CN112750868A - 显示装置 - Google Patents

显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN112750868A
CN112750868A CN202011080004.7A CN202011080004A CN112750868A CN 112750868 A CN112750868 A CN 112750868A CN 202011080004 A CN202011080004 A CN 202011080004A CN 112750868 A CN112750868 A CN 112750868A
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
pad
electrode
auxiliary layer
display device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202011080004.7A
Other languages
English (en)
Inventor
金志训
梁伸赫
许宗茂
姜东汉
申旼澈
李准起
赵宰契
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Display Co Ltd
Original Assignee
Samsung Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Display Co Ltd filed Critical Samsung Display Co Ltd
Publication of CN112750868A publication Critical patent/CN112750868A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
    • H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
    • H01L21/76838—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
    • H01L21/76895—Local interconnects; Local pads, as exemplified by patent document EP0896365
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/1201—Manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/123—Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • H10K59/1315—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals comprising structures specially adapted for lowering the resistance
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/38—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/10—Transparent electrodes, e.g. using graphene
    • H10K2102/101—Transparent electrodes, e.g. using graphene comprising transparent conductive oxides [TCO]
    • H10K2102/103—Transparent electrodes, e.g. using graphene comprising transparent conductive oxides [TCO] comprising indium oxides, e.g. ITO
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/126—Shielding, e.g. light-blocking means over the TFTs

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

本公开涉及显示装置，所述显示装置包括：基底，包括显示区域和非显示区域；晶体管，设置在所述显示区域中；焊盘，设置在所述非显示区域中；以及绝缘层，设置在所述晶体管上并且限定在平面图中与所述焊盘重叠的开口。所述焊盘包括主层、在所述主层上的第一辅助层和在所述第一辅助层上的第二辅助层，并且所述第二辅助层限定所述开口。

Description

显示装置
相关申请的交叉引用
本申请要求于2019年10月30日提交的第10-2019-0136578号韩国专利申请的优先权和从其获得的所有权益，上述韩国专利申请的内容通过引用全部包含于此。
技术领域
本公开涉及显示装置。
背景技术
使用诸如发光显示装置和液晶显示装置的显示装置。显示装置包括显示面板，该显示面板包括显示图像的像素。除了像素之外，在显示面板中还形成有电路、用于输入用于控制像素和电路的信号的焊盘以及连接到焊盘以传输信号的信号线。
发明内容
焊盘包括未被绝缘层覆盖而暴露的部分。由于暴露的部分可能在随后的工艺中被损坏，因此焊盘的顶部可以提供有可防止损坏的导电层，并且导电层可以通过在形成下部导电层之后进一步处理来形成。
根据实施例，显示装置具有具备改善的可靠性的焊盘，所述焊盘可以在不增加掩模的情况下形成。
根据一个或多个实施例的显示装置包括：基底，包括显示区域和非显示区域；晶体管，设置在所述显示区域中；焊盘，设置在所述非显示区域中；以及绝缘层，设置在所述晶体管上并且限定在平面图中与所述焊盘重叠的开口。所述焊盘包括主层、在所述主层上的第一辅助层和在所述第一辅助层上的第二辅助层，并且所述第二辅助层限定所述开口。
所述绝缘层可以覆盖所述焊盘的边缘，并且所述第二辅助层可以设置在所述第一辅助层和所述绝缘层之间。
所述第二辅助层的边缘和所述第一辅助层的边缘可以基本上彼此重合。
所述第二辅助层可以包括导电氧化物。
所述导电氧化物可以包括氧化锌铟、氧化镓锌和氧化铝锌中的至少一种。
所述主层可以包含铜，并且所述第一辅助层可以包含钛。
所述焊盘还可以包括在所述主层下方的第三辅助层。
所述焊盘可以连接到设置在所述显示区域中的信号线。
所述显示装置还可以包括：焊盘连接电极，与所述焊盘重叠，其中，所述焊盘可以通过所述焊盘连接电极连接到所述信号线。
所述信号线可以是传输数据电压的数据线，并且所述焊盘连接电极可以设置在与所述数据线相同的层中。
所述显示装置还可以包括：连接构件，设置在所述晶体管的源电极或漏电极上并且连接到所述源电极或所述漏电极，其中，所述焊盘可以设置在与所述连接构件相同的层中。
所述信号线可以是传输数据电压的数据线，并且所述焊盘可以设置在与所述数据线相同的层中。
所述焊盘和所述数据线可以是整体的。
所述焊盘可以设置在与所述晶体管的所述栅电极相同的层中。
根据一个或多个实施例的显示装置包括：基底；焊盘，设置在所述基底上；以及第一绝缘层，设置在所述焊盘上并且限定与所述焊盘的一部分重叠的开口。所述焊盘包括主层、在所述主层上的第一辅助层和在所述第一辅助层上的第二辅助层，并且所述第一辅助层在其中所述第二辅助层限定所述开口的区域中被暴露。
所述第一绝缘层可以覆盖所述焊盘的边缘，并且所述第二辅助层可以设置在所述第一辅助层和所述第一绝缘层之间。
所述主层的边缘、所述第一辅助层的边缘和所述第二辅助层的边缘可以基本上彼此重合。
所述主层可以包含铜，所述第一辅助层可以包含钛、钼和钨中的至少一种，并且所述第二辅助层可以包含氧化锌铟、氧化镓锌和氧化铝锌中的至少一种。
所述显示装置还可以包括：第二绝缘层，设置在所述第一绝缘层上并且限定所述开口，其中，所述第一绝缘层可以包括无机绝缘材料，并且所述第二绝缘层可以包括有机绝缘材料。
所述显示装置还可以包括：数据线，连接到所述焊盘并且传输数据电压，其中，所述焊盘可以设置在与所述数据线相同的层中。
根据实施例，能够提供一种可以在不增加掩模的情况下形成的具有具备改善的可靠性的焊盘的显示装置。另外，根据实施例的显示装置可以提供在整个本说明书中可以被认识到的效果。
附图说明
图1示意性地示出了根据实施例的显示装置的俯视平面图。
图2示出了沿着图1的线A-A'截取的实施例的示意性截面图。
图3示出了图2的区域B的放大图。
图4、图5、图6和图7是示出根据实施例的显示装置的制造方法的截面图。
图8示出了沿着图1的线A-A'截取的实施例的示意性截面图。
图9示出了根据实施例的显示装置的示意性截面图。
图10示出了图9的区域C的放大图。
图11、图12和图13是示出根据实施例的显示装置的制造方法的截面图。
图14示出了根据实施例的显示装置的示意性截面图。
图15示出了根据实施例的显示装置的示意性截面图。
图16示出了根据实施例的显示器的一个像素的等效电路图。
具体实施方式
在下文中，将参照其中示出了实施例的附图更充分地描述本发明构思。如本领域技术人员将认识到的，在全部不脱离本公开的精神或范围的情况下，可以以各种不同的方式修改所描述的实施例。
将省略与描述无关的部件以清楚地描述本公开，且在整个说明书中，同样的附图标记指示同样的元件。
此外，在附图中，为了便于描述，任意地示出了每个元件的尺寸和厚度，但是本公开不限于附图中所示的尺寸和厚度。在附图中，为了清楚起见，夸大了层、膜、面板、区位、区域等的厚度。在附图中，为了便于描述，夸大了一些层和区位的厚度。
将理解的是，当诸如层、膜、区域或基底的元件被称为“在”另一元件“上”时，该元件可以直接在所述另一元件上，或者也可以存在中间元件。相比之下，当将元件被称为“直接在”另一元件“上”时，不存在中间元件。
在说明书中，除非明确地描述为相反，否则词语“包括”、“包含”、“含有”和/或“具有”将被理解为隐含包括所陈述的元件，但是不排除任何其他元件。
在附图中，作为用于指示方向的符号，“x”是第一方向，“y”是与第一方向垂直的第二方向，并且“z”是与第一方向和第二方向垂直的第三方向。第一方向x、第二方向y和第三方向z可以分别对应于显示装置的水平方向、垂直方向和厚度方向。
将理解的是，尽管在本文中可以使用术语“第一”、“第二”、“第三”等来描述各种元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应受这些术语的限制。这些术语仅是用于将一个元件、一个组件、一个区域、一个层或一个部分与另一元件、另一组件、另一区域、另一层或另一部分区分开。因此，在不脱离本文中的教导的情况下，下面讨论的“第一元件”、“第一组件”、“第一区域”、“第一层”或“第一部分”可以被命名为第二元件、第二组件、第二区域、第二层或第二部分。
本文中所使用的术语仅是为了描述特定实施例的目的，而不意图是限制性的。如本文所使用的，除非上下文另有明确指示，否则单数形式“一个”、“一种”和“所述(该)”也意图包括复数形式，包括“至少一个(种)”。“至少一个(种)”不被解释为限于“一个”或“一种”。“或”表示“和/或”。如本文中所使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关所列项的任意组合和所有组合。还将理解的是，当在本说明书中使用时，术语“包括”和/或“包含”或者“含有”和/或“具有”说明存在所陈述的特征、区域、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但不排除存在或添加一个或多个其他特征、区域、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。
此外，在本文中可以使用诸如“下”或“底部”和“上”或“顶部”的相对术语，以描述如附图中所示的一个元件与另一元件的关系。将理解的是，除了附图中所描绘的方位之外，相对术语还旨在涵盖装置的不同方位。例如，如果在一幅附图中装置被翻转，则描述为在其他元件的“下”侧的元件随后将被定位在其他元件“上”侧。因此，根据附图的具体方位，术语“下”可以涵盖“下”和“上”两种方位。类似地，如果在一幅附图中装置被翻转，则描述为在其他元件“下方”或“下面”的元件随后将被定位在其他元件“上方”。因此，术语“在……下方”或“在……下面”可以涵盖上方和下方两种方位。
在本说明书中，除非另有说明，否则“重叠”表示当在平面图中观察时重叠，并且在第三方向z上重叠。
图1示意性地示出了根据实施例的显示装置的俯视平面图。
参照图1，显示装置包括显示面板10。显示面板10包括用于显示图像的显示区域DA和非显示区域NA，在非显示区域NA中设置有用于产生和/或传输施加到显示区域DA的各种信号的电路和/或信号线，并且非显示区域NA在显示区域DA周围。
例如，在显示面板10的显示区域DA中，像素PX以矩阵的形式布置。诸如数据线DL和栅极线GL的信号线设置在显示区域DA中。栅极线GL可以基本上在第一方向x(例如，图1中的行方向)上延伸，并且数据线DL可以基本上在第二方向y(例如，图1中的列方向)上延伸。栅极线GL和数据线DL可以连接到每个像素PX，并且每个像素PX可以从信号线接收栅极信号和数据电压。在发光显示装置的情况下，在显示区域DA中可以设置用于将驱动电压传输到像素PX的驱动电压线(未示出)。另外，在显示区域DA中可以进一步设置用于传输感测信号的感测信号线、用于传输发光控制信号的发光控制线和/或用于传输初始化电压的初始化电压线。
在显示区域DA中，可以设置用于检测用户的接触或非接触触摸的触摸传感器层。
在显示面板10的非显示区域NA中设置有焊盘部分PP，在焊盘部分PP中布置有与用于从显示面板10的外部接收信号的输入连接端子对应的焊盘。根据显示面板10的尺寸，可以包括彼此间隔开的多个焊盘部分PP。诸如柔性印刷电路膜的电子组件可以接合到焊盘部分PP，并且电子组件的焊盘和/或凸块可以电连接到焊盘部分PP的焊盘。
在显示装置的显示面板10的非显示区域NA中包括用于产生和/或处理用于驱动显示面板10的各种信号的驱动单元。该驱动单元可以包括用于将数据电压施加到数据线DL的数据驱动器(未示出)、用于将栅极信号施加到栅极线GL的栅极驱动器GD和用于控制数据驱动器和栅极驱动器GD的信号控制器(未示出)。
栅极驱动器GD可以设置在显示面板10中，并且可以集成在设置在显示区域DA的至少一侧的非显示区域NA中。可以将栅极驱动器GD提供为一种类型的集成电路芯片。可以将数据驱动器提供为一种类型的集成电路芯片，并且该数据驱动器可以设置在柔性印刷电路膜中，该柔性印刷电路膜接合到焊盘部分PP或显示面板10的非显示区域NA。可以将信号控制器提供为一种类型的集成电路芯片，并且该信号控制器可以设置在印刷电路板上，柔性印刷电路膜接合到该印刷电路板。可以将数据驱动器和信号控制器两者提供为一种类型的集成芯片。
图2示出了沿着图1的线A-A'截取的实施例的示意性截面图，并且图3示出了图2的区域B的放大图。
参照图2和图3，将详细描述显示面板10的截面结构。
显示面板10包括基底110和形成在基底110上的层、布线和元件。尽管在显示面板10的显示区域DA中设置了大量像素PX，但是为了避免附图的复杂化，仅简要示出并描述了一个像素PX。另外，显示区域DA的每个像素PX可以包括多个晶体管、一个或多个电容器以及发光二极管。然而，这里，将一个晶体管TR、一个存储电容器SC和一个发光二极管LED示出和描述为示例。
基底110可以是由玻璃、石英或陶瓷等制成的刚性基底。基底110可以是由诸如聚酰亚胺或聚酰胺的聚合物制成的柔性基底。
在基底110上可以设置光阻挡层LB。光阻挡层LB可以防止外部光到达晶体管TR的半导体层AL，从而防止半导体层AL的特性的劣化。光阻挡层LB可以控制晶体管TR的漏电流，晶体管TR具体为其电流特性在发光显示装置中重要的驱动晶体管。光阻挡层LB可以包含不透射将被阻挡的波段的光的材料，并且可以是金属层。光阻挡层LB可以用作在显示面板10中向其施加特定电压的电极。在这种情况下，晶体管TR的电压-电流特性图的饱和区域中的电流的变化率减小，使得可以改善晶体管的特性。
在光阻挡层LB上可以设置缓冲层120。在形成半导体层AL的工艺中，缓冲层120可以阻挡可能从基底110扩散到半导体层AL的杂质，并且可以减小施加到基底110的应力。缓冲层120是可以包含诸如氧化硅和氮化硅的无机绝缘材料的绝缘层。
晶体管TR的半导体层AL可以设置在缓冲层120上。半导体层AL可以包括与栅电极GE重叠的沟道区以及位于沟道区的各自侧的掺杂的源极区和漏极区。半导体层AL可以包括诸如氧化物半导体、多晶硅和非晶硅的半导体材料。
在半导体层AL上可以设置栅极绝缘层140，栅极绝缘层140包含诸如氧化硅和氮化硅的无机绝缘材料。
在栅极绝缘层140上可以设置栅极导体，该栅极导体包括栅极线GL、晶体管TR的栅电极GE、存储电容器SC的第一电极CE1和焊盘连接线PCL。焊盘连接线PCL是将焊盘部分PP的焊盘PD连接到诸如数据线DL的信号线的线，并且焊盘连接线PCL可以设置在显示区域DA和焊盘部分PP之间。焊盘连接线PCL可以是信号线的延伸部。第一电极CE1可以连接到栅电极GE。栅极导体可以包含诸如铜(Cu)、钼(Mo)、铝(Al)、银(Ag)、铬(Cr)、钽(Ta)和钛(Ti)的金属。栅极导体可以是多层。例如，栅极导体可以是双层，该双层包括包含钼(Mo)和/或钛(Ti)的下部辅助层以及包含诸如铜(Cu)的低电阻率的金属的上部主层。在附图中所示的结构中，栅极导体是包括薄的辅助层和厚的主层的双层。
在栅极绝缘层140和栅极导体上可以设置第一层间绝缘层161。第一层间绝缘层161可以包含诸如氧化硅和氮化硅的无机绝缘材料。
在第一层间绝缘层161上可以设置第一数据导体，该第一数据导体包括晶体管TR的源电极SE和漏电极DE、数据线DL、存储电容器SC的第二电极CE2和焊盘连接电极PCE。源电极SE和漏电极DE可以分别通过限定在第一层间绝缘层161中的开口连接到半导体层AL的源极区和漏极区。源电极SE和漏电极DE中的一个可以通过限定在第一层间绝缘层161和缓冲层120中的开口连接到光阻挡层LB。数据线DL和焊盘连接电极PCE可以通过限定在第一层间绝缘层161中的开口连接到焊盘连接线PCL。因此，数据线DL和焊盘连接电极PCE可以通过焊盘连接线PCL电连接。第二电极CE2可以连接到漏电极DE。
第一数据导体可以包含诸如铜(Cu)、铝(Al)、银(Ag)、钛(Ti)、钼(Mo)、钨(W)、铬(Cr)和钽(Ta)的金属。第一数据导体可以是多层，例如，诸如钛/铜(Ti/Cu)或钛/铝(Ti/Al)的双层。多层第一数据导体的相对厚的主层可以包含低电阻率的金属，并且多层第一数据导体的下部辅助层和/或上部辅助层可以包含可以改善与其他层的接触特性的金属。在图2和图3中示出的所示实施例中，焊盘连接电极PCE包括主层和其下方的辅助层。
栅电极GE、源电极SE和漏电极DE与半导体层AL一起形成晶体管TR。晶体管TR的结构可以进行各种改变。
在第一层间绝缘层161和第一数据导体上可以设置第二层间绝缘层162。第二层间绝缘层162可以包含诸如氧化硅和氮化硅的无机绝缘材料。
在第二层间绝缘层162上可以设置第二数据导体，该第二数据导体包括连接构件CM和焊盘PD。第二数据导体还可以包括诸如驱动电压线、公共电压线和/或初始化电压线的电源线。连接构件CM可以通过限定在第二层间绝缘层162中的开口连接到漏电极DE。焊盘PD可以在平面图中与焊盘连接电极PCE重叠，并且焊盘PD可以通过限定在第二层间绝缘层162中的开口连接到焊盘连接电极PCE。由于焊盘连接电极PCE电连接到诸如数据线DL的信号线，因此焊盘PD可以电连接到信号线。焊盘PD是通过各向异性导电膜或焊料等电连接到诸如柔性印刷电路膜的焊盘的部分。焊盘PD的上表面的至少一部分可以在诸如柔性印刷电路膜的电子组件连接到其之前暴露于外部。
第二数据导体可以包含诸如铜(Cu)、铝(Al)、银(Ag)、钛(Ti)、钼(Mo)、钨(W)、铬(Cr)和钽(Ta)的金属。第二数据导体可以是至少包括三个层的多层。在各层具有不同的材料的同时，多层可以通过相继地堆叠各层而形成。第二数据导体可以包括包含低电阻率的金属的主层、顺序地设置在主层的上部处的第一辅助层和第二辅助层。第二数据导体还可以包括设置在主层的下部处的第三辅助层。第三辅助层、主层、第一辅助层和第二辅助层可以具有基本上重合的边缘。
作为第二数据导体的多层结构的示例，焊盘PD包括以此次序顺序地堆叠的第三辅助层P3、主层P0、第一辅助层P1和第二辅助层P2。
设置在焊盘PD的底部处的第三辅助层P3与焊盘连接电极PCE接触，并且可以包含诸如钛(Ti)或钼(Mo)等的金属。主层P0可以包含诸如铜(Cu)、铝(Al)和银(Ag)的低电阻率的金属。
在显示面板10的制造中形成第二数据导体之后，第一辅助层P1可以防止主层P0在随后的工艺(例如，用于形成发光二极管LED的第一电极E1的蚀刻工艺)中被损坏。第一辅助层P1可以包含诸如钛(Ti)、钼(Mo)和钨(W)的耐腐蚀材料。
第一辅助层P1的表面可以被氧化，并且诸如氧化钛(TiOx)的氧化物可以作为氧化的结果形成在第一辅助层P1的表面上。由于这种氧化物形成了膜(即，氧化膜)，因此当厚地或不均匀地形成氧化膜时，难以控制用于形成第二数据导体的蚀刻工艺，并且第二数据导体的均匀性可能会降低。另外，可能不均匀地形成焊盘部分PP的焊盘PD，并且焊盘PD的特性可能劣化。
根据实施例，第二辅助层P2设置在第一辅助层P1上，从而抑制了第一辅助层P1的氧化膜的出现。因此，可以减小第一辅助层P1的氧化膜的厚度和离差(dispersion)，用于形成第二数据导体的蚀刻工艺是容易的，并且能够改善与第二数据导体(具体地，焊盘PD)的锥度、偏斜和上尖端等相关的结构均匀性。
第二辅助层P2可以包括可被不蚀刻或不损坏第一辅助层P1的蚀刻剂蚀刻的材料，或者可以由可被不蚀刻或不损坏第一辅助层P1的蚀刻剂蚀刻的材料形成。例如，第二辅助层P2可以包括诸如氧化锌铟(“ZIO”)、氧化镓锌(“GZO”)和氧化铝锌(“AZO”)的导电氧化物。在氧化锌铟(ZIO)中，锌(Zn)∶铟(In)的比率可以为约9∶1至约1∶9。在氧化镓锌(GZO)中，锌的比率可以为约10％至约90％。第二辅助层P2可以包含绝缘材料。
在第二层间绝缘层162和第二数据导体上可以设置钝化层181。钝化层181是可以包含诸如氧化硅和氮化硅的无机绝缘材料的绝缘层。钝化层181可以包含有机绝缘材料。
钝化层181在平面图中限定与焊盘PD重叠的开口81，使得焊盘PD可以暴露于外部，以与柔性印刷电路膜的焊盘等连接。限定开口81，使得焊盘PD的上表面不被完全暴露，并且钝化层181覆盖焊盘PD的边缘。焊盘PD的第二辅助层P2可以与钝化层181重叠并且可以限定开口81。第二辅助层P2的边缘可以与第一辅助层P1的边缘基本上重合。焊盘PD的与开口81重叠的部分可以是第一辅助层P1的上表面。
在钝化层181上可以设置绝缘层182，绝缘层182包含诸如聚酰亚胺、丙烯酸聚合物或硅氧烷聚合物的有机绝缘材料。焊盘PD可以通过限定在绝缘层182和钝化层181中的开口81暴露。
在绝缘层182上可以设置发光二极管LED的第一电极E1。第一电极E1可以通过限定在钝化层181和绝缘层182中的开口82连接到连接构件CM。可以去除作为第二数据导体的连接构件CM的第二辅助层(即，连接构件CM的上层)中的与开口82重叠的部分。第一电极E1可以通过连接构件CM电连接到晶体管TR的漏电极DE。发光二极管LED的第一电极E1包含诸如银(Ag)、镍(Ni)、金(Au)、铂(Pt)、铝(Al)、铜(Cu)、钕(Nd)和镧(La)的金属。第一电极E1可以包含诸如氧化铟锡(“ITO”)和氧化铟锌(“IZO”)的透明导电氧化物。第一电极E1可以是诸如ITO/银(Ag)/ITO和ITO/铝(Al)的多层。
在绝缘层182上可以设置具有与第一电极E1重叠的开口的分隔壁360。限定在分隔壁360中的开口可以限定每个像素区域，并且可以被称为像素限定层。分隔壁360是可以包含诸如聚酰亚胺或聚丙烯的有机绝缘材料的绝缘层。
在第一电极E1上设置发光层EL，并且在发光层EL上设置第二电极E2。第二电极E2可以通过形成诸如钙(Ca)、钡(Ba)、镁(Mg)、铝(Al)或银(Ag)等的具有低功函数的金属或金属合金的薄层而具有透光率。第二电极E2可以包含诸如ITO和IZO的透明导电氧化物。
每个像素PX的第一电极E1、发光层EL和第二电极E2形成诸如有机发光二极管的发光二极管LED。第一电极E1可以是阳极，并且第二电极E2可以是阴极。
在第二电极E2上可以设置封装层(未示出)以密封发光二极管LED等，以防止湿气或氧从外部渗入。封装层可以是通过蒸发等形成的薄膜封装层，或者可以是通过密封剂接合的基底，并且可以设置为不覆盖焊盘PD。
将参照图4至图7描述制造具有如图2中所示的截面结构的显示面板的方法。
图4、图5、图6和图7是示出根据实施例的显示装置的制造方法的截面图。
参照图4，通过溅射等在基底110上形成导电层，并且通过光刻工艺使导电层图案化来形成光阻挡层LB。在下文中，通过使用光致抗蚀剂和掩模的光刻工艺的图案化被简称为图案化。
在其上通过化学气相沉积等形成有光阻挡层LB的基底110上由无机绝缘材料形成缓冲层120。通过在缓冲层120上经由化学气相沉积形成半导体材料层并使该半导体材料层图案化来形成半导体层AL。在其上形成有半导体层AL的基底110上(更具体地，在缓冲层120上)由无机绝缘材料形成栅极绝缘层140。在该步骤中，栅极绝缘层140形成在基底110的整个表面上方(更具体地，形成在缓冲层120的整个表面上方)。
在栅极绝缘层140上通过溅射等形成导电层并使该导电层图案化，以形成包括栅电极GE、第一电极CE1和焊盘连接线PCL的栅极导体。在该步骤中，可以蚀刻栅极绝缘层140，并且然后栅极绝缘层140可以仅保持设置在与栅极导体重叠的区域中。由于去除了栅极绝缘层140的不与栅电极GE重叠的部分，因此在蚀刻之后，源极区和漏极区可以在半导体层AL中被暴露。
第一层间绝缘层161由无机绝缘材料形成，并且在其上形成有栅极导体的基底110上(更具体地，在缓冲层120上)被图案化，并且在第一层间绝缘层161中限定与半导体层AL的源极区和漏极区以及焊盘连接线PCL重叠的开口。在该步骤中，可以在第一层间绝缘层161和缓冲层120中限定与光阻挡层LB重叠的开口。
在第一层间绝缘层161上形成导电层并使该导电层图案化，以形成包括晶体管TR的源电极SE和漏电极DE、数据线DL、存储电容器SC的第二电极CE2和焊盘连接电极PCE的第一数据导体。源电极SE、漏电极DE、数据线DL和焊盘连接电极PCE可以通过如图4中所示地限定在第一层间绝缘层161中的开口连接到源极区、漏极区和焊盘连接线PCL。漏电极DE也可以通过限定在第一层间绝缘层161和缓冲层120中的开口连接到光阻挡层LB。例如，第一数据导体可以包括通过顺序地堆叠包含钛(Ti)的辅助层和包含铜(Cu)的主层并且然后立即使主层和辅助层两者图案化所形成的结构，或者可以通过顺序地堆叠包含钛(Ti)的辅助层和包含铜(Cu)的主层并且然后立即使主层和辅助层两者图案化来形成。
第二层间绝缘层162由无机绝缘材料形成并且在其上形成有第一数据导体的基底110上(更具体地，在第一层间绝缘层161上)被图案化，并且第二层间绝缘层162可以限定与漏电极DE和焊盘连接电极PCE重叠的开口。
参照图5，在第二层间绝缘层162上形成导电层并使该导电层图案化，以形成包括连接构件CM和焊盘PD的第二数据导体。连接构件CM和焊盘PD可以通过限定在第二层间绝缘层162中的开口分别连接到漏电极DE和焊盘连接电极PCE。可以通过顺序地堆叠四个层并且然后立即使该四个层图案化来形成第二数据导体。例如，第二数据导体可以通过相继地堆叠包含钛(Ti)的第一层、包含铜(Cu)的第二层、包含钛(Ti)的第三层和作为导电氧化物层的第四层并使包含钛(Ti)的第一层、包含铜(Cu)的第二层、包含钛(Ti)的第三层和作为导电氧化物层的第四层图案化来形成。在实施例中，第二层可以对应于主层，第三层和第四层可以对应于第一辅助层和第二辅助层，并且第一层可以对应于第三辅助层。
由于第二辅助层连续地形成在第一辅助层上并且然后被图案化以一起形成第二数据导体，因此可以抑制在第一辅助层中形成氧化膜，并且即使在第一辅助层上形成氧化膜，也可以减小氧化膜的厚度和离差。因此，易于控制用于形成第二数据导体的蚀刻工艺，并且能够改善与第二数据导体的锥度、偏斜和上尖端等相关的结构均匀性，并且可以改善显示装置的可靠性。在该步骤中，设置在最上层中的第二数据导体可以具有与最终制造的显示面板10中的第二数据导体的结构不同的结构。即，在该步骤中，焊盘PD的第二辅助层P2完全覆盖第一辅助层P1的上表面。
参照图6，钝化层181在其上形成有第二数据导体的基底110上(更具体地，在第二层间绝缘层162上)由无机绝缘材料形成，并且绝缘层182在钝化层181上由有机绝缘材料形成。然后，使绝缘层182和钝化层181图案化，以限定与焊盘PD重叠的开口81和与连接构件CM重叠的开口82。作为焊盘PD的最上层的第二辅助层P2的中心部分由开口81暴露，并且第二辅助层P2的边缘由钝化层181覆盖。由于焊盘PD的边缘由钝化层181封盖，因此可以防止焊盘PD的边缘被抬起或腐蚀。
参照图7，利用蚀刻剂对焊盘PD的第二辅助层P2的通过开口81暴露的中心部分进行湿法蚀刻。在该阶段中，还可以蚀刻连接构件CM的第二辅助层的通过开口82暴露的部分。可以使用对第一辅助层P1的材料具有高选择比的蚀刻剂，使得当蚀刻第二辅助层P2时不蚀刻第一辅助层P1。由于第二辅助层P2的被开口81暴露的部分被蚀刻，因此焊盘PD的第一辅助层P1在与开口81重叠的区域中被暴露。然而，由于第二辅助层P2的未被开口81暴露的部分未被蚀刻，因此第二辅助层P2的与钝化层181重叠的部分保留在第一辅助层P1和钝化层181之间。
可以使用对作为焊盘PD的暴露层的第一辅助层P1的材料具有高选择比的蚀刻剂，使得当蚀刻用于形成第一电极E1的导电层时不损坏焊盘PD。例如，在焊盘PD的主层P0由铜(Cu)形成并且第一电极E1由ITO形成的情况下，如果第一辅助层P1不覆盖主层P0，则主层P0可能由在用于形成第一电极E1的图案化期间使用的蚀刻剂侵蚀。然而，在实施例中，由于由诸如钛(Ti)的对ITO的蚀刻剂具有优异的耐腐蚀性的金属形成的第一辅助层P1覆盖主层P0，因此能够防止焊盘PD被损坏。另外，由于在形成主层P0的工艺中使用相同的掩模一起形成第一辅助层P1，因此在形成用于保护主层P0免受在随后的工艺中使用的蚀刻剂的影响的辅助层中不需要额外的掩模。
返回参照图2，在绝缘层182上形成导电层并使该导电层图案化，以形成发光二极管LED的第一电极E1。第一电极E1通过限定在绝缘层182中的开口82连接到连接构件CM。由于去除了连接构件CM的第二辅助层的与开口82重叠的部分，因此第一电极E1可以接触连接构件CM的第一辅助层P1的上表面。第一电极E1可以通过连接构件CM连接到漏电极DE。
接下来，在其上形成有第一电极E1的基底110上(更具体地，在绝缘层182上)形成有机绝缘材料并使该有机绝缘材料图案化，以形成限定与第一电极E1重叠的开口的分隔壁360。随后，形成与第一电极E1重叠的发光层EL，并且形成覆盖发光层EL和分隔壁360两者的第二电极E2，使得可以制造具有如图2中所示的截面结构的显示面板10。
在实施例中，可以在用于形成第一电极E1的图案化期间一起去除焊盘PD的第二辅助层P2中的与开口81重叠的部分。由于在用于形成发光二极管LED的第一电极E1的图案化期间，焊盘PD由于开口81而被暴露，因此可以通过使用能够蚀刻第二辅助层P2和第一电极E1两者的蚀刻剂来一起蚀刻第二辅助层P2。在这种情况下，连接构件CM的第二辅助层P2的与开口82重叠的部分未被去除并且完全覆盖第一辅助层P1。作为另一示例，可以在形成第二数据导体之后并且在形成钝化层181之前完全去除第二辅助层P2。
在下文中，将着重于与上述实施例的区别来描述一些附加的实施例。
图8示出了沿着图1的线A-A'截取的实施例的示意性截面图。
图8的实施例与图2的实施例的不同之处在于数据线DL和焊盘PD的连接。在图2的实施例中，数据线DL和焊盘连接电极PCE通过作为栅极导体的焊盘连接线PCL彼此电连接。图8的实施例的显示面板10不包括焊盘连接线PCL，并且数据线DL延伸至焊盘PD，使得数据线DL和焊盘连接电极PCE一体地形成(即，是整体的)。因此，可以将焊盘连接电极PCE视为数据线DL的延伸部分或扩展部分。
图9示出了根据实施例的显示装置的示意性截面图，并且图10示出了图9的区域C的放大图。图9可以对应于沿着图1的线A-A'截取的截面。
参照图9和图10，与图2的实施例不同，显示面板10不包括第二数据导体。因此，显示面板10不包括用于使第一数据导体和第二数据导体绝缘的第二层间绝缘层。在图2的实施例中，称为第一数据导体的元件被称为数据导体，并且称为第一层间绝缘层的绝缘层被称为层间绝缘层160。
类似于图2的实施例，在图9的实施例的显示面板10中，光阻挡层LB设置在基底110上，并且覆盖光阻挡层LB的缓冲层120设置在基底110上。晶体管TR的半导体层AL和栅极绝缘层140设置在缓冲层120上。在栅极绝缘层140上设置包括晶体管TR的栅电极GE、存储电容器SC的第一电极CE1和焊盘连接线PCL的栅极导体，并且覆盖栅极导体的层间绝缘层160设置在该栅极导体上。
在层间绝缘层160上设置包括晶体管TR的源电极SE和漏电极DE、数据线DL、存储电容器SC的第二电极CE2以及焊盘PD的数据导体。源电极SE和漏电极DE可以分别通过限定在层间绝缘层160中的开口连接到半导体层AL的源极区和漏极区。源电极SE和漏电极DE中的一个可以通过限定在层间绝缘层160和缓冲层120中的开口连接到光阻挡层LB。数据线DL和焊盘PD可以通过限定在层间绝缘层160中的开口连接到焊盘连接线PCL。因此，数据线DL和焊盘PD可以通过焊盘连接线PCL电连接。数据导体还可以包括诸如驱动电压线、公共电压线和/或初始化电压线的电源线。
类似于图2的实施例的第二数据导体，数据导体可以是包括至少三个层的多层。在各层具有不同的材料的同时，多层可以通过相继地堆叠各层而形成。数据导体可以包括包含低电阻率的金属的主层、顺序地设置在主层的上部处的第一辅助层和第二辅助层。数据导体还可以包括设置在主层的下部处的第三辅助层。
焊盘PD是通过各向异性导电膜或焊料等电连接到诸如柔性印刷电路膜的电子组件的诸如焊盘或凸块的连接端子的部分。作为数据导体的多层结构的示例，焊盘PD包括以此次序顺序地堆叠的第三辅助层P3、主层P0、第一辅助层P1和第二辅助层P2。
设置在底部处的第三辅助层P3可以包含诸如钛(Ti)和钼(Mo)的金属。主层P0可以包含诸如铜(Cu)、铝(Al)和银(Ag)的低电阻率的金属。在显示面板10的制造中形成数据导体之后，第一辅助层P1可以防止主层P0在随后的工艺(例如，用于形成发光二极管LED的第一电极E1的蚀刻工艺)中被损坏。第一辅助层P1可以包含诸如钛(Ti)、钼(Mo)和钨(W)的耐腐蚀材料。
第一辅助层P1的表面可以被氧化，并且诸如氧化钛(TiOx)的氧化物可以作为氧化的结果形成在第一辅助层P1的表面上。由于这种氧化物形成氧化膜，因此当厚地或不均匀地形成氧化膜时，难以控制用于形成数据导体的蚀刻工艺，并且数据导体的均匀性可能会降低。另外，第二辅助层P2设置在第一辅助层P1上，从而抑制了第一辅助层P1的氧化膜的出现。因此，能够减小第一辅助层P1的氧化膜的厚度和离差，可以易于控制用于形成数据导体的蚀刻工艺，并且可以改善数据导体(具体地，焊盘PD)的结构均匀性。第二辅助层P2可以包括诸如氧化锌铟(ZIO)、氧化镓锌(GZO)和氧化铝锌(AZO)的导电氧化物。第二辅助层P2可以包含绝缘材料。
钝化层181设置在层间绝缘层160和数据导体上，并且绝缘层182设置在钝化层181上。绝缘层182和钝化层181限定与焊盘PD重叠的开口81，使得焊盘PD可以暴露于外部。可以限定开口81，使得焊盘PD可以不被完全暴露。即，钝化层181可以覆盖焊盘PD的边缘。焊盘PD的第二辅助层P2的整个部分可以与钝化层181重叠。
发光二极管LED的第一电极E1设置在绝缘层182上，并且第一电极E1通过限定在绝缘层182和钝化层181中的开口82连接到漏电极DE。可以去除作为数据导体的漏电极DE的第二辅助层中的与开口82重叠的部分。
限定与第一电极E1重叠的开口的分隔壁360设置在绝缘层182上，发光层EL设置在第一电极E1上，并且第二电极E2设置在发光层EL上。每个像素PX的第一电极E1、发光层EL和第二电极E2形成诸如有机发光二极管的发光二极管LED。
将参照图11至图13描述制造具有如图9中所示的截面结构的显示面板的方法。
参照图11，在基底110上形成光阻挡层LB、缓冲层120、半导体层AL、栅极绝缘层140以及栅极导体(包括栅电极GE、第一电极CE1和焊盘连接线PCL)的步骤可以与参照图4描述的步骤相同。然后，层间绝缘层160在其上形成有栅极导体的基底110上(更具体地，在缓冲层120上)由无机绝缘材料形成且被图案化，并且在层间绝缘层160中限定与半导体层AL的源极区和漏极区以及焊盘连接线PCL重叠的开口，并且在层间绝缘层160和缓冲层120中形成与光阻挡层LB重叠的开口。
参照图12，在层间绝缘层160上形成导电层并且使该导电层图案化，以形成包括晶体管TR的源电极SE和漏电极DE、数据线DL、存储电容器SC的第二电极CE2和焊盘PD的数据导体。源电极SE、漏电极DE、数据线DL和焊盘PD可以通过限定在层间绝缘层160中的开口连接到源极区、漏极区和焊盘连接线PCL。漏电极DE也可以通过限定在层间绝缘层160和缓冲层120中的开口连接到光阻挡层LB。可以通过相继地堆叠四个层并且然后立即图案化该四个层来形成数据导体。例如，可以通过相继地堆叠并且使包含钛(Ti)的第一层、包含铜(Cu)的第二层、包含钛(Ti)的第三层以及作为导电氧化物层的第四层图案化来形成数据导体。在实施例中，第二层可以对应于主层，第三层和第四层可以分别对应于第一辅助层和第二辅助层，并且第一层可以对应于第三辅助层。
由于第二辅助层连续地形成在第一辅助层上并且然后被图案化以一起形成数据导体，因此可以抑制在第一辅助层中形成氧化膜，并且即使在第一辅助层上形成氧化膜，也可以减小氧化膜的厚度和离差。因此，易于控制用于形成数据导体的蚀刻工艺，并且能够改善数据导体的结构均匀性。在该步骤中，设置在最上层中的数据导体可以具有与最终制造的显示面板10中的数据导体的结构不同的结构。例如，在该步骤中，焊盘PD的第二辅助层P2完全覆盖第一辅助层P1的上表面。
参照图13，在其上形成有数据导体的基底110上(更具体地，在层间绝缘层160上)由无机绝缘材料形成钝化层181，并且在钝化层181上由有机绝缘材料形成绝缘层182。然后，使绝缘层182和钝化层181图案化，以限定与焊盘PD重叠的开口81和与漏电极DE重叠的开口82。作为焊盘PD的最上层的第二辅助层P2的中心部分由开口81暴露，并且第二辅助层P2的边缘由钝化层181覆盖。然后，蚀刻焊盘PD的第二辅助层P2中的通过开口81暴露的部分。在该步骤中，还可以蚀刻漏电极DE的第二辅助层的通过开口82暴露的部分。可以使用对第一辅助层P1的材料具有高选择比的蚀刻剂，使得当蚀刻第二辅助层P2时不蚀刻第一辅助层P1。由于第二辅助层P2的通过开口81暴露的部分被蚀刻，因此焊盘PD的第一辅助层P1在与开口81重叠的区域中被暴露。然而，由于第二辅助层P2的未被开口81暴露的部分未被蚀刻，因此第二辅助层P2的与钝化层181重叠的部分保留在第一辅助层P1和钝化层181之间。
可以使用对作为焊盘PD的暴露层的第一辅助层P1的材料具有高选择比的蚀刻剂，使得当蚀刻用于形成第一电极E1的导电层时不损坏焊盘PD。例如，在焊盘PD的主层P0由铜(Cu)形成并且第一电极E1由ITO形成的情况下，如果第一辅助层P1不覆盖主层P0，则主层P0可能由于在用于形成第一电极E1的图案化期间使用的蚀刻剂而被侵蚀。然而，在实施例中，由于由诸如钛(Ti)的对ITO的蚀刻剂具有优异的耐腐蚀性的金属形成的第一辅助层P1覆盖主层P0，因此能够防止焊盘PD被损坏。另外，由于在形成主层P0的工艺中一起形成第一辅助层P1，因此在形成用于保护主层P0免受在随后的工艺中使用的蚀刻剂影响的辅助层中不必需添加掩模。
关于随后的工艺，参照图9，在绝缘层182上形成导电层并使该导电层图案化以形成发光二极管LED的第一电极E1。第一电极E1通过限定在绝缘层182中的开口82连接到漏电极DE。由于从漏电极DE的第二辅助层P2去除了与开口82重叠的部分，因此漏电极DE可以接触第一辅助层P1的上表面。
接下来，在其上形成有第一电极E1的基底110上(更具体地，在绝缘层182上)形成分隔壁360、发光层EL和第二电极E2，从而制造具有如图9中所示的截面结构的显示面板10。
在实施例中，在用于形成第一电极E1的图案化期间，可以去除焊盘PD的第二辅助层P2中的由开口81暴露的部分。由于在用于形成第一电极E1的图案化期间由于开口81而暴露焊盘PD，因此可以通过使用能够蚀刻第二辅助层P2和第一电极E1两者的蚀刻剂一起蚀刻第二辅助层P2。在这种情况下，漏电极DE的第二辅助层P2的与开口82重叠的部分没有被去除并且完全覆盖第一辅助层P1。作为另一示例，可以在形成数据导体之后并且在形成钝化层181之前完全去除第二辅助层P2。
图14示出了根据实施例的显示装置的示意性截面图。
图14的实施例与图9的实施例的不同之处在于数据线DL和焊盘PD的连接。在图9的实施例中，数据线DL和焊盘PD通过焊盘连接线PCL电连接，但是图14的实施例的显示面板10不包括焊盘连接线PCL。相反，数据线DL延伸到焊盘PD，并且数据线DL和焊盘PD一体地形成(即，是整体的)。可以将焊盘PD视为数据线DL的延伸部分或扩展部分。
图15示出了根据实施例的显示装置的示意性截面图。
图15示出了其中晶体管TR的源电极SE与漏电极DE和焊盘PD等设置在与晶体管TR的栅电极GE相同的层中的显示面板10的截面结构。
参照图15，光阻挡层LB设置在基底110上，并且缓冲层120设置在光阻挡层LB上。缓冲层120可以是包括下层121和上层122的双层。
晶体管TR的半导体层AL和存储电容器SC的第一电极CE1可以设置在缓冲层120上。第一电极CE1可以设置在与半导体层AL相同的层中。如同半导体层AL的源极区和漏极区那样，形成第一电极CE1，并且第一电极CE1掺杂有诸如氧化物半导体、多晶硅或非晶硅的半导体材料。
第一电极CE1可以连接到晶体管TR的栅电极GE。
在缓冲层120和半导体层AL上可以设置栅极绝缘层140。
包括晶体管TR的栅电极GE、源电极SE和漏电极DE、数据线DL和焊盘PD的栅极导体可以设置在缓冲层120、半导体层AL和栅极绝缘层140上。栅电极GE、源电极SE、漏电极DE、数据线DL和焊盘PD可以在相同的工艺中由相同的材料形成。通过与栅电极GE一起形成源电极SE和漏电极DE，可以减少用于形成源电极SE和漏电极DE的工艺和掩模的数量。在实施例中，诸如驱动电压线、公共电压线和初始化电压线的电源线也可以是在与栅电极GE相同的工艺中由与栅电极GE相同的材料形成的栅极导体。
类似于图9的实施例的数据导体，栅极导体可以是包括至少三个层的多层。在各层具有不同的材料的同时，多层可以通过相继地堆叠各层而形成。数据导体可以包括包含低电阻率的金属的主层、顺序地设置在主层的上部处的第一辅助层和第二辅助层。栅极导体还可以包括设置在主层的下部处的第三辅助层。这种栅极导体可以通过相继地堆叠四个层并且然后立即使该四个层图案化来形成。
例如，栅极导体可以通过相继地堆叠第一层、第二层、第三层和第四层并使所述第一层、所述第二层、所述第三层和所述第四层图案化来形成，所述第一层包含诸如钛(Ti)和钼(Mo)等的金属；所述第二层包含诸如铜(Cu)、铝(Al)和银(Ag)的具有低电阻率的金属；所述第三层包含诸如钛(Ti)、钼(Mo)和钨(W)的耐腐蚀材料；并且所述第四层包含诸如氧化锌铟(ZIO)、氧化镓锌(GZO)和氧化铝锌(AZO)的导电氧化物。在实施例中，第二层可以对应于主层，第三层和第四层可以分别对应于第一辅助层和第二辅助层，并且第一层可以对应于第三辅助层。
由于第二辅助层连续地形成在第一辅助层上并且然后被图案化以一起形成栅极导体，因此可以抑制在第一辅助层中形成氧化膜，并且即使在第一辅助层上形成氧化膜，也可以减小氧化膜的厚度和离差。因此，易于控制用于形成栅极导体的蚀刻工艺，并且能够改善栅极导体(具体地，焊盘PD)的结构均匀性。
栅极绝缘层140可以不存在于源电极SE与半导体层AL的源极区之间，并且因此，源电极SE可以直接接触源极区。类似地，栅极绝缘层140可以不存在于漏电极DE与半导体层AL的漏极区之间，并且因此，漏电极DE可以直接接触漏极区。漏电极DE可以通过限定在缓冲层120中的开口连接到光阻挡层LB。
钝化层181可以设置在栅极导体上。钝化层181限定与焊盘PD重叠的开口81和与漏电极DE重叠的开口82，使得焊盘PD可以暴露于外部，以与柔性印刷电路膜的焊盘等连接。限定开口81，使得焊盘PD不被完全暴露，并且钝化层181覆盖焊盘PD的边缘。作为焊盘PD的最上层的第二辅助层的整个部分可以与钝化层181重叠。第二辅助层的边缘可以与第一辅助层的边缘基本上重合。钝化层181可以包含无机绝缘材料并且可以包含有机绝缘材料。
在钝化层181上可以设置滤色器CF。滤色器CF可以显示例如红色、绿色和蓝色的三原色之一。在所示的结构中，从发光二极管LED发射的光可以穿过滤色器CF并且通过基底110发射到显示装置的后表面。由于可以由滤色器CF显示三原色，因此发光二极管LED可以发射白光和/或蓝光。
绝缘层182可以设置在钝化层181和滤色器CF上。发光二极管LED的第一电极E1和存储电容器SC的第二电极CE2可以设置在绝缘层182上。第一电极E1和第二电极CE2可以在相同的工艺中由相同的材料形成。
第一电极E1可以通过限定在绝缘层182和钝化层181中的开口82连接到漏电极DE。第二电极CE2也可以通过开口82连接到漏电极DE。第二电极CE2可以与重叠的第一电极CE1一起形成存储电容器SC。
在形成限定在绝缘层182和钝化层181中的开口81之后，可以通过使用蚀刻剂或在用于形成第一电极E1的图案化期间去除第二辅助层的与开口81重叠的部分。在前一种情况下(即，使用蚀刻剂)，如附图中所示，可以一起去除漏电极DE的第二辅助层P2中的与开口82重叠的部分。在后一种情况下，漏电极DE的第二辅助层P2的与开口82重叠的部分没有被去除并且完全覆盖漏电极DE的第一辅助层P1。作为另一示例，可以在形成栅极导体之后并且在形成钝化层181之前完全去除第二辅助层P2。
分隔壁360可以设置在发光二极管LED的第一电极E1和存储电容器SC的第二电极CE2上。发光层EL可以设置在第一电极E1上，并且第二电极E2设置在发光层EL上。第一电极E1、发光层EL和第二电极E2可以形成发光二极管LED。
分隔壁360可以限定与焊盘PD重叠的开口，或者可以从焊盘部分PP去除。在显示面板10中，焊盘PD被暴露，并且可以将输入到焊盘PD的信号传输到诸如数据线的信号线。
最后，将根据像素电路描述显示装置的像素PX。
图16示出了根据实施例的显示器的一个像素的等效电路图。
参照图16，像素PX包括晶体管T1、T2和T3、存储电容器SC以及发光二极管LED。信号线DL、GL、SCL、SSL、DVL和CVL连接到像素PX。尽管示出了像素PX具有包括三个晶体管和一个电容器的结构，但是晶体管和电容器的数量和连接可以不同地改变。尽管示出了其中六条信号线连接到像素PX的结构，但是信号线的类型和数量可以不同地改变。
信号线DL、GL、SCL、SSL、DVL和CVL可以包括数据线DL、栅极线GL、感测控制线SCL、感测线SSL、驱动电压线DVL和公共电压线CVL。栅极线GL可以将栅极信号GW传输到第二晶体管T2。数据线DL可以传输数据电压VDAT，驱动电压线DVL可以传输驱动电压ELVDD，并且公共电压线CVL可以传输公共电压ELVSS。感测控制线SCL可以传输感测信号SS，并且感测线SSL可以连接到感测部分。
晶体管T1、T2和T3包括作为驱动晶体管的第一晶体管T1、作为开关晶体管的第二晶体管T2和作为感测晶体管的第三晶体管T3。晶体管T1、T2和T3是分别包括栅电极G1、G2和G3、源电极S1、S2和S3以及漏电极D1、D2和D3的三端元件。源电极和漏电极的位置是可变的，并且除了晶体管的三个端子中的栅电极之外的两个端子中的一个可以是源电极，并且两个端子中的另一个可以是漏电极。
在实施例中，第一晶体管T1的栅电极G1连接到存储电容器SC的第一电极CE1和第二晶体管T2的漏电极D2，第一晶体管T1的源电极S1连接到驱动电压线DVL，并且第一晶体管T1的漏电极D1连接到发光二极管LED的阳极。第一晶体管T1可以将根据通过第二晶体管T2传输的数据电压VDAT而变化的驱动电流ID供给到发光二极管LED，并且发光二极管LED可以根据驱动电流ID发射具有变化明度的光。因此，像素PX可以通过根据数据电压VDAT调节流过第一晶体管T1的电流量来显示灰度级。驱动电流ID可以取决于作为第一晶体管T1的栅电极G1和源电极S1之间的电压的栅-源电压。即，随着第一晶体管T1的电压增大，驱动电流ID可能增大。可以与第一晶体管T1的半导体层重叠的光阻挡层LB连接到第一晶体管T1的漏电极D1，因此可以改善诸如输出饱和特性的第一晶体管T1的特性。
在实施例中，第二晶体管T2的栅电极G2连接到栅极线GL，第二晶体管T2的源电极S2连接到数据线DL，并且第二晶体管T2的漏电极D2连接到第一晶体管T1的栅电极G1和存储电容器SC的第一电极CE1。第二晶体管T2可以执行其中第二晶体管T2根据通过栅极线GL接收的栅极信号GW而导通的开关操作，并且可以将通过数据线DL传输的数据电压VDAT传输到第一晶体管T1的栅电极G1和存储电容器SC的第一电极CE1。
在实施例中，第三晶体管T3的栅电极G3连接到感测控制线SCL，第三晶体管T3的源电极S3连接到第一晶体管T1的漏电极D1和发光二极管LED的阳极，并且第三晶体管T3的漏电极D3连接到感测线SSL。第三晶体管T3是用于感测诸如导致图像质量劣化的第一晶体管T1的阈值电压的特性的晶体管。第三晶体管T3根据通过感测控制线SCL接收的感测信号SS而导通，以将第一晶体管T1和感测线SSL电连接，并且连接到感测线SSL的感测部分可以在感测时段期间感测第一晶体管T1的特性信息。通过在感测时段期间产生通过反映由第三晶体管T3感测的特性信息而被补偿的数据电压，能够对可能针对各个像素PX不同的第一晶体管T1的特性变化进行外部补偿。通过感测线SSL将初始化电压施加到发光二极管LED的阳极，以能够将阳极的电压初始化为初始化电压。
在实施例中，存储电容器SC的第一电极CE1连接到第一晶体管T1的栅电极G1和第二晶体管T2的漏电极D2，并且存储电容器SC的第二电极CE2连接到第一晶体管T1的漏电极D1、第三晶体管T3的源电极S3和发光二极管LED的阳极。存储电容器SC可以将充电的数据电压VDAT连续地施加到第一晶体管T1，以在发光时段期间使得发光二极管LED连续地发光。发光二极管LED的阴极可以连接到传输公共电压ELVSS的公共电压线CVL。
尽管已经结合目前被认为是实施例的示例描述了本发明构思，但是将理解的是，本发明构思不限于所公开的实施例，而是相反，本发明构思旨在覆盖被包括在本公开的精神和范围内的各种修改和等同布置。

Claims (14)

1.一种显示装置，其中，所述显示装置包括：
基底，包括显示区域和非显示区域；
晶体管，设置在所述显示区域中；
焊盘，设置在所述非显示区域中；以及
绝缘层，设置在所述晶体管上并且限定在平面图中与所述焊盘重叠的开口，
其中，所述焊盘包括主层、在所述主层上的第一辅助层和在所述第一辅助层上的第二辅助层，并且所述第二辅助层限定所述开口。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述绝缘层覆盖所述焊盘的边缘，并且
所述第二辅助层设置在所述第一辅助层和所述绝缘层之间。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，
所述第二辅助层的边缘和所述第一辅助层的边缘彼此重合。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述第二辅助层包括导电氧化物。
5.根据权利要求4所述的显示装置，其中，
所述导电氧化物包括氧化锌铟、氧化镓锌和氧化铝锌中的至少一种。
6.根据权利要求5所述的显示装置，其中，
所述主层包含铜，并且所述第一辅助层包含钛。
7.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述焊盘还包括在所述主层下方的第三辅助层。
8.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述焊盘连接到设置在所述显示区域中的信号线。
9.根据权利要求8所述的显示装置，其中，所述显示装置还包括：
焊盘连接电极，所述焊盘连接电极与所述焊盘重叠，
其中，所述焊盘通过所述焊盘连接电极连接到所述信号线。
10.根据权利要求9所述的显示装置，其中，
所述信号线是传输数据电压的数据线，并且所述焊盘连接电极设置在与所述数据线相同的层中。
11.根据权利要求8所述的显示装置，其中，所述显示装置还包括：
连接构件，设置在所述晶体管的源电极或漏电极上，并且所述连接构件连接到所述源电极或所述漏电极，
其中，所述焊盘设置在与所述连接构件相同的层中。
12.根据权利要求8所述的显示装置，其中，
所述信号线是传输数据电压的数据线，并且所述焊盘设置在与所述数据线相同的层中。
13.根据权利要求12所述的显示装置，其中，
所述焊盘和所述数据线是整体的。
14.根据权利要求8所述的显示装置，其中，
所述焊盘设置在与所述晶体管的所述栅电极相同的层中。
CN202011080004.7A 2019-10-30 2020-10-10 显示装置 Pending CN112750868A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020190136578A KR20210052700A (ko) 2019-10-30 2019-10-30 표시 장치
KR10-2019-0136578 2019-10-30

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN112750868A true CN112750868A (zh) 2021-05-04

Family

ID=75645677

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202011080004.7A Pending CN112750868A (zh) 2019-10-30 2020-10-10 显示装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20210134923A1 (zh)
KR (1) KR20210052700A (zh)
CN (1) CN112750868A (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210101363A (ko) * 2020-02-07 2021-08-19 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법
CN114582928A (zh) * 2020-11-30 2022-06-03 乐金显示有限公司 电致发光显示装置

Citations (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010001362A (ko) * 1999-06-03 2001-01-05 윤종용 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법
US6380559B1 (en) * 1999-06-03 2002-04-30 Samsung Electronics Co., Ltd. Thin film transistor array substrate for a liquid crystal display
KR20020032212A (ko) * 2000-10-26 2002-05-03 윤종용 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
CN103107181A (zh) * 2011-11-14 2013-05-15 三星显示有限公司 有机发光显示装置及其制造方法
US20140103539A1 (en) * 2012-10-15 2014-04-17 Electronics And Telecommunications Research Institute Semiconductor device and method of fabricating the same
CN104218058A (zh) * 2013-05-30 2014-12-17 三星显示有限公司 有机发光显示装置
US20150115256A1 (en) * 2013-10-30 2015-04-30 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting diode (oled) display
US20150144952A1 (en) * 2013-11-27 2015-05-28 Samsung Display Co., Ltd. Display substrate, method of manufacturing the same, and display device including the same
US20160013436A1 (en) * 2014-07-11 2016-01-14 Lg Display Co., Ltd. Organic light-emitting diode display device and method of fabricating the same
US20170062548A1 (en) * 2015-08-28 2017-03-02 Lg Display Co., Ltd. Organic Light Emitting Display Device
US20170345882A1 (en) * 2016-05-30 2017-11-30 Lg Display Co., Ltd. Display device and method of manufacturing the same
US20180151828A1 (en) * 2016-11-30 2018-05-31 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting display device
US20190165079A1 (en) * 2017-11-28 2019-05-30 Samsung Display Co., Ltd. Display device
CN110010621A (zh) * 2017-12-27 2019-07-12 乐金显示有限公司 电致发光显示装置

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220065949A (ko) * 2020-11-13 2022-05-23 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치

Patent Citations (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010001362A (ko) * 1999-06-03 2001-01-05 윤종용 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법
US6380559B1 (en) * 1999-06-03 2002-04-30 Samsung Electronics Co., Ltd. Thin film transistor array substrate for a liquid crystal display
KR20020032212A (ko) * 2000-10-26 2002-05-03 윤종용 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
CN103107181A (zh) * 2011-11-14 2013-05-15 三星显示有限公司 有机发光显示装置及其制造方法
US20140103539A1 (en) * 2012-10-15 2014-04-17 Electronics And Telecommunications Research Institute Semiconductor device and method of fabricating the same
CN104218058A (zh) * 2013-05-30 2014-12-17 三星显示有限公司 有机发光显示装置
US20150115256A1 (en) * 2013-10-30 2015-04-30 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting diode (oled) display
US20150144952A1 (en) * 2013-11-27 2015-05-28 Samsung Display Co., Ltd. Display substrate, method of manufacturing the same, and display device including the same
US20160013436A1 (en) * 2014-07-11 2016-01-14 Lg Display Co., Ltd. Organic light-emitting diode display device and method of fabricating the same
US20170062548A1 (en) * 2015-08-28 2017-03-02 Lg Display Co., Ltd. Organic Light Emitting Display Device
US20170345882A1 (en) * 2016-05-30 2017-11-30 Lg Display Co., Ltd. Display device and method of manufacturing the same
US20180151828A1 (en) * 2016-11-30 2018-05-31 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting display device
CN108122955A (zh) * 2016-11-30 2018-06-05 乐金显示有限公司 有机发光显示装置
US20190165079A1 (en) * 2017-11-28 2019-05-30 Samsung Display Co., Ltd. Display device
CN110010621A (zh) * 2017-12-27 2019-07-12 乐金显示有限公司 电致发光显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20210134923A1 (en) 2021-05-06
KR20210052700A (ko) 2021-05-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP2966705B1 (en) Organic light-emitting diode display device and method of fabricating the same
CN108666345B (zh) 有机发光显示设备
US10714507B2 (en) Array substrate and display device
KR20200118316A (ko) 표시 장치
CN105489629B (zh) 有机发光显示设备和制造有机发光显示设备的方法
US20210200357A1 (en) Organic light emitting diode display device including touch sensor and manufacturing method of same
US11527601B2 (en) Organic light emitting diode display device with reduced contact resistance in a current concentration region
US20230065100A1 (en) Display device
CN112242120A (zh) 显示装置
CN112750868A (zh) 显示装置
CN113113449A (zh) 显示装置
US11871627B2 (en) Display device having a lower pattern overlapping an active pattern
US20240251627A1 (en) Display device
CN113314569A (zh) 显示装置
CN114270522A (zh) 显示装置
CN111162106A (zh) 显示基板和显示装置
KR20170026900A (ko) 유기발광 표시장치
KR20190026351A (ko) 전계 발광 표시 장치
CN112951881A (zh) 有机发光显示装置
KR20200118315A (ko) 표시 장치
US20240224622A1 (en) Display Device and Method for Manufacturing of the Same
WO2024147179A1 (ja) 表示装置
EP3902008A2 (en) Light emitting display device and manufacturing method thereof
US20230317701A1 (en) Light emitting display device
KR20170015830A (ko) 투명표시장치 및 이의 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination