CN112870562B - 一种植入式压电mems超声换能器及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种植入式压电MEMS超声换能器及其制备方法，包括：设有压电MEMS超声换能器单元阵列的压电MEMS超声换能器基片，通过后端电路控制压电MEMS超声换能器单元阵列进行三维超声聚焦，实现对颅内的指定位置或多个位置进行聚焦超声刺激和超声成像；用于将压电MEMS超声换能器基片植入颅内的植入衬底；植入衬底的上面与压电MEMS超声换能器基片的底面键合在一起；植入衬底上表面设有多个用于采集脑电信号的采集电极，采集电极分布于压电MEMS超声换能器基片两侧；根据采集电极采集的脑电信号和反射的超声波，判断是否达到刺激效果。本发明实现植入式三维空间的超声聚焦刺激，刺激效果好；同时实现三维空间的超声成像，从而可分析刺激效果。

Description

一种植入式压电MEMS超声换能器及其制备方法
技术领域
本发明涉及医疗器械的植入刺激器件领域，具体地，涉及一种用于颅内刺激的植入式压电MEMS超声换能器及其制备方法。
背景技术
超声波可以精妙地影响大脑，由于它在不杀死神经元的情况下，可以增强或抑制神经元活性，所以在治疗其它运动障碍、抑郁症、焦虑和一系列难治性神经精神障碍上极具潜力，并且超声治疗简单便捷且无痛无创。
超声刺激的精准度和穿透力都很好，但超声波在大脑中的作用往往比电磁刺激要弱得多。现有的超声刺激设备基本是从体外进行刺激，这进一步减弱了超声刺激效果，并且这种设备还具有制备不易，成本高昂，操作复杂的缺点。
超声换能器是一种能将输入电能转换成超声波形式的机械能发射出去，或将接收到的超声波形式的机械能转换为电能输出的一种器件。基于MEMS(Micro-Electro-Mechanical System)工艺和压电材料的超声换能器被称为压电微机械超声换能器，其具有低功耗、尺寸小、成本低和可大规模生产等优点，因此压电MEMS换能器在医学器械领域有广泛的应用。
经对现有技术文献的检索发现，Wonhye Lee等在《Scientific Reports》(2016)撰文“Transcranial focused ultrasound stimulation of human primary visualcortex”(“经颅聚焦超声刺激人类初级视觉皮层”《科学报告》)，该文通过颅外超声换能器表明了超声刺激对人视觉皮层的影响。这种超声换能器无需植入即可进行超声刺激。但是，颅外超声换能器的刺激效果有限，且尺寸过大，无法集成采集电极同时对脑电信号进行处理。
经检索发现，申请号为CN201780054777.8的中国专利，该专利描述了配置成发射电脉冲的可植入装置。其中可植入装置包括：超声换能器，被配置为接收为可植入装置供电并对触发信号进行编码的超声波；第一电极和第二电极，被配置为与组织电连通并且响应于所述触发信号而向所述组织发射电脉冲；以及集成电路，包括能量储存电路。还描述了包括一个或多个可植入装置和被配置为操作一个或多个可植入装置的询问器的***。进一步描述了闭环***，其包括被配置成检测信号的第一装置，被配置成响应于检测到的信号而发射触发信号的询问器，以及被配置成响应于接收到触发信号而发射电脉冲的可植入装置。进一步描述了可用于操作一个或多个可植入装置的计算机***，以及电刺激组织的方法。但是上述专利存在以下问题：无法稳定长期植入脑内，在脑内无法精确定位特定脑区，导致对大脑的损伤，无法通过成像辅助超声刺激。
发明内容
针对现有技术中的缺陷，本发明的目的是提供一种植入式压电MEMS超声换能器及其制备方法。
本发明第一个方面提供一种用于颅内刺激的植入式压电MEMS超声换能器，包括：
压电MEMS超声换能器基片；所述压电MEMS超声换能器基片上设有压电MEMS超声换能器单元阵列，通过后端电路控制所述压电MEMS超声换能器单元阵列进行三维超声聚焦，实现对颅内的指定位置进行聚焦超声刺激和超声成像；
用于将所述压电MEMS超声换能器基片植入颅内的植入衬底；所述植入衬底的上面与所述压电MEMS超声换能器基片的底面键合在一起；所述植入衬底上表面设有至少两个具有电势差用于采集脑电信号的采集电极，两个所述采集电极分布于所述压电MEMS超声换能器基片的两侧；可根据所述采集电极采集的脑电信号和反射的超声波，判断是否达到刺激效果。
优选地，用于颅内刺激的植入式压电MEMS超声换能器包括：多个所述压电MEMS超声换能器基片，且多个所述压电MEMS超声换能器基片沿纵向均匀地分布于所述植入衬底的上面，且每个所述压电MEMS超声换能器基片两侧分别设有形成电势差的采集电极，实现对颅内的多个位置进行聚焦超声刺激和超声成像。
优选地，所述压电MEMS超声换能器单元阵列包括：第一电极、第二电极、压电层、二氧化硅层、硅衬底以及封装层；其中，所述硅衬底位于最底层；所述二氧化硅层设置于所述硅衬底上表面；所述第二电极设置于所述二氧化硅层的上表面；所述压电层设置于所述第二电极的上表面；所述第一电极设置于所述压电层的上表面；所述第一电极、所述压电层呈阵列分布在所述第二电极的上方，构成器件，所述封装层设置于所述器件的外表面，并使所述第一电极暴露于外部。
优选地，所述压电MEMS超声换能器阵列每行的所述第一电极互相连接，以及每列所述第二电极互相连接，实现了行列寻址。
优选地，所述压电层的材料采用锆钛酸铅压电陶瓷、氧化锌或铌镁酸铅压电陶瓷。
优选地，所述压电MEMS超声换能器单元阵列的形状采用矩形阵列、多边形阵列或环形阵列的一种或多种。
优选地，所述植入衬底的材料为硅。
本发明第二个方面提供一种所述的用于颅内刺激的植入式压电MEMS超声换能器的制备方法，包括：
在植入衬底上制备采集电极，即在所述植入衬底上形成电极组，所述电极组包括两个相隔距离分布的采集电极，且两个采集电极具有一高度差，形成电势差；
制备压电MEMS超声换能器基片，即在所述压电MEMS超声换能器基片上形成压电MEMS超声换能器单元阵列；
将制备的压电MEMS超声换能器基片底面与制备植入衬底上面键合在一起，并使所述压电MEMS超声换能器基片位于两个所述采集电极之间，得到器件。
优选地，在将制备的压电MEMS超声换能器基片底面与制备植入衬底上面键合在一起之后，还包括采用聚对二甲苯、聚三亚甲基碳酸酯或热塑性聚氨酯对所述器件进行封装。
优选地，制备所述压电MEMS超声换能器基片包括：
硅衬底位于最底层；
在所述硅衬底上表面制备二氧化硅层；
在所述二氧化硅层的上表面制备第二电极；
在所述第二电极的上表面制备压电层；
在所述压电层的上表面制备第一电极；
对所述第一电极图形化；
对所述第二电极图形化；
对所述硅衬底的背部进行刻蚀，并刻蚀至所述二氧化硅层，在所述硅衬底上形成背部腔，得到所述压电MEMS超声换能器基片；
对所述压电MEMS超声换能器基片进行封装。
与现有技术相比，本发明具有如下至少一种的有益效果：
本发明上述换能器，可植入颅内刺激，与颅外刺激相比，刺激效果好；实现了植入式三维空间的超声聚焦刺激；同时实现三维空间的超声成像，可辅助确定要刺激的脑区；从而通过采集电极采集脑电信号，分析刺激效果。
附图说明
通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述，本发明的其它特征、目的和优点将会变得更明显：
图1为本发明一优选实施例的植入式压电MEMS超声换能器的结构示意图；
图2为本发明一优选实施例的制备压电MEMS超声换能器基片的流程图；
图3为本发明一实施例的在植入衬底上制备采集电极的流程示意图；
图中标记表示为：压电MEMS超声换能器基片1、压电MEMS超声换能器单元阵列2、采集电极3、植入衬底4、第一电极5、压电层6、第二电极7、二氧化硅层8、硅衬底9。
具体实施方式
下面结合具体实施例对本发明进行详细说明。以下实施例将有助于本领域的技术人员进一步理解本发明，但不以任何形式限制本发明。应当指出的是，对本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进。这些都属于本发明的保护范围。
参照图1所示，为本发明一优选实施例的用于颅内刺激的植入式压电MEMS超声换能器，图中包括：多个压电MEMS超声换能器基片和植入衬底；其中，
压电MEMS超声换能器基片的上面设有压电MEMS超声换能器单元阵列，通过后端电路控制压电MEMS超声换能器单元阵列进行三维超声聚焦；实现对颅内的指定位置或多个位置进行聚焦超声刺激和超声成像；后端电路用于接收并处理信号；通过引线与压电MEMS超声换能器基片的电极连接。
植入衬底将压电MEMS超声换能器基片植入颅内；植入衬底的上面与压电MEMS超声换能器基片的底面键合在一起；植入衬底上表面设有多个用于采集脑电信号的采集电极，采集电极分布于压电MEMS超声换能器基片的两侧。
多个压电MEMS超声换能器基片沿纵向均匀地分布于植入衬底的上面，且每个压电MEMS超声换能器基片两侧分别设有一个采集电极，且两侧的采集电极具有一高度差，形成电势差，从而触发压电效应。将压电MEMS超声换能器植入到颅内实现颅内的超声刺激，可根据采集电极采集的脑电信号和反射的超声波综合分析，即将采集的脑电信号和反射的超声波进行比较，判断是否达到刺激效果。
上述植入式压电MEMS超声换能器通过MEMS工艺在集成了压电薄膜的硅片上制备压电MEMS超声换能器阵列。植入式压电MEMS超换能器利用压电效应接收和发射超声波，再通过后端电路处理接收超声波转换成的电信号实现三维空间的超声刺激和三维超声成像，并且可以分析刺激效果。
在其他部分优选实施例中，压电MEMS超声换能器单元阵列包括：第一电极、第二电极、压电层、二氧化硅层、硅衬底以及封装层；其中，硅衬底位于最底层；二氧化硅层设置于硅衬底上表面；第二电极设置于二氧化硅层的上表面；压电层设置于第二电极的上表面；第一电极设置于压电层的上表面；第一电极、压电层呈阵列分布在第二电极的上方，构成器件，封装层设置于器件的外表面，并使第一电极暴露于外部。压电MEMS超声换能器阵列每行的第一电极互相连接，以及每列第二电极互相连接，构成二维行列寻址阵列，从而实现三维聚焦，以完成刺激成像功能。
在其他部分优选实施例中，压电层的材料采用锆钛酸铅压电陶瓷、氧化锌或铌镁酸铅压电陶瓷。压电层的材料最优选地采用铌镁酸铅压电陶瓷，铌镁酸铅压电陶瓷具有较高的压电系数和机电耦合系数。
在其他部分优选实施例中，压电MEMS超声换能器单元阵列的形状采用矩形阵列、多边形阵列或环形阵列的一种或多种。
在其他部分优选实施例中，植入衬底的材料为硅。硅有足够的刚度植入脑内，并且通过MEMS工艺可以批量制备。
上述用于颅内刺激的植入式压电MEMS超声换能器可以采用以下方法制备，包括以下步骤：
在植入衬底上制备采集电极，即在植入衬底上形成电极组，电极组包括两个相隔距离分布的采集电极，且两个采集电极具有一高度差，形成电势差，参照图3所示。
制备压电MEMS超声换能器基片；
将制备的压电MEMS超声换能器基片底面与制备植入衬底上面键合在一起，并使每个压电MEMS超声换能器基片分布在两个采集电极之间。可以通过阳极键合或共晶键合等方法，将压电MEMS超声换能器基片和植入衬底键合在一起，得到器件。
作为一优选方式，在将压电MEMS超声换能器基片底面与植入衬底上面键合在一起之后，还包括采用聚对二甲苯(Parylene)、聚三亚甲基碳酸酯(PTMC)或热塑性聚氨酯(TPU)对器件进行封装。
在其他部分优选实施例中，制备压电MEMS超声换能器基片可以采用以下步骤：
硅衬底位于最底层；
在硅衬底上表面制备二氧化硅层；
在二氧化硅层的上表面制备第二电极；
在第二电极的上表面制备压电层；
在压电层的上表面制备第一电极；
参照图2中(a)所示，对第一电极图形化；具体为：通过光刻形成第一电极的图形，然后通过离子束刻蚀完成第一电极图形化后，去除光刻胶。
参照图2中(b)所示，对第二电极图形化；具体为：通过光刻形成第二电极的图形，然后通过湿法刻蚀的方法刻蚀压电层露出第二电极完成图形化后，去除光刻胶。
参照图2中(c)所示，对硅衬底的背部通过光刻形成背部腔的图形，然后通过深硅刻蚀至二氧化硅层，完成背部腔的图形化后，去除光刻胶，在硅衬底上形成背部腔，得到压电MEMS超声换能器单元阵列。背部腔形状与第一电极的形状相匹配，为了给器件提供振动的空间从而发射超声波。
对压电MEMS超声换能器单元阵列进行封装。
以上对本发明的具体实施例进行了描述。需要理解的是，本发明并不局限于上述特定实施方式，本领域技术人员可以在权利要求的范围内做出各种变形或修改，这并不影响本发明的实质。

Claims (8)

1.一种用于颅内刺激的植入式压电MEMS超声换能器，其特征在于，包括：
压电MEMS超声换能器基片；所述压电MEMS超声换能器基片上设有压电MEMS超声换能器单元阵列，通过后端电路控制所述压电MEMS超声换能器单元阵列进行三维超声聚焦，实现对颅内的指定位置进行聚焦超声刺激和超声成像；
用于将所述压电MEMS超声换能器基片植入颅内的植入衬底；所述植入衬底的上面与所述压电MEMS超声换能器基片的底面键合在一起；所述植入衬底上表面设有至少两个具有电势差用于采集脑电信号的采集电极，两个所述采集电极分布于所述压电MEMS超声换能器基片的两侧；根据所述采集电极采集的脑电信号和反射的超声波，判断是否达到刺激效果；
所述压电MEMS超声换能器单元阵列包括：第一电极、第二电极、压电层、二氧化硅层、硅衬底以及封装层；其中，所述硅衬底位于最底层；所述二氧化硅层设置于所述硅衬底上表面；所述第二电极设置于所述二氧化硅层的上表面；所述压电层设置于所述第二电极的上表面；所述第一电极设置于所述压电层的上表面；所述第一电极、所述压电层呈阵列分布在所述第二电极的上方，构成器件，所述封装层设置于所述器件的外表面，并使所述第一电极暴露于外部；
所述压电MEMS超声换能器阵列每行的所述第一电极互相连接，以及每列所述第二电极互相连接，实现了行列寻址。
2.根据权利要求1所述的用于颅内刺激的植入式压电MEMS超声换能器，其特征在于，包括多个所述压电MEMS超声换能器基片，且多个所述压电MEMS超声换能器基片沿纵向均匀地分布于所述植入衬底的上面，且每个所述压电MEMS超声换能器基片两侧分别设有形成电势差的采集电极，实现对颅内的多个位置进行聚焦超声刺激和超声成像。
3.根据权利要求1所述的用于颅内刺激的植入式压电MEMS超声换能器，其特征在于，所述压电层的材料采用锆钛酸铅压电陶瓷、氧化锌或铌镁酸铅压电陶瓷。
4.根据权利要求1-3任一项所述的用于颅内刺激的植入式压电MEMS超声换能器，其特征在于，所述压电MEMS超声换能器单元阵列的形状采用矩形阵列、多边形阵列或环形阵列的一种或多种。
5.根据权利要求1所述的用于颅内刺激的植入式压电MEMS超声换能器，其特征在于，所述植入衬底的材料为硅。
6.一种如权利要求1-5任一项所述的用于颅内刺激的植入式压电MEMS超声换能器的制备方法，其特征在于，包括：
在植入衬底上制备采集电极，即在所述植入衬底上形成电极组，所述电极组包括两个相隔距离分布的采集电极，且两个采集电极具有一高度差，形成电势差；
制备压电MEMS超声换能器基片，即在所述压电MEMS超声换能器基片上形成压电MEMS超声换能器单元阵列；
将制备的压电MEMS超声换能器基片底面与制备植入衬底上面键合在一起，并使所述压电MEMS超声换能器基片位于两个所述采集电极之间，得到器件。
7.根据权利要求6所述的用于颅内刺激的植入式压电MEMS超声换能器的制备方法，其特征在于，在将制备的压电MEMS超声换能器基片底面与制备植入衬底上面键合在一起之后，还包括采用聚对二甲苯、聚三亚甲基碳酸酯或热塑性聚氨酯对所述器件进行封装。
8.根据权利要求6所述的用于颅内刺激的植入式压电MEMS超声换能器的制备方法，其特征在于，制备所述压电MEMS超声换能器基片包括：
硅衬底位于最底层；
在所述硅衬底上表面制备二氧化硅层；
在所述二氧化硅层的上表面制备第二电极；
在所述第二电极的上表面制备压电层；
在所述压电层的上表面制备第一电极；
对所述第一电极图形化；
对所述第二电极图形化；
对所述硅衬底的背部进行刻蚀，并刻蚀至所述二氧化硅层，在所述硅衬底上形成背部腔，得到所述压电MEMS超声换能器基片；
对所述压电MEMS超声换能器基片进行封装。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114053582A (zh) * 2021-11-09 2022-02-18 上海脑虎科技有限公司 一种基于柔性电极探针的视觉增强方法、装置及***
CN117225676A (zh) * 2023-11-14 2023-12-15 南京声息芯影科技有限公司 一种超声换能器阵列与cmos电路的集成结构及制造方法

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101583062A (zh) * 2009-06-26 2009-11-18 电子科技大学 阵列式微型声频定向换能器
CN101844130A (zh) * 2010-05-14 2010-09-29 中国科学技术大学 阵列式硅微超声换能器及其制造方法
CN104623808B (zh) * 2013-11-14 2019-02-01 先健科技(深圳)有限公司 脑深部刺激***
CN104826243B (zh) * 2015-05-15 2018-02-27 深圳先进技术研究院 一种超声刺激神经组织的装置
CN104984890B (zh) * 2015-06-06 2017-12-08 中国科学院合肥物质科学研究院 一种柔性聚焦mems超声波发生器及其制备方法
CN205041400U (zh) * 2015-07-16 2016-02-24 燕山大学 一种新型便携式经颅超声刺激及脑电信号采集装置
AU2016342197B2 (en) * 2015-10-21 2020-10-22 NeuSpera Medical Inc. Devices, systems, and methods for stimulation therapy
CN105561469B (zh) * 2015-12-12 2018-11-09 西安交通大学 一种植入式多功能双面微型脑电极阵列芯片
CN106037723B (zh) * 2016-05-17 2020-11-10 西安交通大学 用于经颅超声神经刺激的脑部电生理信号记录装置及方法
BR112018077435A8 (pt) * 2016-07-07 2023-03-14 Univ California Implantes utilizando retroespalhamento ultrassônico para detecção de condições fisiológicas
CN107413612A (zh) * 2017-06-20 2017-12-01 南京邮电大学 多频率的压电超声发生器及其制备方法
CN109645999B (zh) * 2018-11-29 2022-04-26 天津大学 一种基于声电效应的4d经颅聚焦超声神经成像方法
TW202100097A (zh) * 2019-05-29 2021-01-01 美商閾限科學公司 監測腦健康的系統及方法
CN110732476A (zh) * 2019-09-29 2020-01-31 杭州电子科技大学 基于正方形网格布局的多频带mems超声换能器阵列

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