CN112805888A - 检测电路、驱动电路和发光器件 - Google Patents

Abstract

根据本公开的检测电路(20)设置有具有多输入和单输出的运算放大器(30)。运算放大器(30)具有第一晶体管组(31)和第二晶体管(32)。第一晶体管组(31)由并联连接的多个晶体管构造，其中，多个发光元件(5)的工作电压被分别输入到多个晶体管的栅极，该栅极是非反向输入端子。第二晶体管(32)与第一晶体管组(31)形成差动配置，其中，从输出端子提供负反馈至作为反向输入端子的栅极。

Description

检测电路、驱动电路和发光器件

技术领域

本技术涉及检测电路，驱动电路和发光器件。

背景技术

近年来，已知像垂直腔表面发射激光器(VCSEL)一样，将大量(例如几百个)发光元件并列排列在一个芯片上的发光器件(例如，参见专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：PCT专利公开号WO2015/174239

发明内容

技术问题

然而，利用上述过去的技术，在设置了大量发光元件的发光器件中，甚至一个发光元件发生异常的情况下，难以检测异常。

因此，本公开提出了一种检测电路、驱动电路和发光器件，该检测电路、驱动电路和发光器件即使在大量发光元件中的一个出现异常的情况下也能够检测异常。

问题的解决方案

根据本公开，提供了一种检测电路。该检测电路包括多输入单输出运算放大器。运算放大器包括第一晶体管组和第二晶体管。第一晶体管组包括并联连接的多个晶体管，使得用于多个发光元件的工作电压被分别输入到多个晶体管的栅极，这些栅极是运算放大器的非反向(non-negated)输入端子。第二晶体管与第一晶体管组协作以形成差动配置，并且第二晶体管具有一栅极，该栅极是运算放大器的反向输入端子，并且来自输出端子的输出被负反馈到该栅极。

发明的有利效果

根据本公开，即使在大量发光元件中的一个发生异常的情况下，也能够检测出如上所述的异常。应当注意的是，这里描述的有益效果不一定是限制性的，并且可以是本公开中描述的其他有利效果之一。

附图说明

图1是示出根据本公开的实施例的发光器件的配置的示例的透视图。

图2是示出根据本公开的实施例的驱动电路的配置的示例的电路图。

图3是示出根据本公开的实施例的运算放大器的配置的示例的电路图。

图4是示出在根据本公开的实施例的发光元件正常的情况下运算放大器的操作示例的电路图。

图5是示出在根据本公开的实施例的发光元件异常的情况下运算放大器的操作示例的电路图。

图6是示出本发明的实施方式的变形例1的驱动电路的配置示例的电路图。

图7是示出本发明的实施方式的变形例2的驱动电路的配置示例的电路图。

具体实施方式

下面，参照附图详细描述本公开的实施例。应当注意，在下面描述的实施例中，相同的元件由相同的附图标记表示，并且省略对它们的重叠描述。

[发光器件的配置]

图1是根据本公开的实施例的发光器件1的配置的示例的透视图。如图1所示，发光器件1包括发光元件阵列2和驱动电路3。

发光元件阵列2包括多个发光元件5(参照图2)。上述的发光元件阵列2例如可以是半导体激光器，并且尤其是，可以是垂直腔面发射激光器(VCSEL)。应当注意，在本实施例中，发光元件阵列2不限于这些示例。

驱动电路3包括用于驱动发光元件阵列2的电路。具体地，驱动电路3包括用于单独地驱动多个发光元件5的驱动单元10(参照图2)。以下，对上述的驱动电路3的内部配置进行说明。

此外，在根据本实施例的发光器件1中，发光元件阵列2安装在驱动电路3的主表面上。此外，发光元件阵列2和驱动电路3通过多个微凸块4彼此机械地和电地连接。应注意，发光元件阵列2和驱动电路3不必通过微凸块4连接。

[驱动电路的配置]

现在，参照图2描述驱动电路3的具体配置。图2是示出根据本公开的实施例的驱动电路3的配置的示例的电路图。如图2所示，驱动电路3包括驱动单元10和检测电路20。

另外，为了便于理解，在以下说明的图2至图5中的实施例针对在发光元件阵列2上设置8个发光元件5(以下称为发光元件5-1至发光元件5-8)的情况。另外，在本实施方式中，在发光元件阵列2中设置的发光元件5的数量不限于8个。

驱动单元10包括P型晶体管11-1至11-8，该P型晶体管11-1至11-8通过控制到P型晶体管11-1至11-8的栅极电压来驱动发光元件5-1至5-8。应当注意，根据来自外部的信号，由设置在驱动电路3内部的控制单元(未示出)控制用于P型晶体管11-1至11-8的栅极电压。

向P型晶体管11-1至11-8的源极提供电源电压Vcc。P型晶体管11-1至11-8的漏极分别连接至作为发光二极管的发光元件5-1至5-8的阳极。发光元件5-1至5-8的阴极共同接地。换言之，在实施例中，多个发光元件5以阴极公共连接方式连接。

此外，从在P型晶体管11-1至11-8的漏极与发光元件5-1至5-8的阳极之间的部分，分别输出发光元件5-1至5-8的工作电压V1至V8。然后，将发光元件5-1至5-8的工作电压V1至V8输入到检测电路20。

检测电路20包括运算放大器30、比较器40和50、以及电平移位电路60。运算放大器30是多输入单输出运算放大器，并且第一晶体管组31和第二晶体管32具有相对于彼此的差动配置。

第一晶体管组31包括与多个发光元件5的数量相同数量的N型晶体管31-1至31-8，N型晶体管31-1至31-8并联连接。电源电压Vcc通过P型晶体管33供应至N型晶体管31-1至31-8的漏极。同时，n型晶体管31-1至31-8的源极通过恒流源35接地。

第二晶体管32包括N型晶体管。通过P型晶体管34向第二晶体管32的漏极供应电源电压Vcc。同时，第二晶体管32的源极通过恒流源35接地，并且第二晶体管32的栅极连接到P型晶体管34的漏极和第二晶体管32的漏极之间的节点36。

同时，P型晶体管33的栅极和P型晶体管34的栅极共同连接到在P型晶体管33的漏极和N型晶体管31-1至31-8的漏极之间的部分。应当注意的是，P型晶体管33和P型晶体管34具有彼此相等的尺寸。

如上所述，在根据本实施例的运算放大器30中，用于发光元件5-1至5-8的工作电压V1至V8分别输入到N型晶体管31-1至31-8(第一晶体管组31)的栅极，该栅极是运算放大器30的非反向输入端子。然后，在运算放大器30中，运算放大器30的输出从作为运算放大器30的输出端子的节点36负反馈到第二晶体管32的栅极，第二晶体管32的栅极是运算放大器30的反向输入端子。

因此，在本实施例中，输出电压Vo从运算放大器30的输出端子(节点36)输出，输出电压Vo的值在发光元件5-1至5-8的工作电压V1至V8具有正常值的情况和工作电压V1至V8中的任一个具有异常值的另一情况之间不同。接下来，参照图3至图5描述运算放大器30的特定操作的示例。

图3是示出根据本公开的实施例的运算放大器30的配置的示例的电路图。如图3所示，作为运算放大器30的非反向输入端子的N型晶体管31-1至31-8的栅极分别连接到发光元件5-1至5-8的阳极。

因此，发光元件5-1至5-8的工作电压V1至V8分别输入至N型晶体管31-1至31-8的栅极。应当注意，在本实施例中，所有的n型晶体管31-1至31-8具有相等的尺寸。

此外，如图3所示，根据本实施例的第二晶体管32优选包括与N型晶体管31-1至31-8的数量相同的数量的N型晶体管32-1至32-8，N型晶体管32-1至32-8并联连接。通过P型晶体管34向N型晶体管32-1至32-8的漏极提供电源电压Vcc。此外，N型晶体管32-1至32-8的源极通过恒流源35接地。

此外，在该实施例中，N型晶体管32-1至32-8的栅极分别通过开关SW1至SW8连接到节点36。开关SW1至SW8由上述用于控制驱动电路3的控制单元控制。

应当注意，在本实施例中，所有的N型晶体管32-1至32-8具有与第一晶体管组31的N型晶体管31-1的尺寸相等的尺寸。特别地，在本实施例中，所有的N型晶体管31-1至31-8和N型晶体管32-1至32-8具有相等的尺寸。

图4是示出在根据本公开的实施例的发光元件5正常的情况下运算放大器30的操作示例的电路图。应当注意，在图4和图5中，响应于来自外部的信号而工作的每个发光元件5由实线表示，而不工作的每个发光元件5由虚线表示。特别地，在图4的示例中，驱动电路3的控制单元操作发光元件5-1、5-3和5-5至5-7，但不操作发光元件5-2、5-4和5-8。

此处，在所有正在工作的发光元件5-1、5-3和5-5至5-7都正常的情况下，它们的工作电压V1、V3和V5至V7的值等同于发光元件5-1、5-3和5-5至5-7基于规格等的工作电压(例如，2.2V)。

此外，在这种情况下，如图4所示，流向第一晶体管组31的电流I1均等地流向对应于工作中的发光元件5-1、5-3和5-5至5-7的N型晶体管31-1、31-3和31-5至31-7。

此处，在本实施例中，控制开关SW1至SW8，使得工作的第一晶体管组31的尺寸和工作的第二晶体管32的尺寸彼此一致。

例如，如图4所示，开关SW1至SW8由控制单元控制，使得与已经被指示工作的发光元件5的沟道相对应的开关SW1、SW3和SW5至SW7导通，并且使得其他开关SW2、SW4和SW8不导通。因此，当发光元件5工作时，第一晶体管组31中的工作的晶体管的数量与工作的第二晶体管32的数量彼此一致。

因此，从作为运算放大器30的输出端子的节点36输出电压Vo，输出电压Vo是输入到非反向输入端子的工作电压V1、V3和V5至V7的平均值(例如，2.2V)。这是因为从运算放大器30输出的输出电压Vo被反馈到电流I1均等地流过的N型晶体管31-1、31-3和31-5至31-7。

此外，在本实施例中，工作的第一晶体管组31的尺寸和工作的第二晶体管32的尺寸彼此一致，并且因此可以抑制输入到非反向输入端子的工作电压V1、V3和V5至V7的平均值的偏移。因此，根据本实施例，可以更精确地从运算放大器30输出正在工作的发光元件5的工作电压的平均值。

图5是示出在根据本公开的实施例的发光元件5异常的情况下运算放大器30的操作示例的电路图。在图5的示例中，如在图4的示例中，驱动电路3的控制单元使发光元件5-1、5-3和5-5至5-7工作，但是不使发光元件5-2、5-4和5-7和5-8工作。此外，在图5的示例中，发光元件5-3发生异常。

此处，正常工作的发光元件5-1和5-5至5-7的工作电压V1和V5至V7是发光元件正常的情况下的工作电压(例如2.2V)。另一方面，遭受异常的发光元件5-3的工作电压V3的值比所有工作的发光元件都正常的情况下的值更高(例如2.7V)。

此外，在这种情况下，如图5所示，流到第一晶体管组31的电流I2集中地流到与遭受异常的发光元件5-3相对应的N型晶体管31-3。

因此，从作为运算放大器30的输出端子的节点36输出这样的输出电压Vo：该输出电压Vo的值是输入到非反向输入端子的工作电压V3的值(例如2.7V)。这是因为从运算放大器30输出的输出电压Vo仅被反馈到电流I2集中流过的N型晶体管31-3。

如上所述，在工作的多个发光元件5的工作电压全部相等的情况下，根据本实施例的运算放大器30输出工作的多个发光元件5的工作电压的平均值，作为输出电压Vo。

另一方面，在特定发光元件5的工作电压由于异常等而高于其他发光元件5的工作电压的情况下，根据本实施例的运算放大器30输出该特定发光元件5的工作电压，作为输出电压Vo。

特别地，在本实施例中，在大量发光元件5中的即使一个发光元件发生异常的情况下，运算放大器30的输出电压Vo也增加。因此，根据本实施例，通过如上所述监视来自这样的运算放大器30的输出电压Vo，在大量发光元件5中的即使一个发光元件发生异常的情况下，也能够检测出这种异常。

返回参考图2，继续给出根据实施例的检测电路20的描述。从运算放大器30输出的输出电压Vo被输入到比较器40的非反向输入端子。同时，从电压源41向比较器40的反向输入端子输入预定值(例如2.7V)的阈值电压Vth。

然后，比较器40通过比较输入到非反向输入端子的输出电压Vo和输入到反向输入端子的阈值电压Vth，来生成检测信号E1。

因此，在工作的多个发光元件5全部正常并且从运算放大器30输出值比阈值电压Vth低的输出电压Vo(例如2.2V)的情况下，比较器40输出低电平的检测信号E1。

另一方面，在多个发光元件5中的任何一个发生异常并且从运算放大器30输出值大于或等于阈值电压Vth的输出电压Vo(例如2.7V)的情况下，比较器40输出高电平的检测信号E1。

如上所述，通过由比较器40确定来自运算放大器30的输出，在多个发光元件5中即使一个发光元件发生异常的情况下，也可以简单且方便地检测上述异常。应当注意的是，在本实施方式中，阈值电压Vth的值不限于2.7V，而是可以基于发光元件5的工作电压等适当地设定。

从运算放大器30输出的输出电压Vo进一步输入到比较器50的非反向输入端子。此外，比较器50的反向输入端子和输出端子彼此导电连接。特别地，由于比较器50具有所谓的电压跟随器配置，所以输出电压Vo从比较器50原样输出。

从比较器50输出的输出电压Vo被输入到电平移位电路60。电平移位电路60包括比较器61和电阻R1至R4，电阻R1至R4都具有相等的电阻值。

比较器61的非反向输入端子通过电阻R1连接到电源电压Vcc并且通过电阻R2接地。同时，比较器61的反向输入端子通过电阻R3连接到比较器50的输出端子。此外，比较器61的输出端子通过电阻R4连接到比较器61的反向输入端子。

通过将来自运算放大器30的输出电压Vo输入到具有上述结构的电平移位电路60，从电平移位电路60输出来自电源电压Vcc的输出电压Vo的差分电压Vcc–Vo。

因此，在本实施例中，驱动电路3的控制单元可以基于如上所述的差分电压Vcc-Vo适当地控制电源电压Vcc，以降低驱动电路3的功耗。

此外，在本实施例中，用作缓冲器的比较器50设置在运算放大器30和电平移位电路60之间，使得流过电平移位电路60的电阻R3和R4的电流被供应至用作缓冲器的比较器50。因此，可以抑制放大器30的输出误差。

[各种变形例]

现在，参考图6和图7描述实施例的各种变形例。图6是示出根据本公开的实施例的变形例1的驱动电路3的配置的示例的电路图。

应注意，为便于理解，图6和图7中的示例针对于如下情况：在驱动电路3中设置有四个驱动单元10，其用于分别驱动未示出的八个发光元件5。此外，由于这种四个驱动单元10(以下也称为驱动单元10-1至10-4)的配置与图2中的示例的配置相似，因此省略了详细配置的图示。

变形例1的检测电路20包括与多个驱动单元10的数量相同数量的运算放大器30(以下也称为运算放大器30-1至30-4)、后级运算放大器70、比较器40和50、以及电平移位电路60。

在变形例1中，8个发光元件5的工作电压V1至V8从驱动单元10-1输出并输入到运算放大器30-1。然后，基于工作电压V1至V8从运算放大器30-1输出输出电压Vo1。

类似地，八个发光元件5的工作电压V9至V16从驱动单元10-2输出并输入到运算放大器30-2。然后，基于工作电压V9至V16从运算放大器30-2输出输出电压Vo2。

此外，八个发光元件5的工作电压V17至V24从驱动单元10-3输出并输入到运算放大器30-3。然后，基于工作电压V17至V24从运算放大器30-3输出输出电压Vo3。

此外，八个发光元件5的工作电压V25至V32从驱动单元10-4输出并输入到运算放大器30-4。然后，基于工作电压V25至V32从运算放大器30-4输出输出电压Vo4。

从运算放大器30-1至30-4输出的输出电压Vo1至Vo4被输入到后级运算放大器70。后级运算放大器70具有与运算放大器30类似的配置。特别地，后级运算放大器70是多输入单输出运算放大器，并且第三晶体管组71和第四晶体管72具有相对于彼此的差动配置。

第三晶体管组71包括与多个运算放大器30的数量相同数量的N型晶体管71-1至71-4，N型晶体管71-1至71-4并联连接。电源电压Vcc通过P型晶体管73供应至N型晶体管71-1至71-4的漏极。同时，N型晶体管71-1至71-4的源极通过恒流源75接地。

第四晶体管72包括N型晶体管。通过P型晶体管74向第四晶体管72的漏极提供电源电压Vcc。同时，第四晶体管72的源极通过恒流源75接地，并且第四晶体管72的栅极连接到在P型晶体管74的漏极和第四晶体管72的漏极之间的节点76。

此外，P型晶体管73的栅极和P型晶体管74的栅极共同连接到在P型晶体管73的漏极和N型晶体管71-1至71-4的漏极之间的部分。应当注意的是，P型晶体管73和P型晶体管74具有彼此相等的尺寸。

如上所述，在变形例1的后级运算放大器70中，从运算放大器30输出的输出电压Vo1至Vo4分别被输入到N型晶体管71-1至71-4(第三晶体管组71)的栅极，这些栅极是非反向输入端子。此外，在后级运算放大器70中，其输出从作为输出端子的节点76负反馈到第四晶体管72的栅极，第四晶体管72的该栅极是后级运算放大器70的反向输入端子。

因此，在32个发光元件5中的工作的发光元件5的工作电压都彼此相等的情况下，后级运算放大器70输出工作的发光元件5的工作电压的平均值作为输出电压Vo。

另一方面，在特定发光元件5的工作电压由于其异常等而高于其他发光元件5的工作电压的情况下，后级运算放大器70输出特定发光元件5的工作电压作为输出电压Vo。

例如，在由驱动单元10-1驱动的多个发光元件5中的特定发光元件5的工作电压高于其他发光元件5的工作电压的情况下，该特定发光元件5的工作电压作为输出电压Vo1从运算放大器30-1输出。

然后，由于输出电压Vo1的值高于其他运算放大器30-2至30-4的输出电压Vo2至Vo4的值，因此具有比其他值高的值的输出电压Vo1作为输出电压Vo，从后级运算放大器70输出。

特别地，在变形例1中，在大量发光元件5中的即使一个发光元件发生异常的情况下，来自后级运算放大器70的输出电压Vo增大。因此，在变形例1中，通过监视来自后级运算放大器70的输出电压Vo，在大量发光元件5中的即使一个发生异常的情况下，也能够简单且方便地检测出异常。

此外，在变形例1中，通过使用比较器40来确定来自后级运算放大器70的输出，在大量发光元件5中的即使一个发光元件发生异常的情况下，与实施例中一样，也能够简单且方便地检测异常。

此外，在变形例1中，与实施例中一样，从后级运算放大器70输出的输出电压Vo通过比较器50输入到电平移位电路60。因此，从电平移位电路60输出来自电源电压Vcc的输出电压Vo的差分电压Vcc-Vo。

因此，在变形例1中，可以基于刚刚描述的这种差分电压Vcc-Vo，通过驱动电路3的控制单元适当地控制电源电压Vcc来降低驱动电路3的功耗。

应当注意，在许多情况下，来自所有运算放大器30-1至30-4的输出电压Vo1至Vo4被输入到变形例1的后级运算放大器70。因此，在与实施例的运算放大器30不同的变形例1中，不需要第四晶体管72包括多个晶体管和多个开关，而是只要第四晶体管72被配置为具有与N型晶体管71-1至71-4的总尺寸相等的尺寸就足够了。

由于这可以使后级运算放大器70的配置简单且方便，因此可以降低驱动电路3的制造成本。

另一方面，像图3中示出的实施例的运算放大器30等一样，后级运算放大器70的第四晶体管72可以包括多个晶体管和多个开关。由此，能够从后级运算放大器70以更高的精度输出正在工作的所有发光元件5的工作电压的平均值。

图7是示出根据本公开的实施例的变形例2的驱动电路3的配置的示例的电路图。变形例2与变形例1相似的是：来自后级运算放大器70的输出电压Vo通过比较器50和电平移位电路60作为差分电压Vcc-Vo输出。应当注意，由于图7中的比较器50和电平移位电路60与图6的示例中的比较器50和电平移位电路60的配置相同，因此省略其详细配置的说明。

另一方面，变形例2在检测发光元件5的异常的比较器40的配置方面与变形例1不同。在刚刚描述的变形例2的驱动电路3中，分开地设置有与多个运算放大器30-1至30-4的数量相同的数量的比较器40-1至40-4、或(OR)电路80、以及与(AND)电路90。

从运算放大器30-1输出的输出电压Vo1被输入到比较器40-1的非反向输入端子。同时，从电压源41-1向比较器40-1的反向输入端子输入预定值(例如2.7V)的阈值电压Vth。

然后，比较器40-1通过将输入到非反向输入端子的输出电压Vo1和输入到反向输入端子的阈值电压Vth彼此比较，来生成检测信号E1-1。

因此，在由驱动单元10-1驱动的多个发光元件5全部正常并且从运算放大器30-1输出值低于阈值电压Vth的输出电压Vo1的情况下，比较器40-1输出低电平的检测信号E1-1。

另一方面，在由驱动单元10-1驱动的多个发光元件5中的任何一个发生异常并且从运算放大器30-1输出值等于或高于阈值电压Vth的输出电压Vo1的情况下，比较器40-1输出高电平的检测信号E1-1。

类似地，比较器40-2至40-4通过将输入到非反向输入端子的输出电压Vo2至Vo4和分别从电压源41-2至41-4输入到反向输入端子的阈值电压Vth彼此比较，来生成检测信号E1-2至E1-4。

因此，在由驱动单元10-2至10-4驱动的多个发光元件5全部正常的情况下，分别从运算放大器30-2至30-4输出值低于阈值电压Vth的输出电压Vo2至Vo4。在这种情况下，比较器40-2至40-4分别输出低电平的检测信号E1-2至E1-4。

另一方面，在由驱动单元10-2至10-4驱动的多个发光元件5中的任何一个发生异常的情况下，从运算放大器30-2至30-4中的至少一个输出各自具有等于或高于阈值电压Vth的值的输出电压Vo2至Vo4。在这种情况下，比较器40-2至40-4中的至少一个输出高电平的检测信号E1-2至E1-4。

然后，从比较器40-1至40-4输出的检测信号E1-1至E1-4被输入到或电路80。因此，在由驱动单元10-1至10-4驱动的多个发光元件5全部正常的情况下，或电路80输出低电平的检测信号E2。

另一方面，在由驱动单元10-1至10-4驱动的多个发光元件5中的任何一个发生异常的情况下，或电路80输出高电平的检测信号E2。

然后，从或电路80输出的检测信号E2被输入到与电路90。此外，向与电路90输入信号S1。信号S1在发光元件5的异常检测模式有效的情况下表示高电平，但在发光元件5的异常检测模式无效的情况下表示低电平。

因此，在多个发光元件5的异常检测模式确认有效的情况下，除了输入高电平的检测信号E2之外，与电路90还输出高电平的检测信号E3。

如上所述，在变形例2中，发光元件5的异常检测不是基于来自后级运算放大器70的输出电压Vo，而是基于来自前级运算放大器30-1至30-4的输出电压Vo1至Vo4。因此，由于可以基于从更靠近多个发光元件5的位置输出的输出电压Vo1至Vo4来检测异常，因此可以高精度地实现异常检测。

此外，在变形例2中，额外设置与电路90使得仅在发光元件5的异常检测模式被验证有效的情况下执行异常检测。因此，在例如在驱动电路3开始操作时的过渡状态中，多个发光元件5的工作电压不稳定的情况下，可以抑制错误地检测到一个或多个发光元件5的异常的情况。应注意，如刚才描述的这样的与电路90可以另外地在实施例或变形例1中的比较器40的后续级提供给比较器40。

应注意，在上述变形例1、2中，说明了在驱动电路3操作32个发光元件5的情况下，设置4个驱动单元10和4个运算放大器30的示例。同时，在本公开中，发光元件5、驱动单元10、和运算放大器30的数量不限于上述示例中的数量。

例如，在发光元件阵列2中设置800个发光元件5的情况下，可以在驱动电路3中设置16个驱动单元10和16个运算放大器30，使得每50个发光元件5连接一个驱动单元10和一个运算放大器30。

此外，在上述实施例中，示出了驱动单元10包括P型晶体管，并且驱动单元10驱动阴极公共连接的多个发光元件5，同时所有的第一晶体管组31和第二晶体管32包括N型晶体管的示例。

另一方面，根据本公开，驱动单元10可以另外包括N型晶体管，并且驱动单元10驱动阳极公共连接的多个发光元件5，同时所有的第一晶体管组31和第二晶体管32包括P型晶体管。

应当注意，本说明书中描述的有利效果是示例性的，而不是限制性的，并且一些其它效果也可以适用。

应当注意，本技术也可以采用如下所述的这种配置。

(1)

一种检测电路，包括：

多输入单输出运算放大器，包括：

第一晶体管组，该第一晶体管组包括并联连接的多个晶体管，使得用于多个发光元件的工作电压被分别输入到该多个晶体管的栅极，该栅极是该运算放大器的非反向输入端子，以及

第二晶体管，与该第一晶体管组协作以形成差动配置并且具有栅极，该第二晶体管的栅极是该运算放大器的反向输入端子，并且来自输出端子的输出被负反馈到该第二晶体管的栅极。

(2)

根据上述(1)所述的检测电路，其中

该第二晶体管包括并联连接的多个晶体管，并且

该检测电路还包括控制单元，该控制单元被配置为控制该第二晶体管中的该多个晶体管的连接状态，使得该第一晶体管组的尺寸和该第二晶体管的尺寸彼此一致。

(3)

根据上述(1)或(2)所述的检测电路，还包括：

比较器，被配置为将从运算放大器输出的输出电压与预定阈值电压彼此比较。

(4)

根据上述(1)至(3)中任一项所述的检测电路，还包括：

多个运算放大器；以及

多输入单输出后级运算放大器，包括：第三晶体管组，第三晶体管组包括并联连接的多个晶体管，使得多个运算放大器的输出被分别输入到多个晶体管的栅极，该栅极是该后级运算放大器的非反向输入端子；以及第四晶体管，第四晶体管与第三晶体管组协作以形成差动配置并且具有栅极，该第四晶体管的栅极是后级运算放大器的反向输入端子，并且来自输出端子的输出被负反馈到该第四晶体管的栅极。

(5)

根据上述(4)所述的检测电路，还包括：

比较器，被配置为将从后级运算放大器输出的输出电压与预定阈值彼此比较。

(6)

根据上述(4)所述的检测电路，还包括：

多个比较器，该多个比较器被配置为将从该多个运算放大器输出的输出电压单独地与预定阈值彼此进行比较。

(7)

一种驱动电路，包括：

驱动单元，被配置为驱动多个发光元件；以及

多输入单输出运算放大器，包括：第一晶体管组，该第一晶体管组包括并联连接的多个晶体管，使得用于多个发光元件的工作电压被分别输入到该多个晶体管的栅极，该多个晶体管的栅极是该运算放大器的非反向输入端子；以及第二晶体管，该第二晶体管与该第一晶体管组协作以形成差动配置并且具有栅极，该第二晶体管的栅极是该运算放大器的反向输入端子，并且来自输出端子的输出被负反馈到该第二晶体管的栅极。

(8)

根据上述(7)的驱动电路，其中

驱动单元包括P型晶体管，并且驱动单元驱动阴极公共连接的多个发光元件，并且

第一晶体管组中的多个晶体管和第二晶体管均包括N型晶体管。

(9)

根据上述(7)的驱动电路，其中

驱动单元包括N型晶体管，并且驱动单元驱动阳极共同连接的多个发光元件，并且

第一晶体管组中的多个晶体管和第二晶体管均包括P型晶体管。

(10)

一种发光器件，包括：

发光元件阵列，该发光元件阵列中设置有多个发光元件；

驱动单元，被配置为驱动发光元件阵列的多个发光元件；以及多输入单输出运算放大器，包括：第一晶体管组，该第一晶体管组包括并联连接的多个晶体管，使得用于多个发光元件的工作电压被分别输入到该多个晶体管的栅极，该多个晶体管的栅极是该运算放大器的非反向输入端子；以及第二晶体管，该第二晶体管与该第一晶体管组协作以形成差动配置并且具有栅极，该第二晶体管的栅极是该运算放大器的反向输入端子，并且来自输出端子的输出被负反馈到该第二晶体管的栅极。

参考符号列表

1：发光器件

2：发光元件阵列

3：驱动电路

5、5-1至5-8：发光元件

10：驱动单元

20：检测电路

30：运算放大器

31：第一晶体管组

32：第二晶体管

40、40-1至40-4：比较器

70：后级运算放大器

71：第三晶体管组

72：第四晶体管

V1至V32：工作电压

Vo：输出电压。

Claims (10)

1.一种检测电路，包括：

多输入单输出运算放大器，包括：

第一晶体管组，其包括并联连接的多个晶体管，使得用于多个发光元件的工作电压被分别输入到所述多个晶体管的栅极，所述多个晶体管的栅极是所述运算放大器的非反向输入端子，以及

第二晶体管，所述第二晶体管与所述第一晶体管组协作以形成差动配置并且具有一栅极，所述第二晶体管的栅极是所述运算放大器的反向输入端子，并且来自输出端子的输出被负反馈到所述第二晶体管的栅极。

2.根据权利要求1所述的检测电路，其中，

所述第二晶体管包括并联连接的多个晶体管，以及

所述检测电路还包括控制单元，所述控制单元被配置为控制所述第二晶体管中的所述多个晶体管的连接状态，使得所述第一晶体管组的尺寸和所述第二晶体管的尺寸彼此一致。

3.根据权利要求1所述的检测电路，还包括：

比较器，被配置为将所述运算放大器输出的输出电压与预定阈值电压彼此进行比较。

4.根据权利要求1所述的检测电路，还包括：

多个运算放大器；以及

多输入单输出后级运算放大器，其包括：第三晶体管组，所述第三晶体管组包括并联连接的多个晶体管，使得所述多个运算放大器的输出分别输入到多个晶体管的栅极，所述多个晶体管的栅极是所述后级运算放大器的非反向输入端子；以及第四晶体管，所述第四晶体管与所述第三晶体管组协作以形成差动配置并具有一栅极，所述第四晶体管的栅极是所述后级运算放大器的反向输入端子，并且来自输出端子的输出被负反馈到所述第四晶体管的栅极。

5.根据权利要求4所述的检测电路，还包括：

比较器，被配置为将从所述后级运算放大器输出的输出电压与预定阈值彼此进行比较。

6.根据权利要求4所述的检测电路，还包括：

多个比较器，被配置为将从所述多个运算放大器输出的输出电压单独地与预定阈值彼此进行比较。

7.一种驱动电路，包括：

驱动单元，被配置为驱动多个发光元件；以及

多输入单输出运算放大器，包括：第一晶体管组，所述第一晶体管组包括并联连接的多个晶体管，使得用于所述多个发光元件的工作电压被分别输入到所述多个晶体管的栅极，所述多个晶体管的栅极是所述运算放大器的非反向输入端子；以及第二晶体管，所述第二晶体管与所述第一晶体管组协作以形成差动配置并且具有一栅极，所述第二晶体管的栅极是所述运算放大器的反向输入端子，并且来自输出端子的输出被负反馈到所述第二晶体管的栅极。

8.根据权利要求7所述的驱动电路，其中，

所述驱动单元包括P型晶体管并且驱动所述多个发光元件，所述多个发光元件的阴极共同连接，并且

所述第一晶体管组的多个晶体管和所述第二晶体管全都包括N型晶体管。

9.根据权利要求7所述的驱动电路，其中，

所述驱动单元包括N型晶体管并且驱动所述多个发光元件，所述多个发光元件的阳极共同连接，并且

所述第一晶体管组的多个晶体管和所述第二晶体管全都包括P型晶体管。

10.一种发光器件，包括：

发光元件阵列，在所述发光元件阵列中设置有多个发光元件；

驱动单元，被配置为驱动所述发光元件阵列的所述多个发光元件；以及

多输入单输出运算放大器，包括：第一晶体管组，所述第一晶体管组包括并联连接的多个晶体管，使得用于所述多个发光元件的工作电压被分别输入到所述多个晶体管的栅极，所述多个晶体管的栅极是所述运算放大器的非反向输入端子；以及第二晶体管，所述第二晶体管与所述第一晶体管组协作以形成差动配置并且具有一栅极，所述第二晶体管的栅极是所述运算放大器的反向输入端子，并且来自输出端子的输出被负反馈到所述第二晶体管的栅极。

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