CN112909195B - 有机发光显示器件、显示面板和显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种有机发光显示器件、显示面板和显示装置。有机发光显示器件包括位于发光层和阴极之间的电子传输层，所述电子传输层包含电子传输材料和有机掺杂材料，有机掺杂材料使得电子传输材料的红外光谱在指纹区的至少一个伸缩振动峰向低波数方向位移，且位移大于或等于5cm^‑1。根据本发明的实施例，能够使有机发光显示器件具有较高发光效率和较长的器件寿命。

Description

有机发光显示器件、显示面板和显示装置

技术领域

本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种有机发光显示器件、显示面板和显示装置。

背景技术

基于有机发光显示(Organic Light Emitting Display，OLED)技术的有机发光显示器件是在电场驱动下，电子和空穴分别从阴极和阳极注入到发光层中复合实现发光显示。

通常地，在OLED器件中，由于有机材料本身的特性导致电子注入和传输能力较低，发光层中电子和空穴再结合的数目将受到限制，最终影响OLED器件的发光效率。因此，提高OLED器件的电子注入和传输能力是提升发光效率的一个重要方向。而如何在改善OLED器件的发光效率的同时，还使器件具有较高的使用寿命，是显示技术研发领域的重要问题。

发明内容

本发明提供一种有机发光显示器件、显示面板和显示装置，旨在使有机发光显示器件同时兼顾较高的发光效率和器件寿命。

本发明第一方面提供一种有机发光显示(OLED)器件，OLED器件包括位于发光层和阴极之间的电子传输层，电子传输层包含电子传输材料和有机掺杂材料，有机掺杂材料使得电子传输材料的红外光谱在指纹区的至少一个伸缩振动峰向低波数方向位移，且位移大于或等于5cm^-1。

本发明提供的OLED器件中，通过在电子传输层中引入有机掺杂材料，有机掺杂材料与电子传输材料之间形成较强的分子间相互作用，使得掺杂后的电子传输材料的红外光谱在指纹区的至少一个伸缩振动峰相对于掺杂前的电子传输材料产生向低波数方向大于或等于5cm^-1的位移。这样有效增强了电子传输材料的电子注入和传输能力，因此能提高OLED器件的电流密度，获得较高的发光效率。同时，OLED器件还能获得较高的稳定性和使用寿命。

在本发明任一实施方式中，伸缩振动峰的位移为5cm^-1～200cm^-1。优选地，伸缩振动峰的位移为10cm^-1～200cm^-1。优选地，伸缩振动峰的位移为10cm^-1～100cm^-1。

在本发明任一实施方式中，电子传输材料的红外光谱指纹区在1300cm^-1～650cm^-1的波数范围。

在本发明任一实施方式中，伸缩振动峰为指纹区的积分面积最大的峰或峰高最高的峰。

在本发明任一实施方式中，有机掺杂材料选自任选取代的稠环芳烃化合物及其衍生物、任选取代的联苯及其衍生物中的一种或多种。

在本发明任一实施方式中，有机掺杂材料选自任选取代的14元～40元稠环芳烃化合物及其衍生物、任选取代的18元～36元联苯及其衍生物中的一种或多种。

在本发明任一实施方式中，有机掺杂材料选自任选取代的蒽、任选取代的菲、任选取代的芘、任选取代的苉、任选取代的苯并蒽、任选取代的苯并菲、任选取代的苯并芘、任选取代的二苯并蒽、任选取代的二苯并菲、任选取代的二苯并芘、任选取代的蒄、任选取代的三联苯、任选取代的四联苯、任选取代的五联苯、任选取代的六联苯中的一种或多种中的一种或多种。

在本发明任一实施方式中，有机掺杂材料均匀掺杂在电子传输层。

在本发明任一实施方式中，有机掺杂材料在电子传输层的质量占比为1％～10％。

本发明第二方面提供一种显示面板，包括根据本发明的OLED器件。本发明的显示面板采用根据本发明的OLED器件，因而能具有较高的发光效率，还能获得较高的稳定性和使用寿命。

本发明第三方面提供一种显示装置，包括根据本发明的显示面板。本发明的显示装置采用根据本发明的显示面板，因而能具有较高的发光显示效率和稳定性。

附图说明

通过阅读以下参照附图对非限制性实施例所作的详细描述，本发明的其它特征、目的和优点将会变得更明显，其中，相同或相似的附图标记表示相同或相似的特征，附图并未按照实际的比例绘制。

图1是根据本发明一个实施例的有机发光显示器件的结构示意图。

图2是根据本发明一个实施例的显示面板的结构示意图。

图3是实施例1-3和对比例1的有机发光显示器件的电压-电流密度曲线图。

具体实施方式

下面将详细描述本发明的各个方面的特征和示例性实施例，为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及具体实施例，对本发明进行进一步详细描述。应理解，此处所描述的具体实施例仅被配置为解释本发明，并不被配置为限定本发明。对于本领域技术人员来说，本发明可以在不需要这些具体细节中的一些细节的情况下实施。下面对实施例的描述仅仅是为了通过示出本发明的示例来提供对本发明更好的理解。

需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。

为了简便，本文仅明确地公开了一些数值范围。然而，任意下限可以与任何上限组合形成未明确记载的范围；以及任意下限可以与其它下限组合形成未明确记载的范围，同样任意上限可以与任意其它上限组合形成未明确记载的范围。此外，尽管未明确记载，但是范围端点间的每个点或单个数值都包含在该范围内。因而，每个点或单个数值可以作为自身的下限或上限与任意其它点或单个数值组合或与其它下限或上限组合形成未明确记载的范围。

在本文的描述中，除非另有说明，“以上”、“以下”为包含本数，“多种(个)”的含义是两种(个)以上。

在OLED器件中，通常在发光层与阴极之间设置电子传输层，来保证由阴极注入的电子能传输到发光层与空穴复合，以获得较高的发光效率。发明人发现，通过将低功函数的碱金属或碱金属化合物作为N型掺杂剂掺杂于电子传输层，能起到一定的改善电子迁移率的作用，但是碱金属和碱金属化合物具有高反应性和高扩散性的缺陷，会影响器件的稳定性和使用寿命。

发明人进一步进行了大量研究，提供一种采用与电子传输材料之间形成较强分子间相互作用的有机掺杂材料来增强电子传输层的电子注入与传输能力的方案。采用该方案，能使OLED器件获得较高发光效率的同时，还具有较长的寿命。

基于此，本发明提供一种OLED器件。OLED器件包括位于发光层和阴极之间的电子传输层，电子传输层包含电子传输材料和有机掺杂材料，有机掺杂材料使得电子传输材料的红外光谱在指纹区的至少一个伸缩振动峰向低波数方向位移，且位移大于或等于5cm^-1。

有机掺杂材料掺杂前后的电子传输材料的红外光谱可采用本领域已知的仪器和方法测定。例如红外光谱分析仪(例如，FTIR-1500型傅里叶变换红外光谱仪)。掺杂前的电子传输材料的红外光谱可以采用KBr压片法对未进行有机掺杂材料掺杂的电子传输材料测试；掺杂后的电子传输材料的红外光谱可以采用KBr压片法对掺杂了有机掺杂材料的电子传输材料测试。优选地，可采用旋涂法或真空蒸镀法将未进行有机掺杂材料掺杂的电子传输材料制成膜片，以及采用旋涂法或真空共同蒸镀法将电子传输材料和有机掺杂材料制成膜片；分别测试膜片样品的红外光谱进行分析。

在电子传输材料的红外光谱中，指纹区为本领域已知的含义。指纹区的红外特征峰具有较强的特征性，能够反映分子的微小变化。可选地，指纹区在1300cm^-1～650cm^-1的波数范围。

在电子传输材料的红外光谱中，可以选择指纹区的积分面积较大或峰高较高的特征峰的位移来表征有机掺杂材料对电子传输材料的分子间相互作用。可选地，伸缩振动峰为指纹区的积分面积最大的峰或峰高最高的峰。

本发明提供的OLED器件中，通过在电子传输层中引入有机掺杂材料，有机掺杂材料与电子传输材料之间形成较强的分子间相互作用，使得掺杂后的电子传输材料的红外光谱在指纹区的至少一个伸缩振动峰相对于掺杂前的电子传输材料产生向低波数方向大于或等于5cm^-1的位移。这样有效增强了电子传输材料的电子注入和传输能力，因此能提高OLED器件的电流密度，获得较高的发光效率。

不期望受任何理论限制，通过使有机掺杂材料对电子传输材料的强分子间相互作用满足上述条件，能够改变电子传输材料的电子云分布，使电子传输材料的LUMO能级降低，由此能降低电子注入和传输的势垒，从而提高电子注入和传输能力，进而达到提升OLED器件的发光效率的目的。电子注入和传输能力的提高，还同时有利于降低OLED器件的工作电压。并且，有机掺杂材料掺杂的电子传输层的稳定性较好，使得OLED器件还能获得较高的稳定性和使用寿命。

在一些实施例中，有机掺杂材料使得电子传输材料的红外光谱在指纹区的至少一个伸缩振动峰向低波数方向发生大于或等于5cm^-1，大于或等于8cm^-1，大于或等于10cm^-1，大于或等于12cm^-1，大于或等于15cm^-1，大于或等于20cm^-1，大于或等于30cm^-1，大于或等于40cm^-1，大于或等于50cm^-1，或者大于或等于60cm^-1的位移。有机掺杂材料对电子传输材料具有较强的分子间相互作用，能进一步降低电子注入和传输的势垒，从而进一步提高电子注入和传输能力，因此使得OLED器件的发光效率进一步提升，并且可以进一步降低工作电压。

在一些实施例中，有机掺杂材料使得电子传输材料的红外光谱在指纹区的至少一个伸缩振动峰向低波数方向位移，且位移小于或等于200cm^-1，小于或等于180cm^-1，小于或等于150cm^-1，小于或等于120cm^-1，小于或等于100cm^-1，小于或等于90cm^-1，小于或等于80cm^-1，小于或等于60cm^-1，小于或等于50cm^-1，小于或等于30cm^-1，或者小于或等于20cm^-1。有机掺杂材料对电子传输材料的分子间相互作用的强度适当，有利于使OLED器件的电子传输和空穴传输相匹配，促进注入到发光层的电子和空穴的平衡，因而有利于改善OLED器件的发光效率。

在一些实施例中，有机掺杂材料使得电子传输材料的红外光谱在指纹区的至少一个伸缩振动峰向低波数方向位移5cm^-1～200cm^-1，10cm^-1～200cm^-1，20cm^-1～200cm^-1，10cm^-1～150cm^-1，20cm^-1～150cm^-1，30cm^-1～120cm^-1，50cm^-1～150cm^-1，10cm^-1～100cm^-1，8cm^-1～50cm^-1，10cm^-1～20cm^-1，20cm^-1～100cm^-1，或20cm^-1～80cm^-1等。

在本发明的OLED器件中，有机掺杂材料可以采用能使电子传输材料的红外光谱在指纹区的至少一个伸缩振动峰向低波数方向发生适当位移的任意有机材料。在一些实施例中，有机掺杂材料为具有共轭效应的材料。进一步地，有机掺杂材料可选自任选取代的稠环芳烃化合物及其衍生物、任选取代的联苯及其衍生物中的一种或多种。

术语“稠环芳烃化合物”是两个或两个以上的苯环以共有环边构成的多环有机化合物。在一些实施例中，稠环芳烃化合物包括任选取代的14元～40元稠环芳烃化合物。在各实施例中，14元～40元稠环芳烃化合物即稠环芳烃化合物可含有14～40个用于形成稠环的碳原子。可选地，稠环芳烃化合物包括任选取代的14元～30元稠环芳烃化合物，或任选取代的14元～22元稠环芳烃化合物。

作为示例，稠环芳烃化合物可包括任选取代的蒽、任选取代的菲、任选取代的芘、任选取代的苉、任选取代的苯并蒽、任选取代的苯并菲、任选取代的苯并芘、任选取代的二苯并蒽、任选取代的二苯并菲、任选取代的二苯并芘、任选取代的蒄中的一种或多种。苯并蒽的示例可包括并四苯、1,2-苯并[A]蒽等。二苯并蒽的示例可包括并五苯、苝、1,2:5,6-二苯并蒽1,2:7,8-二苯并蒽等。苯并菲的示例可包括

、3,4-苯并菲等。二苯并菲的示例可包括二苯并[C,G]菲、2,3:6,7-二苯并菲、1,2:5,6-二苯并菲等。苯并芘的示例可包括1,2-苯并芘(也有称3,4-苯并芘)、4,5-苯并芘等。二苯并芘的示例可包括二苯并[a,h]芘、二苯并[b,h]芘等。

术语“联苯”是两个或两个以上的苯基相连所构成的多苯环有机化合物。在一些实施例中，联苯包括任选取代的18元～36元联苯。在各实施例中，18元～36元联苯即联苯可含有18～36个用于形成苯环的碳原子。可选地，联苯包括任选取代的18元～30元联苯，或任选取代的18元～24元联苯。

作为示例，联苯包括任选取代的三联苯、任选取代的四联苯、任选取代的五联苯、任选取代的六联苯中的一种或多种。三联苯的示例可包括对三联苯、邻三联苯、间三联苯。四联苯的示例可包括对四联苯、3,3’-二苯基联苯、2,3’-二苯基联苯等。五联苯的示例可包括对五联苯、M-五联苯等。六联苯的示例可包括对六联苯等。

在另一些实施例中，有机掺杂材料还可选自上述稠环芳烃化合物或联苯中的一个或多个苯环被碳环(例如环戊二烯、环庚三烯等)替代得到的衍生化合物。此处多个可以是2个或3个等。

有机掺杂材料还可以选自上述稠环芳烃化合物或联苯或衍生化合物中的一个或多个位于环上的碳被除碳以外的元素(如N、O、S、Si等)替代得到的衍生化合物。此处多个可以是2～8个、2～5个、或2～3个等。

稠环芳烃化合物、联苯、以及它们的衍生物的分子结构中具有较强的共轭效应，能增强与电子传输材料之间的相互作用，从而能提升电子传输材料的电子注入和传输能力。

除另有说明外，当化合物被称为是“取代的”时，该特征可具有一个或多个取代基。术语“取代基”具有本领域普通技术人员所知晓的最广泛的含义，并且包括这样的片段(moiety)：其占据了正常由与母化合物相连的一个或多个氢原子占据的位置。在一些实施例中，取代基可以是本领域中已知的普通有机片段，其可以具有15～50g/mol、15～100g/mol、15～200g/mol或者15～500g/mol的分子量(例如取代基的原子的原子质量的总和)。一些取代基包括F、Cl、Br、I、NO₂、C_1-12H_3-25、C_1-12H_1-25O、C_1-12H_1-25O₂、C1-12H_3-26N、C_1-12H_1-26NO、C_1-12H_3-27N₂、C_1-12F_3-25、取代或未取代的苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的C3～C10杂芳基等。

在本说明书的各处，化合物或化合物的取代基以组或范围公开。明确地预期这种描述包括这些组和范围的成员的每一个单独的子组合。例如，明确地预期范围为14～30的整数单独地公开14、15、16、17、18、19、20、21、22、23、24、25、26、27、28、29和30。据此，可明确地预期其它组或范围。

在本发明的OLED器件中，电子传输材料可选自本领域已知的材料。作为示例，电子传输材料可选自例如BpyOXD、BpyOXDPy、OXD-7等噁二唑类衍生物；例如Alq3等金属螯合物；例如噁唑、三氮唑、三氮杂苯、咪唑、噻唑、苯并噻唑、TPBi等唑类衍生物；喹啉衍生物；喔啉衍生物；例如BCP、BPhen等二氮菲衍生物等。

在一些实施例中，有机掺杂材料在电子传输层的质量占比可以为1％～10％，例如为2％～8％，1％～5％，2％～6％，3％～7％，4％～6％，或5％～10％等。

在一些实施例中，有机掺杂材料均匀掺杂在电子传输层。这样能更好地发挥有机掺杂材料的上述效果，使OLED器件兼具较高的发光效率，较长的使用寿命，以及较低的工作电压。

在本发明的OLED器件中，可采用真空共蒸镀法或旋涂法来制备包含电子传输材料和掺杂材料的电子传输层。

在本发明的OLED器件中，发光层可包括本领域公知的发光材料。进一步地，发光材料可包括主体材料和客体材料。发光材料可选自本领域公知的用于有机发光器件中的发光材料。发光材料可以是荧光发光材料、磷光发光材料等，并且可以是蓝色发光材料、绿色发光材料、红色发光材料等。本领域技术人员可根据发光原理、发光颜色的不同进行主体材料和客体材料的搭配选择。

在本发明的OLED器件中，阴极可采用本领域已知的材料。作为示例，阴极材料可选自铝、镁、银、铟、锡、钛、金属氧化物和金属卤化物等。

本发明的OLED器件还包括阳极。阳极位于发光层的背向阴极的一侧。阳极可采用本领域已知的材料。作为示例，阳极材料可包括例如铜、金、银、铁、铬、镍、锰、钯、铂及它们的合金等的金属，例如氧化铟、氧化锌、氧化铟锡ITO、氧化铟锌IZO等的金属氧化物等。

在一些实施例中，本发明的OLED器件还可选地包括其它功能膜层。其它功能膜层可包括位于阴极和电子传输层之间的电子注入层、位于电子传输层和发光层之间的空穴阻挡层、位于发光层和阳极之间的空穴传输层、位于发光层和空穴传输层之间的电子阻挡层、位于阳极和空穴传输层之间的空穴注入层中的一个或多个。各层的材料(如电子注入材料、空穴阻挡材料、电子阻挡材料、空穴传输材料、空穴注入材料)可分别选自本领域已知的相应材料。

有机发光显示器件可以是顶发射器件，还可以是底发射器件。

图1是作为一个示例的有机发光显示器件100的结构示意图。如图1所示，有机发光显示器件100包括依次层叠的基板1、阳极2、空穴注入层3、空穴传输层4、电子阻挡层5、发光层6、空穴阻挡层7、电子传输层8、电子注入层9、阴极10、以及封盖层11。图中箭头表示出光方向。该有机发光显示器件100为顶发射器件。基板1、空穴注入层3、空穴传输层4、电子阻挡层5、空穴阻挡层7以及电子注入层9不是必须的膜层，本领域技术人员可以根据实际需求进行选择。

本发明还提供一种显示面板，其中包括根据本发明的有机发光显示器件。图2是作为一个示例的显示面板200的结构示意图。如图2所示，显示面板200包括基底210和阵列排布于基板210上的有机发光单元220。有机发光单元220用于发光，以显示图像信息。每个有机发光单元220可包括根据本申请的有机发光显示器件100，还包括用于驱动有机发光显示器件100发光的像素电路器件221，以及本领域已知的其它可选模块。

基底210可采用本领域已知的材料形成。作为示例，基底210为玻璃基板或聚酰亚胺(PI)柔性基板。

有机发光显示器件100通过平坦化层与像素电路器件221相隔开，并且有机发光显示器件100的阳极2或阴极10与像素电路器件221的连接电极电连接。作为示例，像素电路器件221位于基底210上，并且可包括一个以上的薄膜晶体管TFT和一个以上的存储电容Cst。上述TFT可以为顶栅极型TFT或底栅极型TFT。平坦化层位于像素电路器件221背离基底210的一侧。有机发光显示器件100的阳极2或阴极10穿过平坦化层与像素电路器件221的连接电极(例如漏极D)电连接。

有机发光显示器件100中，发光层6通常位于像素限定层的像素开口内。阳极2和阴极10中远离基底210的一者、以及除发光层6以外的其它有机膜层(例如电子注入层9、电子传输层8、空穴阻挡层7、电子阻挡层5、空穴传输层4、空穴注入层3)可以为共通层。共通层通常是连续成膜，以便被多个有机发光单元220共用。

在有机发光器件100的背向基底210的一侧通常还设置封装层230。封装层230可包括聚烯烃、聚氯乙烯、聚苯乙烯、聚酰亚胺(PI)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、环氧树脂、酚醛树脂、硅氧化物、硅氮化物和硅基氮氧化物等中的一种以上。

在本申请中，有机发光器件中的可选技术特征也适用于显示面板中，并使显示面板获得相应的有益效果，在此不再赘述。

本发明还提供一种显示装置，其包括根据本发明的显示面板。本发明的显示装置由于采用根据本发明的显示面板，因而能具有较高的发光效率。

显示装置的实施例可以是诸如手机、平板电脑、智能学习机等。

在本申请中，显示面板中的可选技术特征也适用于显示装置中，并使显示装置获得相应的有益效果，在此不再赘述。

实施例

下述实施例更具体地描述了本申请公开的内容，这些实施例仅仅用于阐述性说明，因为在本申请公开内容的范围内进行各种修改和变化对本领域技术人员来说是明显的。除非另有声明，以下实施例中使用的所有试剂都可商购获得或是按照常规方法进行合成获得，以及实施例中使用的仪器均可商购获得。

实施例1

本实施例提供一种OLED器件，其结构如图1所示，包括依次层叠的基板1、阳极2、空穴注入层3、空穴传输层4、电子阻挡层5、发光层6、空穴阻挡层7、电子传输层8、电子注入层9、阴极10和封盖层11，图1中的箭头代表器件的出光方向。

上述OLED器件的具体制备步骤如下：

将带有氧化铟锡(ITO)阳极2(厚度为15nm)的玻璃基板1依次用异丙醇和去离子水超声清洗，经干燥后，放到真空腔内。

在ITO阳极2上真空蒸镀空穴注入材料a形成空穴注入层3，厚度为10nm。

在空穴注入层3上真空蒸镀空穴传输材料b形成空穴传输层4，厚度为100nm。

在空穴传输层4上真空蒸镀电子阻挡材料c形成电子阻挡层5，厚度为50nm。

在电子阻挡层5上真空共同蒸镀发光主体材料d和发光客体材料e，掺杂剂量为10％(质量比)，形成发光层6，厚度为20nm。

在发光层6上真空蒸镀空穴阻挡材料f形成空穴阻挡层7，厚度为5nm。

在空穴阻挡层7上真空共同蒸镀电子传输材料g和掺杂材料h，掺杂剂量为10％(质量比)，形成电子传输层8，厚度为15nm。

在电子传输层8上真空蒸镀电子注入材料i形成电子注入层9，厚度为5nm。

在电子注入层9上真空蒸镀镁银阴极10，厚度为15nm。

在铝阴极10上真空蒸镀封盖层材料j形成封盖层11，厚度为80nm。

实施例2～5和对比例1～3中OLED器件的制备方法与应用例1类似，不同之处在于，改变电子传输层8的掺杂材料h和掺杂剂量，详见表1。

上述各OLED器件制备过程中使用的化合物如下：

空穴注入材料a：2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮杂苯并菲(HAT-CN)

空穴传输材料b：4,4'-环己基二[N,N-二(4-甲基苯基)苯胺(TAPC)

电子阻挡材料c：4,4',4"-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)

发光主体材料d：4,4-二(9-咔唑)联苯(CBP)

发光客体材料e：三(2-苯基吡啶)合铱Ir(ppy)₃

空穴阻挡材料f：BCP

电子传输材料g：TPBi

掺杂材料h1：对四联苯

掺杂材料h2：对五联苯

掺杂材料h3：对六联苯

掺杂材料h4：1,2-苯并芘

掺杂材料h5：1,2:5,6-二苯并蒽

掺杂材料h6：LiF

掺杂材料h7：1,5-二氮杂双环[4.3.0]-5-壬烯(DBN)

电子注入材料i：Yb

封盖层材料j：N,N’-二苯基-N,N’-(1-萘基)-1,1’-联苯-4,4’-二胺(NPB)

测试部分

1、有机掺杂材料掺杂前后的电子传输材料的红外光谱采用FTIR-1500型傅里叶变换红外光谱仪测试。采用旋涂法将未进行有机掺杂材料掺杂的电子传输材料制成膜片，以及采用旋涂法将电子传输材料和有机掺杂材料制成膜片；分别测试膜片样品的红外光谱进行分析。选择指纹区(波数范围1300cm^-1～650cm^-1)峰高最高的伸缩振动峰，来表征有机掺杂材料对电子传输材料的分子间相互作用。测试结果示于表1。

2、OLED器件的性能评价：使用keithley 2400/PR705测试IVL数据。根据电流除以发光面积计算得到器件的电流密度，绘制电压-电流密度曲线。OLED器件的工作电压是亮度10000nits时对应的电压(绿光)。使用电流效率来评价器件发光效率。器件寿命测试使用keithley3706供电，滨松硅光电二极管检测器件亮度衰减至初始亮度的同一百分比时的寿命。测试结果如图1和表1所示。

表1

图1示出实施例1-3和对比例1的OLED器件在不同电压下的电流密度。由图1可以看出，通过在电子传输层中引入有机掺杂材料，且使得掺杂后的电子传输材料的红外光谱在指纹区的伸缩振动峰相对于掺杂前的电子传输材料产生向低波数方向大于或等于5cm^-1的位移，增强了电子传输材料的电子注入和传输能力，从而提高了OLED器件的电流密度。并且由表1的数据可知，实施例1-3比未掺杂的对比例1的OLED器件的发光效率得到明显提升，且器件工作电压明显降低，器件寿命大幅度提高。

由实施例1-5和对比例2-3的比较可以看出，采用本发明的掺杂方案使得OLED器件不仅获得较高的发光效率，还提升了器件寿命，并且降低了器件的工作电压。对比例2和对比例3分别掺杂碱金属化合物和有机碱，尽管OLED器件的发光效率也比较高，但是器件工作电压较高，尤其是器件寿命较低。

依照本发明如上文所述的实施例，这些实施例并没有详尽叙述所有的细节，也不限制该发明仅为所述的具体实施例。显然，根据以上描述，可作很多的修改和变化。本说明书选取并具体描述这些实施例，是为了更好地解释本发明的原理和实际应用，从而使所属技术领域技术人员能很好地利用本发明以及在本发明基础上的修改使用。本发明仅受权利要求书及其全部范围和等效物的限制。

Claims (12)

1.一种有机发光显示器件，其特征在于，包括位于发光层和阴极之间的电子传输层，所述电子传输层包含电子传输材料和有机掺杂材料，所述有机掺杂材料使得所述电子传输材料的红外光谱在指纹区的至少一个伸缩振动峰向低波数方向位移，且所述位移大于或等于5cm^-1。

2.根据权利要求1所述的有机发光显示器件，其特征在于，所述指纹区在1300cm^-1～650cm^-1的波数范围；和/或，

所述伸缩振动峰为指纹区的积分面积最大的峰或峰高最高的峰。

3.根据权利要求1或2所述的有机发光显示器件，其特征在于，所述位移为5cm^-1～200cm^-1。

4.根据权利要求3所述的有机发光显示器件，其特征在于，所述位移为10cm^-1～200cm^-1。

5.根据权利要求3所述的有机发光显示器件，其特征在于，所述位移为10cm^-1～100cm^-1。

6.根据权利要求1所述的有机发光显示器件，其特征在于，所述有机掺杂材料选自任选取代的稠环芳烃化合物及其衍生物、任选取代的联苯及其衍生物中的一种或多种。

7.根据权利要求1所述的有机发光显示器件，其特征在于，所述有机掺杂材料选自任选取代的14元～40元稠环芳烃化合物及其衍生物、任选取代的18元～36元联苯及其衍生物中的一种或多种。

8.根据权利要求1所述的有机发光显示器件，其特征在于，所述有机掺杂材料选自任选取代的蒽、任选取代的菲、任选取代的芘、任选取代的苉、任选取代的苯并蒽、任选取代的苯并菲、任选取代的苯并芘、任选取代的二苯并蒽、任选取代的二苯并菲、任选取代的二苯并芘、任选取代的蒄、任选取代的三联苯、任选取代的四联苯、任选取代的五联苯、任选取代的六联苯中的一种或多种。

9.根据权利要求1所述的有机发光显示器件，其特征在于，所述有机掺杂材料均匀掺杂在所述电子传输层。

10.根据权利要求1所述的有机发光显示器件，其特征在于，所述有机掺杂材料在所述电子传输层的质量占比为1％～10％。

11.一种显示面板，包括根据权利要求1至10任一项所述的有机发光显示器件。

12.一种显示装置，包括根据权利要求11所述的显示面板。

Images