CN112928150B - 一种显示基板及其制备方法、显示装置 - Google Patents

Abstract

本公开实施例提供一种显示基板及其制备方法、显示装置。显示基板包括：衬底基板；有机发光二极体像素，位于衬底基板的一侧；第一共通电极，位于衬底基板的朝向有机发光二极体像素的一侧；第一钝化层，位于有机发光二极体像素背离衬底基板的一侧，有机发光二极体像素在衬底基板上的正投影位于第一钝化层在衬底基板上的正投影范围内，第一共通电极在衬底基板上的正投影至少部分位于第一钝化层在衬底基板上的正投影范围外；第一辅助电极，位于第一钝化层背离衬底基板的一侧，第一辅助电极与第一共通电极连接。本公开的技术方案，有利于满足IR压降的设计要求，不会影响显示基板的开口率和良率。

Description

一种显示基板及其制备方法、显示装置

技术领域

本公开涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示基板及其制备方法、显示装置。

背景技术

打印有机发光二极体(Printed Organic Light-Emitting Diode，Printed OLED)因具有高材料利用率、高效率等特点，以及应用于显示装置不需要使用精细金属掩膜(FineMetal Mask，FMM)或其他复杂图案化工艺等特性，易于大面积制备及全色显示等优点具有广阔的应用前景，得到人们的广泛关注，尤其适合大尺寸显示装置的应用。

采用顶发射OLED器件结构可以增加开口率、延长显示装置的寿命，然而，OLED器件为电流驱动，工作过程中，会造成较大的压降，也就是所谓的IR压降(IR-Drop)。如何降低IR压降成为打印OLED必须要克服的问题。

发明内容

本公开实施例提供一种显示基板及其制备方法、显示装置，以解决或缓解现有技术中的一项或更多项技术问题。

作为本公开实施例的第一个方面，本公开实施例提供一种显示基板，包括：

衬底基板；

有机发光二极体像素，位于衬底基板的一侧；

第一共通电极，位于衬底基板的朝向有机发光二极体像素的一侧；

第一钝化层，位于有机发光二极体像素背离衬底基板的一侧，有机发光二极体像素在衬底基板上的正投影位于第一钝化层在衬底基板上的正投影范围内，第一共通电极在衬底基板上的正投影至少部分位于第一钝化层在衬底基板上的正投影范围外；

第一辅助电极，位于第一钝化层背离衬底基板的一侧，第一辅助电极与第一共通电极连接。

在一些可能的实现方式中，有机发光二极体像素包括依次叠设在衬底基板上的第一电极、发光结构层和第二电极，显示基板还包括第二共通电极和第二辅助电极，第二共通电极位于衬底基板的朝向有机发光二极体像素的一侧，第二电极与第二共通电极连接，第二辅助电极位于第二电极和第一钝化层之间，第二辅助电极与第二电极接触连接。

在一些可能的实现方式中，第二电极、第二共通电极和第二辅助电极在衬底基板上的正投影均位于第一钝化层在衬底基板上的正投影范围内。

在一些可能的实现方式中，第一辅助电极在衬底基板上的正投影与有机发光二极体像素在衬底基板上的正投影不存在交叠区域。

在一些可能的实现方式中，显示基板包括显示区和位于显示区***的边框区，显示基板的一侧用于与印刷线路板连接，边框区包括靠近印刷线路板的近端边框区和远离印刷线路板的远端边框区，第一共通电极的数量为多个，多个第一共通电极中的一部分位于近端边框区，多个第一共通电极中的一部分位于远端边框区，第一辅助电极包括第一条状子电极，第一条状子电极自近端边框区跨越显示区而延伸至远端边框区，第一辅助电极与近端边框区内的第一共通电极连接，第一辅助电极与远端边框区内的第一共通电极连接。

在一些可能的实现方式中，第一辅助电极还包括第二条状子电极，第二条状子电极的延伸方向与第一条状子电极的延伸方向相互垂直。

在一些可能的实现方式中，有机发光二极体像素包括依次叠设在衬底基板上的第一电极、发光结构层和第二电极，显示基板还包括第二辅助电极，第二辅助电极位于第二电极和第一钝化层之间，第二辅助电极与第二电极接触连接，第二辅助电极在衬底基板上的正投影与有机发光二极体像素在衬底基板上的正投影不存在交叠区域。

在一些可能的实现方式中，沿同一延伸方向上，第二辅助电极在衬底基板上的正投影与第一辅助电极在衬底基板上的正投影不存在交叠区域。

在一些可能的实现方式中，有机发光二极体像素包括依次叠设在衬底基板上的第一电极、发光结构层和第二电极，发光结构层包括有机发光层和注入修饰层，注入修饰层位于有机发光层和第二电极之间。

作为本公开实施例的第二方面，本公开实施例提供一种显示基板的制备方法，包括：

提供衬底基板，衬底基板的一侧设置有第一共通电极；

在衬底基板的朝向第一共通电极的一侧形成有机发光二极体像素；

在有机发光二极体像素的背离衬底基板的一侧形成第一钝化层，有机发光二极体像素在衬底基板上的正投影位于第一钝化层在衬底基板上的正投影范围内，第一共通电极在衬底基板上的正投影至少部分位于第一钝化层在衬底基板上的正投影范围外；

在第一钝化层的背离衬底基板的一侧形成第一辅助电极，第一辅助电极与第一共通电极连接。

在一些可能的实现方式中，在第一钝化层的背离衬底基板的一侧形成第一辅助电极，包括：

采用喷墨打印的方式在第一钝化层的背离衬底基板的一侧形成第一辅助电极溶液；

对第一辅助电极溶液进行固化，形成第一辅助电极。

在一些可能的实现方式中，有机发光二极体像素包括依次叠设在衬底基板上的第一电极、发光结构层和第二电极，在形成第一钝化层之前，方法还包括：

采用喷墨打印的方式在第二电极的背离衬底基板的一侧形成第二辅助电极溶液；

对第二辅助电极溶液进行固化，形成第二辅助电极，第二辅助电极与第二电极接触连接。

作为本公开实施例的第三方面，本公开实施例提供一种显示装置，包括本公开任一实施例中的显示基板。

本公开实施例的显示基板，通过设置第一钝化层和第一辅助电极，实现了第一辅助电极与第一共通电极的连接，从而，可以避免增大衬底基板中的第一金属走线的厚度和宽度，不仅有利于满足IR压降的设计要求，而且不会影响显示基板的开口率和良率。

上述概述仅仅是为了说明书的目的，并不意图以任何方式进行限制。除上述描述的示意性的方面、实施方式和特征之外，通过参考附图和以下的详细描述，本公开进一步的方面、实施方式和特征将会是容易明白的。

附图说明

在附图中，除非另外规定，否则贯穿多个附图相同的附图标记表示相同或相似的部件或元素。这些附图不一定是按照比例绘制的。应该理解，这些附图仅描绘了根据本公开的一些实施方式，而不应将其视为是对本公开范围的限制。

图1为本公开一实施例中显示基板的结构示意图；

图2为本公开一实施例中显示基板的平面结构示意图；

图3为本公开一实施例中显示基板的制备方法的示意图；

图4为本公开一实施例显示基板中形成有机发光二极体像素后的示意图；

图5为本公开一实施例显示基板中形成第二辅助电极后的示意图；

图6为本公开一实施例显示基板中形成第一钝化层后的示意图；

图7为本公开一实施例显示基板中形成第一辅助电极后的示意图；

图8为本公开一实施例中显示装置的结构示意图。

附图标记说明：

10、衬底基板；101、基底；102、控制结构层；11、第一共通电极；12、第一钝化层；13、第一辅助电极；131、第一条状子电极；132、第二条状子电极；14、像素界定层；15、第二共通电极；16、第二辅助电极；17、第二钝化层；20、有机发光二极体像素；200、盖板；201、近端边框区；202、远端边框区；21、第一电极；221、有机发光层；222、注入修饰层；23、第二电极；300、透明胶材；51、膜上芯片；52、印刷线路板。

具体实施方式

在下文中，仅简单地描述了某些示例性实施例。正如本领域技术人员可认识到的那样，在不脱离本公开的精神或范围的情况下，可通过各种不同方式修改所描述的实施例。因此，附图和描述被认为本质上是示例性的而非限制性的。

本公开发明人发现，顶发射OLED器件结构难以采用厚金属作为顶电极(通常为阴极)，导致顶电极阻抗较大。工作过程中，共通阴极电位(ELVSS)的电流流经阻抗较大的顶电极将会造成较大的压降，也就是所谓的IR压降(IR-Drop)。一种解决方案是在制作好的顶电极上采用打印等溶液方式制作金属网格或金属线帮助顶电极导电。另一方面，随着显示装置尺寸变大与操作电流的提高，衬底基板上预制的共通VDD电位(ELVDD)金属线或金属网格也会通过很大的电流。为了符合IR压降，要求共通VDD电位(ELVDD)金属线或金属网格的厚度与宽度越来越大，不仅增加了制作难度而且使开口率减小。对于发展超大尺寸的高解析度OLED显示装置而言，同时解决ELVDD和ELVSS的IR压降成为亟待解决的技术问题。

图1为本公开一实施例中显示基板的结构示意图。如图1所示，显示基板包括衬底基板10、有机发光二极体像素(OLED像素)20、第一共通电极11、第一钝化层12和第一辅助电极13。

衬底基板10可以包括基底以及设置在基底101一侧的控制结构层102。控制结构层102可以包括薄膜晶体管、栅线、数据线等，以便控制显示基板的工作。有机发光二极体像素20位于衬底基板10的一侧，示例性地，有机发光二极体像素20位于控制结构层102背离基底101的一侧。有机发光二极体像素20的数量可以为多个，多个有机发光二极体像素20可以呈阵列排布。

第一共通电极11位于衬底基板10的朝向有机发光二极体像素20的一侧。示例性地，显示基板可以包括显示区和边框区，边框区位于显示区的***。多个有机发光二极体像素20位于显示区，第一共通电极11可以位于边框区。第一共通电极11的数量可以为多个，多个第一共通电极11可以在边框区依次排列。衬底基板10内可以设置第一金属走线，第一共通电极11可以与第一金属走线连接。

第一钝化层12位于有机发光二极体像素20背离衬底基板10的一侧，如图1所示，OLED像素20在衬底基板10上的正投影位于第一钝化层12在衬底基板10上的正投影范围内。第一共通电极11在衬底基板10上的正投影至少部分位于第一钝化层12在衬底基板10上的正投影范围外。从而，第一钝化层12可以完全覆盖OLED像素20，隔绝水汽，避免OLED像素与水氧产生反应而劣化。并且，第一共通电极11至少部分裸露在第一钝化层12的外侧。

第一辅助电极13位于第一钝化层12背离衬底基板10的一侧，第一辅助电极13与第一共通电极11连接。

可以理解的是，OLED像素20为电流驱动器件，随着显示装置尺寸变大与操作电流的提高，第一共通电极11和第一金属走线上会通过很大的电流。为了满足IR压降的设计要求，可以将衬底基板10中第一金属走线的厚度和宽度增大，但这样会减小显示装置的开口率，并且增加制作难度，降低产品良率。

本公开实施例的显示基板，通过设置第一钝化层12和第一辅助电极13，实现了第一辅助电极13与第一共通电极11的连接，从而，可以避免增大衬底基板10中的第一金属走线的厚度和宽度，不仅有利于满足IR压降的设计要求，而且不会影响显示基板的开口率和良率。

第一辅助电极13的厚度可以根据需要设置。

示例性地，衬底基板10中可以设置第一金属走线，第一共通电极11可以与第一金属走线连接。第一金属走线可以呈网格状或线状。第一金属走线可以与衬底基板中薄膜晶体管的栅电极同层设置，或者，第一金属走线可以与衬底基板中薄膜晶体管的源电极或漏电极同层设置。第一共通电极11可以为衬底基板10的上侧裸露的电极，或者，第一共通电极11可以为位于衬底基板10上侧的第一焊垫(Pad)，第一焊垫通过过孔与第一金属走线连接。本领域技术人员可以理解，第一共通电极11的具***置和结构可以根据需要设置，只要第一共通电极11与第一金属走线连接，并且，在后续制程中可以实现第一辅助电极13与第一共通电极11连接，进而实现第一辅助电极与第一金属走线连接即可。

在一种实施方式中，如图1所示，OLED像素20可以包括依次叠设在衬底基板10上的第一电极21、发光结构层22和第二电极23。示例性地，第一电极21和第二电极23中一个可以为阳极，另一个可以为阴极。例如，第一电极21可以为阳极，第二电极23可以为阴极。显示基板还可以包括像素界定层14，像素界定层14位于第一电极21背离衬底基板10的一侧，像素界定层14设置有多个开口，每个开口限定出OLED像素20所在区域。第一电极21通过开口暴露。发光结构层22位于开口内，并且位于第一电极21背离衬底基板10的一侧，第二电极23位于发光结构层22背离衬底基板10的一侧。

如图1所示，显示基板还可以包括第二共通电极15，第二共通电极15位于衬底基板10的朝向OLED像素20的一侧。示例性地，第二共通电极15可以位于显示基板的边框区。第二电极23与第二共通电极15连接。第二共通电极15在衬底基板10上的正投影位于第一钝化层12在衬底基板10上的正投影范围内，从而，第二电极23可以与第二共通电极15搭接连接，而且可以避免第二电极23和第二共通电极15与水氧接触。第二金属走线可以与衬底基板中薄膜晶体管的栅电极同层设置，或者，第二金属走线可以与衬底基板中薄膜晶体管的源电极或漏电极同层设置。第二共通电极15与第二金属走线连接。第二共通电极15可以为衬底基板10的上侧裸露的电极，或者，第二共通电极15可以为位于衬底基板10上侧的第二焊垫(Pad)，第二焊垫通过过孔与第二金属走线连接。本领域技术人员可以理解，第二共通电极15的具***置和结构可以根据需要设置，只要第二共通电极15与第二金属走线连接，并且，在后续制程中可以实现第二电极23与第二共通电极15连接即可。

在一种实施方式中，衬底基板10可以包括第二金属走线，第二共通电极15可以与第二金属走线连接。第二金属走线可以呈网格状或线状。第二金属走线可以与衬底基板中薄膜晶体管的栅电极同层设置，或者，第二金属走线可以与衬底基板中薄膜晶体管的源电极或漏电极同层设置。第二共通电极15与第二金属走线连接。第二共通电极15可以为衬底基板10的上侧裸露的电极，或者，第二共通电极15可以为位于衬底基板10上侧侧的第二焊垫(Pad)，第二焊垫通过过孔与第二金属走线连接。本领域技术人员可以理解，第二共通电极15的具***置和结构可以根据需要设置，只要第二共通电极15与第二金属走线连接，并且，在后续制程中可以实现第二电极23与第二共通电极15连接即可。

在一种实施方式中，如图1所示，显示基板还可以包括第二辅助电极16，第二辅助电极16位于第二电极23与第一钝化层12之间，第二辅助电极16与第二电极23接触连接。第二辅助电极16的厚度可以根据需要设置。通过设置第二辅助电极16，可以降低第二电极23的阻抗，减小IR压降。

在一种实施方式中，第二电极23、第二共通电极15和第二辅助电极16在衬底基板10上的正投影均位于第一钝化层12在衬底基板10上的正投影范围内。从而，隔绝水氧，避免第二电极23、第二共通电极15和第二辅助电极16与水氧接触，保护了OLED像素。

在一种实施方式中，第一共通电极11可以与衬底基板10中的VDD电位(ELVDD)连接，第二共通电极15可以与衬底基板10中的VSS电位(ELVSS)连接。

在一种实施方式中，如图1所示，发光结构层22可以包括有机发光层221和注入修饰层222，注入修饰层222可以位于有机发光层221与第二电极23之间。注入修饰层222的厚度范围可以为10nm至20nm(包括端点值)。示例性地，注入修饰层222的厚度可以为10nm、12nm、14nm、16nm、18nm、20nm中的任一个数值。注入修饰层222可以与第二电极23有较好的注入特性，提高OLED像素的性能。

在一种实施方式中，发光结构层22还可以包括空穴注入层(HIL)和空穴传输层(HTL)(图1中未示出空穴注入层和空穴传输层)，空穴注入层和空穴传输层位于第一电极21和有机发光层221之间，其中，空穴注入层靠近第一电极21，空穴传输层位于空穴注入层和有机发光层221之间。

在一种实施方式中，第二电极23的材质可以包括透明氧化物，例如，第二电极23的材质可以包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)等中的至少一种。第二电极23的厚度范围可以为70nm至300nm(包括端点值)。

在一种实施方式中，如图1所示，显示基板还可以包括第二钝化层17，第二钝化层17位于第一辅助电极13背离衬底基板10的一侧。第一辅助电极13在衬底基板10上的正投影位于第二钝化层17在衬底基板10上的正投影范围内。第一共通电极11衬底基板10上的正投影位于第二钝化层17在衬底基板10上的正投影范围内。

图2为本公开一实施例中显示基板的平面结构示意图。显示基板可以包括显示区和位于显示区***的边框区，在图2中示出了显示区与边框区的分界线100。第一共通电极11的数量可以为多个，多个第一共通电极11可以设置在相对两侧的边框区。例如，如图2所示，显示区上侧的边框区设置有多个第一共通电极11，显示区下侧的边框区设置有多个第一共通电极11，相对两侧的边框区的第一共通电极11的个数可以相同。第一辅助电极13可以位于显示区和边框区。如图1和图2所示，第一辅助电极13在衬底基板10上的正投影与有机发光二极体像素在衬底基板10上的正投影不存在交叠区域。从而，在显示区，第一辅助电极13在衬底基板10上的正投影位于相邻两列或相邻两行OLED像素在衬底基板10上的正投影之间，也就是说，第一辅助电极13在衬底基板10上的正投影位于OLED像素在衬底基板10上的正投影之外，或者说，第一辅助电极13在衬底基板10上的正投影位于像素界定层14在衬底基板10上的正投影范围内。这种结构的第一辅助电极13，不仅增大了第一辅助电极13的面积，有效降低IR压降，而且，第一辅助电极13不会对显示基板的开口率产生影响。

在一种实施方式中，如图2所示，显示基板的一侧用于通过膜上芯片51(Chip onFilm，COF)51与印刷线路板(PCB)52连接。显示基板的边框区包括靠近印刷线路板52的近端边框区201和远离印刷线路板52的远端边框区202。第一共通电极11的数量可以为多个，多个第一共通电极11中的一部分位于近端边框区201，多个第一共通电极11中的一部分位于远端边框区202。第一辅助电极13可以包括第一条状子电极131，第一条状子电极131自近端边框区201跨越显示区而延伸至远端边框区202，第一辅助电极13与近端边框区201内的第一共通电极连接，第一辅助电极13与远端边框区202内的第一共通电极连接。可以理解的是，在不存在第一辅助电极13的情况下，ELVDD的电流从近端流向远端时只能通过第一金属走线，导致在远端会造成较大压降。本公开的实施例中，ELVDD的电流从近端流向远端时，可以同时经过第一金属走线和第一辅助电极13，也就是说，一部分电流通过第一辅助电极13流向远端，从而，可以改善IR压降，有利于解决大尺寸OLED在高操作电流时的IR压降问题。

在一种实施方式中，如图2所示，第一辅助电极13还可以包括第二条状子电极132，第二条状子电极132的延伸方向可以与第一条状子电极131的延伸方向相互垂直。从而，第一辅助电极13呈第一网状结构。

在一种实施方式中，如图1和图2所示，第二辅助电极16可以呈第二网状结构。第二辅助电极16在衬底基板10上的正投影与OLED像素在衬底基板10上的正投影不存在交叠区域，也就是说，第二辅助电极16在衬底基板10上的正投影位于相邻两列或相邻两行OLED像素在衬底基板10上的正投影之间，或者说，第二辅助电极16在衬底基板10上的正投影位于OLED像素在衬底基板10上的正投影之外，或者说，第二辅助电极16在衬底基板10上的正投影位于像素界定层14在衬底基板10上的正投影范围内。这种结构的第二辅助电极16，不仅增大了第二电极13的面积，有效降低了IR压降，而且不会对显示基板的开口率产生影响。

可以理解的是，第二辅助电极16并不限于图2中的第二网状结构，第二辅助电极16可以为条状电极，例如，第二辅助电极16可以呈沿水平方向延伸的条状，或者，第二辅助电极16可以呈沿竖直方向延伸的条状，第二辅助电极16的具体形状可以根据需要设置。

在一种实施方式中，如图2所示，沿同一方向上，第二辅助电极16在衬底基板10上的正投影与第一辅助电极13在衬底基板10上的正投影不存在交叠区域。例如，沿水平方向上，第二辅助电极16在衬底基板10上的正投影与第一辅助电极13在衬底基板10上的正投影不存在交叠区域；沿竖直方向上，第二辅助电极16在衬底基板10上的正投影与第一辅助电极13在衬底基板10上的正投影不存在交叠区域。从而，可以最大程度地减小第二辅助电极16与第一辅助电极13的交叠面积，避免短路风险。

图3为本公开一实施例中显示基板的制备方法的示意图。如图3所示，显示基板的制备方法可以包括：

S11、提供衬底基板，衬底基板的一侧设置有第一共通电极；

S12、在衬底基板的朝向第一共通电极的一侧形成有机发光二极体像素；

S13、在有机发光二极体像素的背离衬底基板的一侧形成第一钝化层，有机发光二极体像素在衬底基板上的正投影位于第一钝化层在衬底基板上的正投影范围内，第一共通电极在衬底基板上的正投影至少部分位于第一钝化层在衬底基板上的正投影范围外；

S14、在第一钝化层的背离衬底基板的一侧形成第一辅助电极，第一辅助电极与第一共通电极连接。

在一种实施方式中，在第一钝化层的背离衬底基板的一侧形成第一辅助电极，可以包括：采用喷墨打印的方式在第一钝化层的背离衬底基板的一侧形成第一辅助电极溶液；对第一辅助电极溶液进行固化，形成第一辅助电极。

在一种实施方式中，有机发光二极体像素包括依次叠设在衬底基板上的第一电极、发光结构层和第二电极，在形成第一钝化层之前，显示基板的制备方法还可以包括：采用喷墨打印的方式在第二电极的背离衬底基板的一侧形成第二辅助电极溶液；对第二辅助电极溶液进行固化，形成第二辅助电极，第二辅助电极与第二电极接触连接。

下面通过本公开一实施例中显示基板的制备过程进一步说明本公开实施例的技术方案。可以理解的是，本文中所说的“图案化”，当图案化的材质为无机材质或金属时，“图案化”包括涂覆光刻胶、掩膜曝光、显影、刻蚀、剥离光刻胶等工艺，当图案化的材质为有机材质时，“图案化”包括掩模曝光、显影等工艺，本文中所说的蒸镀、沉积、涂覆、涂布等均是相关技术中成熟的制备工艺。

显示基板的制备过程可以包括：

S11、提供衬底基板10，衬底基板10的一侧设置有第一共通电极11。

可以理解的是，衬底基板10可以包括基底101和位于基底101一侧的控制结构层102。控制结构层102可以包括薄膜晶体管、栅线、数据线等。示例性地，控制结构层102还可以包括第一金属走线，第一金属走线可以与衬底基板中薄膜晶体管的栅电极同层设置，或者，第一金属走线可以与衬底基板中薄膜晶体管的源电极或漏电极同层设置。第一共通电极11与第一金属走线连接。第一共通电极11可以为衬底基板10的上侧裸露的电极，或者，第一共通电极11可以为位于衬底基板10上侧的第一焊垫(Pad)，第一焊垫通过过孔与第一金属走线连接。本领域技术人员可以理解，第一共通电极11的具***置和结构可以根据需要设置，只要第一共通电极11与第一金属走线连接，并且，在后续制程中可以实现第一辅助电极13与第一共通电极11连接，进而实现第一辅助电极与第一金属走线连接即可。

示例性地，衬底基板10的一侧还设置有第二共通电极15。控制结构层102还可以包括第二金属走线，第二金属走线可以与衬底基板中薄膜晶体管的栅电极同层设置，或者，第二金属走线可以与衬底基板中薄膜晶体管的源电极或漏电极同层设置。第二共通电极15与第二金属走线连接。第二共通电极15可以为衬底基板10的上侧裸露的电极，或者，第二共通电极15可以为位于衬底基板10上侧侧的第二焊垫(Pad)，第二焊垫通过过孔与第二金属走线连接。本领域技术人员可以理解，第二共通电极15的具***置和结构可以根据需要设置，只要第二共通电极15与第二金属走线连接，并且，在后续制程中可以实现第二电极23与第二共通电极15连接即可。

衬底基板10的制备过程为本领域常规技术，在此不再赘述。

S12、在衬底基板10的朝向第一共通电极11的一侧形成有机发光二极体像素20，如图4所示，图4为本公开一实施例显示基板中形成有机发光二极体像素后的示意图。示例性地，该步骤可以包括：

在衬底基板10的朝向第一共通电极11的一侧形成第一电极21，第一电极21的数量可以为多个，第一电极21可以位于显示区，多个第一电极21呈阵列排布。示例性地，可以在衬底基板10的朝向第一共通电极11的一侧沉积第一电极薄膜，采用图案化工艺形成第一电极21。第一电极21的材质可以包括氧化铟锡(ITO)。可以理解的是，第一电极21与衬底基板10中的对应薄膜晶体管连接。

在第一电极21背离衬底基板10的一侧形成像素界定层14，像素界定层14设置有多个开口，每个开口限定出OLED像素20所在区域，第一电极21通过对应开口暴露。可以采用本领域常规技术形成像素界定层14，在此不再赘述。

在像素界定层14背离衬底基板10的一侧形成有机发光层221，有机发光层221位于像素界定层14限定的开口内。示例性地，可以采用喷墨打印工艺在开口内打印有机发光材料，并干燥成膜，形成有机发光层221。有机发光层221的具体材质可以根据需要设置。OLED像素20可以为红色像素、绿色像素或蓝色像素，对应地，有机发光层可以为红色发光层、绿色发光层或蓝色发光层。选用的喷墨打印的器件可以为SBS架构。

在有机发光层221背离衬底基板10的一侧形成注入修饰层222，注入修饰层222可以位于像素界定层限定的开口内，或者，各OLED像素20的注入修饰层222相互连接为一体结构。示例性地，可以采用热蒸镀工艺在有机发光层221背离衬底基板10的一侧形成注入修饰层222。注入修饰层222的厚度范围可以为10nm至20nm(包括端点值)。

在注入修饰层222背离衬底基板10的一侧形成第二电极23，各OLED像素20的第二电极23连接为一体结构，第二电极23与第二共通电极15连接，如图4所示。示例性地，可以采用溅镀的方法在注入修饰层222背离衬底基板10的一侧形成第二电极薄膜，对第二电极薄膜进行图案化处理，形成第二电极23。第二电极23的材质可以包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)等中的至少一种。第二电极23的厚度范围可以为70nm至300nm(包括端点值)。示例性地，可以采用热蒸镀方式在注入修饰层222背离衬底基板10的一侧形成金属薄膜，金属薄膜的材质可以包括镁、银、镁银合金，根据需求可以在金属薄膜上镀上透明半导体或透明导体，从而形成第二电极，第二电极包括叠层设置的金属薄膜和半导体(或导体)薄膜。

可以理解的是，有机发光层221、注入修饰层222和第二电极23的制备方法并不限于以上列出的方法，可以采用本领域已知的方法例如热蒸镀等方式分别形成有机发光层221、注入修饰层222和第二电极23。

在一种实施方式中，在形成有机发光层221之前，可以在像素界定层14背离衬底基板10的一侧依次形成空穴注入层和空穴传输层，各个OLED像素的空穴注入层可以连接为一体结构，各个OLED像素的空穴传输层可以连接为一体结构。

图5为本公开一实施例显示基板中形成第二辅助电极后的示意图。在一种实施方式中，显示基板的制备方法还可以包括S15：采用喷墨打印的方式在第二电极23的背离衬底基板10的一侧形成第二辅助电极溶液；对第二辅助电极溶液进行固化，形成第二辅助电极16，第二辅助电极16与第二电机23接触连接，如图5所示。可以理解的是，喷墨打印属于溶液制程的一种，在形成第二辅助电极16时，还可以采用溶液制程中的其它方式。例如，可以采用平版、凸版、凹版等印刷制程中的一种，利用转印方式将第二辅助电极溶液制作在第二电极23背离衬底基板10的一侧，进而形成第二辅助电极16。溶液制程属材料可以采用银粒烧结的原理或者还原反应，需要一定的加热温度来固化并形成可导电的金属。示例性地，固化温度范围可以为80℃至130℃(包括端点值)。其中，第二辅助电极溶液中可以包括以下中的至少一种：银颗粒、硝酸银、金颗粒、铜颗粒、铟、锡、铋、锌等金属，第二辅助电极溶液还可以包括稀释剂、分散剂、固化反应物等有机分子的混合物。

S13、在有机发光二极体像素20的背离衬底基板10的一侧形成第一钝化层12，有机发光二极体像素20在衬底基板10上的正投影位于第一钝化层12在衬底基板10上的正投影范围内，第一共通电极11在衬底基板10上的正投影至少部分位于第一钝化层12在衬底基板10上的正投影范围外，如图6所示，图6为本公开一实施例显示基板中形成第一钝化层后的示意图。示例性地，可以在第二辅助电极16背离衬底基板10的一侧沉积第一钝化薄膜，对第一钝化薄膜进行图案化处理，形成第一钝化层12。第一钝化层12的材质可以包括氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)中的至少一种。

S14、在第一钝化层12的背离衬底基板10的一侧形成第一辅助电极13，第一辅助电极13与第一共通电极11连接，如图7所示，图7为本公开一实施例显示基板中形成第一辅助电极后的示意图。示例性地，可以采用喷墨打印的方式在第一钝化层12的背离衬底基板10的一侧形成第一辅助电极溶液；对第一辅助电极溶液进行固化，形成第一辅助电极13，第一辅助电极13与第一共通电极11连接。可以理解的是，喷墨打印属于溶液制程的一种，在形成第一辅助电极13时，还可以采用溶液制程中的其它方式。例如，可以采用平版、凸版、凹版等印刷制程中的一种，利用转印方式将第一辅助电极溶液制作在第一钝化层12背离衬底基板10的一侧，进而形成第一辅助电极13。溶液制程属材料可以采用银粒烧结的原理或者还原反应，需要一定的加热温度来固话并形成可导电的金属。示例性地，固化温度范围可以为80℃至130℃(包括端点值)。其中，第一辅助电极溶液中可以包括以下中的至少一种：银颗粒、硝酸银、金颗粒、铜颗粒、铟、锡、铋、锌等金属，第一辅助电极溶液还可以包括稀释剂、分散剂、固化反应物等有机分子的混合物。

在一种实施方式中，显示基板的制备方法还可以包括S16：在第一辅助电极13背离衬底基板10的一侧形成第二钝化层17，第一共通电极11和第一辅助电极13在衬底基板10上的正投影均位于第二钝化层17在衬底基板10上的正投影范围内，如图1所示。示例性地，可以在第一辅助电极13背离衬底基板10的一侧沉积第二钝化薄膜，对第二钝化薄膜进行图案化处理，形成第二钝化层17。第二钝化层17的材质可以包括氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)中的至少一种。

图8为本公开一实施例中显示装置的结构示意图。基于前述实施例的发明构思，本公开实施例还提供了一种显示装置，如图8所示，该显示装置包括采用前述实施例的显示基板，显示装置还可以包括盖板200，盖板200与显示基板相对设置，盖板200位于显示基板朝向OLED像素20的一侧。显示装置还可以包括填充在盖板200与显示基板之间的透明胶材(Filler)300。显示装置可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。

在本说明书的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本公开和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本公开的限制。

此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者多个该特征。在本公开的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。

在本公开中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接，还可以是通信；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本公开中的具体含义。

在本公开中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。

上文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本公开的不同结构。为了简化本公开，上文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本公开。此外，本公开可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。

以上，仅为本公开的具体实施方式，但本公开的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本公开揭露的技术范围内，可轻易想到其各种变化或替换，这些都应涵盖在本公开的保护范围之内。因此，本公开的保护范围应以权利要求的保护范围为准。

Claims (10)

1.一种显示基板，其特征在于，包括：

衬底基板；

有机发光二极体像素，位于所述衬底基板的一侧；

第一共通电极，位于所述衬底基板的朝向所述有机发光二极体像素的一侧；

第一钝化层，位于所述有机发光二极体像素背离所述衬底基板的一侧，所述有机发光二极体像素在所述衬底基板上的正投影位于所述第一钝化层在所述衬底基板上的正投影范围内，所述第一共通电极在所述衬底基板上的正投影至少部分位于所述第一钝化层在所述衬底基板上的正投影范围外；

第一辅助电极，位于所述第一钝化层背离所述衬底基板的一侧，所述第一辅助电极与所述第一共通电极连接；

所述有机发光二极体像素包括依次叠设在所述衬底基板上的第一电极、发光结构层和第二电极，所述显示基板还包括第二共通电极和第二辅助电极，所述第二共通电极位于所述衬底基板的朝向所述有机发光二极体像素的一侧，所述第二电极与所述第二共通电极连接，所述第二辅助电极位于所述第二电极和所述第一钝化层之间，所述第二辅助电极与所述第二电极接触连接；

沿同一延伸方向上，所述第二辅助电极在所述衬底基板上的正投影与所述第一辅助电极在所述衬底基板上的正投影不存在交叠区域。

2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述第二电极、所述第二共通电极和所述第二辅助电极在所述衬底基板上的正投影均位于所述第一钝化层在所述衬底基板上的正投影范围内。

3.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述第一辅助电极在所述衬底基板上的正投影与所述有机发光二极体像素在所述衬底基板上的正投影不存在交叠区域。

4.根据权利要求3所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板包括显示区和位于所述显示区***的边框区，所述显示基板的一侧用于与印刷线路板连接，所述边框区包括靠近所述印刷线路板的近端边框区和远离所述印刷线路板的远端边框区，所述第一共通电极的数量为多个，多个所述第一共通电极中的一部分位于所述近端边框区，多个所述第一共通电极中的一部分位于所述远端边框区，所述第一辅助电极包括第一条状子电极，所述第一条状子电极自所述近端边框区跨越所述显示区而延伸至所述远端边框区，所述第一辅助电极与所述近端边框区内的第一共通电极连接，所述第一辅助电极与所述远端边框区内的第一共通电极连接。

5.根据权利要求4所述的显示基板，其特征在于，所述第一辅助电极还包括第二条状子电极，所述第二条状子电极的延伸方向与所述第一条状子电极的延伸方向相互垂直。

6.根据权利要求3至5中任一项所述的显示基板，其特征在于，所述有机发光二极体像素包括依次叠设在所述衬底基板上的第一电极、发光结构层和第二电极，所述显示基板还包括第二辅助电极，所述第二辅助电极位于所述第二电极和所述第一钝化层之间，所述第二辅助电极与所述第二电极接触连接，所述第二辅助电极在所述衬底基板上的正投影与所述有机发光二极体像素在所述衬底基板上的正投影不存在交叠区域。

7.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述有机发光二极体像素包括依次叠设在所述衬底基板上的第一电极、发光结构层和第二电极，所述发光结构层包括有机发光层和注入修饰层，所述注入修饰层位于所述有机发光层和所述第二电极之间。

8.一种显示基板的制备方法，其特征在于，包括：

提供衬底基板，所述衬底基板的一侧设置有第一共通电极；

在所述衬底基板的朝向所述第一共通电极的一侧形成第一电极，在所述第一电极背离所述衬底基板的一侧形成像素界定层，所述像素界定层设置有多个开口，所述第一电极通过对应开口暴露，在所述像素界定层背离所述衬底基板的一侧形成有机发光层，所述有机发光层位于所述像素界定层限定的开口内；所述衬底基板的一侧还设置有第二共通电极，在有机发光层背离所述衬底基板的一侧形成注入修饰层，在所述注入修饰层背离所述衬底基板的一侧形成第二电极，所述第二电极与所述第二共通电极连接；采用喷墨打印的方式在所述第二电极的背离所述衬底基板的一侧形成第二辅助电极溶液；对所述第二辅助电极溶液进行固化，形成第二辅助电极，所述第二辅助电极与所述第二电极接触连接；

在有机发光二极体像素的背离所述衬底基板的一侧形成第一钝化层，所述有机发光二极体像素在所述衬底基板上的正投影位于所述第一钝化层在所述衬底基板上的正投影范围内，所述第一共通电极在所述衬底基板上的正投影至少部分位于所述第一钝化层在所述衬底基板上的正投影范围外；

在所述第一钝化层的背离所述衬底基板的一侧形成第一辅助电极，所述第一辅助电极与所述第一共通电极连接。

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述在所述第一钝化层的背离所述衬底基板的一侧形成第一辅助电极，包括：

采用喷墨打印的方式在所述第一钝化层的背离所述衬底基板的一侧形成第一辅助电极溶液；

对所述第一辅助电极溶液进行固化，形成第一辅助电极。

10.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1至7中任一项所述的显示基板。

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