第五晶体管中的至少一个包具有括氧化物半导体的有源层。
可选地，在本申请的一些实施例中，所述第二晶体管的有源层与所述第四晶体管的有源层均包括所述氧化物半导体，所述第三晶体管的有源层与所述第五晶体管的有源层均包括硅半导体。
可选地，在本申请的一些实施例中，所述像素驱动电路还包括：第六晶体管、第七晶体管、第八晶体管、第九晶体管及第一电容。
所述第六晶体管的栅极与发光控制信号线连接，所述第六晶体管的源极或漏极中的一者与复位电压端连接，所述第六晶体管的所述源极或所述漏极中的另一者与所述发光器件的阳极连接。所述第七晶体管的栅极与所述第四扫描信号线连接，所述第七晶体管的源极或漏极中的一者与数据信号线连接，所述第七晶体管的所述源极或所述漏极中的另一者与所述第一晶体管的所述源极或所述漏极中的一者连接。所述第八晶体管的栅极与所述发光控制信号线连接，所述第八晶体管的源极或漏极的一者与第一电压端连接，所述第八晶体管的所述源极或所述漏极的另一者与所述第一晶体管的所述源极或所述漏极中连接所述第七晶体管的所述源极或所述漏极中的一者连接。所述第九晶体管的栅极与所述发光控制信号线连接，所述第九晶体管的源极或漏极中的一者与所述第一晶体管的所述源极或所述漏极中连接所述第四晶体管的所述源极或所述漏极中的一者连接，所述第九晶体管的所述源极或所述漏极中的另一者与所述发光器件的阳极连接。所述第一电容串联在所述第一电压端与所述第一晶体管的栅极之间。
可选地，在本申请的一些实施例中，所述第六晶体管包括具有氧化物半导体的有源层，所述第六晶体管为N型晶体管，所述第八晶体管和所述第九晶体管为P型晶体管。
本申请的实施例还提供一种显示装置，包括上述的任一种像素驱动电路或上述的任一种显示面板。
本申请实施例提供的像素驱动电路、显示面板及显示装置，所述像素驱动电路包括：发光器件、驱动单元、初始化单元及补偿单元。所述驱动单元连接于第一电压端与所述发光器件之间，所述驱动单元包括驱动晶体管。所述初始化单元连接于所述驱动晶体管的栅极与初始化电压端之间。所述补偿单元连接于所述驱动晶体管的所述栅极与所述驱动晶体管的源极或漏极中的一者之间。其中，所述初始化单元、所述补偿单元中的至少一个包括串联的两晶体管，两所述晶体管中的至少一个所述晶体管的有源层包括氧化物半导体，以通过有源层包括所述氧化物半导体的所述晶体管具有的低漏电流特性，降低因晶体管漏电流较大导致的功耗较大的问题，进而使采用所述像素驱动电路的显示面板在满足高屏幕刷新率要求同时，降低所述显示面板的功耗。此外，还可以改善所述发光器件发光亮度不均的问题，改善采用所述像素驱动电路的显示面板的显示质量。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1A～图1E是本申请实施例提供的像素驱动电路的电路结构示意图；
图2是如图1E所示的像素驱动电路的工作时序图；
图3是本申请的实施例提供的显示面板的结构示意图；
图4A～图4E是本申请的实施例提供的像素驱动电路的电路结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。此外，应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本申请，并不用于限制本申请。在本申请中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上”和“下”通常是指装置实际使用或工作状态下的上和下，具体为附图中的图面方向；而“内”和“外”则是针对装置的轮廓而言的。需说明的是，以下实施例的描述顺序不作为对实施例优选顺序的限定。
请参阅图1A～图1E是本申请实施例提供的像素驱动电路的电路结构示意图；如图2是如图1E所示的像素驱动电路的工作时序图。本申请实施例提供一种像素驱动电路，所述像素驱动电路包括发光器件D1，驱动单元101、初始化单元102及补偿单元103。
可选地，所述发光器件D1包括有机发光二极管、次毫米发光二极管及微型发光二极管。
所述驱动单元101连接于第一电压端ELVDD与所述发光器件D1之间，所述驱动单元101用于驱动所述发光器件D1发光。所述驱动单元101包括驱动晶体管Td。
所述初始化单元102连接于所述驱动晶体管Td的栅极与初始化电压端VI之间，所述初始化单元102用于根据初始化控制信号将初始化信号Vinit传输至所述驱动晶体管Td的所述栅极，初始化所述驱动晶体管Td的栅极电压。
所述补偿单元103连接于所述驱动晶体管Td的所述栅极与所述驱动晶体管Td的源极或漏极中的一者之间，所述补偿单元103用于根据补偿控制信号将具有补偿阈值电压作用的数据信号Vdata传输至所述驱动晶体管Td的所述栅极，补偿所述驱动晶体管Td的阈值电压。
其中，所述初始化单元102、所述补偿单元103中的至少一个包括串联的两晶体管，两所述晶体管中的至少一个所述晶体管的有源层包括氧化物半导体，以通过有源层包括所述氧化物半导体的所述晶体管具有的低漏电流特性，降低因晶体管漏电流较大导致的功耗较大的问题，进而使采用所述像素驱动电路的显示面板在满足高屏幕刷新率要求同时，降低所述显示面板的功耗。
此外，由于所述初始化单元102连接于所述驱动晶体管Td的栅极与初始化电压端VI之间，所述补偿单元103连接于所述驱动晶体管Td的所述栅极与所述驱动晶体管Td的源极或漏极中的一者之间。因此，若所述初始化单元102中包括的晶体管包括具有所述氧化物半导体的有源层，则可降低所述初始化电压端VI对所述驱动晶体管Td的栅极电压的影响，保证所述驱动晶体管Td的栅极电压稳定。若所述补偿单元103中包括的晶体管包括具有所述氧化物半导体的有源层，则可降低所述驱动晶体管Td的源极或漏极中的一者对所述驱动晶体管Td的栅极电压的影响，保证所述驱动晶体管Td的栅极电压稳定。因此，在所述初始化单元102和/或所述补偿单元103包括的晶体管包括具有所述氧化物半导体的有源层时，均可以提高所述驱动晶体管Td栅极电压的稳定性，从而改善所述发光器件D1发光亮度不均的问题，提高所述发光器件D1的发光稳定性，改善采用所述像素驱动电路的显示面板的显示质量。
可选地，所述氧化物半导体包括金属氧化物半导体。进一步地，所述氧化物半导体包括铟镓锌氧化物、氧化锌、氧化锡、氧化铟等材料。
以下将分别对所述初始化单元102和/或所述补偿单元103中包括的晶体管包括具有所述氧化物半导体的有源层的实施例进行说明。
具体地，以所述初始化单元102中包括的晶体管包括具有所述氧化物半导体的有源层为例进行说明。请继续参阅图1A～图1B，所述初始化单元102包括串联的第一初始化晶体管Ti1和第二初始化晶体管Ti2。其中，所述第一初始化晶体管Ti1的有源层和/或所述第二初始化晶体管Ti2的有源层包括所述氧化物半导体。
进一步地，请继续参阅图1A，所述第一初始化晶体管Ti1的有源层包括所述氧化物半导体。所述第二初始化晶体管Ti2的有源层包括的半导体材料与所述第一初始化晶体管Ti1的所述有源层包括的半导体材料不同。更进一步地，所述第二初始化晶体管Ti2的有源层包括硅半导体。可选地，所述硅半导体包括单晶硅、多晶硅等材料。
由于所述第一初始化晶体管Ti1较所述第二初始化晶体管Ti2具有较低的漏电流特性，因此，所述像素驱动电路可通过所述第一初始化晶体管Ti1降低功耗，并通过所述第一初始化晶体管Ti1改善所述发光器件D1发光亮度不均的问题。
与之相似地，请继续参阅图1B，所述第二初始化晶体管Ti2的有源层包括所述氧化物半导体。所述第一初始化晶体管Ti1的有源层包括的半导体材料与所述第二初始化晶体管Ti2的所述有源层包括的半导体材料不同，以使所述像素驱动电路可通过所述第二初始化晶体管Ti2降低功耗，并通过所述第二初始化晶体管Ti2改善所述发光器件D1发光亮度不均的问题。更进一步地，所述第一初始化晶体管Ti1的有源层包括硅半导体。
与之相似地，所述第一初始化晶体管Ti1的有源层与所述第二初始化晶体管Ti2的有源层均包括所述氧化物半导体，以使所述像素驱动电路可通过所述第一初始化晶体管Ti1与所述第二初始化晶体管Ti2的共同作用降低功耗，并可通过所述第一初始化晶体管Ti1与所述第二初始化晶体管Ti2改善所述发光器件D1发光亮度不均的问题。
具体地，以所述补偿单元103中包括的晶体管的有源层包括所述氧化物半导体为例进行说明。请继续参阅图1C～图1D，所述补偿单元103包括串联的第一补偿晶体管Tc1和第二补偿晶体管Tc2；其中，所述第一补偿晶体管Tc1的有源层和/或所述第二补偿晶体管Tc2的有源层包括所述氧化物半导体。
进一步地，请继续参阅图1C，所述第一补偿晶体管Tc1的有源层包括所述氧化物半导体，所述第二补偿晶体管Tc2的有源层包括的半导体材料与所述第一补偿晶体管Tc1的所述有源层包括的半导体材料不同，以使所述像素驱动电路可通过所述第一补偿晶体管Tc1降低功耗，并通过所述第一补偿晶体管Tc1改善所述发光器件D1发光亮度不均的问题。更进一步地，所述第二补偿晶体管Tc2的有源层包括硅半导体。可选地，所述硅半导体包括单晶硅、多晶硅等材料。
与之相似地，请继续参阅图1D，所述第二补偿晶体管Tc2的有源层包括所述氧化物半导体，所述第一补偿晶体管Tc1的有源层包括的半导体材料与所述第二补偿晶体管Tc2的所述有源层包括的半导体材料不同，以使所述像素驱动电路通过所述第二补偿晶体管Tc2降低功耗，并通过所述第二补偿晶体管Tc2改善所述发光器件D1发光亮度不均的问题。更进一步地，所述第一补偿晶体管Tc1的有源层包括硅半导体。
与之相似地，所述第一补偿晶体管Tc1的有源层与所述第二补偿晶体管Tc2的有源层均包括所述氧化物半导体，以使所述像素驱动电路可通过所述第一补偿晶体管Tc1与所述第二补偿晶体管Tc2的共同作用降低功耗，并可通过所述第一补偿晶体管Tc1与所述第二补偿晶体管Tc2改善所述发光器件D1发光亮度不均的问题。
具体地，以所述初始化单元102、所述补偿单元103均包括具有所述氧化物半导体的有源层为例进行说明。所述第一初始化晶体管Ti1的有源层和/或所述第二初始化晶体管Ti2的有源层，以及，所述第一补偿晶体管Tc1的有源层和/或所述第二补偿晶体管Tc2的有源层包括所述氧化物半导体，以使所述像素驱动电路通过所述初始化单元102及所述补偿单元103的共同作用降低功耗，并通过所述初始化单元102及所述补偿单元103改善所述发光器件D1发光亮度不均的问题。
进一步地，请继续参阅图1E，所述第一初始化晶体管Ti1的有源层及所述第一补偿晶体管Tc1的有源层均包括所述氧化物半导体，所述第二初始化晶体管Ti2的有源层及所述第二补偿晶体管Tc2的有源层均包括硅半导体，以使所述像素驱动电路通过所述第一初始化晶体管Ti1及所述第一补偿晶体管Tc1的共同作用降低功耗，并通过所述第一初始化晶体管Ti1及所述第一补偿晶体管Tc1改善所述发光器件D1发光亮度不均的问题。
与之相似地，所述第一初始化晶体管Ti1的有源层及所述第二补偿晶体管Tc2的有源层均包括所述氧化物半导体，所述第二初始化晶体管Ti2的有源层及所述第一补偿晶体管Tc1的有源层均包括硅半导体，以使所述像素驱动电路通过所述第一初始化晶体管Ti1及所述第二补偿晶体管Tc2的共同作用降低功耗，并改善所述发光器件D1发光亮度不均的问题。
与之相似地，所述第二初始化晶体管Ti2的有源层及所述第一补偿晶体管Tc1的有源层均包括所述氧化物半导体，所述第一初始化晶体管Ti1的有源层及所述第二补偿晶体管Tc2的有源层均包括硅半导体，以使所述像素驱动电路通过所述第二初始化晶体管Ti2及所述第一补偿晶体管Tc1的共同作用降低功耗，并改善所述发光器件D1发光亮度不均的问题。
与之相似地，所述第二初始化晶体管Ti2的有源层及所述第二补偿晶体管Tc2的有源层均包括所述氧化物半导体，以使所述像素驱动电路通过所述第二初始化晶体管Ti2及所述第二补偿晶体管Tc2的共同作用降低功耗，并改善所述发光器件D1发光亮度不均的问题。
与之相似地，还可得到所述第一初始化晶体管Ti1的有源层、所述第二初始化晶体管Ti2的有源层及所述第一补偿晶体管Tc1的有源层均包括所述氧化物半导体；或，所述第一初始化晶体管Ti1的有源层、所述第二初始化晶体管Ti2的有源层及所述第二补偿晶体管Tc2的有源层均包括所述氧化物半导体；或，所述第一初始化晶体管Ti1的有源层、所述第一补偿晶体管Tc1的有源层及所述第二补偿晶体管Tc2的有源层均包括所述氧化物半导体；或，所述第二初始化晶体管Ti2的有源层、所述第一补偿晶体管Tc1的有源层及所述第二补偿晶体管Tc2的有源层均包括所述氧化物半导体；或，所述第一初始化晶体管Ti1的有源层、所述第二初始化晶体管Ti2的有源层、所述第一补偿晶体管Tc1的有源层及所述第二补偿晶体管Tc2的有源层均包括所述氧化物半导体的实施例，在此不再进行赘述。
请继续参阅图1A～图1E，为实现对所述驱动晶体管Td的栅极电压的初始化，所述第一初始化晶体管Ti1与所述第二初始化晶体管Ti2需同时导通。因此，所述初始化控制信号包括第一扫描信号NScan(n-1)和第二扫描信号PScan(n-1)，所述第一扫描信号NScan(n-1)用于控制所述第一初始化晶体管Ti1的导通与关断；所述第二扫描信号PScan(n-1)用于控制所述第二初始化晶体管Ti2的导通与关断。
与之相似地，为将具有补偿阈值电压作用的所述数据信号Vdata传输至所述驱动晶体管Td的所述栅极，所述第一补偿晶体管Tc1与所述第二补偿晶体管Tc2需同时导通。因此，所述补偿控制信号包括第三扫描信号NScan(n)和第四扫描信号PScan(n)，所述第三扫描信号NScan(n)用于控制所述第一补偿晶体管Tc1的导通与关断；所述第四扫描信号PScan(n)用于控制所述第二补偿晶体管Tc2的导通与关断。
请继续参阅图1A～图1E，所述第一初始化晶体管Ti1的栅极与第一扫描信号线NS(n-1)连接，所述第一初始化晶体管Ti1的源极或漏极中的一者与所述初始化电压端VI连接，所述第一初始化晶体管Ti1的所述源极或所述漏极中的另一者与所述第二初始化晶体管Ti2的源极或漏极中的一者连接；所述第二初始化晶体管Ti2的栅极与第二扫描信号线PS(n-1)连接，所述第二初始化晶体管Ti2的所述源极或所述漏极中的另一者与所述驱动晶体管Td的所述栅极连接。
其中，所述第一扫描信号线NS(n-1)用于向所述第一初始化晶体管Ti1的栅极传输所述第一扫描信号NScan(n-1)，所述第二扫描信号线PS(n-1)用于向所述第二初始化晶体管Ti2的栅极传输所述第二扫描信号PScan(n-1)。
请继续参阅图1A～图1E，所述第一补偿晶体管Tc1的栅极与第三扫描信号线NS(n)连接，所述第一补偿晶体管Tc1的源极或漏极中的一者与所述驱动晶体管Td的源极或漏极中的一者连接，所述第一补偿晶体管Tc1的所述源极或所述漏极中的另一者与所述第二补偿晶体管Tc2的源极或漏极中的一者连接；所述第二补偿晶体管Tc2的栅极与第四扫描信号线PS(n)连接，所述第二补偿晶体管Tc2的所述源极或所述漏极中的另一者与所述驱动晶体管Td的所述栅极连接。
其中，所述第三扫描信号线NS(n)用于向所述第一补偿晶体管Tc1的栅极传输所述第三扫描信号NScan(n)，所述第四扫描信号线PS(n)用于向所述第二补偿晶体管Tc2的栅极传输所述第四扫描信号PScan(n)。
可选地，所述驱动晶体管Td、所述第一初始化晶体管Ti1、所述第二初始化晶体管Ti2、所述第一补偿晶体管Tc1及所述第二补偿晶体管Tc2包括N型晶体管或P型晶体管。
进一步地，所述第一初始化晶体管Ti1为N型晶体管，所述第二初始化晶体管Ti2为P型晶体管。所述第一补偿晶体管Tc1为N型晶体管，所述第二补偿晶体管Tc2为P型晶体管。
请继续参阅图1A～图1E，所述像素驱动电路还包括复位单元104及发光控制单元105。
所述复位单元104连接于复位电压端VS与所述发光器件D1的阳极之间，所述复位单元104用于根据发光控制信号Em将复位信号Vse传输至所述发光器件D1的阳极，初始化所述发光器件D1的阳极电压。
所述发光控制单元105与所述驱动晶体管Td串联，所述发光控制单元105用于根据发光控制信号Em控制所述发光器件D1发光。
可选地，所述复位单元104包括复位晶体管Ts，所述复位晶体管Ts的源极或漏极中的一者与所述复位电压端VS连接，所述复位晶体管Ts的所述源极或所述漏极中另一者与所述发光器件D1的所述阳极连接。
所述发光控制单元105包括第一开关晶体管Ts1和第二开关晶体管Ts2，所述第一开关晶体管Ts1的源极或漏极的一者与所述第一电压端ELVDD连接，所述第一开关晶体管Ts1的所述源极或所述漏极的另一者与所述驱动晶体管Td的所述源极或所述漏极中的一者连接，所述第二开关晶体管Ts2的源极或漏极中的一者与所述驱动晶体管Td的所述源极或所述漏极中的另一者连接，所述第二开关晶体管Ts2的所述源极或所述漏极中的另一者与所述发光器件D1的所述阳极连接。
其中，所述复位晶体管Ts的栅极、所述第一开关晶体管Ts1的栅极及所述第二开关晶体管Ts1的栅极均与发光控制信号线EM连接，所述发光控制信号线EM用于传输所述发光控制信号Em，以使所述复位晶体管Ts、所述第一开关晶体管Ts1及第二开关晶体管Ts2均由所述发光控制信号Em控制，降低所述像素驱动电路中所用的信号线的数量，从而节省采用所述像素驱动电路的显示面板的布线空间。
为避免所述复位晶体管Ts与所述第一开关晶体管Ts1、第二开关晶体管Ts2采用同一所述发光控制信号Em控制时，所述复位晶体管Ts对所述发光器件D1的发光状态造成影响，可使所述复位晶体管Ts的导电沟道与所述第一开关晶体管Ts1、所述第二开关晶体管Ts2的导电沟道类型不同。具体地，所述复位晶体管Ts的导电沟道为P型沟道或N型沟道中的其中一者，所述第一开关晶体管Ts1、所述第二开关晶体管Ts2的导电沟道为P型沟道或N型沟道中的另一者。可选地，所述复位晶体管Ts的导电沟道为N型沟道，所述第一开关晶体管Ts1、所述第二开关晶体管Ts2的导电沟道为P型沟道。即所述复位晶体管Ts为N型晶体管，所述第一开关晶体管Ts1与第二开关晶体管Ts2为P型晶体管。
进一步地，所述复位晶体管Ts的有源层包括氧化物半导体，以降低所述复位电压端VS对所述发光器件D1的发光状态的影响。
请继续参阅图1A～图1E，所述像素驱动电路还包括：数据写入单元106及存储单元107。
所述数据写入单元106连接于数据信号线DA与所述驱动晶体管Td的源极或漏极中的一者之间，所述数据写入单元106用于根据所述第四扫描信号PScan(n)将所述数据信号Vdata传输至所述驱动晶体管Td的源极或漏极中的一者。
所述存储单元107串联在所述第一电压端ELVDD与所述驱动晶体管Td的所述栅极之间，所述存储单元107用于维持所述驱动晶体管Td的栅极电压。
可选地，所述数据写入单元106包括数据晶体管Tda，所述数据晶体管Tda的栅极与所述第四扫描信号线PS(n)连接，所述数据晶体管Tda的源极或漏极中的一者与数据信号线DA连接，所述数据晶体管Tda的所述源极或所述漏极中的另一者与所述驱动晶体管Td的所述源极或所述漏极的一者连接；
所述存储单元107包括存储电容Cst，所述存储电容Cst串联在所述第一电压端ELVDD与所述驱动晶体管Td的所述栅极之间。
所述发光器件D1的阴极与第二电压端ELVSS连接。
其中，由于所述数据晶体管Tda的栅极、所述第二补偿晶体管Tc2的栅极均与所述第四扫描信号线PS(n)连接，因此，可以进一步降低所述像素驱动电路所用的信号线的数量。
可选地，所述初始化电压端VI与所述复位电压端VS的电位可相等或不等。
可选地，所述驱动晶体管Td、所述第一初始化晶体管Ti1、所述第二初始化晶体管Ti2、所述第一补偿晶体管Tc1、所述第二补偿晶体管Tc2、所述复位晶体管Ts、所述第一开关晶体管Ts1、所述第二开关晶体管Ts2、所述数据晶体管Tda可以为场效应晶体管。进一步地，所述场效应晶体管包括薄膜晶体管。
下面将结合图1E及图2对所述像素驱动电路的工作原理进行详细说明。其中，所述像素驱动电路采用如图1A～图1D所示的电路结构时的工作原理与所述像素驱动电路采用如图1E所示的电路结构时的工作原理相似，在此不再进行赘述。
请继续参阅图1E与图2，以所述驱动晶体管Td、所述第二初始化晶体管Ti2、所述第二补偿晶体管Tc2、所述第一开关晶体管Ts1、所述第二开关晶体管Ts2及所述数据晶体管Tda为P型硅晶体管，所述第一初始化晶体管Ti1、所述第一补偿晶体管Tc1及所述复位晶体管Ts为N型氧化物晶体管；所述数据晶体管Tda与所述第二补偿晶体管Tc2共用所述第四扫描信号PScan(n)，所述复位晶体管Ts与所述第一开关晶体管Ts1、所述第二开关晶体管Ts2共用所述发光控制信号Em为例；在第N帧周期(N Frame)内，包括所述初始化阶段t1、所述补偿阶段t2及所述发光阶段t3；
在所述初始化阶段t1：所述第一扫描信号NScan(n-1)为高电平，所述第二扫描信号PScan(n-1)为低电平，所述发光控制信号Em为高电平，所述第一初始化晶体管Ti1及所述第二初始化晶体管Ti2分别响应所述第一扫描信号NScan(n-1)及所述第二扫描信号PScan(n-1)导通，所述复位晶体管Ts响应所述发光控制信号Em导通，所述存储电容Cst两端的电压差变大，所述存储电容Cst充电，所述初始化信号Vini经所述第一初始化晶体管Ti1及所述第二初始化晶体管Ti2传输至所述驱动晶体管Td的栅极，初始化所述驱动晶体管T1的栅极电压，所述复位信号Vse经所述复位晶体管Ts传输至所述发光器件D1的阳极，对所述发光器件D1的阳极电压进行复位。可选地，所述初始化信号Vini为-3.5V的恒定电压信号。
在所述补偿阶段t2：所述第三扫描信号NScan(n)为高电平，所述第四扫描信号PScan(n)为低电平，所述发光控制信号Em为高电平，所述第一补偿晶体管Tc1、所述第二补偿晶体管Tc2及所述数据晶体管Tda分别响应所述第三扫描信号NScan(n)及所述第四扫描信号PScan(n)导通，所述复位晶体管Ts响应所述发光控制信号Em导通，所述驱动晶体管Td呈二极管式连接，所述驱动晶体管Td导通，所述数据信号Vdata经所述数据晶体管Tda、所述第一补偿晶体管Tc1及所述第二补偿晶体管Tc2传输至所述驱动晶体管Td的栅极，所述存储电容Cst的存在使得所述驱动晶体管Td的栅极电压逐渐抬升直至Vdata+Vth，从而实现对所述驱动晶体管Td阈值电压Vth的补偿；所述复位信号Vse经所述复位晶体管Ts传输至所述发光器件D1的阳极，对所述发光器件D1的阳极电压进行复位。
在所述发光阶段t3：所述发光控制信号Em相对于所述第一电压端ELVDD处于低电平，所述第一开关晶体管Ts1及所述第二开关晶体管Ts2导通，所述驱动晶体管Td产生驱动所述发光器件D1发光的驱动电流，所述发光器件D1发光。
其中，在所述发光阶段t3，所述像素驱动电路利用处于截止状态的所述第一初始化晶体管Ti1、所述第二初始化晶体管Ti2降低所述初始化信号Vini对所述驱动晶体管Td的栅极电压的影响，利用处于截止状态的所述第一补偿晶体管Tc1、所述第二补偿晶体管Tc2降低所述驱动晶体管Td的源极或漏极中的一者对所述驱动晶体管Td栅极电压的影响，以使所述驱动晶体管Td的栅极电压保持稳定，保证所述发光器件D1的稳定发光。
本申请提供一种显示面板，所述显示面板可包括上述的任一种像素驱动电路。可选地，所述显示面板包括自发光显示面板、量子点显示面板、被动发光显示面板等。在所述显示面板为被动发光显示面板时，所述显示面板的背光源包括所述发光器件D1，所述像素驱动电路可用于控制显示面板的背光源发光。
如图3是本申请的实施例提供的显示面板的结构示意图；如图4A～图4E是本申请的实施例提供的像素驱动电路的电路结构示意图。本申请还提供一种显示面板，所述显示面板包括显示区100a和非显示区100b，所述显示面包括位于所述显示区100a内的发光器件D1及用于驱动所述发光器件D1发光的像素驱动电路，所述像素驱动电路包括：第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4及第五晶体管T5。
所述第二晶体管T2的栅极与第一扫描信号线NS(n-1)连接，所述第二晶体管T2的源极或漏极中的一者与初始化电压端VI连接。所述第三晶体管T3的栅极与第二扫描信号线PS(n-1)连接，所述第三晶体管T3的源极或漏极中的一者与所述第二晶体管T2的所述源极或所述漏极中的另一者连接，所述第三晶体管T3的所述源极或所述漏极的另一者与所述第一晶体管T1的栅极连接。所述第四晶体管T4的栅极与第三扫描信号线NS(n)连接，所述第四晶体管T4的源极或漏极中的一者与所述第一晶体管T1的源极或漏极中的一者连接。所述第五晶体管T5的栅极与第四扫描信号线PS(n)连接，所述第五晶体管T5的源极或漏极中的一者与所述第四晶体管T4的所述源极或所述漏极中的另一者连接，所述第五晶体管T5的所述源极或所述漏极中的另一者与所述第一晶体管T1的栅极连接。
其中，所述第二晶体管T2、所述第三晶体管T3、所述第四晶体管T4与所述第五晶体管T5中的至少一个包括氧化物半导体的有源层，即所述第二晶体管T2、所述第三晶体管T3、所述第四晶体管T4与所述第五晶体管T5中的至少一个为氧化物晶体管，以通过氧化物晶体管所具有的低漏电流特性，降低显示面板的功耗，利于所述显示面板实现高屏幕刷新率显示，并可改善所述发光器件D1发光亮度不均的问题，改善所述显示面板的显示质量。
进一步地，请继续参阅图4A～图4D，所述第二晶体管T2和所述第三晶体管T3的至少一个，或所述第四晶体管T4与所述第五晶体管T5中的至少一个包括具有所述氧化物半导体的有源层，以使所述显示面板通过所述第二晶体管T2、所述第三晶体管T3；或所述第四晶体管T4、所述第五晶体管T5降低所述显示面板的功耗，并改善所述发光器件D1发光不均的问题。
具体地，所述第二晶体管T2包括具有所述氧化物半导体的有源层，如图4A所示；或所述第三晶体管T3包括具有所述氧化物半导体的有源层，如图4B所示，或所述第二晶体管T2和所述第三晶体管T3均包括具有所述氧化物半导体的有源层；或所述第四晶体管T4包括具有所述氧化物半导体的有源层，如图4C所示；或所述第五晶体管T5包括具有所述氧化物半导体的有源层，如图4D所示；或所述第四晶体管T4与所述第五晶体管T5均包括具有所述氧化物半导体的有源层。
更进一步地，请参阅图4E，所述第二晶体管T2和所述第三晶体管T3的至少一个，和所述第四晶体管T4与所述第五晶体管T5中的至少一个均包括具有所述氧化物半导体的有源层，以使所述显示面板通过所述第二晶体管T2、所述第三晶体管T3、所述第四晶体管T4及所述第五晶体管T5降低所述显示面板的功耗，并进一步改善所述发光器件D1发光不均的问题。
具体地，所述第二晶体管T2与所述第四晶体管T4均包括具有所述氧化物半导体的有源层，所述第三晶体管T3与所述第五晶体管T5均包括具有硅半导体的有源层，以使所述显示面板通过所述第二晶体管T2降低初始化电压端VI对所述第一晶体管T1的影响，通过所述第四晶体管T4降低所述第一晶体管T1的源极或漏极中的一者对所述第一晶体管T1栅极电压的影响，从而实现进一步改善所述发光器件D1发光不均的目的。
可选地，所述第二晶体管T2与所述第四晶体管T4还可均包括具有硅半导体的有源层，所述第三晶体管T3与所述第五晶体管T5还可均包括具有氧化物半导体的有源层，在此不再进行赘述。
请继续参阅图4A～图4E，所述像素驱动电路还包括：第六晶体管T6、第七晶体管T7、第八晶体管T8、第九晶体管T9及第一电容C1。
所述第六晶体管T6的栅极与发光控制信号线EM连接，所述第六晶体管T6的源极或漏极中的一者与复位电压端VS连接，所述第六晶体管T6的所述源极或所述漏极中的另一者与所述发光器件D1的阳极连接。
所述第七晶体管T7的栅极与所述第四扫描信号线PS(n)连接，所述第七晶体管T7的源极或漏极中的一者与数据信号线DA连接，所述第七晶体管T7的所述源极或所述漏极中的另一者与所述第一晶体管T1的所述源极或所述漏极中的一者连接。
所述第八晶体管T8的栅极与所述发光控制信号线EM连接，所述第八晶体管T8的源极或漏极的一者与第一电压端ELVDD连接，所述第八晶体管T8的所述源极或所述漏极的另一者与所述第一晶体管T1的所述源极或所述漏极中连接所述第七晶体管T7的所述源极或所述漏极中的一者连接。
所述第九晶体管T9的栅极与所述发光控制信号线EM连接，所述第九晶体管T9的源极或漏极中的一者与所述第一晶体管T1的所述源极或所述漏极中连接所述第四晶体管T4的所述源极或所述漏极中的一者连接，所述第九晶体管T9的所述源极或所述漏极中的另一者与所述发光器件D1的阳极连接。
所述第一电容C1串联在所述第一电压端ELVDD与所述第一晶体管T1的栅极之间。
所述发光器件D1的阴极与第二电压端ELVSS连接。可选地，在图4A～图4E所示的像素驱动电路中，所述显示面板中的多个所述发光器件D1可采用共阴极接法，也可采用共阳极接法。
通过所述第六晶体管T6的栅极、所述第八晶体管T8的栅极及所述第九晶体管T9的栅极均连接于所述发光控制信号线EM，可以节省所述显示面板的布线空间。
为使所述第六晶体管T6不对所述发光器件D1的发光状态造成影响，所述第六晶体管T6的导电沟道的类型与所述第八晶体管T及所述第九晶体管T9的导电沟道的类型不同。
具体地，所述第六晶体管T6包括N型晶体管或P型晶体管中的其中之一，所述第八晶体管T8和所述第九晶体管T9包括P型晶体管或N型晶体管的另一。
可选地，所述第六晶体管T6包括具有氧化物半导体的有源层，以降低所述复位电压端VS对所述发光器件D1的发光状态的影响。
可选地，所述初始化电压端VI与所述复位电压端VS的电位可相等或不等。
可选地，所述第一晶体管T1、所述第二晶体管T2、所述第三晶体管T3、所述第四晶体管T4、所述第五晶体管T5、所述第六晶体管T6、所述第七晶体管T7、所述第八晶体管T8及第九晶体管T9可以为场效应晶体管。进一步地，所述场效应晶体管包括薄膜晶体管。
可选地，所述第一晶体管T1、所述第二晶体管T2、所述第三晶体管T3、所述第四晶体管T4、所述第五晶体管T5、所述第七晶体管T7包括N型晶体管或P型晶体管。
本申请还提供一种显示装置，所述显示装置包括上述的任一种像素驱动电路或上述的任一种显示面板。进一步地，所述显示装置还包括传感器等器件。
以上仅应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。

Claims (15)

1.一种像素驱动电路，其特征在于，包括：
发光器件；
驱动单元，连接于第一电压端与所述发光器件之间，所述驱动单元包括驱动晶体管；
初始化单元，连接于所述驱动晶体管的栅极与初始化电压端之间；
补偿单元，连接于所述驱动晶体管的所述栅极与所述驱动晶体管的源极或漏极中的一者之间；
其中，所述初始化单元、所述补偿单元中的至少一个包括串联的两晶体管，两所述晶体管中的至少一个所述晶体管的有源层包括氧化物半导体。
2.根据权利要求1所述的像素驱动电路，其特征在于，所述初始化单元包括串联的第一初始化晶体管和第二初始化晶体管；其中，所述第一初始化晶体管的有源层包括所述氧化物半导体，所述第二初始化晶体管的有源层包括的半导体材料与所述第一初始化晶体管的所述有源层包括的半导体材料不同。
3.根据权利要求2所述的像素驱动电路，其特征在于，所述第一初始化晶体管的栅极与第一扫描信号线连接，所述第一初始化晶体管的源极或漏极中的一者与所述初始化电压端连接，所述第一初始化晶体管的所述源极或所述漏极中的另一者与所述第二初始化晶体管的源极或漏极中的一者连接；
所述第二初始化晶体管的栅极与第二扫描信号线连接，所述第二初始化晶体管的所述源极或所述漏极中的另一者与所述驱动晶体管的所述栅极连接。
4.根据权利要求1所述的像素驱动电路，其特征在于，所述补偿单元包括串联的第一补偿晶体管和第二补偿晶体管；其中，所述第一补偿晶体管的有源层包括所述氧化物半导体，所述第二补偿晶体管的有源层包括的半导体材料与所述第一补偿晶体管的所述有源层包括的半导体材料不同。
5.根据权利要求4所述的像素驱动电路，其特征在于，所述第一补偿晶体管的栅极与第三扫描信号线连接，所述第一补偿晶体管的源极或漏极中的一者与所述驱动晶体管的源极或漏极中的一者连接，所述第一补偿晶体管的所述源极或所述漏极中的另一者与所述第二补偿晶体管的源极或漏极中的一者连接；
所述第二补偿晶体管的栅极与第四扫描信号线连接，所述第二补偿晶体管的所述源极或所述漏极中的另一者与所述驱动晶体管的所述栅极连接。
6.根据权利要求1所述的像素驱动电路，其特征在于，还包括：
复位单元，连接于复位电压端与所述发光器件的阳极之间，所述复位单元包括复位晶体管，所述复位晶体管的源极或漏极中的一者与所述复位电压端连接，所述复位晶体管的所述源极或所述漏极中另一者与所述发光器件的所述阳极连接；
发光控制单元，所述发光控制单元包括第一开关晶体管和第二开关晶体管，所述第一开关晶体管的源极或漏极的一者与所述第一电压端连接，所述第一开关晶体管的所述源极或所述漏极的另一者与所述驱动晶体管的所述源极或所述漏极中的一者连接，所述第二开关晶体管的源极或漏极中的一者与所述驱动晶体管的所述源极或所述漏极中的一者连接，所述第二开关晶体管的所述源极或所述漏极中的另一者与所述发光器件的所述阳极连接；
其中，所述复位晶体管的栅极、所述第一开关晶体管的栅极及所述第二开关晶体管的栅极均与发光控制信号线连接。
7.根据权利要求6所述的像素驱动电路，其特征在于，所述复位晶体管的有源层包括氧化物半导体；所述复位晶体管的导电沟道与所述第一开关晶体管、所述第二开关晶体管的导电沟道类型不同。
8.根据权利要求2所述的像素驱动电路，其特征在于，所述第一初始化晶体管为N型晶体管，所述第二初始化晶体管为P型晶体管。
9.根据权利要求4所述的像素驱动电路，其特征在于，所述第一补偿晶体管为N型晶体管，所述第二补偿晶体管为P型晶体管。
10.根据权利要求1所述的像素驱动电路，其特征在于，还包括：
数据写入单元，连接于数据信号线与所述驱动晶体管的源极或漏极中的一者之间，所述数据写入单元包括数据晶体管，所述数据晶体管的栅极与第四扫描信号线连接，所述数据晶体管的源极或漏极中的一者与数据信号线连接，所述数据晶体管的所述源极或所述漏极中的另一者与所述驱动晶体管的所述源极或所述漏极的一者连接；
存储单元，所述存储单元包括存储电容，所述存储电容串联在所述第一电压端与所述驱动晶体管的所述栅极之间。
11.一种显示面板，其特征在于，包括发光器件及用于驱动所述发光器件发光的像素驱动电路，所述像素驱动电路包括：
第一晶体管；
第二晶体管，所述第二晶体管的栅极与第一扫描信号线连接，所述第二晶体管的源极或漏极中的一者与初始化电压端连接；
第三晶体管，所述第三晶体管的栅极与第二扫描信号线连接，所述第三晶体管的源极或漏极中的一者与所述第二晶体管的所述源极或所述漏极中的另一者连接，所述第三晶体管的所述源极或所述漏极的另一者与所述第一晶体管的栅极连接；
第四晶体管，所述第四晶体管的栅极与第三扫描信号线连接，所述第四晶体管的源极或漏极中的一者与所述第一晶体管的源极或漏极中的一者连接；
第五晶体管，所述第五晶体管的栅极与第四扫描信号线连接，所述第五晶体管的源极或漏极中的一者与所述第四晶体管的所述源极或所述漏极中的另一者连接，所述第五晶体管的所述源极或所述漏极中的另一者与所述第一晶体管的栅极连接；
其中，所述第二晶体管、所述第三晶体管、所述第四晶体管与所述第五晶体管中的至少一个包括具有氧化物半导体的有源层。
12.根据权利要求11所述的显示面板，其特征在于，所述第二晶体管的有源层与所述第四晶体管的有源层均包括所述氧化物半导体，所述第三晶体管的有源层与所述第五晶体管的有源层均包括硅半导体。
13.根据权利要求11所述的显示面板，其特征在于，所述像素驱动电路还包括：
第六晶体管，所述第六晶体管的栅极与发光控制信号线连接，所述第六晶体管的源极或漏极中的一者与复位电压端连接，所述第六晶体管的所述源极或所述漏极中的另一者与所述发光器件的阳极连接；
第七晶体管，所述第七晶体管的栅极与所述第四扫描信号线连接，所述第七晶体管的源极或漏极中的一者与数据信号线连接，所述第七晶体管的所述源极或所述漏极中的另一者与所述第一晶体管的所述源极或所述漏极中的一者连接；
第八晶体管，所述第八晶体管的栅极与所述发光控制信号线连接，所述第八晶体管的源极或漏极的一者与第一电压端连接，所述第八晶体管的所述源极或所述漏极的另一者与所述第一晶体管的所述源极或所述漏极中连接所述第七晶体管的所述源极或所述漏极中的一者连接；
第九晶体管，所述第九晶体管的栅极与所述发光控制信号线连接，所述第九晶体管的源极或漏极中的一者与所述第一晶体管的所述源极或所述漏极中连接所述第四晶体管的所述源极或所述漏极中的一者连接，所述第九晶体管的所述源极或所述漏极中的另一者与所述发光器件的阳极连接；
第一电容，串联在所述第一电压端与所述第一晶体管的栅极之间。
14.根据权利要求13所述的显示面板，其特征在于，所述第六晶体管的有源层包括氧化物半导体，所述第六晶体管为N型晶体管，所述第八晶体管和所述第九晶体管为P型晶体管。
15.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1～10任一所述的像素驱动电路或如权利要求11～14任一所述的显示面板。
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