CN112928599B - 一种单片集成的模式可调谐混沌激光器、制造和控制方法 - Google Patents

一种单片集成的模式可调谐混沌激光器、制造和控制方法 Download PDF

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Abstract

本发明公开一种单片集成的模式可调混沌激光器及制造、控制方法，所述激光器包含左右两段相同的有源的等效π相移均匀布拉格取样光栅和中间段有源的等效π相移反对称布拉格取样光栅，集成在相同芯片上、共享一段光波导；所述的反对称布拉格取样光栅，用于实现入射光和反射光在TE0和TE1模式之间转化；通过分别调节左右两段等效π相移均匀布拉格取样光栅的偏置电流，改变注入中间段反对称布拉格取样光栅的输入光与输出光的功率比，产生混沌激光输出。本申请解决现有技术无法实现模式可调谐的混沌激光器的问题。

Description

一种单片集成的模式可调谐混沌激光器、制造和控制方法
技术领域
本发明涉及激光技术领域，尤其涉及一种单片集成的模式可调谐的混沌激光器，以及该激光器的制造、控制方法。
背景技术
混沌激光作为激光器输出的一种特殊形式，具有类噪声宽频谱的特性，天生具备隐藏性，应用性强。近年来，随着混沌激光理论体系的逐步建立和完善，混沌激光的发展应用成为研究热点。半导体激光器因具有体积小、成本低、可靠性高、易集成、可直接调制等优点，成为混沌激光产生的优势激光器件，广泛应用于保密通信、激光测距、断电检测等方面。分布式反馈(DFB)激光器作为半导体激光器的一种，内置了布拉格光栅，具有可实现动态单纵模窄线宽输出、波长稳定性好、动态谱线好等优点，是混沌激产生的首选光器件。
现有技术已提出多种集成混沌激光器芯片，比如：希腊雅典大学和德国海因里希-赫兹研究院弗劳恩霍夫电信研究所Argyris等所研制的混沌芯片，它由DFB激光源，增益/吸收区，相位控制区及反馈腔四部分组成[Physical Review Letters,100(19):194101,2008]。西班牙巴利阿里群岛大学Tronciu等研制的集成的多光反馈半导体激光器芯片，这是具有三个外腔的集成多腔半导体激光器芯片[IEEE Journal of Quantum Electronics,46(12):1840-4846,2010]。日本埼玉大学和NTT通信科学实验室Sunada等研制的集成混沌芯片，包含一个DFB激光器、两个独立的半导体光放大器、环形无源光波导以及一个快速光电探测器[Optics Express,19(7):5713-5724,2011]。
国内对光子集成混沌激光源也有相关报道。比如：中国科学院半导体研究所赵玲娟等和西南大学夏光琼等研制的三段式集成混沌芯片，其由DFB激光器区、相位区和放大区三部分组成[Optics Express,21(10):23358-23364,2013]。太原理工大学张明江等人提出的集成短腔混沌半导体激光器，它是由分布反馈激光器、准直透镜、半透半反镜、耦合透镜以及无源光纤组成[IEEE Photonics Technology Letter,29(12):1911-1914,2017]。太原理工大学李璞等人提出的“一种光子集成双区混沌半导体激光器芯片”(CN20190620624.6)，它是由主分布反馈激光器和从分布反馈激光器集成在同一芯片衬底上，通过给两激光器分别施加偏置电流，使其发光并注入对方激光器对其光场进行扰动，从而产生高带宽、无时延特征的混沌激光。
然而，以上方案均产生单一模式的混沌激光，想要实现模式可调谐，仅可使用模式转换器，无法实现单片集成的模式可调谐混沌激光器，这个问题将极大地限制混沌激光的应用。
发明内容
本发明提供一种单片集成的模式可调谐混沌激光器、制造和控制方法，解决现有技术无法实现模式可调谐的混沌激光器的问题。
为解决上述问题，本发明是这样实现的：
本申请提出一种单片集成的模式可调混沌激光器，包含左右两段相同的有源的等效π相移均匀布拉格取样光栅和中间段有源的等效π相移反对称布拉格取样光栅，三段取样光栅分别有独立的供电电极，集成在相同芯片上、共享一段光波导。所述的反对称布拉格取样光栅，用于实现入射光和反射光在TE0和TE1模式之间转化，例如在反对称布拉格取样光栅中传播的前向波为TE0模式的光，则在其中会反射回TE1模式的光。通过分别调节左右两段等效π相移均匀布拉格取样光栅的偏置电流，改变注入中间段反对称布拉格取样光栅的输入光与输出光的功率比，产生混沌激光输出，并在一定的偏置电流条件下，可实现混沌激光的模式切换。
在等效π相移反对称布拉格取样光栅中，TE0模式和TE1模式可实现相互转换，传输的前向TE0模式将反射为后向的TE1模式，同理，传输的前向TE1模式将反射为后向的TE0模式。优选地，所述偏置电流，使所述等效π相移均匀布拉格取样光栅的端面输出光以TE0模式为主，或以TE1模式为主。
优选地，所述等效π相移反对称布拉格取样光栅的结构为：基本取样光栅为反对称取样光栅，即在波导横向上，以中轴线为界，上下两列具有相同取样光栅周期的均匀取样光栅存在π相位差；在基本取样光栅沿长度方向的中部还引入π相移结构。
在本申请的一个实施例中，布拉格波长为1550nm，等效π相移均匀布拉格取样光栅长度为300μm，等效π相移反对称布拉格取样光栅长度为400μm，波导宽度为4μm。
进一步优选地，本申请实施例中光波导采用SiO材料；衬底采用以下材料中的至少一种：磷化铟(InP)、砷化镓(GaAs)、硅(Si)。
进一步优选地，本申请的实施例采用InAlGaAs多量子阱结构。
在本申请的一个实施例中，所述等效π相移的实现方法是，在布拉格取样光栅中心部位的一个取样周期改变为其他部位取样周期的1.5倍。
本申请还提出一种单片集成的模式可调混沌激光器制造方法，用于制造本申请任一实施例所述激光器，包含以下步骤：
在光刻板上制作基于重构-等效啁啾技术的取样图案，形成掩模板；
使用全息曝光技术在覆盖晶片的光刻胶上形成均匀的种子光栅结构；
使用所述掩膜板把所述取样结构制作在光刻胶上，再腐蚀后在晶片上形成等效光栅结构。
本申请还提出一种单片集成的模式可调谐混沌激光器控制方法，用于调节本申请任一实施例所述激光器，包含以下步骤：
通过对所述左右两段有源的等效π相移均匀布拉格取样光栅施加不同的偏置电流，其产生的输入光对所述等效π相移反对称布拉格取样光栅的光场进行扰动，产生输出功率较大的TE0或TE1模式为主的混沌光。
进一步地，对调左右两段有源的等效π相移均匀布拉格取样光栅的偏置电流，使输出光从TE0模式为主的混沌光改变为TE1模式为主的混沌光，或者从TE1模式为主的混沌光改变为TE0模式为主的混沌光，如图5所示。
本发明有益效果包括：
第一：通过调节三段光栅的偏置电流，可以同时调节注入中间段反对称光栅的频率失谐量和注入强度比，对其光场进行扰动，产生混沌激光，并且可对输出激光模式进行选择，从而实现模式可调谐混沌激光。
第二：该技术方案是利用互注入扰动的原理实现混沌激光的产生，最终产生的混沌激光频谱平坦、带宽高，而且没有时延特征。
第三：该技术方案的光栅结构为三段式，仅用三段布拉格取样光栅即可实现模式可调谐的混沌激光的产生，不需要相位区和增益区，结构更加简单而且能耗更低。
第四：该技术方案是光子集成的，输出稳定，更利于混沌激光的实用化。
附图说明
此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解，构成本发明的一部分，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：
图1为一种单片集成的模式可调谐混沌激光器芯片的光栅结构图；
图2为模式选择原理图；
图3为一种单片集成的模式可调谐混沌激光器芯片材料结构示意图；
图4为全息曝光制作取样布拉格光栅的示意图；
图5为模式切换的混沌时序图；
图6为(a)TE0和(b)TE1模式的光入射时反对称布拉格光栅的功率分布图；
图7为随着注入功率的变化输出TE1模式混沌光的分岔图；
图4中：101：N电极；102：衬底；103：下限制层；104：多量子阱有源层；105：上限制层；106：光栅结构层；107：波导层；108：P电极；109：绝缘层；110：电隔离槽。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明具体实施例及相应的附图对本发明技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
为了解决上述单片集成混沌激光器不具备模式可调谐功能的技术问题，本发明的目的是提出一种单片集成的模式可调谐混沌激光器，增加模式的利用率，为未来光通讯的模分复用(MDM)市场以及激光雷达提供低成本、易封装、大规模集成的模式可调谐混沌激光器。
本申请中，激光器光栅的制作为左右两段相同的有源的等效π相移均匀布拉格取样光栅和中间段有源的等效π相移反对称布拉格取样光栅。通过分别调节左右两段等效π相移均匀布拉格取样光栅的偏置电流来改变注入中间段反对称取样光栅的扰动光的功率与中间段光栅输出光的功率比，更容易产生混沌激光，同时选择出中间段反对称取样光栅输出混沌激光的模式，最终实现输出模式可调谐的混沌激光。
以下结合附图，详细说明本发明各实施例提供的技术方案。
图1为一种单片集成的模式可调谐混沌激光器芯片的光栅结构图。
在本发明所述的一种单片集成的模式可调谐混沌激光器芯片中，衬底采用的材料为磷化铟(InP)、砷化镓(GaAs)、硅(Si)中的一种。
激光器光栅部分采用左右两段相同的有源的等效π相移均匀布拉格取样光栅和中间段有源的等效π相移反对称布拉格取样光栅(如图1所示的从左至右的第一段、第二段、第三段)。三段取样光栅分别有独立的供电电极，集成在相同芯片上、共享一段光波导。例如，全部的三个区域都以串联的形式集成在同一个InP外延片上，并共享同一个光波导；三个区域之间进行了电隔离，可以分别加电。
等效π相移反对称布拉格取样光栅结构为：基本取样光栅为反对称取样光栅，即在波导横向上，以中轴线为界，上下两列有相同取样光栅周期的均匀取样光栅整体上存在π相位的差距，在取样光栅中部还引入了π相移的结构，由反对称取样π相移叠印在反对称基本取样光栅上，则形成了等效π相移反对称布拉格取样光栅。
所述的反对称布拉格取样光栅，用于实现入射光和反射光在TE0和TE1模式之间转化，例如在反对称布拉格取样光栅中传播的前向波为TE0模式的光，则在其中会反射回TE1模式的光。通过分别调节左右两段等效π相移均匀布拉格取样光栅的偏置电流，改变注入中间段反对称布拉格取样光栅的输入光与输出光的功率比，产生混沌激光输出，并在一定的偏置电流条件下，可实现混沌激光的模式切换，其中输入光为第一段均匀布拉格取样光栅加电后激射的光，输出光为第二段反对称布拉格取样光栅加电后激射的光(输入光、输出光位置见图2)。
通过改变两端等效π相移均匀布拉格取样光栅的偏置电流，可实现结构右端面仅有TE0模式的光出射或仅有TE1模式的光出射，实现模式的切换。
例如，在本申请的一个实施例中，所述一种单片集成的模式可调谐混沌激光器芯片的光栅结构是由左右两段相同的等效π相移均匀布拉格取样光栅和中间段等效π相移反对称布拉格取样光栅构成，这三个部分集成在一个相同的lnP片上，共享一段波导。激光器具有相同的材料外延结构，包括：n型衬底、n型缓冲层、波导层、应变多量子阱层、光栅材料层、p型波导层、p型限制层、绝缘层和正负电极。有源区的等效π相移布拉格取样光栅是使用重构-等效啁啾技术设计的取样光栅。
具体实施时，芯片衬底采用In-P衬底，光波导采用SiO2材料，激光器采用InAlGaAs多量子阱结构，其中两端的等效π相移均匀布拉格取样光栅长度为300μm，中间段的等效π相移反对称布拉格取样光栅长度为400μm，布拉格波长在1550nm附近。波导宽度>3μm，在本申请的一个实施例中，波导宽度为4μm，这样，波导内存在两个横向模式，即TE0和TE1模式。宽波导可以有效增加电流注入面积和散热面积，提高激光器输出光功率。
为此，本申请还提出一种单片集成的模式可调谐混沌激光器控制方法，用于调节本申请任一实施例所述激光器，包含以下步骤：
步骤11、通过对所述左右两段有源的等效π相移均匀布拉格取样光栅施加不同的偏置电流，对所述等效π相移反对称布拉格取样光栅的光场进行扰动，产生模式可调谐的混沌光。
通过改变两端均匀取样光栅的偏置电流，可以改变两端均匀取样光栅与中间反对称取样光栅的频率失谐以及互注入强度。例如第一段均匀取样光栅的偏置电流为140～160mA，则该段取样光栅将激射波长为1550nm的TE0模式和1545nm的TE1模式的光，第二段反对称取样光栅的偏置电流为70～90mA，则该段将激射波长为1550nm的TE0和TE1模式的光，第三段均匀取样光栅的偏置电流为15～25mA为透明电流，增大光的透过率减小反射率，此时，第一段均匀取样光栅激射波长为1550nm的TE0模式的光，注入到第二段反对称取样光栅中，将对其进行模式选择，RM1模式被促进，RM2模式被抑制，并对其光场进行扰动，从而产生的混沌激光从第三段均匀取样光栅的右端面出射，而第一段均匀取样光栅激射的波长为1545nm的TE1模式的光无法对其产生扰动，将直接从结构右端面出射，则最终该单片集成模式可调谐混沌激光器芯片的输出光为以波长为功率较大的1550nm的TE0模式为主的混沌光。
需要说明的是，第一段均匀光栅激射的1545nm的TE1的光会直接通过第二段第三段，不会发生反射，然后从右端面出射。
本申请中，以某种模式为主，是指在多种模式中，该种模式的光功率最大。例如以TE0为主的混沌光，是指TE0模式功率较大占据主导，因此最终输出为TE0模式为主的混沌光。步骤12、对调左右两段有源的等效π相移均匀布拉格取样光栅的偏置电流，使输出光从TE0模式为主的混沌光改变为TE1模式为主的混沌光，或者从TE1模式为主的混沌光改变为TE0模式为主的混沌光。
例如，以步骤11所述实施例的偏置电流为参考，对调第一段和第三段均匀取样光栅的偏置电流，可得到输出光为以波长为1550nm的TE1模式为主的混沌光。
图2为模式选择原理图。
本申请的单片集成的模式可调谐混沌激光器芯片，激光器光栅部分采用左右两段有源的等效π相移均匀布拉格取样光栅和中间段有源的等效π相移反对称布拉格取样光栅，三段取样光栅分别有独立的供电电极，通过改变两段等效π相移均匀布拉格取样光栅的偏置电流来改变注入中间段光栅的光功率与中间段光栅自由运行输出光的功率比，使其产生单一模式的混沌激光。
其中，等效π相移反对称布拉格取样光栅产生基模的前行波和一阶模的后行波的混合谐振波，激光器波导支持双横模，即TE0和TE1模式，且波长严格相同，为1550nm，从而形成统一波长混合模式谐振效应。因此存在两种独立的共振模式，一种是前向的TE0和反向的TE1，用RM1来表示，另一种是前向的TE1和反向的TE0，用RM2来表示，两种谐振模式相互竞争。采用两端有源的等效π相移均匀布拉格取样光栅来选择一个特定的模式，通过施加不同的偏置电流产生光对中间段光栅的光场进行扰动，从而产生模式可调谐的混沌光。
在等效π相移反对称布拉格取样光栅的作用下，TE0和TE1模式将相互转化，并形成纵向谐振，我们将该谐振称为混合模式谐振。通过调节两段的等效π相移均匀布拉格取样光栅的偏置电流，可以对输出光进行模式选择，并且左右两段光栅激射的光会进入中间段等效π相移反对称布拉格取样光栅，并对其光场进行扰动，从而产生混沌光，最终被选择模式的混沌光将从结构的右端面出射。
图3为一种单片集成的模式可调谐混沌激光器芯片材料结构示意图。
其中，102为激光器衬底层，是生长整个激光器主要结构的基本支撑；103为下限制层，为进行光学限制的一个低折射率外延层；104为有源层，是由本征半导体材料形成的双异质结或多层量子阱结构，实现电子到光子的转换；105为上限制层，作用与下限制层一样，但材料为p型掺杂；106为光栅层；107层为波导层，波导结构通过光刻刻蚀的方法在本层制作；101和108为金属电极，用于为激光器供电；109为绝缘层，为了在特定区域加电；110为电隔离槽，防止电流串扰。
本发明中的半导体激光器一般应用III-V族化合物半导体材料(如GaAlAs/GaAs,InGaAs/InGaP,GaAsP/InGaP,InGaAsP/InP,InGaAsP/GaAsP,AlGaIn As等)，同时也可应用II-VI族化合物半导体材料、IV-VI族化合物半导体材料等各种三元化合物、四元化合物半导体材料。
图4为全息曝光制作取样布拉格光栅的示意图。
本申请还提出一种单片集成的模式可调混沌激光器制造方法，用于制造本申请任一实施例所述激光器，包含以下步骤：
步骤21、在光刻板上制作基于重构-等效啁啾技术的取样图案，形成掩模板；
本步骤中，首先在光刻版(光掩模)上设计并制作基于重构-等效啁啾技术的取样图案，即该取样结构等效λ/4相移。
步骤22、使用全息曝光技术在覆盖晶片的光刻胶上形成均匀的种子光栅结构；
步骤23、使用所述掩膜板把所述取样结构制作在光刻胶上，再腐蚀后在晶片上形成等效光栅结构。
在晶片上刻光栅的方法是常规刻写取样光栅的方法，需要说明的是，在晶片上制作光栅的两步曝光顺序步骤22、步骤23可互换。
波长精确控制是重构-等效啁啾技术独特的优点，基于其设计和制作的激光器工作波长可以控制在+/-0.2nm的范围内。
每段的相移值均为π，在每段结构的中间部位，相移结构可以用均匀布拉格取样光栅实现，同样可以用取样布拉格取样光栅来等效实现，即：取样光栅结构的取样结构存在相移，相移值为π。
等效π相移布拉格取样光栅的具体结构是：取样布拉格取样光栅中心额一个取样周期改变为其原长度的1.5倍，而其它的取样周期保持不变，这样就可以使取样布拉格取样光栅的某些反射峰达到与相移取样光栅相似的效果，这种布拉格取样光栅相移相对应的特性成为等效相移。
本申请中，中间段等效π相移反对称布拉格取样光栅产生基模的前后行波和一阶模的前后行波的混合谐振波，激光器波导支持双横模，即TE0和TE1模式，且波长严格相同，从而形成同一波长混合模式谐振效应。通过分别调节左右两段等效π相移均匀布拉格取样光栅的偏置电流来改变扰动光的功率与中间段取样光栅输出光的功率比，更容易产生混沌激光，并选择出结构右端面输出光的模式，实现模式可调谐。本发明还具有集成结构体积小、成本低的优点。
图5为模式切换的混沌时序图。
本申请所述混沌光，从图5所示的时序图中可以看出，时间序列杂乱无章，综合图7所示的分岔图，本发明所述的一种单片集成的模式可调谐混沌激光器芯片可以输出模式可调谐的混沌激光。
进一步地，对调左右两段有源的等效π相移均匀布拉格取样光栅的偏置电流，使输出光从TE0模式为主的混沌光改变为TE1模式为主的混沌光，或者从TE1模式为主的混沌光改变为TE0模式为主的混沌光，如图5～6所示
图6为(a)TE0和(b)TE1模式的光入射时反对称布拉格光栅的功率分布图。
所采用的等效π相移反对称布拉格取样光栅，当入射光(光源)为TE0模式时，光会被反射为TE1模式，与之类似，当入射光为TE1模式时，光会被反射为TE0模式，在其作用下，TE0和TE1模式将相互转化，并形成纵向谐振。
需要说明的是，入射光、反射光可定义在同在一个参考面，图6是仿真的结果，图中反对称布拉格取样光栅左边那段是为了能清楚的看到反射光的模式，在仿真中加的一段匹配腔。图6(a)中入射TE0、反射TE1的状态为RM1模式，(b)中则为RM2模式。
图7为随着注入功率的变化输出TE0模式混沌光的分岔图。
这个图用来描述光的混沌状态，横轴的变量Kinj是上文所述的输入光、输出光的功率比，纵轴是输出功率的极值分布。
需要说明的是，本申请中的任何数值，“为”、“等于”和“约为”、“约等于”的含义是相同的。作为本申请的技术特征，任何一个数值都包含数值本身在工程实践中可允许的误差范围，例如10％，以本申请实施例的数值为基础，在设定的范围内上下浮动的数值，如果能够达到本申请技术方案所声明的技术效果，也属于本申请数值所表示的范围。
需要说明的是，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、商品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、商品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、商品或者设备中还存在另外的相同要素。
以上所述仅为本发明的实施例而已，并不用于限制本发明。对于本领域技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原理之内所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的权利要求范围之内。

Claims (9)

1.一种单片集成的模式可调混沌激光器，其特征在于，
包含左右两段相同的有源的等效π相移均匀布拉格取样光栅和中间段有源的等效π相移反对称布拉格取样光栅，三段取样光栅分别有独立的供电电极，集成在相同芯片上、共享一段光波导；
所述等效π相移反对称布拉格取样光栅的结构为：基本取样光栅为反对称取样光栅，即在波导横向上，以中轴线为界，上下两列具有相同取样光栅周期的均匀取样光栅存在π相位差；在基本取样光栅沿长度方向的中部还引入π相移结构；
所述的反对称布拉格取样光栅，用于实现入射光和反射光在TE0和TE1模式之间转化；
通过分别调节左右两段等效π相移均匀布拉格取样光栅的偏置电流，改变注入中间段反对称布拉格取样光栅的输入光与输出光的功率比，产生混沌激光输出。
2.如权利要求1所述单片集成的模式可调混沌激光器，其特征在于，
所述等效π相移反对称布拉格取样光栅，传输的前向TE0模式将反射为后向的TE1模式，同理，传输的前向TE1模式将反射为后向的TE0模式。
3.如权利要求1所述单片集成的模式可调混沌激光器，其特征在于，工作波长为1550nm，等效π相移均匀布拉格取样光栅长度为300μm，等效π相移反对称布拉格取样光栅长度为400μm，波导宽度为4μm。
4.如权利要求1所述单片集成的模式可调混沌激光器，其特征在于，光波导采用SiO2材料；衬底采用以下材料中的至少一种：磷化铟、砷化镓、硅。
5.如权利要求1所述单片集成的模式可调混沌激光器，其特征在于，采用InAlGaAs多量子阱结构。
6.如权利要求1所述单片集成的模式可调混沌激光器，其特征在于，所述等效π相移的实现方法是，在布拉格取样光栅中心部位的一个取样周期改变为其他部位取样周期的1.5倍。
7.一种单片集成的模式可调混沌激光器制造方法，用于制造权利要求1～6任一所述激光器，其特征在于，包含以下步骤：
在光刻板上制作基于重构-等效啁啾技术的取样图案，形成掩膜板；
使用全息曝光技术在覆盖晶片的光刻胶上形成均匀的种子光栅结构；
使用所述掩膜板把所述取样结构制作在光刻胶上，再腐蚀后在晶片上形成等效光栅结构。
8.一种单片集成的模式可调谐混沌激光器控制方法，用于调节权利要求1～6任一所述激光器，其特征在于，包含以下步骤：
通过调节所述左右两段有源的等效π相移均匀布拉格取样光栅施加的偏置电流，其产生的输入光对所述等效π相移反对称布拉格取样光栅的光场进行扰动，产生模式可调谐的混沌光。
9.如权利要求8所述的单片集成的模式可调谐混沌激光器控制方法，其特征在于，对调左右两段有源的等效π相移均匀布拉格取样光栅的偏置电流，使输出光从TE0模式为主的混沌光改变为TE1模式为主的混沌光，或者从TE1模式为主的混沌光改变为TE0模式为主的混沌光。
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