CN112845297B - 一种晶圆复合清洗设备 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种晶圆复合清洗设备,包括设备外壳、设置在设备外壳内的复合腔体结构、以及设置在复合腔体结构内的晶圆支撑结构;所述设备外壳上安装有抽气装置和至少一个喷淋管;所述晶圆支撑结构用于使晶圆悬浮在其上方并向晶圆背面喷射清洗液;复合腔体结构内部设置有多层腔室大小可调的引流腔,复合腔体结构用以使不同工作模式下晶圆表面和背面的清洗液从其相应引流腔流至设备外部。本发明的洁净能力大大提升,提高了清洗效率和清洗效果,有效地保证了晶圆品质。
Description
技术领域
本发明涉及半导体工艺设备技术领域,尤其涉及一种晶圆复合清洗设备。
背景技术
化学清洗是利用各种化学试剂或有机溶剂来清除附着在物体表面的杂质的方法。在半导体制造领域,化学清洗是指清除吸附在半导体、金属材料以及用具等物体表面上的各种有害杂质或者油污的工艺过程。
晶圆清洗是以整个批次或者单一晶圆,通过化学清洗的方法,藉由化学品的浸泡或者喷洒去除脏污的工艺,其主要目的是清除晶圆表面的污染物,例如微尘颗粒(particle)、有机物(organic)、无机物以及金属离子(metal ion)等杂质。
目前,通常是通过湿法清洗设备上的喷淋头喷洒化学清洗液来去除晶圆表面的污染物,但目前所有的湿法清洗设备内只设置有一个清洗腔,因此一个湿法清洗设备的清洗腔内通常只使用同一种清洗液,不同类型的化学清洗液无法在同一个湿法清洗设备的清洗腔内进行分段清洗,单片式清洗设备的清洗效率很低。
而且,湿法清洗设备上只设置有从上往下喷射清洗液的传统喷淋管,该种传统设计只能对晶圆的上表面进行清洗,且清洗时,在离心力的作用下,清洗下来的颗粒污染物容易堆积在晶圆***,在受到晶圆底部流场的影响,堆积在晶圆***的颗粒污染物会粘附在晶圆的背面,这种传统湿法清洗设备的洁净能力很差,无法有效保证晶圆品质。
发明内容
有鉴于此,本发明提供了一种晶圆复合清洗设备,用以解决上述背景技术中存在的问题。
一种晶圆复合清洗设备,包括设备外壳、设置在设备外壳内的复合腔体结构、以及设置在复合腔体结构内的晶圆支撑结构;
所述设备外壳上安装有与复合腔体结构相连通的用以抽出复合腔体结构内废气的抽气装置、一种固定不动的喷淋管和多种可来回摆动的用于向晶圆表面喷射清洗液的喷淋管,其中一种喷淋管为纳米级喷淋管,所述纳米级喷淋管上设置有与液体清洗管道相连的液体清洗喷头、与雾化清洗管道相连的雾化清洗喷头、与氮气供气管道相连的氮气喷头和超声波震荡片,所述雾化清洗喷头连接超声波震荡片,超声波震荡片连接外部电源,所述氮气喷嘴朝向所述雾化清洗喷头;
所述晶圆支撑结构用于使晶圆悬浮在其上方并向晶圆背面喷射清洗液;
所述复合腔体结构内部设置有多层腔室大小可调的引流腔,复合腔体结构用以使不同工作模式下晶圆表面和背面的清洗液从其相应引流腔流至设备外部。
优选地,所述复合腔体结构包括:
腔体外壳;
与腔体外壳的内侧壁相贴合且其上端部通过卡环与腔体外壳相固定的支撑环圈;
设置在支撑环圈上的第二隔离组件;
以及与第二隔离组件交叉从而在两者之间形成多层引流腔的第一隔离组件,所述第一隔离组件上安装有可使其上、下移动从而改变各层引流腔的腔室空间大小的顶升元件。
优选地,所述第一隔离组件包括第一层隔离环圈和第三层隔离环圈,所述第二隔离组件包括第二层隔离环圈和第四层隔离环圈,
所述第一层隔离环圈与第三层隔离环圈相扣合;
所述第二层隔离环圈设置在第一层隔离环圈和第三层隔离环圈之间且其底部支撑在所述支撑环圈上,第一层隔离环圈与第二层隔离环圈之间形成第一层引流腔,第二层隔离环圈与第三层隔离环圈之间形成第二层引流腔;
所述第三层隔离环圈设置在第四层隔离环圈与支撑环圈之间,第三隔离环圈与第四隔离环圈之间形成第三层引流腔;
所述第四层隔离环圈扣合固定在支撑环圈的内边沿上,所述第四层隔离环圈内部设置有第一引流槽道。
优选地,所述第一层隔离环圈、第二层隔离环圈、第三层隔离环圈和第四层隔离环圈的下表面均设置有防溅板。
优选地,所述第二层隔离环圈、第三层隔离环圈和第四层隔离环圈的内部均开设有导管槽,第二层隔离环圈上的导管槽与第一层引流腔相连通,第三层隔离环圈上的导管槽与第二层引流腔相连通,第四层隔离环圈上的导管槽与第三层引流腔相连通。
优选地,所述第二层隔离环圈、第三层隔离环圈和第四层隔离环圈的上表面还设置有覆盖导管槽的喷淋板,喷淋板上开设有若干个阵列排布的喷水孔。
优选地,所述晶圆支撑结构包括清洗机构和用以带动清洗机构上下移动和在圆周方向旋转的顶升旋转机构,
所述清洗机构包括套设在顶升旋转机构上的晶圆定位组件以及扣合固定在晶圆定位组件上的管件外壳,所述管件外壳内设置有晶圆吸附管和清洗液输送管,
所述晶圆吸附管竖直穿过顶升旋转机构,用以喷射使晶圆的上表面与下表面之间形成压力差从而使晶圆悬浮在清洗机构上方的气流;
所述清洗液输送管竖直穿过顶升旋转机构并与管件外壳上设置的倾斜喷嘴相连通,清洗液输送管用以输送清洗晶圆下表面污染物的清洗液。
优选地,所述晶圆定位组件包括第一晶圆***、第二晶圆***和第三晶圆***,所述第一晶圆***和第二晶圆***均套设在顶升旋转机构上,第三晶圆***分别与第一晶圆***和第二晶圆***扣合固定,所述第三晶圆***的顶部安装有多个支撑座。
优选地,所述顶升旋转机构包括电机和升降机构,所述电机固定在升降机构上,所述第一晶圆***套设在电机的转轴上,电机的转轴端部套设有转动轴承,第二晶圆***套设在转动轴承外侧。
优选地,所述管件外壳包括管件下外壳、与管件下外壳相扣合的管件上外壳、以及竖直穿设在管件上外壳内的固定件,晶圆吸附管和清洗液输送管固定在固定件内并竖直穿过顶升旋转机构。
本发明的有益效果是:
1、本发明通过将晶圆复合清洗设备的清洗腔设置成腔室大小可调的多层引流腔,可以有效地解决了不同类型的化学清洗液无法在同一个晶圆复合清洗设备的清洗腔内分段清洗的问题,有效地提高了晶圆复合清洗设备的清洗效率。
2、本发明通过在晶圆复合清洗设备的腔体内安装特制的晶圆支撑结构,该结构利用伯努利原理使晶圆悬浮在其上方,可对清洗晶圆下表面的污染物进行彻底清洗,尤其是可将晶圆下表面的清洗盲区清洗干净。
3、本发明通过在晶圆复合清洗设备的腔体内安装特制的晶圆支撑结构,可有效解决晶圆表面清洗下来的颗粒污染物会在晶圆***堆积从而粘附在晶圆背面的问题,从而使晶圆复合清洗设备能够同时清洗晶圆的表面和背面,不会造成颗粒污染物在晶圆***堆积,大大提高了晶圆复合清洗设备的洁净能力,提高了清洗效率和清洗效果,有效地保证了晶圆品质。
4、通过在晶圆支撑结构的管件外壳内设置晶圆吸附管和清洗液输送管,晶圆吸附管喷射出的可使晶圆悬浮的气流可夹带走晶圆下表面的部分污染物,清洗液输送管输送到倾斜喷嘴的清洗液可对晶圆下表面进行彻底清洗,不仅提高了清洗效果,提高了清洗效率,也可减少清洗液的消耗,可降低企业的生产成本。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案,下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其它的附图。
图1是复合腔体结构的立体示意图。
图2是复合腔体结构的剖视图。
图3是图2中A部分的放大图。
图4是第一层隔离环圈的立体图。
图5是第一层隔离环圈的剖视图。
图6是第二层隔离环圈的立体图。
图7是第二层隔离环圈的剖视图。
图8是第三层隔离环圈的立体图。
图9是第三层隔离环圈的剖视图。
图10是第四层隔离环圈的立体图。
图11是第四层隔离环圈的剖视图。
图12是利用碱性清洗液清洗晶圆的示意图。
图13是利用酸性清洗液清洗晶圆的示意图。
图14是本发明的晶圆复合清洗设备的其中一个视角的剖视图。
图15是晶圆支撑结构的结构示意图。
图16是清洗液输送管喷射清洗液的示意图。
图17是晶圆吸附管喷出的气流夹带脏污的示意图。
图18是清洗机构的剖视图。
图19是第三晶圆***的剖视图。
图20是管件上外壳的结构示意图。
图21是固定件的结构示意图。
图22是防溅罩与喷淋环的连接示意图。
图23是本发明的晶圆复合清洗设备的另一个视角的剖视图。
图24是本发明的晶圆复合清洗设备的立体图。
图25是本发明的单晶圆清洗设备的俯视图。
图26是纳米级喷淋管的立体图。
图27是纳米级喷淋管的侧视图。
图28是纳米级喷淋管的内部管道的示意图。
图29是纳米级喷淋管的喷头的示意图。
图30是纳米级喷淋管形成的雾状清洗液的示意图。
图中标号的含义为:
1为腔体外壳,1-1为第三引流槽道,1-2为第二排液管;
2为支撑环圈,2-1为第五环圈本体,2-2为第二卡槽,2-3为支撑凸环,2-4为导流孔,2-5为第一引流孔,2-6为支撑环沿,2-7为第二引流孔;
3为第一层隔离环圈,3-1为第一环圈本体,3-2为第一隔离罩,3-3为第一环沿,3-4为第一卡槽;
4为第二层隔离环圈,4-1为第二环圈本体,4-2为第二环沿,4-3为槽口;
5为第三层隔离环圈,5-1为第三环圈本体,5-2为第三隔离罩,5-3为第三环沿,5-4为凸起,5-5为连接件;
6为第四层隔离环圈,6-1为第四环圈本体,6-2为槽孔,6-3为内环壁,6-4为第一外环壁,6-5为第二外环壁,6-6为第二引流槽道,6-7为第三引流孔,6-8为第一引流槽道,6-9为第一排液管;
7为卡环;8为顶升元件;9为第一层引流腔;10为第二层引流腔;11为第三层引流腔;12为抽气装置;13为导管槽;14为喷淋板,14-1为喷水孔;15为防溅板;16为供水管;17为纳米小分子水发生器;18为设备外壳,18-1为空腔;19为晶圆;
20为清洗机构,20-1为晶圆吸附管,20-2为清洗液输送管,20-3为第一晶圆***,20-4为第二晶圆***,20-5为第三晶圆***,20-6为支撑座,20-7为第一固定槽,20-8为第二固定槽,20-9为第三固定槽,20-10为第四固定槽,20-11为环状凸起,20-12为管件下外壳,20-13为管件上外壳,20-14为固定件,20-15为扣合槽,20-16缝隙,20-17为倾斜喷嘴,20-15为第五固定槽,20-16为第六固定槽;
21为顶升旋转机构,21-1为电机,21-2为升降机构,21-3为转轴,21-4为转动轴承;
22为污染物;23为喷淋管,23-1为气体输送管道,23-2为雾化清洗喷头,23-3为液体清洗喷头,23-4为氮气喷头,23-5超声波震荡片,23-6线型轨道,23-7升降气缸,23-8安装板,23-9为旋转气缸,23-10为驱动齿轮,23-11为从动齿轮,23-12为齿条,23-13为雾化清洗管道,23-14为液体清洗管道;24为防溅罩;25为喷淋环,25-1为倾斜喷头。
具体实施方式
为了更好的理解本发明的技术方案,下面结合附图对本发明实施例进行详细描述。
本发明给出一种晶圆复合清洗设备,包括设备外壳18、设置在设备外壳18内的复合腔体结构、以及设置在复合腔体结构内的晶圆支撑结构。所述设备外壳18上安装有抽气装置12和至少一个喷淋管23。
抽气装置12安装在设备外壳18的外部,其抽气管伸入设备外壳18并与复合腔体结构相连通,抽气装置12用于抽出复合腔体结构内部的废气,废气是指晶圆清洗过程中挥发形成的气态化学液。所述喷淋管23用于从上往下向晶圆表面喷射化学清洗液或气体。
所述设备外壳18上安装有一种固定不动的喷淋管和多种可来回摆动的用于向晶圆表面喷射清洗液或气体的喷淋管23,其中固定不动的喷淋管安装在设备外壳18的D区,其他可来回摆动的喷淋管安装在设备外壳18的A区和/或B区和/或C区。
具体地,各个可来回摆动的喷淋管23通过驱动机构与设备外壳相连,并在驱动机构的带动下进行上下运动和旋转运动。
驱动机构包括升降气缸23-7、旋转气缸23-9、安装板23-8及线型轨道23-6,升降气缸23-7的固定端安装于一基座上,为升降气缸23-7的动作提供支撑点,升降气缸23-7的输出端连接升降板,升降板滑动安装于线型轨道23-6上,能够沿线型轨道23-6上下移动。旋转气缸23-9固定段安装于安装板23-8上,在旋转气缸23-9的输出端设置有驱动齿轮23-10,喷淋管的端部设置有从动齿轮23-11,驱动齿轮23-10与从动齿轮23-11通过齿条23-12啮合连接。升降气缸23-7动作驱动安装板23-8上下运动,从而带动喷淋管上下移动,旋转气缸23-9的输出端通过齿轮齿条23-12传动带动喷淋管转动,从而带动喷淋管来回摆动。
本实施例中,所述喷淋管设置有四种,包括设置在D区的固定不动的喷淋管和设置在A、B、C区的三种可来回摆动的喷淋管。
其中,设置在A区的喷淋管为配置于SC1清洗***的纳米级SC1喷淋管,该喷淋管包括液体清洗喷头、雾化清洗喷头、氮气喷嘴和超声波震荡片。纳米级SC1喷淋管整体呈L形,液体清洗喷头23-3、雾化清洗喷头23-2、氮气喷头安装在该喷淋头的一端,该喷淋头的内部设置有液体清洗管道23-14、雾化清洗管道23-13及氮气供气管道23-1,液体清洗管道23-14的一端连接液体清洗喷头23-3,另一端连接外部供液管路。雾化清洗管道23-13的一端连接雾化清洗喷头23-2,另一端连接外部供液管路,雾化清洗喷头23-2连接超声波震荡片5,超声波震荡片23-5连接外部电源,通过超声波震荡片23-5实现对雾化清洗喷头23-2内清洗液的雾化,产生小颗粒的雾状清洗液,有效地对纳米晶圆进行清洗。氮气供气管道23-1的一端连接氮气喷嘴23-4,另一端连接供气设备,氮气喷嘴23-4朝向雾化清洗喷头23-2的正下方,通过氮气的吹送,能够保证液滴的表能,阻挡液滴分子团聚产生,在雾化液滴的表面形成纳米级水膜。
在本实施例中,液体清洗喷头23-3、雾化清洗喷头23-2、氮气喷头呈三角形分布,液体清洗喷头23-3朝向三角形的中心于晶圆片上的投影。雾化清洗喷头23-2为伞状喷头,雾化清洗喷头23-2的圆心与所述晶圆的圆心重合。采用此种结构的喷头布置,配合晶圆的转动,能在晶圆的表面形成清洗液扩散圈,增大清洗液的喷射半径,提升晶圆片的清洗效果,液体清洗喷头23-3与雾化清洗喷头23-2所喷出的液体为氨水与双氧水的混合液。
雾化清洗喷头23-2与所述晶圆之间的距离设置为14-30毫米,所述氮气喷头与所述晶圆片之间的距离、所述液体清洗喷头23-3与所述晶圆片之间的距离均小于所述雾化清洗喷头23-2与所述晶圆片之间的距离。本实施例中,雾化清洗喷头23-2与晶圆片之间的距离小,结合氮气的保护作用,能够避免雾状小分子清洗液相互聚集形成大分子液滴,保证了晶圆片的清洗效果。
设置于B区的喷淋管为SPM喷淋管,用于喷淋硫酸或双氧水。
设置于C区的喷淋管用于喷淋超纯水、氢氟酸或其他特殊的化学溶液。
设置于D区的喷淋管用于喷淋超纯水或氮气。
其中,B区、C区和D区的喷淋管均为传统型式的喷淋管,其各自的结构在此不作具体赘述。
所述复合腔体结构内部设置有多层腔室大小可调的引流腔,复合腔体结构用以根据化学清洗液的类型使晶圆19表面和背面的清洗液从其对应引流腔流至设备外部。
具体地,所述复合腔体结构包括腔体外壳1、支撑环圈2、第一隔离组件和第二隔离组件。
所述腔体外壳1设置在湿法清洗设备的设备外壳18内。腔体外壳1内设置有第三引流槽道1-1。
所述支撑环圈2设置在腔体外壳1内,与腔体外壳1的内侧壁相贴合,且其上端部通过卡环7与腔体外壳1相固定。
所述第二隔离组件设置在支撑环圈2上。
所述第一隔离组件与第二隔离组件交叉从而在两者之间形成多层引流腔,第一隔离组件上安装有可使其上、下移动从而改变各层引流腔的腔室空间大小的顶升元件8。
当顶升元件8带动第一隔离组件向上移动,第一隔离组件与第二隔离组件交叉形成的偶数层引流腔的腔室逐渐缩小、奇数层引流腔的腔室逐渐增大。
当顶升元件8带动第一隔离组件向上移动,第一隔离组件与第二隔离组件交叉形成的偶数层引流腔的腔室逐渐增大、奇数层引流腔的腔室逐渐缩小。
所述晶圆支撑装置设置在复合腔体结构内,该装置既可利用伯努利原理使晶圆19悬浮在该装置上方,也可用于清洗晶圆19下表面的污染物,尤其是可清洗晶圆下表面的清洗盲区。
所述晶圆支撑装置包括清洗机构20和用以带动清洗机构20上下移动和在圆周方向旋转的顶升旋转机构21。
所述清洗机构20包括套设在顶升旋转机构21上的晶圆定位组件以及扣合固定在晶圆定位组件上的管件外壳,所述管件外壳内设置有晶圆吸附管20-1和清洗液输送管20-2。
所述晶圆吸附管20-1竖直穿过顶升旋转机构21,用以喷射使晶圆19的上表面与下表面之间形成压力差从而使晶圆19悬浮在清洗机构20上方的气流;
所述清洗液输送管20-2竖直穿过顶升旋转机构21并与管件外壳上设置的倾斜喷嘴20-17相连通,清洗液输送管20-2用以输送清洗晶圆19下表面污染物的清洗液。
实施例一,本实施例给出的单片式湿法清洗设备的复合腔体结构,包括腔体外壳1、支撑环圈2、第一隔离组件和第二隔离组件,第一隔离组件上安装有顶升元件8。
其中,第一隔离组件包括第一层隔离环圈3和第三层隔离环圈5,第二隔离组件包括第二层隔离环圈4和第四层隔离环圈6。
所述第一层隔离环圈3包括第一环圈本体3-1,第一环圈本体3-1的内壁上延伸出有自外向内逐渐向上倾斜的第一隔离罩3-2,第一环圈本体3-1的外壁向四周水平延伸出有第一环沿3-3,第一环沿3-3的底部开设有第一卡槽3-4。
所述第二层隔离环圈4包括第二环圈本体4-1,所述第二环圈本体4-1的底部水平向外延伸出有第二环沿4-2,所述第二环沿4-2与第二环圈本体4-1的连接处开设有多个在周向均匀分布的槽口4-3。
所述第三层隔离环圈5包括第三环圈本体5-1、设置在第三环圈本体5-1内侧的第三隔离罩5-2。
第三环圈本体5-1的顶部向四周水平延伸出有与顶升元件8固定连接的第三环沿5-3,第三环沿5-3上向上延伸出有凸起5-4。
第三环圈本体5-1的底部通过多个连接件5-5与第三隔离罩5-2相连。
所述第四层隔离环圈6包括第四环圈本体6-1。
第四环圈本体6-1上开设有若干个在周向方向等距分布的槽孔6-2,本实施例中,所述槽孔设置成腰形孔。
第四环圈本体6-1的外壁顶部延伸出有自内向外逐渐向下倾斜的内环壁6-3,第四环圈本体6-1的外壁底部延伸出有第一外环壁6-4,第一外环壁6-4向上弯折形成第二引流槽道6-6,第二引流槽道6-6底部开设有多个用以将流入该槽道内的清洗液排至腔体外壳的第三引流槽道1-1内的第三引流孔6-7。腔体外壳1底部安装有第二排液管1-2,第二排液管1-2与第三引流槽1-1相连通,可将第三引流槽1-1的液体排至设备外部。
第四环圈本体6-1的外壁中部延伸出向上弯折的第二外环壁6-5,第二外环壁6-5位于内环壁6-3与第一外环壁6-4之间且其与内环壁6-3之间形成第一引流槽道6-8,第一引流槽道6-8与第一排液管6-9相连通,所述第一排液管6-9设置在第二外环壁6-5底部并穿过第一外环壁6-4和腔体外壳1。
支撑环圈2包括第五环圈本体2-1。
第五环圈本体2-1的顶部开设有用以与卡环7相扣合的第二卡槽2-2。
第五环圈本体2-1的内壁中部水平延伸出有支撑凸环2-3,第二层隔离环圈4的底部设置在所述支撑凸环2-3上,支撑凸环2-3上开设有若干个在圆周方向均匀分布的导流孔2-4。
第五环圈本体2的下部开设有若干个在圆周方向均匀分布的与位于其上方的导流孔2-4相对应的第一引流孔2-5。
第五环圈本体2的底部向内水平延伸出有支撑环沿2-6,支撑环沿2-6上开设有多个第二引流孔2-7。
组装上述复合腔体结构时,首先,将支撑环圈2放置在腔体外壳1内,使支撑环圈2与腔体外壳1的内侧壁相贴合,并通过卡环7将支撑环圈2与腔体外壳1固定为一体。
然后,将第二层隔离环圈4设置在支撑环圈的支撑凸环2-3上,支撑凸环2-3对第二层隔离环圈4进行支撑。
然后,将第三层隔离环圈5设置在第四层隔离环圈6与支撑环圈2之间,第三层隔离环圈5的第三环圈本体5-1需竖直穿过支撑环圈2,并使第三环圈本体5-1顶部的凸起5-4卡在第一层隔离环圈的第一卡槽3-4内,至此,第二层隔离环圈4位于第一层隔离环圈3和第三层隔离环圈5之间,第三层隔离环圈5的上端与第一层隔离环圈3相扣合,第一层隔离环圈3与第三层隔离环圈5固定为一体。
第一层隔离环圈3与第二层隔离环圈4之间形成第一层引流腔9,第二层隔离环圈4与第三层隔离环圈5之间形成第二层引流腔10,第三层隔离环圈5与第四层隔离环圈6之间形成第三层引流腔11。
然后,将第四层隔离环圈6扣合固定在支撑环圈的支撑环沿2-6上,所述第四层隔离环圈6内部设置有第一引流槽道6-8和第二引流槽道6-6,其中,第一引流槽道6-8位于内环壁6-3与第二外环壁6-5之间,第二引流槽道6-6由第一外环壁6-4向上弯折形成。
最后,将顶升元件8与第三层隔离环圈的第三环沿5-3相固定即可,这样,当启动顶升元件8时,顶升元件8可带动第一层隔离环圈3和第三层隔离环圈5同步运动。
本实施例中,顶升元件8采用的是气缸,气缸的活塞杆与第三层隔离环圈的第三环沿5-3相固定,气缸的缸筒可安装在湿法清洗设备的设备外壳上,也可安装在其他地方。
下面通过举例,具体说明复合腔体结构的操作过程:
当需利用碱性化学清洗液来清洗晶圆时,可使气缸带动第一层隔离环圈3和第三层隔离环圈5同步向下移动,直至第一层引流腔9和第三层引流腔11的腔室隐藏、第二层引流腔10的腔室达到最大状态为止,如图14所示,然后,利用湿法清洗设备的晶圆支撑装置来调整晶圆高度,使晶圆19与第三隔离罩5-2的上沿相齐平或略高于第三隔离罩5-2的上沿,然后利用湿法清洗设备上的喷淋管从上往下向晶圆的上表面喷射碱性化学清洗液,碱性化学清洗液从晶圆19的***流入第二层引流腔10,然后经第二层引流腔10、支撑环圈的第一引流孔2-5流入腔体外壳的第三引流槽道1-1内,最后通过第二排液管1-2排至设备外部。
当需利用酸性化学清洗液来清洗晶圆时,可使气缸带动第一层隔离环圈3和第三层隔离环圈5同步向上移动,如图15所示,然后,利用湿法清洗设备的晶圆支撑装置来调整晶圆高度,使晶圆19与第四层隔离环圈的内环壁6-3的上沿相齐平或略高于内环壁6-3的上沿,然后利用湿法清洗设备上的喷淋管从上往下向晶圆19的上表面喷射酸性化学清洗液,酸性化学清洗液从晶圆19的***流入第一引流槽道6-8,通过第一排液管6-9排至设备外部。
本实施例给出的单片式湿法清洗设备的晶圆支撑结构设置在复合腔体结构内。
所述晶圆支撑结构包括清洗机构20和顶升旋转机构21。晶圆支撑结构与复合腔体结构之间通过防溅罩24隔开,具体地,防溅罩24套设在顶升旋转机构21的外部,本实施例中,防溅罩24卡在升降机构21-2的上部。防溅罩24上设置有若干个在圆周方向均匀分布的腰形孔。防溅罩24的下沿向下倾斜并略微伸入第三引流槽道1-1,防溅罩24的上部固定有一个喷淋环25,喷淋环25的顶部安装有多个在圆周方向均匀分布的倾斜喷头25-1,喷淋环25通过供水管与纳米小分子水发生器相连,通过纳米小分子水发生器可向喷淋环25内输送清水,通过喷淋环25上的倾斜喷头25-1向复合腔体结构内喷水,以清洗掉复合腔体结构内残留的化学清洗液。
顶升旋转机构21可带动清洗机构20上下移动并可使清洗机构20在圆周方向旋转。
所述顶升旋转机构21包括电机21-1和升降机构21-2,所述电机21-1固定在升降机构21-2上,清洗机构20套设在电机21-1的转轴组件(转轴组件包括转轴21-3和转动轴承21-4)上。升降机构21-2用于带动电机及21-1固定在电机上的清洗机构20上、下移动,电机21-1可带动清洗机构20在圆周方向旋转。本实施例中,所述电机21-1为空心伺服电机。
所述清洗机构20包括晶圆定位组件以及扣合固定在晶圆定位组件上的管件外壳,所述管件外壳内设置有晶圆吸附管20-1和清洗液输送管20-2,晶圆吸附管20-1用以喷射使晶圆19的上表面与下表面之间形成压力差从而使晶圆19悬浮在清洗机构20上方的气流,清洗液输送管20-2用以输送清洗晶圆19下表面污染物22的清洗液。
所述晶圆定位组件包括第一晶圆***20-3、第二晶圆***20-4和第三晶圆***20-5。
所述第一晶圆***20-3和第二晶圆***20-4均套设在顶升旋转机构21上。具体地,第一晶圆***20-3套设在电机21-1的转轴上,电机21-1的转轴21-3端部套设有转动轴承21-4,第二晶圆***20-4套设在转动轴承21-4上。第三晶圆***20-5分别与第一晶圆***20-3和第二晶圆***20-4扣合固定,所述第三晶圆***20-5的顶部安装有多个支撑座20-6。
第三晶圆***20-5的底部开设有用以扣合第二晶圆***20-3的第三固定槽20-9且其底部向下延伸出有一个环状凸起20-11,当第一晶圆***20-3套在电机的转轴21-3上时,第一晶圆***20-3的侧边恰好抵在环状凸起20-11上。
第三晶圆***20-5的顶部开设有多个用以安装支撑座20-6的第一固定槽20-7和用以扣合管件外壳的第二固定槽20-8。
所述管件外壳包括管件下外壳20-12、与管件下外壳20-12相扣合的管件上外壳20-13、以及竖直穿设在管件上外壳20-13内的固定件20-14。
所述管件下外壳20-12卡在第三晶圆***20-5的第二固定槽20-8内。
所述管件上外壳20-13的中央开设有一个竖直贯穿的第四固定槽20-10,固定件20-14设置在第四固定槽20-10内。管件上外壳20-13的下部开设有一个扣合槽20-15,管件下外壳20-12通过该扣合槽20-15与管件上外壳20-13相扣合。当管件上外壳20-13与管件下外壳20-12相扣合时,管件上外壳20-13与管件下外壳20-12的扣接部位之间会存在微小的缝隙20-16。
管件上外壳20-13的上部水平设有多个倾斜喷嘴20-17。本实施例中,管件上外壳20-13上部的外表面为向下倾斜的弧面。
所述固定件20-14的中央开设有一个竖直贯穿的第五固定槽20-15,晶圆吸附管20-1插在第五固定槽20-15内且下下端竖直穿过整个顶升旋转机构21以与设备外部的供气设备相连。
第五固定槽20-15的四周设置有多个第六固定槽20-16,多个第六固定槽20-16均匀分布在第五固定槽20-15的四周,每个第六固定槽20-16内均插放一根清洗液输送管20-2,清洗液输送管20-2的设置数量与管件上外壳20-13内部的倾斜喷嘴20-17的设置数量相等,即一根清洗液输送管20-2对应唯一一个倾斜喷嘴20-17。不同位置的清洗液输送管20-2可用于输送不同浓度或不同种类的清洗液,如酸性清洗液或碱性清洗液。本实施例中,所述第六固定槽20-16为L型槽,因此,当清洗液输送管20-2插在第六固定槽20-16内时,清洗液输送管20-2也呈L状,L形清洗液输送管20-2的水平段与管件上外壳20-13内部的倾斜喷嘴20-17相连通,L形清洗液输送管20-2的竖直段穿过整个顶升旋转机构21从而与半导体湿法工艺中的供液***相连。
上述所述的晶圆支撑结构的工作原理如下所示:
通过供气设备向晶圆吸附管20-1内供气。由于晶圆吸附管20-1内喷射出使晶圆19的上表面与下表面之间形成压力差的气流,因此,当晶圆19放置在晶圆支撑结构上时,晶圆19会漂浮/悬浮在多个支撑座20-6上方,晶圆19不与支撑座20-6相接触。
顶升旋转机构的电机21-1可带动整个清洗机构20在圆周方向上旋转,清洗机构20旋转过程中,晶圆19下表面会形成旋转气流,气流旋转循环可夹带走晶圆19下表面的部分污染物。
为了增强晶圆吸附管20-1喷射出来的气流在晶圆下表面所形成的真空环境的稳定性,且增强气流夹带污染物的能力,可在电机21-1的空心腔室内设置气体喷流管,该气体喷流管吹送出来的气体不会对伯努利原理造成破坏。安装该气体喷流管时,气体喷流管从电机21-1的空心中穿过并与管件上外壳20-13和管件下外壳20-12的扣接部位之间的缝隙20-16相连通,气体喷流管喷射出的气流可沿着缝隙20-16和扣合槽20-15从管件下外壳20-12的上端面与管件下外壳20-13之间的缝隙中流出,从而增强真空环境的稳定性和气流携带颗粒物的能力,气体喷流管喷射出的气流的流动路径如图20所示,气体喷流管在图20中未画出。本实施例中,气体喷流管中喷射出的是氮气。
通过半导体湿法工艺中的供液***可向清洗液输送管20-2内输送酸性或碱性清洗液,清洗液经清洗液输送管20-2送至倾斜喷嘴20-17中,并从倾斜喷嘴20-17的喷嘴口喷出。由于整个清洗机构20会在圆周方向旋转,因此,当清洗液从倾斜喷嘴20-17中喷出时,会形成CDA喷流,在离心力的作用下,清洗液可将晶圆19下表面剩余的污染物清洗干净,夹杂有污染物的清洗液会流入单片式湿法清洗设备的复合腔体结构的相应引流腔内,从单片式湿法清洗设备的相应排液管排至外界。
同时,清洗作业结束后,晶圆吸附管20-1内喷出的气流可将晶圆19下表面残留的清洗液吹离晶圆。
目前湿法清洗设备上只设置有从上往下喷射清洗液的喷淋管23,该种传统设计只能对晶圆19的上表面进行清洗,且清洗时,在离心力的作用下,清洗下来的颗粒污染物容易堆积在晶圆19***,在受到晶圆19底部流场的影响,堆积在晶圆19***的颗粒污染物会粘附在晶圆19背面。本申请通过在湿法清洗设备上安装可对晶圆下表面进行清洗的晶圆支撑结构,可有效解决该问题,在单次清洗作业过程中,安装有本申请装置的湿法清洗设备不仅能同时清洗晶圆19的表面和背面,也不会造成颗粒污染物在晶圆19***堆积的问题,大大提高了湿法清洗设备的洁净能力,提高了清洗效率和清洗效果,有效地保证了晶圆品质。
本发明的单片式湿法清洗设备的工作过程如下所示:
一、通过供气设备向晶圆支撑结构的晶圆吸附管20-1内供气。
利用晶圆夹取装置将晶圆19放置在晶圆支撑结构上,由于晶圆吸附管20-1内喷射出使晶圆19的上表面与下表面之间形成压力差的气流,因此,晶圆19会漂浮/悬浮在其支撑座20-6上方,晶圆19不与支撑座20-6相接触。
二、根据当前工作模式,利用顶升元件调整复合腔体结构内部各层引流腔的腔体大小,使晶圆与某一工作腔(工作腔是指其中一层引流腔)相对应。以利用碱性化学清洗液清洗晶圆为例,应使顶升元件带动第一隔离组件向下移动,使第二层引流腔10的腔室达到最大状态,若此时晶圆19未与第三隔离罩5-2的上沿相齐平或未略高于第三隔离罩5-2的上沿,则通过顶升旋转机构的升降机构略微调整晶圆的高度。
三、通过顶升旋转机构的电机21-1带动整个清洗机构20在圆周方向上旋转,清洗机构20旋转过程中,晶圆19下表面会形成旋转气流,气流旋转循环可夹带走晶圆1下表面的部分污染物。
同时,可通过气体喷流管向管件上外壳20-13和管件下外壳20-12的扣接部位之间的缝隙20-16内通入氮气,氮气从管件下外壳20-12的上端面与管件下外壳20-13之间的缝隙中流出,可以增强晶圆吸附管20-1喷射出来的气流在晶圆下表面所形成的真空环境的稳定性和气流携带颗粒污染物的能力。气体喷流管喷出的氮气和晶圆吸附管20-1喷出的气体会进入当前工作的引流腔,即进入第二层引流腔10。
四、利用喷淋管从上往下向晶圆的上表面喷射碱性化学清洗液,由于喷淋管喷射清洗液时,整个清洗机构20会在圆周方向旋转,因此,晶圆上表面会形成CDA喷流,碱性化学清洗液从晶圆19的***扩散流入第二层引流腔10。
同时,通过半导体湿法工艺中的供液***向清洗液输送管20-2内输送碱性化学清洗液,清洗液经清洗液输送管20-2送至倾斜喷嘴2-17中,并从倾斜喷嘴20-17的喷嘴口喷出。由于整个清洗机构20会在圆周方向旋转,因此,当清洗液从倾斜喷嘴20-17中喷出时,会形成CDA喷流,在离心力的作用下,清洗液可将晶圆19下表面剩余的污染物清洗干净,夹杂有污染物的清洗液会流入第二层引流腔10。
进入第二层引流腔10的碱性化学清洗液会经第二层引流腔10、支撑环圈的第一引流孔2-5流入腔体外壳的第三引流槽道1-1内,最后通过第二排液管1-2排至设备外部。
五、待清洗完毕后,喷淋管和清洗液输送管20-2的倾斜喷嘴2-17停止喷液。
晶圆吸附管2-1和气体喷流管内喷出的气流可将晶圆19下表面上的残留清洗液吹离晶圆。
从晶圆上脱离的残留清洗液也会从第二层引流腔10、支撑环圈的第一引流孔2-5流入腔体外壳的第三引流槽道1-1内,最后通过第二排液管1-2排至设备外部。
六、启动抽气装置12,抽气装置12将复合腔体结构内的废气抽出。废气的流动路径如图25中的箭头所示,即废气从各层引流腔向下汇集至腔体外壳1的第三引流槽道1-1内,然后绕过防溅罩24的下沿进入腔体外壳1与升降机构21-2之间的缝隙内,然后沿着腔体外壳1与升降机构21-2之间的缝隙进入抽气装置12的抽气管,从抽气管排至设备外部。复合腔体结构内的废气也可直接通过第四层隔离环圈6上的槽孔6-2和防溅罩24上的腰形孔直接进入腔体外壳1与升降机构21-2之间的缝隙,最后从抽气装置12的抽气管排至设备外部。
七、顶升旋转机构停止转动,通过晶圆夹取装置将晶圆转移至下一道工序,至此即完成对一个晶圆的清洗。
实施例二,本实施例给出的单片式湿法清洗设备的结构与实施例一基本相同,具体不同之处在于,本实施例中单片式湿法清洗设备的复合腔体结构的第二层隔离环圈4、第三层隔离环圈5和第四层隔离环圈6的内部还开设有导管槽13。
第二层隔离环圈4上的导管槽与第一层引流腔9相连通,第三层隔离环圈5上的导管槽与第二层引流腔10相连通,第四层隔离环圈6上的导管槽与第三层引流腔11相连通。
第二层隔离环圈4上的导管槽设置在其第二环圈本体4-1内。
第三层隔离环圈5上的导管槽设置在其第三隔离罩5-2内。
第四层隔离环圈6上的导管槽分别设置在其内环壁6-3和第二外环壁6-5内。
第二层隔离环圈4、第三层隔离环圈5和第四层隔离环圈6的内部的导管槽均通过一根供水管16与纳米小分子水发生器17相连。纳米小分子水发生器17用于将水进行过滤,并将过滤好的水通过供水管16送至对应的导管槽内来清洗各个引流腔内残留的化学清洗液。
优选地,所述第二层隔离环圈4、第三层隔离环圈5和第四层隔离环圈6的上表面还设置有覆盖导管槽的喷淋板14,喷淋板14上开设有若干个阵列排布的喷水孔14-1。
晶圆清洗作业结束后,可通过纳米小分子水发生器17将过滤好的水通过供水管16送至各层隔离环圈的导管槽13内以及喷淋环25内,然后通过导管槽13表面的喷淋板和喷淋环25表面的倾斜喷头25-1将水喷洒在各个引流腔内,以清洗掉各个引流腔内残留的化学清洗液,如图3、图16所述。
本实施例中,其他具体实施方式与实施例一相同,在此不再具体赘述。
实施例三,本实施例给出的用于晶圆清洗设备的复合腔体结构与实施例一或实施例二基本相同,具体不同之处在于,所述第一层隔离环圈3、第二层隔离环圈4、第三层隔离环圈5和第四层隔离环圈6的下表面还分别设置有防溅板15。
本实施例中,其他具体实施方式与实施例一或实施例二相同,在此不再具体赘述。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内,所做的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明保护的范围之内。
Claims (9)
1.一种晶圆复合清洗设备,其特征在于,包括设备外壳、设置在设备外壳内的复合腔体结构、以及设置在复合腔体结构内的晶圆支撑结构;
所述设备外壳上安装有与复合腔体结构相连通的用以抽出复合腔体结构内废气的抽气装置、一种固定不动的喷淋管和多种可来回摆动的用于向晶圆表面喷射清洗液的喷淋管,其中一种喷淋管为纳米级喷淋管,所述纳米级喷淋管上设置有与液体清洗管道相连的液体清洗喷头、与雾化清洗管道相连的雾化清洗喷头、与氮气供气管道相连的氮气喷头和超声波震荡片,所述雾化清洗喷头连接超声波震荡片,超声波震荡片连接外部电源,所述氮气喷头朝向所述雾化清洗喷头;
所述晶圆支撑结构用于使晶圆悬浮在其上方并向晶圆背面喷射清洗液;
所述晶圆支撑结构包括清洗机构和用以带动清洗机构上下移动和在圆周方向旋转的顶升旋转机构,
所述清洗机构包括套设在顶升旋转机构上的晶圆定位组件以及扣合固定在晶圆定位组件上的管件外壳,所述管件外壳内设置有晶圆吸附管和清洗液输送管,
所述晶圆吸附管竖直穿过顶升旋转机构,用以喷射使晶圆的上表面与下表面之间形成压力差从而使晶圆悬浮在清洗机构上方的气流;
所述清洗液输送管竖直穿过顶升旋转机构并与管件外壳上设置的倾斜喷嘴相连通,清洗液输送管用以输送清洗晶圆下表面污染物的清洗液;
所述复合腔体结构内部设置有多层腔室大小可调的引流腔,复合腔体结构用以使不同工作模式下晶圆表面和背面的清洗液从其相应引流腔流至设备外部。
2.根据权利要求1所述的晶圆复合清洗设备,其特征在于,所述复合腔体结构包括:
腔体外壳;
与腔体外壳的内侧壁相贴合且其上端部通过卡环与腔体外壳相固定的支撑环圈;
设置在支撑环圈上的第二隔离组件;
以及与第二隔离组件交叉从而在两者之间形成多层引流腔的第一隔离组件,所述第一隔离组件上安装有可使其上、下移动从而改变各层引流腔的腔室空间大小的顶升元件。
3.根据权利要求2所述的晶圆复合清洗设备,其特征在于,所述第一隔离组件包括第一层隔离环圈和第三层隔离环圈,所述第二隔离组件包括第二层隔离环圈和第四层隔离环圈,
所述第一层隔离环圈与第三层隔离环圈相扣合;
所述第二层隔离环圈设置在第一层隔离环圈和第三层隔离环圈之间且其底部支撑在所述支撑环圈上,第一层隔离环圈与第二层隔离环圈之间形成第一层引流腔,第二层隔离环圈与第三层隔离环圈之间形成第二层引流腔;
所述第三层隔离环圈设置在第四层隔离环圈与支撑环圈之间,第三隔离环圈与第四隔离环圈之间形成第三层引流腔;
所述第四层隔离环圈扣合固定在支撑环圈的内边沿上,所述第四层隔离环圈内部设置有第一引流槽道。
4.根据权利要求3所述的晶圆复合清洗设备,其特征在于,所述第一层隔离环圈、第二层隔离环圈、第三层隔离环圈和第四层隔离环圈的下表面均设置有防溅板。
5.根据权利要求3或4所述的晶圆复合清洗设备,其特征在于,所述第二层隔离环圈、第三层隔离环圈和第四层隔离环圈的内部均开设有导管槽,第二层隔离环圈上的导管槽与第一层引流腔相连通,第三层隔离环圈上的导管槽与第二层引流腔相连通,第四层隔离环圈上的导管槽与第三层引流腔相连通。
6.根据权利要求5所述的晶圆复合清洗设备,其特征在于,所述第二层隔离环圈、第三层隔离环圈和第四层隔离环圈的上表面还设置有覆盖导管槽的喷淋板,喷淋板上开设有若干个阵列排布的喷水孔。
7.根据权利要求1所述的晶圆复合清洗设备,其特征在于,所述晶圆定位组件包括第一晶圆***、第二晶圆***和第三晶圆***,所述第一晶圆***和第二晶圆***均套设在顶升旋转机构上,第三晶圆***分别与第一晶圆***和第二晶圆***扣合固定,所述第三晶圆***的顶部安装有多个支撑座。
8.根据权利要求7所述的晶圆复合清洗设备,其特征在于,所述顶升旋转机构包括电机和升降机构,所述电机固定在升降机构上,所述第一晶圆***套设在电机的转轴上,电机的转轴端部套设有转动轴承,第二晶圆***套设在转动轴承外侧。
9.根据权利要求1所述的晶圆复合清洗设备,其特征在于,所述管件外壳包括管件下外壳、与管件下外壳相扣合的管件上外壳、以及竖直穿设在管件上外壳内的固定件,晶圆吸附管和清洗液输送管固定在固定件内并竖直穿过顶升旋转机构。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202011631979.4A CN112845297B (zh) | 2020-12-31 | 2020-12-31 | 一种晶圆复合清洗设备 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202011631979.4A CN112845297B (zh) | 2020-12-31 | 2020-12-31 | 一种晶圆复合清洗设备 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN112845297A CN112845297A (zh) | 2021-05-28 |
CN112845297B true CN112845297B (zh) | 2023-03-28 |
Family
ID=75999923
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202011631979.4A Active CN112845297B (zh) | 2020-12-31 | 2020-12-31 | 一种晶圆复合清洗设备 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN112845297B (zh) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN116978835B (zh) * | 2023-09-22 | 2023-12-12 | 苏州智程半导体科技股份有限公司 | 一种单片式晶圆清洗设备 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007027270A (ja) * | 2005-07-13 | 2007-02-01 | Sony Corp | 洗浄装置及び洗浄方法 |
CN104658947B (zh) * | 2014-12-31 | 2018-01-12 | 上海新阳半导体材料股份有限公司 | 晶圆清洗装置 |
JP7181764B2 (ja) * | 2018-03-26 | 2022-12-01 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
CN111105988A (zh) * | 2018-10-26 | 2020-05-05 | 长鑫存储技术有限公司 | 一种单片晶圆湿式处理设备及处理方法 |
CN110544647A (zh) * | 2018-11-06 | 2019-12-06 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 金属互连清洗装置及清洗方法 |
CN111112186B (zh) * | 2019-12-27 | 2022-08-09 | 上海至纯洁净***科技股份有限公司 | 一种晶圆片清洗设备 |
CN111001606B (zh) * | 2019-12-27 | 2022-03-11 | 上海至纯洁净***科技股份有限公司 | 一种半导体清洗设备 |
-
2020
- 2020-12-31 CN CN202011631979.4A patent/CN112845297B/zh active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN112845297A (zh) | 2021-05-28 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
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SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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GR01 | Patent grant | ||
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