CN112820672A - 转移设备、转移方法和显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明实施例公开了一种转移设备、转移方法和显示装置。转移设备包括：转移基板，所述转移基板上设置有呈阵列排布的光激发部件，所述光激发部件远离所述转移基板的一侧用于放置待转移的部件；光源装置，用于产生激发所述光激发部件的光；光源控制装置，位于所述光源装置产生的光的光路上，所述光源控制装置用于将所述光源装置产生的光照射至对应的所述光激发部件上，以使所述转移基板上的至少部分待转移的部件转移至目标基板。与现有技术相比，本发明实施例提高了大批量转移的精度和良率。

Description

转移设备、转移方法和显示装置
技术领域
本发明实施例涉及显示技术领域，尤其涉及一种转移设备、转移方法和显示装置。
背景技术
随着显示技术的不断发展，显示装置由阴极射线显像管(CRT)显示方式逐渐被液晶(LCD)显示方式替代，近年来有机发光二极管(OLED)显示方式和微小发光二极管(MicroLED或MINI LED)显示方式等作为新一代显示技术得到了迅猛发展。其中，Micro LED由于其高响应速度、高色域、高亮度和长寿命等优势，被称为未来显示技术。LCD配合MINI LED背光技术、量子点技术或者高演色性技术，能够提高对比度和色域。这使得LCD与OLED相比，在保持寿命、亮度优势的同时，缩小了对比度和色域劣势。
然而，Micro LED和MINI LED在制作的过程中，需要采用大批量转移技术。目前大批量转移技术采用机械式打件、***式、静电式或流体组装等等，但是，现有的转移技术存在精度低、良率低的问题，难以支撑Micro LED和MINI LED技术的大批量生产和普及化，因此，转移技术成为Micro LED和MINI LED技术的瓶颈之一。
发明内容
本发明实施例提供一种转移设备、转移方法和显示装置，以提高大批量转移的精度和良率。
第一方面，本发明实施例提供了一种转移设备，包括：
转移基板，所述转移基板上设置有呈阵列排布的光激发部件，所述光激发部件远离所述转移基板的一侧用于放置待转移的部件；
光源装置，用于产生激发所述光激发部件的光；
光源控制装置，位于所述光源装置产生的光的光路上，所述光源控制装置用于将所述光源装置产生的光照射至对应的所述光激发部件上，以使所述转移基板上的至少部分待转移的部件转移至目标基板。
可选地，所述光源装置包括背光面板，所述背光面板用于产生面光源；所述光源控制装置包括硅基液晶面板，所述硅基液晶面板包括：
阵列电路层，包括呈阵列排布的开关器件，以及与所述开关器件连接的驱动电极；
液晶层，设置于所述阵列电路层的一侧；所述液晶层包括液晶分子，所述液晶分子受对应的所述驱动电极的控制而发生角度变化，以控制所述背光面板产生的光传输至对应的所述光激发部件；
优选地，所述阵列电路层还包括：
门极选通模块，与所述开关器件连接；所述门极选通模块用于逐行导通所述开关器件，或者用于同时导通至少部分行的所述开关器件；
源极选通模块，与所述开关器件连接；所述源极选通模块用于同时通过所述开关器件向至少部分列的所述驱动电极发送驱动信号，以驱动所述液晶分子偏转；
其中，所述行沿第一方向延伸，所述列沿第二方向延伸；或者，所述行沿所述第二方向延伸，所述列沿所述第一方向延伸；所述第一方向和所述第二方向交叉。
可选地，所述光源装置包括第一光源和扩束模块，所述第一光源发出光源束，所述扩束模块用于将所述光源束进行扩散而产生面光源；所述光源控制装置包括数字微镜，所述数字微镜包括：
驱动阵列，包括呈阵列排布的开关器件；
呈阵列排布的反射镜，所述反射镜与所述开关器件对应设置；所述反射镜在所述驱动阵列的控制下角度可调，用于将所述光源装置产生的光传输至对应的所述光激发部件。
可选地，所述光源装置包括第二光源，所述第二光源发出光源束；所述光源控制装置包括偏转器，所述偏转器用于将所述光源束扫描至对应的所述光激发部件；
优选地，所述偏转器包括透镜模块，所述透镜模块位于所述光源束射出的光的光路上，所述透镜模块用于调整所述光的角度。
可选地，转移设备还包括：
光学测量装置，用于测量所述转移基板或所述目标基板包含的信息；
数据处理装置，与所述光学测量装置连接；所述数据处理装置用于根据所述信息，确定所述转移基板上需要转移的部件的数量和位置；
所述数据处理装置还与所述光源控制装置连接，以控制所述光源控制装置，使得所述光源装置发出的光传输至对应的所述光激发部件上。
可选地，所述光源装置包括激光发生器、可见光发生器或非可见发生器中的至少一种。
可选地，至少一个所述光激发部件对应一个所述待转移的部件。
可选地，所述光激发部件在光的作用下，由固态或液态变为气态；
所述转移基板还包括：至少一个过孔，所述过孔位于所述转移基板的中部、边缘或中部与边缘之间的区域，所述过孔形成负压气体通路，所述负压气体通路用于排出产生的气体；
或者，所述光激发部件中混合有中和部件，所述中和部件用于中和气体中的有害物质，或所述中和部件在光激发下产生中和气体，以中和有害物质。
可选地，转移设备还包括：执行膜，所述执行膜设置于所述光激发部件远离所述转移基板的一侧。
第二方面，本发明实施例还提供了一种转移方法，可采用本发明任意实施例所提供的转移设备，转移方法包括：
提供目标基板；
提供转移基板，将所述转移基板与所述目标基板对位；所述转移基板上设置有呈阵列排布的光激发部件，所述光激发部件远离所述转移基板的一侧设置有待转移的部件；
提供光源装置和光源控制装置，将所述光源控制装置放置于所述光源装置产生的光路上；
控制所述光源控制装置，将所述光源装置产生的光照射至对应的所述光激发部件上，以使所述转移基板上的至少部分待转移的部件转移至目标基板上；其中，被转移的所述部件满足转移精度。
可选地，所述控制所述光源控制装置，将所述光源装置产生的光照射至对应的所述光激发部件上，包括：
控制所述光源装置产生面光源；
驱动所述光源控制装置对满足转移精度的所述待转移的部件进行面扫描；
或者，控制所述光源装置产生光源束；
驱动所述光源控制装置对满足转移精度的所述待转移的部件进行单点扫描。
可选地，所述控制所述光源控制装置，将所述光源装置产生的光照射至对应的所述光激发部件上，包括：
采用光学测量装置对所述转移基板和所述目标基板的位置进行测量，得到转移信息；
数据处理装置根据所述转移信息进行处理，确定所述转移基板上的待转移的部件位置是否满足转移精度，得到数量信息和位置信息；
所述光源控制装置根据所述数量信息和所述位置信息，调整所述光源装置产生的光线的路径；
或者，所述控制所述光源控制装置，将所述光源装置产生的光照射至对应的所述光激发部件上，包括：
获取预先存储的需要转移的所述待转移的部件的数量信息和位置信息；
所述光源控制装置根据所述数量信息和所述位置信息，调整所述光源装置产生的光线的路径。
可选地，所述转移信息包括以下至少一种：
所述转移基板上的待转移的部件的位置、所述转移基板上的待转移的部件形状、所述转移基板上的待转移的部件裂纹、所述转移基板上的待转移的部件方向、所述转移基板上的对位标记位置、所述转移基板上的对位标记形状、所述转移基板上的对位标记方向；所述目标基板上的对位标记位置、所述目标基板上的对位标记形状、所述目标基板上的对位标记方向、所述目标基板上的焊盘位置、所述目标基板上的焊盘形状和所述目标基板上的焊盘方向。
第三方面，本发明实施例还提供了一种显示装置，包括：驱动背板和设置于所述驱动背板上的显示待转移的部件，其中，所述显示待转移的部件采用如本发明任意实施例所述转移方法转移至所述驱动背板上。
本发明实施例通过在转移基板上设置光激发部件，并在转移设备中设置光源装置和光源控制装置，以激发对应的光激发部件受到激发而产生推力，从而使得对应的待转移的部件从转移基板分离。这样设置，可以在一次转移的过程中，仅转移满足转移精度的待转移的部件，其他不满足转移精度的待转移的部件可以经过再次对位进行转移。与现有的大批量转移技术相比，本发明实施例实现了对待转移的待转移的部件的准确控制和转移，从而提高了转移精度和转移良率。
附图说明
图1为本发明实施例提供的一种转移设备的结构示意图；
图2为本发明实施例提供的另一种转移设备的结构示意图；
图3为本发明实施例提供的一种阵列电路层的结构示意图；
图4为本发明实施例提供的又一种转移设备的结构示意图；
图5为本发明实施例提供的又一种转移设备的结构示意图；
图6为本发明实施例提供的又一种转移设备的结构示意图；
图7为本发明实施例提供的一种转移基板的结构示意图；
图8为沿图7中A-A的剖面结构示意图；
图9为本发明实施例提供的另一种转移基板的结构示意图；
图10为本发明实施例提供的一种转移方法的流程示意图；
图11为本发明实施例提供的一种转移方法在各步骤中的示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。
本发明实施例提供了一种转移设备。图1为本发明实施例提供的一种转移设备的结构示意图。参见图1，转移设备包括：转移基板100、光源装置800和光源控制装置600。转移基板100上设置有呈阵列排布的光激发部件130，光激发部件130远离转移基板100的一侧用于放置待转移的部件(例如，芯片110)。光源装置800用于产生激发光激发部件130的光。光源控制装置600位于光源装置800产生的光的光路上，光源控制装置600用于将光源装置800产生的光照射至对应的光激发部件130上，以使转移基板100上的至少部分待转移的部件转移至目标基板300。
其中，待转移的部件是指需要进行大批量转移的部件，例如尺寸在1um-5mm范围内的部件。示例性地，待转移的部件包括芯片、其他电路或半导体器件、用于转移的辅助部件等。下面以待转移的部件为芯片为例进行说明，但不作为对本发明的限定。芯片110例如可以是发光器件芯片，具体地，芯片110可以是Micro LED芯片或MINI LED芯片，对大批量的发光器件芯片110进行转移，最终可以形成显示装置。转移基板100又可以称作过渡承载板或临时承载板，用于按照待转移的芯片尺寸对芯片110进行预先排列。一般而言，转移基板100上所放置的芯片110的位置和方向可以是不精确的，甚至是杂乱无章的。光激发部件130是指在特定光照的作用下受到激发，而发生物理和/或化学变化的部件。示例性地，光激发部件130在光的作用下由固态或液态变为气态，从而产生气体膨胀，将芯片110由转移基板100转移(打件)至目标基板300，光激发部件130的主体材料例如可以包括***或氧化剂等材料；特定光照包括激光、可见光或非可见光(例如UV光)中的至少一种，对应的，光源装置800包括激光发生器、可见光发生器或非可见发生器中的至少一种。目标基板300又可以称作目标承载板，即芯片110的转移目标位置是目标承载板上的位置。采用本发明实施例提供的转移设备，能够使转移到目标承载板上的芯片110的位置精度高于转移基板100上的芯片位置精度。可选地，转移基板100和目标基板300上均设置有高精度的对位标记(Mark)，以实现准确对位，从而有利于提高芯片110的转移精度，例如，对位标记的精度范围可以为1μm～5mm。
本发明实施例通过在转移基板100上设置光激发部件130，并在转移设备中设置光源装置800和光源控制装置600，以激发对应的光激发部件130受到激发而产生推力，从而使得对应的芯片110从转移基板100分离。这样设置，可以在一次转移的过程中，仅转移满足转移精度的芯片110，其他不满足转移精度的芯片110可以经过再次对位进行转移。与现有的大批量转移技术相比，本发明实施例实现了对待转移的芯片110的准确控制和转移，从而提高了转移精度和转移良率。
在上述各实施例中，可选地，转移基板100自身为透明基板，以使光线能够顺利透过转移基板100而照射在光激发部件130上。转移基板100自身还可以是有色透明基板或无色透明基板，其中，若转移基板100为有色透明基板，转移基板100的颜色还需要与光源装置800发出的光的颜色匹配。
在本发明实施例中，光源装置800以及对应的光源控制装置600的设置方式有多种，只要能使得转移基板100上的光激发部件130有选择地被激发而产生推力，使得芯片110从转移基板100上分离的实施方式均在本发明的保护范围内。下面就其中的几种进行说明，但不作为对本发明的限定。
图2为本发明实施例提供的另一种转移设备的结构示意图。参见图2，在本发明的一种实施方式中，可选地，光源装置800包括背光面板810，背光面板810用于产生面光源。光源控制装置600包括硅基液晶面板610，硅基液晶面板610包括阵列电路层611和液晶层612。阵列电路层611包括呈阵列排布的开关器件，以及与开关器件连接的驱动电极。液晶层612设置于阵列电路层611的一侧；液晶层612包括液晶分子，液晶分子受对应的驱动电极的控制而发生角度变化，以控制背光面板810产生的光传输至对应的光激发部件130。
其中，硅基液晶面板610包括多个控制元(类似于显示面板中的像素)，控制元是指开关器件，与开关器件对应的液晶分子，与开关器件连接的驱动电极。开关器件包括三极管或场效应管等半导体器件，可选地，场效应管包括门极、源极和漏极。开关器件可以是单独设置的三极管或场效应管，也可以是半导体器件的组合，例如互补金属氧化物半导体(CMOS)等，在实际需求中可以根据需要进行设置。开关器件的制作形态可以为薄膜晶体管(TFT)，以减薄阵列电路层611的厚度，减小转移设备的尺寸。示例性地，薄膜晶体管或场效应管阵列可以利用半导体制程直接在驱动阵列基板200的衬底上制作。
示例性地，当开关器件导通时，对应的驱动电极得电，从而控制对应的液晶分子偏转，光线通过或截止。一个控制元对应至少一个光激发部件130，或者至少一个控制元对应一个光激发部件130。背光面板810产生面光源照射在整个硅基液晶面板610上，只有当控制元打开时，才能控制对应区域的光通过硅基液晶面板610射出，照射在对应光激发部件130上。背光面板810例如可以包括有机发光二极管、微发光二极管或二极管中的至少一种。可选地，背光面板810还可以包括导光层等膜层，以使背光面板810均匀发光。本发明实施例通过设置光源装置800包括背光面板810，光源控制装置600包括硅基液晶面板610，结构简单，易于实现。
在上述实施例中，可选地，硅基液晶面板610还可以包括盖板613、偏光片等结构，以提升硅基液晶面板610的稳定性，优化硅基液晶面板610的性能。
图3为本发明实施例提供的一种阵列电路层的结构示意图。参见图3，在本发明的一种实施方式中，可选地，阵列电路层611还包括门极选通模块614和源极选通模块615。门极选通模块614与开关器件连接；门极选通模块614用于逐行导通开关器件，或者用于同时导通至少部分行的开关器件。源极选通模块615与开关器件连接；源极选通模块615用于同时通过开关器件向至少部分列的驱动电极发送驱动信号，以驱动液晶分子偏转。
其中，门极选通模块614的驱动方式为逐行导通开关器件，还是同时导通至少部分行的开关器件，可以根据实际需要进行选择。源极选通模块615的驱动方式为同时通过开关器件向部分列的驱动电极发送驱动信号，还是向全部列的驱动电极发送驱动信号，可以根据实际需要进行选择。
示例性地，可以采用行/列扫描的方式对驱动阵列基板200进行扫描，此时，门极选通模块614逐行控制开关器件的导通和断开，同时，该时序下，对应列的驱动信号由源极选通模块615输出，连接对应开关器件的源极写入，从而驱动液晶分子偏转，激发光激发部件130执行打件动作，使对应的芯片110进行转移动作。例如，位于第一行第一列、第二行第二列、第三行第三列、第四行第四列、第五行第五列和第六行第六列的芯片110符合转移精度，当门极选通模块614扫描第一行开关器件时，源极选通模块615向第一列的开关器件写入驱动信号；当门极选通模块614扫描第二行开关器件时，源极选通模块615向第二列的开关器件写入驱动信号；……以此类推，直至门极选通模块614扫描至第六行开关器件，源极选通模块615向第六列的开关器件写入驱动信号。
示例性地，还可以采用面扫描的方式对驱动阵列基板200进行扫描，此时，门极选通模块614同时控制多行开关器件的导通和断开，同时，该时序下，对应列的驱动信号由源极选通模块615输出，连接对应开关器件的源极写入，从而驱动液晶分子偏转，激发光技发部执行打件动作，使对应的芯片110进行转移动作。例如，位于第一行的前三列、第二行的前三列、第三行的前三列和第四行的前三列的芯片110符合转移精度，门极选通模块614同时扫描前四行的开关器件，且源极选通模块615同时向前三列的开关器件写入驱动信号。
本发明实施例采用主动式驱动阵列，可以实现行/列扫描或面扫描的扫描方式，使得扫描打件得以快速执行，提高了转移效率、稳定性，以及简化了操作难度。
需要说明的是，图3中示例性地示出了，行沿第一方向X延伸，列沿第二方向Y延伸，第一方向X和第二方向Y交叉。这并非对本发明的限定，在其他实施例中，还可以使行、列方向对调，例如，行沿第二方向Y延伸，列沿第一方向X延伸。
图4为本发明实施例提供的又一种转移设备的结构示意图。参见图4，在本发明的一种实施方式中，可选地，光源装置800包括第一光源821和扩束模块822，第一光源821发出光源束，扩束模块822用于将光源束进行扩散而产生面光源；光源控制装置600包括数字微镜(DMD)620，数字微镜620包括驱动阵列(图4中未示出)和呈阵列排布的反射镜621。驱动阵列包括呈阵列排布的开关器件。反射镜621与开关器件对应设置，示例性地，反射镜621与开关器件连接。反射镜621在驱动阵列的控制下角度可调，用于将光源装置800产生的光传输至对应的光激发部件130。
其中，第一光源821可以产生激光光束，激光光束稳定性好，不易受环境影响，从而有利于提升转移背板的转移精度。可选地，光源装置800包括准直模块，用于将面光源平行射出。数字微镜620中呈阵列排布的反射镜621例如可以采用微机电(MEMS)反射镜或反射镜621由微机电控制，从而实现角度可调。通过调整反射镜621的角度，一方面可以调整照射至反射镜621上的光线是否反射到转移基板100上；另一方面可以调整照射至反射镜621上的光线具体照射到转移基板100的哪个光激发部件130上。因此，本发明实施例可以设置反射镜621与光激发部件130一一对应，也可以设置至少两个反射镜621与一个光激发部件130，还可以设置一个反射镜621对应至少两个光激发部件130，在实际应用中可以根据需要进行设定。
示例性地，若反射镜621与光激发部件130一一对应，则可以采用面扫描的方式对驱动阵列基板200进行扫描。例如，位于第一行第一列、第二行第二列、第三行第三列、第四行第四列、第五行第五列和第六行第六列的芯片110符合转移精度，对应的，调整位于第一行第一列、第二行第二列、第三行第三列、第四行第四列、第五行第五列和第六行第六列的反射镜621的角度，使得光线照射到对应的光激发部件130上，激发光激发部件130执行打件动作，使对应的芯片110进行转移动作。对于其他位置的反射镜621，通过调整其角度，使得光线不能反射出，或者光线反射到转移基板100外的其他区域。
示例性地，若一个反射镜621对应至少两个光激发部件130，则可以采用分时扫描的方式对驱动阵列基板200进行扫描。例如，数字微镜620仅包括一个反射镜621，位于第一行第一列、第二行第二列、第三行第三列、第四行第四列、第五行第五列和第六行第六列的芯片110符合转移精度，在第一时段，调整反射镜621的角度，使光线照射至第一行第一列的光激发部件130；在第二时段，调整反射镜621的角度，使光线照射至第二行第二列的光激发部件130；……以此类推，直至扫描至第六行第六列。其中，第一时段和第二时段等扫描间隔时段需要满足光激发部件130的激发反应时间，以确保光激发部件130的可靠激发，芯片110的可靠转移。
示例性地，随着数字微镜620上设置反射镜621的数量增多，多个反射镜621可以同时工作，从而可以减少扫描打件的时间。
本发明实施例设置光源装置800包括第一光源821和扩束模块822，光源控制装置600包括数字微镜(DMD)620，有利于实现对光激发部件130的面扫描，从而有利于提升转移效率。
需要说明的是，在上述实施例中，示例性地示出了光源装置800通过扩束模块822产生面光源，并非对本发明的限定，在其他实施例中，还可以设置背光面板产生面光源，在实际应用中可以根据需要设定。
图5为本发明实施例提供的又一种转移设备的结构示意图。参见图5，在本发明的一种实施方式中，可选地，光源装置800包括第二光源830，第二光源830发出光源束；光源控制装置600包括偏转器630，偏转器630用于将光源束扫描至对应的光激发部件130。其中，第二光源830可以产生激光光束，激光光束稳定性好，不易受环境影响，从而有利于提升转移背板的转移精度。优选地，偏转器630包括透镜模块631，透镜模块631位于光源束射出的光的光路上，透镜模块631用于调整光的角度。示例性地，偏转器630包括两个透镜模块631，一个透镜模块631可以水平转动，调整光的水平传播方向；另一个透镜模块631可以垂直转动，调整光的垂直传播方向。
示例性地，可以采用分时扫描的方式对驱动阵列基板200进行扫描。例如，位于第一行第一列、第二行第二列、第三行第三列、第四行第四列、第五行第五列和第六行第六列的芯片110符合转移精度，在第一时段，调整偏转器630的角度，使光线照射至第一行第一列的光激发部件130；在第二时段，调整偏转器630的角度，使光线照射至第二行第二列的光激发部件130；……以此类推，直至扫描至第六行第六列。其中，第一时段和第二时段等扫描间隔时段需要满足光激发部件130的激发反应时间，以确保光激发部件130的可靠激发，芯片110的可靠转移。
需要说明的是，在上述实施例以偏转器630设置为透镜模块631为例进行说明，并非对本发明的限定，在其他实施例中，还可以将偏转器630设置为角度可调的反射镜(例如，MEMS反射镜)，在实际应用中可以根据需要进行设定。
还需要说明的是，在上述各实施例中，第一光源和/或第二光源830可以是单色光发生器，也可以由多个单色光发生器和光合成器组成，在实际应用中可以根据需要进行设定。
图6为本发明实施例提供的又一种转移设备的结构示意图。参见图6，在上述各实施例的基础上，可选地，转移设备还包括：光学测量装置400和数据处理装置500。光学测量装置400用于测量转移基板100或目标基板300包含的信息。数据处理装置500与光学测量装置连接，用于根据光学测量装置400测量的信息，确定转移基板100上需要转移的芯片110的数量和位置；以及，数据处理装置500还与光源控制装置600连接，以控制光源控制装置600，使得光源装置800发出的光传输至对应的光激发部件130上。
其中，光学测量装置400例如可以是自动光学检测装置(AOI)，或者是X射线(XRay)测量装置。测量的转移基板100的信息例如可以是转移基板100上的芯片110的位置、转移基板100上芯片110的形状、转移基板100上芯片110的裂纹、转移基板100上芯片110的方向、转移基板100上的对位标记位置、转移基板100上的对位标记形状、转移基板100上的对位标记方向、转移基板100上的芯片110的位置、转移基板100上的芯片110形状、转移基板100上的芯片110裂纹或转移基板100上的芯片110方向等。测量的目标基板300的位置信息例如可以是目标基板300上的对位标记位置、目标基板300上的对位标记形状、目标基板300上的对位标记方向、目标基板300上的焊盘位置、目标基板300上的焊盘形状或目标基板300上的焊盘方向等。因此，光学测量装置400检测到的对位标记可以是一个对位点，也可以是对位点阵列。光学测量装置400检测的信息可以用来进行对位，也可以用来确定芯片110是否满足对位要求。
数据处理装置500例如可以是微处理器、单片机或数字信号处理器(DSP)等具备数据处理功能的芯片110。具体地，数据处理装置500能够对转移基板100上芯片110的位置、转移基板100上的对位标记位置、转移基板100上的对位标记形状或转移基板100上的对位标记方向等位置信息进行处理和计算，能够得到转移基板100的位置，以及转移基板100上各芯片110的位置。以及，数据处理装置500能够对目标基板300上的对位标记位置、目标基板300上的对位标记形状、目标基板300上的对位标记方向、目标基板300上的焊盘位置、目标基板300上的焊盘形状或目标基板300上的焊盘方向等进行处理和计算，能够得到目标基板300的位置，以及目标基板300上各芯片110需要精确放置的位置。数据处理装置500能够对转移基板100上的芯片110形状或转移基板100上的芯片110裂纹等进行处理和计算，从而得到不良芯片110的数量和位置。数据处理装置500结合以上信息，确定转移基板100和目标基板300是否对位，以及确定各芯片110是否满足转移精度，从而确定转移基板100上需要转移的芯片110的数量和位置，进而以控制光源控制装置600，使得光源装置800发出的光传输至对应的光激发部件130上。
本发明实施例设置转移设备还包括光学测量装置和数据处理装置，对转移基板100和目标基板300进行测量，进一步提升了转移精度。
需要说明的是，在上述各实施例中，示例性地示出了采用光学检测装置400来检测目标基板300和转移基板100的位置，并非对本发明的限定。在其他实施例中，还可以不设置光学检测装置400，需要转移的芯片110的数量和位置还可以是预先存储的，或者，转移基板100上的芯片110已规律精准对位，在实际应用中可以根据需要选择是否设置光学检测装置。
需要说明的是，在上述各实施例中，示例性地示出了，光激发部件130的排布密度与芯片110排布密度相同，即光激发部件130与芯片110一一对应，这并非对本发明的限定。在其他实施方式中，还可以设置光激发部件130的排布密度与芯片110的排布密度不同。例如，光激发部件130的排布密度为芯片110排布密度的n倍，n为2、3、4、5、10等正整数。
图7为本发明实施例提供的一种转移基板的结构示意图，图8为沿图7中A-A的剖面结构示意图。参见图7和图8，在上述各实施例的基础上，可选地，光激发部件130在光的作用下，由固态或液态变为气态。转移基板100还包括：至少一个过孔101，过孔101位于转移基板100的中部、边缘或中部与边缘之间的区域，过孔101形成负压气体通路，负压气体通路用于排出产生的气体，以避免光激发部件130激发出的气体(***气体)能量过大而对芯片110造成损坏。
在本发明的一种实施方式中，可选地，光激发部件130中混合有中和部件，中和部件用于中和气体中的有害物质，或中和部件在光激发下产生中和气体，以中和有害物质。其中，有害物质例如可以是有毒性或呈酸、碱性的物质。中和部件例如可以是活性炭。中和部件产生的中和气体与有害物质对应，若有害物质呈酸性，对应的中和气体呈碱性；若有害物质呈碱性，对应的中和气体呈酸性。
图9为本发明实施例提供的另一种转移基板100的结构示意图。参见图9，在本发明的一种实施方式中，可选地，转移设备还包括执行膜140，执行膜140设置于光激发部件130远离转移基板100的一侧。执行膜140的材质例如可以是柔性材质，具有较高拉伸断裂比的材料。这样，在光激发部件130受激发产生气体后，执行膜140的形变大于转移基板100的形变，进而使得芯片110与执行膜140分离。执行膜140的设置，可以使得光激发部件130受激发产生的气体膨胀不会直接作用在芯片110上，而是通过执行膜140作用到待转移芯片110上，起到了缓冲和均匀应力的作用，提高了转移精度。并且，执行膜140的设置，可以减少光激发部件130产生的气体与待转移芯片110的接触，进而避免激发部120受激发产生的气体对待转移芯片110的腐蚀等损害。
在上述各实施例的基础上，可选地，转移设备还包括辅助触发部件，辅助触发部件例如可以是磁力触发部件等能够对转移基板100上的待转移的芯片110提供额外作用力的触发部件，以对芯片110的转移提供辅助作用。
在上述各实施例中，可选地，目标基板300为另一个转移基板100、背光驱动背板或显示驱动背板。其中，若目标基板300为另一个转移基板100，可以重复多次芯片转移的动作，且每进行一次转移，芯片110的精度更高。这样，每次转移动作可以有更多数量的芯片110满足转移精度，从而有利于提升转移效率。目标基板300例如可以为玻璃基板或石英基板等，有利于提升目标基板300的尺寸稳定性、热稳定性和化学稳定性，从而提升转移精度。
若目标基板300为背光驱动背板，此时，芯片110为背光芯片，在将芯片110全部转移到背光驱动背板之后，还需要采用热压、UV固化和回流焊等方式将芯片110与背光驱动背板上的焊盘焊接，以形成显示装置中的背光源。若目标基板300为显示驱动背板，此时，芯片110为显示芯片，在将芯片110全部转移到显示驱动背板之后，还需要采用热压、UV固化和回流焊等方式将芯片110与显示驱动背板上的焊盘焊接，以形成显示装置中的像素。其中，背光驱动背板或显示驱动背板等驱动背板上设置有驱动线路，当转移基板100与驱动背板进行对位转移时，转移基板100和驱动背板还可以起到支撑、保护芯片，保护驱动背板上的线路的作用。驱动背板例如可以采用聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯(PC)或聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)等柔性材料做衬底，以实现柔性显示。驱动背板中的电路膜层可以采用有机薄膜晶体管(OTFT)或有机场效应管(OMOS)等。驱动背板可以为玻璃基板或石英基板上刻有驱动线路、或者为柔性印刷电路板(FPC)、印刷电路板(PCB)等。
在本发明的一种实施方式中，可选地，转移设备还包括运动装置，运动装置用于驱动转移基板100运动，以使转移基板100与目标基板300进行对位。示例性地，驱动阵列基板200和目标基板300保持静止，且对位准确，只需通过运动装置调整转移基板100的位置即可。本发明实施例设置只有转移基板100进行位移对位，有利于降低转移设备的制作成本。
在本发明的一种实施方式中，可选地，转移设备包括运动装置，运动装置用于控制驱动阵列基板200、转移基板100和目标基板300进行位移。其中，运动装置例如可以是机械臂等能够控制基板进行位移的装置。示例性地，运动装置能够驱动阵列基板200和目标基板300保持相对静止，转移基板100与目标基板300在位移过程中进行对位。例如，通过计算运动提前量来进行动态打件，从而有利于进一步提升转移精度。
综上所述，本发明实施例通过在转移基板100上设置光激发部件130，并在转移设备中设置光源装置800和光源控制装置600，以激发对应的光激发部件130受到激发而产生推力，从而使得对应的芯片110从转移基板100分离。这样设置，可以在一次转移的过程中，仅转移满足转移精度的芯片110，其他不满足转移精度的芯片110可以经过再次对位进行转移。与现有的大批量转移技术相比，本发明实施例实现了对待转移的芯片110的准确控制和转移，从而提高了转移精度和转移良率。进一步地，光源装置800可以是背光面板，光源控制装置600可以是硅基液晶面板，以实现行/列扫描或者面扫描，从而提升了大批量转移的效率。进一步地，光源装置800可以包括产生光源束的第一光源和扩束模块，光源控制装置600可以是数字微镜，以实现行/列扫描或者面扫描，从而提升了大批量转移的效率。进一步地，光源装置800可以包括产生光源束的第二光源，光源控制装置600可以是偏转器，以实现行/列扫描。进一步地，通过设置光学测量装置400，可以提升对位精度，从而进一步提升了转移精度。
本发明实施例提供了一种转移方法，可以采用本发明任意实施例所提供的转移设备进行芯片的大批量转移。图10为本发明实施例提供的一种转移方法的流程示意图，图11为本发明实施例提供的一种转移方法在各步骤中的示意图。参见图10和图11，转移方法包括以下步骤：
S110、提供目标基板300。
其中，目标基板300又可以称作目标承载板，即芯片110的转移目标位置是目标基板300上的位置。
S120、提供转移基板100，将转移基板100与目标基板300对位；转移基板100上设置有呈阵列排布的光激发部件130，光激发部件130远离转移基板100的一侧设置有待转移的芯片110。
其中，转移基板100又可以称作过渡承载板或临时承载板，用于按照待转移的芯片尺寸对芯片110进行预先排列。一般而言，转移基板100上所放置的芯片110的位置和方向可以是不精确的，甚至是杂乱无章的。在其他实施例中，转移基板100上的芯片110已规律精准对位，需要转移的芯片110的数量和位置可以是预先存储。
光激发部件130是指在特定光照的作用下受到激发，而发生物理和/或化学变化的部件。示例性地，光激发部件130在光的作用下由固态或液态变为气态，从而产生气体膨胀，将芯片110由转移基板100转移(打件)至目标基板300，光激发部件130的主体材料例如可以包括***或氧化剂等材料；特定光照包括激光、可见光或非可见光(例如UV光)中的至少一种，对应的，光源装置800包括激光发生器、可见光发生器或非可见发生器中的至少一种。
可选地，驱动阵列基板200与目标基板300同步位移，保持相对静止，这样，转移基板100与目标基板300在位移过程中进行对位。例如，通过计算运动提前量来进行动态打件，从而有利于进一步提升转移精度。或者，驱动阵列基板200与目标基板300均静止，两者保持绝对静止。
S130、提供光源装置800和光源控制装置600，将光源控制装置600放置于光源装置800产生的光路上。
其中，光源装置800和光源控制装置600配合能够实现对光信号的控制，从而激发相应的光激发部件130。可选地，光源装置800可以是背光面板，光源控制装置600可以是硅基液晶面板，以实现行/列扫描或者面扫描，从而提升了大批量转移的效率。可选地，光源装置800可以包括产生光源束的第一光源和扩束模块，光源控制装置600可以是数字微镜，以实现行/列扫描或者面扫描，从而提升了大批量转移的效率。可选地，光源装置800可以包括产生光源束的第二光源，光源控制装置600可以是偏转器，以实现行/列扫描。
S140、控制光源控制装置600，将光源装置800产生的光照射至对应的光激发部件130上，以使转移基板100上的至少部分芯片110转移至目标基板300上。
其中，将光源装置800产生的光对光激发部件130的扫描方式有多种，可选地，控制光源装置800产生面光源；驱动光源控制装置600对满足转移精度的芯片110进行面扫描。或者，可选地，控制光源装置800产生光源束；驱动光源控制装置600对满足转移精度的芯片110进行单点扫描。
至少部分是指部分或者全部，若被转移的芯片110全部满足转移精度，那么被转移至目标基板300的芯片数量为全部数量；若被转移的芯片110中只有部分满足转移精度，那么被转移至目标基板300的芯片数量为部分数量。可选地，确定转移基板100上的芯片位置是否满足转移要求的方法是：将转移基板100上的芯片位置和目标基板300上的预设位置或芯片焊脚的位置进行比较(例如作差)，判断两位置是否完全重叠或部分重叠，若完全重叠，则满足转移要求；若部分重叠，则将重叠最小区域与设定阈值进行比较，确定是否在满足阈值要求。
图11中示例性地示出了全部芯片110满足转移精度，将全部芯片110转移到目标基板300上。在其他实施例中，还可以设置转移基板100上只有部分芯片110满足转移精度，通过对应的光激发部件130，将满足转移精度的这些芯片110进行转移，完成第一次打件动作。然后，将转移基板100与目标基板300再次对位，以使剩余的至少部分芯片110能够满足对位精度。以此类推，直至将剩余的全部芯片110进行转移。
由上述步骤可以看出，本发明实施例通过采用光源装置800和光源控制装置600激发转移基板100上对应的光激发部件130，以进行打件动作，使得对应的芯片110从转移基板100分离。这样设置，可以在一次转移的过程中，仅转移满足转移精度的芯片110，其他不满足转移精度的芯片110可以经过再次对位进行转移。与现有的大批量转移技术相比，本发明实施例实现了对待转移的芯片110的准确控制和转移，从而提高了转移精度和转移良率。
在上述各实施例中，可选地，转移方法还包括以下步骤：
首先，采用光学测量装置对转移基板100和目标基板300的位置进行测量，得到转移信息。
其中，光学测量装置400例如可以是自动光学检测装置(AOI)，或者是X射线(XRay)测量装置。测量的转移基板100的信息例如可以是转移基板100上的芯片110的位置、转移基板100上芯片110的形状、转移基板100上芯片110的裂纹、转移基板100上芯片110的方向、转移基板100上的对位标记位置、转移基板100上的对位标记形状、转移基板100上的对位标记方向、转移基板100上的芯片110的位置、转移基板100上的芯片110形状、转移基板100上的芯片110裂纹或转移基板100上的芯片110方向等。测量的目标基板300的位置信息例如可以是目标基板300上的对位标记位置、目标基板300上的对位标记形状、目标基板300上的对位标记方向、目标基板300上的焊盘位置、目标基板300上的焊盘形状或目标基板300上的焊盘方向等。因此，光学测量装置400检测到的对位标记可以是一个对位点，也可以是对位点阵列。光学测量装置400检测的信息可以用来进行对位，也可以用来确定芯片110是否满足对位要求。
然后，数据处理装置根据转移信息进行处理，确定转移基板100上的芯片110位置是否满足转移精度，得到数量信息和位置信息；光源控制装置600根据数量信息和位置信息，调整光源装置800产生的光线的路径。
其中，数据处理装置500例如可以是微处理器、单片机或数字信号处理器(DSP)等具备数据处理功能的芯片110。具体地，数据处理装置500能够对转移基板100上芯片110的位置、转移基板100上的对位标记位置、转移基板100上的对位标记形状或转移基板100上的对位标记方向等位置信息进行处理和计算，能够得到转移基板100的位置，以及转移基板100上各芯片110的位置。以及，数据处理装置500能够对目标基板300上的对位标记位置、目标基板300上的对位标记形状、目标基板300上的对位标记方向、目标基板300上的焊盘位置、目标基板300上的焊盘形状或目标基板300上的焊盘方向等进行处理和计算，能够得到目标基板300的位置，以及目标基板300上各芯片110需要精确放置的位置。数据处理装置500能够对转移基板100上的芯片110形状或转移基板100上的芯片110裂纹等进行处理和计算，从而得到不良芯片110的数量和位置。数据处理装置500结合以上信息，确定转移基板100和目标基板300是否对位，以及确定各芯片110是否满足转移精度，从而确定转移基板100上需要转移的芯片110的数量和位置，进而以控制光源控制装置600，使得光源装置800发出的光传输至对应的光激发部件130上。
本发明实施例设置转移设备还包括光学测量装置和数据处理装置，对转移基板100和目标基板300进行测量，进一步提升了转移精度。
本发明实施例还提供了一种显示装置，该显示装置可以是装配有Mini LED背光源的LCD显示装置、装配有Micro LED背光源的LCD显示装置、Mini LED显示装置或Micro LED显示装置。显示装置包括：驱动背板和设置于驱动背板上的显示芯片(例如，Mini LED芯片或Micro LED芯片)，其中，显示芯片采用如本发明任意实施例所提供的转移方法转移至驱动背板上。
其中，驱动背板例如可以采用聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯(PC)或聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)等柔性材料做衬底，以实现柔性显示。驱动背板中的电路膜层可以采用有机薄膜晶体管(OTFT)或有机场效应管(OMOS)等。驱动背板可以为玻璃基板或石英基板上刻有驱动线路、或者为柔性印刷电路板(FPC)、印刷电路板(PCB)等。
注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。

Claims (14)

1.一种转移设备，其特征在于，包括：
转移基板，所述转移基板上设置有呈阵列排布的光激发部件，所述光激发部件远离所述转移基板的一侧用于放置待转移的部件；
光源装置，用于产生激发所述光激发部件的光；
光源控制装置，位于所述光源装置产生的光的光路上，所述光源控制装置用于将所述光源装置产生的光照射至对应的所述光激发部件上，以使所述转移基板上的至少部分待转移的部件转移至目标基板。
2.根据权利要求1所述的转移设备，其特征在于，所述光源装置包括背光面板，所述背光面板用于产生面光源；所述光源控制装置包括硅基液晶面板，所述硅基液晶面板包括：
阵列电路层，包括呈阵列排布的开关器件，以及与所述开关器件连接的驱动电极；
液晶层，设置于所述阵列电路层的一侧；所述液晶层包括液晶分子，所述液晶分子受对应的所述驱动电极的控制而发生角度变化，以控制所述背光面板产生的光传输至对应的所述光激发部件；
优选地，所述阵列电路层还包括：
门极选通模块，与所述开关器件连接；所述门极选通模块用于逐行导通所述开关器件，或者用于同时导通至少部分行的所述开关器件；
源极选通模块，与所述开关器件连接；所述源极选通模块用于同时通过所述开关器件向至少部分列的所述驱动电极发送驱动信号，以驱动所述液晶分子偏转；
其中，所述行沿第一方向延伸，所述列沿第二方向延伸；或者，所述行沿所述第二方向延伸，所述列沿所述第一方向延伸；所述第一方向和所述第二方向交叉。
3.根据权利要求1所述的转移设备，其特征在于，所述光源装置包括第一光源和扩束模块，所述第一光源发出光源束，所述扩束模块用于将所述光源束进行扩散而产生面光源；所述光源控制装置包括数字微镜，所述数字微镜包括：
驱动阵列，包括呈阵列排布的开关器件；
呈阵列排布的反射镜，所述反射镜与所述开关器件对应设置；所述反射镜在所述驱动阵列的控制下角度可调，用于将所述光源装置产生的光传输至对应的所述光激发部件。
4.根据权利要求1所述的转移设备，其特征在于，所述光源装置包括第二光源，所述第二光源发出光源束；所述光源控制装置包括偏转器，所述偏转器用于将所述光源束扫描至对应的所述光激发部件；
优选地，所述偏转器包括透镜模块，所述透镜模块位于所述光源束射出的光的光路上，所述透镜模块用于调整所述光的角度。
5.根据权利要求1所述的转移设备，其特征在于，还包括：
光学测量装置，用于测量所述转移基板或所述目标基板包含的信息；
数据处理装置，与所述光学测量装置连接；所述数据处理装置用于根据所述信息，确定所述转移基板上需要转移的部件的数量和位置；
所述数据处理装置还与所述光源控制装置连接，以控制所述光源控制装置，使得所述光源装置发出的光传输至对应的所述光激发部件上。
6.根据权利要求1所述的转移设备，其特征在于，所述光源装置包括激光发生器、可见光发生器或非可见发生器中的至少一种。
7.根据权利要求1所述的转移设备，其特征在于，至少一个所述光激发部件对应一个所述待转移的部件。
8.根据权利要求1所述的转移设备，其特征在于，所述光激发部件在光的作用下，由固态或液态变为气态；
所述转移基板还包括：至少一个过孔，所述过孔位于所述转移基板的中部、边缘或中部与边缘之间的区域，所述过孔形成负压气体通路，所述负压气体通路用于排出产生的气体；
或者，所述光激发部件中混合有中和部件，所述中和部件用于中和气体中的有害物质，或所述中和部件在光激发下产生中和气体，以中和有害物质。
9.根据权利要求1所述的转移设备，其特征在于，还包括：执行膜，所述执行膜设置于所述光激发部件远离所述转移基板的一侧。
10.一种转移方法，其特征在于，包括：
提供目标基板；
提供转移基板，将所述转移基板与所述目标基板对位；所述转移基板上设置有呈阵列排布的光激发部件，所述光激发部件远离所述转移基板的一侧设置有待转移的部件；
提供光源装置和光源控制装置，将所述光源控制装置放置于所述光源装置产生的光路上；
控制所述光源控制装置，将所述光源装置产生的光照射至对应的所述光激发部件上，以使所述转移基板上的至少部分所述待转移的部件转移至目标基板上；其中，被转移的所述部件满足转移精度。
11.根据权利要求10所述的转移方法，其特征在于，所述控制所述光源控制装置，将所述光源装置产生的光照射至对应的所述光激发部件上，包括：
控制所述光源装置产生面光源；
驱动所述光源控制装置对满足转移精度的所述待转移的部件进行面扫描；
或者，控制所述光源装置产生光源束；
驱动所述光源控制装置对满足转移精度的所述待转移的部件进行单点扫描。
12.根据权利要求10所述的转移方法，其特征在于，所述控制所述光源控制装置，将所述光源装置产生的光照射至对应的所述光激发部件上，包括：
采用光学测量装置对所述转移基板和所述目标基板的位置进行测量，得到转移信息；
数据处理装置根据所述转移信息进行处理，确定所述转移基板上的待转移的部件位置是否满足转移精度，得到数量信息和位置信息；
所述光源控制装置根据所述数量信息和所述位置信息，调整所述光源装置产生的光线的路径；
或者，所述控制所述光源控制装置，将所述光源装置产生的光照射至对应的所述光激发部件上，包括：
获取预先存储的需要转移的所述部件的数量信息和位置信息；
所述光源控制装置根据所述数量信息和所述位置信息，调整所述光源装置产生的光线的路径。
13.根据权利要求12所述的转移方法，其特征在于，所述转移信息包括以下至少一种：
所述转移基板上的待转移的部件的位置、所述转移基板上的待转移的部件形状、所述转移基板上的待转移的部件裂纹、所述转移基板上的待转移的部件方向、所述转移基板上的对位标记位置、所述转移基板上的对位标记形状、所述转移基板上的对位标记方向；所述目标基板上的对位标记位置、所述目标基板上的对位标记形状、所述目标基板上的对位标记方向、所述目标基板上的焊盘位置、所述目标基板上的焊盘形状和所述目标基板上的焊盘方向。
14.一种显示装置，其特征在于，包括：驱动背板和设置于所述驱动背板上的显示芯片，其中，所述显示芯片采用如权利要求10-13任一项所述转移方法转移至所述驱动背板上。
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